JPH0276214A - ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク - Google Patents
ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスクInfo
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- JPH0276214A JPH0276214A JP63226449A JP22644988A JPH0276214A JP H0276214 A JPH0276214 A JP H0276214A JP 63226449 A JP63226449 A JP 63226449A JP 22644988 A JP22644988 A JP 22644988A JP H0276214 A JPH0276214 A JP H0276214A
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- Japan
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- alignment mark
- glass mask
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- wafer
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 7
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明はホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク
の合せマークに関するものである。
の合せマークに関するものである。
近年、半導体素子等を製造するため、繰り返し行なわれ
るホトリソ工程におけるガラスマスクとウェハとの位置
決めは、予めガラスマスクの各チップパターン又はチッ
プ面積の縮小化のため、複数のチップのまとまりである
レチクルパターン上に設けられた合せマークとウェハ上
に設けられた合せマークとを一致させることにより行な
われる。
るホトリソ工程におけるガラスマスクとウェハとの位置
決めは、予めガラスマスクの各チップパターン又はチッ
プ面積の縮小化のため、複数のチップのまとまりである
レチクルパターン上に設けられた合せマークとウェハ上
に設けられた合せマークとを一致させることにより行な
われる。
従来、かかるガラスマスク及びウェハの合せマスクの合
せ方は、先ずマスクアライナ−にガラスマスクをセント
した後、このガラスマスクの合せマークを探し、これを
マスクアライナ−の顕微鏡の視野に入れて置く、そして
、ガラスマスク下において、ウェハを移動させ、ウェハ
上に設けられた合せマークを、顕微鏡及びガラスマスク
を通して探し、これら合せマークを一致させるものであ
った・ 〔発明が解決しようとする課題〕 然し乍ら、上述した従来の合せマークにおいては、顕微
鏡の視野が、例えば数百μと狭いため、レチクルサイズ
が、例えば十数ｎ角と大きくなると、それに伴って合せ
マークの間隔も大きくなり、合せマークの検出に多大の
時間を要するという問題点があった。
せ方は、先ずマスクアライナ−にガラスマスクをセント
した後、このガラスマスクの合せマークを探し、これを
マスクアライナ−の顕微鏡の視野に入れて置く、そして
、ガラスマスク下において、ウェハを移動させ、ウェハ
上に設けられた合せマークを、顕微鏡及びガラスマスク
を通して探し、これら合せマークを一致させるものであ
った・ 〔発明が解決しようとする課題〕 然し乍ら、上述した従来の合せマークにおいては、顕微
鏡の視野が、例えば数百μと狭いため、レチクルサイズ
が、例えば十数ｎ角と大きくなると、それに伴って合せ
マークの間隔も大きくなり、合せマークの検出に多大の
時間を要するという問題点があった。
勿論、合せマークの間隔を小さくするため、レチクル内
の合せマークを多くしても良いが、この場合、異なる合
せマークに合せてしまう等の合せ不良が生じるという問
題点があった。
の合せマークを多くしても良いが、この場合、異なる合
せマークに合せてしまう等の合せ不良が生じるという問
題点があった。
本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、合せマークの検
出時間が短縮できるホトリソグラフィー工程におけるガ
ラスマスクの合せマークを提供するものである。
出時間が短縮できるホトリソグラフィー工程におけるガ
ラスマスクの合せマークを提供するものである。
本発明は上述した目的を達成するため、ウェハ上に位置
決めするための合せマーク部と、該合せマーク部の近傍
にて交わる複数のガイドラインとを具備したものである
。
決めするための合せマーク部と、該合せマーク部の近傍
にて交わる複数のガイドラインとを具備したものである
。
本発明においては、ガラスマスクとウェハとを位置決め
するための合せマーク部近傍において交差する複数のガ
イドラインを設けたので、合せマーク部の検出が、ガイ
ドラインの交点を探すことにより容易になる。
するための合せマーク部近傍において交差する複数のガ
イドラインを設けたので、合せマーク部の検出が、ガイ
ドラインの交点を探すことにより容易になる。
−以下本発明のホトリソグラフィー工程におけるガラス
マスクの合せマークに係る一実施例を、第１図にガラス
マスクの平面図、第２図にレチクルの拡大図及び第３図
に合せマークの部分拡大図を示して説明する。
マスクの合せマークに係る一実施例を、第１図にガラス
マスクの平面図、第２図にレチクルの拡大図及び第３図
に合せマークの部分拡大図を示して説明する。
即ち、第１図において、１は紫外線の所望波長光、例え
ばＵＶ光等が透過する石英（ｆＩＩ化シリコン）材から
成るガラスマスクであり、このガラスマスク１の裏面に
は、上記ＵＶ光等を反射するクロム等のレチクルパター
ン２が形成されている。
ばＵＶ光等が透過する石英（ｆＩＩ化シリコン）材から
成るガラスマスクであり、このガラスマスク１の裏面に
は、上記ＵＶ光等を反射するクロム等のレチクルパター
ン２が形成されている。
又、第２図に示す如く、上記レチクルパターン２は、ｌ
（Ｙ）方向及び横（Ｘ）方向に所定間隔を置いて格子
状に、設けられた複数のスクライブライン３に囲繞され
た複数の角形を呈するチップパターン４により構成され
ている。
（Ｙ）方向及び横（Ｘ）方向に所定間隔を置いて格子
状に、設けられた複数のスクライブライン３に囲繞され
た複数の角形を呈するチップパターン４により構成され
ている。
更に、第３図に示す如く、上記所定のＩＣチップパター
ン４の隅部には、合せマーク部５ａが形成されると共に
、この合せマーク部５ａ近傍のＹ及びＸ方向のスクライ
ブライン３上には、合せマーク部５ａのガイドラインで
あるレチクルライン５ｂが夫々形成されている。
ン４の隅部には、合せマーク部５ａが形成されると共に
、この合せマーク部５ａ近傍のＹ及びＸ方向のスクライ
ブライン３上には、合せマーク部５ａのガイドラインで
あるレチクルライン５ｂが夫々形成されている。
次に、かかるガラスマスクにおける合せマークの合せ方
を述べる。
を述べる。
先ず、マスクアライナ−のＷＪｇｅの視野を、ガラスマ
スク１のＸ方向・（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又
はＸ方向）のレチクルライン５ｂを探す。その後、Ｘ方
向（又はＸ方向）のレチクルライン５ｂに沿って顕微鏡
の視野をＸ方向（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又は
Ｘ方向）のレチクルライン５ｂを探す、斯くして、これ
らＸ方向及びＸ方向のレチクルライン５ｂの交点付近に
ある合せマーク部５ａを容易に探すことができる。
スク１のＸ方向・（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又
はＸ方向）のレチクルライン５ｂを探す。その後、Ｘ方
向（又はＸ方向）のレチクルライン５ｂに沿って顕微鏡
の視野をＸ方向（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又は
Ｘ方向）のレチクルライン５ｂを探す、斯くして、これ
らＸ方向及びＸ方向のレチクルライン５ｂの交点付近に
ある合せマーク部５ａを容易に探すことができる。
続いて、ガラスマスク１の合せマーク部５ａを、マスク
アライナ−の顕微鏡の視野に固定して置き、ｗ４微鏡及
びガラスマスク１を通して、１回目のガラスマスク１に
よるホトレジスト膜の露光現像により転写されたウェハ
上の合せマーク部５ａを、同様に転写されたレチクルラ
イン５ｂにより、ウェハをＸ、Ｘ方向に移動させ、検出
する。その後、ガラスマスク１の合せマーク部５ａとウ
ニへの合せマーク部５ａとを一敗させ、ウェハ上にガラ
スマスクｌが位置決めされる。但し、ウェハ上における
１回目のホトリソ工程においては、ウェハに対するガラ
スマスク１の位置決めは必要としない。
アライナ−の顕微鏡の視野に固定して置き、ｗ４微鏡及
びガラスマスク１を通して、１回目のガラスマスク１に
よるホトレジスト膜の露光現像により転写されたウェハ
上の合せマーク部５ａを、同様に転写されたレチクルラ
イン５ｂにより、ウェハをＸ、Ｘ方向に移動させ、検出
する。その後、ガラスマスク１の合せマーク部５ａとウ
ニへの合せマーク部５ａとを一敗させ、ウェハ上にガラ
スマスクｌが位置決めされる。但し、ウェハ上における
１回目のホトリソ工程においては、ウェハに対するガラ
スマスク１の位置決めは必要としない。
尚、レチクルライン５ｂの設定位置は、スクライブライ
ン３上に限定されるものではなく、例えばチップパター
ン４を損なわなければチップパターン４上に設けても良
い、又、上記レチクルライン５ｂは、顕微鏡の視野で十
分に確認されるものであれば、実線又は点線等でも良く
、レチクルライン５ｂの幅員も他のプロセスの障害とな
らなければ顕微鏡で確認されるものであれば良いことは
言うまでもない。
ン３上に限定されるものではなく、例えばチップパター
ン４を損なわなければチップパターン４上に設けても良
い、又、上記レチクルライン５ｂは、顕微鏡の視野で十
分に確認されるものであれば、実線又は点線等でも良く
、レチクルライン５ｂの幅員も他のプロセスの障害とな
らなければ顕微鏡で確認されるものであれば良いことは
言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、ガラスマスクに、
ウェハとの位置決めを行なうための合せマーク部と、こ
の合せマーク部近傍で交差する複数のガイドラインとを
配設したので、上記合せマーク部の検出が、ガイドライ
ンの交点を探すことにより容易にできると共に、ガラス
マスクにより転写されたウェハ上の合せマーク部の検出
も、同様に転写されたガイドラインの交点を探すことに
より容易にできる。よって、合せマーク検出に要する時
間の短縮ができ、ホトリソ工程における時間短縮ができ
るので、作業性が向上できる等の特有の効果により上述
の課題を解決し得る。
ウェハとの位置決めを行なうための合せマーク部と、こ
の合せマーク部近傍で交差する複数のガイドラインとを
配設したので、上記合せマーク部の検出が、ガイドライ
ンの交点を探すことにより容易にできると共に、ガラス
マスクにより転写されたウェハ上の合せマーク部の検出
も、同様に転写されたガイドラインの交点を探すことに
より容易にできる。よって、合せマーク検出に要する時
間の短縮ができ、ホトリソ工程における時間短縮ができ
るので、作業性が向上できる等の特有の効果により上述
の課題を解決し得る。
第１回乃至第３回は本発明に係る一実施例を示すもので
、第１図はガラスマスクの平面図、第２図はレチクルの
拡大図、第３図は合せマークの部分拡大図である。 １・・・ガラスマスク、２・・・レチクルパターン、３
・・・スクライブライン、４・・・チンプパターン、５
ａ・・・合せマーク部、５ｂ・・・レチクルライン（ガ
イドライン）。 第２図
、第１図はガラスマスクの平面図、第２図はレチクルの
拡大図、第３図は合せマークの部分拡大図である。 １・・・ガラスマスク、２・・・レチクルパターン、３
・・・スクライブライン、４・・・チンプパターン、５
ａ・・・合せマーク部、５ｂ・・・レチクルライン（ガ
イドライン）。 第２図
Claims (1)
- ウェハ上に位置決めするための合せマーク部と、該合せ
マーク部の近傍にて交わる複数のガイドラインとを具備
したことを特徴とするホトリソグラフィー工程における
ガラスマスクの合せマーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22644988A JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22644988A JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276214A true JPH0276214A (ja) | 1990-03-15 |
| JPH07111952B2 JPH07111952B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=16845272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22644988A Expired - Lifetime JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111952B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317338A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters |
| KR100442058B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-30 | 동부전자 주식회사 | 오버레이 측정 타겟 및 그를 이용한 해상도 측정방법 |
| CN105182702A (zh) * | 2015-10-30 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置 |
| CN107367249A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-21 | 四川省建筑科学研究院 | 预制构件可装配性检测方法、调整方法及拼接方法 |
| CN113219798A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-08-06 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机 |
| WO2022166080A1 (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 光掩膜版的形成方法及光掩膜版 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116131A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクアライナ−用道標マ−ク |
| JPS62193123A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | パタ−ン位置合わせ方法 |
| JPS62167252U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-23 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22644988A patent/JPH07111952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116131A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクアライナ−用道標マ−ク |
| JPS62193123A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | パタ−ン位置合わせ方法 |
| JPS62167252U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-23 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317338A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters |
| KR100442058B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-30 | 동부전자 주식회사 | 오버레이 측정 타겟 및 그를 이용한 해상도 측정방법 |
| CN105182702A (zh) * | 2015-10-30 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置 |
| US10429751B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-10-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Alignment mark searching method, display substrate and display apparatus |
| CN107367249A (zh) * | 2017-07-27 | 2017-11-21 | 四川省建筑科学研究院 | 预制构件可装配性检测方法、调整方法及拼接方法 |
| CN107367249B (zh) * | 2017-07-27 | 2019-11-26 | 四川省建筑科学研究院有限公司 | 预制构件可装配性检测方法、调整方法及拼接方法 |
| WO2022166080A1 (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | 长鑫存储技术有限公司 | 光掩膜版的形成方法及光掩膜版 |
| CN113219798A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-08-06 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机 |
| CN113219798B (zh) * | 2021-03-25 | 2023-09-08 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111952B2 (ja) | 1995-11-29 |
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