JP2596415B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2596415B2 JP2596415B2 JP11064796A JP11064796A JP2596415B2 JP 2596415 B2 JP2596415 B2 JP 2596415B2 JP 11064796 A JP11064796 A JP 11064796A JP 11064796 A JP11064796 A JP 11064796A JP 2596415 B2 JP2596415 B2 JP 2596415B2
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- Japan
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- forming
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- layer
- semiconductor wafer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、リソグラフィ工程におけるレチクル
またはマスクの位置合わせに適用して有効な技術に関す
るものである。
方法に関し、特に、リソグラフィ工程におけるレチクル
またはマスクの位置合わせに適用して有効な技術に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の１つである、い
わゆるウエハ工程においては、リソグラフィ技術が駆使
されている。このリソグラフィ技術は、一般に半導体ウ
エハ上に被着されたレジスト層に所定のパターンの露光
・現像を行い、形成されたレジストパターンに基づいて
微細な回路素子あるいは配線などの形成を行うものであ
る。
わゆるウエハ工程においては、リソグラフィ技術が駆使
されている。このリソグラフィ技術は、一般に半導体ウ
エハ上に被着されたレジスト層に所定のパターンの露光
・現像を行い、形成されたレジストパターンに基づいて
微細な回路素子あるいは配線などの形成を行うものであ
る。
【０００３】上記レジストパターンを形成する場合、縮
小露光を目的とするレチクルや１：１露光を目的とする
マスクが用いられ、同一のウエハ工程においてレチクル
を使用した後にマスクを使用することもある。このよう
に、ｌつの半導体ウエハを製造するためには、多数のリ
ソグラフィ工程を経ることが必要とされ、各工程ごとに
おけるレチクルまたはマスクの位置合わせが極めて重要
である。
小露光を目的とするレチクルや１：１露光を目的とする
マスクが用いられ、同一のウエハ工程においてレチクル
を使用した後にマスクを使用することもある。このよう
に、ｌつの半導体ウエハを製造するためには、多数のリ
ソグラフィ工程を経ることが必要とされ、各工程ごとに
おけるレチクルまたはマスクの位置合わせが極めて重要
である。
【０００４】例えば、レチクルを用いて露光・現像して
形成したレジストパターンに基づいて、あるウエハ層を
形成した後、該ウエハ層上にマスクを用いて新たな層を
形成する場合には、次のように位置合わせを行うことが
できる。
形成したレジストパターンに基づいて、あるウエハ層を
形成した後、該ウエハ層上にマスクを用いて新たな層を
形成する場合には、次のように位置合わせを行うことが
できる。
【０００５】あらかじめレチクルにマスク用のアライメ
ントマークを形成し、該レチクルを用いて上記ウエハ層
に回路または配線などと同時にアライメントマークに対
応するチップアライメントマークを形成し、これを基準
層とする。次いで、その基準層に同時に形成された上記
チップアライメントマークにマスクのアライメントマー
クを一致させることにより、該マスクの正確な位置合わ
せが達成される。
ントマークを形成し、該レチクルを用いて上記ウエハ層
に回路または配線などと同時にアライメントマークに対
応するチップアライメントマークを形成し、これを基準
層とする。次いで、その基準層に同時に形成された上記
チップアライメントマークにマスクのアライメントマー
クを一致させることにより、該マスクの正確な位置合わ
せが達成される。
【０００６】なお、レチクルについては、株式会社工業
調査会、昭和５７年ｌｌ月１５日発行、「電子材料」１
９８１年１１月号別冊、Ｐｌ０３以下に説明されてい
る。
調査会、昭和５７年ｌｌ月１５日発行、「電子材料」１
９８１年１１月号別冊、Ｐｌ０３以下に説明されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ上に回路素子や配線などを形成する場合には、マスク
またはレチクルを適用する層が異なったり、使用するウ
エハの径が異なったり、あるいは露光装置の機種が異な
ったりすることがある。そのため、同一のレチクルを用
いる場合でも、その後に使用するマスクやレチクルが異
なった条件で適用される場合がある。従って、基準層を
形成するためレチクルにその上の層の形成に適用するマ
スクまたはレチクルの位置合わせに便用するチップアラ
イメントマークを形成するためのアライメントマークと
しては、異なるウエハ層の形成に適用する場合、異なる
径の半導体ウエハに適用する場合、または異なる機種の
露光装置に適用する場合などに使用する異なる種類のも
のが考えられる。そこで、１つのレチクルには１種類の
チップアライメントマークを形成するためのアライメン
トマークを形成し、各種類ごとに適用するレチクルを別
個に形成することが考えられる。ところが、上記の場合
は、同一のレチクルでありながら、その後に適用するマ
スクまたはレチクルの種類が異なると、その種類の数だ
け同一パターンを形成した複数のレチクルを別個に用意
しなければならないという問題があることが、本発明者
により見い出された。
ハ上に回路素子や配線などを形成する場合には、マスク
またはレチクルを適用する層が異なったり、使用するウ
エハの径が異なったり、あるいは露光装置の機種が異な
ったりすることがある。そのため、同一のレチクルを用
いる場合でも、その後に使用するマスクやレチクルが異
なった条件で適用される場合がある。従って、基準層を
形成するためレチクルにその上の層の形成に適用するマ
スクまたはレチクルの位置合わせに便用するチップアラ
イメントマークを形成するためのアライメントマークと
しては、異なるウエハ層の形成に適用する場合、異なる
径の半導体ウエハに適用する場合、または異なる機種の
露光装置に適用する場合などに使用する異なる種類のも
のが考えられる。そこで、１つのレチクルには１種類の
チップアライメントマークを形成するためのアライメン
トマークを形成し、各種類ごとに適用するレチクルを別
個に形成することが考えられる。ところが、上記の場合
は、同一のレチクルでありながら、その後に適用するマ
スクまたはレチクルの種類が異なると、その種類の数だ
け同一パターンを形成した複数のレチクルを別個に用意
しなければならないという問題があることが、本発明者
により見い出された。
【０００８】本発明の目的は、レチクルの適用範囲を拡
大することのできる技術を提供することにある。
大することのできる技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１１】本発明の半導体装置の製造方法は、第１の
径を有する第１の半導体ウエハ上に第１のレジスト層を
形成する工程と、露光装置を用いて一度の露光で前記第
１のレジスト層に、異なる層の種類に対応する第１のア
ライメントマークパターンと、前記第１の半導体ウエハ
および前記第１の半導体ウエハとは異なる第２の径を有
する第２の半導体ウエハに対応する第２のアライメント
マークパターンとを含むレジストパターンを形成する工
程と、前記露光装置を用いて前記第２の半導体ウエハ上
に第２のレジスト層を形成する工程と、一度の露光で前
記第２のレジスト層に、前記第１のアライメントマーク
パターンと前記第２のアライメントマークパターンとを
含むレジストパターンを形成する工程とを含んでいる。
径を有する第１の半導体ウエハ上に第１のレジスト層を
形成する工程と、露光装置を用いて一度の露光で前記第
１のレジスト層に、異なる層の種類に対応する第１のア
ライメントマークパターンと、前記第１の半導体ウエハ
および前記第１の半導体ウエハとは異なる第２の径を有
する第２の半導体ウエハに対応する第２のアライメント
マークパターンとを含むレジストパターンを形成する工
程と、前記露光装置を用いて前記第２の半導体ウエハ上
に第２のレジスト層を形成する工程と、一度の露光で前
記第２のレジスト層に、前記第１のアライメントマーク
パターンと前記第２のアライメントマークパターンとを
含むレジストパターンを形成する工程とを含んでいる。
【００１２】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、第１の
露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジスト層
に、異なる層の種類に対応する第１のアライメントマー
クパターンと、前記第１の露光装置および前記第１の露
光装置とは異なる第２の露光装置に対応する第２のアラ
イメントマークパターンとを含むレジストパターンを形
成する工程と、前記半導体ウエハ上に第２のレジスト層
を形成する工程と、前記第２の露光装置を用いた露光で
前記第２のレジスト層にレジストパターンを形成する工
程とを含んでいる。
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、第１の
露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジスト層
に、異なる層の種類に対応する第１のアライメントマー
クパターンと、前記第１の露光装置および前記第１の露
光装置とは異なる第２の露光装置に対応する第２のアラ
イメントマークパターンとを含むレジストパターンを形
成する工程と、前記半導体ウエハ上に第２のレジスト層
を形成する工程と、前記第２の露光装置を用いた露光で
前記第２のレジスト層にレジストパターンを形成する工
程とを含んでいる。
【００１３】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、縮小投
影露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジスト層
に、異なる層の種類に対応する第１のアライメントマー
クパターンと、前記縮小投影露光装置および１：１露光
装置に対応する第２のアライメントマークパターンとを
含むレジストパターンを形成する工程と、前記半導体ウ
エハ上に第２のレジスト層を形成する工程と、前記１：
１露光装置を用いた露光で前記第２のレジスト層にレジ
ストパターンを形成する工程とを含んでいる。
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、縮小投
影露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジスト層
に、異なる層の種類に対応する第１のアライメントマー
クパターンと、前記縮小投影露光装置および１：１露光
装置に対応する第２のアライメントマークパターンとを
含むレジストパターンを形成する工程と、前記半導体ウ
エハ上に第２のレジスト層を形成する工程と、前記１：
１露光装置を用いた露光で前記第２のレジスト層にレジ
ストパターンを形成する工程とを含んでいる。
【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、一度の
露光で前記第１のレジスト層に、異なる層の種類に対応
する第１のアライメントマークパターンと、前記第１の
アライメントマークパターンとは種類の異なる第２のア
ライメントマークパターンとを含むレジストパターンを
形成する工程と、前記レジストパターンを基にして、前
記半導体ウエハに基準層を形成する工程とを含んでい
る。
ウエハ上に第１のレジスト層を形成する工程と、一度の
露光で前記第１のレジスト層に、異なる層の種類に対応
する第１のアライメントマークパターンと、前記第１の
アライメントマークパターンとは種類の異なる第２のア
ライメントマークパターンとを含むレジストパターンを
形成する工程と、前記レジストパターンを基にして、前
記半導体ウエハに基準層を形成する工程とを含んでい
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１６】図１は、本実施の形態による半導体装置の
製造方法で使用するレチクルの概略平面図である。
製造方法で使用するレチクルの概略平面図である。
【００１７】このレチクルは、石英などからなる透明基
板１にクロム（Ｃｒ）などの遮光膜２が被着されてなる
ものであり、該遮光膜２のほぼ中央部には所定のパター
ンが形成されたパターン領域３が設けられ、その周囲に
は複数種類のアライメントマーク４、４ａ、４ｂが、ま
た遮光膜２の周囲にはウエハアライメントマーク５が形
成されているものである。すなわち、パターン領域３の
左側には層の種類に対応するアライメントマーク４が、
右側には適用するウエハ径に対応するアライメントマー
ク４ａが、さらに下側には使用する露光装置の種類に対
応するアライメントマーク４ｂがそれぞれ形成されてい
る。
板１にクロム（Ｃｒ）などの遮光膜２が被着されてなる
ものであり、該遮光膜２のほぼ中央部には所定のパター
ンが形成されたパターン領域３が設けられ、その周囲に
は複数種類のアライメントマーク４、４ａ、４ｂが、ま
た遮光膜２の周囲にはウエハアライメントマーク５が形
成されているものである。すなわち、パターン領域３の
左側には層の種類に対応するアライメントマーク４が、
右側には適用するウエハ径に対応するアライメントマー
ク４ａが、さらに下側には使用する露光装置の種類に対
応するアライメントマーク４ｂがそれぞれ形成されてい
る。
【００１８】本実施の形態のレチクルは、半導体ウエハ
上に被着されたレジスト層に、そのパターン領域３に形
成されているパターンを転写するために使用されるもの
である。半導体装置の製造工程の１つであるウエハ工程
では、上記パターンの転写を幾度となく繰り返し、各パ
ターンに対応する回路素子または該回路索子などを電気
的に接続する配線層をシリコンなどからなる半導体ウエ
ハ上に形成することが行われる。
上に被着されたレジスト層に、そのパターン領域３に形
成されているパターンを転写するために使用されるもの
である。半導体装置の製造工程の１つであるウエハ工程
では、上記パターンの転写を幾度となく繰り返し、各パ
ターンに対応する回路素子または該回路索子などを電気
的に接続する配線層をシリコンなどからなる半導体ウエ
ハ上に形成することが行われる。
【００１９】上記ウエハ工程においては、図１に示すレ
チクルを用いて半導体ウエハ上に被着されたレジスト層
を露光・現像して所定のレジストパターンを形成し、該
レジストパターンを基にして基準層を形成する。この基
準層を形成することにより、該層には前記アライメント
マーク４、４ａおよび４ｂに対応するパターンからなる
チップアライメントマークも同時に形成される。
チクルを用いて半導体ウエハ上に被着されたレジスト層
を露光・現像して所定のレジストパターンを形成し、該
レジストパターンを基にして基準層を形成する。この基
準層を形成することにより、該層には前記アライメント
マーク４、４ａおよび４ｂに対応するパターンからなる
チップアライメントマークも同時に形成される。
【００２０】次に、前記レチクルを適用して形成した基
準層の上にマスクを使用して新たな層の形成を行う。そ
の場合、上記マスクが、例えば第ｍ層目を形成するため
のものであれば、前記アライメントマーク４の中で第ｍ
層目のためのアライメントマークに対応するチップアラ
イメントマークに上記マスクのアライメントマークを一
致させることにより、正確な位置合わせが達成される。
また、第ｎ層目を形成するマスクを使用する場合も、基
準層に形成されている第ｎ層目のためのチップアライメ
ントマークに該マスクのアライメントマークを一致させ
ることにより、同様に実行できる。
準層の上にマスクを使用して新たな層の形成を行う。そ
の場合、上記マスクが、例えば第ｍ層目を形成するため
のものであれば、前記アライメントマーク４の中で第ｍ
層目のためのアライメントマークに対応するチップアラ
イメントマークに上記マスクのアライメントマークを一
致させることにより、正確な位置合わせが達成される。
また、第ｎ層目を形成するマスクを使用する場合も、基
準層に形成されている第ｎ層目のためのチップアライメ
ントマークに該マスクのアライメントマークを一致させ
ることにより、同様に実行できる。
【００２１】一方、レチクルを径の異なる複数の半導体
ウエハに適用して、各半導体ウエハに基準層を形成し、
その後、各半導体ウエハに別種のマスクを適用してそれ
ぞれ新たな層を形成する場合が考えられる。この場合に
おいても、各半導体ウエハの基準層に形成されている前
記レチクルのアライメントマーク４ａに対応するウエハ
径を表示するチップアライメントマークに所望のマスク
のアライメントマークを一致させることにより、径の異
なる複数の半導体ウエハについて該マスクの正確な位置
合わせが達成される。
ウエハに適用して、各半導体ウエハに基準層を形成し、
その後、各半導体ウエハに別種のマスクを適用してそれ
ぞれ新たな層を形成する場合が考えられる。この場合に
おいても、各半導体ウエハの基準層に形成されている前
記レチクルのアライメントマーク４ａに対応するウエハ
径を表示するチップアライメントマークに所望のマスク
のアライメントマークを一致させることにより、径の異
なる複数の半導体ウエハについて該マスクの正確な位置
合わせが達成される。
【００２２】さらに、例えば基準層までが共通な構造の
セミカスタム品の場合などのように、途中から異なるラ
インで製造する必要があり、そのためレチクルで基準層
を形成した後に使用されるマスクを装着する露光装置の
機種がラインごとに異なる場合が考えられる。この場合
も、前記レチクルのアライメントマーク４ｂに対応して
上記基準層に形成されている露光装置の機種を表示する
チップアライメントマークに前記マスクのアライメント
マークを一致させることにより、正確な位置合わせが達
成されるものである。
セミカスタム品の場合などのように、途中から異なるラ
インで製造する必要があり、そのためレチクルで基準層
を形成した後に使用されるマスクを装着する露光装置の
機種がラインごとに異なる場合が考えられる。この場合
も、前記レチクルのアライメントマーク４ｂに対応して
上記基準層に形成されている露光装置の機種を表示する
チップアライメントマークに前記マスクのアライメント
マークを一致させることにより、正確な位置合わせが達
成されるものである。
【００２３】このように、本実施の形態の製造方法によ
れば、レチクルを使用した後に異なる種類のマスクを使
用する場合や異なる機種の露光装置を使用する場合のよ
うに、マスクの適用条件が異なる場合であっても、レチ
クルの基準層に異種のチップアライメントマークを形成
することにより、単一のレチクルを用意するだけで複数
用途に共通使用が可能となるものである。これにより、
同一のパターンを有するレチクルを複数個製造する無駄
を省くことができる。
れば、レチクルを使用した後に異なる種類のマスクを使
用する場合や異なる機種の露光装置を使用する場合のよ
うに、マスクの適用条件が異なる場合であっても、レチ
クルの基準層に異種のチップアライメントマークを形成
することにより、単一のレチクルを用意するだけで複数
用途に共通使用が可能となるものである。これにより、
同一のパターンを有するレチクルを複数個製造する無駄
を省くことができる。
【００２４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２５】例えば、前記実施の形態ではレチクルで基
準層を形成した後に他の層を形成するためにマスクを用
いる例について説明したが、これに限るものでなく、マ
スクではなく他のレチクルを用いる場合にも適用できる
ことはいうまでもない。
準層を形成した後に他の層を形成するためにマスクを用
いる例について説明したが、これに限るものでなく、マ
スクではなく他のレチクルを用いる場合にも適用できる
ことはいうまでもない。
【００２６】また、レチクルに形成するアライメントマ
ークの表示種類は前記実施の形態に示したものに限るも
のでなく、例えばマスクまたはレチクルの位置合わせの
自動化のためのアライメントマークであってもよい。こ
れによって位置合わせの自動化も達成できる。
ークの表示種類は前記実施の形態に示したものに限るも
のでなく、例えばマスクまたはレチクルの位置合わせの
自動化のためのアライメントマークであってもよい。こ
れによって位置合わせの自動化も達成できる。
【００２７】さらに、レチクルに形成するアライメント
マークの形状、またその配置なども実施の形態に示した
ものに限るものでないことはいうまでもない。
マークの形状、またその配置なども実施の形態に示した
ものに限るものでないことはいうまでもない。
【００２８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるレチク
ルに適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、例えば１：１露光に使用するマスクに
ついて適用しても有効な技術である。すなわち、マスク
は一般にレチクルを用いて形成される。従って、本発明
によるレチクルを用いて形成されるマスクについて同様
の効果を期待できるものである。
なされた発明をその背景となった利用分野であるレチク
ルに適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、例えば１：１露光に使用するマスクに
ついて適用しても有効な技術である。すなわち、マスク
は一般にレチクルを用いて形成される。従って、本発明
によるレチクルを用いて形成されるマスクについて同様
の効果を期待できるものである。
【００２９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３０】（１）異なる種類のマスクまたはレチクル
を使って半導体ウエハ上に形成される複数の層に対応す
る複数のアライメントマークと、異なる種類の露光装置
を使って半導体ウエハ上に形成される複数の層に対応す
る複数のアライメントマークと、異なる径の半導体ウエ
ハに対応する複数のアライメントマークをレチクルに形
成することにより、該レチクルを用いて半導体ウエハの
特定層を形成した後、適用条件が異なるマスク、レチク
ルあるいは露光装置を用いて他の層を形成する場合や、
該レチクルを径の異なる他の半導体ウエハに適用する場
合、上記特定層にアライメントマークに対応するチップ
アライメントマークが形成されているため、各場合につ
いてマスクまたはレチクルのアライメントマークを上記
特定層に印字されたチップアライメントマークに一致さ
せることにより正確に位置合わせを行うことができる。
を使って半導体ウエハ上に形成される複数の層に対応す
る複数のアライメントマークと、異なる種類の露光装置
を使って半導体ウエハ上に形成される複数の層に対応す
る複数のアライメントマークと、異なる径の半導体ウエ
ハに対応する複数のアライメントマークをレチクルに形
成することにより、該レチクルを用いて半導体ウエハの
特定層を形成した後、適用条件が異なるマスク、レチク
ルあるいは露光装置を用いて他の層を形成する場合や、
該レチクルを径の異なる他の半導体ウエハに適用する場
合、上記特定層にアライメントマークに対応するチップ
アライメントマークが形成されているため、各場合につ
いてマスクまたはレチクルのアライメントマークを上記
特定層に印字されたチップアライメントマークに一致さ
せることにより正確に位置合わせを行うことができる。
【００３１】（２）上記（ｌ）により、特定層の後に使
用するマスクまたはレチクルの適用条件が異なる場合で
あっても、該特定層の形成を単一のレチクルで形成する
ことができる。
用するマスクまたはレチクルの適用条件が異なる場合で
あっても、該特定層の形成を単一のレチクルで形成する
ことができる。
【００３２】（３）上記（１）により、特定層までが共
通なセミカスタム品を異なるラインで容易に製造でき
る。
通なセミカスタム品を異なるラインで容易に製造でき
る。
【００３３】（４）上記（２）により、異なる適用条件
ごとに同一パターンのレチクルを形成する必要がないの
で、工程管理が容易になる。
ごとに同一パターンのレチクルを形成する必要がないの
で、工程管理が容易になる。
【００３４】（５）上記（３）と同様の理由により、同
一のパターンを有するレチクルを複数個製造する無駄を
省くことができるので、製造コストの低減を達成でき
る。
一のパターンを有するレチクルを複数個製造する無駄を
省くことができるので、製造コストの低減を達成でき
る。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法で使用するレチクルの概略平面図である。
方法で使用するレチクルの概略平面図である。
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３ パターン領域 ４ アライメントマーク ４ａ アライメントマーク ４ｂ アライメントマーク ５ ウエハアライメントマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−111037（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−88451（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の径を有する第１の半導体ウエハ上
に第１のレジスト層を形成する工程と、 露光装置を用いて一度の露光で前記第１のレジスト層
に、異なる層の種類に対応する第１のアライメントマー
クパターンと、前記第１の半導体ウエハおよび前記第１
の半導体ウエハとは異なる第２の径を有する第２の半導
体ウエハに対応する第２のアライメントマークパターン
とを含むレジストパターンを形成する工程と、 前記露光装置を用いて前記第２の半導体ウエハ上に第２
のレジスト層を形成する工程と、 一度の露光で前記第２のレジスト層に、前記第１のアラ
イメントマークパターンと前記第２のアライメントマー
クパターンとを含むレジストパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハ上に第１のレジスト層を形
成する工程と、 第１の露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジス
ト層に、異なる層の種類に対応する第１のアライメント
マークパターンと、前記第１の露光装置および前記第１
の露光装置とは異なる第２の露光装置に対応する第２の
アライメントマークパターンとを含むレジストパターン
を形成する工程と、 前記半導体ウエハ上に第２のレジスト層を形成する工程
と、 前記第２の露光装置を用いた露光で前記第２のレジスト
層にレジストパターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体ウエハ上に第１のレジスト層を形
成する工程と、 縮小投影露光装置を用いた一度の露光で前記第１のレジ
スト層に、異なる層の種類に対応する第１のアライメン
トマークパターンと、前記縮小投影露光装置および１：
１露光装置に対応する第２のアライメントマークパター
ンとを含むレジストパターンを形成する工程と、 前記半導体ウエハ上に第２のレジスト層を形成する工程
と、 前記１：１露光装置を用いた露光で前記第２のレジスト
層にレジストパターンを形成する工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体ウエハ上に第１のレジスト層を形
成する工程と、 一度の露光で前記第１のレジスト層に、異なる層の種類
に対応する第１のアライメントマークパターンと、前記
第１のアライメントマークパターンとは種類の異なる第
２のアライメントマークパターンとを含むレジストパタ
ーンを形成する工程と、 前記レジストパターンを基にして、前記半導体ウエハに
基準層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064796A JP2596415B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064796A JP2596415B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28293585A Division JPH0750328B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | レチクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320579A JPH08320579A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2596415B2 true JP2596415B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=14540996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064796A Expired - Lifetime JP2596415B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596415B2 (ja) |
-
1996
- 1996-05-01 JP JP11064796A patent/JP2596415B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08320579A (ja) | 1996-12-03 |
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