CN101546720A - 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 - Google Patents

一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101546720A
CN101546720A CN200910049048A CN200910049048A CN101546720A CN 101546720 A CN101546720 A CN 101546720A CN 200910049048 A CN200910049048 A CN 200910049048A CN 200910049048 A CN200910049048 A CN 200910049048A CN 101546720 A CN101546720 A CN 101546720A
Authority
CN
China
Prior art keywords
orifice
angle
reference value
hole
strip width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910049048A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101546720B (zh
Inventor
肖慧敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai IC R&D Center Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd filed Critical Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd
Priority to CN 200910049048 priority Critical patent/CN101546720B/zh
Publication of CN101546720A publication Critical patent/CN101546720A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101546720B publication Critical patent/CN101546720B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明提出一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法,所述孔内光刻胶残余的检测方法包括以下步骤:对所述孔的内壁进行扫描;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报,本发明可用于检测孔内是否存在光刻胶残余,从而能够尽早的发现问题进行补救,提高了产品的良率。

Description

一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造工艺中的一种检测方法,且特别涉及一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法。
背景技术
在先进的集成电路制造工艺中,孔内残余一直是造成失效的重要因素。孔内残余包括接触孔和通孔内的残余,易在光刻和刻蚀的工序中产生,接触孔是用于连接前道工序和后道工序的关键孔,而通孔是连接各层金属的关键层次,这两种孔一旦出现残余,势必会对产品的电性参数、成品率以及可靠性造成致命的影响。孔内残余物中比较常见的是孔内残余光刻胶,可由各种原因引起,在刻蚀过程中会掩蔽刻蚀,导致衬底刻蚀不完全,从而影响前面所提到的产品的电性参数、成品率和可靠性。
目前的工艺中计算孔条宽的步骤为:第一步:确定测量图形;第二步:对已确定的测量图形进行扫描,获得图形的二次电子信号,根据二次电子信号对相对应的点进行计算,每相对两点形成一个直径,各点围成近似圆形;第三步:将所有直径进行平均,平均值便为孔条宽数值;第四步:将孔条宽数据传输至生产管理系统。在孔条宽计算完成后,才开始实行对孔内残余导致孔失效的检测,一般通过检测阻挡层生长后的缺陷来确定,但是由于此时接触孔已经定型,即使发现问题也无法对问题进行补救,由此带来的损失难以避免。
发明内容
为了克服已有技术中对孔内光刻胶残余检测滞后的问题,本发明提供一种能及时检测孔内是否存在光刻胶残余的方法。
为了实现上述目的,本发明提出一种孔内光刻胶残余的检测方法,包括以下步骤:对所述孔的内壁进行扫描;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报。
可选的,所述测量点的数量为20个。
可选的,所述扫描信号为二次电子信号。
可选的,所述参考值为180度。
为了实现上述目的,本发明还提出一种测量孔条宽的方法,包括确定待测量的孔;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点的坐标值;相对两点相连作为所述近似圆的直径;对所述直径取平均值;其特征在于测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,并以所述平均值作为测得的孔条宽;若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报。
可选的,所述测量点的数量为20个。
可选的,所述扫描信号为二次电子信号。
可选的,所述参考值为180度。
本发明所述的一种孔内光刻胶残余的检测方法以及用该方法测量孔条宽的有益效果主要表现在:本发明提出的检测方法,能够快速有效的检测出孔内是否存在光刻胶残余,能在第一时间方便相关人员作出是否需要补救的决定,提高了产品的良率;本发明提出的测量孔条宽的方法,将测量和检测一起进行,提高了测量结果的准确度和稳定性。
附图说明
图1为本发明一种孔内光刻胶残余的检测方法的流程图;
图2为孔正常情况的示意图;
图3为孔异常情况的示意图;
图4为孔正常情况下任意相邻三点所连形成的角度的示意图;
图5为孔正常情况下任意相邻三点所连形成的角度的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步的描述。
首先,请参考图1,图1为本发明一种孔内光刻胶残余的检测方法的流程图,从图1中可以看到,本发明包括以下步骤:步骤111:对所述孔的内壁进行扫描;步骤112:将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;步骤113:测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;步骤114:将计算结果和设定的角度参考值比较,所述参考值为180度;步骤115:若大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报;步骤116:若小于所述参考值,判断为正常状态。
实际操作时,先扫描待检测的孔,将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点,所述扫描信号为二次电子信号,二次电子信号为主要的图形成像信号,所换算成的测量点的数量为20个,待20个测量点确定好之后,测量任意三个相邻的测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值,并将结果和设定的角度参考值作比较,参考值一般设定为180度,如果孔内不存在残余,如图2所示,那么所述角度应该是小于180度的,即图4中所示的情况,那么就判断为正常情况,如果孔内存在残余,如图3所示,那么所述角度应该是大于180度的,即图5中所示的情况,就判断为异常状态,发出警报。
本发明所述的检测方法,可以和孔条宽的测量方法结合使用,其工艺流程为:确定待测量的孔;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;相邻点相连成一近似圆;相对两点相连作为所述近似圆的直径,所述相对两点即为可将20个测量点依次编号,其中第1个点和第11个点为相对两点,第2个点和第12个点为相对两点,如此依次对应,第10个点和第20个点为相对两点;对所述直径取平均值;测量任意三个相邻的测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将计算结果和设定的参考值比较,若小于所述参考值,判断为正常状态,所述平均值即为所述孔条宽;若大于所述参考值,判断为异常状态,则发出警报。
当为正常状态时,直接将所得的平均值输出给生产管理系统,当为异常状态时,相关人员听到警报过来查看,若是误差较小,则不做处理,将所得的平均值输出给生产管理系统,若是误差较大,则进行光刻返工,去胶后重新光刻,返工后的产品再进行本发明所提供的测量条宽的方法,直至合格为止,最后将结果传输至生产管理系统。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰。因此,本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (8)

1.一种孔内光刻胶残余的检测方法,其特征在于包括以下步骤:
对所述孔的内壁进行扫描;
将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;
测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;
将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报。
2.根据权利要求1所述一种孔内光刻胶残余的检测方法,其特征在于所述测量点的数量为20个。
3.根据权利要求1所述一种孔内光刻胶残余的检测方法,其特征在于所述扫描信号为二次电子信号。
4.根据权利要求1所述一种孔内光刻胶残余的检测方法,其特征在于所述参考值为180度。
5.一种测量孔条宽的方法,包括确定待测量的孔;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点的坐标值;相对两点相连作为所述近似圆的直径;对所述直径取平均值;其特征在于测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形的圆心的夹角的值;将所述夹角和设定的角度参考值做比较,若所述夹角小于所述角度参考值,判断为正常状态,并以所述平均值作为测得的孔条宽;若所述夹角大于所述角度参考值,判断为异常状态,发出警报。
6.根据权利要求5所述一种测量孔条宽的方法,其特征在于所述测量点的数量为20个。
7.根据权利要求5所述一种测量孔条宽的方法,其特征在于所述扫描信号为二次电子信号。
8.根据权利要求5所述一种测量孔条宽的方法,其特征在于所述参考值为180度。
CN 200910049048 2009-04-09 2009-04-09 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法 Expired - Fee Related CN101546720B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910049048 CN101546720B (zh) 2009-04-09 2009-04-09 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200910049048 CN101546720B (zh) 2009-04-09 2009-04-09 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101546720A true CN101546720A (zh) 2009-09-30
CN101546720B CN101546720B (zh) 2013-10-09

Family

ID=41193755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200910049048 Expired - Fee Related CN101546720B (zh) 2009-04-09 2009-04-09 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101546720B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102361015A (zh) * 2011-10-20 2012-02-22 上海集成电路研发中心有限公司 一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10045306A1 (de) * 2000-09-12 2002-03-21 Fidelak Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Neigungswinkelmessung
KR100671963B1 (ko) * 2001-12-08 2007-01-23 주식회사 만도 조향각 검출장치
CN101174573A (zh) * 2006-11-03 2008-05-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法
CN101226338A (zh) * 2007-01-17 2008-07-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 扫描曝光机校准度检测方法
CN101377622A (zh) * 2007-08-31 2009-03-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测光刻设备排气系统和判断产品cpk的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10045306A1 (de) * 2000-09-12 2002-03-21 Fidelak Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Neigungswinkelmessung
KR100671963B1 (ko) * 2001-12-08 2007-01-23 주식회사 만도 조향각 검출장치
CN101174573A (zh) * 2006-11-03 2008-05-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法
CN101226338A (zh) * 2007-01-17 2008-07-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 扫描曝光机校准度检测方法
CN101377622A (zh) * 2007-08-31 2009-03-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测光刻设备排气系统和判断产品cpk的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102361015A (zh) * 2011-10-20 2012-02-22 上海集成电路研发中心有限公司 一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法
CN102361015B (zh) * 2011-10-20 2016-01-06 上海集成电路研发中心有限公司 一种应用于双大马士革工艺的深孔形貌监测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101546720B (zh) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170060664A1 (en) Method for verifying bad pattern in time series sensing data and apparatus thereof
CN102944196B (zh) 一种检测半导体圆形接触孔圆度的方法
CN107831422B (zh) 一种gis设备局部放电诊断方法及系统
CN101458515B (zh) 晶圆质量分析方法
CN101847307B (zh) 一种核电厂数字化报警系统及方法
CN110888087B (zh) 一种版图互连线缺陷检查系统及其检查方法
CN101546720B (zh) 一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
US6623995B1 (en) Optimized monitor method for a metal patterning process
CN101663735A (zh) 使用智能算法的实时腔室监控方法
CN111175611B (zh) 配电网线路故障定位方法及系统
KR100897982B1 (ko) 프로브카드 니들과 패드간의 미스 얼라인 방지 패턴 및 그방법
CN103943527B (zh) 采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法
WO2022022164A1 (zh) 针测卡异常判断方法及装置
CN101465337B (zh) 一种电性测试键及其测试方法
JP5487579B2 (ja) シリコンウェーハの評価方法および製造方法
US20060224267A1 (en) Method and apparatus for detecting abnormal characteristic values capable of suppressing detection of normal characteristic values
CN201138661Y (zh) 一种电性测试键
US7396694B2 (en) Structure for monitoring semiconductor polysilicon gate profile
CN101286467B (zh) 一种减小在线扫描电子显微镜误测定的方法
CN110879344A (zh) 共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法
CN110854092A (zh) 共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法
CN103531499B (zh) 监控电子束扫描仪间匹配度的方法
CN103137510A (zh) 一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块
CN216288433U (zh) 测试结构以及测试系统
Smith et al. Test Structure for Evaluation of Pad Size for Wafer Probing

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131009

Termination date: 20210409

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee