JP2014505368A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Download PDF

Info

Publication number
JP2014505368A
JP2014505368A JP2013550758A JP2013550758A JP2014505368A JP 2014505368 A JP2014505368 A JP 2014505368A JP 2013550758 A JP2013550758 A JP 2013550758A JP 2013550758 A JP2013550758 A JP 2013550758A JP 2014505368 A JP2014505368 A JP 2014505368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
illumination
beam deflection
illumination system
angular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013550758A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6016169B2 (ja
Inventor
マルクス デギュンター
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2014505368A publication Critical patent/JP2014505368A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6016169B2 publication Critical patent/JP6016169B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70083Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系は、複数の光入射ファセット(100)を有する光学インテグレーター(60)と、反射性又は透過性のビーム偏向要素(40)のビーム偏向アレイ(38)とを含む。各ビーム偏向要素(40)は、ビーム偏向要素(40)によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で光学インテグレーター(60)上のスポット(98)を照明するように構成される。更に、照明系は、光入射ファセット(100)のうちの少なくとも1つの上のスポット(98)から組み立てられる光パターン(108,114,118)が、マスク平面(88)内の角度的照度分布の視野依存性を修正すべきであるという入力指令に応答して変更されるように、ビーム偏向要素(40)を制御するように構成された制御ユニット(90)を含む。
【選択図】図3

Description

本発明は、一般的に、マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明系に関し、特に、瞳平面に照度分布を定義するミラーアレイ又は他のビーム偏向要素を含む系に関する。本発明は、そのような照明系を作動させる方法にも関する。
マイクロリソグラフィ(フォトリソグラフィ又は単純にリソグラフィとも呼ばれる)は、集積回路、液晶ディスプレイ、及び他の微細構造デバイスの製作のための技術である。マイクロリソグラフィ処理は、エッチング処理と共に基板、例えば、シリコンウェーハ上に形成された薄膜積層体内に特徴部をパターン形成するのに使用される。製作の各層では、最初に、ウェーハが、深紫外(DUV)光のような放射線に敏感な材料であるフォトレジストで被覆される。次に、フォトレジストを上部に有するウェーハが、投影露光装置内で投影光に露光される。この装置は、パターンを含むマスクをフォトレジスト上にフォトレジストがマスクパターンによって決定されるある一定の場所においてのみ露光されるように投影する。露光の後にフォトレジストは現像され、マスクパターンに対応する像が生成される。次に、エッチング処理が、パターンをウェーハ上の薄膜積層体内に転写する。最後に、フォトレジストが除去される。異なるマスクを用いたこの工程の繰返しにより、多層微細構造化構成要素がもたらされる。
投影露光装置は、典型的には、マスクを照明するための照明系と、マスクを整列させるためのマスク台と、投影対物系と、フォトレジストで被覆されたウェーハを整列させるためのウェーハアラインメント台とを含む。照明系は、例えば、矩形又は湾曲スリットの形状を有することができるマスク上の視野を照明する。
現在の投影露光装置では、2つの異なるタイプの装置の間で区別を付けることができる。1つのタイプでは、ウェーハ上の各ターゲット部分は、マスクパターン全体をターゲット部分の上に1回で露光することによって照射される。そのような装置は、一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般的にステップアンドスキャン装置又はスキャナと呼ばれる他方のタイプの装置では、各ターゲット部分は、マスクパターンを投影ビームの下で走査方向に沿って徐々に走査し、同時に基板をこの方向と平行又は反平行に移動することによって照射される。ウェーハの速度とマスクの速度の比は、通常は1よりも小さく、例えば、1:4である投影対物系の倍率に等しい。
「マスク」(又はレチクル)という用語は、パターン形成手段として広義に解釈されることは理解されるものとする。一般的に使用されるマスクは、透過性又は反射性のパターンを含み、例えば、2値型、交互位相シフト型、減衰位相シフト型、又は様々な混成マスクタイプのものとすることができる。しかし、能動マスク、例えば、プログラマブルミラーアレイとして達成されるマスクもある。更に、プログラマブルLCDアレイを能動マスクとして使用することができる。
微細構造デバイスを製造するための技術が進歩すると、照明系に対しても絶えず高まる要求が存在する。理想的には、照明系は、マスク上の照明視野の各点を明確に定義された照度分布及び角度分布を有する投影光で照明する。角度分布という用語は、マスク平面内の特定の点に向けて収束する光束の合計光エネルギが、光束を構成する光線の様々な方向の間で如何に配分されるかを表している。
マスク上に入射する投影光の角度分布は、通常、フォトレジスト上に投影されるパターンの種類に適合される。例えば、比較的大きいサイズの特徴部は、小さいサイズの特徴部とは異なる角度分布を必要とする場合がある。最も一般的に使用される投影光角度分布は、従来照明設定、輪帯照明設定、二重極照明設定、及び四重極照明設定と呼ばれる。これらの用語は、照明系の系瞳平面内の照度分布を意味する。例えば、輪帯照明設定では、系瞳平面内の環状領域しか照明されない。この場合、投影光角度分布において小さい角度範囲しか存在せず、従って、全ての光線は、マスク上に類似の角度で傾斜して入射する。
当業技術では、望ましい照明設定を得るために、マスク平面内の投影光角度分布を修正する異なる手段が公知である。最も単純な場合には、照明系の瞳平面に1つ又はそれよりも多くの開口を含む絞り(遮光器)が位置決めされる。瞳平面内の場所は、マスク平面のようなフーリエ関係にある視野平面内の角度に変換されるので、系瞳平面内の開口のサイズ、形状、及び場所は、マスク平面内の角度分布を決定する。しかし、照明設定のいずれの変更も絞りの入れ替えを必要とする。それによって僅かに異なるサイズ、形状、又は場所を有する開口を有する非常に多数の絞りを必要とすることになるので、最終的に照明設定を調節することが困難になる。更に、絞りの使用は、装置の収量を低下させる光失損を余儀なくもたらす。
従って、多くの一般的な照明系は、瞳平面の照明を連続して少なくともある一定の程度まで変更することを可能にする調節可能要素を含む。最近、瞳平面を照明するミラーアレイを使用することが提案されている。
EP 1 262 836 A1では、このミラーアレイは、1000個よりも多い微小ミラーを含むマイクロ電気機械系(MEMS)として達成されている。これらのミラーの各々は、互いに対して垂直な2つの異なる平面内で傾斜させることができる。従って、そのようなミラーデバイス上に入射する放射線を(実質的に)あらゆる望ましい半球方向に反射することができる。ミラーアレイと瞳平面の間に配置されたコンデンサーレンズが、これらのミラーによって生成された反射角を瞳平面内の位置に変換する。この公知の照明系は、各々が1つの特定の微小ミラーに関連付けられ、このミラーを傾斜させることによって瞳平面にわたって自由に移動可能な複数の円形スポットで瞳平面を照明することを可能にする。
類似の照明系は、US 2006/0087634 A1、US 7,061,582 B2、及びWO 2005/026843 A2から公知である。
WO 2010/006687 A1に開示されている照明系は、マスク平面内の角度的照度分布だけでなく、空間照度分布も決定するミラーアレイを用いている。この目的のために、ミラーは、光学インテグレーターの光入射ファセット上に異なる光パターンを生成することができる程に小さいスポットを生成する。これらの光入射ファセットは、マスク平面と光学的に共役であるので、光入射ファセット上に生成される特定の光パターンは、マスク平面に直接に結像される。照明系内での調節可能ブレードの必要性を排除するために、照明視野の幾何学形状を変更する機能を使用することができる。そのようなブレードは、スキャナ型の装置において、各走査サイクルの開始時点と終了時点に照明視野を走査方向に沿って拡大又は縮小するのに使用される。また、所定の時点で、滑らかな分布を有する空間照度分布を生成するために、異なる光入射ファセットを異なる光パターンで照明することかできることも説明されている。
EP 1 262 836 A1 US 2006/0087634 A1 US 7,061,582 B2 WO 2005/026843 A2 WO 2010/006687 A1 US 2009/0116093 A1
E.Delanoの論文「1次設計及びy,y図(First−order Design and the y,y Diagram)」、応用光学、1963年、第2巻第12号、1251〜1256ページ
本発明の目的は、照明視野の幾何学形状を変更することだけでなく、マスク平面での角度的光分布の異なる視野依存性を生成することも可能にする照明系を提供することである。
本発明により、この目的は、瞳平面と、照明されるマスクを配置することができるマスク平面と、光学インテグレーターとを含む照明系によって達成される。光学インテグレーターは、瞳平面に位置する複数の2次光源を生成するように構成される。光学インテグレーターは、各々が、2次光源のうちの1つに関連付けられた複数の光入射ファセットを有する。更に、照明系は、反射性又は透過性のビーム偏向要素のビーム偏向アレイを含むビーム偏向デバイスを含む。各ビーム偏向要素は、ビーム偏向要素によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置にスポットを光入射ファセット上で照明するように構成される。ビーム偏向要素によって照明されるスポットは、光入射ファセットのうちの少なくとも1つの最大合計面積よりも少なくとも5倍、好ましくは、少なくとも10倍、より好ましくは、少なくとも20倍小さい合計面積を有する。本発明により、光入射ファセットのうちの少なくとも1つの上のスポットから組み立てられる光パターンが、マスク平面上の角度的照度分布の視野依存性を修正すべきであるという入力指令に応答して変更されるように、ビーム偏向要素を制御するように構成された制御ユニットが設けられる。
一般的にそのような入力指令は、異なる特徴部パターンを含む新しいマスクが投影される場合、又は角度的照度分布の視野依存性の微調節を実施することにより、既存のマスクを用いて結像品質を改善しようと試みられる場合に、投影露光装置全体の作動を調整する全体系制御器によって出されることになる。
本発明は、光入射ファセット上に異なる光パターンを生成する機能を異なる幾何学形状の照明視野を生成するのに使用するだけでなく、角度的照度分布の異なる視野依存性を生成するのに使用することができるという概念に基づいている。上述のWO 2010/006687 A1に説明されているように、角度的照度分布に対する効果を無視することができるように、異なる光パターンが生成される光入射ファセットを空間的に「混合」する代わりに、本発明は、同じく照明される光入射ファセットが望ましい照明設定に対応する構成で配置されるように、異なって照明される光入射ファセットを選択的に配置することを提案する。例えば、この構成は、同一部分が照明される光入射ファセットが、環状、いくつかの極、又は光軸を中心とする円盤の形態で配置されるようなものとすることができる。こうして、マスク上で異なる角度的照度分布を有するいくつかの部分を照明することができる。
例えば、制御ユニットは、照明系によってマスク平面に照明される照明視野の第1の部分に第1の角度的照度分布が生成され、照明視野の第2の部分に第1の角度的照度分布とは異なる第2の角度的照度分布が生成されるようにビーム偏向要素を制御するように構成することができる。
第1の部分は、第1の角度的照度分布が均一である2次元区域とすることができ、同じく第2の部分は、第2の角度的照度分布が均一である2次元区域とすることができる。
角度的照度分布のそのような視野依存性は、異なって構造化される部分、例えば、中心部分及び周囲部分が、異なる照明設定を必要とするダイを生成するのにこれらの部分を感光面上に最適な結像品質を伴って結像される場合に有利とすることができる。
2つの異なる角度的照度分布の間の移行が不連続(すなわち、階段状)であるように、第1の部分と第2の部分は重ならない場合がある。しかし、異なる角度的照度分布の間の(疑似)連続移行も、本発明による照明系を用いて容易に得ることができる。
照明視野は、X方向に沿って長い寸法を有し、X方向に対して垂直であって投影露光装置の走査方向と平行なY方向に沿って短い寸法を有することができる。この場合、第1の部分は、第2の部分と共通の少なくとも1つのY座標を有することができるが、第2の部分と共通のX座標を有することができない。言い換えれば、これらの部分は、走査方向に対して垂直なX方向に沿って互いに隣に配置される。
第1及び第2の角度的照度分布は、従来照明設定、角度照明設定、二重極照明設定、n≧3であるn極照明設定の群から採用される照明設定に関連付けることができる。
一実施形態において、照明系は、ビーム偏向デバイスと光学インテグレーターの間の光伝播経路に配置されて入射光を空間分解方式で透過又は反射するように構成された空間光変調器を含む。そのような光変調器は、マスクレベルで異なる角度的照度分布の間の非常に急な移行を提供することができるように、光入射ファセットの光パターンをより鮮明に定義するのに有利とすることができる。
この目的のために、空間光変調器は、反射性又は透過性のビーム偏向要素の更に別のビーム偏向アレイを含むことができる。更に別のビーム偏向アレイの各ビーム偏向要素は、入射光を光学インテグレーターの向きに誘導する「オン」状態と、入射光をあらゆる他の場所に誘導する「オフ」状態とにすることができる場合がある。デジタル切り換え特性を有するそのようなビーム偏向アレイは、デジタルミラーデバイス(DMD)として達成することができ、数十万個又は更に数百万個の個別マイクロミラーを含むことができる。
ビーム偏向アレイを含む空間光変調器が使用される場合には、照明系は、ビーム偏向アレイを光学インテグレーターの光入射ファセット上に結像する対物系を含むことができる。この場合、この対物系により、ビーム偏向要素の鮮明な縁部が、光学インテグレーターの光入射ファセット上に鮮明に結像される。
制御ユニットは、異なる非ゼロ照度を有する少なくとも2つの区域を含む光パターンが少なくとも1つの光入射ファセット上に生成されるようにビーム偏向要素を制御するように構成することができる。異なる照明設定において瞳平面内で照明される区域が重なり、かつ異なる合計サイズを有する場合には、2つ又はそれよりも多くの異なる照明設定が同時に生成される場合に段階的照度分布を有するそのような光パターンが余儀なく発生する。
一部の実施形態において、光学インテグレーターは、反射性又は回折性のマイクロレンズのアレイを含む。各マイクロ要素は、1つの光入射ファセットに関連付けられる。マイクロ要素は、例えば、マイクロレンズ又は回折光学要素として達成することができる。
ビーム偏向デバイスのビーム偏向要素は、ある一定の角度をその間に形成する2つの傾斜軸によって傾斜させることができるミラーとして構成することができる。別の実施形態において、ビーム偏向要素は、電気光学要素又は音響光学要素である。
上述した目的は、複数の光入射ファセットを有する光学インテグレーターと反射性又は透過性のビーム偏向要素のビーム偏向アレイとを含む照明系によっても達成される。各ビーム偏向要素は、ビーム偏向要素によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で光学インテグレーター上のスポットを照明するように構成される。制御ユニットは、光入射ファセットのうちの少なくとも1つの上のスポットから組み立てられる光パターンが、マスク平面内の角度的照度分布の視野依存性を修正することになる出力指令に応答して変更されるように、ビーム偏向要素を制御するように構成される。
本発明の第2の態様により、上述した目的は、瞳平面と、照明されるマスクを配置することができるマスク平面と、光学インテグレーターとを含む照明系によって本発明により達成される。光学インテグレーターは、瞳平面に位置する複数の2次光源を生成するように構成される。光学インテグレーターは、各々が2次光源のうちの1つに関連付けられた複数の光入射ファセットを有する。更に、照明系は、反射性又は透過性のビーム偏向要素のビーム偏向アレイを含むビーム偏向デバイスを含む。各ビーム偏向要素は、ビーム偏向要素によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で光入射ファセット上のスポットを照明するように構成される。ビーム偏向要素によって照明されるスポットは、光入射ファセットのうちの少なくとも1つの最大合計面積よりも少なくとも5倍、好ましくは、少なくとも10倍、より好ましくは、少なくとも20倍小さい合計面積を有する。本発明により、異なる非ゼロ照度を有する少なくとも2つの区域を含む光パターンが少なくとも1つの光入射ファセット上に生成されるようにビーム偏向要素を制御するように構成された制御ユニットが設けられる。
オペレータが、照明視野の幾何学形状を変更することだけでなく、マスク平面において角度的光分布の異なる視野依存性を生成することも可能にするマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法を提供することも本発明の目的である。
本発明によるとこの目的は、a)複数の光入射ファセットを有する光学インテグレーターを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を準備する段階と、b)光学インテグレーターの光入射ファセット上に個々のスポットから組み立てられる光パターンを生成する段階と、c)マスク平面内の角度的照度分布の視野依存性を変更すべきであることを決定する段階と、d)光入射ファセット上の光パターンをスポットを再配列及び/又は除去及び/又は追加することによって変更する段階とを含む方法によって達成される。
本発明による照明系に関して上記に行った陳述は、変更すべきは変更して本方法にも適用される。
光パターンは、段階d)において、照明系によってマスク平面に照明される照明視野の第1の部分に第1の角度的照度分布が生成されるように変更することができる。照明視野の第2の部分には、第1の角度的照度分布とは異なる第2の角度的照度分布が生成される。
第1の部分は、第1の角度的照度分布が均一である2次元区域とすることができる。同じく第2の部分は、第2の角度的照度分布が均一である2次元区域とすることができる。
照明視野は、X方向に沿って長い寸法を有し、X方向に対して垂直であって投影露光装置の走査方向と平行なY方向に沿って短い寸法を有することができる。第1の部分は、第2の部分と共通の少なくとも1つのY座標を有することができるが、第2の部分と共通のX座標を有することができない。
段階a)において準備される照明系は、反射性又は透過性のビーム偏向要素のビーム偏向アレイを含むビーム偏向デバイスを含むことができる。
この場合、光パターンは、ビーム偏向要素によって生成される偏向角を変更することによって変更される。
スポットは、光入射ファセットのうちのいずれの最大合計面積よりも少なくとも5倍、好ましくは、少なくとも10倍、より好ましくは、少なくとも20倍小さい合計面積を有することができる。
光パターンは、段階d)において、異なる非ゼロ照度を有する少なくとも2つの区域を含む光パターンが少なくとも1つの光入射ファセット上に生成されるように変更することができる。
定義
本明細書では「光」という用語をあらゆる電磁放射線、特に、可視光、UV光、DUV光、VUV光、及びEUV光、並びにX線を表す上に使用する。
本明細書では「光線」という用語を線によって表すことができる伝播経路を有する光を表す上に使用する。
本明細書では「光束」という用語を視野平面に共通の起点を有する複数の光線を表す上に使用する。
本明細書では「光ビーム」という用語を特定のレンズ又は別の光学要素を通過する光を表す上に使用する。
本明細書では「位置」という用語を3次元空間内での物体の基準点の場所を表す上に使用する。通常は位置を3つの直交座標の組によって示している。従って、向き及び位置は、3次元空間内での物体の配置を完全に表している。
本明細書では「面」という用語を3次元空間内でのあらゆる平面又は曲面を表す上に使用する。面は、物体の一部とすることができ、又は通常は視野又は瞳平面においてそうであるように物体とは完全に別々のものとすることができる。
本明細書では「視野平面」という用語をマスク平面と光学的に共役な平面を表す上に使用する。
本明細書では「瞳平面」という用語をマスク平面内の異なる点を通過する周辺光線が交わる平面を表す上に使用する。当業技術で通例であるように、瞳平面が数学的な意味では実際には平面ではなく、厳密な意味では瞳面と呼ぶべき場合であっても、「瞳平面」という用語を使用する。
本明細書では「均一」という用語を位置に依存しない特性を表す上に使用する。
本明細書では「光学ラスター要素」という用語を各光学ラスター要素が複数の隣接する光学チャンネルのうちの1つに関連付けられるように他の同一又は類似の光学ラスター要素と共に配置されたあらゆる光学要素、例えば、レンズ、プリズム、又は回折光学要素を表す上に使用する。
本明細書では「光学インテグレーター」という用語をNAが開口数であり、aが照明視野面積である時に積NA・aを増大させる光学系を表す上に使用する。
本明細書では「コンデンサー」という用語を2つの平面、例えば、視野平面と瞳平面の間にフーリエ関係を確立する(少なくとも近似的に)光学要素又は光学系を表す上に使用する。
本明細書では「共役平面」という用語を結像関係がその間に確立される平面を表す上に使用する。共役平面の概念に関するより多くの情報は、「1次設計及びy,y図(First−order Design and the y,y Diagram)」という名称のE.Delanoの論文、応用光学、1963年、第2巻第12号、1251〜1256ページに説明されている。
本明細書では「視野依存性」という用語を物理量の視野平面内の位置に対するあらゆる関数的依存性を表す上に使用する。
本明細書では「空間照度分布」という用語を光が入射する実面又は虚面にわたって合計照度が如何に変化するかを表す上に使用する。通常、空間照度分布は、x,yが面内の点の空間座標である時に、関数Is(x,y)によって表すことができる。視野平面に適用された場合には、空間照度分布は、複数の光束によって生成される照度を必然的に積分する。
本明細書では「角度的照度分布」という用語を光束の照度が光束を構成する光線の角度に依存して如何に変化するかを表す上に使用する。通常、角度的照度分布は、α、βが光線の方向を表す角度座標である時に、関数Ia(α,β)によって表すことができる。角度的照度分布が視野依存性を有する場合には、Iaは、視野座標の関数にもなり、すなわち、Ia=Ia(α,β,x,y)である。
本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面と併せて以下の詳細説明を参照することによってより容易に理解することができるであろう。
本発明の一実施形態による投影露光装置の略斜視図である。 図1に示す投影露光装置によって投影されるマスクの拡大斜視図である。 図1に示す装置の一部である照明系を通る子午断面図である。 図3に示す照明系内に含まれるミラーアレイの斜視図である。 図3に示す照明系内に含まれる光学ラスター要素の2つのアレイの斜視図である。 図3に示す照明系内に代替的に含めることができる光学ラスター要素のアレイ上の上面図である。 図6に示すアレイの線VII−VIIに沿った断面図である。 ミラーアレイ、コンデンサー、及び光学ラスター要素のアレイのみを示す照明系の一部分を通る略子午断面図である。 光学ラスター要素の第1及び第2のマイクロレンズ並びにコンデンサーレンズを示す図3の拡大抜粋図である。 光学インテグレーターの光入射ファセット上の空間照度分布上の上面図である。 空間光変調器のミラーアレイ上に生成される照度分布上の上面図である。 図11に示し、かつ光学インテグレーターの4つの隣接光入射ファセット上に生成される照度分布の像の図である。 重要な方法段階を示す流れ図である。
I.投影露光装置の一般的構成
図1は、本発明による投影露光装置10の大幅に簡略化した斜視図である。装置10は、投影光ビームを生成する照明系12を含む。照明系12は、図1に細線として略示す複数の小さい特徴部19によって形成されたパターン18を含むマスク16上で視野14を照明する。この実施形態において、照明視野14は、環セグメントの形状を有する。しかし、他の形状、例えば、矩形の照明視野14も考えられている。
投影対物系20は、照明視野14内のパターンを基板24によって支持された感光層22、例えば、フォトレジスト上に結像する。シリコンウェーハによって形成することができる基板24は、感光層22の上面が投影対物系20の像平面に厳密に位置するようにウェーハ台(図示せず)上に配置される。マスク16は、投影対物系20の物体平面内にマスク台(図示せず)を用いて位置決めされる。投影対物系20は、|β|<1である倍率βを有し、照明視野14内のパターン18の縮小像18’が、感光層22上に投影される。
投影中に、マスク16及び基板24は、図1に示すY方向に対応する走査方向に沿って移動する。この場合、照明視野14は、照明視野14よりも大きいパターン形成領域を連続して結像することができるようにマスク16にわたって走査される。基板24の速度とマスク16の速度の間の比は、投影対物系20の倍率βに等しい。投影対物系20が像を反転させる場合(|β|<0)には、図1に矢印A1とA2とに示すように、マスク16と基板24は反対方向に移動する。一方、本発明は、マスクの投影中にマスク16及び基板24が移動しないステッパツールに対して使用することができる。
II.多重照明設定
図2は、マスク16の拡大斜視図である。このマスク上のパターン18は、Y方向に沿って互いに前後に配置された4つの等しいパターン区域18a、18b、18c、及び18dを含む。この実施形態において、各パターン区域18a、18b、18c、及び18dは、第1の部分181、第2の部分182、及び第3の部分183を含む。これらの部分181、182、183は、重ならないようにX方向に沿って互いに隣に配置される。これは、部分181、182、183が共通のX座標を持たないことを意味する。
簡略化のために、第1の部分181及び第3の部分183は、各々、X方向に沿って延びる特徴部19及びY方向に沿って延びる特徴部19を含むと仮定する。第2の部分は、Y方向に沿って延びる特徴部19のみを含む。
図2に示すマスク16は、単一の走査サイクル中に4つの等しいダイが順次露光される製造段階に対して使用することができる。ダイは、4つのパターン区域18a、18b、18c、及び18dに対応する。各ダイ上には、第2の部分182に対応する中心構造と、第1及び第3の部分181、183に対応する周辺構造とが生成されることになる。パターン区域18a、18b、18c、及び18dが4つのダイにリソグラフィ転写されるような走査サイクルが完了すると、走査方向が反転されるか、又はマスク16がいずれの照明も伴わずにその原位置に戻されるかのいずれかである。次に、別の組のダイを用いて更に別の走査サイクルが実施される。
最高の品質が望ましい場合には、一般的に異なるパターンは、マスクレベルにおいて異なる角度的照度分布を必要とする。この実施形態において、第2の部分182に配置され、Y方向に沿って延びる特徴部19が、感光層22上にX二重極照明設定を用いて最も適切に結像されると仮定する。図2では、第2の部分182のうちの1つの内部に位置する視野点に向けて収束する光束に関連付けられる瞳262を円で例示している。瞳262内では、X方向に沿って分離された2つの極27が、光がこの視野点に向けて伝播する方向を表している。特徴部19は、第2の部分182にわたって均一に配分されると仮定するので、第2の部分182内の各視野点において、このX二重極照明設定が生成されるはずである。
ダイの周辺構造に関連付けられた第1及び第3の部分181、183は、X方向に沿って延びる特徴部19と、更にY方向に沿って延びる特徴部19とを含む。これらの特徴部19では、輪帯照明設定が最良の像品質をもたらすと仮定する。図2は、第1及び第3の部分181及び183それぞれの内部にある視野点に向けて収束する光束に関連付けられた瞳261、263内で照明される2つの環状28を示している。従って、第1及び第3の部分181、183内の各視野点において、この輪帯照明設定が生成されるはずである。
これは、照明系12が、照明視野14の内部で2つの異なる照明設定を同時に横並びで生成することができなければならないことを意味する。
より一般的な用語を用いて説明すると、照明系12は、マスクレベルで角度的光分布の望ましい視野依存性を生成することができなければならない。これは、1つの視野依存性から別の視野依存性に変更する機能を含む。視野依存性Pは、角度的光分布が照明視野14内の位置に如何に依存するかを表している。例えば、α、βが入射角を表し、照明視野14内の直交座標x,yにおける角度的光分布が、関数Ia(a,β,x,y)によって与えられる場合に、視野依存性は、x,yにおけるテイラー展開の1組の展開係数aijによって(又はあらゆる他の適切な展開を用いて)表すことができる。
図2に示すマスクの場合には、展開係数は、Y方向に沿って延びて第2の部分182を第1及び第3の部分181、183から分離する分割線における急激な分布変化を表すことになる。
III.照明系の一般的構成
図3は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図3の図は大幅に簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。これは特に異なる光学ユニットを1つ又は非常に少数の光学要素だけによって表すことを意味する。実際にはこれらのユニットは、有意に多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。
照明系12は、ハウジング29と、図示の実施形態ではエキシマレーザとして達成される光源30とを含む。光源30は、約193nmの波長を有する投影光を放出する。他のタイプの光源30及び他の波長、例えば、248nm又は157nmも考えられている。
図示の実施形態において、光源30によって放出された投影光は、ビーム拡大ユニット32に入射し、ビーム拡大ユニット32は、拡大されてほぼ平行化された光束34を出力する。この目的のために、ビーム拡大ユニット32は、いくつかのレンズを含むことができ、又は例えばミラー配列として達成することができる。
次に、投影光ビーム34は、その後の平面に可変の空間照度分布を生成するのに使用される瞳定義ユニット36に入射する。この目的のために、瞳定義ユニット36は、アクチュエータを用いて2つの直交軸の回りに個々に傾斜させることができる非常に小さいミラー40の第1のミラーアレイ38を含む。図4は、光ビーム42、44が入射するミラー40の傾斜角に基づいて、2つの平行光ビーム42、44が異なる方向に如何に反射されるかを示す第1のミラーアレイ38の斜視図である。図3及び図4では、第1のミラーアレイ38は6×6個のミラー40のみを含むが、現実には、第1のミラーアレイ38は、数百個又は更に数千個のミラー40を含むことができる。
更に、瞳定義ユニット36は、両方共に照明系12の光軸OAに対して傾斜した第1の平面48aと第2の平面48bとを有するプリズム46を含む。これらの傾斜面48a、48bでは、入射光は、内部全反射によって反射される。第1の面48aは、入射光を第1のミラーアレイ38のミラー40に向けて反射し、第2の面48bは、ミラー40から反射された光をプリズム46の射出面49に向ける。この場合、第1のミラーアレイ38のミラーを個々に傾斜させることにより、射出面49から射出する光の角度的照度分布を変更することができる。瞳定義ユニット38に関する更なる詳細は、US 2009/0116093 A1から収集することができる。
瞳定義ユニット36によって生成される角度的照度分布は、第1のコンデンサー50を用いて空間照度分布に変換される。他の実施形態では省くことができるコンデンサー50は、入射光をデジタル空間光変調器52の向きに誘導し、デジタル空間光変調器52は、入射光を空間分解方式で反射するように構成される。この目的のために、デジタル空間光変調器52は、拡大抜粋図Cにおいて最も明快に理解することができるマイクロミラー56の第2のミラーアレイ54を含む。しかし、第1のミラーアレイ38のミラー40とは対照的に、第2のミラーアレイ54の各マイクロミラー56は、入射光を第1の対物系58を通じて光学インテグレーター60の向きに誘導する作動状態、すなわち、「オン」状態と、入射を光吸収面62の向きに誘導する「オフ」状態という2つの安定作動状態のみを有する。
第2のミラーアレイ54は、例えば、ビーマーにおいて一般的に使用されるデジタルミラーデバイス(DMD)として達成することができる。そのようなデバイスは、2つの作動状態の間で毎秒何千回も切り換えることができる数百万個にも上るマイクロミラーを含むことができる。
瞳定義ユニット36と同様に、空間光変調器52は、光軸OAと垂直に配置された入射面65と、両方共に照明系12の光軸OAに対して傾斜した第1の平面66a及び第2の平面66bとを有するプリズム64を更に含む。これらの傾斜面66a、66bでは、入射光は、内部全反射によって反射される。第1の面66aは、入射光を第2のミラーアレイ54のマイクロミラー56に向けて反射し、第2の面66bは、マイクロミラー56から反射された光をプリズム64の射出面68の向きに誘導する。
第2のミラーアレイ54の全てのマイクロミラー56が「オン」状態にある場合には、第2のミラーアレイ54は、実質的に平面ビーム折り返しミラーの効果を有する。しかし、1つ又はそれよりも多くのマイクロミラー56が「オフ」状態に切り換えられた場合には、射出面68から射出する光の空間照度分布は修正される。これを図11及び図12を参照して以下により詳細に説明する光学インテグレーター60上に生成される空間照度分布を切除するための方式に使用することができる。
既に上述したように、プリズム64の射出面68から射出する光は、第1の対物系58を通過して光学インテグレーター60上に入射する。第1の対物系58を通過する光はほぼ平行化されるので、第1の対物系58は、非常に低い開口数(例えば、0.01又は更にそれ以下)を有することができ、従って、少数の小さい球面レンズを用いて達成することができる。第1の対物系58は、第2のミラーアレイ54を光学インテグレーター60上に結像する。
光学インテグレーター60は、この実施形態において、光学ラスター要素74の第1のアレイ70と第2のアレイ72とを含む。図5は、2つのアレイ70、72の斜視図である。各アレイ70、72は、X方向及びY方向それぞれに沿って延びる1組の円柱レンズを支持板の各側に含む。2つの円柱レンズが交差する空間領域は、光学ラスター要素74を形成する。従って、各光学ラスター要素74は、円柱曲面を有するマイクロレンズと見なすことができる。円柱レンズの使用は、特に、光学ラスター要素74の屈折力がX方向とY方向に沿って異なる必要がある場合に有利である。
図6及び図7は、別の実施形態による光学ラスター要素74’の第1のアレイ70’を上面図及び線VII−VIIに沿った断面図それぞれに示している。この場合、光学ラスター要素74’は、矩形プロフィールを有する平凸レンズによって形成される。第2のアレイは、光学ラスター要素74’の凸面の曲率に関してのみ第1のアレイ70’と異なる。
図3を再度参照すると、第1及び第2のアレイ70、72それぞれの光学ラスター要素74は、第1のアレイ70の1つの光学ラスター要素74が第2のアレイ72の1つの光学ラスター要素74と1対1の対応で関連付けられるように互いに前後に配置される。互いに関連付けられた2つの光学ラスター要素74は、共通軸に沿って整列し、光学チャンネルを定義する。光学インテグレーター60の内部では、1つの光学チャンネル内を伝播する光ビームは、他の光学チャンネル内を伝播する光ビームと交差又は重ならない。言い換えれば、光学ラスター要素74に関連付けられた光学チャンネルは、互いから光学的に分離される。
この実施形態において、照明系12の瞳平面76は、第2のアレイ72の背後に位置するが、その前に同じく配置することができる。第2のコンデンサー78は、瞳平面76と調節可能視野絞り82が配置される視野絞り平面80との間にフーリエ関係を確立する。
視野絞り平面80は、光学インテグレーター60の第1のアレイ70の内部又はその直近に位置するラスター視野平面84と光学的に共役である。これは、ラスター視野平面84内の光学チャンネルの内部の各区域が、第2のアレイ72の関係する光学ラスター要素74及び第2のコンデンサー78によって視野絞り平面80全体の上に結像されることを意味する。光学チャンネルの内部の照明区域の像は、視野絞り平面80内で重ね合わされ、それによって非常に均一な照明がもたらされる。多くの場合に、この過程は、視野絞り平面80を共通して照明する2次光源を有する光学チャンネル内の照明区域を識別することによって説明される。
視野絞り平面80は、第2の対物系86により、マスク16がマスク台(図示せず)を用いて配置されたマスク平面88上に結像される。調節可能視野絞り82も同じくマスク平面88上に結像され、調節可能視野絞り82は、少なくとも、走査方向Yに沿って延びる照明視野14の短い側辺を定義する。
瞳定義ユニット36及び空間光変調器52は、制御ユニット90に接続され、更に制御ユニット90は、パーソナルコンピュータとして示す全体系制御器92に接続される。制御ユニット90は、マスク平面88内の角度的照度分布の望ましい視野依存性が得られるように、瞳定義ユニット36のミラー40及び空間光変調器52のマイクロミラー56を制御するように構成される。
以下では、図8から図13を参照して上述の制御が如何に達成されるかを説明する。
III.照明系の機能及び制御
1.スポット形成
図8は、第1のミラーアレイ38と、コンデンサー50と、光学インテグレーター60の第1のアレイ70の光学ラスター要素74のうちの一部とを示す図3からの略抜粋図である。この実施形態において、光学ラスター要素74を矩形の境界を有する回転対称両凸レンズとして例示している。
第1のミラーアレイ38の各ミラー40は、直径Dの小スポット98を光学ラスター要素74のうちの1つの光入射ファセット100上に照明する光ビームを生成する。スポット98の位置は、ミラー40を傾斜させることによって変更することができる。スポット98の幾何学形状は、取りわけ、第1のミラーアレイ38のミラー40の光学特性に依存する。投影光がミラー40の間の間隙内に吸収されることを回避する付加的なマイクロレンズアレイがビーム拡大ユニット32の間に存在する場合には、そのようなマイクロレンズアレイも、スポット98の幾何学形状に影響を有することになる。一部の実施形態において、スポット98の幾何学形状は円形であり、他の実施形態において、この幾何学形状は、ほぼ矩形、特に正方形とすることができる。
図8で分るように、スポット98の直径Dは、照明される光学ラスター要素74の光入射ファセット100の直径よりも小さい。一般的に、光学ラスター要素74の光入射ファセット100上に照明される各スポット98の合計面積は、それぞれの光入射ファセット100の面積よりも大幅に、例えば、少なくとも5倍、好ましくは、少なくとも10倍、より好ましくは、少なくとも20倍小さくなければならない。光入射ファセット100が異なる面積を有し、各スポット98をこれらのファセットのうちのいずれの上にも生成することができる場合には、光入射ファセット100の最大面積を基準として使用することができる。
スポット98が、光学ラスター要素74の光入射ファセット100と比較して十分に小さい場合には、光入射ファセット100上に異なる光パターンを生成することができる。これらの光パターンは、制御ユニット90を用いてミラー要素40を適切に制御することによって容易に変更することができる。
2.光パターン変動の効果
光入射ファセット100は、ラスター視野平面84内に位置するので、これらのパターンは、第2のアレイ72の光学ラスター要素74及び第2のコンデンサー78を通じて中間視野平面80上に結像される。
次に、この結像を光学インテグレーター60の一部分と、第2のコンデンサー78と、中間視野平面80とを示す図3の縮尺不正確な拡大抜粋図である図9を参照して以下に説明する。簡略化の目的で、図9には光学インテグレーター60の光学ラスター要素74の2対しか示していない。単一の光学チャンネルに関連付けられた2つの光学ラスター要素74を以下では第1のマイクロレンズ101及び第2のマイクロレンズ102と呼ぶ。時に視野ハニカムレンズ及び瞳ハニカムレンズとも呼ぶマイクロレンズ101、102は、上述したように、例えば、回転対称屈折面及び矩形境界線を有する個別マイクロレンズとして、又は図5に示すような交差円柱マイクロレンズとして構成することができる。マイクロレンズ101、102は、照明系12の光軸OAに対して垂直な少なくとも1つの方向に沿って非ゼロ屈折力を有することだけが必要である。
特定の光学チャンネルに関連付けられたマイクロレンズ101、102の各対は、瞳平面76内に2次光源106を生成する。図9の上側半分では、実線、点線、及び破線それぞれで示す収束光束L1a、L2a、及びL3aが、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット100の異なる点上に入射すると仮定する。2つのマイクロレンズ101、102及びコンデンサー78を通過した後に、各光束L1a、L2a、及びL3aは、焦点F1、F2、及びF3それぞれに収束する。従って、図9の上側半分から光線が光入射ファセット100上に入射する位置と、これらの光線が中間視野平面80(又はあらゆる他の共役視野平面)を通過する位置とは、光学的に共役であることが明らかになる。
図9の下側半分は、平行化された光束L1b、L2b、及びL3bが、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット100の異なる領域上に入射する場合を示している。光学インテグレーター60上に入射する光は、通常は殆ど実質的に平行化されるので、この方が現実的な場合である。光束L1b、L2b、及びL3bは、第2のマイクロレンズ102内に位置する共通焦点内に集束され、次に、今度は再度平行化されて中間視野平面80を通過する。上述の場合のように、光学共役性の結果として、光束L1b、L2b、及びL3bが光入射ファセット100上に入射する領域は、中間視野平面80内で照明される領域に対応する。
従って、中間視野平面80内で照明される視野(従って、マスク平面88内で照明される視野14)の寸法は、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット100上で照明される領域を変更することによって変更することができる。この領域のサイズ及び幾何学形状は、図8を参照して上述したように、瞳定義ユニット36の第1のミラーアレイ38を用いてスポット98を組み立て直すことによって非常に効率的に変更することができる。
当然ながらこれらの考察は、X方向とY方向で別々に適用される。従って、光入射ファセット100の照明をX方向及びY方向それぞれに別々に変更することにより、照明視野14の幾何学形状をX方向とY方向で独立して変更することができる。言い換えれば、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット100上で照明される領域が適切に決定される場合には、中間視野平面80内で照明される視野のほぼあらゆる任意幾何学形状を得ることができる。
例えば、1つの第1のマイクロレンズ101が図9の下側半分に示すように光束L1bで照明され、別の第1のマイクロレンズ101が光束L2bで照明される場合には、これらの2つの異なる第1のマイクロレンズ101に関連付けられた2次光源は、中間視野平面80内の異なる部分を照明することになる。しかし、この点に関して極めて重要な点は、2つの異なる第1のマイクロレンズ101を異なる位置において位置付けることができ、その結果、関連付けられた2次光源は、中間視野平面80を異なる方向から照明する点である。言い換えれば、この場合、中間視野平面80内の異なる部分が、異なる角度的光分布で照明されることになる。
図10は、光学インテグレーター60の複数の第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット100上の例示的な上面図である。光入射ファセット100のうちの一部は、瞳定義ユニット36を用いて第1の光パターン108で照明される。各光パターン108は、Y方向に沿って延びて照明されない区域112によって互いから分離された側方ストライプ110を含む。第1の光パターン108で照明される光入射ファセット100は、近似的に環状を形成するように、光学インテグレーター60の入射面にわたって配置される。
他の光入射ファセット100は、同じくY方向に沿って延びる中心照明ストライプ116のみを含む第2の光パターン114で照明される。第2の光パターン114の中心ストライプ116における照度は、第1の光パターン108の側方ストライプ110における照度の3倍大きい。第2の光パターン114で照明される光入射ファセット100は、X方向に沿って分離された2つのほぼ円形の極P1、P2を形成するように配置される。
少数の光入射ファセット100は、第1の光パターン108と第2の光パターン114との重ね合わせである第3の光パターン118で照明される。従って、これらの光入射ファセット100は、段階的照度分布によってではあるが、完全に照明される唯一のものである。
第1の光パターン108又は第3の光パターン118で照明される光入射ファセット100を有する第1のマイクロレンズ101は、中間視野平面80内、従って、マスク平面88内で第1の光パターン108の側方ストライプ110と同じ主幾何学形状を有する2つの部分を共通に照明する。これらの光入射ファセット100は、光学インテグレーター60の入射側に環状の形状で配置されるので、これらの光入射ファセット100に関連付けられた2次光源は、輪帯照明設定の特性と同様に、これらの部分(のみ)を傾斜して照明する。その結果、マスク16上の第1及び第3の部分181、183は、図2に示すように、環状角度的光分布で照明される。
第2及び第3の光パターン108、118で照明される光入射ファセット100は、照明視野14内の中心ストライプの照明に寄与する。このストライプは、図2に示すパターン区域18a、18b、18c、及び18dの第2の部分182と同じ幅を有する。これらの光入射ファセット100は、光学インテグレーター60の入射側で2つの極P1、P2を形成するように配置されるので、照明視野14内の中心ストライプは、図2に示すように、X二重極照明設定で照明される。
従って、照明視野14の異なる部分において2つの異なる照明設定を同時に生成することができる。
第2の光パターン114の中心ストライプ116の照度は、第1の光パターン108の側方ストライプ110の照度の3倍大きいので、第1及び第3の部分181、183は、第2の部分182と同じ照度で照明される。これは、全ての側方ストライプ110によって覆われる合計面積が、中心ストライプ116によって覆われる合計面積の3倍大きいことに起因する。
制御ユニット90を用いて光学インテグレーター60の光入射ファセット100上のスポット98を適切に再配置することにより、マスク平面88内に角度的光分布のほぼあらゆる任意の視野依存性を生成することができる。
3.空間光変調器の機能
以下では、図11及び図12を参照して空間光変調器52の機能を説明する。
図2に示すパターン区域18a、18b、18c、及び18dの各部分181、182、183が重なり合わず、鮮明な分割線において互いに接する場合には、分割線の近くでの結像品質の劣化を回避するために、角度的光分布は、非常に短い距離にわたって突然変化することが必要である場合がある。これは、光学インテグレーター60の光入射ファセット100上に生成される第1、第2、及び第3の光パターン108、114、及び118が非常に鮮明な内側境界線と外側境界線とを有することを意味する。数学的には、この場合、光パターン108、114、及び118を定義する照度分布は、階段関数に非常に緊密に対応すべきである。そうでなければ、マスク16上の点が2つ又はそれよりも多くの異なる角度的照度分布の組合せで照明される広範囲にわたる移行域が存在することになる。
図8を参照して上述したように、光パターン108、114、及び118は、小スポット98から瞳定義ユニット36を用いて組み立てられる。スポット98の直径Dが非常に小さく、例えば、25μmと100μmの間の範囲にある場合には、光パターン108、114、118の鮮明な内側境界線と外側境界線とを得ることができる。これを提供する1つの手法は、瞳定義ユニット36内での極めて小さいミラー40の使用である。しかし、現時点では、そのように小さいミラー40を含む第1のミラーアレイ38を製造し、確実に作動させるのを困難にしているいくつかの技術制約条件が存在する。有意に大きいミラー40では、回折が、第1のコンデンサー50の焦点距離及びミラー40のサイズの一般的な値において数百マイクロメートルの範囲のスポット98の直径Dをもたらすことになる。この直径Dは、光パターン108、114、118の望ましい鮮明な内側境界線と外側境界線とを生成するには大き過ぎる場合がある。
任意的な空間光変調器52は、この問題を解決することを可能にする。瞳定義ユニット36は、第1のコンデンサー50と共に、照度分布を光学インテグレーター60の入射側に直接ではなく、空間光変調器52の第2のミラーアレイ44上に生成する。上述したように、第2のミラーアレイ54のマイクロミラー56の個数は、第1のミラーアレイ38のミラー40の個数よりも有意に大きい。更に、図3の抜粋図Cに示すように、マイクロミラー56は、「オン」状態と「オフ」状態との間で切り換えを行うことしかできない。従って、回折に起因して不明瞭な境界線を有する光パターンは、望ましくない光が入射するマイクロミラー56を「オフ」状態に単純に切り換えることによって「鮮明化」又は切除することができる。
これを第2のミラーアレイ54の一部分上の上面図である図11に例示している。白円98は、瞳定義ユニット36によって生成され、その個々のミラー40に関連付けられたスポットを示している。密にハッチングされたスポット98’は、2つのスポット98を互いに上下に重ね合わせた結果であり、最も密にハッチングされたスポット98’’は、5つのスポット98を互いに上下に重ね合わせた結果である。
図11では、スポット98、98’、98’’の有意なサイズに起因して、照明区域と非照明区域の間の境界線にフリンジが発生することを見ることができる。第2のミラーアレイ54のマイクロミラー56は、対物系58により、光学インテグレーター60の光入射ファセット100が配置されるラスター視野平面84上に結像されるので、全てのマイクロミラー56が「オン」状態にあった場合には、光入射ファセット100上で同じくそのようなフリンジ付きの照度分布が観察されることになる。例示目的で、図11では、破線100’は、第1の対物系58により、光学インテグレーター60の図10に120に示す4つの隣接光入射ファセット上に結像されることになる。
図12は、望ましくないフリンジによって照明される部分内に位置するマイクロミラー56が「オフ」状態に切り換えられた場合の光学インテグレーター60のこれらの4つの光入射ファセット100上の上面図である。図12には、全ての(非照明のものも加えた)マイクロミラー56の像を破線56’に示している。第2のミラーアレイ54のマイクロミラー56は鮮明な縁部を有するので、光学インテグレーター60上の照度分布は切除され、従って、望ましくないフリンジが除去される。
図12の左上コーナに位置する光入射ファセット100上には、第1及び第2のミラーアレイ38、54を用いて第1の光パターン108が生成される。第2の光パターン114は、図12の右手側の2つの光入射ファセット100上に生成される。この実施形態において、中心ストライプ116内の照度分布が均一ではないことを見ることができる。この不均一性は、この中心ストライプ内の合計照度が、第1の光パターン108の側方ストライプ110内の照度の3倍である必要があることによるものである。しかし、厳密には、これは、走査積分照度(時に合計光照射量とも呼ぶ)に対してのみ真である。従って、中心ストライプ116内で3つのスポット98を互いに上下に重ねる代わりに、走査積分の後に望ましい積分照度をもたらす2つの重ね合わせスポット98’と5つの重ね合わせスポット98’’との組合せが存在する。
左下コーナに位置する光入射ファセット100に対しても類似の手法を採用した。この場合、第3の光パターン118が生成されることになる。中心ストライプ116は、第2の光パターン114の中心ストライプ116を生成するのに使用されるのと同じスポット配列から構成される。しかし、側方ストライプ110は、第1の光パターン108と比較して異なる手法から構成される。より具体的には、各側方ストライプ110は、鮮明な境界線によって中心ストライプ116に対する境界が定められた非照明部分を含む。この「消失」照度は、残りの部分に追加される。それによって走査積分の後に、中心ストライプ116内の合計照度は、側方ストライプ110内の照度の3倍大きいが、それにも関わらず、中心ストライプ116と2つの側方ストライプ110の間に鮮明な照度段階が存在することが保証される。
IV.重要な方法段階
次に、本発明の重要な方法段階を図13に示す流れ図を参照して要約する。
第1の段階S1では、照明系12が準備される。
第2の段階S2では、光学インテグレーター60の光入射ファセット100上の光パターンが、瞳定義ユニット36を用いて生成される。所定の時点で異なる光パターンが異なる光入射ファセット100上に生成される場合には、照明視野内の角度的照度分布は不均一になる。言い換えれば、マスク平面内の角度的照度分布の視野依存性が存在する。
第3の段階S3では、マスク平面内の角度的照度分布の新しい視野依存性が決定される。通常、この段階S3は、異なるパターン18を含む新しいマスク16を感光面22上に投影すべきである場合に実施される。視野依存性を変更する別の理由は、投影対物系20の結像品質を改善しようと試みることである場合がある。
第4の段階S4では、段階S3で決定されたマスク平面内の角度的照度分布の新しい視野依存性が得られるように、光学インテグレーター60の光入射ファセット100上の光パターンが変更される。
12 照明系
14 照明視野
16 マスク
30 光源
36 ビーム偏向デバイス

Claims (14)

  1. マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
    a)瞳平面(76)と、
    b)照明されるマスク(16)を配置することができるマスク平面(88)と、
    c)前記瞳平面(76)に位置する複数の2次光源(106)を生成するように構成され、該2次光源(106)のうちの1つに各々が関連付けられた複数の光入射ファセット(100)を有する光学インテグレーター(60)と、
    d)反射性又は透過性のビーム偏向要素(40)のビーム偏向アレイ(38)を含むビーム偏向デバイス(36)であって、各ビーム偏向要素(40)が、該ビーム偏向要素(40)によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で前記光入射ファセット(100)上のスポット(98)を照明するように構成され、該ビーム偏向要素(40)によって照明される該スポット(98)が、該光入射ファセット(100)のうちの少なくとも1つの最大合計面積よりも少なくとも5倍、好ましくは少なくとも10倍、より好ましくは少なくとも20倍小さい合計面積を有する前記ビーム偏向デバイス(36)と、
    e)前記光入射ファセット(100)のうちの少なくとも1つの上の前記スポット(98)から組み立てられる光パターン(108,114,118)が、前記マスク平面(88)内の角度的照度分布の視野依存性を修正すべきであるという入力指令に応答して変更されるように、前記ビーム偏向要素(40)を制御するように構成された制御ユニット(90)と、
    を含むことを特徴とする照明系。
  2. 前記制御ユニット(90)は、照明系(12)によって前記マスク平面に照明される照明視野(14)の第1の部分に第1の角度的照度分布が生成され、かつ該第1の角度的照度分布とは異なる第2の角度的照度分布が該照明視野(14)の第2の部分に生成されるように、前記ビーム偏向要素(40)を制御するように構成されることを特徴とする請求項1に記載の照明系。
  3. 前記第1の部分は、前記第1の角度的照度分布が均一である2次元区域であり、
    前記第2の部分は、前記第2の角度的照度分布が均一である2次元区域である、
    ことを特徴とする請求項2に記載の照明系。
  4. 前記第1の部分と前記第2の部分は、重ならないことを特徴とする請求項3に記載の照明系。
  5. 前記ビーム偏向デバイス(36)と前記光学インテグレーター(60)の間の光伝播経路に配置され、かつ入射光を空間分解方式で透過又は反射するように構成された空間光変調器(52)を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明系。
  6. 前記空間光変調器(52)は、反射性又は透過性ビーム偏向要素(56)の更に別のビーム偏向アレイ(54)を含み、
    前記更に別のビーム偏向アレイの各ビーム偏向要素(56)は、それが入射光を前記光学インテグレーター(60)の向きに誘導する「オン」状態とそれが入射光をいずれか他の場所に誘導する「オフ」状態とにあることができる、
    ことを特徴とする請求項5に記載の照明系。
  7. 前記空間光変調器(52)の前記ビーム偏向アレイ(54)を前記光学インテグレーター(60)の前記光入射ファセット(100)上に結像する対物系(58)を含むことを特徴とする請求項6に記載の照明系。
  8. 前記制御ユニット(90)は、異なる非ゼロ照度を有する少なくとも2つの区域(110,116)を含む光パターン(図11及び図12の114,118)が少なくとも1つの光入射ファセット(100)上に生成されるように前記ビーム偏向要素(40)を制御するように構成されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の照明系。
  9. マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系であって、
    a)複数の光入射ファセット(100)を有する光学インテグレーター(60)と、
    b)反射性又は透過性ビーム偏向要素(40)のビーム偏向アレイ(38)であって、各ビーム偏向要素(40)が、該ビーム偏向要素(40)によって生成される偏向角を変更することによって可変である位置で前記光学インテグレーター(60)上のスポット(98)を照明するように構成された前記ビーム偏向アレイ(38)と、
    c)前記光入射ファセット(100)のうちの少なくとも1つの上の前記スポット(98)から組み立てられる光パターン(108,114,118)がマスク平面(88)内の角度的照度分布の視野依存性を修正すべきであるという入力指令に応答して変更されるように前記ビーム偏向要素(40)を制御するように構成された制御ユニット(90)と、
    を含むことを特徴とする照明系。
  10. 請求項2から請求項8のいずれか1項に記載の特徴を含むことを特徴とする請求項9に記載の照明系。
  11. マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法であって、
    a)複数の光入射ファセット(100)を有する光学インテグレーター(60)を照明系(12)が含むマイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の照明系(12)を準備する段階(S1)と、
    b)個々のスポット(98)から組み立てられた光パターン(108,114,118)を前記光学インテグレーター(60)の前記光入射ファセット(100)上に生成する段階(S2)と、
    c)マスク平面(88)内の角度的照度分布の視野依存性を変更すべきであると決定する段階と、
    d)スポット(98)を再配列及び/又は除去及び/又は追加することによって前記光入射ファセット(100)上の前記光パターン(108,114,118)を変更する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  12. 前記光パターンは、前記照明系(12)によって前記マスク平面に照明される照明視野(14)の第1の部分で第1の角度的照度分布が生成され、かつ該第1の角度的照度分布とは異なる第2の角度的照度分布が該照明視野(12)の第2の部分で生成されるように段階d)において変更されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
  13. 前記第1の部分は、前記第1の角度的照度分布が均一である2次元区域であり、
    前記第2の部分は、前記第2の角度的照度分布が均一である2次元区域である、
    ことを特徴とする請求項11又は請求項12のいずれか1項に記載の方法。
  14. 前記光パターンは、異なる非ゼロ照度を有する少なくとも2つの区域(110,116)を含む光パターン(図11及び図12の114,118)が少なくとも1つの光入射ファセット(100)上に生成されるように段階d)において変更されることを特徴とする請求項11から請求項13のいずれか1項に記載の方法。
JP2013550758A 2011-01-29 2011-01-29 マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Active JP6016169B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2011/000416 WO2012100791A1 (en) 2011-01-29 2011-01-29 Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014505368A true JP2014505368A (ja) 2014-02-27
JP6016169B2 JP6016169B2 (ja) 2016-10-26

Family

ID=44462096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013550758A Active JP6016169B2 (ja) 2011-01-29 2011-01-29 マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9804499B2 (ja)
JP (1) JP6016169B2 (ja)
KR (1) KR101813307B1 (ja)
TW (1) TWI567502B (ja)
WO (1) WO2012100791A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015501552A (ja) * 2012-10-08 2015-01-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP2018518702A (ja) * 2015-05-13 2018-07-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置の照明系及びそのような系内の照射分布を調節する方法
JP2018519535A (ja) * 2015-05-21 2018-07-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI596652B (zh) * 2012-11-06 2017-08-21 尼康股份有限公司 Polarizing beam splitter, substrate processing apparatus, component manufacturing system, and device manufacturing method
US9581910B2 (en) 2013-01-17 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102013214459B4 (de) * 2013-07-24 2015-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP2876498B1 (en) * 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203041A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
JP6643466B2 (ja) 2015-09-23 2020-02-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム
DE102015224522B4 (de) * 2015-12-08 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen Systems
DE102017217164B4 (de) * 2017-09-27 2020-10-15 Continental Automotive Gmbh Projektionsvorrichtung zum Erzeugen eines pixelbasierten Beleuchtungsmusters
CN112198768A (zh) * 2020-10-22 2021-01-08 Tcl华星光电技术有限公司 曝光机
US20230161263A1 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Kulicke & Soffa Liteq B.V. Methods of patterning a photoresist, and related patterning systems

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359176A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP2007505488A (ja) * 2003-09-12 2007-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系
JP2008072129A (ja) * 2003-04-09 2008-03-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2008533728A (ja) * 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
WO2010006687A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2010537414A (ja) * 2007-08-30 2010-12-02 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3440458B2 (ja) 1993-06-18 2003-08-25 株式会社ニコン 照明装置、パターン投影方法及び半導体素子の製造方法
US6628370B1 (en) 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
JP4310816B2 (ja) 1997-03-14 2009-08-12 株式会社ニコン 照明装置、投影露光装置、デバイスの製造方法、及び投影露光装置の調整方法
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
JP3264224B2 (ja) * 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
TW535024B (en) 2000-06-30 2003-06-01 Minolta Co Ltd Liquid display element and method of producing the same
EP1170635B1 (en) 2000-07-05 2006-06-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4401060B2 (ja) 2001-06-01 2010-01-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リトグラフ装置、およびデバイス製造方法
US7015491B2 (en) * 2001-06-01 2006-03-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JP3987350B2 (ja) 2001-11-16 2007-10-10 株式会社リコー レーザ照明光学系及びそれを用いた露光装置、レーザ加工装置、投射装置
US6784976B2 (en) 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
US20060087634A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Brown Jay M Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography
JP2006216917A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
WO2007093433A1 (de) 2006-02-17 2007-08-23 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2388649B1 (en) * 2007-12-21 2013-06-19 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
JPWO2010024106A1 (ja) 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010067866A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
DE102009045219A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
KR101470769B1 (ko) 2010-08-30 2014-12-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359176A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Canon Inc 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP2008072129A (ja) * 2003-04-09 2008-03-27 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2007505488A (ja) * 2003-09-12 2007-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光設備のための照明系
JP2008533728A (ja) * 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
JP2010537414A (ja) * 2007-08-30 2010-12-02 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
WO2010006687A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2011528173A (ja) * 2008-07-16 2011-11-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015501552A (ja) * 2012-10-08 2015-01-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP2018518702A (ja) * 2015-05-13 2018-07-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置の照明系及びそのような系内の照射分布を調節する方法
JP2018519535A (ja) * 2015-05-21 2018-07-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101813307B1 (ko) 2017-12-28
KR20140021548A (ko) 2014-02-20
US20130293861A1 (en) 2013-11-07
US9804499B2 (en) 2017-10-31
WO2012100791A1 (en) 2012-08-02
TWI567502B (zh) 2017-01-21
TW201243505A (en) 2012-11-01
JP6016169B2 (ja) 2016-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6016169B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP6434473B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP5871216B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP5850267B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
EP2388649B1 (en) Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
JP2010537414A (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
JP5868492B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
TW201702756A (zh) 微影投射設備的操作方法
JP6170564B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP6114952B2 (ja) リソグラフィによって感光性表面にパターンを転写する方法およびマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
CN107592919B (zh) 微光刻投射曝光设备的照明系统
JP6193963B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
JP5864771B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP6652948B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP5860494B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141001

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150831

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160803

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160902

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160916

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6016169

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250