JP6915680B2 - パターン算出装置、パターン算出方法、コンピュータプログラム、及び、記録媒体 - Google Patents
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Description
図1及び図2を参照しながら、本実施形態の露光装置1について説明する。本実施形態の露光装置1は、フォトレジスト(つまり、感光剤)が塗布された平板ガラスである基板151を、マスク131に形成されたマスクパターンの像で露光する。露光装置1によって露光された基板151は、例えば、表示装置(例えば、液晶ディスプレイや、有機ELディスプレイ等)の表示パネルを製造するために使用される。
はじめに、図1を参照しながら、本実施形態の露光装置1の構造について説明する。図1は、本実施形態の露光装置1の全体構造の一例を示す斜視図である。
続いて、図2(a)から図2(c)を参照しながら、マスク131上に設定される照明領域IR及び基板151上に設定される投影領域RPについて説明する。図2(a)は、基板151上に設定される投影領域PRを示す平面図である。図2(b)は、マスク131上に設定される照明領域IRを示す平面図である。図2(c)は、マスク131上に繰り返し形成される単位マスクパターン部MPpを示す平面図である。
続いて、図4から図12を参照しながら、マスク131に形成されるマスクパターンを算出するマスクパターン算出装置2について説明する。
はじめに、図4を参照しながら、マスクパターン算出装置2の構造について説明する。図4は、マスクパターン算出装置2の構造を示すブロック図である。
続いて、図5を参照しながら、マスクパターン算出装置2が行うマスクパターンの算出動作について説明する。図5は、マスクパターン算出装置2が行うマスクパターンの算出動作の流れを示すフローチャートである。
続いて、上述したマスクパターンの算出動作の変形例について説明する。
上述した説明では、CPU21は、一つの単位マスクパターン部1311uを算出し、当該算出した単位マスクパターン部1311uを複数配列することで、マスクパターン1311dを算出している。一方で、第1変形例では、CPU21は、互いに異なる複数種類の単位マスクパターン部1311uを算出する。
上述した説明では、CPU21は、複数のマスクパターン1311dを配列することで、マスクパターン群1311gを算出している。一方で、第2変形例では、CPU21は、複数のマスクパターン1311dを配列した後に、更に、複数のマスクパターン1311dの配列態様に応じて複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正することで、マスクパターン群1311gを算出する。以下、第2変形例におけるマスクパターンの算出動作について、図15を参照しながら説明する。尚、上述した実施形態において行われる処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付してその詳細な説明を省略する。
第3変形例では、CPU21は、複数のマスクパターン1311dを配列した後に、上述した継ぎパターン領域131a及び非継ぎパターン領域131bと複数のマスクパターン1311dとの間の対応関係に基づいて複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正することで、マスクパターン群1311gを算出する。継ぎパターン領域131a及び非継ぎパターン領域131bは、夫々、基板151上の継ぎ露光領域151a及び非継ぎ露光領域151bに対応している。このため、CPU21は、継ぎ露光領域151a及び非継ぎ露光領域151bと複数のマスクパターン1311dとの間の対応関係に基づいて複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正するとも言える。以下、第3変形例におけるマスクパターンの算出動作について、図18を参照しながら説明する。尚、上述した実施形態において行われる処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付してその詳細な説明を省略する。
上述した第3変形例では、CPU21は、継ぎ露光領域151aにおける露光量と非継ぎ露光領域151bにおける露光量とのずれが小さくなる又はゼロになるように、複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正することで、マスクパターン群1311gを算出する。一方で、第4変形例では、CPU21は、複数のマスクパターン1311dを配列した後に、継ぎ露光領域151aにおける露光量のばらつきが小さくなる又はゼロになるように、複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正することで、マスクパターン群1311gを算出する。以下、第4変形例におけるマスクパターンの算出動作について、図20を参照しながら説明する。尚、上述した実施形態において行われる処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付してその詳細な説明を省略する。また、以下の説明で特段説明しない処理内容については、第3変形例での処理内容と同一であってもよい。
第5変形例では、CPU21は、複数のマスクパターン1311dを配列した後に、複数の投影光学系14と複数のマスクパターン1311dとの間の対応関係に応じて複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正することで、マスクパターン群1311gを算出する。複数の投影光学系14は、複数の照明領域IR(或いは、複数の投影領域PR)に夫々対応する。従って、CPU21は、複数の照明領域IR(或いは、複数の投影領域PR)と複数のマスクパターン1311dとの間の対応関係に応じて複数のマスクパターン1311dの少なくとも一部を補正するとも言える。以下、第5変形例におけるマスクパターンの算出動作について、図23を参照しながら説明する。尚、上述した実施形態において行われる処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付してその詳細な説明を省略する。
続いて、図28を参照しながら、上述した露光装置1を用いて表示パネルを製造する方法について説明する。図28は、上述した露光装置1を用いて表示パネルを製造するデバイス製造方法の流れを示すフローチャートである。尚、以下では、説明の便宜上、表示パネルの一例である液晶表示パネルを製造するデバイス製造方法について説明する。但し、その他の表示パネルもまた、図28に示すデバイス製造方法の少なくとも一部を改変したデバイス製造方法を用いて製造可能である。
131 マスク
131a 継ぎパターン領域
131b 非継ぎパターン領域
1311u 単位マスクパターン部
1311p 画素マスクパターン部
1311s 周辺マスクパターン部
1311d マスクパターン
1311g マスクパターン群
14 投影光学系
15 基板ステージ
151 基板
151a 継ぎ領域
151b 非継ぎ領域
1511u 単位デバイスパターン部
EL 露光光
IR 照明領域
PR 投影領域
Claims (39)
- 単位デバイスパターン部が複数配列されているデバイスパターンを露光光で基板に形成するためのマスクに形成されるマスクパターンを算出するパターン算出装置であって、
前記マスクパターンのうち一の前記単位デバイスパターン部を前記基板に形成するための単位マスクパターン部を算出し、且つ、前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで前記マスクパターンを算出し、
前記単位マスクパターン部を算出する際に、前記単位マスクパターン部の少なくとも一部に相当する特定マスクパターン部が前記単位マスクパターン部に隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
ことを特徴とするパターン算出装置。 - 前記単位マスクパターン部の一方側の外縁を含む前記特定マスクパターン部が、前記単位マスクパターン部の前記一方側とは逆の他方側の外縁に隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
請求項1に記載のパターン算出装置。 - 前記単位マスクパターン部は、平面視において矩形領域であり、
前記単位マスクパターン部の一方側の辺を含む前記特定マスクパターン部が、前記単位マスクパターン部の前記一方側とは逆の他方側の辺に隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
請求項1又は2に記載のパターン算出装置。 - 前記単位マスクパターン部は、平面視において矩形領域であり、
(i)前記単位マスクパターン部の第1の辺を含む第1の前記特定マスクパターン部が、前記第1の辺に対向する前記単位マスクパターン部の第2の辺に隣接し、(ii)前記第2の辺を含む第2の前記特定マスクパターン部が、前記第1の辺に隣接し、(iii)前記第1及び第2の辺とは異なる前記単位マスクパターン部の第3の辺を含む第3の前記特定マスクパターン部が、前記第3の辺に対向する前記単位マスクパターン部の第4の辺に隣接し、(iv)前記第4の辺を含む第4の前記特定マスクパターン部が、前記第3の辺に隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - (i)前記単位マスクパターン部の前記第1の頂点を含む第5の前記特定マスクパターン部が、前記第1の頂点と第1の対角方向に沿って並ぶ前記単位マスクパターン部の第2の頂点に前記第1の対角方向に沿って隣接し、(ii)前記第2の頂点を含む第6の前記特定マスクパターン部が、前記第1の頂点に前記第1の対角方向に沿って隣接し、(iii)前記第1及び第2の頂点とは異なる前記単位マスクパターン部の第3の頂点を含む第7の前記特定マスクパターン部が、前記第3の頂点と第2の対角方向に沿って並ぶ前記単位マスクパターン部の第4の頂点に前記第2の対角方向に沿って隣接し、(iv)前記第4の頂点を含む第8の前記特定マスクパターン部が、前記第3の頂点に前記第2の対角方向に沿って隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
請求項1から4のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記単位マスクパターン部に隣接している前記特定マスクパターン部の存在が前記単位マスクパターン部を介した前記露光光による前記単位デバイスパターン部の形成に与える影響に基づいて、前記単位マスクパターン部を算出する
請求項1から5のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記複数の単位デバイスパターン部は、表示装置が備える複数の画素に夫々対応する
請求項1から6のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記算出した単位マスクパターン部を、前記複数の単位デバイスパターン部の配列に合わせて複数配列することで前記マスクパターンを算出する
請求項1から7のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記デバイスパターンは、前記単位デバイスパターン部とは異なる第1のデバイスパターン部を更に含み、
前記第1のデバイスパターン部を前記基板に形成するための第1のマスクパターン部を算出し、且つ、前記算出した単位マスクパターン部を前記第1のマスクパターン部と共に複数配列することで前記マスクパターンを算出する
請求項1から8のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記デバイスパターンは、前記単位デバイスパターン部と、前記単位デバイスパターン部とは異なり且つ前記単位デバイスパターン部に隣接した第1のデバイスパターン部とを含む第2のデバイスパターン部を更に含み、
前記第2のデバイスパターン部を前記基板に形成するための第2のマスクパターン部を算出し、且つ、前記算出した単位マスクパターン部を前記第2のマスクパターン部と共に複数配列することで前記マスクパターンを算出する
請求項1から9のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記複数の単位デバイスパターン部は、表示装置が備える複数の画素に夫々対応し、
前記第1のデバイスパターン部は、前記複数の画素の周辺に配置される周辺回路に対応する
請求項9又は10に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクには、複数の前記マスクパターンを含むマスクパターン群が形成され、
前記算出したマスクパターンを複数配列することで前記マスクパターン群を算出する
請求項1から11のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記算出したマスクパターンを複数配列して前記マスクパターン群を算出する際に、一の前記マスクパターンが前記一のマスクパターンに隣接する他の前記マスクパターンを介した前記露光光による前記デバイスパターンの形成に与える影響に基づいて、前記他のマスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項12に記載のパターン算出装置。 - 前記複数のマスクパターンは、複数の表示装置に夫々対応する
請求項12又は13に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクは、前記デバイスパターンの少なくとも一部を形成するために前記露光光が少なくとも2回照射される第1マスク領域と、前記デバイスパターンの少なくとも他の一部を形成するために前記露光光が1回照射される第2マスク領域とを含み、
前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで算出される前記マスクパターンの少なくとも一部を、前記第1及び第2マスク領域と前記マスクパターンとの対応関係に基づいて補正する
請求項1から14のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクは、前記デバイスパターンの少なくとも一部を形成するために前記露光光が少なくとも2回照射される第1マスク領域を含み、
前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで算出される前記マスクパターンの少なくとも一部を、前記第1マスク領域を介した前記露光光による露光特性の前記基板上でのばらつきに基づいて補正する
請求項1から15のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記第1マスク領域を介した前記露光光による露光特性の前記基板上でのばらつきが小さくなる又は前記第1マスク領域を介した前記露光光による露光特性が均一になるように、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項16に記載のパターン算出装置。 - 前記露光特性は、露光量を含む
請求項16又は17に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクは、第1の投影光学系を介して前記基板を露光するための前記露光光が照射される第3マスク領域と、第2の投影光学系を介して前記基板を露光するための前記露光光が照射される第4マスク領域とを含み、
前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで算出される前記マスクパターンの少なくとも一部を、前記第3及び第4マスク領域と前記マスクパターンとの対応関係に基づいて補正する
請求項1から18のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクパターンのうち前記第3マスク領域に形成される第3マスクパターン部及び前記マスクパターンのうち前記第4マスク領域に形成される第4マスクパターン部の少なくとも一方を補正する
請求項19に記載のパターン算出装置。 - 前記第3マスクパターン部の補正内容と、前記第4マスクパターン部の補正内容とが異なる
請求項20に記載のパターン算出装置。 - 前記第3マスク領域を介した前記露光光による露光特性及び前記第4マスク領域を介した前記露光光による露光特性の少なくとも一方に基づいて、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項19から21のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記第3マスク領域を介した前記露光光による露光特性と前記第4マスク領域を介した前記露光光による露光特性との差分に基づいて、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項19から22のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記第3マスク領域を介した前記露光光による露光特性と前記第4マスク領域を介した前記露光光による露光特性との差分が小さくなる又はゼロになるように、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項19から23のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記露光特性は、露光量を含む
請求項22から24のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記第1の投影光学系の光学特性及び前記第2の投影光学系の光学特性の少なくとも一方に基づいて、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項19から25のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記第1の投影光学系の光学特性と前記第2の投影光学系の光学特性との差分に基づいて、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項19から26のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記光学特性の差分に起因して生ずる前記第3マスク領域を介した前記露光光による露光特性と前記第4マスク領域を介した前記露光光による露光特性との差分が小さくなる又はゼロになるように、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項27に記載のパターン算出装置。 - 前記光学特性は、各投影光学系の収差を含む
請求項26から28のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクは、所望の投影光学系を介して前記基板を露光するための前記露光光が照射される第5マスク領域を含み、
前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで算出される前記マスクパターンの少なくとも一部を、前記第5マスク領域を介した前記露光光による露光特性の前記基板上でのばらつきに基づいて補正する
請求項1から27のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記マスクパターンのうち前記第5マスク領域に形成される第5マスクパターン部の少なくとも一方を補正する
請求項30に記載のパターン算出装置。 - 前記第5マスク領域を介した前記露光光による露光特性の前記基板上でのばらつきが小さくなるように又はなくなるように、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項30又は31に記載のパターン算出装置。 - 前記露光特性は、露光量を含む
請求項30から32のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記所望の投影光学系の光学特性に基づいて、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項30から33のいずれか一項に記載のパターン算出装置。 - 前記光学特性に起因して生ずる前記第5マスク領域を介した前記露光光による露光特性の前記基板上でのばらつきが小さくなる又はなくなるように、前記マスクパターンの少なくとも一部を補正する
請求項34に記載のパターン算出装置。 - 前記光学特性は、各投影光学系の収差を含む
請求項34又は35に記載のパターン算出装置。 - 単位デバイスパターン部が複数配列されているデバイスパターンを露光光で基板に形成するためのマスクに形成されるマスクパターンを算出するパターン算出方法であって、
前記マスクパターンのうち一の前記単位デバイスパターン部を前記基板に形成するための単位マスクパターン部を算出し、且つ、前記算出した単位マスクパターン部を複数配列することで前記マスクパターンを算出し、
前記単位マスクパターン部を算出する際に、前記単位マスクパターン部の少なくとも一部に相当する特定マスクパターン部が前記単位マスクパターン部に隣接していると仮定した上で、前記単位マスクパターン部を算出する
ことを特徴とするパターン算出方法。 - コンピュータに請求項37に記載されたパターン算出方法を実行させるコンピュータプログラム。
- 請求項38に記載されたプログラムが記録された記録媒体。
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