JPH01243060A - ガラスマスク - Google Patents
ガラスマスクInfo
- Publication number
- JPH01243060A JPH01243060A JP63070947A JP7094788A JPH01243060A JP H01243060 A JPH01243060 A JP H01243060A JP 63070947 A JP63070947 A JP 63070947A JP 7094788 A JP7094788 A JP 7094788A JP H01243060 A JPH01243060 A JP H01243060A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- glass mask
- wafer
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主業上少肌朋分界
この発明はトランジスタやＩＣ等の製造に用いられるガ
ラスマスクに関する。
ラスマスクに関する。
皿米■垣玉
ウェハー上に多数のチップを形成する場合等には、チッ
プの各層形成毎に所定のパターンを順次ウェハー上に転
写してゆく必要がある。このために、このパターンを表
面に形成したガラスマスクを準備しておく必要がある。
プの各層形成毎に所定のパターンを順次ウェハー上に転
写してゆく必要がある。このために、このパターンを表
面に形成したガラスマスクを準備しておく必要がある。
トランジスタのチップを作る場合には、５回程度の転写
工程が必要であり、このそれぞれの転写工程に対して、
各１枚のガラスマスクを必要としている。
工程が必要であり、このそれぞれの転写工程に対して、
各１枚のガラスマスクを必要としている。
■が”° しよ゛と る量
実験や調査等のためトランジスタチップの試作を行うよ
うな場合、転写工程を５回とすると５枚のガラスマスク
を準備しておかねばならないので、コストと時間がかか
るという問題点がある。
うな場合、転写工程を５回とすると５枚のガラスマスク
を準備しておかねばならないので、コストと時間がかか
るという問題点がある。
本発明は以上のことに鑑みてなされたもので、１枚のガ
ラスマスクで、ウェハー上に４種類までのパターンを形
成することができるガラスマスクを提供することを目的
としている。
ラスマスクで、ウェハー上に４種類までのパターンを形
成することができるガラスマスクを提供することを目的
としている。
ｉ ゛ るための
以上の問題を解決するために本発明は、正方形の区域に
形成した基本パターンを、正方形の領域内に格子状に配
置したガラスマスクにおいて、前記パターンは、所定の
基準方向に向いた所定の形状のパターンであり、前記基
準方向は、正方形の領域の中心を中心としてガラスマス
クを回転して重ね合わせたとき、回転前と回転後で重ね
合わせる基本パターンの基準方向および中心が一致する
ようにしている。
形成した基本パターンを、正方形の領域内に格子状に配
置したガラスマスクにおいて、前記パターンは、所定の
基準方向に向いた所定の形状のパターンであり、前記基
準方向は、正方形の領域の中心を中心としてガラスマス
クを回転して重ね合わせたとき、回転前と回転後で重ね
合わせる基本パターンの基準方向および中心が一致する
ようにしている。
■
正方形の領域をウェハーの上にのせてパターンを転写し
、次に中心０を中心としてガラスマスク５０を９０°反
時計方向に回転し、正方形の領域をウェハー上にのせて
パターンを転写し、次いで中心０を中心としてガラスマ
スク５０を９０″反時計方向に回転し、正方形の領域を
ウェハー上にのせてパターンを転写し、更に中心０を中
心としてガラスマスク５０を９０°反時計方向に回転し
、正方形の領域をウェハー上にのせてパターンを転写す
る。
、次に中心０を中心としてガラスマスク５０を９０°反
時計方向に回転し、正方形の領域をウェハー上にのせて
パターンを転写し、次いで中心０を中心としてガラスマ
スク５０を９０″反時計方向に回転し、正方形の領域を
ウェハー上にのせてパターンを転写し、更に中心０を中
心としてガラスマスク５０を９０°反時計方向に回転し
、正方形の領域をウェハー上にのせてパターンを転写す
る。
災施炎
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は基
本パターンの配置図を、第２図は基本パターンを、第３
図はパターンの一例を、第４図は位置合わせ用パターン
と特性測定用パターンの配置図をそれぞれ示す。
本パターンの配置図を、第２図は基本パターンを、第３
図はパターンの一例を、第４図は位置合わせ用パターン
と特性測定用パターンの配置図をそれぞれ示す。
第１図において、５０は略正方形のガラスマスクであっ
て、ソーダガラス等が用いられる。このガラスマスク５
０の表面に正方形の領域１０を形成し、この内部にパタ
ーンを形成する。
て、ソーダガラス等が用いられる。このガラスマスク５
０の表面に正方形の領域１０を形成し、この内部にパタ
ーンを形成する。
第２図において、正方形の区域２０は、その対角線の交
点３１を通って直交する２つの直線３５．３６によって
４つの合同な正方形の区画２１．２２．２３および２４
に分割されている。区画２１には、例えば第４図（ａ）
に示す形状のパターンＡが矢印Ａの方向を基準方向とし
て（矢印Ａの方向を向いて）形成されている。同様に区
画２２．２３および２４には、それぞれパターンＢ、Ｃ
およびＤ（図示省略）が矢印Ｂ、ＣおよびＤの方向を基
準方向として形成されている。矢印Ｂの方向は、矢印Ａ
の方向かち９０°時計方向にずらせてあり、矢印Ｃの方
向は、矢印Ｂの方向から９０°時計方向にずらせてあり
、矢印りの方向は、矢印Ｃの方向から９０°時計方向に
ずらせである。基準方向とは、複数のパターンを順次ウ
ェハーに上に転写してゆくとき、これらのパターンの向
きをそろえるために基準とする方向である。
点３１を通って直交する２つの直線３５．３６によって
４つの合同な正方形の区画２１．２２．２３および２４
に分割されている。区画２１には、例えば第４図（ａ）
に示す形状のパターンＡが矢印Ａの方向を基準方向とし
て（矢印Ａの方向を向いて）形成されている。同様に区
画２２．２３および２４には、それぞれパターンＢ、Ｃ
およびＤ（図示省略）が矢印Ｂ、ＣおよびＤの方向を基
準方向として形成されている。矢印Ｂの方向は、矢印Ａ
の方向かち９０°時計方向にずらせてあり、矢印Ｃの方
向は、矢印Ｂの方向から９０°時計方向にずらせてあり
、矢印りの方向は、矢印Ｃの方向から９０°時計方向に
ずらせである。基準方向とは、複数のパターンを順次ウ
ェハーに上に転写してゆくとき、これらのパターンの向
きをそろえるために基準とする方向である。
第３図（ｂ）に第３図（ａ）のＹ−Ｙ断面を示すように
、パターンＡはガラスマスク５０の表面上にクローム層
２１ｃ等を形成し、この層の上に更に酸化クローム層２
１ｄ等を形成したものである。他のパターンＢ、Ｃおよ
びＤも同様である。
、パターンＡはガラスマスク５０の表面上にクローム層
２１ｃ等を形成し、この層の上に更に酸化クローム層２
１ｄ等を形成したものである。他のパターンＢ、Ｃおよ
びＤも同様である。
基本パターン３０は、区域２０内に前記のように形成し
たパターンＡ、Ｂ、、ＣおよびＤで構成されており、こ
れらのパターンはそれぞれ第１、第２、第３および第４
の転写工程に用いられる。３１は正方形の区域２０の対
角線の交点であって基本パターン３０の中心である。
たパターンＡ、Ｂ、、ＣおよびＤで構成されており、こ
れらのパターンはそれぞれ第１、第２、第３および第４
の転写工程に用いられる。３１は正方形の区域２０の対
角線の交点であって基本パターン３０の中心である。
第１図において、基本パターン３０は、基本パターン３
０の中心３１、直線３５および直線３６が、それぞれ領
域１０の中心０、直線５１および５２に合致するように
配置されている。このように配置された基本パターン３
０の位置を基準として、他の基本パターン３０が領域１
０内に格子状に配置されている。なお、領域１０の大き
さにより、領域１０内の周辺部分においては、第１図に
示すように、基本パターンａＯの半分（２区画）および
１／４（１区画）に限定する場合がある。
０の中心３１、直線３５および直線３６が、それぞれ領
域１０の中心０、直線５１および５２に合致するように
配置されている。このように配置された基本パターン３
０の位置を基準として、他の基本パターン３０が領域１
０内に格子状に配置されている。なお、領域１０の大き
さにより、領域１０内の周辺部分においては、第１図に
示すように、基本パターンａＯの半分（２区画）および
１／４（１区画）に限定する場合がある。
なお、このようにパターン形成したガラスマスク５０は
、基本パターン３０のレチクルを作り、このレチクルを
使用して、領域１０内に基本パターン３０を前記のよう
に格子状に配置形成して作ることができる。
、基本パターン３０のレチクルを作り、このレチクルを
使用して、領域１０内に基本パターン３０を前記のよう
に格子状に配置形成して作ることができる。
また、基本パターンを順次ウェハー上に重ね合わせてゆ
く・ときに、所定の位置に正確に重ね合わせるために、
上記区画内に位置合わせ用パターンを形成している。こ
の−例を示すと、第４図はガラスマスク５０の正方形の
領域１０内に１２１個の基本パターン３０を格子状に配
置したものであって、中心Ｏから等距離に、それぞれ位
置合わせ用パターンＬＨ，１２１，１３１および１４１
を設けている。また特性測定用のパターン１１２．１２
２．１３２および１４２を設ける場合がある。
く・ときに、所定の位置に正確に重ね合わせるために、
上記区画内に位置合わせ用パターンを形成している。こ
の−例を示すと、第４図はガラスマスク５０の正方形の
領域１０内に１２１個の基本パターン３０を格子状に配
置したものであって、中心Ｏから等距離に、それぞれ位
置合わせ用パターンＬＨ，１２１，１３１および１４１
を設けている。また特性測定用のパターン１１２．１２
２．１３２および１４２を設ける場合がある。
次に、このガラスマスク５０を用いてウェハー上にパタ
ーンを順次転写してゆく場合の方法について述べる。
ーンを順次転写してゆく場合の方法について述べる。
まず、ガラスマスク５０をウェハーの上にのせてパター
ンを転写し、次に中心Ｏを中心としてガラスマスク５０
を９０°反時計方向に回転し、同様にパターンを転写し
、次−いて中心０を中心としてガラスマスク５０を９０
°反時計方向に回転し、同様にパターンを転写し、更に
中心０を中心としてガラスマスク５０を９０°反時計方
向に回転し、同様にパターンを転写して、このガラスマ
スク５０を用いた転写作業を終了する。勿論前記転写工
程の間には、エツチングや膜の形成等の工程がある。こ
のようにすると、−枚のガラスマスク５０を４回の転写
工程に使用できる。
ンを転写し、次に中心Ｏを中心としてガラスマスク５０
を９０°反時計方向に回転し、同様にパターンを転写し
、次−いて中心０を中心としてガラスマスク５０を９０
°反時計方向に回転し、同様にパターンを転写し、更に
中心０を中心としてガラスマスク５０を９０°反時計方
向に回転し、同様にパターンを転写して、このガラスマ
スク５０を用いた転写作業を終了する。勿論前記転写工
程の間には、エツチングや膜の形成等の工程がある。こ
のようにすると、−枚のガラスマスク５０を４回の転写
工程に使用できる。
なお、このようにして、各区画内に形成された素子等の
内、第１の転写工程がパターンＡの転写工程であったも
のを使用する。
内、第１の転写工程がパターンＡの転写工程であったも
のを使用する。
光肌ｑカ来
以上説明したように本発明のガラスマスクは、４回迄の
転写工程に使用されるパターンを形成した正方形の基本
パターンを正方形の領域内に格子状に配置したことによ
り、４回の転写工程に必要なパターンを配置形成したの
で、１枚のガラスマスクで、ウェハー上に４種類までの
パターンを形成することができる利点を有する。従って
、多数のガラスマスクを準備しておく必要がないため、
少ないコストと時間でガラスマスクを準備することがで
きる。またパターンが規則的に点在しているので特性分
布を比較的正確に知ることができる。
転写工程に使用されるパターンを形成した正方形の基本
パターンを正方形の領域内に格子状に配置したことによ
り、４回の転写工程に必要なパターンを配置形成したの
で、１枚のガラスマスクで、ウェハー上に４種類までの
パターンを形成することができる利点を有する。従って
、多数のガラスマスクを準備しておく必要がないため、
少ないコストと時間でガラスマスクを準備することがで
きる。またパターンが規則的に点在しているので特性分
布を比較的正確に知ることができる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は基
本パターンの配置図を、第２図は基本パターンを、第３
図はパターンの一例を、第４図は位置合わせ用パターン
と特性測定用パターンの配置図をそれぞれ示す。 １０・・・領域、２０・・・区域、２１．２２．２３．
２４・・・区画、３０・・・基本パターン、３１・・・
中心、５０・・・ガラスマスク、Ａ、Ｂ、ＣＳＤ・・・
パターン、０・・・中心。
本パターンの配置図を、第２図は基本パターンを、第３
図はパターンの一例を、第４図は位置合わせ用パターン
と特性測定用パターンの配置図をそれぞれ示す。 １０・・・領域、２０・・・区域、２１．２２．２３．
２４・・・区画、３０・・・基本パターン、３１・・・
中心、５０・・・ガラスマスク、Ａ、Ｂ、ＣＳＤ・・・
パターン、０・・・中心。
Claims (1)
- （１）正方形の区域を４等分割した各区画にそれぞれ形
成され基準方向がそれぞれ９０゜ずれた４つのパターン
からなる基本パターンを格子状に配列したガラスマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070947A JPH01243060A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070947A JPH01243060A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243060A true JPH01243060A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13446209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070947A Pending JPH01243060A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439764A (en) * | 1993-07-01 | 1995-08-08 | Micrel, Incorporated | Mask having multiple patterns |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070947A patent/JPH01243060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439764A (en) * | 1993-07-01 | 1995-08-08 | Micrel, Incorporated | Mask having multiple patterns |
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