KR20080096297A - 반도체 소자의 오버레이 마크 - Google Patents

반도체 소자의 오버레이 마크 Download PDF

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KR20080096297A KR1020070041589A KR20070041589A KR20080096297A KR 20080096297 A KR20080096297 A KR 20080096297A KR 1020070041589 A KR1020070041589 A KR 1020070041589A KR 20070041589 A KR20070041589 A KR 20070041589A KR 20080096297 A KR20080096297 A KR 20080096297A
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이도경
이해경
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삼성전자주식회사
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Abstract

반도체 소자의 오버레이 마크를 개시한다. 본 발명에 따른 오버레이 마크는 내부에 직사각형 모양인 공간이 형성되도록, 직사각형 모양인 공간의 좌우에 각각 제1 수평군(群) 및 제2 수평군, 상하에 각각 제1 수직군 및 제2 수직군이 배치되어 십자 모양을 만든다. 제1 수평군 및 제2 수평군은 수평 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 일정 개수의 수평패턴군(群)으로 이루어진다. 수평패턴군은 수직 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수평 바 패턴으로 이루어진다. 제1 수직군 및 제2 수직군은 수직 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 다수의 수직패턴군으로 이루어진다. 수직패턴군은 수평 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수직 패턴으로 이루어진다.
오버레이 마크, 세그먼트 패턴

Description

반도체 소자의 오버레이 마크{Overlay mark of semiconductor devices}
도 1a는 종래 기술에 따른 BiB(Box in Box) 형 오버레이 마크의 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 1b는 종래 기술에 따른 AIM(Advanced Imaging Metrology) 형 오버레이 마크의 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제1 실시 예를 나타내는 평면도이다.
도 3는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제2 실시 예를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제3 실시 예를 나타내는 평면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 제1 수평군 200 : 제2 수평군
110a : 제1 수평패턴군 110b : 제2 수평패턴군
110c : 제3 수평패턴군 210a : 제4 수평패턴군
210b : 제5 수평패턴군 210c : 제6 수평패턴군
300 : 제1 수직군 400 : 제2 수직군
310a : 제1 수직패턴군 310b : 제2 수직패턴군
310c : 제3 수직패턴군 410a : 제4 수직패턴군
410b : 제5 수직패턴군 410c : 제6 수직패턴군
120 : 수평 바 패턴 320 : 수직 바 패턴
500 : 회전 측정 패턴
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에서 이전 단계와 현 단계간의 패턴 정렬(pattern alignment)을 위한 오버레이 마크(overlay mark)에 관한 것이다.
알려진 바와 같이, 반도체 소자의 제조 공정에서는 소정 형상의 패턴을 형성하기 위해 웨이퍼 상에의 감광막 코팅(coating), 상기 감광막에 대한 노광, 및 상기 노광된 감광막에 대한 현상을 포함하는 포토 리소그래피 공정을 거치게 된다. 또한, 포토 리소그래피 공정을 수행한 후에는 상기 노광 및 현상을 통해 형성된 감광막 패턴과 이전 단계에서 형성된 패턴간의 정렬 상태를 확인하기 위한 오버레이를 측정하게 된다. 이때, 오버레이 측정은 상기 감광막 패턴과 상기 이전 단계에서 형성된 패턴과 함께 만들어지는 세그먼트 패턴(segment pattern)의 조합에 의하여 만들어지는 오버레이 마크를 사용하여 측정한다.
한편, 이전 단계와 현 단계간의 오버레이 정확도를 측정한 결과, 정렬 불량 이 발생된 경우에는 웨이퍼로부터 감광막 패턴을 제거한 후, 다시 감광막 코팅, 노광 및 현상을 반복하게 된다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 오버레이 마크를 설명하면 다음과 같다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 오버레이 마크의 패턴을 나타내는 평면도이다. 도 1a는 BIB(Box In Box) 형 오버레이 마크이고, 도 1b는 AIM(Advanced Imaging Metrology) 형 오버레이 마크이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 BIB 오버레이 마크의 패턴은 이전 단계에서 형성된 아우터 박스(Outer Box, 10)와 현 단계에서 형성시킨 이너 박스(Inner Box, 20)로 구성되어 있다. 아우터 박스(10)는 필요에 따라서 박스의 네 변이 분리된 형태로도 사용될 수 있고, 연결된 형태로도 사용될 수 있다.
또한 도 1b에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 AIM 오버레이 마크의 패턴은 수직 바 패턴(32)이 y축 방향인 수직 방향으로 2열, x축 방향인 수평 방향으로 일정 개수가 반복 배치된 수직 바 패턴군(30)과 수평 바 패턴(42)이 수평 방향으로 2열, 수직 방향으로 일정 개수가 반복 배치된 수평 바 패턴군(40)이 각 2개씩 번갈아서 배치되어 네모 모양을 이루고 있다. 이중 수직 바 패턴군(30) 및 수평 바 패턴군(40) 중 각 1열은 이전 단계에서 형성되고, 다른 1열은 현 단계에서 형성되도록 구성되어 있다.
그러나, 상기한 종래의 오버레이 마크는 이전 단계와 현 단계의 2 단계만을 비교하여 측정할 수 있다. 따라서 2번의 포토 리소그래피 단계를 이용하는 듀얼 포 토(dual photo) 공정 또는 다수의 중요 단계가 있는 경우에서 3 단계 이상을 동시에 측정할 수 없는 구조로 되어 있다.
예를 들면, 듀얼 포토 공정의 경우, 전 단계와 제1 포토 리소그래피 단계, 전 단계와 제2 포토 리소그래피 단계에 대하여 각각 오버레이 마크를 만들어 비교할 수 있다. 그러나 오버레이 설비에서 위치의 이동시 발생될 수 있는 산포에 의한 영향도 무시할 수 없다. 또한, 패턴 위치에 따른 미세 로딩(loading) 차이에 따른 산포도 발생되어 정밀 측정을 방해하게 된다. 더구나 2회를 측정함에 따라 측정시간도 2배로 소요되게 된다.
본 발명의 기술적 과제는 고밀도 집적회로를 구현함에 있어서 발생할 수 있는 오버레이의 측정 산포를 줄이고 측정 속도를 높일 수 있는 오버레이 마크를 제공하는 것이다. 즉, 듀얼 포토 공정 및 중요한 다수의 단계가 있는 경우에서 오버레이를 측정하는 경우, 오버레이 설비 내에서 위치 이동 또는 패턴의 형성 위치에 의하여 발생되는 산포를 줄이고, 여러 단계의 오버레이 측정을 동시에 실시하여 보다 정교한 측정과 빠른 속도가 가능한 오버레이 마크를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 반도체 소자의 오버레이 마크를 제공한다.
수직 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수평 바 패턴으로 구성된 수평패턴군(群)이 수평 방향으로 일정 간격을 가지 며 일정 개수가 각각 반복 배열되는 제1 수평군 및 제2 수평군, 및 수평 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수직 패턴으로 구성된 수직패턴군이 수직 방향으로 일정 간격을 가지며 일정 개수가 각각 반복 배열되는 제1 수직군 및 제2 수직군으로 이루어지며, 내부에 직사각형 모양의 공간이 형성되도록, 상기 직사각형 모양인 공간의 좌우에 각각 제1 수평군(群) 및 제2 수평군, 상하에 각각 제1 수직군 및 제2 수직군이 배치되어 십자 모양을 가지게 한다.
바람직하게는, 상기 제1 수평군 및 제2 수평군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 일정 개수의 서로 다른 수평패턴군으로 이루어지고, 상기 제1 수직군 및 제2 수직군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 일정 개수의 서로 다른 수직패턴군으로 이루어진다.
더욱 바람직하게는, 상기 제1 수평군 및 제2 수평군의 상기 수평패턴군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 서로 다른 수평 바 패턴이 번갈아서 배치되고, 상기 제1 수직군 및 제2 수직군의 상기 수직패턴군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 서로 다른 수직 바 패턴이 번갈아서 배치된다.
상술한 본 발명의 양상은 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 예들을 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 바람직한 실시 예를 통해 당업자가 본 발명을 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하기로 한다. 그러나 다음에 예시하는 본 발명의 실시 예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시 예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시 예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 2에는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제1 실시 예를 나타내는 평면도를 보인다.
도 2에 따르면, 각각 3개의 패턴군을 가지는 제1 수평군(100) 및 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)을 내부에 직사각형 모양인 공간이 형성되도록 좌, 우, 상, 하에 배치하여 십자 모양을 이룬다. 제1 수평군(100)에는 제1 수평패턴군(110a), 제2 수평패턴군(110b), 및 제3 수평패턴군(110c)이 -x축 방향으로 일정 간격으로 반복 배열되어 있다. 또한 제2 수평군(200)에는 제4 수평패턴군(210a), 제5 수평패턴군(210b), 및 제6 수평패턴군(210c)이 x축 방향으로 일정 간격으로 반복 배열되어 있다. 유사하게 제1 수직군(300)은 제1 수직패턴군(310a), 제2 수직패턴군(310b), 및 제3 수직패턴군(310c)이 y축 방향으로 일정 간격으로 반복 배열되어 있다. 또한 제2 수직군(400)에는 제4 수직패턴군(410a), 제5 수직패턴군(410b), 및 제6 수직패턴군(410c)이 -y축 방향으로 일정 간격으로 반복 배열되어 있다.
이때 제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)에 있는 상기 패턴군의 개수는 3개로 제한된 것이 아니다. 따라서 상기 패턴군의 개수는 오버레이 측정을 하고자 하는 단계와 측정 방법에 따라서 줄이거나 더 늘릴 수도 있다.
제1 내지 제6 수평패턴군은(110a, 110b, 110c, 210a, 210b, 210c)은 길이와 폭이 일정한 수평 바 패턴(120)이 y축 방향인 수직 방향으로 일정 간격을 가지고 일정 개수가 반복 배열되어 있다. 마찬가지로 제1 내지 제6 수직패턴군(310a, 310b, 310c, 410a, 410b, 410c)은 길이와 폭이 일정한 수직 바 패턴(320)이 x축 방향인 수평 방향으로 일정 간격을 가지고 일정 개수가 반복 배열되어 있다.
이와 같은 다수의 패턴들은 한번에 만들어지는 것이 아니다. 즉 오버레이 측정에 이용하고자 하는 단계들에서 각각 분류되어 형성된다. 예를 들어 듀얼 포토 공정의 경우, 이전 단계와 듀얼 포토 공정에서 2번의 포토 리소그래피 단계인 3개의 단계의 오버레이 비교가 필요하다. 따라서 오버레이 패턴은 3개의 단계에 각각 형성되어 완성된다. 이와 같이, 각 단계별로 분류되어 해당 단계에서 형성되는 패턴을 각 단계에 대한 세그먼트(segment) 패턴이라 한다.
제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)의 각 3개의 상기 패턴군 중에서 가운데 패턴군, 즉 제2 수평패턴군(110b), 제5 수평패턴군(210b), 제2 수직패턴군(310b) 및 제5 수직패턴군(410b)을 이전 단계에서의 세그먼트 패턴으로 정하여 형성할 수 있다. 일반적으로 이전 단계에서는 식각 공정으로 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 이전 단계에서 형성된 패턴을 목표 패턴이라 한다.
이후 제1 포토 리소그래피 단계에서는 상기 직사각형 모양인 공간에 인접한 패턴군, 즉 제1 수평패턴군(110a), 제4 수평패턴군(210a), 제1 수직패턴군(310a) 및 제4 수직패턴군(410a)을 세그먼트 패턴으로 정하여 이전 단계에서 형성한 상기 목표 패턴에 맞춰서 배열되도록 형성할 수 있다. 그리고 제2 포토 리소그래피 단계에서는 외측에 있는 패턴군, 즉 제3 수평패턴군(110c), 제6 수평패턴군(210c), 제3 수직패턴군(310c) 및 제6 수직패턴군(410c)을 세그먼트 패턴으로 정하여 다시 상기 목표 패턴에 맞춰서 배열되도록 형성할 수 있다. 즉, 각 단계에 따른 세그먼트 패턴은 상기 직사각형 모양인 공간을 중심으로 대칭적으로 배치된다.
바람직하게는 제1 수평군(100) 및 제2 수평군(200)에 있는 수평 바 패턴(120)과, 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)에 있는 수직 바 패턴(320)의 폭 및 피쳐 사이즈(feature size)는 각 수평 바 패턴(120) 및 수직 바 패턴(320)이 형성되는 단계에서 반도체 소자에 형성되는 패턴의 폭 및 피쳐 사이즈와 동일 또는 유사한 것으로 할 수 있다. 이 경우, 상기 실제 형성되는 패턴들 사이의 정확한 오버레이 측정이 가능하다.
또한 바람직하게는 상기 수평 바 패턴(120)과 수직 바 패턴(320)의 폭과 간격은 각각 0.05㎛ 내지 3㎛의 범위로 할 수 있다. 상기 폭과 간격의 범위는 오버레이 측정의 편리성과 정밀도를 감안하여 결정할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 목표 패턴에 상기 직사각형 모양인 공간의 중앙부에 십자 모양인 회전 측정 패턴(500)을 더 포함할 수 있다. 회전 측정 패턴(500)은 오버레이 마크 측정시 회전 여부 등을 측정 가능하다.
도 3에는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제2 실시 예를 나타내는 평면도를 보인다.
도 3에 따르면, 예를 들어 듀얼 포토 공정의 경우, 상기 제2 실시 예도 오버 레이 마크 전체의 모양은 제1 실시 예와 동일하다. 다만 각 단계에서 패턴 위치에 따르는 편차를 최소화하기 위하여 각 단계에서 형성되는 패턴을 다르게 정한다.
즉, 이전 단계에서는 제1 실시예와 마찬가지로 제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)의 각 3개의 상기 패턴군 중에서 가운데 패턴군, 즉 제2 수평패턴군(110b), 제5 수평패턴군(210b), 제2 수직패턴군(310b) 및 제5 수직패턴군(410b)을 형성할 수 있다.
그리고 상기 이전 단계에서 형성된 패턴군의 왼쪽과 아래쪽 패턴군, 즉 제3 수평패턴군(110c), 제4 수평패턴군(210a), 제1 수직패턴군(310a) 및 제6 수직패턴군(410c)을 제1 포토 리소그래피 단계에서, 오른쪽과 위쪽 패턴군, 즉 제1 수평패턴군(110a), 제6수평패턴군(210c), 제3 수직패턴군(310c) 및 제4 수직패턴군(410a)을 제2 포토 리소그래피 단계에서 형성할 수 있다.
이를 통하여, 제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군에서 각 단계에서 형성한 패턴 간의 간격을 일정하게 할 수 있다.
도 4에는 본 발명에 따른 반도체 소자의 오버레이 마크의 제3 실시 예를 나타내는 평면도를 보인다.
도 4에 따르면, 예를 들어 듀얼 포토 공정의 경우, 상기 제3 실시 예도 오버레이 마크 전체의 모양은 도 2의 제1 실시예 및 도 3의 제2 실시예와 동일하다. 그러나 각 단계 간의 오버레이 비교를 더욱 정밀하게 하기 위하여 각 단계에서 형성하는 패턴을 다르게 정한다.
제1 실시예 및 제2 실시예에서는 하나의 패턴군은 하나의 단계에서 형성되었 다. 그러나 예를 들어 듀얼 포토 공정 단계에서는, 이전 단계와 현 단계 뿐만 아니라, 현 단계에서 제1 포토 리소그래피 단계와 제2 포토 리소그래피 단계에서의 오버레이 측정 결과가 더 중요할 수 있다. 따라서 이 경우에는 각 패턴군 내의 수평 바 패턴(120) 또는 수직 바 패턴(320)를 각 단계에 나누어 형성할 수 있다.
먼저 이전 단계에서는 제1 실시예 및 제2 실시예와 마찬가지로 제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)의 각 3개의 상기 패턴군 중에서 가운데 패턴군, 즉 제2 수평패턴군(110b), 제5 수평패턴군(210b), 제2 수직패턴군(310b) 및 제5 수직패턴군(410b)을 형성할 수 있다.
그런 후, 제1 수평군(100), 제2 수평군(200), 제1 수직군(300) 및 제2 수직군(400)의 각 3개의 상기 패턴군 중에서 양 옆의 패턴군, 즉 제1 수평패턴군(110a), 제3 수평패턴군(110c), 제4 수평패턴군(210a), 제6 수평패턴군(210c), 제1 수직패턴군(310a), 제3 수직패턴군(310c), 제4 수직패턴군(410a) 및 제6 수직패턴군(410c)의 수평 바 패턴(120) 및 수직 바 패턴(320)을 제1 포토 리소그래피 단계와 제2 포토 리소그래피 단계에서 번갈아서 형성할 수 있다. 이를 통하여 이전 단계와 제1 포토 리소그래피 단계, 이전 단계외 제2 포토 리소그래피 단계간의 오버레이 측정 뿐만 아니라, 제1 포토 리소그래피 단계와 제2 포토 리소그래피 단계간의 오버레이 측정도 정밀하게 할 수 있다.
바람직하게는 상기 이전 단계에서 형성한 패턴에 있는 수평 바 패턴(120) 또는 수직 바 패턴(320)의 길이 방향으로 양 쪽에 각각 다른 단계, 즉 제1 포토 리소그래피 단계 또는 제2 포토 리소그래피 단계에서 형성된 수평 바 패턴(120) 또는 수직 바 패턴(320)이 위치하도록 할 수도 있다.
오버레이 측정을 위한 각 단계에 대한 세그먼트 패턴의 배열은 상술한 실시 예에 한정되는 것이 아니다. 즉, 하나의 패턴군 내에서 2개 이상의 수평 바 패턴(120) 또는 수직 바 패턴(320)을 번갈아서 배치할 수도 있다. 또한 패턴군이 3개씩 반복적으로 배열되어 있는 것을 더 늘려서 스크라이브 영역 내에 공간이 허용하는 한도에서 4개 또는 그 이상의 패턴군을 반복적으로 배열할 수도 있다. 이는 오버레이 측정을 원하는 단계의 수와 공정의 필요성 등에 따라서 선택적으로 사용이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 소자의 오버레이 마크에 따르면, 듀얼 포토 진행 및 중요한 다수의 단계에 대한 오버레이 측정 시에 3개 이상의 단계를 동시에 비교할 수 있다. 따라서 3개 이상의 단계에 대한 오버레이 측정을 위하여 별개의 오버레이 마크를 형성하여 사용하는 경우에 발생할 수 있는 오버레이 측정 장비에서 위치 이동에 의해 발생할 수 있는 산포를 원천적으로 없앨 수 있다.
또한 인접 위치에서 여러 단계의 오버레이를 동시에 측정할 수 있으므로, 공정 진행시 패턴 위치 차이에 따라 발생하는 로딩 효과를 없앨 수 있어, 오버레이 측정에서 나타날 수 있는 산포를 최소화할 수 있다. 그리고 여러 단계에 대한 오버레이 측정을 동시에 할 수 있어, 측정 시간도 단축시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 수직 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수평 바 패턴으로 구성된 수평패턴군(群)이 수평 방향으로 일정 간격을 가지며 일정 개수가 각각 반복 배열되는 제1 수평군 및 제2 수평군; 및
    수평 방향으로 일정 간격을 가지며 반복 배열된 길이와 폭이 일정한 일정 개수의 수직 패턴으로 구성된 수직패턴군이 수직 방향으로 일정 간격을 가지며 일정 개수가 각각 반복 배열되는 제1 수직군 및 제2 수직군으로 이루어지며,
    내부에 직사각형 모양의 공간이 형성되도록, 상기 직사각형 모양인 공간의 좌우에 각각 제1 수평군(群) 및 제2 수평군, 상하에 각각 제1 수직군 및 제2 수직군이 배치되어 십자 모양을 가지는 반도체 소자의 오버레이 마크
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 수평군 및 제2 수평군은 각각 오버레이 측정을 하고자 단계별로 각기 형성된 일정 개수의 서로 다른 수평패턴군으로 이루어지고,
    상기 제1 수직군 및 제2 수직군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 일정 개수의 서로 다른 수직패턴군으로 이루어지는 반도체 소자의 오버레이 마크.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 수평군 및 제2 수평군의 상기 수평패턴군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 서로 다른 수평 바 패턴이 번갈아서 배치되고,
    상기 제1 수직군 및 제2 수직군의 상기 수직패턴군은 각각 오버레이 측정을 하고자 하는 단계별로 각기 형성된 서로 다른 수직 바 패턴이 번갈아서 배치되는 반도체 소자의 오버레이 마크.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 수평 바 패턴 및 상기 수직 바 패턴의 폭 및 피쳐 사이즈(feature size)는 상기 수평 바 패턴 및 상기 수직 바 패턴이 형성되는 단계에서 반도체 소자에 형성되는 패턴의 폭 및 피쳐 사이즈와 동일한 것으로 하는 반도체 소자의 오버레이 마크.
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 수평 바 패턴 및 상기 수직 바 패턴의 폭과 간격은 각각 0.05㎛ 내지 3㎛의 범위로 하는 반도체 소자의 오버레이 마크.
  6. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 직사각형 모양인 공간의 중앙부에 십자 모양인 회전 측정 패턴을 더 포함하는 반도체 소자의 오버레이 마크.
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JP2021511532A (ja) * 2018-01-12 2021-05-06 ケーエルエー コーポレイション 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法

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