JP6434473B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents

マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 Download PDF

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Description

本発明は、一般的に、マイクロリソグラフィ露光装置内のマスクを照明するための照明系に関し、具体的には、瞳平面に複数の2次光源を生成するように構成された光学インテグレーターを含むそのような系に関する。本発明はまた、そのような照明系を作動させる方法及び一般的に他の光学系にも関する。
マイクロリソグラフィ(フォトリソグラフィ又は単純にリソグラフィとも呼ぶ)は、集積回路、液晶ディスプレイ、及び他の微細構造化デバイスの製作のための技術である。マイクロリソグラフィ処理は、エッチングの処理と共に基板、例えば、シリコンウェーハ上に形成された薄膜スタック内の特徴部をパターン化するのに使用される。製作の各層では、最初に、ウェーハは、深紫外(DUV)光又は真空紫外(VUV)光のような放射線に敏感な材料であるフォトレジストで被覆される。次いで、その上にフォトレジストを有するウェーハは、投影露光装置内で投影光に露光される。装置は、フォトレジストがマスクパターンによって決定されるある一定の場所においてのみ露光されるように、パターンを含むマスクをフォトレジスト上に投影する。露光後に、フォトレジストが現像され、マスクパターンに対応する像が生成される。次いで、エッチング処理は、パターンをウェーハ上の薄膜スタックの中に転写する。最後に、フォトレジストが除去される。異なるマスクを用いたこの工程の反復により、多層微細構造化構成要素がもたらされる。
投影露光装置は、典型的には、光源と、光源によって生成された投影光でマスクを照明する照明系と、マスクを位置合わせするためのマスク台と、投影対物系と、フォトレジストで被覆されたウェーハを位置合わせするためのウェーハ位置合わせ台とを含む。照明系は、例えば、矩形スリット又は湾曲スリットの形状を有することができるマスク上の視野を照明する。
現在の投影露光装置では、2つの異なるタイプの装置の間で区別を付けることができる。一方のタイプでは、ウェーハ上の各ターゲット部分は、マスクパターン全体をこのターゲット部分の上に1回で露光することによって照射される。そのような装置は、一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般的にステップ・アンド・スキャン装置又はスキャナと呼ばれる他方のタイプの装置では、各ターゲット部分は、マスクパターンを投影ビームの下で走査方向に漸進的に走査し、一方、同時に基板をこの方向と平行又は逆平行に移動することによって照射される。ウェーハの速度とマスクの速度の比は、通常は1よりも小さく、例えば、1:4である投影対物系の倍率に等しい。
「マスク」(又はレチクル)という用語は、パターン化手段として広義に解釈されるものとすることは理解されるものとする。一般的に使用されるマスクは、不透過性又は反射性のパターンを含み、例えば、バイナリ、交互位相シフト、減衰位相シフト、又は様々な混成マスクタイプのものとすることができる。しかし、能動マスク、例えば、プログラム可能ミラーアレイとして実現されたマスクも存在する。更に、プログラム可能LCDアレイを能動マスクとして使用することができる。
微細構造化デバイスを製造するための技術が進歩するときに、照明系に対しても絶えず高まる要求が存在する。理想的には、照明系は、マスク上の照明視野の各点を明確に定められた空間放射照度分布及び角度放射照度分布を有する投影光で照明する。角度放射照度分布という用語は、マスク平面内の特定の点に向けて収束する光束の全光エネルギが光束を構成する光線の様々な方向の間でどのように配分されるかを表している。
マスク上に入射する投影光の角度放射照度分布は、通常、フォトレジスト上に投影されるパターンのタイプに適合される。多くの場合に、角度放射照度分布は、パターン内に含まれる特徴部のサイズ、向き、及びピッチに依存する。最も一般的に使用される投影光角度放射照度分布は、従来照明設定、環状照明設定、及び二重極照明設定、及び四重極照明設定と呼ばれる。これらの用語は、照明系の瞳平面内の放射照度分布を意味する。例えば、環状照明設定を使用すると、瞳平面内で環状領域だけが照明される。従って、投影光の角度放射照度分布には小さい角度範囲しか存在せず、全ての光線が、マスク上に類似の角度で斜方入射する。
当業技術では、望ましい照明設定を得るためにマスク平面内の投影光の角度放射照度分布を修正するための異なる手段が公知である。最も単純な場合に、照明系の瞳平面に1つ又はそれよりも多くの開口を含む絞り(ダイヤフラム)が配置される。瞳平面内の場所は、マスク平面のようなフーリエ変換で関連付けられた視野平面内の角度に変換されるので、瞳平面内の開口のサイズ、形状、及び場所は、マスク平面内の角度放射照度分布を決定する。しかし、照明設定のいずれかの変化は、絞りの交換を必要とする。絞りの交換は、僅かに異なるサイズ、形状、又は場所を有する開口を有する非常に多数の絞りを必要とすることになるので、照明設定を微調節することは困難になる。更に、絞りの使用は、光損失、従って、装置の収量の低下を不可避にもたらす。
従って、多くの一般的な照明系は、瞳平面の照明を少なくともある範囲で連続的に変更することを可能にする調節可能要素を含む。多くの照明系は、瞳平面に望ましい空間放射照度分布を生成するために交換可能な回折光学要素を使用する。回折光学要素と瞳平面の間にズーム光学系とアキシコン要素の対とが設けられる場合に、この空間放射照度分布を調節することができる。
近年、瞳平面を照明するミラーアレイを使用することが提案されている。EP 1 262 836 A1では、ミラーアレイは、1000個よりも多い微小ミラーを含むマイクロ電気機械系(MEMS)として実現されている。ミラーの各々は、互いに対して垂直な2つの異なる平面内で傾斜させることができる。従って、そのようなミラーデバイス上に入射する放射線は、(実質的に)あらゆる望ましい半球方向に反射することができる。ミラーアレイと瞳平面の間に配置されたコンデンサーレンズは、ミラーによって生成される反射角を瞳平面内の場所に変換する。この公知の照明系は、複数のスポットで瞳平面を照明することを可能にし、各スポットは、1つの特定の微小ミラーに関連付けられ、このミラーを傾斜させることによって瞳平面内で自由に移動可能である。
US 2006/0087634 A1、US 7,061,582 B2、WO 2005/026843 A2、及びWO 2010/006687 A1から類似の照明系が公知である。US 2010/0157269 A1は、マイクロミラーアレイがマスク上に直接に結像される照明系を開示している。
上述したように、通常、少なくとも走査積分の後に、マスク上の全ての点は、同じ放射照度分布及び角度放射照度分布を伴って照明することが望ましい。マスク上の点が異なる放射照度で照明される場合に、通常、ウェーハレベルに対する臨界寸法(CD)の望ましくない変動をもたらす。例えば、放射照度変動の存在下では、感光面上の均一な幅を有する線の像は、その長さに沿って放射照度変動を有する可能性もある。レジストの固定された露光閾値の理由から、そのような放射照度変動は、線の像によって定められる構造の幅変化に直接的に変換される。
角度放射照度分布がマスク上の照明視野にわたって変動する場合に、感光面上に生成される像の品質に対しても悪影響を有する。例えば、角度放射照度分布が完全には均衡でない場合、すなわち、一方の側からその反対側からよりも多い光がマスク点上に入射する場合に、感光面が投影対物系の焦点面内に完全に配置されていないと、感光面上の共役像点が横方向にシフトされることになる。
照明視野内の空間放射照度分布を修正するために、US 6,404,499 A及びUS 2006/0244941 A1は、横並びに配置され、かつ走査方向と平行に位置合わされた不透過性の指状絞り要素の2つの対向するアレイを含む機械的デバイスを提案している。互いに対向する絞り要素の各対は、これらの絞り要素の反対端間の距離が変更されるように、走査方向に沿って変位させることができる。このデバイスが対物系によってマスク上に結像される照明系の視野平面に配置される場合に、走査方向に沿った幅を交差走査方向に沿って変更することができるスリット形照明視野を生成することができる。放射照度は、各走査サイクル中に積分されるので、照明視野内の複数の交差走査位置において積分放射照度(時に照明照射量とも呼ぶ)を微調節することができる。
しかし、これらのデバイスは、機械的に非常に複雑であり、かつ高価である。これは、これらのデバイスを通常は可動視野絞りのブレードが配置される視野平面内又はその直近に配置しなければならないことにも起因する。
角度放射照度分布を視野依存方式で調節するのはより困難である。これは、主として、空間放射照度分布が空間座標x,yのみの関数であるのに対して、角度放射照度分布は、角度α,βの対によって与えられる入射方向にも依存するからである。
WO 2012/100791 A1は、照明系の瞳平面に望ましい放射照度分布を生成するために第1のミラーアレイが使用される照明系を開示している。瞳平面の直近には、複数の光入射ファセットを有する光学インテグレーターが配置される。従って、光入射ファセットの像がマスク上で重ね合わされる。ミラーアレイによって生成される光点は、光入射ファセットの全面積よりも少なくとも5倍小さい面積を有する。従って、光入射ファセット上に可変光パターンを生成することができる。このようにして、照明視野の異なる部分の上に異なる角度放射照度分布を生成することができる。すなわち、例えば、与えられた時間に照明視野にX二重極及びY二重極証明設定を生成することが可能である。
異なる照明設定を有する部分の境界が鮮明に定められることを確実にするために、デジタルミラーデバイス(DMD)として構成された第2のミラーアレイを使用することが提案されている。この第2のミラーアレイは、第1のミラーアレイによって照明され、かつ対物系によって光入射ファセット上に結像される。第2のミラーアレイのマイクロミラーの大きい方のグループを「オフ」状態にすることにより、光入射ファセット上に鮮明な境界を有する放射照度分布を生成することができる。
しかし、第1のミラーアレイを用いて非常に多くの非常に小さい自由に移動可能な光点を生成するのは困難であることが見出されている。更に、この従来技術の照明系は、主として、照明視野内の異なる部分に完全に異なる照明設定を生成することに関するものである。この理由から、通常、光入射ファセットは完全には照明されず、部分的にしか照明されない。
更に、十分に多い個数のマイクロミラーを有する第2のミラーアレイを与えることは困難である。光学インテグレーター上の光入射ファセットの個数が多い場合に、第2のミラーアレイは、現在入手可能なデジタルミラーデバイスが有するものよりも多いマイクロミラーを必要とする。
US 6,515,734 B1は、いくつかのデジタルミラーデバイス(DMD)上の光パターンが、これらの光パターンの個々の像が部分的に重なり合うようにウェーハ又は別の基板上に個々に結像されるマスクなし露光装置を開示している。US 5,517,279は、マイクロレンズアレイを用いてマスクがウェーハ上に直接に結像される露光装置を開示している。
US 7,932,993 B2は、空間光変調器上の光パターンが、視野マイクロレンズアレイ及び像マイクロレンズアレイによってウェーハ又は別の基板上に結像されるマスクなし露光装置を開示している。1つの視野マイクロレンズとそれに関連付けられた像マイクロレンズとが協働して空間光変調器のある一定の物体区域の弱められた像を生成する。従って、ウェーハ上のこれらの像は、間隙によって分離される。ウェーハを移動することにより、切れ目のないレジスト露光が達成される。
US 8,334,935 B2は、映画館に使用されるデジタル投影系に関するものである。一実施形態において、系は、複数のDMDを含む。各DMDは、動画映像の映像フレーム全体のうちの離散部分のみをターゲット表示面上に投影する。
WO 2010/006687 A1は、上述のWO 2012/100791 A1に開示するものと類似の照明系を開示している。この場合に、光入射ファセット上の可変光パターンは、角度光分布の視野依存性を修正するためには使用されず、調節可能視野絞りの可動ブレードの機能を引き受ける。しかし、この従来技術の照明系においても、光入射ファセット上に非常に小さい光点を生成しなければならない。これらのスポットは、ミラーによって生成される偏向角を変化させることによって変更することができる。
EP 1 262 836 A1 US 2006/0087634 A1 US 7,061,582 B2 WO 2005/026843 A2 WO 2010/006687 A1 US 2010/0157269 A1 US 6,404,499 A US 2006/0244941 A1 WO 2012/100791 A1 US 6,515,734 B1 US 5,517,279 US 7,932,993 B2 US 8,334,935 B2 US 2009/0116093 A1
[非特許文献]
[非特許文献1]E.Delano著の論文名「1次設計及び
図(First−order Design and the
Diagram)」、Applied Optics、1963年、第2巻第12号、1251〜1256ページ
本発明の目的は、空間放射照度分布と角度放射照度分布の両方を視野依存方式で調節することができるマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を提供することである。これは、照明視野内の異なる点で放射照度分布と角度放射照度分布を別様に調節することが可能であるべきであることを意味する。
本発明により、この目的は、瞳平面と瞳平面に複数の2次光源を生成するように構成された光学インテグレーターとを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系によって達成される。光学インテグレーターは、各々が2次光源のうちの1つに関連付けられた複数の光入射ファセットを含む。空間光変調器は、光射出面を有し、入射投影光を空間分解方式で透過又は反射するように構成される。瞳形成ユニットは、投影光を空間光変調器上に向けるように構成される。対物系は、空間光変調器の光射出面を光学インテグレーターの光入射ファセット上に結像する。制御ユニットは、瞳形成ユニット及び空間光変調器を制御するように構成される。本発明により、光学光変調器の光射出面は、光入射ファセット上に結像されない区域によって分離された物体区域グループを含む。対物系は、物体区域の像をこれらの像が光学インテグレーター上に当接するように組み合わせるように構成される。
本発明は、光入射ファセット上に放射照度分布の鮮明な縁部を生成するためだけに空間光変調器を使用する代わりに、鮮明な縁部の必要性がなくなるように光入射ファセット上に結像される物体区域が完全に照明される場合に、放射照度分布を修正するためにも空間光変調器を使用することができるという認識に基づいている。
各物体区域グループは、単一の独立したデバイス、例えば、デジタルミラーデバイス(DMD)として実現することができる。本発明により、対物系は、光学インテグレーター上のこれらのデバイスの像をこれらの像が途切れなく当接するように組み合わせる。従って、全てのデバイスの分解能が加算されるので、空間光変調器の各物体区域内の空間分解能を極めて高くすることができる。このようにして、108ピクセル程度まで高くすることができる全体分解能を生成することができる。
このようにして構成された空間光変調器を使用すると、交差走査方向に沿った空間放射照度分布を調節し、同時にマスクレベルにおける角度放射照度分布を柔軟に視野依存方式で調節するのに従来技術の照明系に使用される機械的に複雑なデバイスを割愛することができる。光学インテグレーターの前では幾何学的光学流束が小さいので、空間光変調器の光射出面を光入射ファセット上に結像する対物系は、非常に少数の好ましくは球面のレンズを用いて実現することができる。
一実施形態において、光学インテグレーターの光入射ファセット上の光パターンは、マスク上に結像される。従って、これらの光パターンを修正することにより、マスク上の照明視野のサイズを変更することができる。これらの光パターンを修正するために、空間光変調器が使用される。従って、従来技術の機能は、調節可能視野絞りを使用する代わりに、空間光変調器の適切な制御が引き受ける。従来技術の調節可能視野絞りにおけるブレードの巨視的な移動は、例えば、莫大な個数のデジタルマイクロミラーの微小傾斜移動によって置換される。
このようにして、機械的に複雑で高価な調節可能視野絞りを割愛することができる。本発明により、光入射ファセットとマスクの間に視野平面(すなわち、マスクに対して光学的に共役な平面)は不要である。従って、可動ブレードをマスク上に結像する嵩高で高価な対物系も必要とされない。
この嵩高な対物系と比較して、空間光変調器の光射出面を光学インテグレーターの光入射ファセット上に結像する追加の対物系は、かなり小さいサイズ及び低い複雑さのみを有する。その理由は、この対物系を通過する光が通常はほぼ平行であり、それによって小さい開口数しかもたらされないからである。従って、対物系のサイズ及び複雑さに対して影響を有する2つの主な量、すなわち、開口数及び視野サイズの一方は、ブレードをマスク上に結像する対物系と比較して小さい。従って、空間光変調器の光射出面を光入射ファセット上に結像する対物系は、非常に少数の好ましくは球面のレンズを用いて実現することができる。
WO 2010/006687 A1に開示されている従来技術の照明系と比較した場合に、本発明による照明系の主な利点は、光入射ファセット上に結像される光射出面を有する空間光変調器の使用である。この理由から、従来技術の照明系の場合のように微小スポットを光入射ファセット上の任意の位置に移動する必要はない。これに代えて、光変調器は、その光射出面上に可変光パターンを生成することのみを必要とする。下記でより詳細に説明するように、この生成は、デジタルミラーデバイス(DMD)又はLCDパネルのような比較的単純なデジタルデバイスを用いて達成することができる。
照明系の全ての構成要素を純粋に反射性のものとすることができるので、本発明は、原理的にEUV照明系に対して使用することができる。
対物系は、各々がグループのうちの1つの拡大像を中間像平面に形成する第1の光学要素の第1のアレイを含むことができる。原理的に、光入射ファセットは、中間像平面に直接に配置することができる。しかし、好ましくは、対物系は、中間像平面を光学インテグレーターの光入射ファセット上に結像する結像光学系を含む。これは、中間像平面の像視野のサイズをこの結像光学系を用いて光学インテグレーターのサイズに適応させることができるという利点を有する。多くの場合に、光学インテグレーターの有効区域は、中間像平面の像視野よりも大きい直径を有するので、結像光学系は、好ましくは、|M|>1である倍率Mを有する。
一実施形態において、対物系は、中間像平面に配置された第2の光学要素の第2のアレイを含む。これらの第2の光学要素は、中間像平面から射出する光束が、対物系の光軸と平行に延びる主光線を有することを確実にするために使用することができる。多くの場合に、そのようなテレセントリック光路は、様々な理由から望ましい。この関連において、「中間像平面内」という表現は、アレイが正確に中間像平面配置されず、そこから若干変位した場合も、それが実用的な観点からは正確な配置に実質的に光学的に均等であると依然として考えることができる限り、同じく包含すると理解しなければならない。
好ましくは、各第2の光学要素は、第1の光学要素のうちの1つだけから投影光を受光するように、第1の光学要素のうちの1つと1対1対応で関連付けられる。
瞳形成ユニットは、第1の反射性又は透過性ビーム偏向要素の第1のビーム偏向区域を含むことができる。各ビーム偏向要素は、空間光変調器上の当該ビーム偏向要素によって生成される偏向角を変化させることによって可変である位置でスポットを照明するように構成することができる。次に、空間光変調器上、従って、光学インテグレーター上の放射照度分布を迅速かつ可変的に変更することができる。これに代えて又はこれに加えて、瞳形成ユニットは、望ましい角度光分布を生成する1つ又はそれよりも多くの回折光学要素を含むことができる。
空間光変調器は、第2の反射性又は透過性ビーム偏向要素の第2のビーム偏向アレイを含むことができる。各第2のビーム偏向要素は、入射投影光を光学インテグレーターの方向に向ける「オン」状態と入射投影光を他の場所に向ける「オフ」状態とにあることができると考えられる。そのようなデジタルビーム偏向アレイは、例えば、デジタルミラーデバイス(DMD)又はLCDパネルとして実現することができる。
第2のビーム偏向要素がミラーである場合に、瞳形成ユニットから空間光変調器に伝播する投影光は、少なくとも対物系の一部分を通過する。これは、ミラーと対物系の間の距離が小さく、従って、ミラーと対物系の間の狭い間隙を通して投影光をミラー上に向けるのが困難である場合に特に有利である。
一実施形態において、瞳形成ユニットから空間光変調器に伝播する投影光は、ミラー上に入射する前に、第1の光学要素の第1のアレイ上に入射し、更に第2の光学要素の第2のアレイ上に入射する。
ミラーが、「オン」状態にある場合に対物系の光軸と平行な方向に対して角度α≠0°を構成するミラー法線を有する平面ミラーである場合に、対物系は、入射投影光線を角度αだけ傾斜させるように構成された光傾斜光学要素を含むことができる。次に、光傾斜光学要素は、ミラーの傾斜を補償する。その利点は、従って、対物系をミラーが「オン」状態で傾斜されていない場合と同じ方式で構成することができる点である。特に、「オン」状態でのミラーの傾斜配置の理由から対物系の開口数が高まることがなくて済む。
好ましくは、ミラーと第1の光学要素の間に配置された光傾斜要素は、透過性屈折楔を含むことができる。一実施形態において、楔は、複数の個々の楔要素を含むフレネル楔として形成される。
別の実施形態において、瞳形成ユニットは、ミラーが「オン」状態又は「オフ」状態にあるか否かに関係なく、対物系の瞳平面内でミラーからの反射後の投影光が再度通過することができないような区域内に角度光分布を生成する。この実施形態は、入射投影光が、利用可能な開口数NAのうちで変調された反射投影光とは異なる部分を使用する場合に、瞳平面内で、入射投影光と変調された反射投影光とが通過する異なる部分内に異なる角度分布がもたらされることを利用する。この異なる角度分布は、変調された反射投影光の伝播を妨害することなく入射投影光を対物系内に結合するのに使用することができる。
上記区域は、瞳形成ユニットから射出する投影光を対物系の光路内に結合するビーム偏位面、例えば、ミラー又は偏位プリズム上に位置付けることができる。
別の実施形態において、対物系は、瞳形成ユニットからミラーに向けて伝播する投影光を反射し、ミラーから反射された後であるが、光入射ファセット上に入射する前の投影光を透過する光学面、又はその逆を同じく行う光学面を含む。例えば、適切な偏光制御の結果として、入射投影光と、ミラーから反射された変調された投影光とで異なる反射率を存在させることができる。
より簡単な手法は、角度依存の反射率を有する光学面を使用することである。最も単純な場合に、この光学面は、内部全反射の結果として投影レンズを反射する光学面、例えば、プリズム面によって得られる。内部全反射は、入射角が臨界角を超えた場合にのみ発生する。従って、対物系の利用可能な開口数NAのうちの異なる部分を用いて入射投影光と変調された投影光とを分離するためにそのような光学面を使用することができる。
一実施形態において、制御ユニットは、走査方向に沿って物体区域のうちの1つにおける光パターンからマスク上に形成される像の長さが走査サイクルの開始時に徐々に増大し、走査サイクルの終了時に徐々に減少するように空間光変調器を制御するように構成される。そのような制御を使用すると、従来技術で同じ機能を実施する可動ブレードを割愛することができる。
更に、制御ユニットは、走査サイクル中に隣接する第2のビーム偏向要素の複数の行が、同時に「オフ」状態から「オン」状態に入れられ、その逆も同じく行われるように空間光変調器を制御するように構成することができる。
中間視野平面に配置された従来技術の可動ブレードの機能を適切に制御された空間光変調器が引き受ける場合に、中間視野平面を割愛することができる。言い換えれば、光入射ファセットとマスクの間には、マスクに対して光学的に共役な平面が存在しないことになる。
更に、本発明の主題は、a)第2の区域によって分離された第1の区域を含む光射出面を有する空間光変調器を与える段階と、b)第1の区域の像が最終像平面内で当接するように最終像平面に第2の区域ではなく第1の区域を結像する段階とを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を作動させる方法である。
最終像平面は、瞳平面に複数の2次光源を生成するように構成された光学インテグレーター上に配置することができる。光学インテグレーターは、各々が2次光源のうちの1つに関連付けられた複数の光入射ファセットを含むことができる。
光射出面は、入射投影光を空間分解方式で透過又は反射するように構成することができる。
瞳形成ユニットは、第1の区域上で可変放射照度分布を得ることができるように投影光を空間光変調器上に向けることができる。
第1の区域は、第1の光学要素の第1のアレイを含む対物系によって最終像平面上に結像することができる。各第1の光学要素は、中間像平面に第1の区域のうちの1つの拡大像を形成する。次いで、中間像平面は、最終像平面上に結像される。
更に、本発明の主題は、最終像平面と、光射出面を有し、光の光学特性を空間分解方式で変調するように構成された空間光変調器とを含む光学系である。光学光変調器の光射出面は、第1の区域と第2の区域を含み、第2の区域は、第1の区域を分離し、最終像平面上には結像されない。対物系が、空間光変調器の光射出面を最終像平面上に結像し、この対物系は、第1の区域の像が最終像平面内で当接するようにこれらの像を組み合わせるように構成される。
空間光変調器によって変調される光学特性は、光の振幅、位相、又は偏光状態とすることができる。例えば、空間光変調器は、少なくとも1つの軸の周りに傾斜させることができる複数のマイクロミラーを含むデジタルミラーデバイスとして、又は反射性背面を有するLCDパネルとして構成することができる。そのようなデバイスは、入射光の振幅を変調する。光の位相を変調する空間光変調器は、ミラーが傾斜されずに軸線方向に変位したデジタルミラーデバイスとして実現することができる。
入射光の偏光状態を変調する空間光変調器は、反射性背面を有するが追加の偏光膜を持たないLCDパネルとして実現することができる。
空間光変調器の各第1の区域が、DMD又はLCDパネルのような単一光変調デバイスに対応する場合に、全ての第1の区域の像から途切れなく組み合わされた連続的な像を最終像平面内で得ることができる。従って、最終像平面上に結像すべきではない隣接するデバイスの間の回避不能な間隙からもたらされる技術的制約条件が排除される。これに代えて、対物系の物体平面内で第1の区域が途切れなく当接される場合に得られることになる光分布に等しいか又は少なくとも実質的に類似の光分布が最終像平面内で得られる。
好ましくは、対物系は、第1の区域のうちの1つの拡大像を中間像平面に各要素が形成する第1の光学要素の第1のアレイを含む。次に、結像光学系が、中間像平面を最終像平面上に結像する。
対物系は、中間像平面に配置された第2の光学要素の第2のアレイを含むことができる。そのような第2の光学要素は、テレセントリックビーム経路が得られるように光束を傾斜させるために使用することができる。
各第2の光学要素は、第1の光学要素のうちの1つだけから光を受光するように第1の光学要素のうちの1つと1対1対応で関連付けることができる。
空間光変調器は、反射性又は透過性ビーム偏向要素のビーム偏向アレイを含むことができる。各第2のビーム偏向要素は、入射光を最終像平面の方向に向ける「オン」状態と入射光を他の場所に向ける「オフ」状態とに入ることができると考えられる。
特に、ビーム偏向要素がミラーである場合に、空間光変調器上に向けられる光は、少なくとも対物系の一部分を通過することができる。通常、これは、空間光変調器と第1の光学要素の間に形成された小間隙を通して光を向ける場合よりも容易である。空間光変調器に伝播する光は、ミラー上に入射する前に第1の光学要素の第1のアレイだけではなく第2の光学要素の第2のアレイの上にも入射する。
ミラーが、「オン」状態にある場合に対物系の光軸と平行な方向に対して角度α≠0°を構成するミラー法線を有する平面ミラーである場合に、対物系は、入射投影光の光線を角度αだけ傾斜させるように構成された光傾斜光学要素を含むことができる。
光傾斜要素は、ミラーと第1の光学要素の間に配置することができ、楔を含むことができる。楔は、複数の個々の楔要素を含むフレネル楔として形成することができる。
対物系の瞳平面内で、ミラーからの反射後の光は、ミラーが「オン」状態又は「オフ」状態にあるか否かに関係なく再度アレイを通過することができないような区域内に角度光分布を生成することができる。この区域は、入射投影光を対物系の光路内に結合するビーム偏位面上に位置付けることができる。
別の実施形態において、対物系は、ミラーに向う途中の光を反射し、かつミラーから反射された後であるが最終像平面上に入射する前の光を透過する光学面、又はその逆を同じく行う光学面を含む。光学面は、内部全反射によって光を反射することができ、プリズム面として形成することができる。
定義
本明細書では、いずれかの電磁放射線、特に可視光、UV光、DUV光、VUV光、及びEUV光、並びにX線を表す上で「光」という用語を使用する。
本明細書では、線で表すことができる伝播経路を有する光を表す上で「光線」という用語を使用する。
本明細書では、視野平面に共通の起点を有する複数の光線を表す上で「光束」という用語を使用する。
本明細書では、特定のレンズ又は別の光学要素を通過する全ての光を表す上で「光ビーム」という用語を使用する。
本明細書では、3次元空間内の物体の基準点の場所を表す上で「位置」という用語を使用する。通常、位置は、1組の3つの直交座標で示される。従って、向きと位置は、3次元空間内の物体の配置を完全に説明する。
本明細書では、3次元空間内のいずれかの平面又は曲面を表す上で「面」という用語を使用する。面は、物体の一部とすることができ、又は通常は視野又は瞳平面の場合にそうであるように物体から完全に分離されたものとすることができる。
本明細書では、マスク平面と光学的に共役なマスク平面又はあらゆる他の平面を表す上で「視野平面」という用語を使用する。
「瞳平面」という用語は、視野平面に対して(少なくとも近似的に)フーリエ関係が確立された平面である。一般的に、瞳平面内では、マスク平面内の異なる点を通過する周辺光線が交わり、主光線が光軸と交わる。当業技術で通例であるように、瞳平面が実際には数学的な意味で平面ではなく、若干湾曲しており、従って、厳密な意味では瞳面と呼ぶべきである場合であっても「瞳平面」とう用語を使用する。
本明細書では、位置に依存しない特性を表す上で「均一」という用語を使用する。
本明細書では、各光学ラスター要素が複数の隣接する光学チャネルのうちの1つに関連付けられるように他の同一又は類似の光学ラスター要素と共に配置されたいずれかの光学要素、例えば、レンズ、プリズム、又は回折光学要素を表す上で「光学ラスター要素」という用語を使用する。
本明細書では、NAが開口数であり、aが照明視野面積である時に積NA・aを増大させる光学系を表す上で「光学インテグレーター」という用語を使用する。
本明細書では、2つの平面の間、例えば、視野平面と瞳平面の間にフーリエ関係を確立する(少なくとも近似的に)光学要素又は光学系を表す上で「コンデンサー」という用語を使用する。
本明細書では、結像関係がその間に確立される複数の平面を表す上で「共役平面」という用語を使用する。共役平面の概念に関するより多くの情報は、E.Delano著の論文名「1次設計及び
図(First−order Design and the
Diagram)」、Applied Optics、1963年、第2巻第12号、1251〜1256ページに記載されている。
本明細書では、視野平面内の位置への物理量のいずれの関数依存性を表す上でも「視野依存性」という用語を使用する。
本明細書では、光が入射する実面又は虚面にわたって全放射照度が如何に変化するかを表す上で「空間放射照度分布」という用語を使用する。通常、空間放射照度分布は、x,yが面上の点の空間座標である時に関数Is(x,y)によって表すことができる。
本明細書では、光束の放射照度が、光束を構成する光線の角度に依存して如何に変化するかを表す上で「角度放射照度分布」という用語を使用する。通常、角度放射照度分布は、α,βが光線の方向を表す角座標である時に関数Ia(α,β)によって表すことができる。角度放射照度分布が視野依存性を有する場合に、Iaは、視野座標の関数にもなり、すなわち、Ia=Ia(α,β,x,y)である。角度放射照度分布の視野依存性は、x,yにおけるIa(α,β,x,y)のテイラー(又は別の適切な)展開の展開係数の組aijによって表すことができる。
本明細書では、ウェーハ又は別の支持体上でダイの全域が投影光に露光される走査処理を表す上で「走査サイクル」という用語を使用する。
以下に続く詳細説明を添付図面に関連付けて参照することで、本発明の様々な特徴及び利点をより容易に理解することができるであろう。
本発明の一実施形態による投影露光装置の略斜視図である。 角度放射照度分布の様々な欠点を示す図1に示す投影露光装置によって投影されるマスクの拡大斜視図である。 図1に示す装置の一部である照明系を通る子午断面図である。 図3に示す照明系内に含まれる第1のミラーアレイの斜視図である。 図3に示す照明系内に含まれる第2のミラーアレイの斜視図である。 図3に示す照明系内に含まれる光学インテグレーターの斜視図である。 図4及び図5に示す第1及び第2のミラーアレイを通る略子午断面図である。 図5に示す第2のミラーアレイであるが2つの極によって照明されたミラーアレイ上の斜視図である。 図6に示す光学インテグレーターであるが2つの極で照明されたインテグレーターの斜視図である。 ミラーアレイ、コンデンサー、及び光学ラスター要素アレイのみを示す照明系の一部分を通る略子午断面図である。 図11aは、図3に示す第2のミラーアレイ上の上面図であり、図11bは、図3に示す光学インテグレーター上の上面図である。 光学インテグレーターの光入射ファセット上の放射照度分布を示す図である。 図12に示す光入射ファセットによって生成されるX方向に沿った走査積分放射照度分布を示すグラフである。 光学インテグレーターの光入射ファセット上の別の放射照度分布を示す図である。 図14に示す光入射ファセットによって生成されるX方向に沿った走査積分放射照度分布を示すグラフである。 複数の光点が放射照度分布をその上に生成する第2のミラーアレイ上の上面図である。 図16の第2のミラーアレイであるがマイクロミラーのうちのいくつかが「オフ」状態にあるミラーアレイを示す図である。 代替実施形態のための単一光入射ファセット上の放射照度分布に対する上面図である。 図18に示す光入射ファセットによって生成されるX方向に沿った走査積分放射照度分布を示すグラフである。 図20a−cは、光入射ファセット上のマイクロミラー像及びマスク上の対応する放射照度分布を示す図である。 図20aから図20cに示す放射照度分布を重ねることによって得られた全放射照度分布を示すグラフである。 図3に示す照明系内に含まれる対物系及び追加の散乱板を通る略子午断面図である。 第2のミラーアレイ上の物体区域、アナモフィック対物系、及び光学インテグレーターの光学ラスター要素上の略斜視図である。 左手側に単一支持体上に8つのデジタルミラーデバイスを含む空間光変調器上の上面図を示し、右手側に光学インテグレーター上のデジタルミラーデバイスの像を示す図である。 本発明の一実施形態による光学インテグレーター上のデジタルミラーデバイスの像を途切れなく貼り合わせる対物系を通る子午断面図である。 本発明の別の実施形態による視野レンズを含む対物系を通る子午断面図である。 図26に示す対物系と類似の対物系を通る子午断面図である。 入射投影光に対してのみ内部全反射が発生するプリズムを用いて入射投影光が対物系内に結合される対物系を通る子午断面図である。 対物系の瞳平面に配置されたミラーを用いて入射投影光が対物系内に結合される対物系を通る子午断面図である。 「オン」状態において対物系の光軸に対して傾斜されるマイクロミラーを通る拡大子午断面図である。 図30に示すものと同様であるが、追加の透過楔がミラーの前に配置された子午断面図である。 複数のミラー及びその前に配置されたフレネル楔を通る子午断面図である。 空間光変調器として使用されるLCDパネル上の放射照度分布を定めるために回折光学要素が使用される別の実施形態による照明系を通る子午断面図である。 図34a−dは、走査サイクルの様々な段階における空間光変調器の物体区域上、光入射ファセット上、及びマスク上の上面図である。 図34e−hは、走査サイクルの様々な段階における空間光変調器の物体区域上、光入射ファセット上、及びマスク上の上面図である。 本発明の重要な方法段階を示す流れ図である。
I.投影露光装置の一般的構成
図1は、本発明による投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。装置10は、例えば、エキシマレーザとして実現することができる光源11を含む。この実施形態において、光源11は、193nmの中心波長を有する投影光を生成する。他の波長、例えば、257nm又は248nmも考えられる。
装置10は、光源11によって供給される投影光を以下により詳細に説明する方式で調整する照明系12を更に含む。照明系12から射出する投影光は、マスク16上の照明視野14を照明する。マスク16は、図1に細線として略示する複数の小さい特徴部19によって形成されたパターン18を含む。この実施形態において、照明視野14は矩形形状を有する。しかし、他の形状の照明視野14、例えば、リングセグメントも考えられる。
レンズL1からL6を含む投影対物系20は、照明視野14の範囲のパターン18を基板24によって支持された感光層22、例えば、フォトレジスト上に結像する。シリコンウェーハによって形成することができる基板24は、感光層22の上面が投影対物系20の像平面に正確に位置付けられるようにウェーハ台(図示せず)上に配置される。マスク16は、投影対物系20の物体平面内のマスク台(図示せず)を用いて配置される。投影対物系20は、|β|<1である倍率βを有するので、感光層22上には照明視野14の範囲のパターン18の縮小像18’が投影される。
投影中に、マスク16及び基板24は、図1に示すY方向に対応する走査方向に沿って移動する。次に、照明視野14は、それよりも大きいパターン化された区域を連続的に結像することができるようにマスク16の上を走査する。基板24の速度とマスク16の速度の比は、投影対物系20の倍率βに等しい。投影対物系20が像を反転させない場合(β>0)には、図1に矢印A1及びA2に示すように、マスク16及び基板24は同じ方向に沿って移動する。しかし、本発明は、マスクの投影中にマスク16及び基板24が移動しないステッパツールに対して使用することができる。
II.視野依存角度放射照度分布
図2は、別の例示的なパターン18を含むマスク16の拡大斜視図である。簡略化の目的で、パターン18は、Y方向に沿って延びる特徴部19のみを含むと仮定する。更に、Y方向に沿って延びる特徴部19は、感光層22上にX二重極照明設定を用いて最良に結像されると仮定する。
図2では、ある光束に関連付けられた射出瞳26aを円で例示している。光束は、走査サイクル中の最初の時点で照明視野14のある一定のX位置に配置される視野点に向けて収束する。射出瞳26a内でX方向に沿って分離された2つの極27aは、投影光がこの視野点に向けて伝播する方向を表している。各極27a内に集中する光エネルギは等しいと仮定する。従って、+X方向から入射する投影光は、−X方向から入射する投影光と同じエネルギを有する。特徴部19がパターン18にわたって均一に配分されると仮定しているので、このX二重極照明設定がマスク16上の各視野点上に生成されるはずである。
26bで表記している別の出射瞳は、走査サイクルの後の時点で照明視野14の別のX位置に配置される視野点に向けて収束する光束に関連付けられる。各極27b内に集中する光エネルギは、この場合も等しい。しかし、極27bに関連付けられた光は、理想的な極27aに関連付けられた光の光円錐と比較して傾斜される。この傾斜は、視野点が同じ量の投影光を受光するが、投影光が視野点上に入射する方向が特徴部19を感光層22上に結像するのに理想的ではないことを意味する。
26cで表記している更に別の出射瞳は、照明視野14内の更に別のX位置に配置された点に関連付けられる。次に、投影光が視野点上に入射する方向は、ここでもまた、特徴部19を結像するのに理想的であると仮定する。従って、極27cに関連付けられた光円錐は、理想的な出射瞳26aに関連付けられた円錐と同じ円錐角及び向きを有する。しかし、極27cは均衡ではなく、すなわち、極27c内に集中する光エネルギが互いに異なる。従って、+X方向から入射する投影光は、−X方向から入射する投影光よりも低いエネルギを有する。
以上により、射出瞳26aによって表した理想的な角度放射照度分布は、照明視野14内の各X位置において得られるわけではないことが明らかになる。従って、角度放射照度分布は、視野依存のものであり、すなわち、角度放射照度分布は、異なる視野点で異なる。
視野依存性は、照明視野14の範囲でX方向だけではなくY方向に沿っても発生する可能性がある。次に、マスク16上の1つの点は、走査サイクル中に照明視野14を通過する間に異なる角度放射照度分布に露出される。Y方向(すなわち、走査方向)に沿った視野依存性が発生する場合に、特定の視野点での全体効果は、異なる角度放射照度分布を積分することによって得られることを考慮しなければならない。
理想的な角度放射照度分布からの実角度放射照度分布の様々な更に別の視野依存偏差が存在する。例えば、一部の視野点に関連付けられた射出瞳内の極は、変形され、不鮮明になり、又は望ましい不均一放射照度分布を有する可能性がある。
理想的な角度放射照度分布からの視野依存偏差が発生する場合に、一般的に、感光層22上に形成されるパターン像の品質に悪影響を有する。特に、装置10を用いて生成される構造の寸法が不用意に変化する場合があり、それによってこれらの構造を含むデバイスの機能が損なわれる場合がある。従って、一般的に、照明視野14内の照明設定のあらゆる視野依存性を排除することが望ましい。
しかし、時には、角度放射照度分布の視野依存性を意図的に導入することが望ましい。例えば、投影対物系20又はマスク16が、感光層22上のパターン18の像に影響を及ぼす視野依存特性を有する場合に、この導入を好適とすることができる。例えば、製造公差、経年変化現象、又は不均一温度分布の結果として、投影対物系20の結像特性の変化が発生する可能性がある。マスク16の視野依存性は、多くの場合に、例えば、異なる向き又は寸法を有する特徴部の結果として発生する。多くの場合に、視野依存の悪影響は、角度放射照度分布の視野依存性を選択的に導入することによって首尾良く低減することができる。これらの効果の一部は非常に急速に変化するので、時に単一走査サイクル中に角度放射照度分布の視野依存性を変更することが望ましい。
III.照明系の一般的構成
図3は、図1に示す照明系12を通る子午断面図である。明瞭化の目的で、図3の図は大きく簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。これは、異なる光学ユニットが1つ又は非常に少ない光学要素による以外は表されていないことを意味する。実際には、これらのユニットは、有意に多くのレンズ及び他の光学要素を含むことができる。
図示の実施形態において、光源11によって放出された投影光はビーム拡大ユニット32に入射し、ビーム拡大ユニット32は、拡大されてほぼ平行化された光ビーム34を出力する。この目的のために、ビーム拡大ユニット32は、いくつかのレンズを含むことができ、又は例えばミラー装置として実現することができる。
次いで、投影光ビーム34は、その後の平面に可変空間放射照度分布を生成するのに使用される瞳形成ユニット36に入射する。この目的のために、瞳形成ユニット36は、アクチュエータを用いて2つの直交軸の周りに個々に傾斜させることができる非常に小さいミラー40の第1のミラーアレイ38を含む。図4は、2つの平行光ビーム42、44が、これらの光ビームが入射するミラー40の傾斜角に依存して異なる方向に如何に反射されるかを示す第1のミラーアレイ38の斜視図である。図3及び図4では、第1のミラーアレイ38は6×6個のミラー40のみを備え、実際には第1のミラーアレイ38は、数百個又は更に数千個のミラー40を含むことができる。
瞳形成ユニット36は、照明系12の光軸OAに対して両方共に傾斜した第1の平面48aと第2の平面48bとを有するプリズム46を更に含む。これらの傾斜面48a、48bでは、入射光は内部全反射によって反射される。第1の面48aは、入射光を第1のミラーアレイ38のミラー40に向けて反射し、第2の面48bは、ミラー40から反射された光をプリズム46の射出面49の方向に向ける。従って、射出面49から射出する光の角度放射照度分布を第1のミラーアレイ38のミラー40を個々に傾斜させることによって変更することができる。瞳形成ユニット36に関する更なる詳細は、US 2009/0116093 A1から得ることができる。
瞳形成ユニット36によって生成された角度放射照度分布は、第1のコンデンサー50を用いて空間放射照度分布に変換される。他の実施形態では割愛することができるコンデンサー50は、入射光を空間分解方式で反射するように構成されたデジタル空間光変調器52の方向に入射光を向ける。この目的のために、デジタル空間光変調器52は、ミラー平面57に配置されたマイクロミラー56の第2のミラーアレイ54を含み、図3の拡大抜粋図C及び図5の拡大抜粋図C’で最も明確に見ることができる。しかし、第1のミラーアレイ38のミラー40とは対照的に、第2のミラーアレイ54の各マイクロミラー56は、2つだけの安定した作動状態、すなわち、入射光を第1の対物系58を通して光学インテグレーター60に向ける「オン」状態と、入射光を光吸収面62の方向に向ける「オフ」状態とを有する。図3では、対物系58を2つのレンズを用いて概略的にしか表していない。第IV.8節において、対物系58が本発明によりどのように構成されるかを更に説明する。
第2のミラーアレイ54は、例えば、ビームプロジェクターにおいて一般的に使用される場合のようにデジタルミラーデバイス(DMD)として実現することができる。そのようなデバイスは、2つの作動状態の間で毎秒何千回も切り換えを行うことができる数百万個までのマイクロミラーを含むことができる。
瞳形成ユニット36と同様に、空間光変調器52は、光軸OAと垂直に配置された入射面65と、両方共に照明系12の光軸OAに対して傾斜された第1の平面66a及び第2の平面66bとを有するプリズム64を更に含む。これらの傾斜面66a、66bでは、入射光は内部全反射によって反射される。第1の面66aは、入射光を第2のミラーアレイ54のマイクロミラー56に向けて反射し、第2の面66bは、マイクロミラー56から反射された光をプリズム64の面68の方向に向ける。
第2のミラーアレイ54の全てのマイクロミラー56が「オン」状態にある場合に、第2のミラーアレイ54は、実質的に平面ビーム折り返しミラーの効果を有する。しかし、1つ又はそれよりも多くのマイクロミラー56が「オフ」状態に切り換えられた場合に、ミラー平面57から射出する光の空間放射照度分布が修正される。この修正は、マスク16上の角度光分布の視野依存の修正を生成するために以下に更に説明する方式で使用することができる。
既に上述したように、プリズム64から射出した光は第1の対物系58を通過し、光学インテグレーター60上に入射する。第1の対物系58を通過する光はほぼ平行化されるので、第1の対物系58は、非常に低い開口数(例えば、0.01又は更に低い)を有することができ、従って、少数の小さい球面レンズを用いて実現することができる。第1の対物系58は、空間光変調器52のミラー平面57を光学インテグレーター60上に結像する。
光学インテグレーター60は、図示の実施形態では光学ラスター要素74の第1のアレイ70と第2のアレイ72とを含む。図6は、2つのアレイ70、72の斜視図である。各アレイ70、72は、支持板の各側にX方向及びY方向それぞれに沿って延びる円柱レンズの平行アレイを含む。2つの円柱レンズが交差する空間領域は光学ラスター要素74を形成する。従って、各光学ラスター要素74を円柱湾曲面を有するマイクロレンズと見なすことができる。円柱レンズの使用は、特に光学ラスター要素74の屈折力がX方向に沿ってかつY方向に沿って異なることになる場合であれば有利である。異なる屈折力は、通常の場合がそうであるように、光学インテグレーター60上の正方形の放射照度分布がスリット形照明視野14に変換されることになる場合に必要である。以下では、空間光変調器52の方向に向く光学ラスター要素74の面を光入射ファセット75と呼ぶ。
第1及び第2のアレイ70、72それぞれの光学ラスター要素74は、第1のアレイ70の1つの光学ラスター要素74が、第2のアレイ72の1つの光学ラスター要素74と1対1対応で関連付けられるように互いに前後に配置される。互いに関連付けられた2つの光学ラスター要素74は、共通軸に沿って位置合わされ、光学チャネルを定める。光学インテグレーター60内では、1つの光学チャネル内で伝播する光ビームは、他の光学チャネル内で伝播する光ビームと交差又は重ね合わない。従って、光学ラスター要素74に関連付けられた光学チャネルは、互いから光学的に分離される。
この実施形態において、照明系12の瞳平面76は、第2のアレイ72の背後に位置付けられるが、その前に同等に配置することもできる。第2のコンデンサー78は、瞳平面76と、走査サイクル中にマスク16が走査方向Yに沿って移動するマスク平面88との間にフーリエ関係を確立する。光学インテグレーター60の光入射ファセット75とマスク16の間には視野平面、すなわち、マスク16に対して光学的に共役である平面がない。通常、従来の照明系は、可動ブレードを含む調節可能視野絞りを有し、光学インテグレーター60とマスク16の間の視野平面に配置されるので、上述のことは、照明系12の顕著な特徴である。可動ブレードは、照明視野14が、マスク移動と同期して走査方向Yに沿った各走査サイクルの開始点と終了時に開閉することを確実にする。下記の第IV.11節から明らかなように、この機能は、照明系12内で空間光変調器52の適切な制御によって実施される。
以上により、マスク平面88は、光学インテグレーター60の光入射ファセット75の内部又はその直近に位置付けられるラスター視野平面84に対して光学的に共役である。これは、ラスター視野平面84内の各光入射ファセット75上の放射照度分布が、このファセットに関連付けられた第2のアレイ72のラスター要素74及び第2のコンデンサー78によってマスク平面88上に結像されることを意味する。全ての光学チャネル内にある光入射ファセット75上の放射照度分布(又は光パターン)の像は、マスク平面88内で重なり、それによってマスク16の非常に均一な照明がもたらされる。
マスク16の均一な照明を表す別の方法は、各光学チャネルによって瞳平面76内に生成される放射照度分布に基づくものである。この放射照度分布を多くの場合に2次光源と呼ぶ。全ての2次光源は、異なる方向からの投影光によってマスク平面88を共通して照明する。2次光源が「暗い」場合に、光は、この特定の光源に関連付けられた方向の(小さい)範囲からはマスク16上に入射しない。従って、瞳平面76内に形成される2次光源を単純にオン及びオフに切り換えることにより、マスク16上に望ましい角度光分布を設定することができる。この切り換えは、瞳形成ユニット36を用いて光学インテグレーター60上の放射照度分布を変更することによって達成される。
瞳形成ユニット36及び空間光変調器52は、制御ユニット90に接続され、更に制御ユニット90は、パーソナルコンピュータとして示す全体系制御器92に接続される。制御ユニット90は、マスク平面88内の角度放射照度分布が均一であり、又は望ましい視野依存角度放射照度分布が得られ、照明視野14が、走査方向Yに沿った走査サイクルの開始点と終了点とで開閉するように瞳形成ユニット36のミラー40及び空間光変調器52のマイクロミラー56を制御するように構成される。
以下ではこれが如何に達成されるかを説明する。
IV.照明系の機能及び制御
1.瞳形成
図7は、瞳形成ユニット36が、空間光変調器52のマイクロミラー56上に如何に放射照度分布を生成するかを略示している。簡略化の目的で、プリズム46、64を示していない。
第1のミラーアレイ38の各ミラー40は、それぞれのミラー40によって生成される偏向角を変化させることによって可変である位置で空間光変調器52のミラー平面57上のスポット94を照明するように構成される。従って、ミラー40をその傾斜軸の周りに傾斜させることにより、スポット94をミラー平面57にわたって自由に移動することができる。このようにして、ミラー平面57上に様々な異なる放射照度分布を生成することができる。95において示すように、スポット94が部分的又は完全に重なり合うことも可能である。次に、漸変的な放射照度分布を生成することもできる。
図8は、空間光変調器52内に含まれる第2のミラーアレイ54上の図5と類似の斜視図である。ここで、瞳形成ユニット36は、各々が正確に6×6個のマイクロミラー56にわたって延びる2つの正方形の極27の放射照度分布を第2のミラーアレイ54上に既に生成していると仮定する。極27は、X方向に沿って点対称に配置される。
対物系58は、図9に示すように、光学インテグレーター60の光入射ファセット75上に上述の放射照度分布の像を形成する。次に、第2のミラーアレイ54上に形成される放射照度分布が、光学インテグレーター60の光入射ファセット75上で等しく再現されるように(対物系58の倍率に起因して起こり得るスケーリングを除いて)、全てのマイクロミラー56が「オン」状態にあると仮定している。簡略化の目的で、隣接するマイクロミラー56を分離する間隙の像を無視している。光入射ファセット75上に示す規則的な格子は、マイクロミラー56の境界線の像を表すが、この像は、極27の外側には出現せず、図9では、単に例示の理由に示したものである。
2.視野依存性
光入射ファセット75は、ラスター視野平面84内に位置付けられるので、光入射ファセット75上の放射照度分布は、第2のアレイ72の光学ラスター要素74と第2のコンデンサー78とを通してマスク平面88上に結像される。
次いで、この結像を図3からの拡大抜粋図であって正確な縮尺のものではない図10を参照して以下に説明する。この図では、光学インテグレーター60の光学ラスター要素74の2つの対のみと、第2のコンデンサー78と、マスク平面88とを略示している。
以下では、単一光学チャネルに関連付けられた2つの光学ラスター要素74を第1のマイクロレンズ101及び第2のマイクロレンズ102と呼ぶ。時にマイクロレンズ101、102を視野及び瞳ハニカムレンズと呼ぶ。特定の光学チャネルに関連付けられたマイクロレンズ101、102の各対は、瞳平面76内に2次光源106を生成する。図10の上側半分では、それぞれ実線及び一点鎖線で示す収束光束L1a、L2a、及びL3aは、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット75の異なる点上に入射すると仮定している。マイクロレンズ101、102、及びコンデンサー78を通した後に、各光束L1a、L2a、及びL3aは、それぞれフォーカスF1、F2、F3に収束する。図10の上側半分からは、光線が光入射ファセット75上に入射する点と、これらの光線がマスク平面88を通過する点とが光学的に共役であることが明らかになる。
図10の下側半分は、平行化された光束L1b、L2b、及びL3bが、第1のマイクロレンズ101の光入射ファセット75の異なる領域上に入射する場合を示している。これは、光学インテグレーター60上に入射する光が通常は実質的に平行化されるので、より現実的な場合である。光束L1b、L2b、及びL3bは、第2のマイクロレンズ102内に位置付けられる共通のフォーカスFにフォーカスされ、次いで、マスク平面88をここで再度平行化されて通過する。この場合にも、光学的共役性の結果として、光束L1b、L2b、及びL3bが光入射ファセット75上に入射する領域は、マスク平面88内の照明視野14の一部分に対応することを見ることができる。当然ながら、マイクロレンズ101、102がX方向とY方向の両方に沿って屈折力を有する場合に、これらの考察は、X方向とY方向で別個に適用される。
従って、光入射ファセット75上の各点は、マスク平面88内の照明視野14内の共役点に直接的に対応する。光入射ファセット75上の点上の放射照度に選択的に影響を及ぼすことができる場合に、こうして照明系の光軸OAに対する光入射ファセット75の位置に依存する方向からマスク平面88内の共役点上に入射する光線の放射照度に影響を及ぼすことが可能である。光軸OAから特定の光入射ファセット75の間の距離が大きい程、当該光線がマスク16上の点上に入射する角度は大きい。
3.光入射ファセット上の放射照度の修正
照明系12では、光入射ファセット75上の点上の放射照度を修正するのに空間光変調器52が使用される。図9では、各極27が、マイクロミラー56の像である複数の小区域にわたって延びていることを見ることができる。マイクロミラーが「オフ」状態に入れられた場合に、光入射ファセット75上の共役区域は照明されなくなり、その結果、投影光は、この特定の光入射ファセット75に関連付けられた方向の(小さい)範囲からマスク上の共役区域上に入射しなくなる。
これをそれぞれ空間光変調器52のマイクロミラー56及び光学インテグレーター60の光入射ファセット75に対する上面図である図11a及び11bを参照してより詳細に以下に説明する。
第2のミラーアレイ54上の太い点線は、このアレイのミラー平面57を各々が3×3個のマイクロミラー56を含む複数の物体区域110に分割する。対物系58は、光学インテグレーター60上に各物体区域110の像を形成する。以下ではこの像を像区域110’と呼ぶ。各像区域110’は、光入射ファセット75と完全に一致し、すなわち、像区域110’は、光入射ファセット75と同じ形状、サイズ、及び向きを有し、光入射ファセット75上に完全に重ね合わされる。各物体区域110は、3×3個のマイクロミラー56を含むので、像区域110’も同じくマイクロミラー56の3×3個の像56’を含む。
図11aでは、瞳形成ユニット36による投影光で完全に照明される8つの物体区域110が存在する。これらの8つの物体区域110は、2つの極27を形成する。物体区域110のうちの一部のものの内部では、黒色の正方形として表す1つ、2つ、又はそれよりも多いマイクロミラー56dが、入射投影光が対物系58ではなく吸収体62の方向に向けられる「オフ」状態になるように、制御ユニット90によって制御されたことを見ることができる。従って、マイクロミラーを「オン」状態と「オフ」状態の間で切り換えることにより、図11bに示すように、投影光が光入射ファセット75上の像区域110’の範囲の対応する領域上に入射することを変更可能に阻止することができる。以下ではこれらの領域を暗スポット56d’と呼ぶ。
図10を参照して上述したように、光入射ファセット75上の放射照度分布は、マスク平面88上に結像される。図12の上側部分に示すように、光入射ファセット75が1つ又はそれよりも多くの暗スポット56d’を含む場合に、関連付けられた光学チャネルによってマスク平面88内に生成される放射照度分布もまた、ある一定のX位置において暗スポットを有することになる。従って、マスク上の点が照明視野14を通過する場合に、全走査積分放射照度は、図13のグラフに示すように、照明視野14内の点のX位置に依存することになる。照明視野14の中央にある点は、暗スポットを通過しないことで最も高い走査積分放射照度を受けることになり、照明視野14の長手端部にある点は、異なる程度まで低減された全放射照度を受けることになる。従って、空間光変調器52の1つ又はそれよりも多くのマイクロミラー56を選択的に「オン」状態から「オフ」状態に入れることにより、マスク16上の角度光分布の視野依存性を修正することができる。
上記では、光入射ファセット75のうちの1つの上に結像される各物体区域110が3×3個のマイクロミラー56のみを含むと仮定しなければならなかった。従って、角度光分布の視野依存性を修正するのに使用することができる交差走査方向Xに沿った分解能は比較的粗い。各物体区域110の範囲のマイクロミラー56の個数を増加させると、この分解能を改善することができる。
図14は、各物体区域110内に20×20個のマイクロミラー56が含まれる実施形態における光入射ファセット75のうちの1つに対する上面図を示している。次に、図15に示すグラフに示すように、マスク16上でX方向に沿ったより複雑な走査積分放射照度分布を得ることができる。
4.クリッピング
上記では、瞳形成ユニット36が、第2のミラーアレイ54上で正確に4つの隣接する物体区域110にわたって延びる極27を照明すると仮定した。しかし、一般的に、鮮明な縁部を有するそのような放射照度分布を生成するのは困難になる。
空間光変調器52は、照明されることになる物体区域110の外側に位置付けられるマイクロミラー56を「オフ」状態に入れることによってミラー平面57内の不鮮明な放射照度分布をクリッピングするのに使用することができる。
このクリッピングを第2のミラーアレイ54上の放射照度分布96を示す図16及び図17に例示している。ここで、瞳形成ユニット36のミラー40によって生成される可動光点94は、4つの極を形成するように重ね合わされると仮定している。空間光変調器52の全てのマイクロミラー56が、図16に示すように「オン」状態にある場合に、不鮮明な放射照度分布96が光入射ファセット75上に結像されることになる。望ましい物体区域110を取り囲むマイクロミラー56が、図17に示すように「オフ」状態に入れられた場合に、これらのマイクロミラーは、極を区切るフレームを形成し、従って、光入射ファセット上に強度分布の鮮明な縁部を生成する。
5.相対回転
これまでに記述した実施形態において、マイクロミラー56が物体区域110の境界線と平行に位置合わせされると仮定した。次に、マイクロミラー56によって形成される矩形格子は、光入射ファセット75によって形成される矩形格子と平行である。それによって図13及び図15に示すように、マイクロミラー56の1つの「列」に沿った放射照度が常に均一である放射照度分布がもたらされる。従って、光入射ファセット75上に段階状のものに限った放射照度分布を生成することができる。
時には、段階状のものではなく、傾斜部分を含む放射照度分布を生成することが望ましい。この放射照度分布は、2つの矩形格子が互いに平行に配置されず、図18に示すように角度αを有する場合に達成することができる。次に、マイクロミラー56の像56’は、光入射ファセット75の側辺と角度αを形成する格子114を形成する。この時に、隣接するマイクロミラー56の中心は、光入射ファセット75の境界線に対して同じ角度αを形成する像116を有する直線に沿って位置合わせされる。この角度αが、m=0,1,2,3,...である時にm・45°と明確に異なる場合に、放射照度分布は、図13及び図15に示すような段階状分布の形状を持たなくなる。
図19は、図18に示す回転された配置においてX方向に沿って走査積分された放射照度分布を示すグラフである。図18には、一部の特定のX位置を破線に示している。角度αが、m=0,1,2,3,...である時にm・45°と明確に異なる場合に、劣化が軽減し、それによってより多くの異なるX位置において望ましい減衰を得ることができる。言い換えれば、以上により、角度放射照度分布の視野依存性を修正するのに利用可能なX方向に沿った分解能を実質的に高めることができる。
6a.間隙−横方向変位
上述したように、通常、第2のミラーアレイ54の隣接するマイクロミラー56の間に小さい間隙が形成されることは不可避である。光入射ファセット75上に、更にマスク16上にもこれらの間隙の像が形成される。これらの像が交差走査方向Xと平行に延びる場合に、走査作動からもたらされる積分効果のおかげでほとんど心配はない。しかし、走査方向Yと平行に延びる暗線は、積分効果によって補償することができない。
図20aは、間隙の像を118’で表記した光入射ファセット75のうちの1つに対する上面図を上側部分に示している。図20aの下側部分にあるグラフは、この特定の光入射ファセット75によってマスク平面88内に生成される交差走査方向Xに沿った放射照度分布を示している。全ての光入射ファセット75が同じX位置に暗線120を生成することになる場合に、これらの位置では投影光がマスク16上の点に到達しないことになる。
図20b及び図20cは、間隙像118’が交差走査方向Xに沿って異なる度合で横方向に変位した他の光入射ファセット75を示している。その結果、これらの図の下側部分に示す放射照度分布内の暗線120も横方向に変位している。各光学チャネルによって生成される放射照度分布は、マスク平面88内で重ね合わされるので、暗線120は、図21に示すように平均化される。光入射ファセット75の個数が大きい程、更に暗線120が小さい程、マスク平面88内の放射照度分布I(x)は均一な分布に近づく。
6b.間隙−散乱板
これに代えて又はこれに加えて、間隙像118’によってマスク平面88上に引き起こされる暗線を回避するために、光学光変調器52とマスク平面88の間の光路内に散乱板122を配置することができる。散乱板122の適切な位置は、光学光変調器52と対物系58の間、対物系58と光学インテグレーター60の間、又はマスク平面88の近くである。
図22は、空間光変調器52のいくつかのマイクロミラー56、対物系58、及びこれらの間に配置された散乱板122を示す略子午断面図である。2つの隣接するマイクロミラー56の間の間隙118が幅dを有すると仮定し、散乱板122と空間光変調器52の光射出面57との間の軸線方向距離をbで表記している。散乱板122の特徴散乱角βが約d/bである場合に、光入射ファセット75上に形成される間隙118の像は十分に不鮮明である。散乱角βがd/bよりも有意に大きい場合に、放射照度分布及び角度放射照度分布の視野依存性に対する望ましい空間分解能は低下する。散乱角βが過度に小さい場合に、光入射ファセット75上の間隙の像は依然として顕著であることになる。
7.矩形物体区域
上述の実施形態において、走査方向Yに沿ったマイクロミラー56の個数と交差走査方向Xに沿ったマイクロミラー56の個数とが等しいと仮定した。従って、正方形マイクロミラー56の矩形格子は、光学インテグレーター60の正方形の光入射ファセット75内に完全に嵌り込む。
交差走査方向Xに沿ったマイクロミラー56の個数NXは、放射照度分布及び角度放射照度分布の視野依存性を調節するのに利用可能な分解能を決定する。この個数は、可能な限り大きくなければならない。
走査方向Yに沿ったマイクロミラー56の個数NYは、走査作動によって引き起こされる積分効果のおかげで有意により小さいとすることができる。例示的には、走査方向Yに沿って隣接する複数の光学チャネルが、走査サイクル中にマスク16上の点上の放射照度の低下に寄与することができる。これは、交差走査方向Xに沿って隣接する光学チャネルには当て嵌まらない。
これらの要件は、物体区域110を交差走査方向Xに沿った長さが走査方向Yに沿った物体区域の長さよりも大きい(例えば、2倍、好ましくは、少なくとも5倍大きい)矩形とすることで十分であることを示唆している。マイクロミラー56が方向XとYに沿って等しい寸法を有すると仮定すると、上述のことは、交差走査方向Xに沿ったマイクロミラー56の個数NXが走査方向Yに沿った個数NYよりも多いことを意味する。
矩形物体区域110が正方形光入射ファセット75上に結像されることになる場合に、対物系58はアナモフィックのものでなければならない。より具体的には、倍率Mの絶対値は、走査方向Yに沿ってよりも交差走査方向Xに沿って小さく、すなわち、|MX|<|MY|である必要がある。これを図23に例示しており、この図では、単一矩形物体区域110と光学ラスター要素74の光入射ファセット75との間に対物系58の2つの円柱レンズ124、126が配置されている。交差走査方向Xに沿った物体区域110の長さがLXであり、走査方向Yに沿った長さがLYである場合に、|MX/MY|は、LY/LXに等しくなければならない。
対物系58ではなく、その後のコンデンサー78がアナモフィックのものであり、従って、その焦点距離fがX方向とY方向で異なる場合にも類似の結果が得られる。対物系58が回転対称であり、従って、MX=MYである場合に、光入射ファセット75上の放射照度分布は、物体区域110と同じアスペクト比LY/LXを有する矩形になる。次に、この矩形放射照度分布は、マスク平面88内で正方形放射照度分布が得られるようにアナモフィックコンデンサー78によって拡大される。この手法は、方向X、Yに沿って異なるコンデンサーの焦点距離を光学ラスター要素74の屈折力によって補償しなければならないので、光学インテグレーター60の再設計を必要とする可能性がある。
8.物体区域のグループ分け
各物体区域110内のマイクロミラー56の個数、更に光学チャネルの個数(従って、光入射ファセット75の個数)が多くなる場合に、第2のミラーアレイ54内のマイクロミラー56の全数が莫大になる可能性がある。そのような莫大な個数のマイクロミラー56を含む第2のミラーアレイ54を単一デバイス内に設けることは困難である可能性があるので、第2のミラーアレイ56は、各々が多数個の物体区域110を含むいくつかの独立したデバイスに分割するように考えられている。次に、第2のミラーアレイ54は、各々が多数個の物体区域を含むいくつかのグループを含むものと考えることができる。これらのグループは、光入射ファセット上には結像されない暗区域(すなわち、投影光が射出しない区域)によって互いにから分離される。各グループは、単一で独立したデバイス、例えば、デジタルミラーデバイス(DMD)又はLCDパネルとして実現することができる。
図24は、左手側に、物体区域110の8つのグループ54−1から54−8が単一支持体170上で組み合わされる実施形態による第2のミラーアレイ54上の上面図を示している。この実施形態において、各グループ54−1から54−8は、デジタルミラーデバイス(DMD)として達成される。隣接するグループ54−1から54−8の間の区域130は、光学インテグレーター60上に結像されない。これらの区域130は、投影光によって照明すべきではないので、以下では暗区域130と呼ぶ。
この実施形態において、各グループ54−1から54−8は、グループ54−1に太線に示す8つの物体区域110を含む。各物体区域110は、光学インテグレーター60の対応する光入射ファセット75上に結像され、5×5個のマイクロミラー56を含む。図24の右手側に示すように、グループ54−1から54−8の像54−1’から54−8’が、光学インテグレーター60上で途切れなく当接するように、対物系58によってこれらの像が貼り合わせられる。次に、物体区域110の像110’も、各像110’が正確に1つの光入射ファセット75を覆うように光学インテグレーター60上で途切れなく当接する。
a)貼り合わせ
図25は、光学インテグレーター60上で分離されたグループ54−1から54−8の像54−1’から54−8’を途切れなく貼り合わせることができる対物系58を示している。対物系58は、第1の光学要素134の第1のアレイを含む。各第1の光学要素134は、中間像平面132内にグループ54−1から54−8のうちの1つの拡大像を形成する。第1の光学要素134による倍率は、グループ54−1から54−8の像54−1’から54−8’が中間像平面132内で少なくとも実質的に途切れなく当接するように決定される。結像光学系138は、中間像平面132を光学インテグレーター60の光
入射ファセット75上に結像する。従って、この対物系58は、第2の区域によって分離された複数の第1の区域を第1の区域が少なくとも実質的に途切れなく当接する連続像区域を発生させる。
図25に示す実施形態において、第1の光学要素134は単一レンズによって形成される。しかし、この目的を実現するために、他の結像要素、例えば、回折光学要素、レンズの組合せ、又は他の光学要素を使用することができる。
原理的には、結像光学系138を割愛することができる。次に、第1の光学要素134は、グループ54−1から54−8を直接に、すなわち、中間像平面132なしに光学インテグレーター60上に結像する。しかし、次に、光学インテグレーター60上の像視野のサイズは、図25から明らかなように、グループ54−1から54−8の個数、サイズ、及びこれらのグループの間の距離だけによって決定される。通常、光学インテグレーター60を像視野のサイズに適応させるのではなく、像視野のサイズを光学インテグレーター60に適応させるのが望ましい。
b)視野レンズ
結像光学系138のサイズ及び複雑さは、主として中間像平面132の像視野のサイズに依存し、中間像平面132内で発生する最大光角度にも依存する。上述したように、像視野のサイズは、主としてグループ54−1から54−8の個数、サイズ、及びこれらのグループの間の距離に依存し、通常、これらの量は自由に選択することができない。しかし、中間像平面132内で発生する最大角度は、図26に示すように、視野レンズ136の第2のアレイを追加することによって低減することができる。図25の中間像平面132内の最大角度と図26のものとを比較することによって分るように、視野レンズ136は、対物系58が像側でテレセントリックになるように、すなわち、全ての視野点に対して光束が視野レンズ136から同じ角度で射出し、主光線が光軸180と平行であるように光束を傾斜させる。
図26に示す実施形態において、視野レンズ136の円周リムは、中間像平面132に配置される。リム(及びいずれかの考えられるレンズマウント)は、従って光学インテグレーター60上に結像されることになる。この結像を回避される場合に、図26の下部にある視野レンズ136のうちの1つに対して示すように、フォーカスが中間像平面132から若干外れるように視野レンズ136を配置することができる。ある一定の光束の残存傾斜(すなわち、不完全なテレセントリック性)は、通常は、ある程度許容することができる。
図27は、類似の実施形態による第2のミラーアレイ54及び対物系58を通る略子午断面図である。ここでは、第2のミラーアレイ54は、各々がデジタルミラーデバイス(DMD)として達成された2つのグループ54−1、54−2を含むと仮定している。各グループ54−1、54−2は、複数のマイクロミラー56にわたって延びる3つの物体区域110を含む。2つのグループ54−1、54−2は、瞳形成ユニット36によって投影光を向けてはならない吸収性の暗区域130によって分離される。
対物系58は、物体区域110の像110’をこれらの像が光学インテグレーター60上に少なくとも実質的に途切れることなく当接するように組み合わせるように構成される。光学インテグレーター60上では、各像区域110’は、光入射ファセット75のうちの1つと完全に一致する。この目的のために、対物系58は、レンズ134の第1のアレイを用いて中間像平面132内に物体区域110の拡大像を生成する。対物系58は、中間像平面132に配置された第2のレンズ136のアレイを更に含む。次いで、共通結像光学系138は、グループ54−1、54−2の拡大像が当接している中間像平面134を光学インテグレーター60の光入射ファセット75上に結像する。このようにして、グループ54−1、54−2の間の暗区域130は、対物系58によって光学インテグレーター60上に結像されない。
c)入射及び反射光の分離
簡略化の目的で、以上の説明では、入射投影光が空間光変調器52にどのように到達するかという問題を無視した。幾何学的な制約条件に起因して、第1のレンズ134の第1のアレイが光路を阻害するので、図24に示す空間光変調器52を傾斜して照明することができない可能性がある。従って、多くの場合に、入射投影光を58の少なくとも一部分を通して案内することが必要になる。それによって反射投影光を入射投影光から分離することが必要になる。原理的には、入射投影光から変調された投影光を分離するのに、リターダー及び偏光感度ビームスプリッターのような偏光制御手段を使用するように考えることができる。
しかし、多くの場合に、入射投影光は、変調された投影光から空間的に分離する方が容易である。これは、入射投影光ビームと変調された投影光ビームは、交わることができる異なる光路に沿って伝播するが、入射投影光は、事前に空間光変調器52上に入射することなく光学インテグレーター60上に入射することができるという意味で混合しないことを意味する。
以下では、入射投影光と変調された投影光とを対物系58を通してどのようにして別個の光路上で案内することができるかという手法を説明する。
図25には、レンズ134に関する開口数NAを示している。グループ54−1から54−8に向けて伝播し、マイクロミラー56から反射される全ての投影光は、この開口数NAによって決定される角度範囲で案内しなければならない。1つの手法は、利用可能な角度範囲を第1の角度範囲が入射投影光に対して使用され、明確に異なる第2の角度範囲が変調された投影光に対して使用されるように分割することである。開口数を「浪費」すべきではない場合に、2つの角度範囲が、同一のサイズを有し、従って、レンズ134の開口数NAが、入射投影光の発散の2倍大きいことを必要とする。対物系58がレンズ134だけではなく、視野レンズ136のような他の光学要素も含む場合に、この状況で重要なことは、対物系58のうちで入射投影光が伝播する部分の開口数NAである。
i)内部全反射
図28は、この手法が提供される実施形態を示している。この図では濃いハッチングに示した2つの光束のみで表し、発散δを有する入射投影光34iは、瞳形成ユニット36(図28には示していない)から同一の第1及び第2のプリズム172、174の方向に向けられる。プリズム172、174は、対物系58の光軸180に対して45°の角度だけ傾斜した面176及び178をそれぞれ有する。2つの面176、178の間の距離は、少なくとも投影光の波長と同じくらい大きくなければならない。
入射投影光34iの入射方向は、第1のプリズム172の傾斜面176で内部全反射(TIR)が発生するように選択される。反射された入射投影光34iは、次いで、第2のレンズ136及び第1のレンズ134を通して伝播する。この入射投影光34iは、空間光変調器52のグループ54−1から54−3に接近するときに、第1及び第2のレンズ134、136の利用可能な開口数NAの約半分を使用する。空間光変調器から反射された変調された投影光34mは、プリズム172に向けて今度は逆の順序で第1及び第2のレンズ134、136を通して伝播するときに、利用可能な開口数NAの他方の半分を使用する。変調された投影光34mは、異なる角度でレンズ134、136を通して伝播するので、第1のプリズム172の傾斜面176で反射されない。これに代えて、変調された投影光34mは傾斜面176を通過し、第2のプリズム174の傾斜面178も通過する。次に、第2のプリズム174は、第1のプリズム172の傾斜面176によって生成された光路の傾斜を補正する。
同じことは、空間光変調器52上の他の点上にフォーカスされる投影光束にも適用される。入射投影光34iは、利用可能な開口数NAの約半分を常に用い、変調された投影光は、他方の半分を常に使用する。従って、入射投影光の角度範囲と変調された投影光の角度範囲とは常に異なる。第1のプリズム172の傾斜面176は、これらの異なる角度範囲を内部全反射(TIR)の効果を利用することによって分離する。
多くの作動状態において、マスクレベルにおける角度光分布(すなわち、照明設定)を修正するために、瞳形成ユニット36は、第2のレンズ136の第2のアレイを均一ではなく、傾斜面176を通してある一定の部分だけにおいて照明することになる。次に、グループ54−1から54−3上の対応する部分のみが照明され、これらの部分におけるマイクロミラー56が「オン」状態にある場合に、これらの部分が、光学インテグレーター60上に「貼り合わせ」方式で結像される。
ii)瞳平面内のミラー
図29は、異なる角度範囲の分離が、内部全反射が発生することが可能な傾斜面によって実施されない別の実施形態を示している。内部全反射の代わりに、視野平面内で異なる角度の下に射出する投影光が瞳平面を異なる場所で通過するということが使用される。
結像光学系138は、レンズ184と186の間に瞳平面182を含む。瞳平面182内には、平面折り返しミラー188が、光軸180を中心とする瞳部分がクリアに保たれるように軸外位置に配置される。瞳形成ユニット36は、瞳平面182内の折り返しミラー188上に入射投影光34iの角度光分布を生成し、それによってこの分布は結像光学系138の光路内に結合される。
折り返しミラー188からの反射の後に、入射投影光34iは、結像光学系138のレンズ184、第2のレンズ136、及び第1のレンズ134を通過し、最終的に空間光変調器52のグループ54−1から54−3上に入射する。入射投影光34iは、グループ54−1から54−3上で変調され、マイクロミラー56が「オン」状態にある場合に、対物系58内に反射して戻される。しかし、図28に示す実施形態と同様に、変調された反射投影光34mは、別の角度範囲で対物系58を通して伝播する。この理由から、投影光34mは、折り返しミラー188上には入射せず、瞳平面182の中心を通り、そこから、光学インテグレーター60に向けてレンズ186を通って更に伝播する。
瞳平面182内の入射投影光34iの角度分布を修正することにより、瞳形成ユニット36は、空間光変調器52上及び従って光学インテグレーター60上の入射投影光34iの空間分布を決定する。
図29に示す実施形態において、変調された投影光34mは、空間光変調器52から対物系58までテレセントリック光路を使用する。この理由から、変調された投影光束の主光線は、瞳平面182内で光軸180と交わる。光軸180と折り返しミラー188の間の半径方向距離は、変調された投影光34mによって使用される開口数NAに依存する。入射投影光34iは、利用可能な開口数NAのうちの残りの部分を使用する。この部分は、入射投影光34iが比較的大きい入射角で空間光変調器52上に入射する非テレセントリック光路に対応する。
この実施形態において、結像光学系138は、|M|>1である倍率Mを有する。従って、光学インテグレーター60上には、グループ54−1から54−3の拡大貼り合わせ像が生成される。従って、結像光学系138は、修正することができないサイズを有する中間像のサイズを最終像平面内で必要とされる視野サイズに適応させるために使用される。
d)「オン」状態でのミラー傾斜
空間光変調器52のグループ54−1から54−8を形成することができる多くの場合に市販であるデジタルミラーデバイスは、「オン」状態において支持体170の表面法線に対して及び従って対物系58の光軸180に対しても角度αで傾斜されるマイクロミラー56を含む。これをマイクロミラー56のうちの1つ及び第1のレンズ134のうちの1つを通る拡大子午断面図である図30に例示している。マイクロミラー56の角度αの傾斜は、光軸に中心が定められた入射投影光34iのテレセントリック円錐が、マイクロミラー56からの反射の後に角度2αだけ傾斜されるという効果を有する。図30では、反射光円錐を34mで表記している。
反射光のこの角度αの傾斜は、レンズ134の開口数NAが十分に大きい限り心配はない。図30に示す実施形態ではそうではなく、従って、入射投影光34iの一部分しか最終的に光学インテグレーターに到達しない可能性がある。これは、大きい開口数NAを有するレンズ134を用いて回避することができる。しかし、高い開口数NAは、通常は同じ結像品質を得るのに追加の労力を必要とするので、通常はレンズ134の開口数NAが可能な限り小さいことが望ましい。
この目的を達成するために、入射投影光線を角度αだけ傾斜させる光傾斜光学要素を使用するように考えることができる。次に、入射投影光線は、マイクロミラー56が「オン」状態で角度αだけ傾斜されていない場合に入射するときのものと同じ角度の下にマイクロミラー56上に入射する。その結果、図31に示すように、開口数NAは、入射投影光と反射投影光に対して同一である。ここでは、光傾斜要素は、マイクロミラー56とレンズ134の間に配置された透過楔190である。楔角εは、楔を通過する光線が傾斜楔面での反射の結果として角度αだけ偏位されるように決定される。
各マイクロミラー56の前又は支持体170全体の前に単一楔を配置する代わりに、図32に示すように、複数の個々の楔要素194を含むフレネル楔192を使用することができる。そのようなフレネル楔192は、空間光変調器を保護する支持体170に取り付けられた透過カバー内に容易に一体化することができる。
9.回折光学要素及びLCD
図33は、照明系12の代替実施形態の図3と類似の子午断面図である。この照明系では、瞳形成ユニット52は、回折光学要素142、ズーム光学系144、及び1対のアキシコン要素146、148によって置換される。
この実施形態における空間光変調器52は、光学活動を制御ユニット90によって個々に制御することができる微小LCDセルの2次元アレイを含むLCDパネルによって形成される。光源11によって生成される投影光が十分な偏光状態にない場合に、空間光変調器52の前の光路内に追加の偏光子を挿入することができる。
当然ながら、図3及び図33に示す実施形態は、例えば回折光学要素142が第2のミラーアレイ54と合わせて空間光変調器52として使用されるような異なる方法で組み合わせることもできる。
10.視野絞りブレード機能
図3に示す照明系12では、既に上述したように、光入射ファセット75とマスク平面88の間には視野平面は存在しない(同じく図10を参照されたい)。従来の照明系では、各走査サイクルの開始点及び終了点それぞれでの照明視野14の開閉は、光学インテグレーター60とマスク16の間の視野平面に配置された視野絞りの可動ブレードによって達成される。本発明の照明系12では、この機能は、第2のミラーアレイ54の適切な制御が引き受ける。
これを図34aから図34hを参照して以下に説明する。これらの図は、走査サイクル中の異なる段階における第2のミラーアレイ54の光射出面57上の物体区域110のうちの1つに対する略上面図を左手に示している。ここで、9×9個のデジタルマイクロミラー56が物体区域110の範囲に配置されると仮定している。
物体区域110の隣には、対応する像区域110’を略示している。ここで、対物系58は、物体区域110を光学インテグレーター60の光入射ファセット75のうちの1つの上に縮小スケールで結像すると仮定している。各光入射ファセット75は、マスク平面88に対して光学的に共役であるので、像区域110’内の光パターンは、マスク平面88内で再現される。図示の実施形態において、光学ラスター要素74、75がX方向とY方向に沿って異なる屈折力を有するので、この像は、走査方向Yに沿って圧縮される。この理由から、光入射ファセット75上の像視野110’が正方形であるにも関わらず、全開照明視野14はスリット形である。
照明視野14内に暗いストライプを引き起こす隣接するマイクロミラー56の間の間隙を回避するために、上述の第IV.6a節で説明したように異なる物体区域110を互いに対して横方向に変位させることができ、及び/又は上述の第IV.6b節で説明したように散乱板を設けることができる。以下では簡略化の目的でそのような間隙の効果を無視する。
各図34aから34hの右端側には、マスク16を示している。マスク16には、感光面22上に結像される小さい特徴部19を含む中心区域152を取り囲む不透過リム150が設けられる。不透過リム150は、両方共に交差走査方向Xに沿って延びる前辺156及び後辺158と、走査方向Yに沿って延びる2つの側辺160とを含む。不透過リム150の前辺156及び後辺158の幅をwで表記している。
図34aは、走査サイクルが始まる前の状況を示している。第2のミラーアレイ54の全てのマイクロミラー56が「オフ」状態にあり、従って、光入射ファセット75上の対応する像区域110’は照明されない。
次いで、図34bに示すように、マイクロミラー56の1行目162−1が「オン」状態に入れられる。光入射ファセット75上に形成される光パターンは、1行目162−1の像である狭いストライプである。マイクロミラー56の1行目162−1が「オン」状態に入れられたら直ぐに、この時に照明視野14を形成する狭いストライプの像は、完全に不透過リム150の前辺156上に配置される。従って、投影光によって照明されたいかなる特徴部19もそれにも関わらず存在せず、不透過リム150の前辺156だけが照明され、投影光は、不透過リム150によって完全に吸収される。
マスク16が走査方向Yに沿って更に移動すると、細い照明視野14が、不透過リム150によって取り囲まれた中心区域142に均等に進入する。この時点で特徴部19の結像が始まる。走査方向Yに沿って見た場合に、光入射ファセット75上に形成される光パターンの長さ、従って、マスク16上のその像も連続的に増大し、それに対して交差走査方向Xの長さは一定に留まる。
次いで、図34cに示すように、マイクロミラー56の次の行162−2が「オン」状態に入れられる。拡大抜粋図で分るように、照明視野14の一方の半域164が、投影光が吸収される不透過リム150の前辺156だけを照明し、照明視野14の他方の半域166が、マスク16の中心区域152内の特徴部19を照明する。
次いで、マイクロミラー56の次の行が「オン」状態に入れられ、以降同じく続く。この工程は、図34dに示すように全てのマイクロミラー56が「オン」状態になるまで続けられる。この時点で、照明視野14は、走査方向Yに沿った全長を有する。この瞬間に、全開照明視野14は、不透過リム150の前辺156に当接するように位置決めされる。
マスク16が走査方向Yに沿って更に移動すると、図34eに示すように、今度は走査方向Yに沿って全長を有する照明視野14が、マスク16の中心区域152内の特徴部19にわたって連続的に走査する。このようにして、図34fに示すように照明視野14が不透過リム150の後辺158に当接するまでマスク16が走査される。この時点で、照明視野14は、投影光が吸収される不透過リム150の後辺158に進入し始める。マイクロミラー56の行162−1の像が不透過リム150上に完全に配置されると、1行目162−1のマイクロミラー56が「オフ」状態に入れられる。この時点で、走査方向Yに沿った光入射ファセット75の光パターンの像の長さ、すなわち、照明視野14が減少する。
2行目162−2の像が不透過リム150の後辺158上に完全に配置されたら直ぐに、2行目162−2のマイクロミラー56が「オフ」状態に入れられ、以降同じく続く。
図34gは、最初の5つの行162−1から162−5が「オフ」状態に入れられた状態を示している。その間に、走査方向Yに沿った照明視野14の長さは、2分の1超だけ減少している。
全てのマイクロミラー56が再度「オフ」状態になると、図34hに示すように、照明視野14は完全に閉められ、光はマスク16に到達しない。
V.重要な方法段階
ここで、本発明の重要な方法段階を図35に示す流れ図を参照して要約する。
第1の段階S1では、第2の区域によって分離された第1の区域を含む光射出面を有する空間光変調器が与えられる。
第2の段階S2では、最終像平面内で第1の区域の像が当接するように、第2の区域ではなく第1の区域が最終像平面上に結像される。
34i 入射投影光
34m 変調された投影光
56 マイクロミラー
134 第1のレンズ
α マイクロミラーの傾斜の角度

Claims (17)

  1. a)最終像平面(60)と、
    b)光射出面(57)を有し、かつ光の光学特性を空間分解方式で変調するように構成された空間光変調器(52)であって、該光学光変調器(52)の該光射出面(57)が、第1の区域(54−1から54−8)と第2の区域(130)を含み、該第2の区域が、該第1の区域を分離し、かつ前記最終像平面上に結像されない前記空間光変調器(52)と、
    c)前記空間光変調器(52)の前記光射出面(57)を前記最終像平面上に結像する対物系(58)であって、前記第1の区域(110)の像(110’)をこれらの像が該最終像平面内で当接するように組み合わせるように構成される前記対物系(58)と、
    を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィ露光システムの照明系。
  2. 前記対物系(58)は、
    a)前記第1の区域(54−1から54−8)のうちの1つの拡大像を中間像平面(132)に各要素が形成する第1の光学要素(134)の第1のアレイと、
    b)前記中間像平面(132)を前記最終像平面上に結像する結像光学系(138)と、
    を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の照明系。
  3. 前記対物系(58)は、前記中間像平面(132)に配置された第2の光学要素(136)の第2のアレイを含むことを特徴とする請求項2に記載の照明系。
  4. 各第2の光学要素(136)は、前記第1の光学要素(134)のうちの1つと1対1対応で関連付けられ、そのために各第2の光学要素は、該第1の光学要素(134)のうちの該関連付けられた1つだけから受光することを特徴とする請求項3に記載の照明系。
  5. 前記空間光変調器(52)は、反射性又は透過性ビーム偏向要素(56)のビーム偏向アレイ(54)を含み、
    各ビーム偏向要素(56)は、それが入射光を前記最終像平面の方向に向ける「オン」状態とそれが入射光を他の場所に向ける「オフ」状態とにあることができる、
    ことを特徴とする請求項から請求項4のいずれか1項に記載の照明系。
  6. 前記ビーム偏向要素は、ミラー(56)であり、
    前記空間光変調器(52)上に向けられた光が、少なくとも前記対物系(58)の一部分を通過する、
    ことを特徴とする請求項5に記載の照明系。
  7. 前記対物系(58)は、前記中間像平面(132)に配置された第2の光学要素(136)の第2のアレイを含み、
    前記空間光変調器(52)に伝播する光が、それが前記ミラー上に入射する前に第1の光学要素(134)の前記第1のアレイ上にかつ第2の光学要素(136)の前記第2のアレイ上にも入射することを特徴とする請求項6に記載の照明系。
  8. 前記ミラーは、該ミラーが前記「オン」状態にある場合に前記対物系(58)の光軸(180)と平行である方向に対して角度α≠0°を形成するミラー法線を有する平面ミラー(56)であり、
    前記対物系は、入射する投影光(34i)光線を前記角度αだけ傾斜させるように構成された光傾斜光学要素(190,192)を含む、
    ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の照明系。
  9. 前記対物系(58)は、
    a)前記第1の区域(54−1から54−8)のうちの1つの拡大像を中間像平面(132)に各要素が形成する第1の光学要素(134)の第1のアレイと、
    b)前記中間像平面(132)を前記最終像平面上に結像する結像光学系(138)と、
    を含み、
    前記光傾斜要素は、前記ミラーと前記第1の光学要素の間に配置されることを特徴とする請求項8に記載の照明系。
  10. 前記光傾斜要素は、楔(190,192)を含むことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の照明系。
  11. 前記楔は、複数の個々の楔要素(194)を含むフレネル楔(192)として形成されることを特徴とする請求項10に記載の照明系。
  12. 角度光分布が、前記対物系(58)の瞳(182)平面内の区域内に、前記ミラー(56)からの反射後の光(34m)が、該ミラーが前記「オン」又は前記「オフ」状態にあるか否かに関係なく再度該区域を通過することができないように生成されることを特徴とする請求項6から請求項11のいずれか1項に記載の照明系。
  13. 前記区域は、入射する投影光(34i)を前記対物系(58)の光路内に結合するビーム偏位面(188)上に位置付けられることを特徴とする請求項12に記載の照明系。
  14. 前記対物系(58)は、
    a)光を前記ミラー(56)に向うその方向に反射し、
    b)光をそれが前記ミラーから反射された後であるがそれが前記最終像平面(60)上に入射する前に透過する、
    光学面(176)を含む、
    ことを特徴とする請求項6から請求項11のいずれか1項に記載の照明系。
  15. 前記光学面(176)は、前記光を内部全反射によって反射することを特徴とする請求項14に記載の照明系。
  16. 前記光学面(176)は、プリズム面であることを特徴とする請求項15に記載の照明系。
  17. 前記光学特性は、前記光の振幅、位相、及び偏光状態からなるグループから選択された1つであることを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の照明系。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014203041A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
JP2018519535A (ja) * 2015-05-21 2018-07-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を作動させる方法
CN105068381A (zh) * 2015-07-27 2015-11-18 江苏影速光电技术有限公司 一种曝光机光阑承载结构及曝光机光阑更换方法
TWI575300B (zh) * 2015-08-31 2017-03-21 中強光電股份有限公司 投影裝置以及照明系統
JP6643466B2 (ja) * 2015-09-23 2020-02-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム
DE102015221991A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Mikroskopierverfahren zur Ermittlung eines Kontrastbildes und Mikroskop
DE102015224521B4 (de) 2015-12-08 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben einer solchen Anlage
DE102015224522B4 (de) 2015-12-08 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen Systems
WO2017108448A1 (en) * 2015-12-22 2017-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic apparatus
CN106933049B (zh) * 2015-12-30 2020-06-16 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法
US10061201B2 (en) 2016-10-24 2018-08-28 Hrl Laboratories, Llc Bottom up apparatus design for formation of self-propagating photopolymer waveguides
WO2018111765A1 (en) 2016-12-12 2018-06-21 xCella Biosciences, Inc. Methods and systems for screening using microcapillary arrays
KR20190095269A (ko) * 2016-12-20 2019-08-14 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 광-민감성 층을 노광하기 위한 디바이스 및 방법
JP6951446B2 (ja) * 2016-12-20 2021-10-20 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 感光性の層を露光するための装置および方法
JP7208902B2 (ja) 2016-12-30 2023-01-19 エクセラ・バイオサイエンシーズ・インコーポレイテッド マルチステージサンプル回収システム
CN106641799B (zh) * 2017-01-11 2019-05-24 哈尔滨理工大学 婴儿用鼻孔照明装置
US11099007B2 (en) * 2017-02-16 2021-08-24 Nikon Corporation Test of operational status of a digital scanner during lithographic exposure process
CN107421439B (zh) * 2017-04-21 2019-05-14 上海交通大学 一种无成像目标显著性检测与坐标跟踪系统及方法
EP3642674B1 (en) 2017-06-19 2023-03-15 SUSS MicroTec Solutions GmbH & Co. KG Magnification compensation and/or beam steering in optical systems
US11175487B2 (en) 2017-06-19 2021-11-16 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Optical distortion reduction in projection systems
WO2019064502A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社ニコン 電子ビーム装置及びデバイス製造方法
WO2019064503A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社ニコン 電子ビーム装置、照明光学系、及びデバイス製造方法
JP7020859B2 (ja) 2017-10-24 2022-02-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置および物品の製造方法
US11597033B2 (en) * 2018-03-23 2023-03-07 Primetals Technologies Japan, Ltd. Laser processing head, laser processing device, and method for adjusting laser processing head
WO2019242840A1 (de) * 2018-06-19 2019-12-26 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zur belichtung von bildpunkten
US10503076B1 (en) * 2018-08-29 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Reserving spatial light modulator sections to address field non-uniformities
CN109116554B (zh) * 2018-10-11 2020-12-04 北京环境特性研究所 光学积分器的设计方法
EP3640735A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-22 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for inspection of a structure and associated apparatuses
CN111856745B (zh) * 2019-04-30 2023-03-17 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种光照射装置
EP3736550A1 (en) * 2019-05-10 2020-11-11 X-Rite Switzerland GmbH Illumination device for a spectrophotometer having integrated mixing optics, and method for illuminating a sample
US11366307B2 (en) * 2020-08-27 2022-06-21 Kla Corporation Programmable and reconfigurable mask with MEMS micro-mirror array for defect detection
CN113189848B (zh) * 2021-04-21 2024-02-13 之江实验室 一种基于光纤阵列的多通道并行式超分辨直写式光刻系统
CN115390362A (zh) * 2021-05-25 2022-11-25 赫智科技(苏州)有限公司 一种4k光刻的方法
CN115128809B (zh) * 2022-05-17 2023-11-28 南京工业职业技术大学 一种实现全息波导显示系统均匀成像的光栅效率分布表征与优化方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517279A (en) 1993-08-30 1996-05-14 Hugle; William B. Lens array photolithography
JP2674578B2 (ja) * 1995-08-29 1997-11-12 株式会社ニコン 走査露光装置及び露光方法
JP2674579B2 (ja) * 1995-08-29 1997-11-12 株式会社ニコン 走査露光装置および走査露光方法
US6404499B1 (en) 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
EP1107064A3 (en) 1999-12-06 2004-12-29 Olympus Optical Co., Ltd. Exposure apparatus
GB9930529D0 (en) * 1999-12-23 2000-02-16 Screen Tech Ltd Optical arrangement for flat-panel displays
JP4838430B2 (ja) * 2001-01-26 2011-12-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
GB0107076D0 (en) * 2001-03-21 2001-05-09 Screen Technology Ltd Liquid-crystal display using emissive elements
US6737662B2 (en) 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
KR100480620B1 (ko) 2002-09-19 2005-03-31 삼성전자주식회사 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
WO2005040927A2 (en) 2003-10-18 2005-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for illumination dose adjustments in microlithography
US20060087634A1 (en) 2004-10-25 2006-04-27 Brown Jay M Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography
WO2006070580A1 (ja) * 2004-12-27 2006-07-06 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
TWI545352B (zh) * 2006-02-17 2016-08-11 卡爾蔡司Smt有限公司 用於微影投射曝光設備之照明系統
JP2007279113A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイスの製造方法
US7932993B2 (en) 2006-09-16 2011-04-26 Wenhui Mei Divided sub-image array scanning and exposing system
WO2008076114A1 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Thomson Licensing High resolution dmd projection system
CN101796460B (zh) 2007-08-30 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
US8451427B2 (en) * 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101546987B1 (ko) * 2007-10-16 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP2179330A1 (en) * 2007-10-16 2010-04-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) * 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101708943B1 (ko) * 2007-11-06 2017-02-21 가부시키가이샤 니콘 제어 장치, 노광 방법 및 노광 장치
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR20160092053A (ko) 2007-11-06 2016-08-03 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
NL1036108A1 (nl) * 2007-11-09 2009-05-12 Asml Netherlands Bv Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product.
JP5487118B2 (ja) * 2008-02-15 2014-05-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
DE102008001511A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
WO2009142440A2 (ko) * 2008-05-20 2009-11-26 Jung Jin Ho 마스크 리스 노광장치용 광학부품
DE102008002749A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
EP2146248B1 (en) 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5403244B2 (ja) * 2009-07-16 2014-01-29 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5608233B2 (ja) * 2009-07-31 2014-10-15 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学ビーム偏向要素及び調節方法
JP2011108851A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5809637B2 (ja) 2009-11-18 2015-11-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
DE102009054540B4 (de) 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
JP2012004561A (ja) 2010-06-16 2012-01-05 Nikon Corp 照明方法、照明光学装置、及び露光装置
CN103097955B (zh) * 2010-08-30 2015-08-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光装置的照明系统
JP2012069656A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Nikon Corp 空間光変調器、照明装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2012099686A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Nikon Corp 光源形成方法、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101813307B1 (ko) * 2011-01-29 2017-12-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
US8390917B1 (en) 2011-08-24 2013-03-05 Palo Alto Research Center Incorporated Multiple line single-pass imaging using spatial light modulator and anamorphic projection optics

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