CN108735645A - 晶圆对准方法及晶圆对准装置 - Google Patents

晶圆对准方法及晶圆对准装置 Download PDF

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张党柱
赖政聪
古哲安
黄志凯
叶日铨
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    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

本发明涉及一种晶圆对准方法和一种晶圆对准装置，所述晶圆对准方法包括：提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记；获取所述缺口标记的测量位置；获取所述对准标记的测量位置；根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置；获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。上述晶圆对准方法能够提高晶圆对准效率。

Description

晶圆对准方法及晶圆对准装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆对准方法及晶圆对准装置。
背景技术
半导体加工过程涉及多种工艺，每种工艺需要用到不同的工具和设备，很多工艺都需要预先获得晶圆准确的定位和姿态，作为半导体设备的关键部位之一的晶圆预对准装置，其工作性能直接影响半导体工艺的精度和效率。
目前设备进行预对准的步骤为：1、首先找到晶圆上的缺口标记(notch)，进行预对准，确定晶圆中心位置；2、在通过晶圆上的寻找对准标记(search alignment mark)进行粗对位；3、粗对位结束后再通过精对准标记(EGA mark)进行精确对位，通过以上步骤实现晶圆的准确对位。
在半导体光刻工艺制程中，通常在第一层图形光刻时，机台通过缺口标记(notch)确定晶圆位置后，直接在晶圆上进行曝光操作，而并不执行后续的精对位过程。在第一层图形曝光过程中，同时将晶圆对准标记、套刻标记等各种对准标记刻蚀于晶圆上，完成第一层光刻刻蚀制程。
但是，由于缺口标记(notch)自身结构的问题，对于缺口标记的位置确定存在着极大的精度偏差，因此在第一道光刻刻蚀支撑所刻下的标记相对于缺口标记原本的位置存在偏差，在后续的寻找对准(search alignment)过程中会增图像获取单元所搜的范围，从而导致晶圆对位的速度下降，影响机台的工作效率。
如何进一步提高半导体设备的晶圆对准速度，是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种晶圆对准方法及晶圆对准装置，以提高晶圆对准的速度。
为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆对准方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记；获取所述缺口标记的测量位置；获取所述对准标记的测量位置；根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置；获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。
可选的，所述晶圆为经过第一道光刻刻蚀工艺的晶圆。
可选的，所述第一道光刻刻蚀工艺过程中，确定晶圆的缺口标记位置后，直接进行曝光，将对准标记曝光于晶圆表面，所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系确定。
可选的，在第二道光刻工艺的对准操作过程中，获取所述位置偏差。
为解决上述问题，本发明还提供一种晶圆对准装置，包括：旋转基台，用于放置晶圆；边缘检测单元，设置于所述旋转基台一侧，用于获取晶圆边缘的缺口标记的测量位置；标记搜索单元，与所述边缘检测单元连接，用于搜索并获取晶圆表面的对准标记的测量位置；计算单元，与所述边缘检测单元和标记搜索单元连接，用于根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置，并获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；校准单元，与所述计算单元连接，用于通过所述位置偏差对边缘检测单元获取的缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；控制单元，与所述校准单元连接，用于在所述校准单元形成缺口标记的校准位置之后，根据所述缺口标记的校准位置，控制所述标记搜索单元搜索对准标记时的搜索范围。
可选的，所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系确定。
可选的，所述计算单元用于在进行第二道光刻工艺的对准操作过程中，获取所述位置偏差。
本发明的晶圆对准方法对晶圆边缘的缺口标记的测量位置偏差进行补偿，从而提高对于对准标记搜索范围的精准度，缩小对于对准标记的搜索范围，进而提高对准效率。
附图说明
图1为本发明一具体实施方式的晶圆对准方法的流程示意图；
图2为本发明一具体实施方式的晶圆的示意图；
图3为本发明一具体实施方式的晶圆对准装置的模块结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的晶圆对准方法及晶圆对准装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1，为本发明一具体实施方式的晶圆对准方法的流程示意图。
所述晶圆对准方法包括如下步骤S101～S107。
步骤S101：提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记。请参考图2，为一个具体实施方式中，所提供的晶圆200的示意图。
所述晶圆200边缘的缺口标记201用来标识晶圆的晶向，通常缺口标记的开口宽度他通常为1mm左右，尺寸较大。
所述对准标记202为刻蚀于晶圆表面特定位置处的用于确定晶圆位置的标记，通常为具有一定线宽的长条形图形标记，或纵横交错的图形标记。对准标记202通常线宽较小，远小于缺口标记的尺寸。所述晶圆200表面通常形成有2个以上的对准标记。
在一个具体实施方式中，所述晶圆200为经过第一道光刻刻蚀工艺的晶圆。在进行第一道光刻刻蚀工艺过程中，确定晶圆的缺口标记201位置后，直接进行第一层图形的曝光，同时将对准标记202也曝光于晶圆表面。
所述对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系确定。在获得所述缺口标记201位置的前提下，可以确定对准标记202的位置，在实际对准操作过程中，在搜索对准标记202的过程中，通常根据缺口标记201的位置，以及缺口标记与对准标记202之间的相对位置关系，设定对于对准标记202的搜索范围。但是，由于缺口标记201的尺寸较大，缺口标记201的这一结构特征决定了测量获得的缺口标记的尺寸会存在一定的偏差，导致在此基础上获得的对于对准标记202的搜索范围也存在一定的偏差，因此需要扩散搜索范围，才能搜索到对准标记，从而导致机台对准时间延长，对准效率较低。
步骤S102：获取所述缺口标记201的测量位置。
通过机台的边缘检测单元获取所述缺口标记201的测量位置。在一个具体实施方式中，所述边缘检测单元可以包括发光二极管以及与所述发光二极管相对的光学传感器，所述光学传感器可以为CCD传感器。晶圆200的边缘位于所述发光二极管以及光学传感器之间，随着晶圆200旋转，当晶圆200边缘的缺口标记201位于发光二极管以及光学传感器之间时，发光二极管发出的光线将透过所述缺口标记201被所述光学传感器接收，从而获取缺口标记201的位置信号，通过计算，可以得到此时缺口标记201的测量位置。
步骤S103：获取所述对准标记202的测量位置。
在步骤S103的基础上，通过所述缺口标记201的测量位置，以及对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系，按照设定的规则定义出对准标记202的搜索范围，通过标记搜索单元，例如高精度摄像头，搜索所述对准标记202，并获取所述对准标记202的实际测量位置。
由于所述对准标记202的线宽较小，测量位置与其在晶圆200上的实际位置偏差较小，精度更高。
步骤S104：根据所述对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系以及所述对准标记201的测量位置，计算得到所述缺口标记201的计算位置。
由于所述对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系确定，根据所述对准标记202的测量位置，以及所述对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系可以计算得到缺口标记201相应的计算位置，由于所述对准标记202的测量位置精度更高，因此所述缺口标记201的计算位置相应的也会更加准确。
在一个具体实施方式中，所述缺口标记201的测量位置为S0＝(X0，Y0)，所述缺口标记201的计算位置为S1＝(X1，Y1)。
步骤S105：获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差。
在该具体实施方式中，所述位置偏差δ＝(X1-X0，Y1-Y0)；在其他具体实施方式中，所述位置偏差的计算还可以考虑其他因素，例如不同方向的权重，数据拟合方式等，可以采用其他的计算方式，在此仅作为简单示例。
上述步骤S102～S105均可以在第二道光刻工艺的对准操作中进行，由此即可以在第二道光刻工艺的对准操作过程中，所述位置偏差。在其他具体实施方式中，所述步骤S102～S105也可以在第二道光刻工艺的对准操作开始之前进行。
步骤S106：在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记201的测量位置进行校准，形成缺口标记201的校准位置。
在每一步的光刻工艺的对准操作过程中，均首先需要扫描缺口标记201进行预对准，从而获取缺口标记201的测量位置，然后在进行对准标记202的搜索以进一步进行对准。
为了提高对于对准标记202搜索的效率，在获得缺口标记201的测量位置之后，通过所述位置偏差对缺口标记201的测量位置进行校准，形成缺口标记201的校准位置。在该具体实施方式中，所述后续光刻工艺的对准操作中，获得缺口标记201的测量位置S2＝(X2，Y2)，校准位置S2'＝S2+δ。所述校准位置S2'相对于测量位置S2更加精准。
步骤S107：以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。
在进一步的对对准标记202进行搜索过程中，以所述缺口标记201的校准位置S2'作为基准位置，根据已知的对准标记202与缺口标记201之间的相对位置关系，获取对准标记202的搜索范围。由于所述校准位置S2'更加准确，那么据此确定的对准标记202的搜索范围也会更加精准，进而可以缩小对准标记202的搜索范围，提高搜索效率，进而提高晶圆对准的效率。
上述晶圆对准方法能够补偿由于晶圆边缘的缺口标记的位置偏差，从而提高对于对准标记搜索范围的精准度，缩小对于对准标记的搜索范围，进而提高对准效率。
本发明的具体实施方式，还提供一种晶圆对准装置。
请参考图3，为所述晶圆对准装置的模块结构示意图。
所述晶圆对准装置包括旋转基台(图3中未示出)，用于放置晶圆；边缘检测单元301，设置于所述旋转基台一侧，用于获取晶圆边缘的缺口标记的测量位置；标记搜索单元302，与所述边缘检测单元301连接，用于搜索并获取晶圆表面的对准标记的测量位置；计算单元303，与所述边缘检测单元301和标记搜索单元302连接，用于根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置，并获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；校准单元304，与所述计算单元303连接，用于通过所述位置偏差对边缘检测单元301获取的缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；控制单元305，与所述校准单元304连接，用于在所述校准单元304形成缺口标记的校准位置之后，根据所述缺口标记的校准位置，控制所述标记搜索单元302搜索对准标记时的搜索范围。
所述边缘检测单元301可以包括发光二极管以及与所述发光二极管相对的光学传感器，所述光学传感器可以为CCD传感器。晶圆的边缘位于所述发光二极管以及光学传感器之间，随着晶圆旋转，当晶圆边缘的缺口标记位于发光二极管以及光学传感器之间时，发光二极管发出的光线将透过所述缺口标记被所述光学传感器接收，从而获取缺口标记的位置信号，通过计算，可以得到此时缺口标记的测量位置。
标记搜索单元302可以为高精度的摄像头，由于对准标记与缺口标记之间的相对位置关系确定，通过边缘检测单元301获取的所述缺口标记的测量位置，以及对准标记与缺口标记之间的相对位置关系，按照设定的规则定义出对准标记的搜索范围，在搜索范围内搜索对准标记，并获得对准标记的测量位置。
计算单元303根据所述对准标记的测量位置，以及所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系可以计算得到缺口标记相应的计算位置，由于所述对准标记的测量位置精度更高，因此所述缺口标记的计算位置相应的也会更加准确。通过所述缺口标记的计算位置以及最初的测量位置，可以获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差。在一个具体实施方式中，所述计算单元303可以在对晶圆进行第二道光刻工艺的对准操作过程中，获取所述位置偏差。
校准单元304在获取所述计算单元303得到的位置偏差之后，对所述边缘检测单元301后续获得的缺口标记的测量位置进行校准，获得校准位置。
控制单元305在所述校准单元304形成缺口标记的校准位置之后，根据所述缺口标记的校准位置，控制所述标记搜索单元302搜索对准标记时的搜索范围。由于所述缺口标记的校准位置更加准确，那么据此确定的对准标记的搜索范围也会更加精准，进而可以缩小对准标记的搜索范围，提高搜索效率，进而提高晶圆对准的效率。
上述晶圆对准装置能够自动补偿晶圆边缘的缺口标记的位置偏差，从而提高对于对准标记搜索范围的精准度，缩小对于对准标记的搜索范围，进而提高对准效率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种晶圆对准方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆边缘具有缺口标记，晶圆表面具有对准标记；
获取所述缺口标记的测量位置；
获取所述对准标记的测量位置；
根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置；
获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；
在后续光刻工艺的对准操作过程中，通过所述位置偏差对缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；
以所述校准位置确定对准标记的搜索范围。
2.根据权利要求1所述的晶圆对准方法，其特征在于，所述晶圆为经过第一道光刻刻蚀工艺的晶圆。
3.根据权利要求2所述的晶圆对准方法，其特征在于，所述第一道光刻刻蚀工艺过程中，确定晶圆的缺口标记位置后，直接进行曝光，将对准标记曝光于晶圆表面，所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系确定。
4.根据权利要求1所述的晶圆对准方法，其特征在于，在第二道光刻工艺的对准操作过程中，获取所述位置偏差。
5.一种晶圆对准装置，其特征在于，包括：
旋转基台，用于放置晶圆；
边缘检测单元，设置于所述旋转基台一侧，用于获取晶圆边缘的缺口标记的测量位置；
标记搜索单元，与所述边缘检测单元连接，用于搜索并获取晶圆表面的对准标记的测量位置；
计算单元，与所述边缘检测单元和标记搜索单元连接，用于根据所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系以及所述对准标记的测量位置，计算得到所述缺口标记的计算位置，并获取所述缺口标记的计算位置与测量位置之间的位置偏差；
校准单元，与所述计算单元连接，用于通过所述位置偏差对边缘检测单元获取的缺口标记的测量位置进行校准，形成缺口标记的校准位置；
控制单元，与所述校准单元连接，用于在所述校准单元形成缺口标记的校准位置之后，根据所述缺口标记的校准位置，控制所述标记搜索单元搜索对准标记时的搜索范围。
6.根据权利要求5所述的晶圆对准装置，其特征在于，所述对准标记与缺口标记之间的相对位置关系确定。
7.根据权利要求5所述的晶圆对准装置，其特征在于，所述计算单元用于在进行第二道光刻工艺的对准操作过程中，获取所述位置偏差。
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