CN108845480A - 一种内层对位精度测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种内层对位精度测量方法。所述内层对位精度测量方法包括：选用透明感光材料作为内层对位精度测量的透明曝光基材；采用设备以设定工艺在所述透明曝光基材上形成正面图形和反面图形；以及直接测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。由于本发明的方法选用透明曝光基材来制作测试板，从而能够直接测量正面图形与反面图形之间的位置偏差，使得内层对位精度测量更加简单与准确，大大提高了测量的效率与准确性。

Description

一种内层对位精度测量方法
技术领域
本发明涉及PCB生产、检测技术领域，具体涉及一种内层对位精度测量方法。
背景技术
在印刷电路板行业中，涉及到使用光刻技术制做内层电路板。例如，目前的手机电路板通常包括8层印刷电路板(PCB)，PCB板上的线宽不到4mil(1mil＝25.4um)。其中6层是内层PCB电路板，也就是说，需要在3个电路板上做正反面曝光光刻。在加工过程中，需要每个内层电路板的正反面的电路能完成对位，以保证所有的过孔可以正确连通正反面的线路，否则将会产生短路、断路等问题的废板，以及会产生正反面线路出现相互干扰的问题板。
在PCB电路板行业中，内层板正、反面图形对位精度是行业非常关注的对位参数，目前对于对位精度的测量也在积极探索更精准、更快捷的方法。一种现有技术为中国专利申请《一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法》，其专利申请号为201510816028.7。在该方法中，把铜板上的孔作为测试的参照点，正、反面图形的曝光位置结果都是测量相对于孔的位置，从而计算正、反面图形的相对位置差值。在此种测量方法中，需要借助孔位置作为中间参照，测量较为复杂，且容易导致测量误差的积累。此外，铜板上孔的垂直度将直接影响测量的准确性。
因此，希望有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的上述缺陷中的至少一个。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内层对位精度测量方法来克服或至少减轻现有技术的上述缺陷中的至少一个。
为实现上述目的，本发明提供一种内层对位精度测量方法，所述内层对位精度测量方法包括：选用透明感光材料作为内层对位精度测量的透明曝光基材；采用设备以设定工艺在所述透明曝光基材上形成正面图形和反面图形；以及直接测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
优选地，用显微镜测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
优选地，直接测量正面图形和反面图形之间的偏移量△X和△Y，其中，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。
优选地，使用机器视觉自动测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
优选地，在保持测试板不动的情况下，分别得到正面图形的位置坐标X1、Y1与反面图形的位置坐标X2、Y2，并计算正反面对位精度：
△X＝X2-X1，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，
△Y＝Y2-Y1，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。
优选地，所述曝光设备是直写式光刻系统，包括适用于正、反面依次曝光的激光直写曝光机，也包括适用于正、反面同时曝光的双面曝光设备。
由于本发明的方法选用透明曝光基材来制作测试板，从而能够直接测量正面图形与反面图形之间的位置偏差，使得内层对位精度测量更加简单与准确，大大提高了测量的效率与准确性。
附图说明
图1是测试原理图。
图2是根据本发明一实施例的内层对位精度测量方法的示意性流程图。
具体实施方式
在附图中，使用相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
本发明的内层对位精度测量方法用于检测待测设备及相关工艺方法的内层对位精度。
如图2所示，本发明的内层对位精度测量方法包括：
选用透明感光材料作为内层对位精度测量的透明曝光基材；
采用设备(待检测的设备)以设定工艺在所述透明曝光基材上形成正面图形和反面图形，以制作测试板；以及
直接测量所述测试板上的所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
可以理解的是，在形成正面图形和反面图形时，使得正面图形和反面图形内层对位。
所述设备可以是任何曝光设备。所述曝光设备能够对基材的正反面进行曝光，以在所述基材上形成正面图形和反面图形，最终制成内层PCB板。所述设备进行曝光的工艺也可以是任何适当的工艺。例如，可以是每次进行单面曝光，也可以是同时进行双面曝光。此外，为了提高精度，可以在基材上形成标记，在翻面后，基于所述标记的位置来确定基材的旋转角度和位移量，进而精确确定反面图形的位置。
由于本发明的方法选用透明曝光基材来制作测试板，由于基材透明，因此可以同时看清正面与反面图形，可直接测量出正、反面图形在同一坐标系中的位置坐标，再简单得到内层曝光结果正、反面图形的位置偏差；从而能够直接测量正面图形与反面图形之间的位置偏差，使得内层对位精度测量更加简单与准确，大大提高了测量的效率与准确性。还可直接观察和测量到图形的偏差情况。换句话说，本发明提出的测量方法，直接测量出正、反面图形在同一坐标系中图形位置坐标，从而轻松计算出正、反面图形的位置偏差。
在一个可选实施例中，用显微镜测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。有利的是，直接测量正面图形和反面图形之间的偏移量△X和△Y，其中，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。例如，直接测量正反图形的对应部位在X方向上的距离，或者在Y方向上的距离。
有利的是，测试图形可以与实际PCB板上的图形存在差异，是特定设置的图形。例如，测试图形包括沿X方向延伸的直线(线段)，以及沿Y方向延伸的直线。从而，通过测量在正面沿X方向延伸的第一直线与在反面沿X方向延伸的对应的第二直线之间的距离，来确定△Y。通过测量在正面沿Y方向延伸的第三直线与在反面沿Y方向延伸的对应的第四直线之间的距离，来确定△X。
在一个优选的实施例中，测试图形包括多个成对对应分部在正面的和翻面的十字形标记。所述十字形标记包括沿X方向延伸的X向直线；以及沿Y方向延伸的Y向直线。通过测量对应X向直线之间的距离来确定设有所述十字形标记处的△Y；通过测量对应Y向直线之间的距离来确定设有所述十字形标记处的△X。从而，能够简单地检测多个位置处的内层对位精度。
在另一个可选实施例中，使用机器视觉自动测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
具体地，在保持测试板不动的情况下，分别得到正面图形的位置坐标X1、Y1与反面图形的位置坐标X2、Y2，并计算正反面对位精度：
△X＝X2-X1，
△Y＝Y2-Y1。
可以采用机器视觉来获得上述的坐标。并自动计算和输出上述的对位精度。
有利的是，所述测试板的厚度与实际内层电路板的厚度相同。从而，确保在测试时的工艺条件与实际生产时的工艺条件是相同的。
在一个具体的实施例中，所述设备是激光直写曝光机，先曝光正面图形和反面图形中的一个，再翻面曝光正面图形和反面图形中的另一个。在另一个实施例中，待测设备是适用于正、反面同时曝光的双面曝光设备。
下面结合附图，更详细地说明本发明的具体实施例。
首先，计算机绘制曝光测试图形(包括正面图形和翻面图形)，也可直接使用客户已有任意内层曝光图形。然后，在透明感光材料上，曝光该正、反面图形。可以理解是的，是采用所测试设备和相应工艺来曝光感光材料。也就是说，测试的条件与实际生产的条件是相同的，或基本上相同的。
图1的测试原理图示出了正面图形的四个位置：11、12、13和14。可以理解的是，在反面图形上，在相应位置具有相应的图案。例如，可以是与正面图形相同的图案。
在形成正面图形和反面图形后，例如，先检测11位置处的对位精度。
测量11位置处的正面图形的位置坐标为(X1,Y1)
测量11位置处的反面图形的位置坐标为(X2,Y2)
计算11位置处的正反面对位精度为；
△X＝X2-X1
△Y＝Y2-Y1。
其中△X为正反面对位曝光在X方向的对位精度，△Y为正反面对位曝光在Y方向的对位精度。
依此类推，曝光图形中的12、13、14或其它任意位置的图形的位置偏差都可以简单测试得到。
此外，还可以在显微镜下直接测量正面图形和反面图形之间的偏移量。尤其是测量两者边缘之间的偏移量。从而直接测量出来△X和△Y。其中，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。
由于该方法测试基材透明，也可以在测量工具中直接测量两个图形的位置偏差，而不用进行任何计算。
有利的是，所述设定工艺包括下述步骤：
在以所述设备的载板平台建立的二维直角坐标系中，计算打标装置坐标为xb，yb；
将透明曝光基材放置到所述载板平台做正面曝光时，所述打标装置将标记同时打到所述透明曝光基材的反面，计算电路图中心点在以所述载板平台建立的二维直角坐标系中的坐标为xL，yL，
根据所述打标装置的坐标和所述电路图中心点的坐标计算出所述标记在以电路图建立的二维直角坐标系中的坐标xB，yB；
将所述透明曝光基材上下翻转，所述打到反面的标记将翻转到上部，计算所述标记在以载板平台建立的二维直角坐标系中的坐标xc，yc；
基于上述坐标，确定反面图形的位置，并在反面曝光反面图形。
最后需要指出的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制。本领域的普通技术人员应当理解：可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种内层对位精度测量方法，其特征在于，包括：
选用透明感光材料作为内层对位精度测量的透明曝光基材；
采用设备以设定工艺在所述透明曝光基材上形成正面图形和反面图形；以及直接测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
2.如权利要求1所述的内层对位精度的测量方法，其特征在于，用显微镜测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
3.如权利要求2所述的内层对位精度的测量方法，其特征在于，直接测量正面图形和反面图形之间的偏移量△X和△Y，其中，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。
4.如权利要求1所述的内层对位精度测量方法，其特征在于，使用机器视觉自动测量所述正面图形与反面图形之间的位置偏差。
5.如权利要求4所述的内层对位精度测量方法，其特征在于，在保持测试板不动的情况下，分别得到正面图形的位置坐标X1、Y1与反面图形的位置坐标X2、Y2，并计算正反面对位精度：
△X＝X2-X1，△X等于正面图形和反面图形之间在X方向上的偏移量，
△Y＝Y2-Y1，△Y等于正面图形和反面图形之间在Y方向上的偏移量。
6.如权利要求1-5中任一项所述的内层对位精度测量方法，其特征在于，所述曝光设备是直写式光刻系统，包括适用于正、反面依次曝光的激光直写曝光机，也包括适用于正、反面同时曝光的双面曝光设备。
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