JP4514427B2 - 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ - Google Patents
稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4514427B2 JP4514427B2 JP2003346252A JP2003346252A JP4514427B2 JP 4514427 B2 JP4514427 B2 JP 4514427B2 JP 2003346252 A JP2003346252 A JP 2003346252A JP 2003346252 A JP2003346252 A JP 2003346252A JP 4514427 B2 JP4514427 B2 JP 4514427B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microlens
- pattern
- mask
- unit cell
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
その他にもいろいろな稠密構造物品があるが、そのような稠密構造物品を製造する方法として、特許文献2に記載されているように、濃度分布マスクを用いた方法が提案がされている。
本発明は、複数回の縮小投影露光により製作される稠密構造物品の面内ムラを防ぐ製造方法と、その製造方法で使用する露光マスク、及び面内ムラを抑えた稠密構造物品を提供することを目的とするものである。
単位セルパターン形状は、例えば四角形、六角形もしくはその他の多角形、又は円形状である。
得られる稠密構造物品の一例は、マイクロレンズアレイ素子である。
ステップ露光を必要な範囲まで繰り返した後、現像とリンスを行なうと、レジスト材による大面積の稠密形状が形成される。
このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。
そのレチクルを用いて、ステッパー露光装置により、まず図2(A)に示す「A」の領域に単位セルパターンが来るように分割露光する。2はパターン露光位置A群を示している。図ではレチクルのパターンと露光されたパターンのサイズを同じ大きさに記載しているが、実際には露光されたパターンのサイズはレチクルのサイズを、例えば1/5というような所定の縮小率に縮小したものとなる。
さらに、図2(C)に示されるように、領域「A」,「B」に隣接する領域「C」に単位セルパターンが来るように、さらに位置をずらして露光する。4はパターン露光位置C群を示している。
次にその露光後のレジストを現像し、リンス処理することで基板材料上にレジストのマイクロレンズアレイパターンが形成される。
このようにして得られたレジスト形状パターンをマスクにして、従来技術であるドライエッチング法を用いて基板に転写することで、境界ムラがないマイクロレンズパネルを製作できる。
縮小光学系露光装置の発散光束変換のためのマイクロフライアイレンズを製作した。各マイクロレンズの寸法及び特性の設計値は次の通りである。
曲率半径:5.04mm
焦点距離:9mm
レンズ形状:正六角形
レンズ径:0.5mm
レンズピッチ:0.433mm
レンズ高さ:6.2μm
この実施例により、30mm×30mmのレンズ形成範囲内で製作したレンズ形状精度と性能の抜取り測定結果を挙げると、次の表1のようになった。
次にこのレジストを現像し、リンス処理することで基板材料上にレジストのマイクロレンズアレイを形成した。
バイオ分野で用いられるDNA解析用のマイクロレンズアレイを製作した。各マイクロレンズの寸法及び特性の設計値は次の通りである。
曲率半径:7.34mm
焦点距離:16mm
レンズ形状:正方形
レンズ径:0.424mm
レンズピッチ:0.3mm
レンズ高さ:3.06μm
本実施例により、30mm×30mmのレンズ形成範囲内で製作したレンズ形状精度と性能の抜取り測定結果を挙げると、次の表2のようになった。
このようなマイクロレンズアレイを製作するための露光用マスクは、そのマスクはそれを基にして得られる感光性材料パターンから製作される光学素子が互いに光学位相が逆方向になるように形状が設定されている2種類のものを含んでいる。この露光用マスクは濃度分布マスクとして形成することができ、その製造方法は特許文献2に記載されている方法を採用することができる。
実施例1と同様に縮小光学系露光装置の発散光束変換のためのマイクロフライアイレンズを製作した。ただし、本実施例では、マイクロレンズは互いに光学位相が逆方向になるように形状が設定されたプラス型とマイナス型のマイクロレンズを交互に配置した。
各マイクロレンズの寸法及び規格公差は次の通りである。
曲率半径:0.895mm
焦点距離:1.76mm
レンズ形状:正六角形
レンズ径:0.25mm
レンズピッチ:0.216mm
レンズ高さ:8.77μm
レンズ形状誤差Fig.PV:0.2μm以内
この実施例により、20mm×40mmのレンズ形成範囲内で製作したレンズ形状精度の抜取り測定結果を挙げると、次の表3のようになった。
2 パターン露光位置A群
3 パターン露光位置B群
4 パターン露光位置C群
5 分割露光で組み合わされた稠密六角形マイクロレンズアレイ
6 四角形マイクロレンズパターン群
7 パターン露光位置D群
8 パターン露光位置E群
9 パターン露光位置F群
10 パターン露光位置G群
11 分割露光で組み合わされた稠密四角形マイクロレンズアレイ
Claims (8)
- 基板上に塗布された感光性材料を露光する縮小投影露光用マスクであって、
このマスクを用いて露光され現像されて得られる目的とする感光性材料パターンは複数の単位セルパターンが境界を接して隙間なく配置された稠密構造パターンであり、
このマスクはマイクロレンズアレイを製作するためのマスクであって、前記単位セルパターンのそれぞれはマイクロレンズに対応しており、
このマスクは前記単位セルパターンを形成するための単位セルパターンを備え、マスク内の全ての単位セルパターンは互いに境界を接することなく隙間をもち、かつ時間を異ならせて露光された単位セルパターンが互いに重ならないように位置をずらして複数回露光することにより前記稠密構造パターンを形成するように配置されていることを特徴とする露光用マスク。 - 該マスクはそれを基にして得られる前記感光性材料パターンの単位セルパターンから製作されるマイクロレンズが互いに光学位相が逆方向になるように形状が設定されている2種類の単位セルパターンを含んでいる請求項1に記載の露光用マスク。
- 前記単位セルパターン形状は四角形、六角形もしくはその他の多角形、又は円形状である請求項1又は2に記載の露光用マスク。
- 製品基板上に塗布された感光性材料に、請求項1から3のいずれかに記載のマスクを用い、異なる時間に露光されたパターンが互いに重ならないように位置をずらして複数回分割露光することにより全ての単位セルパターンが境界を接して隙間なく配置された形状を形成する縮小投影露光工程と、
露光された前記感光性材料を現像して感光性材料パターンを形成する現像工程と、
得られた感光性材料パターンを前記製品基板に転写することにより目的製品をえるエッチング工程とを備えたマイクロレンズアレイの製造方法。 - 複数のマイクロレンズが境界を接して隙間なく配置された稠密構造をもつマイクロレンズアレイにおいて、
前記マイクロレンズは1個のマイクロレンズ又は複数個を含むマイクロレンズ群を単位として、境界を接しているマイクロレンズ又はマイクロレンズ群が互いに光学位相が逆方向になるようにマイクロレンズ形状が設定されている領域を含んでおり、
請求項4に記載の製造方法において請求項2に記載の露光用マスクを用いて製造されたものであることを特徴とするマイクロレンズアレイ。 - 前記領域における各マイクロレンズは設計値に対して偏差をもっており、互いに光学位相が逆方向になるマイクロレンズの偏差量は互いに正負逆方向であり、その絶対量がほぼ等しく設定されている請求項5に記載のマイクロレンズアレイ。
- 前記偏差量はマイクロレンズ仕様の形状誤差規格公差内の大きさである請求項6に記載のマイクロレンズアレイ。
- 前記偏差量はマイクロレンズの光軸上と周辺部では零、その中間部で正又は負に設定されている請求項6又は7に記載のマイクロレンズアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346252A JP4514427B2 (ja) | 2003-10-03 | 2003-10-03 | 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346252A JP4514427B2 (ja) | 2003-10-03 | 2003-10-03 | 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005114865A JP2005114865A (ja) | 2005-04-28 |
JP2005114865A5 JP2005114865A5 (ja) | 2006-11-09 |
JP4514427B2 true JP4514427B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=34539266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003346252A Expired - Fee Related JP4514427B2 (ja) | 2003-10-03 | 2003-10-03 | 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4514427B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104166315A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光方法及曝光机 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4760198B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-08-31 | ソニー株式会社 | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム |
CN102520576B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-02-05 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 图形化衬底工艺用步进光刻掩膜版数据拼接方法和修正法 |
KR102685228B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2024-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 산출 장치, 패턴 산출 방법, 마스크, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 컴퓨터 프로그램, 및, 기록 매체 |
JP2022051224A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07209854A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electron Corp | マスクパターン描画方法 |
JPH09236930A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-09-09 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法、一組の露光マスク、薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH10123715A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Dainippon Printing Co Ltd | バターン形成方法 |
JP2003149596A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | オプチカル・ホモジナイザー、及びオプチカル・ホモジナイザーを製造するための濃度分布マスク |
JP2003280173A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Canon Inc | リソグラフィ用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2003
- 2003-10-03 JP JP2003346252A patent/JP4514427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07209854A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Matsushita Electron Corp | マスクパターン描画方法 |
JPH09236930A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-09-09 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法、一組の露光マスク、薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法 |
JPH10123715A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Dainippon Printing Co Ltd | バターン形成方法 |
JP2003149596A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-21 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | オプチカル・ホモジナイザー、及びオプチカル・ホモジナイザーを製造するための濃度分布マスク |
JP2003280173A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Canon Inc | リソグラフィ用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104166315A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 曝光方法及曝光机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005114865A (ja) | 2005-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101276927B1 (ko) | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템 | |
JP4296943B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法および露光方法ならびに3次元形状の製造方法 | |
US6836365B2 (en) | Diffractive optical element, method of fabricating the element, illumination device provided with the element, projection exposure apparatus, exposure method, optical homogenizer, and method of fabricating the optical homogenizer | |
US20090092934A1 (en) | Gray-tone lithography using optical diffusers | |
JP2014505368A (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
JP5391670B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
JP2008089923A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
JP2007193243A (ja) | 露光用マスク、露光方法、露光用マスクの製造方法、3次元デバイスおよび3次元デバイスの製造方法 | |
JP4760198B2 (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム | |
JP4514427B2 (ja) | 稠密構造物品の製造方法及びそこで用いる露光用マスク、並びにマイクロレンズアレイ | |
JP2009276717A (ja) | 濃度分布マスクとその製造方法及びマイクロレンズアレイの製造方法 | |
EP2354853B1 (en) | Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP5391701B2 (ja) | 濃度分布マスクとその設計装置及び微小立体形状配列の製造方法 | |
TW201243521A (en) | Method of manufacturing substrate pattern and exposure apparatus therefor | |
JP2002107942A (ja) | 露光方法 | |
JPWO2018016485A1 (ja) | フォトマスク、フォトマスク製造方法、及びフォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法 | |
JP4366121B2 (ja) | 素子の製造方法 | |
JP2001296649A (ja) | 濃度分布マスクとその製造方法及び表面形状の形成方法 | |
WO2022169811A1 (en) | System and method for parallel two-photon lithography using a metalens array | |
JP2003149596A (ja) | オプチカル・ホモジナイザー、及びオプチカル・ホモジナイザーを製造するための濃度分布マスク | |
CN111239879A (zh) | 一种利用单次光刻和热回流实现多台阶衍射微光学元件的方法 | |
JPH11183706A (ja) | 高集積光学素子及びその製造方法 | |
JP2001356470A (ja) | 濃度分布マスクを用いた3次元構造体製造方法 | |
JP4437366B2 (ja) | パワー変調方式による濃度分布マスクの製造方法 | |
JP4386546B2 (ja) | 濃度分布マスクとそれを用いた3次元構造体製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060926 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4514427 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160521 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |