JP2009276717A - 濃度分布マスクとその製造方法及びマイクロレンズアレイの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単位レンズを複数配列したマイクロレンズアレイを形成するための、格子点上に遮光パターンを設置して成る濃度分布マスクにおいて、前記濃度分布マスクの個々の単位レンズの中心から同心円状に形成した階調境界円が、同じ寸法の前記階調境界円を一体の集合にし前記マイクロレンズアレイの中心に対して前記集合毎に異なる倍率で各階調境界円の中心座標を拡大縮小するシュリンク処理を行い、前記階調境界円により分割された前記単位レンズの環状領域毎に、階調に応じた寸法の遮光パターンを格子点上に設置した濃度分布マスクを用いてマイクロレンズアレイを製造する。
【選択図】図3
Description
(1)前記のような3次元構造を製作するために、その3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、基板上での各ポイントの感光性材料の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過する寸法の矩形遮光パターンの配列を設計する計算シミュレーション工程。
(2)透明基板上に遮光膜を形成し、さらにその上にマスク用感光性材料層をもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって前記の設計された矩形遮光パターンの配列に基づいて露光し、現像してマスク用感光性材料パターンを形成するパターン化工程。(3)形成されたマスク用感光性材料パターンをマスクにして、前記遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングして矩形遮光パターンの配列を形成する工程。
(4)次いで必要により、工程(3)で形成された遮光パターンを工程(1)で設計された矩形遮光パターンの配列と比較し、両者が一致するように前記形成された濃度分布マスクの遮光パターンを修正する工程。
マイクロレンズアレイ1の形成用の濃度分布マスク2は、実際に形成するパターンの5倍や4倍や1.25倍の寸法に拡大して露光用パターンを形成し、パターン露光時に、縮小投影型露光装置(ステッパー)で縮小して、露光光の波長以下の寸法のパターンにして投影する。あるいは、濃度分布マスク2を実際に形成するパターンと同じ縮尺の寸法に形成し、マスクアライナーで濃度分布マスク2のパターンを半導体基板11に、コンタクト露光あるいはプロキシミティ露光又は投影露光しても良い。
濃度分布マスク2の濃度(階調)は、グリッド(格子)上の互い違いの千鳥足状の格子点4aの座標位置に配置された矩形の遮光パターン4の寸法を変えて調整する。すなわち、矩形の遮光パターン4の辺の長さを0からグリッドのピッチの2倍の大きさにまで変えることにより、マスクの光透過率を変えて調整する。矩形の遮光パターン4の辺の長さがちょうどグリッドのピッチと等しい場合は、遮光パターン4と、その間の同じ大きさの正方形の開口パターンとで市松模様が形成される。矩形の遮光パターン4の辺の長さが開口パターンより大きい場合は、隣接する矩形の遮光パターン4同士が重なり合い、その間の矩形の開口パターンの寸法が小さくなる。こうして単位面積当たりに形成される光透過部の割合により濃度分布マスク2の階調を調整する。
図4の平面図に、遮光パターン4を設置する格子点4aの位置を十字線で示す。図4(a)は、マイクロレンズアレイ1の領域の中心の単位レンズの濃度分布パターン3内の階調境界円5a、5b、5c、5dの位置と、その間の環状領域6a、6b、6c、6dを示す。図4(b)は、マイクロレンズアレイ1の領域の中心から外れた端部の単位レンズの濃度分布パターン3内の階調境界円5aから5dと、その間の環状領域6aから6dを示す。図4(b)では階調境界円5の中心が単位レンズの中心から移動している。この階調境界円5の位置の移動処理は、全単位レンズから同じ寸法の階調境界円5を集めた集合を作成して一体化させ、その集合毎に拡大縮小率を変えて、各階調境界円5の中心の座標を、マイクロレンズアレイ1の中心に対しシュリンク処理する。これにより、マイクロレンズアレイ1の領域の中心から外れた端部の単位レンズでは階調境界円5aから5dの位置が単位レンズの中心から非対称にずらされる。その階調境界円5aから5dの間の環状領域6aから6d毎に、指定された階調に応じた寸法の遮光パターン4を格子点4aに千鳥足状に設置して、本発明に係わる濃度分布マスク2を作製する。
濃度分布マスク上には、遮光パターンの配置する場所(座標)を決めるために、平面視で、複数本の平行線(例えば、単位レンズの中心を原点とするX軸に平行な複数の線)と、前記複数本の平行線と各々直交する複数本の線(例えば、単位レンズの中心を原点とするY軸に平行な複数の線)とからなる格子を仮りに設定している。平行線同士が交差する格子点4a(グリッド)のピッチは以下の様に設定する。すなわち、半導体基板11側のステッパーの投影レンズの開口比をNaとし、露光する光の波長をλとすると、(λ/Na)に0.2から0.5の係数K1を掛け算した値の寸法より小さいピッチのグリッドとする。
シュリンク処理では、マイクロレンズアレイ1の全単位レンズの同じ直径の階調境界円5を、径を変えることなく、各階調境界円5の中心座標(中心の位置)をマイクロレンズアレイ1の中心に対して所定の割合で拡大縮小するシュリンク処理を行い、その結果、図2(a)に示す階調境界円5の位置をずらす。すなわち、図3(c)のように、直径が小さい階調境界円5ほど、元の位置から大きく移動するように縮小し、一番直径の大きい階調境界円5はほとんど縮小しないシュリンク処理を行う。それにより、階調境界円5の間
の環状領域6は、マイクロレンズアレイ1の領域の中心側の端での幅が、マイクロレンズアレイ1の領域の中心か遠い側の端での幅より狭くなる。図3(c)の左下の単位レンズの濃度分布パターン3を拡大して図4(b)に示す。図4(b)の階調境界円5は、以下のシュリンク処理の結果、単位レンズの中心からの距離が異なる階調境界円5毎に異なる移動量で移動する。
(1)マイクロレンズアレイ1の全単位レンズの最外周の階調境界円5dの座標は等倍に設置する。
(2)マイクロレンズアレイ1の全単位レンズの階調境界円5cの座標を0.98倍に縮小させる。
(3)マイクロレンズアレイ1の全単位レンズの階調境界円5bの座標を0.96倍に縮小させる。
(4)マイクロレンズアレイ1の全単位レンズの階調境界円5aの座標を0.94倍に縮小させる。
このシュリンク処理による階調境界円5の縮小の結果、マイクロレンズアレイ1の端部の単位レンズの環状領域6は、図4(b)のように形成される。
このようにパターンを設計して製造する濃度分布マスク2は、半導体基板11上に樹脂のマイクロレンズアレイ1を形成するために用いる。それは、そのパターンの設計を含めて、以下の工程で製造する。
(1)マイクロレンズアレイ1を製造するために、そのマイクロレンズアレイ1の3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、半導体基板11上での各ポイントの感光性レジスト材料層20の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過するように矩形の遮光パターン4の大きさを設計する。ここで、以下で説明する濃度分布マスクのパターンのシュリンク処理を行い、マスクの濃度分布パターンを設計する。
(2)合成石英ガラス基板からなる透明基板上にCr等の金属もしくは金属酸化物の遮光膜を形成し、さらにその上にマスク用感光性レジストをもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって矩形の遮光パターン4を形成するように露光し、現像してマスク用感光性レジストのパターンを形成する。
(3)形成されたマスク用感光性レジストのパターンをエッチングマスクにして前記の金属もしくは金属酸化物の遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングし、図3(d)のような遮光パターン4を形成する。
(4)次いで必要に応じ、工程(3)で形成された遮光パターン4を工程(1)で設計された遮光パターン4と比較し、両者が一致するように、濃度分布マスク2の遮光パターン4の寸法を修正する。
図5に、単位レンズの縦横の寸法が約2.2μmのマイクロレンズアレイ1の濃度分布マスク2を用いて感光性レジスト材料層20に露光する場合の露光光量のシミュレーション結果を示す。図5(a)のように、同じ寸法の同じ種類の階調境界円5の集合を、マイ
クロレンズアレイ1の中心に関して対称なシュリンク処理で移動させ、階調境界円5間の環状領域6毎に、ピッチが約140nmの格子点4a上に遮光パターン4を、階調の指定に応じて寸法を変えて千鳥足状に設置したポジ型の濃度分布マスク2を形成した。図5(b)に、そのポジ型の濃度分布マスク2を用いてポジ型の感光性レジスト材料層20を露光する場合の露光光の強度分布のシミュレーション結果の平面図を示す。図5(c)に、図5(b)の直線Aの部分の露光光の強度を縦軸であらわすグラフを示し、図5(d)に、図5(b)の直線Bの部分の露光光の強度を縦軸であらわすグラフを示す。図5(b)、(c)、(d)に示すように、露光光の強度分布は、単位レンズ毎に3次元的なお椀形(凹状)の湾曲面の光強度分布が非対称な形に形成された。これにより、ポジ型の感光性レジスト材料層20を露光し、現像することで非対称な凸状の単位レンズの配列が、マイクロレンズアレイ1の中心に関して対称に配置されたマイクロレンズアレイ1が形成される。
以下、この濃度分布マスク2を用いてカラー撮像デバイス10にマイクロレンズアレイ1を製造する方法について、図6と図1を参照し詳細に説明する。先ず、図6(a)に示すように、複数のCMOSの撮像デバイス10のパターンが形成された半導体基板11を用いる。この撮像デバイス10は受光素子12の配列から成り、個々の受光素子12に対応する各画素のサイズは、長方形もしくは正方形等の四角形状で寸法が略0.5μm〜略100μmの範囲であり、例えば略0.8μm〜略2.7μmの画素の撮像デバイス10が形成された半導体基板11を用いる。
次に、図6(b)に示すように、半導体基板11の表面に熱硬化型のアクリル系樹脂をスピンコートにより塗布した後に加熱して熱硬化させることにより略0.1μmの厚さの平坦化層13を形成する。
(工程2)
次に、図6(c)に示すように、平坦化層13の上に、個々の受光素子12に対応した個々の画素で、厚さが略1μmの緑,青,そして赤の3色の画素14g、14b、14rから成るカラーフィルター層14を形成する。この3色のカラーフィルター層14の画素14g、14b、14rは、平坦化層13の上の全面に均一に夫々の色のネガ型あるいはポジ型のカラーレジスト層を順次形成し、所望の受光素子12に対応した位置にのみ夫々の色のカラーフィルター層14の画素14g、14b、14rが残るようフォトリソグラフィー法により形成する。
次には、図6(d)に示すように、カラーフィルター層14上に感光性レジスト材料層20を形成する。感光性レジスト材料層20は、カラーフィルター層14上にアクリル系樹脂やフェノール系樹脂やスチレン系樹脂を主体とするポジ型感光性レジスト材料をスピ
ンコーターで1000〜2000rpmでコートし、約100℃で約2秒間プリベークすることで略0.7〜1μmの厚さに形成する。
次に、図6(e)に示すように、感光性レジスト材料層20を、現像後に対応する受光素子12上のカラーフィルター層14のカラーフィルター層14の画素14g、14b、14r上に図1に示すマイクロレンズアレイ1の単位レンズ1g、1b、1rが形成されるように濃度分布マスク2を用いて、ステッパーで露光する。この各濃度分布マスク2は、5倍レチクルであり、感光性レジスト材料層20の表面に露光するパターンの寸法の5倍の大きさの寸法のパターンを用い、半導体基板11の領域(1)の感光性レジスト材料層20の表面に濃度分布マスク2のパターンを1/5に縮小して、紫外線域の365nmの波長の光を200〜300mJ/cm2の露光量で照射する。
次に、その感光性レジスト材料層20を、有機アルカリ現像液(TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液:液濃度0.05重量%)を用いて現像する。
(工程6)
次に、現像後に残った感光性レジスト材料層20に365nmの波長の光を200〜2500mJ/cm2の露光量で照射することで、次の加熱処理によってマイクロレンズを形成する樹脂の熱だれが生じない程度に感光性レジスト材料層20を仮硬化させる。最後に、ホットプレートを使用して、3分間の160℃の加熱処理と、それに続く6分間の200℃の加熱処理とでベークすることで、図1のように単位レンズ1r、1g、1bを硬化させる。
1g、1b、1r・・・(マイクロレンズ)単位レンズ
2・・・濃度分布マスク
3・・・単位レンズの濃度分布パターン
4・・・遮光パターン
4a・・・格子点
5、5a、5b、5c、5d・・・階調境界円
6、6a、6b、6c、6d・・・環状領域
10・・・撮像デバイス
11・・・半導体基板
12・・・受光素子
13・・・平坦化層
14・・・カラーフィルター層
14g、14b、14r・・・カラーフィルター層の画素
20・・・感光性レジスト材料層
Claims (5)
- 単位レンズを複数配列したマイクロレンズアレイを形成するための、格子点上に遮光パターンを設置して成る濃度分布マスクにおいて、前記濃度分布マスクの個々の単位レンズの中心から同心円状に形成した階調境界円が、同じ寸法の前記階調境界円を一体の集合にし前記マイクロレンズアレイの中心に対して前記集合毎に異なる倍率で各階調境界円の中心座標を拡大縮小するシュリンク処理を行い、前記階調境界円により分割された前記単位レンズの環状領域毎に、階調に応じた寸法の遮光パターンを格子点上に設置したことを特徴とする濃度分布マスク。
- 請求項1に記載の濃度分布マスク、の製造方法において、個々の前記単位レンズの中心から同心円状の階調境界円を形成する工程と、同じ寸法の前記階調境界円を一体の集合にし、前記マイクロレンズアレイの中心に対して各階調境界円の中心座標を拡大縮小するシュリンク処理を前記集合毎に拡大縮小倍率を変えて行なう工程と、前記階調境界円により前記単位レンズの領域を環状領域に分割し、前記環状領域内における格子点上に千鳥足状に、前記環状領域の階調に応じた寸法の遮光パターンを設置する工程を有することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法。
- 請求項2に記載の、濃度分布マスクの製造方法において、前記シュリンク処理が、前記単位レンズの中心に近い前記階調境界円の集合ほど大きく拡大縮小することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法。
- 請求項1に記載の濃度分布マスクを用いて、基板上に塗布した感光性レジスト材料層に、前記濃度分布マスクのパターンを露光し、前記感光性レジスト材料層を現像することで非対称な形の前記単位レンズの配列を有する前記マイクロレンズアレイを製造する工程を有することを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
- 請求項4に記載のマイクロレンズアレイの製造方法において、前記基板が、撮像デバイスの半導体基板上にカラーフィルター層を形成して成る基板であることを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
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