JP2009031400A - 濃度分布マスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】隣接する単位レンズを形成するレンズパターンの間にスリットパターンが形成され、各レンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できることを特徴とする。
【選択図】図5
Description
(1)前記のような3次元構造を製作するために、その3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、基板上での各ポイントの感光性材料の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過する遮光膜パターンを設計する計算シミュレーション工程。
(2)透明基板上に遮光膜が形成され、さらにその上にマスク用感光性材料層をもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって前記の設計された遮光膜パターンに基づいて露光し、現像してマスク用感光性材料パターンを形成するパターン化工程。
(3)形成されたマスク用感光性材料パターンをマスクとして前記遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程。
(4)次いで必要により、工程(3)で形成された遮光膜パターンを工程(1)で設計された遮光膜パターンと比較し、両者が一致するように前記形成された遮光膜マスクパターンを修正する工程。
ないが、描画するのに多量のデータ量が必要になる。さらに言えば、円形の遮光膜パターンを各々の単位セルの中央に描画する必要があるが、その位置すなわちアドレスを指定するデータ量も膨大なものになる。
が複数存在することになり、かつ、各焦点ではスポット光(一点に集光)とならずスリット光(矩形状に集光)となる。
が形成され、各単位レンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できる。
(1)レンズアレイを製作するために、そのレンズアレイの3次元構造を基に露光時の露光量の全体的な光強度分布を計算し、基板上での各ポイントの感光性材料の除去量をシミュレーションで計算し、除去量に見合った光を透過する遮光膜パターンを設計する。
(2)透明基板上に遮光膜を形成し、さらにその上にマスク用感光性材料層をもつマスクブランクスに電子線またはレーザー光線によって前記の設計された遮光膜パターンに基づいて露光し、現像してマスク用感光性材料パターンを形成する。
(3)形成されたマスク用感光性材料パターンをマスクとして前記遮光膜をドライエッチング又はウエットエッチングし、遮光膜パターンを形成する。
(4)次いで必要に応じ、工程(3)で形成された遮光膜パターンを工程(1)で設計された遮光膜パターンと比較し、両者が一致するように前記形成された遮光膜マスクパターンを修正する。
、マスクの正方形状パターンおよびスリットパターンが光を透過し、正方形状パターンおよびスリットパターンのない領域は遮光部とした場合を想定している。また、透過率は垂直軸の下方を正方向としている。図4、図5で示したように単位レンズを形成するための各パターンの間にスリットパターンを形成することによって、図7、図8で示すように、単位レンズパターンの中央に比べ、単位レンズパターン端部近傍では透過率の変化を激しくすることができ、急激に透過率が高くなる。このような透過率を有するマスクを用いて製造されたレンズの形状を測定した結果の例を図9、図10に示す。なお、各単位レンズを形成する正方形状パターンのうち最外周の正方形状パターンはスリットパターンに含まれ、又は、オーバーラップもしくは接していても構わない。
クの白黒を反転したものを形成すればよい。また、濃度分布パターンの形成は大きさの異なった矩形状パターンを互い違いに配置することによったが、特にこれにこだわるものではなく、矩形に代えて多角形や円形などの図形を、種々の配置で形成してよい。また、スリットパターンや、レンズパターンの四隅に形成するバターンの幅は、求められるレンズ端部の曲率に応じ、適宜設定して構わない。
12・・・マイクロレンズ
13・・・光電変換部
15・・・遮光膜
16・・・光電変換部
17・・・従来のレンズ
27・・・本発明の例のレンズ
Claims (3)
- 基板上に感光性レジストを塗布し濃度分布マスクを用いて感光性レジストにパターン露光、現像するフォトリソ工程により、平面視略矩形状の単位のレンズをアレイ状に配置したマイクロレンズを形成するための濃度分布マスクにおいて、隣接する単位レンズを形成するレンズパターンの間にスリットパターンが形成され、各単位レンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できることを特徴とする濃度分布マスク。
- 基板上に感光性レジストを塗布し濃度分布マスクを用いて感光性レジストにパターン露光、現像するフォトリソ工程により、平面視略矩形状の単位のレンズをアレイ状に配置したマイクロレンズを形成するための濃度分布マスクにおいて、単位のレンズを形成するレンズパターンの四隅のパターンは四隅近傍のパターンに比し大きいパターンで形成され、各単位のレンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できることを特徴とする濃度分布マスク。
- 基板上に感光性レジストを塗布し濃度分布マスクを用いて感光性レジストにパターン露光、現像するフォトリソ工程により、平面視略矩形状の単位のレンズをアレイ状に配置したマイクロレンズを形成するための濃度分布マスクにおいて、隣接する単位レンズを形成するレンズパターンの間にスリットパターンが形成され、単位のレンズを形成するレンズパターンの四隅のパターンは四隅近傍のパターンに比し大きいパターンで形成され、各単位のレンズの対角方向の端部近傍は中央部と同等の球面曲率であるマイクロレンズを形成できることを特徴とする濃度分布マスク。
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JP2007193138A JP2009031400A (ja) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 濃度分布マスク |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011158894A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-08-18 | Canon Inc | フォトマスクデータの生成方法、その作製方法、そのためのプログラム、固体撮像装置の製造方法、および、マイクロレンズアレイの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005352142A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | 光学素子アレイの製造方法およびリソグラフィ用マスク |
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- 2007-07-25 JP JP2007193138A patent/JP2009031400A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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JP2005352142A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | 光学素子アレイの製造方法およびリソグラフィ用マスク |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011158894A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-08-18 | Canon Inc | フォトマスクデータの生成方法、その作製方法、そのためのプログラム、固体撮像装置の製造方法、および、マイクロレンズアレイの製造方法 |
US8354206B2 (en) | 2010-01-07 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of generating photomask data, method of fabricating photomask, non-transitory memory medium storing program for generating photomask data, method of manufacturing solid-state image sensor having microlens array and method of manufacturing microlens array |
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