JPH0620903A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0620903A JPH0620903A JP17410992A JP17410992A JPH0620903A JP H0620903 A JPH0620903 A JP H0620903A JP 17410992 A JP17410992 A JP 17410992A JP 17410992 A JP17410992 A JP 17410992A JP H0620903 A JPH0620903 A JP H0620903A
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- JP
- Japan
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- wafer
- pattern
- semiconductor device
- dummy
- reduction projection
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】縮小投影型露光装置を用い、所望のマスクパタ
ーンをウェハー上に繰り返し縮小投影露光を行なうフォ
トリソグラフィー工程において、ウェハー外周部にダミ
ーショットを配する。 【効果】ウェハー内全体にわたり、加工寸法・加工形状
を均一なものとし、半導体装置の信頼性が向上し、歩留
まりも向上する。また、イオン注入により形成された拡
散層と抵抗値も安定化できる。
ーンをウェハー上に繰り返し縮小投影露光を行なうフォ
トリソグラフィー工程において、ウェハー外周部にダミ
ーショットを配する。 【効果】ウェハー内全体にわたり、加工寸法・加工形状
を均一なものとし、半導体装置の信頼性が向上し、歩留
まりも向上する。また、イオン注入により形成された拡
散層と抵抗値も安定化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー内全体の半導
体装置の信頼性向上を可能にする半導体装置の製造方法
に関する。
体装置の信頼性向上を可能にする半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法は、図２に
示すように、ウェハー面内に繰り返し所望のマスクパタ
ーン２を転写するが、ウェハー外周部の良品半導体装置
取得に寄与しない領域にはパターンを転写せず、フォト
レジストはそのまま残っていた。そして、複数回のフォ
トリソグラフィー工程において、ウェハー面内に繰り返
し縮小投影するショットの配置は全てのフォトリソグラ
フィー工程で同一であった。しかし、従来の製造方法で
は、配線形成工程において、前記パターンのない領域近
傍の半導体装置の配線パターンに関して、前記フォト工
程に続くエッチング工程で、加工寸法が細くなったり、
また、加工形状が逆テーパになるという問題点を有して
いた。また、イオン注入工程を伴う場合には、イオン注
入時に前記パターンを形成しないレジストが大面積に残
っている領域から脱ガスが生じ、イオン注入時の真空度
が低下し、イオンが中性化するのでモニターで計測され
ず、イオンが過剰に注入されるという問題点がある。こ
のように、配線形成工程でのウェハー内全体にわたる加
工寸法・加工形状の均一化、また、イオン注入工程での
安定したイオン注入量については考慮されていなかっ
た。
示すように、ウェハー面内に繰り返し所望のマスクパタ
ーン２を転写するが、ウェハー外周部の良品半導体装置
取得に寄与しない領域にはパターンを転写せず、フォト
レジストはそのまま残っていた。そして、複数回のフォ
トリソグラフィー工程において、ウェハー面内に繰り返
し縮小投影するショットの配置は全てのフォトリソグラ
フィー工程で同一であった。しかし、従来の製造方法で
は、配線形成工程において、前記パターンのない領域近
傍の半導体装置の配線パターンに関して、前記フォト工
程に続くエッチング工程で、加工寸法が細くなったり、
また、加工形状が逆テーパになるという問題点を有して
いた。また、イオン注入工程を伴う場合には、イオン注
入時に前記パターンを形成しないレジストが大面積に残
っている領域から脱ガスが生じ、イオン注入時の真空度
が低下し、イオンが中性化するのでモニターで計測され
ず、イオンが過剰に注入されるという問題点がある。こ
のように、配線形成工程でのウェハー内全体にわたる加
工寸法・加工形状の均一化、また、イオン注入工程での
安定したイオン注入量については考慮されていなかっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、縮小
投影型露光装置を用いてウェハーに繰り返し縮小投影露
光を行なうフォトリソグラフィー工程において、ウェハ
ー外周部にダミーショットを配することにより、ウェハ
ー内全体にわたり、加工寸法・加工形状を均一なものと
し、また、注入されるイオン量を安定させ、半導体装置
の信頼性向上を可能にする製造方法を提供するところに
ある。
投影型露光装置を用いてウェハーに繰り返し縮小投影露
光を行なうフォトリソグラフィー工程において、ウェハ
ー外周部にダミーショットを配することにより、ウェハ
ー内全体にわたり、加工寸法・加工形状を均一なものと
し、また、注入されるイオン量を安定させ、半導体装置
の信頼性向上を可能にする製造方法を提供するところに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、縮小投影型
露光装置を用い、所望のマスクパターンをウェハー上に
繰り返し縮小投影露光を行なうフォトリソグラフィー工
程において、ウェハー外周部にダミーショットを配する
ことにより達成される。
露光装置を用い、所望のマスクパターンをウェハー上に
繰り返し縮小投影露光を行なうフォトリソグラフィー工
程において、ウェハー外周部にダミーショットを配する
ことにより達成される。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【０００６】図１は、本発明の実施例に基づく平面図で
ある。
ある。
【０００７】先ず、ウェハー１上にポジレジストを塗布
した後、縮小投影型露光装置を用いて所望の配線工程用
パターン２をウェハー面内に繰り返し縮小投影露光する
が、するが、この時、良品半導体装置取得に寄与しない
領域にも半導体装置部と同一パターンをダミーショット
３として縮小投影露光する。ダミーパターンのウェハー
内配置に関しては、ウェハー内全面にわたりパターンが
転写されるように配置にすることが望ましいが、少なく
とも前記ダミーパターン配置に必要な露光回数の半数以
上を必要とし、ウェハー識別のための刻印部もしくはウ
ェハー上に転写されるパターン面積が５平方ミリメート
ル以下の場合にはパターン転写しなくてもよい。また、
ダミーショトに使用するマスクパターンに関しては、半
導体装置部と同一パターンでなくてもかまわないが、そ
の場合、前記半導体装置部のパターン密度に対する比が
０．７〜１．３であることが望ましい。
した後、縮小投影型露光装置を用いて所望の配線工程用
パターン２をウェハー面内に繰り返し縮小投影露光する
が、するが、この時、良品半導体装置取得に寄与しない
領域にも半導体装置部と同一パターンをダミーショット
３として縮小投影露光する。ダミーパターンのウェハー
内配置に関しては、ウェハー内全面にわたりパターンが
転写されるように配置にすることが望ましいが、少なく
とも前記ダミーパターン配置に必要な露光回数の半数以
上を必要とし、ウェハー識別のための刻印部もしくはウ
ェハー上に転写されるパターン面積が５平方ミリメート
ル以下の場合にはパターン転写しなくてもよい。また、
ダミーショトに使用するマスクパターンに関しては、半
導体装置部と同一パターンでなくてもかまわないが、そ
の場合、前記半導体装置部のパターン密度に対する比が
０．７〜１．３であることが望ましい。
【０００８】また、イオン注入工程を伴うフォトリソグ
ラフィー工程の場合、ダミーパターンに使用するマスク
パターンは、前記配線パターン形成の場合同様、半導体
装置部と同一パターンでもかまわないが、パターン密度
はむしろ低下さたほうが望ましく、ショット内を全面露
光し、フォトレジストを残さなくてもよい。
ラフィー工程の場合、ダミーパターンに使用するマスク
パターンは、前記配線パターン形成の場合同様、半導体
装置部と同一パターンでもかまわないが、パターン密度
はむしろ低下さたほうが望ましく、ショット内を全面露
光し、フォトレジストを残さなくてもよい。
【０００９】この技術を用いた場合、ウェハー面内に転
写された各ショットのマスクパターンの同一個所の寸法
は、ウェハー面内のばらつきを１０％以内にすることが
出来た。また、ウェハー面内の加工形状についても、従
来は、前記良品半導体装置取得に寄与しない領域近傍で
は逆テーパ形状となり不良の原因となっていたが、この
技術を用いることにより逆テーパ形状は得られていな
い。また、イオン注入により形成された拡散層と抵抗値
も安定化した。
写された各ショットのマスクパターンの同一個所の寸法
は、ウェハー面内のばらつきを１０％以内にすることが
出来た。また、ウェハー面内の加工形状についても、従
来は、前記良品半導体装置取得に寄与しない領域近傍で
は逆テーパ形状となり不良の原因となっていたが、この
技術を用いることにより逆テーパ形状は得られていな
い。また、イオン注入により形成された拡散層と抵抗値
も安定化した。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、縮小投影型露光装置を
用い、所望のマスクパターンをウェハー上に繰り返し縮
小投影露光を行なうフォトリソグラフィー工程におい
て、配線形成及びイオン注入を伴うフォトリソグラフィ
ー工程に対し、ウェハー外周部にダミーショットを配す
ることにより、ウェハー面内の加工寸法及び加工形状を
安定化でき、従来ウェハー外周部で良品が取れなかった
が、本技術により良品が取れ、歩留まりが１５％向上し
た。また、拡散層の抵抗値も安定化し、ウェハー面内全
体にわたり、品質的にも信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
用い、所望のマスクパターンをウェハー上に繰り返し縮
小投影露光を行なうフォトリソグラフィー工程におい
て、配線形成及びイオン注入を伴うフォトリソグラフィ
ー工程に対し、ウェハー外周部にダミーショットを配す
ることにより、ウェハー面内の加工寸法及び加工形状を
安定化でき、従来ウェハー外周部で良品が取れなかった
が、本技術により良品が取れ、歩留まりが１５％向上し
た。また、拡散層の抵抗値も安定化し、ウェハー面内全
体にわたり、品質的にも信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
【図１】本発明のダミーパターンを有する半導体装置の
製造方法の実施例を示す平面図。
製造方法の実施例を示す平面図。
【図２】従来のダミーパターンのない半導体装置の製造
方法を示す平面図。
方法を示す平面図。
１ ウェハー ２ 転写パターン ３ 転写パターン（ダミーパターン）
Claims (2)
- 【請求項１】縮小投影型露光装置を用い、所望のマスク
パターンをウェハー上に繰り返し縮小投影露光を行なう
フォトリソグラフィー工程において、配線形成の為のフ
ォトリソグラフィー工程に対し、ウェハー外周部にダミ
ーショットを配することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】縮小投影型露光装置を用い、所望のマスク
パターンをウェハー上に繰り返し縮小投影露光を行なう
フォトリソグラフィー工程において、次工程にイオン注
入を伴う場合のフォトリソグラフィー工程に対し、ウェ
ハー外周部にダミーショットを配することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17410992A JPH0620903A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17410992A JPH0620903A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309256A Division JP2001144012A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620903A true JPH0620903A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15972808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17410992A Pending JPH0620903A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620903A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10214810A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-08-11 | Lsi Logic Corp | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| JP2002246281A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハ |
| JP2003249546A (ja) * | 2003-01-06 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法 |
| KR100431527B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 웨이퍼 최외각 영역에 더미패턴을 포함하는반도체장치의 형성방법 |
| US20080198351A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography Scanner Throughput |
| CN102044541A (zh) * | 2009-10-15 | 2011-05-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2013207258A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nikon Corp | 情報算出方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17410992A patent/JPH0620903A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10214810A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-08-11 | Lsi Logic Corp | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| JP4620189B2 (ja) * | 1996-12-23 | 2011-01-26 | エルエスアイ コーポレーション | エッジ・ダイ上の一様性及び平坦性を改善しウエハのｃｍｐに起因するタングステン・ストリンガを除去する新規な方法 |
| JP2002246281A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハ |
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| JP2003249546A (ja) * | 2003-01-06 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法 |
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| US9529275B2 (en) * | 2007-02-21 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography scanner throughput |
| CN102044541A (zh) * | 2009-10-15 | 2011-05-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US8618604B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-12-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2013207258A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nikon Corp | 情報算出方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体 |
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