JP5286821B2 - マイクロレンズアレイの製造方法及び濃度分布マスク - Google Patents
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Description
(1)前記のような3次元構造を製作するために、その3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、基板上での各ポイントの感光性材料の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過する矩形遮光パターンを設計する計算シミュレーション工程。
(2)透明基板上に遮光膜を形成し、さらにその上にマスク用感光性材料層をもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって前記の設計された矩形遮光パターンに基づいて露光し、現像してマスク用感光性材料パターンを形成するパターン化工程。
(3)形成されたマスク用感光性材料パターンをマスクとして前記遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングし、矩形遮光パターンを形成する工程。
(4)次いで必要により、工程(3)で形成された遮光パターンを工程(1)で設計された矩形遮光パターンと比較し、両者が一致するように前記形成された濃度分布マスクの遮光パターンを修正する工程。
ら周辺まで同心円状に階調を変化させたパターンであることを特徴とする濃度分布マスクである。
マイクロレンズアレイ1を形成するための第1の濃度分布マスク2及び第2の濃度分布マスク3は、実際に形成するパターンの5倍や4倍や1.25倍の寸法に形成し、パターン露光時に、縮小投影型露光装置(ステッパー)で縮小して、露光光の波長以下の寸法のパターンにして投影する。あるいは、濃度分布マスク2及び3を実際に形成するパターンと同じ縮尺の寸法に形成し、マスクアライナーで濃度分布マスクのパターンを半導体基板11に、コンタクト露光あるいはプロキシミティ露光しても良い。
スク2のパターンの一部を平面図で示す。すなわち、図2には、単位レンズを形成するための濃度分布パターン2aを9個配置した部分を示す。図2(a)はネガ型の第1の濃度分布マスク2を示し、図2(b)はポジ型の第1の濃度分布マスク2を示す。すなわち、マイクロレンズアレイ1形成用の第1の濃度分布マスク2は、図2中の2aで囲まれた領域中の複数の矩形の遮光パターン4で1個の単位レンズを形成する。遮光パターン4は、図2(a)のネガ型の第1の濃度分布マスク2において光を遮る矩形の点(ドット)状のパターンである。
(1)マイクロレンズアレイ1を製作するために、そのマイクロレンズアレイ1の3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、半導体基板11上での各ポイ
ントの感光性レジスト材料層20の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過するように矩形の遮光パターン4の大きさを設計する。
(2)透明基板上にCr等の金属もしくは金属酸化物遮光膜を形成し、さらにその上にマスク用感光性レジストをもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって前記の設計された矩形の遮光パターン4を形成するように露光し、現像してマスク用感光性レジストのパターンを形成する。
(3)形成されたマスク用感光性レジストのパターンをエッチングマスクとして前記遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングし、図2のような遮光パターン4を形成する。
(4)次いで必要に応じ、工程(3)で形成された遮光パターン4を工程(1)で設計された遮光パターン4と比較し、両者が一致するように、濃度分布マスクに形成された遮光パターン4の寸法を修正する。
マイクロレンズアレイ1を形成するのにポジ型の感光性レジスト材料層20を用いるときの第1の濃度分布マスク2の平面図を図3(a)に示す。第1の濃度分布マスク2は、合成石英ガラス基板からなる透明基板上にマイクロレンズの個々の単位レンズの濃度分布パターン2aを形成し、単位レンズ毎に同心円状の階調を順次変化させるように形成した濃度分布マスクである。第1の濃度分布マスク2は、その露光に重ねて第2の濃度分布マスク3で露光する用途に合わせて、通常のマイクロレンズアレイ1形成用の濃度分布マスクよりも透過光量を低くしたパターンを形成したマスクを用いることが可能である。また、露光量を弱くして、通常のマイクロレンズアレイ1形成用の濃度分布マスクと同等の第1の濃度分布マスク2と第2の濃度分布マスク3の露光を重ねて行うことも可能である。
マイクロレンズアレイ1の単位レンズの頂点を結んで得られる仮想面である頂点面を湾曲させるための湾曲形成用のポジ型の第2の濃度分布マスク3の平面図を図4(a)に示す。第2の濃度分布マスク3は、マイクロレンズを形成する領域を覆うようマイクロレンズアレイ1の領域に渡り、同心円状に階調(グレースケール)を順次変化させる。すなわち、第2の濃度分布マスク3は、半導体基板11の個々の撮像デバイス10のマイクロレンズアレイの領域の中心からその領域の周辺まで同心円状に階調を変化させることで、各単位レンズの頂点を結ぶことで得られる仮想面としての頂点面を湾曲させる。図4(b)に、湾曲形成用のポジ型の第2の濃度分布マスク3でポジ型感光性レジスト材料層20を露光する際に、図4(a)のB−B'部を通過し、感光性レジスト材料層20に照射される光の強度分布の例を示す。すなわち、基板上の感光性レジスト材料層20には、それへ
の露光光の光強度分布のグラフが3次元的に湾曲した裾野を有する山状となった湾曲面を成す光強度分布の光が照射される。
以下、この第1の濃度分布マスク2と第2の濃度分布マスク3を用いてカラー撮像デバイス10にマイクロレンズアレイ1を製造する方法について、図7と図1を参照し詳細に説明する。先ず、図7(a)に示すように、複数のCMOSタイプの受光素子12が形成された半導体基板11を用いる。この撮像デバイス10は受光素子12の配列から成り、個々の受光素子12に対応する各画素のサイズは、長方形もしくは正方形等の四角形状で寸法が略0.5μm〜略100μmの範囲であり、例えば略0.8μm〜略2.7μmの画素の領域が形成された撮像デバイス10となる。なお、基板上には一台分の撮像デバイス10に使用される基板が面付けして形成されているが、説明の都合上、図7(a)から図7(e)ではその一部を示している。
次に、図7(b)に示すように、半導体基板11の表面に熱硬化型のアクリル系樹脂をスピンコートにより塗布した後に加熱して熱硬化させることにより略0.1μmの厚さの平坦化層13を形成する。
次には、図7(c)に示すように、平坦化層13の上に、個々の受光素子12に対応し
た個々の画素領域として、厚さが略1μmの緑,青,そして赤の3色のカラーフィルターの画素14g、14b、14rから成るカラーフィルター層14を形成する。この3色のカラーフィルターの画素14g、14b、14rは、平坦化層13の上の全体に均一に順次形成した夫々の色のネガ型カラーレジスト層から所望の受光素子12に対応した位置にのみ残るようフォトリソグラフィー法により形成する。あるいは、夫々の色のポジ型カラーレジスト層から所望の受光素子12に対応した位置にのみ夫々の色のカラーフィルターの画素14g、14b、14rが残るようフォトリソグラフィー法によりカラーフィルター層14を形成することもできる。
次には、図7(d)に示すように、カラーフィルター層14上に感光性レジスト材料層20を形成する。感光性レジスト材料層20は、カラーフィルター層14上にアクリル系樹脂やフェノール系樹脂やスチレン系樹脂を主体とするポジ型感光性レジスト材料をスピンコーターで1000〜2000rpmでコートし、約100℃で約2秒間プリベークすることで略0.7〜1μmの厚さに形成する。
次に、図7(e)に示すように、感光性レジスト材料層20を、現像後に対応する受光素子12上のカラーフィルター層14のカラーフィルターの画素14g、14b、14r上に図1に示すマイクロレンズアレイ1の単位レンズ1g、1b、1rが形成されるように濃度分布マスクで露光する。
ジスト材料層20に重ねて、第2の濃度分布マスク3のパターンを露光し、同時に新たな感光性レジスト材料層20上に第1の濃度分布マスク2のパターンを新たに露光する。こうして、半導体基板11上に第1の濃度分布マスク2のパターンに重ねて、第2の濃度分布マスク3のパターンを露光し、露光を重ね合わせた露光強度分布で感光性レジスト材料層20を露光する。これにより、一枚の大きな基板上に一台分の撮像デバイス10に使用する基板を複数面付けして露光することができる。
次に、その感光性レジスト材料層20を、有機アルカリ現像液(TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液:液濃度0.05重量%)を用いて現像する。
次に、図1のように、現像後に残った感光性レジスト材料層20に365nmの波長の光を200〜2500mJ/cm2の露光量で照射することで、次の加熱処理によってマイクロレンズを形成する樹脂の熱だれが生じない程度に感光性レジスト材料層20を仮硬化させる。最後に、ホットプレートを使用して、3分間の160℃の加熱処理と、それに続く6分間の200℃の加熱処理とでベークすることで単位レンズ1g、1b、1rを硬化させる。
(工程7)
その後、複数の基板が面付けして形成された基板に断裁を行い、個々の基板への分離を行う。
にわたる3次元的な山形(凸状)の湾曲面の光強度分布で露光し、出来上がった各単位レンズの頂点を結んだ頂点面を凹面にしたマイクロレンズアレイ1を形成することができる。すなわち、第2の濃度分布マスク3を介したパターン露光によって得られる、単位レンズが乗る下地の形状を3次元的に湾曲した椀状(凹状)にする。あるいは逆に、中心から外側に向かって濃度を濃くするように階調を変化させたパターンを用いることで、第2の濃度分布マスク3を介した露光光の強度分布のグラフはマイクロレンズアレイ1の領域にわたる3次元的なお椀形(凹状)の湾曲面の光強度分布で露光し、出来上がった各単位レンズの頂点を結んで形成する頂点面を凸面にしたマイクロレンズアレイ1も形成できる。すなわち、単位レンズによって集光される光の集光方向の仕様によっては、第2の濃度分布マスク3を介したパターン露光によって得られる、単位レンズが乗る下地の形状を3次元的な山状(凸状)としても構わない。
1g、1b、1r・・・(マイクロレンズ)単位レンズ
2・・・(個々の単位レンズ形成用の)第1の濃度分布マスク
2a・・・単位レンズの濃度分布パターン
3・・・湾曲形成用の(ポジ型の)第2の濃度分布マスク
4・・・遮光パターン
5・・・複合マスク
10・・・撮像デバイス
11・・・半導体基板
12・・・受光素子
13・・・平坦化層
14・・・カラーフィルター層
14g、14b、14r・・・カラーフィルターの画素
20・・・感光性レジスト材料層
Claims (2)
- 1枚のレチクルに、1台の撮像デバイスのマイクロレンズアレイ用の第1の濃度分布マスクのパターンと、前記マイクロレンズアレイ用の第2の濃度分布マスクのパターンとを1台の撮像デバイスの領域分ずらして形成した複合パターンを有する濃度分布マスクを用い、
前記第1の濃度分布マスクのパターンが、前記マイクロレンズアレイの個々単位レンズ毎に同心円状に階調を変化させたパターンであり、
前記第2の濃度分布マスクのパターンが、1台の撮像デバイス用のマイクロレンズアレイの領域において中心から周辺まで同心円状に階調を変化させたパターンであり、
前記撮像デバイスを複数形成する半導体基板上の感光性レジスト材料層へ、前記複合パターンを有する濃度分布マスクのパターンを露光して潜像を形成し、
次に、前記複合パターンを有する濃度分布マスクの露光位置を1台の撮像デバイスの領域分ずらしつつ順次に前記感光性レジスト材料層へ露光することで、前記感光性レジスト材料層に各撮像デバイス用の領域毎に第1の濃度分布マスクのパターンの露光による潜像と第2の濃度分布マスクのパターンの露光による潜像を重ねたマイクロレンズアレイ用の潜像を形成し、
次に、前記感光性レジスト材料層を現像することで1台の撮像デバイス毎のマイクロレンズアレイを、前記単位レンズの頂点を結んだ頂点面を湾曲させて形成することを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。 - 1枚のレチクルに、1台の撮像デバイスのマイクロレンズアレイ用の第1の濃度分布マスクのパターンと、前記マイクロレンズアレイ用の第2の濃度分布マスクのパターンとを1台の撮像デバイスの領域分ずらして形成した複合パターンを有し、前記複合パターンの前記第1の濃度分布マスクのパターンが、前記マイクロレンズアレイの個々単位レンズ毎に同心円状に階調を変化させたパターンであり、前記第2の濃度分布マスクのパターンが、1台の撮像デバイス用のマイクロレンズアレイの領域において中心から周辺まで同心円状に階調を変化させたパターンであることを特徴とする濃度分布マスク。
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