JPS6222432A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
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- JPS6222432A JPS6222432A JP60160360A JP16036085A JPS6222432A JP S6222432 A JPS6222432 A JP S6222432A JP 60160360 A JP60160360 A JP 60160360A JP 16036085 A JP16036085 A JP 16036085A JP S6222432 A JPS6222432 A JP S6222432A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- mask
- alignment
- pattern
- marks
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本發明は、例えば半導体装置の製造工程に３いて行なわ
れる半導体ウェハ上のパターンとマスクないしレチクル
上のパターンとの位置合せを行う位置合わせ方法に関す
るものである。
れる半導体ウェハ上のパターンとマスクないしレチクル
上のパターンとの位置合せを行う位置合わせ方法に関す
るものである。
半導体装置例えば集積回路の製造過程では、通常複数回
のフォトエツチングが行なわれる。この工程では、一般
にその都度、半導体基板ないし半導体クエハ上のパター
ンとフォトマスクないしし 〕チクル上のパターンと
め位置合わせな行なうため、′フォトマスクないしレテ
グルＣ以下、「マスク」と総称する）には、位置合わせ
用のマークが個々、 ゛のテップパターン毎に設けられ
ている。
のフォトエツチングが行なわれる。この工程では、一般
にその都度、半導体基板ないし半導体クエハ上のパター
ンとフォトマスクないしし 〕チクル上のパターンと
め位置合わせな行なうため、′フォトマスクないしレテ
グルＣ以下、「マスク」と総称する）には、位置合わせ
用のマークが個々、 ゛のテップパターン毎に設けられ
ている。
このような位置合わせな行う手段としては、目合わせＫ
よる誤差ないしずれを少なくするため、次のような方法
が行なわれている。まず、第１回目のフォトエツチング
工程で第２回頭に示すような正号形のマーク１０がマス
クから半導体基板上に転写される。このマーク１０は、
例えば−辺が６０μｍであり、第２回目以降のフォトエ
ツチング工程のターゲットとして用いられる。
よる誤差ないしずれを少なくするため、次のような方法
が行なわれている。まず、第１回目のフォトエツチング
工程で第２回頭に示すような正号形のマーク１０がマス
クから半導体基板上に転写される。このマーク１０は、
例えば−辺が６０μｍであり、第２回目以降のフォトエ
ツチング工程のターゲットとして用いられる。
次に、第２回目のフォトエツチング工程で使用されるマ
スクには、同図ＣＢ）に示すような正方形のマーク１２
が形成されている。このマーク１２はえは−辺が２６μ
ｍであり、同図（Ａｌのマーク１０よりも一辺の長さが
短くなっている。このようなマーク１２を有するマスク
を半導体基板に重ね合わせ、マーク１２をキーとしてパ
ターンの位置合わせが行なわれる。すなわち、同図（Ｃ
）に示すように、ターゲットであるマーク１０に対して
キーであるマーク１２を、正方形の各辺の間隔が等しく
なるように、目合わせ用の顕微鐘でマーク１０・１２を
観察し、マスクと半導体基板との相対的位置を調整する
。
スクには、同図ＣＢ）に示すような正方形のマーク１２
が形成されている。このマーク１２はえは−辺が２６μ
ｍであり、同図（Ａｌのマーク１０よりも一辺の長さが
短くなっている。このようなマーク１２を有するマスク
を半導体基板に重ね合わせ、マーク１２をキーとしてパ
ターンの位置合わせが行なわれる。すなわち、同図（Ｃ
）に示すように、ターゲットであるマーク１０に対して
キーであるマーク１２を、正方形の各辺の間隔が等しく
なるように、目合わせ用の顕微鐘でマーク１０・１２を
観察し、マスクと半導体基板との相対的位置を調整する
。
以上の目合わせの後、露光、現像、エツチングなどの周
知の操作が行なわれ、マスク１２が、次回以降のフォト
エツチング工程用のターゲットとして半導体基板に転写
される。
知の操作が行なわれ、マスク１２が、次回以降のフォト
エツチング工程用のターゲットとして半導体基板に転写
される。
第３回以降のフォトエツチング工程についても同様であ
り、正方形状のマークの辺長な順次小さくして、目合わ
せ、転写が繰り返し行なわれる。
り、正方形状のマークの辺長な順次小さくして、目合わ
せ、転写が繰り返し行なわれる。
以上のように、従来の位置合わせ方法では、正方形状の
マークの寸法を順次小さくして８す、キーの外周に最も
隣接するターゲットに対してキーの目合わせが行なわれ
る。従って１例えば第１回目のフォトエツチング工程で
半導体基板上に転写されたマークと、＠２回目のフォト
エツチング工程で半導体基板上に転写されたマークの双
方に、第３回目のフォトエツチング工程でマスク上のマ
ークを位置合わせする場合には、第３回頭に示すような
二組のマークを必要とする。
マークの寸法を順次小さくして８す、キーの外周に最も
隣接するターゲットに対してキーの目合わせが行なわれ
る。従って１例えば第１回目のフォトエツチング工程で
半導体基板上に転写されたマークと、＠２回目のフォト
エツチング工程で半導体基板上に転写されたマークの双
方に、第３回目のフォトエツチング工程でマスク上のマ
ークを位置合わせする場合には、第３回頭に示すような
二組のマークを必要とする。
すなわち、同図（２）に示すように、まず第１回目ノフ
ォトエッテング工程で、マーク１０Ａ、１０Ｂが次の工
程のターゲットとして半導体基板上に形成される。そし
て、第２回目のフォトエツチング工程でマークｌ０ＡＫ
重ねてマーク１２が半導体基板上く形成される。次に、
第３回目のフォトエツチング工程では、マスク側にマー
ク１３Ａ。
ォトエッテング工程で、マーク１０Ａ、１０Ｂが次の工
程のターゲットとして半導体基板上に形成される。そし
て、第２回目のフォトエツチング工程でマークｌ０ＡＫ
重ねてマーク１２が半導体基板上く形成される。次に、
第３回目のフォトエツチング工程では、マスク側にマー
ク１３Ａ。
１３Ｂが各々キーとして形成されてＳす、このマーク１
！ＬＡ、１５Ｂを、第３回頭に示すように、マーク１２
．１０Ｂに対して正方形の各辺間の間隔が等しくなるよ
うに目合わせする。
！ＬＡ、１５Ｂを、第３回頭に示すように、マーク１２
．１０Ｂに対して正方形の各辺間の間隔が等しくなるよ
うに目合わせする。
ところが、同図（Ｂ）に示すように、第２回目のフォト
エツチング工程に８いてマーク、に２を半導体基板上に
転写する際、例えばマーク１２がマーク１０に対し位置
ずれを起こして転写されたとすると、第５回目のフォト
エツチング工程にＸけるマーク１３Ａ、１３Ｂの目合わ
せか、非常に困難となるという不都合がある。
エツチング工程に８いてマーク、に２を半導体基板上に
転写する際、例えばマーク１２がマーク１０に対し位置
ずれを起こして転写されたとすると、第５回目のフォト
エツチング工程にＸけるマーク１３Ａ、１３Ｂの目合わ
せか、非常に困難となるという不都合がある。
本発明は、かかる点罠鑑みてなされたものであり、上述
した欠点を解決し、２回の異なるフォトエツチング工程
により半導体基板上にマスクから転写形成されたターゲ
ットとなるマークに対し。
した欠点を解決し、２回の異なるフォトエツチング工程
により半導体基板上にマスクから転写形成されたターゲ
ットとなるマークに対し。
３回目のフォトエツチング工程におけるマスクのマーク
を容易に目合わせすることかでさる位置合わせ方法を提
供することをその目的とするものである。
を容易に目合わせすることかでさる位置合わせ方法を提
供することをその目的とするものである。
本発明は、最初の工程にｇいて、少なくともその一部に
直線状エツジを有する第１アライメントマークを、第１
マスクのパターンとともに転写対象物例えば半導体クエ
ハに転写し、次の工程に８いて、少なくともその一部に
直線状エツジを有する第２アライメントマークを、該直
線状エツジが前記第１マークの直線状エツジと平行もし
くは各エツジの延長線が一致するように前記第２マスク
のパターンとともに転写対象物上の前記第１マークとは
異なる位置に転写し、前記第３マスクに互いに平行な第
１及び第２直線状エツジを有する第３アライメントマー
クを形成し、次の工程に８いて、該第１及び第２直線状
エツジが前記転写対象物上の第１及び第２マークの直線
状エツジに対し各々間隔が所定の位置関係になるように
目合わせして、第３マスクのパターンを転写対象物上の
第１及び第２パターンに対して位置合わせすることを特
徴とするものである。
直線状エツジを有する第１アライメントマークを、第１
マスクのパターンとともに転写対象物例えば半導体クエ
ハに転写し、次の工程に８いて、少なくともその一部に
直線状エツジを有する第２アライメントマークを、該直
線状エツジが前記第１マークの直線状エツジと平行もし
くは各エツジの延長線が一致するように前記第２マスク
のパターンとともに転写対象物上の前記第１マークとは
異なる位置に転写し、前記第３マスクに互いに平行な第
１及び第２直線状エツジを有する第３アライメントマー
クを形成し、次の工程に８いて、該第１及び第２直線状
エツジが前記転写対象物上の第１及び第２マークの直線
状エツジに対し各々間隔が所定の位置関係になるように
目合わせして、第３マスクのパターンを転写対象物上の
第１及び第２パターンに対して位置合わせすることを特
徴とするものである。
以下、添附図面を参照しながら、本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図には、本発明にかかる位１合わせ方法の一実施例
が示されている。この図に８いて（Ａｌは、第１のフォ
トエツチング工程で同図（ＢｌのウェハＷに転写される
第１パターンＰ１を有する第１マスクＭ１の一例である
。図に示すように、第１マスクＭ１の中央部には、第１
パターンＰ１が例えばクロムなどの材料を用いて形成さ
れてＳす、縁部には、いずれかの方向の軸に沿ってマス
クアライメントマークＫｌα１ンが設けられている。
が示されている。この図に８いて（Ａｌは、第１のフォ
トエツチング工程で同図（ＢｌのウェハＷに転写される
第１パターンＰ１を有する第１マスクＭ１の一例である
。図に示すように、第１マスクＭ１の中央部には、第１
パターンＰ１が例えばクロムなどの材料を用いて形成さ
れてＳす、縁部には、いずれかの方向の軸に沿ってマス
クアライメントマークＫｌα１ンが設けられている。
ＷＪ４図囚回頭、マスクアライメントマークｌｃｔ。
の−例が拡大して示されて８す、正方形状のマークに１
０Ａ及びＫＩＯＢから成っている。マークＫ１０人＃に
１０Ｂは、−辺が２０μｍの正方形状のパターンを各々
を有してｇす、所定の間隔平行移動された配置となって
いる。これについては後述する。
０Ａ及びＫＩＯＢから成っている。マークＫ１０人＃に
１０Ｂは、−辺が２０μｍの正方形状のパターンを各々
を有してｇす、所定の間隔平行移動された配置となって
いる。これについては後述する。
このような第１図（４）の第１マスクＭ１を用いてウェ
ハＷ上にパターンの転写が行なわれると（同図矢印Ｆ１
参照）、同図（Ｂｌに示すようになる。すなわち、第１
パターンＰ１は、パターンＣＰ１として形成され、マス
クアライメントマークＫＩＯは各々ウェハアライメント
マークＫｌとしてウェハＷ上に形成される。
ハＷ上にパターンの転写が行なわれると（同図矢印Ｆ１
参照）、同図（Ｂｌに示すようになる。すなわち、第１
パターンＰ１は、パターンＣＰ１として形成され、マス
クアライメントマークＫＩＯは各々ウェハアライメント
マークＫｌとしてウェハＷ上に形成される。
第１図（ＣＩＫは、同図ＣＢ）のウェハＷに対して次の
フォトエツチング工程で位置合わせないしアライメント
される第２マスクＭ２が示されている。この第２マスク
Ｍ２の中央部分には、第２パターンＰ２が形成されてＲ
す、縁部には所定軸上に、例えば−辺が１６μｍの正方
形パターン２つから成るマスクアライメントマークに２
Ｇが各々設けられ 。
フォトエツチング工程で位置合わせないしアライメント
される第２マスクＭ２が示されている。この第２マスク
Ｍ２の中央部分には、第２パターンＰ２が形成されてＲ
す、縁部には所定軸上に、例えば−辺が１６μｍの正方
形パターン２つから成るマスクアライメントマークに２
Ｇが各々設けられ 。
ている。
第４図し）には、第１マスクＭ１のマスクアライメント
マークＫＩＧと第２マスクＭ２のマスクアライメントマ
ークに２０との配列関係が示されている。
マークＫＩＧと第２マスクＭ２のマスクアライメントマ
ークに２０との配列関係が示されている。
この図の状態は、誤差なく理想的にマークの転写が行な
われた場合の位置関係である。図ＫＸいて、マークＫＩ
ＯＡの辺Ｌ１とマークに２０Ｂ辺Ｌ２とは同一直線上に
あり、マークＫＩＯＡの辺Ｌ６とマークに２０Ｂの辺Ｌ
４とは同一直線上にあり、マークＫＩＯＨの辺Ｌ５とマ
ークに２０Ａの辺Ｌ６及びマークＫＩＯＢの辺Ｌ７とマ
ークに２０Ｂの辺Ｌ８も同様に各々直線上にある０すな
わち１マークＫＩＯＡ＝ ＫＩＯＢ、 Ｋ２０Ａ、 Ｋ
２ｏＢは、誤差なくワエハＷ上に転写されたときに対向
する辺が所定間隔りを有するような配列となるように。
われた場合の位置関係である。図ＫＸいて、マークＫＩ
ＯＡの辺Ｌ１とマークに２０Ｂ辺Ｌ２とは同一直線上に
あり、マークＫＩＯＡの辺Ｌ６とマークに２０Ｂの辺Ｌ
４とは同一直線上にあり、マークＫＩＯＨの辺Ｌ５とマ
ークに２０Ａの辺Ｌ６及びマークＫＩＯＢの辺Ｌ７とマ
ークに２０Ｂの辺Ｌ８も同様に各々直線上にある０すな
わち１マークＫＩＯＡ＝ ＫＩＯＢ、 Ｋ２０Ａ、 Ｋ
２ｏＢは、誤差なくワエハＷ上に転写されたときに対向
する辺が所定間隔りを有するような配列となるように。
マスクＭ１．Ｍ２上に各々形成されている。第１図（Ｉ
）Ｋは、第２マスクＭ２上のパターンが転写されたウェ
ハＷが示されて８す、パターンＣＰ１ には第２パタ
ーンＰ２が転写されてパターンＣＰ２となり、ウェハア
ライメントマークに１に対して、第４図（Ｂｌに示すよ
うな位置にウェハアライメントマークに！が形成される
。
）Ｋは、第２マスクＭ２上のパターンが転写されたウェ
ハＷが示されて８す、パターンＣＰ１ には第２パタ
ーンＰ２が転写されてパターンＣＰ２となり、ウェハア
ライメントマークに１に対して、第４図（Ｂｌに示すよ
うな位置にウェハアライメントマークに！が形成される
。
次に、第１図（Ｄには、３番目のフォトエツチング工程
で位置合わせが行なわれる第３マスクＭ６が示されてい
る。この第３マスクＭ６には、第３パターンＰ６ととも
に、マスクアライメントマークに３Ｇが形成されている
。このマスクアライメントマークに３Ｇは、所定幅の十
字状の形状となってｇす、その幅は、第４図（Ｂｌに示
したマーク間の間隔りよりも小さく設定されている。
で位置合わせが行なわれる第３マスクＭ６が示されてい
る。この第３マスクＭ６には、第３パターンＰ６ととも
に、マスクアライメントマークに３Ｇが形成されている
。このマスクアライメントマークに３Ｇは、所定幅の十
字状の形状となってｇす、その幅は、第４図（Ｂｌに示
したマーク間の間隔りよりも小さく設定されている。
次に、上記実施例の作用について説明する。ま □ず
、パターン位置合わせに誤差が生じない場合について説
明する。
、パターン位置合わせに誤差が生じない場合について説
明する。
第１マスクＭ１の第１パターンＰ１がクエへＷ上に転写
されると（第１図矢印Ｆ１参照）、ウェハＷ上には、パ
ターンＣＰ１ とともにウェハアライメントマークに
、が形成される。
されると（第１図矢印Ｆ１参照）、ウェハＷ上には、パ
ターンＣＰ１ とともにウェハアライメントマークに
、が形成される。
次に、かかるウェハアライメントマークＫｌと、マスク
アライメントマークに２Ｇとを用いて、すなわち、ウェ
ハアライメントマークに、ヲターゲットとし、マスクア
ライメントマークに２０をキーとしてウェハＷ上のパタ
ーンＣＰ１と第２マスクＭ２上の第２パターンＰ２の位
置合わせないしアライメントが行なわれる（同図矢印Ｆ
２参照）。すなわち、第４図（Ｂ）において説明したよ
う罠、正方形。
アライメントマークに２Ｇとを用いて、すなわち、ウェ
ハアライメントマークに、ヲターゲットとし、マスクア
ライメントマークに２０をキーとしてウェハＷ上のパタ
ーンＣＰ１と第２マスクＭ２上の第２パターンＰ２の位
置合わせないしアライメントが行なわれる（同図矢印Ｆ
２参照）。すなわち、第４図（Ｂ）において説明したよ
う罠、正方形。
マークが間隔Ｄ’ｐｊｇいて隣接するように目合わせ用
顕微鏡（図示せず〕を見ながらアライメントする。
顕微鏡（図示せず〕を見ながらアライメントする。
このアライメント操作の後、パターンの転写が行なわれ
Ｃ第１図矢印Ｆ６参照）、ウェハＷ上のパターンＣＰ
ＩＫ第２マスク上の第２パターンＰ２が転写されてパタ
ーンＣＰ２となり、ウェハアライメントマークに、の近
傍にウェハアライメントマークもが形成される。
Ｃ第１図矢印Ｆ６参照）、ウェハＷ上のパターンＣＰ
ＩＫ第２マスク上の第２パターンＰ２が転写されてパタ
ーンＣＰ２となり、ウェハアライメントマークに、の近
傍にウェハアライメントマークもが形成される。
次に、かかるウェハアライメントマークに＠ ｅ Ｋ２
と、マスクアライメントマークに３Ｇとを用いて、すな
わち、ウェハアライメントマークに１．４をターゲット
とし、マスクアライメントマークに３Ｇをキーとしてク
エハＷ上のパターンＣＰ２と第３マスクＭ６上の第３パ
ターンＰ３の位置合わせないしアライメントが行なわれ
る（同図矢印Ｆ４参照）。
と、マスクアライメントマークに３Ｇとを用いて、すな
わち、ウェハアライメントマークに１．４をターゲット
とし、マスクアライメントマークに３Ｇをキーとしてク
エハＷ上のパターンＣＰ２と第３マスクＭ６上の第３パ
ターンＰ３の位置合わせないしアライメントが行なわれ
る（同図矢印Ｆ４参照）。
第４図（０には、かかるアライメントの状態が示されて
おり、マスクアライメントマークに３０は、４つのウェ
ハアライメントマークに１人ｍ Ｋ１ｎ５ ＫＺＡＩＫ
ｇＢ間の十字状の間隔内に、隣接するマークの各辺との
距離が等しくなるように位置合わせされる。
おり、マスクアライメントマークに３０は、４つのウェ
ハアライメントマークに１人ｍ Ｋ１ｎ５ ＫＺＡＩＫ
ｇＢ間の十字状の間隔内に、隣接するマークの各辺との
距離が等しくなるように位置合わせされる。
すなわち、マスクアライメントマークに３Ｇを直交座標
系に例えると、第一象限にマークＫＩＡ、第二象限にマ
ークに２Ａ、第三象限にマークＫＩＢ、第四象限にマー
クに２Ｂが各々位置するように、間隔ｄをおいてアライ
メントが行なわれる。
系に例えると、第一象限にマークＫＩＡ、第二象限にマ
ークに２Ａ、第三象限にマークＫＩＢ、第四象限にマー
クに２Ｂが各々位置するように、間隔ｄをおいてアライ
メントが行なわれる。
以上のアライメント操作の後、周知の露光、現像エツチ
ング等が行なわれ、第３パターンＰ６は、第１パターン
Ｐ１及び第２パターンＰ２のいずれに対してもアライメ
ントされてウェハＷ上に転写されＣ第１図矢印Ｆ５参照
）、パターンＣＰ２がＣ２０となる。な８．この転写時
にマスクアライメントマークに３ｏも転写されてウェハ
アライメントマークに、がワエハＷ上に形成される（第
１図（８参照）。
ング等が行なわれ、第３パターンＰ６は、第１パターン
Ｐ１及び第２パターンＰ２のいずれに対してもアライメ
ントされてウェハＷ上に転写されＣ第１図矢印Ｆ５参照
）、パターンＣＰ２がＣ２０となる。な８．この転写時
にマスクアライメントマークに３ｏも転写されてウェハ
アライメントマークに、がワエハＷ上に形成される（第
１図（８参照）。
次９・つ１パア１メ′１”−′・９対２・７ ；エ
バアライメントマークに、が位置ずれしてフェノ１
Ｗ上に形成された場合について説明する。
バアライメントマークに、が位置ずれしてフェノ１
Ｗ上に形成された場合について説明する。
第５図には、かかる位置ずれが生じた場合の一例が示さ
れている。同図中（Ａｌは、第３マスグＭ３の第３パタ
ーンＰ３を、第１パターンＰ１及び第２パターンＰ２に
対する位置ずれが均等となるようにアライメントする場
合が示されている。この場合には、上述した場合と同様
に第４図（Ｏに示した如く、対向するマーク（例えばＫ
ＩＡとに２Ｂ）の対向辺と、これらに挾まれているマス
クアライメントマークに３０との間隔が等しくなるよう
にアライメントを行なえばよい。
れている。同図中（Ａｌは、第３マスグＭ３の第３パタ
ーンＰ３を、第１パターンＰ１及び第２パターンＰ２に
対する位置ずれが均等となるようにアライメントする場
合が示されている。この場合には、上述した場合と同様
に第４図（Ｏに示した如く、対向するマーク（例えばＫ
ＩＡとに２Ｂ）の対向辺と、これらに挾まれているマス
クアライメントマークに３０との間隔が等しくなるよう
にアライメントを行なえばよい。
図示の例にｇいて、マークＫＩＡ＃ ＫＩＢの中心Ｐ１
□。
□。
Ｐｌ２を結ぶ線分の中心をＰｌとし、マークＫＺＡ・に
２Ｂの中心Ｐ２１．Ｐ２２を結ぶ線分の中心をＰ２とす
る。Ｐｌ。
２Ｂの中心Ｐ２１．Ｐ２２を結ぶ線分の中心をＰ２とす
る。Ｐｌ。
Ｐ２は、各々ウェハアライメントマークに１．に２の中
心であると考えることができる。マスクアライメントマ
ークに３Ｇの中心をＰ３とすると、このＰ３はＰｉ−Ｐ
２を結ぶ線上の中央にあり１位置ずれが均等になってい
ることがわかる。
心であると考えることができる。マスクアライメントマ
ークに３Ｇの中心をＰ３とすると、このＰ３はＰｉ−Ｐ
２を結ぶ線上の中央にあり１位置ずれが均等になってい
ることがわかる。
次に、マスクアライメントマークに３Ｑを、ウェハアラ
イメントマークＫｌ、に２のいずれか一方にのみ位置合
わせする場合、例えばウェハアライメントマークに１に
のみ位置合わせする場合には、第５図（Ｂ）Ｋ示すよう
に、マークＫ１人・ＫＩＢの各辺と、マスクアライメン
トマークに３０との間隔が等しくなるようにすればよい
。すなわち、同図（４）の中心Ｐ１′とＰ３とが一致す
るようにすればよい。
イメントマークＫｌ、に２のいずれか一方にのみ位置合
わせする場合、例えばウェハアライメントマークに１に
のみ位置合わせする場合には、第５図（Ｂ）Ｋ示すよう
に、マークＫ１人・ＫＩＢの各辺と、マスクアライメン
トマークに３０との間隔が等しくなるようにすればよい
。すなわち、同図（４）の中心Ｐ１′とＰ３とが一致す
るようにすればよい。
次に、第３図を参照しながら、本発明の他の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第３図（Ｎには、第１回目のフォトエツチング工程でウ
ェハ上に転写されるアライメントマークが示されている
。この例では、第４図（４）と比較して４つのマークｍ
１ないしｍ４によってアライメントマークが構成されて
いる。これらのうち、マークｍ １１ ｍ ２は、第４
図（んに示すマークＫＩＯＡ ｔ ＫＩＯＢに対応スる
。マークｍ３．ｍ４は１図示のように、中心を通るｘ−
ｙ軸に対し、第２象限及び第４象限に各々配置され、全
体として点対称の形状となっている。すなわちマークｍ
１の辺Ｅａとマークｍ２の辺Ｅｂのｙ軸に対する間隔は
いずれもｄｘであり、マークｍ１の辺Ｅｃとマークｍ２
の辺Ｅｄのｙ軸に対する間隔はいずれもｄＹである。同
様に、マークｍ３の辺Ｅｏとマークｍ４の辺Ｅ３のｙ軸
に対する間隔はいずれもｅＸであシ、マークｍ３の辺Ｅ
ｌとマークｍ４の辺Ｅ２のＸ軸に対する間隔はいずれも
ｃｙである。
ェハ上に転写されるアライメントマークが示されている
。この例では、第４図（４）と比較して４つのマークｍ
１ないしｍ４によってアライメントマークが構成されて
いる。これらのうち、マークｍ １１ ｍ ２は、第４
図（んに示すマークＫＩＯＡ ｔ ＫＩＯＢに対応スる
。マークｍ３．ｍ４は１図示のように、中心を通るｘ−
ｙ軸に対し、第２象限及び第４象限に各々配置され、全
体として点対称の形状となっている。すなわちマークｍ
１の辺Ｅａとマークｍ２の辺Ｅｂのｙ軸に対する間隔は
いずれもｄｘであり、マークｍ１の辺Ｅｃとマークｍ２
の辺Ｅｄのｙ軸に対する間隔はいずれもｄＹである。同
様に、マークｍ３の辺Ｅｏとマークｍ４の辺Ｅ３のｙ軸
に対する間隔はいずれもｅＸであシ、マークｍ３の辺Ｅ
ｌとマークｍ４の辺Ｅ２のＸ軸に対する間隔はいずれも
ｃｙである。
第３図（Ｂ）には、第２回目のフォトエツチング工程で
ウェハ上に転写されるアライメントマークが示されてい
る。このアライメントマークは、マークｍＢ、ｍｌ）か
ら成っており、ｘｙ軸に対して各々第２象限及び第４象
限に点対称に配置されている。
ウェハ上に転写されるアライメントマークが示されてい
る。このアライメントマークは、マークｍＢ、ｍｌ）か
ら成っており、ｘｙ軸に対して各々第２象限及び第４象
限に点対称に配置されている。
詳述すると、マークｍａの辺ＥＡとマークｍｂの辺る間
隔はいずれもａｙである。また、マークｍａの辺Ｅ１ｏ
とマークｍｂの辺ＥＬ３のｙ軸に対する間隔はいずれも
ｆｘであり、マークｍａの辺Ｅｌｆとマークｍｂの辺Ｅ
１２のＸ軸に対する間隔はいずれもｆｙである。
隔はいずれもａｙである。また、マークｍａの辺Ｅ１ｏ
とマークｍｂの辺ＥＬ３のｙ軸に対する間隔はいずれも
ｆｘであり、マークｍａの辺Ｅｌｆとマークｍｂの辺Ｅ
１２のＸ軸に対する間隔はいずれもｆｙである。
マークｍｌ、ｍｌ）は、第３図（Ａ）のマークｍ３．ｍ
４と一体となって正方形状となるようにＬ字状となって
おり、ａｙ ） ｆｙ、 ａｘ ） ｆｘ、 ｄｘ ＝
ｅｘ、 ｄｙ＝ ｅｙと定められている。
４と一体となって正方形状となるようにＬ字状となって
おり、ａｙ ） ｆｙ、 ａｘ ） ｆｘ、 ｄｘ ＝
ｅｘ、 ｄｙ＝ ｅｙと定められている。
第２回目めフォトエツチング工程では、第３図（Ａ）の
アライメントマークをターゲットとし、同図（Ｂ）のア
ライメントマークラ千−としてパターンの位置合わせが
行なわれる。第３図（Ｑには、このときの様子が示され
ている。なお、これは、誤差なく位置合わせが行なわれ
次場合である。この図に示すように、マークｍ３の辺Ｂ
Ｏとマークｍａの辺ＥＩＢ の間隔と、マークｍ４の辺
Ｅ３とマークｍｂの辺Ｅ１３の間隔とが等しくなるよう
にしてＸ方向のアライメントが行なわれる。また、マー
クｍ６の辺Ｅ１とマークｍｌの辺Ｅ１１の間隔と、マー
クｍ４の辺Ｅ２とマークｍｂの辺Ｅ１２の間隔とが等し
くなるようにしてＸ方向のアライメントが行なわれろ。
アライメントマークをターゲットとし、同図（Ｂ）のア
ライメントマークラ千−としてパターンの位置合わせが
行なわれる。第３図（Ｑには、このときの様子が示され
ている。なお、これは、誤差なく位置合わせが行なわれ
次場合である。この図に示すように、マークｍ３の辺Ｂ
Ｏとマークｍａの辺ＥＩＢ の間隔と、マークｍ４の辺
Ｅ３とマークｍｂの辺Ｅ１３の間隔とが等しくなるよう
にしてＸ方向のアライメントが行なわれる。また、マー
クｍ６の辺Ｅ１とマークｍｌの辺Ｅ１１の間隔と、マー
クｍ４の辺Ｅ２とマークｍｂの辺Ｅ１２の間隔とが等し
くなるようにしてＸ方向のアライメントが行なわれろ。
以上のようにしてアライメントが行なわれると、マーク
ｍ１．ｍ２．ｍ＋ｌＩ ｍｌ）の対向する辺の間隔が等
しくなる。これに対して、第３回目のフォ 。
ｍ１．ｍ２．ｍ＋ｌＩ ｍｌ）の対向する辺の間隔が等
しくなる。これに対して、第３回目のフォ 。
トエツテング工程で第４図（Ｃ）に示す十字状のアライ
メントマークに３ｏを上記実施例のように位置合わせす
る。
メントマークに３ｏを上記実施例のように位置合わせす
る。
この実施例によれば、前述した実施例と比較して、第２
回目のフォトエツチング工程における位置合わせが一層
容易になり、アライメント誤差が低減される。
回目のフォトエツチング工程における位置合わせが一層
容易になり、アライメント誤差が低減される。
なお、上記実施例において、第１番目のフォトエツチン
グ工程でウニへ上に転写されるマーク（第４回頭、第３
図囚参照〕と、第２番目のフォトエツチング工程でウェ
ハ上に転写されるマーク（第４図（Ｂｌ、第３図（Ｂｌ
参照〕の大きさが異なるのは、かかる大きさから何番目
の工程で形成されたものか、別言すれば当該マークに対
応するパターンが何番目の層のものかを識別するためで
ある。
グ工程でウニへ上に転写されるマーク（第４回頭、第３
図囚参照〕と、第２番目のフォトエツチング工程でウェ
ハ上に転写されるマーク（第４図（Ｂｌ、第３図（Ｂｌ
参照〕の大きさが異なるのは、かかる大きさから何番目
の工程で形成されたものか、別言すれば当該マークに対
応するパターンが何番目の層のものかを識別するためで
ある。
本発明は何ら上記実施例に限定されるものではなく、目
合わせ精度や集積回路装置等に応じてキーやターゲット
のパターン寸法の他、パターン間の間隔寸法等を適宜変
更して組み合わせ使用するようにしてもよい。
合わせ精度や集積回路装置等に応じてキーやターゲット
のパターン寸法の他、パターン間の間隔寸法等を適宜変
更して組み合わせ使用するようにしてもよい。
以上説明したように１本発明による位置合わせ方法によ
れば、６番目のアライメントマークの直線状エツジを、
第１及び第２番目のアライメントマークの直線状エツジ
に対して各々等間隔となるようにしたので、アライメン
ト誤差が生じても、第１番目及び第２番目の工程で形成
されたパターンのいずれに対しても第３番目のパターン
の位置ずれが等しくなるような目合わせを容易に行うこ
とができる。
れば、６番目のアライメントマークの直線状エツジを、
第１及び第２番目のアライメントマークの直線状エツジ
に対して各々等間隔となるようにしたので、アライメン
ト誤差が生じても、第１番目及び第２番目の工程で形成
されたパターンのいずれに対しても第３番目のパターン
の位置ずれが等しくなるような目合わせを容易に行うこ
とができる。
従って、容易で確実なパターンの位置合わせが可能とな
り、集積度の増大に対しても歩留りの向上等を図ること
が可能となる。
り、集積度の増大に対しても歩留りの向上等を図ること
が可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す工程説明図、第２図及
び第３図は従来の位置合わせ方法を示す説明図、第４図
は誤差が生じない理想的な場合の位置合わせ手順を示す
説明図、第５図は誤差が生じた場合の位置合わせ手順を
示す説明図、第３図は他の実施例を示す説明図である。 （主要部分の符号の説明〕 Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３・・・マスク、Ｋ１＋ Ｉ’ｇ＊ Ｋ
Ｂ・・・クエハアライノントマーク、に、。１．に、。 １＊＋Ｋｇ）・・・マスクアライメントマーク、Ｐｌ、
ｐ２．Ｐ３．ＣＰｌ。 ＣＦ２・ ＣＰ３°°”″ターン・ ＫＩＯＡ・ＫＩＯ
Ｂ・Ｋ２０Ａ ｅ Ｋ２０Ｂ・ｒｎ １ 拳ｒｎ ２
＊ ｒｎ ６ｅ ｔｒｉ ４ ＋ ｍ ａ ｅ ｒｎ
ｂ ・” ？−り。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 Ｚ 第４図
び第３図は従来の位置合わせ方法を示す説明図、第４図
は誤差が生じない理想的な場合の位置合わせ手順を示す
説明図、第５図は誤差が生じた場合の位置合わせ手順を
示す説明図、第３図は他の実施例を示す説明図である。 （主要部分の符号の説明〕 Ｍｌ、Ｍ２．Ｍ３・・・マスク、Ｋ１＋ Ｉ’ｇ＊ Ｋ
Ｂ・・・クエハアライノントマーク、に、。１．に、。 １＊＋Ｋｇ）・・・マスクアライメントマーク、Ｐｌ、
ｐ２．Ｐ３．ＣＰｌ。 ＣＦ２・ ＣＰ３°°”″ターン・ ＫＩＯＡ・ＫＩＯ
Ｂ・Ｋ２０Ａ ｅ Ｋ２０Ｂ・ｒｎ １ 拳ｒｎ ２
＊ ｒｎ ６ｅ ｔｒｉ ４ ＋ ｍ ａ ｅ ｒｎ
ｂ ・” ？−り。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 Ｚ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 転写対象物と、これに転写される第１、第２、第３マス
クの夫々に設けられたパターンとを、各各に形成された
アライメントマークを利用して位置合わせする位置合わ
せ方法において、 少なくともその一部に直線状エッジを有する第１アライ
メントマークを、第１マスクのパターンとともに転写対
象物に転写する工程と、 少なくともその一部に直線状エッジを有する第２アライ
メントマークを、該直線状エッジが前記第１マークの直
線状エッジと平行もしくは各エッジの延長線が一致する
ように、前記第２マスクのパターンとともに転写対象物
上の前記第１マークとは異なる位置に転写する工程と、 前記第３マスクは互いに平行な第１及び第２直線状エッ
ジを有する第３アライメントマークを備え、該第１及び
第２直線状エッジが前記転写対象物上の第１及び第２マ
ークの直線状エッジに対し各々間隔が所定位置関係にな
るように目合わせすることによつて、第３マスクのパタ
ーンを転写対象物上の第１及び第２パターンに対して位
置合わせする工程とを含むことを特徴とする位置合わせ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160360A JPS6222432A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160360A JPS6222432A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222432A true JPS6222432A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15713289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160360A Pending JPS6222432A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278193B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Optical sensing method to place flip chips |
| WO2012160928A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置のアライメント装置 |
| WO2013177874A1 (zh) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标识及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法 |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60160360A patent/JPS6222432A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6278193B1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Optical sensing method to place flip chips |
| WO2012160928A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置のアライメント装置 |
| JP2012242746A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | V Technology Co Ltd | 露光装置のアライメント装置 |
| WO2013177874A1 (zh) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标识及在曝光工艺中采用该对位标识制作工件的方法 |
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