JPS6334266Y2 - - Google Patents

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JPS6334266Y2
JPS6334266Y2 JP2124283U JP2124283U JPS6334266Y2 JP S6334266 Y2 JPS6334266 Y2 JP S6334266Y2 JP 2124283 U JP2124283 U JP 2124283U JP 2124283 U JP2124283 U JP 2124283U JP S6334266 Y2 JPS6334266 Y2 JP S6334266Y2
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JP
Japan
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alignment
semiconductor wafer
photomask
alignment marks
marks
Prior art date
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JP2124283U
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JPS59155734U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は位置合わせマークに係り、特に半導体
ウエーハ上に設ける位置合わせマークの改良に関
するものである。
(b) 技術の背景 半導体装置の製造工程において、半導体ウエー
ハ上に形成される半導体素子を完成するには、各
製造工程の複数種類のパターンを積層形成してい
る。従つてフオトマスクはその積層数と同数とな
り、半導体ウエーハとフオトマスクの位置合わせ
回数は初回を除いた積層数だけ必要である。
(c) 従来技術と問題点 従来半導体ウエーハとフオトマスクの位置合わ
せを行なう場合には、初めにフオトマスク上に形
成された各チツプ内の半導体素子パターンと該チ
ツプの所定領域に個別に複数個配設された位置合
わせマーク(一般には同形状)とを同時に半導体
ウエーハ上に転写される。次いで半導体ウエーハ
上に転写された複数個の位置合わせマークの中の
所定の位置合わせマークを順次用いて半導体ウエ
ーハと次工程以降のフオトマスクの位置合わせを
行なつている。又は前工程において次工程の位置
合わせ用の位置合わせマークを半導体ウエーハの
所定領域に転写して次工程のフオトマスクとの位
置合わせに使用し、順次別の所定領域に上記工程
を繰りかえして位置合わせすることも行なわれて
いる。
しかしながら従来の複数個個別に配設された半
導体ウエーハ上の位置合わせマークは所要面積が
増大し、高集積度を妨げる要因となり、又同一形
状の位置合わせマークは所定マークを検索して位
置合わせを行なうことになり、作業者の錯誤によ
つて位置合わせマークを間違えて位置合わせする
などの問題があつた。
(d) 考案の目的 本考案の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
ので同一領域上に構成された位置合わせマークに
よつて多工程にわたる位置合わせを可能にして集
積度を向上し、かつ位置合わせのミスを防止する
ことが可能な位置合わせマークの提供にある。
(e) 考案の構成 本考案はかかる問題点に鑑みなされたもので、
半導体ウエハ上に設けられ、後続の複数の工程で
フオトマスクと該半導体ウエハの位置合わせに使
用する位置合わせマークであつて、該位置合わせ
マークは、中心を共有する複数の相似図形それぞ
れの周縁上に配置された複数組の線状パターンか
らなり、該複数組の線状パターンは異なる工程で
使用される複数のフオトマスク上の位置合わせパ
ターンそれぞれに1対1で対応しており、後の工
程で用いられるフオトマスクに対応する線状パタ
ーン程より外側にもうけられており、且つ各線状
パターンは対応するフオトマスク上の位置合わせ
パターンを包含する大きさに形成されていること
を特徴とするものである。
(f) 考案の実施例 以下本考案の実施例について図面を用いて説明
する。第1図は本考案の一実施例による半導体ウ
エーハ上に蝕刻転写された位置合わせマークを示
す。同図において半導体ウエーハのチツプ内の所
定同一領域上に、たとえば正方形の4隅に鍵状に
蝕刻転写された位置合わせマーク1、該位置合わ
せマーク1の周囲外側に同じく相似形に形成され
た位置合わせマーク2、更にその外側に同じく位
置合わせマーク3が複数重ねとして設けられてい
る。第2図は各製造工程のフオトマスク側の位置
合わせパターンを示し第2図aの遮光膜よりなる
正方形の位置合わせパターン4は第1工程に用い
られ、前記半導体ウエーハ上の位置合わせマーク
1と対応する様に形成されている。以下同様に第
2図bの位置合わせパターン5、第2図cの位置
合わせパターン6は夫々第2工程、第3工程に用
いられ、前記半導体ウエーハ上の位置合わせマー
ク2・3に対応して形成されている。かかるよう
に構成された半導体ウエーハ上の位置合わせマー
クとフオトマスク上の位置合わせパターンを用い
て各製造工程の位置合わせを行う場合には第3図
に示すように初めに半導体ウエーハ上の位置合わ
せマーク1の内側の所定位置にフオトマスク上の
位置合わせパターン4が図示したように位置合わ
せられ、順次第2工程、第3工程の順に位置合わ
せが行なわれる。このような半導体ウエーハ上に
蝕刻転写された位置合わせマークにおいては各製
造工程の順に内側より位置合わせを行うため、位
置合わせマークの検索ミスを防止することがで
き、又同一領域上に複数重ねとして設けられてい
るため位置合わせマークの所要面積が減少して高
集積が可能となる。尚半導体ウエーハ上の同一領
域上の位置合わせマークを外側に増すことによつ
て更に多工程の位置合わせが可能となる。
(g) 考案の効果 以上説明したごとく本考案の一実施例における
半導体ウエーハ上に設けた位置合わせマークにお
いては、同一領域上に複数重ねとして設けること
によつて、位置合わせのミスを防止し、かつ所要
面積をあまり必要とせず多工程にわたる位置合わ
せが可能となり歩留向上、コストダウンに効果が
ある。尚本実施例においては正方形状の位置合わ
せマークを一例としてあげたものであり、複数重
ねの構造であれば円形状、三角状にても差しつか
えなく本請求の範囲を制御するものではない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の半導体ウエーハ上の位置合わ
せマーク、第2図はフオトマスク上の位置合わせ
パターン、第3図は半導体ウエーハ上の位置合わ
せマークとフオトマスク上の位置合わせパターン
との位置合わせを説明する図である。図において
1,2,3は半導体ウエーハ上の位置合わせマー
ク、4,5,6はフオトマスク上の位置合わせパ
ターンを示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエハ上に設けられ、後続の複数の工程
    でフオトマスクと該半導体ウエハの位置合わせに
    使用する位置合わせマークであつて、 該位置合わせマークは、中心を共有する複数の
    相似図形それぞれの周縁上に配置された複数組の
    線状パターンからなり、該複数組の線状パターン
    は異なる工程で使用される複数のフオトマスク上
    の位置合わせパターンそれぞれに1対1で対応し
    ており、後の工程で用いられるフオトマスクに対
    応する線状パターン程より外側にもうけられてお
    り、且つ各線状パターンは対応するフオトマスク
    上の位置合わせパターンを包含する大きさに形成
    されていることを特徴とする位置合わせマーク。
JP2124283U 1983-02-15 1983-02-15 位置合わせマ−ク Granted JPS59155734U (ja)

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JP2124283U JPS59155734U (ja) 1983-02-15 1983-02-15 位置合わせマ−ク

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JP2124283U JPS59155734U (ja) 1983-02-15 1983-02-15 位置合わせマ−ク

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Publication Number Publication Date
JPS59155734U JPS59155734U (ja) 1984-10-19
JPS6334266Y2 true JPS6334266Y2 (ja) 1988-09-12

Family

ID=30152369

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JP2124283U Granted JPS59155734U (ja) 1983-02-15 1983-02-15 位置合わせマ−ク

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JPS59155734U (ja) 1984-10-19

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