JP3473821B2 - 露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP3473821B2 JP3473821B2 JP21549197A JP21549197A JP3473821B2 JP 3473821 B2 JP3473821 B2 JP 3473821B2 JP 21549197 A JP21549197 A JP 21549197A JP 21549197 A JP21549197 A JP 21549197A JP 3473821 B2 JP3473821 B2 JP 3473821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- exposure amount
- wafer
- amount
- shot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路パターンをウ
ェハ（基盤）上の複数の領域に順に焼き付けるステップ
アンドリピートタイプの露光において、焼付けのための
露光量の設定方法に関する。更に本発明は、この露光量
設定の原理を用いた露光方法、露光装置およびデバイス
製造方法にも関する。
ェハ（基盤）上の複数の領域に順に焼き付けるステップ
アンドリピートタイプの露光において、焼付けのための
露光量の設定方法に関する。更に本発明は、この露光量
設定の原理を用いた露光方法、露光装置およびデバイス
製造方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェハに回路パターンの焼付けを行う際
には、ウェハ上にレジストという感光剤を塗布するが、
その際、レジスト塗布装置の機構上、およびウェハの形
状等により、ウェハ周辺部やオリエンテーションフラッ
ト（通称オリフラ）と呼ばれるウェハの周辺のフラット
な部分の近辺では、ウェハ中心部に比べレジスト膜厚が
異なってしまい、どうしてもウェハ面内でのレジスト膜
厚が均一にならず、塗布ムラが発生してしまう。
には、ウェハ上にレジストという感光剤を塗布するが、
その際、レジスト塗布装置の機構上、およびウェハの形
状等により、ウェハ周辺部やオリエンテーションフラッ
ト（通称オリフラ）と呼ばれるウェハの周辺のフラット
な部分の近辺では、ウェハ中心部に比べレジスト膜厚が
異なってしまい、どうしてもウェハ面内でのレジスト膜
厚が均一にならず、塗布ムラが発生してしまう。
【０００３】一方、近年の半導体の微細化やレジストの
高感度化に伴い、ウェハ面内の複数の領域に回路パター
ンを繰り返し焼き付けるステップアンドリピートタイプ
の露光装置、いわゆるステッパーが使用されている。し
かし、最適なパターン線幅を得るための露光量はレジス
ト厚により異なるため、ウェハ面内でのレジストの塗布
ムラによる焼付け線幅のバラツキが問題になってきてい
る。
高感度化に伴い、ウェハ面内の複数の領域に回路パター
ンを繰り返し焼き付けるステップアンドリピートタイプ
の露光装置、いわゆるステッパーが使用されている。し
かし、最適なパターン線幅を得るための露光量はレジス
ト厚により異なるため、ウェハ面内でのレジストの塗布
ムラによる焼付け線幅のバラツキが問題になってきてい
る。
【０００４】これを解決するためには．焼付けのための
露光量をウェハ面内の各露光ショット領域におけるレジ
スト膜厚の違いに応じて変える必要があり、既に各露光
ショット毎に露光量が設定出来る技術も開発されてい
る。図２はこのような露光量設定方法に用いられる設定
画面の一例であり、同画面内の１．Ｅｘｐｏｓｕｒｅに
は各ショット領域における露光量が表示される。
露光量をウェハ面内の各露光ショット領域におけるレジ
スト膜厚の違いに応じて変える必要があり、既に各露光
ショット毎に露光量が設定出来る技術も開発されてい
る。図２はこのような露光量設定方法に用いられる設定
画面の一例であり、同画面内の１．Ｅｘｐｏｓｕｒｅに
は各ショット領域における露光量が表示される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、現在露光量
は実露光量でしか設定できないため、ウェハ面全体とし
てのレジスト膜厚等が異なる、つまりウェハ間でのレジ
スト膜厚等か異なると、ウェハ毎にウェハ内全ての露光
ショット領域の露光量を設定し直さなければならず、非
常に多くの時間を要し、かつ設定ミスによる不良発生の
問題があった。
は実露光量でしか設定できないため、ウェハ面全体とし
てのレジスト膜厚等が異なる、つまりウェハ間でのレジ
スト膜厚等か異なると、ウェハ毎にウェハ内全ての露光
ショット領域の露光量を設定し直さなければならず、非
常に多くの時間を要し、かつ設定ミスによる不良発生の
問題があった。
【０００６】また、同一ウェハ内での塗布ムラによる膜
厚の分布は、同一レジスト塗布装置でほぼ一定の傾向を
示すことが確認されている。
厚の分布は、同一レジスト塗布装置でほぼ一定の傾向を
示すことが確認されている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記問題
点、およびレジスト塗布の際のレジスト膜厚分布の傾向
に鑑み検討した結果、従来は実露光量で設定していた各
ショットの露光量を、ウェハ面内の基準となるレジスト
膜厚に対する各ショット領域におけるレジスト膜厚の比
等から決定することにより、上記問題点を解決するに至
った。
点、およびレジスト塗布の際のレジスト膜厚分布の傾向
に鑑み検討した結果、従来は実露光量で設定していた各
ショットの露光量を、ウェハ面内の基準となるレジスト
膜厚に対する各ショット領域におけるレジスト膜厚の比
等から決定することにより、上記問題点を解決するに至
った。
【０００８】すなわち、本発明に係る露光量設定方法
は、ステップアンドリピートタイプの露光に用いる露光
量設定方法であって、ウェハに対する基準露光量を設定
し、前記基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光シ
ョット領域の露光量の割合を設定し、前記基準露光量と
前記割合とに基づいて、前記各露光ショット領域の露光
量を設定することを特徴とする。
は、ステップアンドリピートタイプの露光に用いる露光
量設定方法であって、ウェハに対する基準露光量を設定
し、前記基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光シ
ョット領域の露光量の割合を設定し、前記基準露光量と
前記割合とに基づいて、前記各露光ショット領域の露光
量を設定することを特徴とする。
【０００９】また本発明に係る露光方法は、ステップア
ンドリピートタイプの露光を行う露光方法であって、ウ
ェハに対する基準露光量を設定し、前記基準露光量に対
する、前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割
合を設定し、前記基準露光量と前記割合とに基づいて、
前記各露光ショット領域の露光量を設定し、設定された
前記各露光ショット領域の露光量により、前記各露光シ
ョット領域の露光を行うことを特徴とする。
ンドリピートタイプの露光を行う露光方法であって、ウ
ェハに対する基準露光量を設定し、前記基準露光量に対
する、前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割
合を設定し、前記基準露光量と前記割合とに基づいて、
前記各露光ショット領域の露光量を設定し、設定された
前記各露光ショット領域の露光量により、前記各露光シ
ョット領域の露光を行うことを特徴とする。
【００１０】さらに本発明に係る露光装置は、ステップ
アンドリピートタイプの露光装置であって、露光量設定
手段と露光手段とを具備し、前記露光量設定手段は、ウ
ェハに対する基準露光量と、前記基準露光量に対する、
前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割合とに
基づいて、前記各露光ショット領域の露光量を設定し、
前記露光手段は、設定された前記各露光ショット領域の
露光量により、前記各露光ショット領域の露光を行うこ
とを特徴とする。
アンドリピートタイプの露光装置であって、露光量設定
手段と露光手段とを具備し、前記露光量設定手段は、ウ
ェハに対する基準露光量と、前記基準露光量に対する、
前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割合とに
基づいて、前記各露光ショット領域の露光量を設定し、
前記露光手段は、設定された前記各露光ショット領域の
露光量により、前記各露光ショット領域の露光を行うこ
とを特徴とする。
【００１１】またさらに本発明に係るデバイス製造方法
は、ステップアンドリピートタイプの露光を行うことに
よりデバイスを製造するデバイス製造方法であって、ウ
ェハに対する基準露光量を設定し、前記基準露光量に対
する、前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割
合を設定し、前記基準露光量と前記割合とに基づいて、
前記各露光ショット領域の露光量を設定し、設定された
前記各露光ショット領域の露光量により、前記各露光シ
ョット領域の露光を行うことを特徴とする。尚、基準露
光量と露光量割合はレジストの膜厚や種類等に依存す
る。
は、ステップアンドリピートタイプの露光を行うことに
よりデバイスを製造するデバイス製造方法であって、ウ
ェハに対する基準露光量を設定し、前記基準露光量に対
する、前記ウェハ上の各露光ショット領域の露光量の割
合を設定し、前記基準露光量と前記割合とに基づいて、
前記各露光ショット領域の露光量を設定し、設定された
前記各露光ショット領域の露光量により、前記各露光シ
ョット領域の露光を行うことを特徴とする。尚、基準露
光量と露光量割合はレジストの膜厚や種類等に依存す
る。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の実施例を述べる。実施例１
図１は、本発明の露光量設定方法に用いる露光量設定画
面の一例である。同画面内の１．Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅ
ｘｐｏ．には基準露光量が、２．Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｒ
ａｔｅには各露光ショット領域での基準露光量に対する
露光量割合が表示される。また、ショットレイアウト３
内の各ショット領域４に記載された下の番号は露光の順
序を示すショット番号で、上の数字は設定された露光量
割合である。
面の一例である。同画面内の１．Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅ
ｘｐｏ．には基準露光量が、２．Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｒ
ａｔｅには各露光ショット領域での基準露光量に対する
露光量割合が表示される。また、ショットレイアウト３
内の各ショット領域４に記載された下の番号は露光の順
序を示すショット番号で、上の数字は設定された露光量
割合である。
【００１３】図２は実際のショットレイアウトでの設定
露光量の一例である。この例では、ウェハの周辺部への
露光量が中心部に比べて多＜設定されている。
露光量の一例である。この例では、ウェハの周辺部への
露光量が中心部に比べて多＜設定されている。
【００１４】本発明では露光量の設定を、従来の図３に
示すような露光量（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）のみの設定では
なく、図１に示すようにウェハ内での基準になる露光量
（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅｘｐｏ．）と、各露光ショット
における露光量の割合（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｒａｔｅ）
の２つのパラメータで設定する様にしたものである。以
下、本発明での露光量の設定について図１を基に説明す
る。
示すような露光量（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）のみの設定では
なく、図１に示すようにウェハ内での基準になる露光量
（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｅｘｐｏ．）と、各露光ショット
における露光量の割合（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｒａｔｅ）
の２つのパラメータで設定する様にしたものである。以
下、本発明での露光量の設定について図１を基に説明す
る。
【００１５】まず、一枚のウェハ内における基準の露光
量を設定する（ＳｔａｎｄａｒｄＥｘｐｏ．の設定）。
通常、レジストはウェハ中心付近が所望の膜厚になるよ
う塗布されるため、ウェハ中心付近の露光量を基準露光
量とし入力する。
量を設定する（ＳｔａｎｄａｒｄＥｘｐｏ．の設定）。
通常、レジストはウェハ中心付近が所望の膜厚になるよ
う塗布されるため、ウェハ中心付近の露光量を基準露光
量とし入力する。
【００１６】次に、設定した基準露光量に対し、各露光
ショットにおける露光量の割合を設定する（Ｅｘｐｏｓ
ｕｒｅ Ｒａｔｅの設定）。ここでは、上述した様な感
光剤（レジスト）の塗りムラ等に起因する、基準露光量
からの露光量の差異分を割合として設定する。尚、ショ
ット領域の指定方法は、該当するショット領域のＲＯ
Ｗ，ＣＯＬＵＭＮによるマトリックス指定、ショット番
号による指定および、マウスキー等のグラフィックカー
ソルによる指定のいずれでも良い。
ショットにおける露光量の割合を設定する（Ｅｘｐｏｓ
ｕｒｅ Ｒａｔｅの設定）。ここでは、上述した様な感
光剤（レジスト）の塗りムラ等に起因する、基準露光量
からの露光量の差異分を割合として設定する。尚、ショ
ット領域の指定方法は、該当するショット領域のＲＯ
Ｗ，ＣＯＬＵＭＮによるマトリックス指定、ショット番
号による指定および、マウスキー等のグラフィックカー
ソルによる指定のいずれでも良い。
【００１７】尚、本実施例では、初めに基準露光量を設
定し、次に各ショット領域の露光量割合を設定したが、
レジストの塗りムラによる各ショット領域での露光量変
化の割合が予め分っている場合は、露光量の割合から設
定しても構わない。
定し、次に各ショット領域の露光量割合を設定したが、
レジストの塗りムラによる各ショット領域での露光量変
化の割合が予め分っている場合は、露光量の割合から設
定しても構わない。
【００１８】かくして、図３に示される各露光量を設定
するためには、基準露光量を１００．０ｍｊ／ｃｍ2 、
露光量割合は図１の各ショット領域内に示されているよ
うに設定することで対応できる。
するためには、基準露光量を１００．０ｍｊ／ｃｍ2 、
露光量割合は図１の各ショット領域内に示されているよ
うに設定することで対応できる。
【００１９】以上のように設定された、基準露光量と各
露光ショットでの露光量の割合により、実際の回路パタ
ーン焼付けの際に使用する各露光量を 露光量＝基準露光量×露光量割合 の式で求め、焼付けを行う。
露光ショットでの露光量の割合により、実際の回路パタ
ーン焼付けの際に使用する各露光量を 露光量＝基準露光量×露光量割合 の式で求め、焼付けを行う。
【００２０】また、この露光量の計算は、基準露光量と
露光量割合が設定された時点で行なっても良いし、実際
の焼付け時に行なっても良い。
露光量割合が設定された時点で行なっても良いし、実際
の焼付け時に行なっても良い。
【００２１】本発明によれば、ウェハ全体の露光量が変
わった場合、従来方法のように全てのショットの露光量
を設定し直す必要がなく、基準露光量を設定し直すだけ
で各ショット領域における露光量が設定できる。
わった場合、従来方法のように全てのショットの露光量
を設定し直す必要がなく、基準露光量を設定し直すだけ
で各ショット領域における露光量が設定できる。
【００２２】実施例２
次に、上記説明した露光方法を利用することができるデ
バイス製造例を説明する。図４は微小デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁
気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
ェハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウェ
ハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
バイス製造例を説明する。図４は微小デバイス（ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁
気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
ェハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウェ
ハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程
と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソ
グラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００２３】図５は上記ウェハプロセス（ステップ４）
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウェ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
ェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウェハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤
を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記説明した
露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに焼付
露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェハを
現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことに
よってウェハ上に多重に回路パターンを形成する。
の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウェ
ハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウ
ェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形
成）ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ１４（イオン打込み）ではウェハにイオンを打ち込
む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤
を塗布する。ステップ１６（露光）では、上記説明した
露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに焼付
露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェハを
現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレ
ジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことに
よってウェハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００２４】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストで
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストで
製造することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の露光量設定方法、露光方法、露
光装置およびデバイス製造方法によれば、ステップアン
ドリピート露光の際に、ウェハの各露光ショット領域で
の露光量を、基準露光量と、この基準露光量に対する各
露光ショット領域での露光量割合から設定することによ
り、ショット全体の必要露光量が変わった際、基準露光
量のみを設定し直すことで対応可能となる。
光装置およびデバイス製造方法によれば、ステップアン
ドリピート露光の際に、ウェハの各露光ショット領域で
の露光量を、基準露光量と、この基準露光量に対する各
露光ショット領域での露光量割合から設定することによ
り、ショット全体の必要露光量が変わった際、基準露光
量のみを設定し直すことで対応可能となる。
【００２６】よって、従来のように全てのショット領域
に対し露光量の設定し直しの必要がなく、効率良く露光
量の設定変更ができ、更に、設定ミスによる不良品発生
を防ぐことが出来る。
に対し露光量の設定し直しの必要がなく、効率良く露光
量の設定変更ができ、更に、設定ミスによる不良品発生
を防ぐことが出来る。
【図１】 本発明に係る露光量設定画面の一例である。
【図２】 従来の露光量設定画面の一例である。
【図３】 回路パターン焼付け時の露光量設定画面の一
例である。
例である。
【図４】 実施例１の露光方法を用いて製造し得る微小
デバイスの製造の流れを示すフローチャートである。
デバイスの製造の流れを示すフローチャートである。
【図５】 図４におけるウェハプロセスの詳細な流れを
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
３：ショットレイアウト、４：ショット領域。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−13283（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−333796（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−29810（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−64801（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−135099（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−229038（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−256114（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−270320（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (4)
- 【請求項１】 ステップアンドリピートタイプの露光に
用いる露光量設定方法であって、 ウェハに対する基準露光量を設定し、 前記 基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光ショッ
ト領域の露光量の割合を設定し、 前記基準露光量と前記割合とに基づいて、前記各露光シ
ョット領域の露光量を設定する ことを特徴とする露光量
設定方法。 - 【請求項２】 ステップアンドリピートタイプの露光を
行う露光方法であって、 ウェハに対する基準露光量を設定し、 前記 基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光ショッ
ト領域の露光量の割合を設定し、前記基準露光量と前記割合とに基づいて、前記各露光シ
ョット領域の露光量を設定し、 設定された前記各露光ショット領域の露光量により、前
記各露光ショット領域の露光を行うことを特徴とする露
光方法。 - 【請求項３】 ステップアンドリピートタイプの露光装
置であって、露光量設定手段と露光手段とを具備し、 前記 露光量設定手段は、ウェハに対する基準露光量と、
前記基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光ショッ
ト領域の露光量の割合とに基づいて、前記各露光ショッ
ト領域の露光量を設定し、前記 露光手段は、設定された前記各露光ショット領域の
露光量により、前記各露光ショット領域の露光を行うこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項４】 ステップアンドリピートタイプの露光を
行うことによりデバイスを製造するデバイス製造方法で
あって、ウェハに対する基準露光量を設定し、 前記基準露光量に対する、前記ウェハ上の各露光ショッ
ト領域の露光量の割合を設定し、 前記基準露光量と前記割合とに基づいて、前記各露光シ
ョット領域の露光量を設定し、 設定された前記各露光ショット領域の露光量により、前
記各露光ショット領域の 露光を行うことを特徴とするデ
バイス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21549197A JP3473821B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21549197A JP3473821B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145841A JPH1145841A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3473821B2 true JP3473821B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=16673272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21549197A Expired - Fee Related JP3473821B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3473821B2 (ja) |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP21549197A patent/JP3473821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1145841A (ja) | 1999-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0061536B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having improved alignment marks and alignment marks for said method | |
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| JP2001022051A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4834310B2 (ja) | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| US6426174B1 (en) | Method for manufacture semiconductor devices | |
| CN110568726B (zh) | 一种曝光聚焦补偿方法 | |
| JPH097924A (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US6737205B2 (en) | Arrangement and method for transferring a pattern from a mask to a wafer | |
| JP3473821B2 (ja) | 露光量設定方法、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| CN114077166B (zh) | 获得光刻工艺关键尺寸摇摆曲线的方法 | |
| JP2003017386A (ja) | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2970473B2 (ja) | アライメント方法およびアライメント誤差検査方法 | |
| JPH10256114A (ja) | フォトレジスト膜のパターン形成方法 | |
| TWI238456B (en) | Composite layer method for minimizing PED effect | |
| JPH0620903A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4428792B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2010103438A (ja) | パターニング方法、露光システム、プログラム及びデバイス製造方法 | |
| JP4607072B2 (ja) | 複数のｃｄ計測ツール間の一貫した測定結果を検証する方法 | |
| JP2000228355A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000323372A (ja) | 近接効果補正方法及びそれを用いた半導体素子製造方法 | |
| JP2003007678A (ja) | 半導体装置の製造方法及びこの方法により製造される半導体装置 | |
| JPH0536583A (ja) | 位置合せ方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP4121770B2 (ja) | フォトマスク製造用べーキング装置 | |
| JPS6347924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6784974B1 (en) | Exposure method and exposure apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070919 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |