CN101650170B - 晶圆表面粗糙度检测方法 - Google Patents

晶圆表面粗糙度检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101650170B
CN101650170B CN2009100553742A CN200910055374A CN101650170B CN 101650170 B CN101650170 B CN 101650170B CN 2009100553742 A CN2009100553742 A CN 2009100553742A CN 200910055374 A CN200910055374 A CN 200910055374A CN 101650170 B CN101650170 B CN 101650170B
Authority
CN
China
Prior art keywords
roughness
wafer
sample
reflectance
detection method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009100553742A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101650170A (zh
Inventor
刘玮荪
杨建军
周侃
孔令芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN2009100553742A priority Critical patent/CN101650170B/zh
Publication of CN101650170A publication Critical patent/CN101650170A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101650170B publication Critical patent/CN101650170B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶圆表面粗糙度检测方法,包括如下步骤:从同一批次的晶圆中挑选出至少三个不同粗糙度的晶圆作为样品;将每个所述样品放到粗糙度测试仪下进行检测,得出各自的粗糙度;将每个所述样品放到光学检测仪下进行检测,得出各自的反光度;建立所述粗糙度和所述反光度之间的关系式;将同一批次的晶圆逐个通过光学检测仪进行检测,得出每个所述晶圆的反光度,根据所述关系式,得出每个所述晶圆的粗糙度。本发明能够对晶圆表面的粗糙度进行实时的检测,有利于提高晶圆的质量。

Description

晶圆表面粗糙度检测方法
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺,且尤其涉及一种晶圆表面粗糙度检测方法。
背景技术
对于表面粗糙度的检测,最早人们是用标准样件或样块,通过肉眼观察或用手触摸,对表面粗糙度做出定性的综合评定。1929年德国的施马尔茨(g.schmalz)首先对表面微观不平度的深度进行了定量测量。1936年美国的艾卜特(e.j.abbott)研制成功第一台车间用的测量表面粗糙度的轮廓仪。1940年英国taylor-hobson公司研制成功表面粗糙度测量仪“泰吕塞夫(talysurf)”。以后,各国又相继研制出多种测量表面粗糙度的仪器。目前,测量表面粗糙度常用的方法有:比较法、光切法、干涉法、针描法和印模法等,而测量迅速方便、测值精度较高、应用最为广泛的就是采用针描法原理的表面粗糙度测量仪。针描法又称触针法。当触针直接在工件被测表面上轻轻划过时,由于被测表面轮廓峰谷起伏,触针将在垂直于被测轮廓表面方向上产生上下移动,把这种移通过电子装置把信号加以放大,然后通过指零表或其它输出装置将有关粗糙度的数据或图形输出来。
粗糙度测试仪用于计量室及生产现场对工作表面粗糙度进行高精度的测量,粗糙度测试仪采用接触式方式,能迅速精确直观地测量出表面粗糙度值,仪器采用电感式探头,测量误差小,重复性好,钻石触针经久耐用,配置16位单片微处理器,智能化程度高,使用特别方便,能迅速读出所需的参数,并可根据需要打印出全部测试数据及轮廓图形,LCD能显示测量过程中的触针位置,避免人为造成的误差。
粗糙度是实际表面同规定平面的小数值范围的偏差,例如图1所示,图1为表面粗糙度的放大状况示意图,它有许多小的距离很近的峰和谷,它是晶圆表面纹理的标志。表面微粗糙度测量了晶圆表面最高点和最低点的高度差别,它的单位是纳米或者埃。粗糙度的标准是用均方根来表示的,它是规定平面所有测量数值的平方的平均值的平方根。这是一个用来确定最可能的测量数据的普通统计方法。
对芯片制造来讲,晶圆表面的粗糙度对背面金属薄膜沉积粘附度是相当重要的,因此,晶圆表面的粗糙度需要实时的加以监控,以确保生产出高品质的晶圆,而现有的粗糙度测试方法是将晶圆逐个的放到粗糙度测试仪下去测试,所花费的时间较长,根本无法做到实时监控。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术中晶圆表面粗糙度无法实现实时检测的问题。
本发明提供了一种晶圆表面粗糙度检测方法,包括如下步骤:从同一批次的晶圆中挑选出至少三个不同粗糙度的晶圆作为样品;将每个所述样品放到粗糙度测试仪下进行检测,得出各自的粗糙度;将每个所述样品放到光学检测仪下进行检测,得出各自的反光度;建立所述粗糙度和所述反光度之间的关系式;将同一批次的晶圆逐个通过光学检测仪进行检测,得出每个所述晶圆的反光度,根据所述关系式,得出每个所述晶圆的粗糙度。
可选的,所述样品为六个不同粗糙度的晶圆。
可选的,所述关系式为线性关系式。
可选的,用最小二乘法对所述粗糙度和所述反光度的值进行拟合,建立所述关系式。
由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明用光学检测仪代替了粗糙度测试仪,由于光学检测仪直接检测的是反光度,因此可以实现实时检测,另外预先建立好粗糙度和反光度之间的关系式,由实时检测出的反光度便可实时得到晶圆的粗糙度,从而确保了生产出的晶圆为高品质的晶圆。
附图说明
图1为表面粗糙度的放大状况示意图;
图2为本发明晶圆表面粗糙度检测方法的流程图;
图3为本发明晶圆表面粗糙度检测方法一实施例的粗糙度和反光度的关系示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
首先,请参考图2,图2为本发明晶圆表面粗糙度检测方法的流程图,从图2中可以看出,本发明包括如下步骤:步骤11:从同一批次的晶圆中挑选出至少三个不同粗糙度的晶圆作为样品;步骤12:将每个所述样品放到粗糙度测试仪下进行检测,得出各自的粗糙度;步骤13:将每个所述样品放到光学检测仪下进行检测,得出各自的反光度;步骤14:建立所述粗糙度和所述反光度之间的关系式,一般关系式为线性关系式;步骤15:将同一批次的晶圆逐个通过光学检测仪进行检测,得出每个所述晶圆的反光度,根据所述关系式,求出每个所述晶圆的粗糙度。
下面,请看一实施例。
首先,从同一批次的晶圆中挑选出六个不同粗糙度的晶圆作为样品,样品数量一般不要低于三个,因为样品数量如果太少,会影响到将来关系式中涉及的未知数的精确度,如果单纯的从精确度角度来说,样品的数量是越多越好,但是,还要考虑实际操作的效率,因此,本实施例将样品的数量选择为六个。
接着,将六个样品逐一放到粗糙度测试仪下进行检测,给六个样品分别编号为1-6,假设y为样品的粗糙度,得到检测结果y1=1980埃,y2=1760埃,y3=1620埃,y4=1100埃,y5=1000埃,y6=650埃。然后将六个样品逐一放到光学检测仪下进行检测,假设x为样品的反光度,得到检测结果x1=0.08埃,x2=0.144埃,x3=0.203埃,x4=0.386埃,x5=0.496埃,x6=0.75埃。
下面,建立所述粗糙度和所述反光度之间的关系式。首先将每个样品的粗糙度和反光度结合在一起,在一个x-y直角坐标系里面,每个样品表示成一个点,纵轴表示粗糙度,横轴表示反光度,即如图3所示,图3为本发明晶圆表面粗糙度检测方法一实施例的粗糙度和反光度的关系示意图。
然后,使用最小二乘法拟合粗糙度和反光度的值,得出相互之间的关系式,计算过程如下:
当将粗糙度和反光度的数据描绘在x-y直角坐标系中时,发现这六个点在一条直线的附近,因此,令这条直线方程如下:
Y=a0+a1X                (1-1)
其中Y表示任意的粗糙度,X表示任意的反光度,a0和a1为任意实数。接着,令
Figure G2009100553742D00041
其中yi在i=1至6时,即表示y1至y6。
将等式(1-1)代入等式(1-2)得到:
Figure G2009100553742D00042
接着函数
Figure G2009100553742D00043
对a0和a1分别求偏导数,且令偏导数等于零,便会得到只含有未知数a0和a1一个方程组:
6 * a 0 + ( Σ i = 1 6 xi ) * a 1 = Σ i = 1 6 yi ( Σ i = 1 6 xi ) * a 0 + ( Σ i = 1 6 xi 2 ) * a 1 = Σ i = 1 6 xi - - - ( 1 - 4 )
将x1至x6的值以及y1至y6的值代入方程组(1-4),计算得出a0=-2358,a1=2114,由此得出粗糙度和反光度之间的关系式为:
Y=-2358+2114*X        (1-5)
为了判断最小二乘法拟合情况的好与坏,一般通过相关系数“R”或者“R2”来衡量,当相关系数“R”或者“R2”越接近1时,表示拟合的情况越好。通过计算,本实施例中R2=0.988,表示拟合情况比较好。
在得到粗糙度和反光度之间的关系式(1-5)之后,将同一批次的晶圆逐个通过光学检测仪进行检测,得出每个所述晶圆的反光度,根据关系式(1-5),求出每个所述晶圆的粗糙度。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (4)

1.一种晶圆表面粗糙度检测方法,其特征在于包括如下步骤:
从同一批次的晶圆中挑选出至少三个不同粗糙度的晶圆作为样品;
将每个所述样品放到粗糙度测试仪下进行检测,得出各自的粗糙度;
将每个所述样品放到光学检测仪下进行检测,得出各自的反光度;
建立所述粗糙度和所述反光度之间的关系式;
将同一批次的晶圆逐个通过光学检测仪进行检测,得出每个所述晶圆的反光度,根据所述关系式,得出每个所述晶圆的粗糙度。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面粗糙度检测方法,其特征在于所述样品为六个不同粗糙度的晶圆。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面粗糙度检测方法,其特征在于所述关系式为线性关系式。
4.根据权利要求1或3所述的晶圆表面粗糙度检测方法,其特征在于用最小二乘法对样品检测得到的所述粗糙度和所述反光度的值进行拟合,建立所述关系式。
CN2009100553742A 2009-07-24 2009-07-24 晶圆表面粗糙度检测方法 Active CN101650170B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100553742A CN101650170B (zh) 2009-07-24 2009-07-24 晶圆表面粗糙度检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100553742A CN101650170B (zh) 2009-07-24 2009-07-24 晶圆表面粗糙度检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101650170A CN101650170A (zh) 2010-02-17
CN101650170B true CN101650170B (zh) 2012-03-28

Family

ID=41672457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100553742A Active CN101650170B (zh) 2009-07-24 2009-07-24 晶圆表面粗糙度检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101650170B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102927933A (zh) * 2012-10-16 2013-02-13 首钢总公司 一种用激光扫描共聚焦显微镜测量表面粗糙度的方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102506773B (zh) * 2011-09-28 2016-03-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 检测晶圆表面粗糙度的方法
CN102607504B (zh) * 2012-03-01 2014-05-28 首钢总公司 一种在线检测热镀锌板表面锌花尺寸的方法
CN102967279A (zh) * 2012-11-22 2013-03-13 南京理工大学 一种采用非晶合金精确测定表面粗糙度的方法
CN104897706B (zh) * 2014-03-07 2018-05-11 旺宏电子股份有限公司 一种测量芯片或晶片表面结构的方法
CN106853605A (zh) * 2015-12-08 2017-06-16 重庆葛利兹模具技术有限公司上海分公司 一种模具加工设备及方法
CN109141341A (zh) * 2018-08-24 2019-01-04 海宁佳盛汽车零部件有限公司 一种汽车轮毂单元的表面光洁度检查方法
CN109830446B (zh) * 2019-01-21 2021-08-10 武汉衍熙微器件有限公司 晶圆表面薄膜粗糙度在线检测方法及其光刻轨道设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0459418A3 (en) * 1990-05-29 1992-08-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Gap measuring device and gap measuring method
WO2000023794A1 (en) * 1998-10-16 2000-04-27 Ade Optical Systems Corporation Method and apparatus for mapping surface topography of a substrate
JP3184161B2 (ja) * 1998-11-10 2001-07-09 九州日本電気株式会社 半導体ウェハーの表面検査方法
CN101276151A (zh) * 2008-05-14 2008-10-01 上海微电子装备有限公司 一种测量晶圆表面平整度的方法及装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0459418A3 (en) * 1990-05-29 1992-08-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Gap measuring device and gap measuring method
WO2000023794A1 (en) * 1998-10-16 2000-04-27 Ade Optical Systems Corporation Method and apparatus for mapping surface topography of a substrate
JP3184161B2 (ja) * 1998-11-10 2001-07-09 九州日本電気株式会社 半導体ウェハーの表面検査方法
CN101276151A (zh) * 2008-05-14 2008-10-01 上海微电子装备有限公司 一种测量晶圆表面平整度的方法及装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102927933A (zh) * 2012-10-16 2013-02-13 首钢总公司 一种用激光扫描共聚焦显微镜测量表面粗糙度的方法
CN102927933B (zh) * 2012-10-16 2015-03-25 首钢总公司 一种用激光扫描共聚焦显微镜测量表面粗糙度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101650170A (zh) 2010-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101650170B (zh) 晶圆表面粗糙度检测方法
CN201364130Y (zh) 平面度测量装置
CN105674911A (zh) 非接触式微纳三维测量方法及其装置
CN105865389B (zh) 一种微纳米标准样板及其循迹方法
CN102445174A (zh) 一种基于支持向量回归的多测点平面度评定方法
CN105115407A (zh) 便携式多功能平面度检测装置及其使用方法
CN102867762B (zh) 一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法
CN204301670U (zh) 可调式节气门板平面度测量仪
CN102410822B (zh) 厚度量测装置及其方法
CN102554703A (zh) 具有平衡加工余量的铸件初基准加工方法
CN104457678A (zh) 建筑工程质量平面度检测装置
CN108253915B (zh) 一种标定方法
CN207197428U (zh) 雨刷大臂多功能检具
CN104880156A (zh) 一种利用cad技术测量大r值的方法
CN2660519Y (zh) 一种保持架窗孔检具
CN108180850A (zh) 一种牛顿环条纹半径测量装置及测量方法
CN102003937B (zh) 冲片检测方法及其检测用测量座
CN203534468U (zh) 一种盘槽中心距尺寸的检测装置
CN219798145U (zh) 一种电机转轴凸台面尺寸检测工装
CN113314430B (zh) Cmp工艺中的监测方法以及监测系统
CN112254693A (zh) 一种深位的精密测量方法
CN114178904B (zh) 一种机床测量系统的分辨力测量方法
CN218601224U (zh) 用于涂层测厚的阶梯对比试块
CN107144205A (zh) 一种壁厚测量装置及检测方法
CN102102985B (zh) 一种任意三角形传感器及其校验方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140514

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140514

Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang hi tech park Zuchongzhi Road No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Zhangjiang hi tech Park No. 818

Patentee before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai