CN105278266B - 一种玻璃基板的偏差检测和修正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种玻璃基板的偏差检测和修正方法，先将方形基板进行曝光工艺，曝出特殊标记图形，再根据标记图形与基板边缘的位置关系，计算出方形基板的偏差值，即偏心值和偏向值，实现对预对准处理后的基板偏移进行精确检测和修正。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电路装备制造领域，尤其涉及一种玻璃基板的偏差检测和修正方法。
背景技术
随着科学技术的发展，信息显示技术也在不断地更新换代。从传统的阴极射线管(CRT)发展到了先进的液晶屏(LCD)，现正在向第3代显示技术过渡。作为第3代显示技术主要候选的有机电致发光屏(OLED)为人们提供更加理想的显示画面，并对现有的显示产业格局产生巨大的影响。无论LCD还是OLED，都需要采用与光刻工艺联系紧密的阵列加工工艺。LCD和OLED的制作依赖于光刻工艺，方形基板在曝光装置内的放置是否存在偏移(CenterShift)将会深刻影响整个器件的制作质量。例如：AOI和异机匹配都会受到影响。甚至如果上片精度不满足光刻机的要求，则无法进行下一步工艺。
在曝光装置中，方形基板上载到工件台上时，方形基板有一个需求的理想位置。但是在实际操作过程中，玻璃基板上图形位置相对于基板实际上片位置，会有一定的偏差，包括偏心(△x和△y)和偏向θ，通常需要计算方形基板在中心处的偏心值和偏向值，从而调整基板工件台的位置。目前，在方形基板初次上片时，现有技术有提供一种基于接触式传感器的机械检测方法，特点是在曝光装置内承载方形基板的工件台上放置位置传感器，实现对方形基板的偏移检测和纠正，其缺点是采用接触式的对准方法容易污染和损坏方形基板；另有一现有技术是在方形基板搬运至工件台的过程中，在机械手上某一固定位置的上方放置两个CCD，这两个CCD通过光学镜头对方形基板的边缘信息进行采集，然后通过上步采集到的边缘信息检测方形基板位置，与方形基板的理想位置做比较，求出当前方形基板的旋转及位移量，从而调整机械手的位置，达到调整方形基板位置的目的。然而以上方法都是在方形基板曝光之前，采用预对准装置和预对准处理算法对方形基板的偏移进行纠正。由于受预对准装置的精细水平和处理算法误差的限制，方形基板的偏心偏向值很难保证精度。此外，对于预对准处理后的基板偏移纠正效果也没有一种方法来进行精确检测和修正。因此针对已经经过曝光装置预对准之后的方形基板计算出其偏心偏向值，并把该值提供给工件台进行基板偏移再次修正十分有必要。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明提供玻璃基板偏移检测和修正的方法，用于对已经经过曝光装置的预对准之后的方形基板计算出其偏心偏向值，并把该值提供给工件台进行基板偏移再次修正。
为了实现上述发明目的，本发明公开一种玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，包括：步骤一、对一方形基板进行涂胶曝光显影操作，该曝光时，利用具有十字型、斜十字型或米字型中任一组成的掩模图形以形成一曝光标记；步骤二、将该方形基板放置于一工件台上，并探测该曝光标记；步骤三、将所述工件台分别按x轴方向和y轴方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘和x轴向边缘，所述工件台的移动距离分别记为第一横向距离(L1)、第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)；根据所述第一横向距离(L1)、第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)以及所述方形基板的尺寸，计算所述y轴向边缘的偏向值(θ1)和偏心值(Δx)，所述x轴向边缘的偏向值(θ2)和偏心值(Δy)；其中θ1≈θ2，取最终得出偏心坐标值(Δx和Δy)和偏向值(θ)，实现所述方形基板偏移再次修正。
该步骤一进一步包括：在该方形基板上曝出四个曝光标记；四个曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)和(x4,y4)，其中x1＝x2，y1＝–y2，x3＝–x4，y3＝y4。寻找第一曝光标记，并确定其标记中心；所述步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离(L1)；同理获得所述第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)；根据坐标值x1、x2、x3、x4、y1、y2、y3、y4及基板的尺寸(W)和(H)，可计算出：
偏向角取：其中
偏心值
该步骤一进一步包括：在该方形基板上曝出三个曝光标记，三个曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)和(x3,y3)，其中x1＝x2＝–x3，y1＝–y2＝﹣y3。寻找第一曝光标记，并确定其标记中心；该步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离(L1)；同理所述第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)；根据坐标值x1、x2、x3、y1、y2、y3、及基板的尺寸(W)和(H)，可计算出：
偏向角取：其中
偏心值
该步骤一进一步包括：在该方形基板上曝出两个曝光标记，两个曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,0)和(0,y1)。寻找第一曝光标记，并确定其标记中心；该步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离(L1)；同理所述第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)；根据坐标值x1、x2、y1、y2、及基板的尺寸(W)和(H)，可计算出：
取：其中
偏心值
该步骤一进一步包括：在该方形基板上曝出一个曝光标记，该曝光标记的中心名义坐标值为(0,0)。寻找第一曝光标记，并确定其标记中心；该步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离(L1)；同理所述第二横向距离(L2)、第一轴向距离(L3)、第二轴向距离(L4)；根据坐标值x1、x2、y1、y2、及基板的尺寸(W)和(H)，可计算出：偏向角
取：其中
偏心值
与现有技术相比较，于先将方形基板进行曝光工艺，曝出特殊标记图形，再根据标记图形与基板边缘的位置关系，计算出方形基板的偏差值，即偏心值和偏向值，实现对预对准处理后的基板偏移进行精确检测和修正。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第一实施方式的曝光设计图；
图2是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第一实施方式的理想位置和实际位置的对比图；
图3至图5是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第一实施方式的实际上片后基板位置算法原理说明图；
图6是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第二实施方式的曝光设计图；
图7是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第二实施方式的理想位置和实际位置的对比图；
图8至图10是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第二实施方式的实际上片后基板位置算法原理说明图；
图11是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第三实施方式的曝光设计图；
图12是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第三实施方式的理想位置和实际位置的对比图；
图13至图15是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第三实施方式的实际上片后基板位置算法原理说明图；
图16是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第四实施方式的曝光设计图；
图17是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第四实施方式的理想位置和实际位置的对比图；
图18至图20是本发明所涉及的玻璃基板的偏差检测和修正方法的第四实施方式的实际上片后基板位置算法原理说明图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
本发明的目的在于提供一种玻璃基板偏移检测和修正的方法，该方法是基于先将方形基板进行曝光显影工艺，曝出特殊位置的标记图形，再根据标记图形与基板边缘的位置关系，计算出方形基板的偏差值，即偏心值和偏向值。最后将该值输入给曝光装置，实现对预对准处理后的基板偏移进行精确检测和修正。
为达上述目的，本发明提出一种玻璃基板偏移检测和修正的方法，用于对已经经过曝光装置的预对准之后的方形基板计算出其偏心偏向值，并把该值提供给工件台进行基板偏移再次修正。包括以下步骤：
第一、设计一种或多种掩模图形，该掩模图形具有能够显示名义位置的交叉点，可以有横线条、竖线条和斜线条中一种或多种线条任意交叉组成，即十字标记、斜十字标记或米字标记。
第二、对方形基板进行涂胶曝光显影操作。具体包括：涂光刻胶→软烘→曝光装置曝光→曝光后烘烤→显影→后烘，其中利用曝光装置进行曝光时，采用上一步设计的掩模图形进行曝光。
曝光设计时的一种优选方案是在方形基板上曝出三个标记图形或者四个标记图形。该方案适用于于高世代线，此时方形基板较大，曝光装置工件台行程有限。曝三个标记图形时要求：三个图形的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)和(x3,y3)，其中x1＝x2＝–x3，y1＝–y2＝–y3。曝四个标记图形时要求：四个图形的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)和(x4,y4)，其中x1＝x2，y1＝–y2，x3＝–x4，y3＝y4。
曝光设计时的另一种优选方案是在方形基板上曝出两个标记图形或者一个标记图形。该方案适用于曝光装置工件台行程较大时。曝两个标记图形时要求两个图形的中心名义坐标值分别为(x1,0)和(0,y1)，曝一个标记图形要求该标记图形的中心名义坐标值为(0,0)。
第三、将上述方形基板经过曝光装置预对准之后放置到曝光装置内承载基板的工件台上，若采用第一实施方式曝光四个标记图形，则需采用曝光装置内的探测器寻找到第一曝光标记，并确定标记中心，然后将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘，将工件台移动距离记录为第一横向距离。同样方法采用曝光装置内的探测器寻找到第二曝光标记，并确定标记中心，将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘，将工件台移动距离记录为第二横向距离。同样的方法，采用曝光装置内的探测器寻找到第三曝光标记，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘，将工件台移动距离记录为第一轴向距离。同样采用曝光装置内的探测器寻找到第四曝光标记，并确定标记中心，将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘，将工件台移动距离记录为第二轴向距离。若曝光三个标记图形，则需将曝光装置内的探测器寻找到第二曝光标记，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘，将工件台移动距离记录为第二横向距离，接着重新找第二曝光标记的中心，将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘，将工件台移动距离记录为第一轴向距离，第一横向距离和第二轴向距离测量方法与上述相同。
若采用第二实施方式曝光两个标记图形，则需将曝光装置内的探测器寻找到曝光标记的第一中心，并将工件台分别按x轴负方向、x轴正方向移动直至探测器寻找到基板第一边缘，工件台的移动距离分别记为第一横向距离、第二横向距离。同样的方法，将曝光装置内的探测器寻找到曝光标记的第二中心，并将工件台分别按y轴负方向、y轴正方向移动直至探测器寻找到基板第二边缘，工件台的移动距离分别记为第一轴向距离、第二轴向距离。若采用第二实施方式曝光一个标记图形，则需将曝光装置内的探测器寻找到曝光标记的中心，并将工件台分别按x轴负方向、x轴正方向、y轴负方向、y轴正方向移动直至探测器寻找到基板第一边缘和第二边缘，工件台的移动距离分别记为第一横向距离、第二横向距离、第一轴向距离、第二轴向距离。
根据上述第一横向距离值、第二横向距离值、第一轴向距离值、第二轴向距离值，再加上已知的方形基板长和宽，计算出第一边缘的偏向值θ1和偏心值Δx，第二边缘的偏向值θ2和偏心值Δy。其中θ1≈θ2，可以取最终得出偏心(Δx和Δy)和偏向θ，并将该值输入给曝光装置，实现基板偏移再次修正。
以下将结合图1至5具体说明本发明的第一实施方式如何实现。
本发明的一种玻璃基板偏差检测和修正的方法，包括如下步骤：
第一、在一块掩模上设计一种或多种掩模图形，该掩模图形包括一个或多个“十”字标记，为保证测量精度，该标记线宽可以设计为0.1-10um之间任一值。
第二、选择一块方形基板A，其长度为W，宽度为H。对方形基板A进行涂胶曝光显影操作。具体包括：a)涂光刻胶TOK P3232，得到所需膜厚和均匀性的光刻胶层；b)软烘(110℃60S)，去除光刻胶中的溶剂，并释放光刻胶中的应力，增加光刻胶的热稳定性；c)利用曝光装置对基板A进行曝光时，采用上一步设计的掩模图形进行曝光。d)曝光后烘烤(PEB,110℃60S)，加速光酸催化作用，减小驻波效应；e)显影，使得曝光、PEB得到的光酸与显影液反应，得到所需要的标记图形；f)后烘，增加光刻胶的热稳定性。曝光设计时要求在方形基板上曝三个场，其中第一个场曝标记图形1，其中心名义坐标(x1,y1)，第二个场曝标记图形2和标记图形3，其中心名义坐标分别为(x2,y2)和(x3,y3)，第三个场曝标记图形标记4，其中心名义坐标(x4,y4)，要求x1＝x2，y1＝–y2，x3＝–x4，y3＝y4，如图1。
第三、将上述方形基板A经过曝光装置预对准之后放置到曝光装置内承载基板的工件台上，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记1，并确定标记中心，然后将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同样方法采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记2，并确定标记中心，将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第二横向距离L2。同样的方法，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记3，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第一轴向距离L3；同样采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记4，并确定标记中心，将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第二轴向距离L4。如图2。
在xy坐标系中的坐标x1、x2、x3、x4、y1、y2、y3、y4及基板的尺寸W和H都是已知数，且x1＝x2，y1＝–y2，x3＝–x4，y3＝y4。
故
求偏向角
为方便计算偏心值Δx，把存在偏差的方形基板A分解为仅存在偏向θ偏差，如图3；然后偏向θ偏差基础上x轴方向存在偏差值Δx，如图4；最后再在y轴方向添加偏差值Δy，如图5。
由图3可以看出，
由图4和图5可以看出：
又因，OO1＝O2O3；
所以，
同样的方法，可以得出：
又因，θ1≈θ2；
求偏向角取：
求偏心值
以下将结合图6至图10说明第二实施例。
第二实施例包括如下步骤：
第一、在一块掩模上设计一种或多种掩模图形，该掩模图形包括一个或多个“十”字标记，为保证测量精度，该标记线宽可以设计为0.1-10um之间任一值。
第二、选择一块方形基板B，其长度为W，宽度为H。对方形基板B进行涂胶曝光显影操作。具体包括：a)涂光刻胶TOK P3232，得到所需膜厚和均匀性的光刻胶层；b)软烘(110℃60S)，去除光刻胶中的溶剂，并释放光刻胶中的应力，增加光刻胶的热稳定性；c)利用曝光装置对基板B进行曝光时，采用上一步设计的掩模图形进行曝光。d)曝光后烘烤(PEB,110℃60S)，加速光酸催化作用，减小驻波效应；e)显影，使得曝光、PEB得到的光酸与显影液反应，得到所需要的标记图形；f)后烘，增加光刻胶的热稳定性。曝光设计时要求在方形基板上曝三个场，其中第一个场曝标记图形1，其中心名义坐标(x1,y1)，第二个场曝标记图形2，其中心名义坐标分别为(x2,y2)，第三个场曝标记图形标记3，其中心名义坐标(x3,y3)，要求x1＝x2＝–x3，y1＝–y2＝–y3，如图6。
第三、将上述方形基板B经过曝光装置预对准之后放置到曝光装置内承载基板的工件台上，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记1，并确定标记中心；然后将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10；将工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同样方法采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记2，并确定标记中心，将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第二横向距离L2；同样的方法，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记2，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第一轴向距离L3；同样采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记3，并确定标记中心，将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20；将工件台移动距离记录为第二轴向距离L4，如图7。
在xy坐标系中的坐标x1、x2、x3、y1、y2、y3及基板的尺寸W和H都是已知数，且x1＝x2＝–x3，y1＝–y2＝–y3。
故
求偏向角
为方便计算偏心值△x，把存在偏差的方形基板B分解为仅存在偏向θ偏差，如图8；然后偏向θ偏差基础上x轴方向存在偏差值Δx，如图9；最后再在y轴方向添加偏差值Δy，如图10。
由图8可以看出，
由图9和图10可以看出：
又因，OO1＝O2O3；
所以，
同样的方法，可以得出：
又因，θ1≈θ2；
求偏向角取：
求偏心值
以下将结合图11至15说明本发明的第三实施方式。
第三实施方式包括如下步骤：
第一、在一块掩模上设计一种或多种掩模图形，该掩模图形包括一个或多个“十”字标记，为保证测量精度，该标记线宽可以设计为0.1-10um之间任一值。
第二、选择一块方形基板C，其长度为W，宽度为H。对方形基板C进行涂胶曝光显影操作。具体包括：a)涂光刻胶TOK P3232，得到所需膜厚和均匀性的光刻胶层；b)软烘(110℃60S)，去除光刻胶中的溶剂，并释放光刻胶中的应力，增加光刻胶的热稳定性；c)利用曝光装置对基板C进行曝光时，采用上一步设计的掩模图形进行曝光。d)曝光后烘烤(PEB,110℃60S)，加速光酸催化作用，减小驻波效应；e)显影，使得曝光、PEB得到的光酸与显影液反应，得到所需要的标记图形；f)后烘，增加光刻胶的热稳定性。曝光设计时要求在方形基板上曝两个场，标记图形采用上一步设计的掩模图形进行曝光，其中心名义坐标分别为(x1,0)和(0,y1)，如图11。
第三、将上述方形基板C经过曝光装置预对准之后放置到曝光装置内承载基板的工件台上，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记1，并确定标记中心，然后将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第一横向距离L1；再次采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记1，并确定标记中心，将工件台按x轴正方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第二横向距离L2；同样的方法，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记2，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第一轴向距离L3；同样采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记2，并确定标记中心，将工件台按y轴正方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第二轴向距离L4。如图12。
因基板的尺寸长度W和宽度H都是已知数。
故
求偏向角
为方便计算偏心值△x，把存在偏差的方形基板C分解为仅存在偏向θ偏差，如图13；然后偏向θ偏差基础上x轴方向存在偏差值Δx，如图14；最后再在y轴方向添加偏差值Δy，如图15。
由图13可以看出，
由图14和图15可以看出：O2O3＝L1+|x1|+Δx；
又因，OO1＝O2O3；
所以，
同样的方法，可以得出：
又因，θ1≈θ2；
求偏向角取：
求偏心值
以下将结合图16至20说明本发明的第四实施方式。
本发明的第四实施方式包括以下步骤：
第一、在一块掩模上设计一种或多种掩模图形，该掩模图形包括一个或多个“十”字标记，为保证测量精度，该标记线宽可以设计为0.1-10um之间任一值。
第二、选择一块方形基板D，其长度为W，宽度为H。对方形基板D进行涂胶曝光显影操作。具体包括：a)涂光刻胶TOK P3232，得到所需膜厚和均匀性的光刻胶层；b)软烘(110℃60S)，去除光刻胶中的溶剂，并释放光刻胶中的应力，增加光刻胶的热稳定性；c)利用曝光装置对基板D进行曝光时，采用上一步设计的掩模图形进行曝光。d)曝光后烘烤(PEB,110℃60S)，加速光酸催化作用，减小驻波效应；e)显影，使得曝光、PEB得到的光酸与显影液反应，得到所需要的标记图形；f)后烘，增加光刻胶的热稳定性。曝光设计时要求在方形基板上曝一个场，标记图形采用上一步设计的掩模图形进行曝光，其中心名义坐标(0,0)，如图16。
第三、将上述方形基板D经过曝光装置预对准之后放置到曝光装置内承载基板的工件台上，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记，并确定标记中心，然后将工件台按x轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第一横向距离L1；再次采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记，并确定标记中心，将工件台按x轴正方向移动直至探测器寻找到方形基板的第一边缘10，将工件台移动距离记录为第二横向距离L2；同样的方法，采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记，并确定标记中心，然后将工件台按y轴负方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第一轴向距离L3；同样采用曝光装置内的探测器寻找到曝光标记，并确定标记中心，将工件台按y轴正方向移动直至探测器寻找到方形基板的第二边缘20，将工件台移动距离记录为第二轴向距离L4。如图17。
因基板的尺寸长度W和宽度H都是已知数。
故
求偏向角
为方便计算偏心值△x，把存在偏差的方形基板D分解为仅存在偏向θ偏差，如图18；然后偏向θ偏差基础上x轴方向存在偏差值Δx，如图19；最后再在y轴方向添加偏差值Δy，如图20。
由图13可以看出，
由图14和图15可以看出：O2O3＝L1+Δx；
又因，OO1＝O2O3；
所以，
同样的方法，可以得出：
又因，θ1≈θ2；
求偏向角取：
求偏心值
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。
Claims (9)
1.一种玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，包括：
步骤一、对方形基板进行涂胶曝光显影操作，所述曝光时，利用具有十字型、斜十字型或米字型中任一组成的掩模图形以形成一曝光标记；
步骤二、将所述方形基板经过曝光装置预对准之后放置于工件台上，并探测所述曝光标记；
步骤三、将所述工件台分别按x轴方向和y轴方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘和x轴向边缘，所述工件台的移动距离分别记为第一横向距离L1、第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4；根据所述第一横向距离L1、第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4以及所述方形基板的尺寸，计算所述y轴向边缘的偏向值θ1和偏心值Δx，所述x轴向边缘的偏向值θ2和偏心值Δy；其中θ1≈θ2，取最终得出偏心坐标值Δx和Δy和偏向值θ，实现所述方形基板偏移再次修正。
2.如权利要求1所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤一进一步包括：在所述方形基板上曝出四个不同位置的所述曝光标记；四个所述曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)和(x4,y4)，其中x1＝x2，y1＝–y2，x3＝–x4，y3＝y4。
3.如权利要求1所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤一进一步包括：在所述方形基板上曝出三个不同位置的所述曝光标记，三个所述曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,y1)、(x2,y2)和(x3,y3)，其中x1＝x2＝–x3，y1＝–y2＝﹣y3。
4.如权利要求1所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤一进一步包括：在所述方形基板上曝出两个不同位置的所述曝光标记，两个所述曝光标记的中心名义坐标值分别为(x1,0)和(0,y1)。
5.如权利要求1所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤一进一步包括：在所述方形基板上曝出一个所述曝光标记，该所述曝光标记的中心名义坐标值为(0,0)。
6.如权利要求2所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：寻找四个所述曝光标记中第一个曝光标记，并确定其标记中心；所述步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同理获得所述第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4；根据坐标值x1、x2、x3、x4、y1、y2、y3、y4及基板的尺寸W和H，可计算出：
偏向角
取：其中
偏心值
<mrow>
<mi>&Delta;</mi>
<mi>x</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
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7.如权利要求3所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：寻找三个所述曝光标记中第一个曝光标记，并确定其标记中心；所述步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同理所述第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4；根据坐标值x1、x2、x3、y1、y2、y3、及基板的尺寸W和H，可计算出：
偏向角
取：其中
偏心值
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8.如权利要求4所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：寻找两个所述曝光标记中第一个曝光标记，并确定其标记中心；所述步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同理所述第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4；根据坐标值x1、x2、y1、y2、及基板的尺寸W和H，可计算出：
取：其中
偏心值
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9.如权利要求5所述的玻璃基板的偏差检测和修正方法，其特征在于，所述步骤二进一步包括：寻找所述曝光标记，并确定其标记中心；所述步骤三进一步包括：所述工件台按x轴负方向移动直至所述方形基板的y轴向边缘，将所述工件台移动距离记录为第一横向距离L1；同理所述第二横向距离L2、第一轴向距离L3、第二轴向距离L4；根据坐标值x1、x2、y1、y2、及基板的尺寸W和H，可计算出：偏向角
取：其中
偏心值
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