TW201903515A - 圖案計算裝置、圖案計算方法、罩幕、曝光裝置、元件製造方法和記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明適當計算罩幕圖案。圖案計算裝置（2）計算形成於罩幕（131）上的罩幕圖案（1311d），所述罩幕（131）用於利用曝光用光（EL）在基板（151）上形成將單位元件圖案部（1511u）排列多個而成的元件圖案。圖案計算裝置計算用以形成一個單位元件圖案部的單位罩幕圖案部（1311u），且藉由將所計算出的單位罩幕圖案部排列多個而計算罩幕圖案，於計算單位罩幕圖案部時，假定相當於單位罩幕圖案部的至少一部分的特定罩幕圖案部（1311n）鄰接於單位罩幕圖案部，於此基礎上計算單位罩幕圖案部。

Description

圖案計算裝置、圖案計算方法、罩幕、曝光裝置、元件製造方法、計算機程式和記錄媒體
本發明例如是有關於計算形成於曝光裝置中所用的罩幕上的罩幕圖案的圖案計算裝置及圖案計算方法的技術領域，進而，本發明是有關於罩幕、曝光裝置及曝光方法、元件製造方法、計算機程式和記錄媒體的技術領域。
業界正使用利用形成於罩幕上的罩幕圖案的像而對基板（例如塗佈有抗蝕劑的玻璃基板等）進行曝光的曝光裝置。曝光裝置例如是用於製造液晶顯示器或有機電致發光（Electro Luminescence，EL）顯示器等平板顯示器（flat panel display）。此種曝光裝置中，為了製造罩幕，要求適當計算（即決定）罩幕圖案。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利申請公開第2010/0266961號說明書
根據第一態樣，提供一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成將單位元件圖案部排列多個而成的元件圖案，並且所述圖案計算裝置計算所述罩幕圖案中用以將一個所述單位元件圖案部形成於所述基板上的單位罩幕圖案部，且藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算所述罩幕圖案，於計算所述單位罩幕圖案部時，假定相當於所述單位罩幕圖案部的至少一部分的特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
根據第二態樣，提供一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含：第一罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次；以及第二罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少另一部分而經所述曝光用光照射一次；根據所述第一罩幕區域及第二罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第三態樣，提供一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含第一罩幕區域，所述第一罩幕區域為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次，根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第四態樣，提供一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板形成元件圖案，且所述罩幕包含：第三罩幕區域，經用以經由第一投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；以及第四罩幕區域，經用以經由第二投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；根據所述第三罩幕區域及第四罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第五態樣，提供一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含第五罩幕區域，所述第五罩幕區域經用以經由所需的投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射，根據經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第六態樣，提供一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成將單位元件圖案部排列多個而成的元件圖案，並且所述圖案計算方法計算所述罩幕圖案中用以將一個所述單位元件圖案部形成於所述基板上的單位罩幕圖案部，且藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算所述罩幕圖案，於計算所述單位罩幕圖案部時，假定相當於所述單位罩幕圖案部的至少一部分的特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
根據第七態樣，提供一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含：第一罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次；以及第二罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少另一部分而經所述曝光用光照射一次；根據所述第一罩幕區域及第二罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第八態樣，提供一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含第一罩幕區域，所述第一罩幕區域為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次，根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第九態樣，提供一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含：第三罩幕區域，經用以經由第一投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；以及第四罩幕區域，經用以經由第二投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；根據所述第三罩幕區域及第四罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第十態樣，提供一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，且所述罩幕包含第五罩幕區域，所述第五罩幕區域經用以經由所需的投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射，根據經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
根據第十一態樣，提供一種罩幕，其是使用所述第六態樣至第十態樣中任一態樣的圖案計算方法而製造。
根據第十二態樣，提供一種罩幕，形成有利用所述第六態樣至第十態樣中任一態樣的圖案計算方法所計算出的罩幕圖案。
根據第十三態樣，提供一種曝光裝置，介隔所述第十一態樣或第十二態樣的罩幕將所述曝光用光照射於所述基板，藉此於所述基板上形成所述元件圖案。
根據第十四態樣，提供一種元件製造方法，使用所述第十三態樣的曝光裝置對塗佈有感光劑的所述基板進行曝光，於所述基板上形成所述元件圖案，對經曝光的所述感光劑進行顯影，形成與所述元件圖案對應的曝光圖案層，介隔所述曝光圖案層對所述基板進行加工。
根據第十五態樣，提供一種計算機程式，使計算機執行所述第六態樣至第十態樣中任一態樣的圖案計算方法。
根據第十六態樣，提供一種記錄媒體，記錄有所述第十五態樣的計算機程式。
根據第十七態樣，提供一種罩幕，藉由照射區域而經照射，所述照射區域含有來自照明系統的照射量根據第一方向的位置而沿著與所述第一方向交叉的所述第二方向變化的第一區域及與所述第一區域不同的第二區域，並且所述罩幕包括：第一電路圖案，設於與所述照射區域中所述第一區域對應的區域中；以及第二電路圖案，設於與所述第二區域對應的區域中，且根據所述第一電路圖案而形成。
根據第十八態樣，提供一種罩幕，具有藉由光學特性不同的多個投影光學系統於物體上進行曝光的既定圖案，並且所述罩幕包括：第一電路圖案，根據所述多個投影光學系統中的第一光學系統的光學特性而形成；以及第二電路圖案，根據與所述第一光學系統不同的第二光學系統的光學特性而形成。
本發明的作用及其他優點將根據以下說明的實施形態而明確。
以下，一方面參照圖式一方面對圖案計算裝置、圖案計算方法、罩幕、曝光裝置、元件製造方法、計算機程式和記錄媒體進行說明。但是，本發明不限定於以下說明的實施形態。
於以下的說明中，使用由彼此正交的X軸、Y軸及Z軸所定義的XYZ正交座標系而對構成罩幕及曝光裝置的構成要素的位置關係進行說明。另外，於以下的說明中，為了便於說明，將X軸方向及Y軸方向分別設為水平方向（即水平面內的既定方向），將Z軸方向設為鉛垂方向（即與水平面正交的方向，實質上為上下方向）。另外，將+Z軸方向側設為上方（上側），將-Z軸方向側設為下方（下側）。另外，將繞X軸、Y軸及Z軸的旋轉方向（換言之傾斜方向）分別稱為θX方向、θY方向及θZ方向。
（1）本實施形態的曝光裝置1 一方面參照圖1及圖2（a）～圖2（c），一方面對本實施形態的曝光裝置1進行說明。本實施形態的曝光裝置1利用形成於罩幕131上的罩幕圖案的像而對塗佈有光阻劑（即感光劑）的平板玻璃即基板151進行曝光。藉由曝光裝置1進行曝光的基板151例如是用於製造顯示裝置（例如液晶顯示器或有機EL顯示器等）的顯示面板。
（1-1）本實施形態的曝光裝置1的構造 首先，一方面參照圖1，一方面對本實施形態的曝光裝置1的構造加以說明。圖1為表示本實施形態的曝光裝置1的總體構造的一例的立體圖。
如圖1所示，曝光裝置1具備光源單元11、多個照明光學系統12、罩幕台13、多個投影光學系統14、基板台15及控制裝置16。
光源單元11射出曝光用光EL。曝光用光EL例如為g射線、h射線及i射線中的至少一個波長帶的光。尤其光源單元11將曝光用光EL分支成多束曝光用光EL，所述多束曝光用光EL可對設定於罩幕131的有效區域131p（參照下述圖2（a）～圖2（c））上的多個照明區域IR分別照明。於圖1所示的例子中，光源單元11將曝光用光EL分支成可對7個照明區域IR（即照明區域IRa、照明區域IRb、照明區域IRc、照明區域IRd、照明區域IRe、照明區域IRf及照明區域IRg）分別照明的7束曝光用光EL。多束曝光用光EL分別入射至多個照明光學系統12。
多個照明光學系統12構成多透鏡（multi lens）型的照明光學系統。於圖1所示的例子中，曝光裝置1具備7個照明光學系統12（即照明光學系統12a、照明光學系統12b、照明光學系統12c、照明光學系統12d、照明光學系統12e、照明光學系統12f及照明光學系統12g）。照明光學系統12a、照明光學系統12c、照明光學系統12e照明光學系統12g是以沿著Y軸方向等間隔地排列的方式配置。照明光學系統12b、照明光學系統12d及照明光學系統12f是以沿著Y軸方向等間隔地排列的方式配置。照明光學系統12a、照明光學系統12c、照明光學系統12e及照明光學系統12g是配置於相對於照明光學系統12b、照明光學系統12d及照明光學系統12f沿著X軸方向遠離既定量的位置。照明光學系統12a、照明光學系統12c、照明光學系統12e及照明光學系統12g與照明光學系統12b、照明光學系統12d及照明光學系統12f排列成鋸齒狀。
各照明光學系統12是配置於光源單元11的下方。各照明光學系統12對與各照明光學系統12對應的照明區域IR照射曝光用光EL。具體而言，照明光學系統12a～照明光學系統12g對照明區域IRa～照明區域IRg分別照射曝光用光EL。因此，設定於罩幕131上的照明區域IR的個數與曝光裝置1所具備的照明光學系統12的個數相同。
罩幕台13是配置於多個照明光學系統12的下方。罩幕台13可保持罩幕131。罩幕台13可釋放（release）所保持的罩幕131。罩幕131例如是由一邊或對角為500 mm以上的矩形的玻璃板所構成。於罩幕131上形成有與應轉印於基板151上的元件圖案對應的罩幕圖案。更具體而言，於罩幕11上形成有如下罩幕圖案，該罩幕圖案可形成用以對基板151進行曝光的像（例如空間像或曝光圖案）以將元件圖案形成於基板151上。
罩幕台13可於保持有罩幕131的狀態下沿著包含多個照明區域IR的平面（例如XY平面）而移動。罩幕台13可沿著X軸方向而移動。例如，罩幕台13可藉由包含任意馬達的罩幕台驅動系統的動作而沿著X軸方向移動。罩幕台13亦可除了可沿著X軸方向移動以外，還可沿著Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個而移動。
多個投影光學系統14構成多透鏡型的投影光學系統。於圖1所示的例子中，曝光裝置1具備7個投影光學系統14（即投影光學系統14a、投影光學系統14b、投影光學系統14c、投影光學系統14d、投影光學系統14e、投影光學系統14f及投影光學系統14g）。曝光裝置1所具備的投影光學系統14的個數與曝光裝置1所具備的照明光學系統12的個數相同。投影光學系統14a、投影光學系統14c、投影光學系統14e及投影光學系統14g是以沿著Y軸方向而大致等間隔地排列的方式配置。投影光學系統14b、投影光學系統14d及投影光學系統14f是以沿著Y軸方向而大致等間隔地排列的方式配置。投影光學系統14a、投影光學系統14c、投影光學系統14e及投影光學系統14g是配置於相對於投影光學系統14b、投影光學系統14d及投影光學系統14f沿著X軸方向遠離既定量的位置。投影光學系統14a、投影光學系統14c、投影光學系統14e及投影光學系統14g與投影光學系統14b、投影光學系統14d及投影光學系統14f排列成鋸齒狀。
各投影光學系統14是配置於罩幕台13的下方。各投影光學系統14將照射至與各投影光學系統14對應的照明區域IR中的曝光用光EL（即，形成於設定有照明區域IR的罩幕131的有效區域131p中的罩幕圖案的像），投影至與各投影光學系統14對應地設定於基板151上的投影區域PR中。具體而言，投影光學系統14a將照射至照明區域IRa中的曝光用光EL（即，形成於設定有照明區域IRa的罩幕131的有效區域131p中的罩幕圖案的像），投影至設定於基板151上的投影區域PRa中。對於投影光學系統14b～投影光學系統14g而言亦相同。
各投影光學系統14具備視場光闌144。視場光闌144於基板151上設定投影區域PR。於視場光闌144中形成有具有與Y軸方向平行的上邊及底邊的梯形狀的開口。結果，於基板151上設定具有與Y軸方向平行的上邊及底邊的梯形狀的投影區域PR。
基板台15是配置於多個投影光學系統14的下方。基板台15可保持基板151。基板台15能以基板151的上表面與XY平面平行的方式保持基板151。基板台15可釋放所保持的基板151。基板151例如為幾米（m）見方的玻璃基板。
基板台15可於保持有基板151的狀態下沿著包含投影區域PR的平面（例如XY平面）而移動。基板台15可沿著X軸方向而移動。例如，基板台15亦可藉由包含任意馬達的基板台驅動系統的動作而沿著X軸方向移動。基板台15亦可除了可沿著X軸方向移動以外，還可沿著Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向中的至少一個而移動。
控制裝置16可控制曝光裝置1的動作。控制裝置16例如具備中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）、唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）或隨機存取記憶體（Rondom Access Memory，RAM）等。
控制裝置16控制罩幕台驅動系統，以使罩幕台13以所需的第一移動態樣移動（結果，罩幕131以所需的第一移動態樣移動）。控制裝置16控制基板台驅動系統，以使基板台15以所需的第二移動態樣移動（結果，基板151以所需的第二移動態樣移動）。例如，控制裝置16控制罩幕台驅動系統及基板台驅動系統，以進行步進掃描（step-and-scan）方式的曝光。即，控制裝置16控制罩幕台驅動系統及基板台驅動系統，以於對罩幕131上的照明區域IR照射有曝光用光EL的狀態下，使保持罩幕131的罩幕台13與保持基板151的基板台15同步地沿著既定的掃描方向移動。結果，將形成於罩幕131上的罩幕圖案轉印至基板151上。於以下的說明中，罩幕台13及基板台15同步地移動的掃描方向為X軸方向，將與X軸方向正交的Y軸方向適當稱為「非掃描方向」。
另外，使用圖1及圖2（a）～圖2（c）所說明的曝光裝置1的構造為一例。因此，亦可將曝光裝置1的構造的至少一部分適當改變。例如，曝光裝置1亦可具備6個以下或8個以上的照明光學系統12。例如，曝光裝置1亦可具備6個以下或8個以上的投影光學系統14。
或者，曝光裝置1亦可具備單一的照明光學系統12。曝光裝置1亦可具備單一的投影光學系統14。然而，於曝光裝置1具備單一的投影光學系統14的情形時，於罩幕131上亦可不設定下述接連圖案區域131a及非接連圖案區域131b，於基板151上亦可不設定下述接連曝光區域151a及非接連曝光區域151b。
（1-2）照明區域IR及投影區域PR的配置 繼而，一方面參照圖2（a）～圖2（c），一方面對設定於罩幕131上的照明區域IR及設定於基板151上的投影區域RP進行說明。圖2（a）為表示設定於基板151上的投影區域PR的平面圖。圖2（b）為表示設定於罩幕131上的照明區域IR的平面圖。圖2（c）為表示重複形成於罩幕131上的單位罩幕圖案部MPp的平面圖。
如圖2（a）所示，於基板151上設定有個數與曝光裝置1所具備的投影光學系統14的個數相同的投影區域PR。於本實施形態中，曝光裝置1具備7個投影光學系統14，因此於基板151上設定有7個投影區域PR（即投影區域PRa、投影區域PRb、投影區域PRc、投影區域PRd、投影區域PRe、投影區域PRf及投影區域PRg）。投影光學系統14a設定藉由投影光學系統14a將照射至照明區域IRa中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRa。投影光學系統14b設定藉由投影光學系統14b將照射至照明區域IRb中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRb。投影光學系統14c設定藉由投影光學系統14c將照射至照明區域IRc中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRc。投影光學系統14d設定藉由投影光學系統14d將照射至照明區域IRd中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRd。投影光學系統14e設定藉由投影光學系統14e將照射至照明區域IRe的曝光用光EL進行投影的投影區域PRe。投影光學系統14f設定藉由投影光學系統14f將照射至照明區域IRf中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRf。投影光學系統14g設定藉由投影光學系統14g將照射至照明區域IRg中的曝光用光EL進行投影的投影區域PRg。
投影區域PRa、投影區域PRc、投影區域PRe及投影區域PRg為+X側的邊成為底邊的梯形狀的區域。投影區域PRb、投影區域PRd及投影區域PRf為-X側的邊成為底邊的梯形狀的區域。投影區域PRa、投影區域PRc、投影區域PRe及投影區域PRg是設定於相對於投影區域PRb、投影區域PRd及投影區域PRf沿著X軸方向遠離第一既定量的位置。投影區域PRa、投影區域PRc、投影區域PRe及投影區域PRg與投影區域PRb、投影區域PRd及投影區域PRf設定為鋸齒狀。
各投影區域PR包含由相對於X軸方向而傾斜的邊所規定的兩個端部（以下，適當稱為「傾斜部」）。然而，對於投影區域PRa的-Y側的邊及投影區域PRg的+Y側的邊而言，因曝光用光EL被包圍罩幕131的有效區域131p的遮光帶131s（參照圖2（b））所遮蔽，故並未相對於X軸方向而傾斜。因此，投影區域PRa及投影區域PRg各自包含單一的傾斜部。
投影區域PRa的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRb的-Y側的傾斜部重疊（換言之為鄰接，以下相同）。投影區域PRb的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRc的-Y側的傾斜部重疊。投影區域PRc的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRd的-Y側的傾斜部重疊。投影區域PRd的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRe的-Y側的傾斜部重疊。投影區域PRe的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRf的-Y側的傾斜部重疊。投影區域PRf的+Y側的傾斜部沿著X軸方向而與投影區域PRg的-Y側的傾斜部重疊。
沿著X軸方向而重疊的兩個傾斜部於基板151上規定接連曝光區域151a，該接連曝光區域151a於一次掃描曝光動作中藉由該兩個傾斜部而經曝光用光EL投影兩次。即，沿著X軸方向而重疊的兩個傾斜部於基板151上規定於一次掃描曝光動作中藉由該兩個傾斜部而經雙重曝光的接連曝光區域151a。另一方面，基板151的表面中接連曝光區域151a以外的非接連曝光區域151b成為於一次掃描曝光動作中經曝光用光EL投影一次的區域。各投影區域PR的傾斜部是以沿著X軸方向重疊的兩個傾斜部的沿著X軸方向的寬度的總和與各投影區域PR的沿著X軸方向的寬度（即，傾斜部以外的區域部分的沿著X軸方向的寬度）相同的方式設定。結果，經雙重曝光的接連曝光區域151a的曝光量與未經雙重曝光的非接連曝光區域151b的曝光量實質上相同。因此，將對多個投影區域PR投影的罩幕圖案的像相對高精度地相連。
接連曝光區域151a為矩形的區域。接連曝光區域151a為X軸方向（即掃描方向）成為長邊方向且Y軸方向（即非掃描方向）成為短邊方向的區域。接連曝光區域151a為沿著X軸方向而延伸的區域。於基板151上設定有沿著Y軸方向而等間隔地排列的多個接連曝光區域151a（圖2（a）所示的例子中為6個接連曝光區域151a）。
非接連曝光區域151b為矩形的區域。非接連曝光區域151b為X軸方向成為長邊方向且Y軸方向成為短邊方向的區域。非接連曝光區域151b為沿著X軸方向而延伸的區域。於基板151上設定有沿著Y軸方向而等間隔地排列的多個非接連曝光區域151b（圖2（a）所示的例子中為7個非接連曝光區域151b）。
另一方面，如圖2（b）所示，於罩幕131上設定有個數與曝光裝置1所具備的照明光學系統12的個數相同的照明區域IR。本實施形態中，曝光裝置1具備7個照明光學系統14，因此於罩幕131上設定有7個照明區域IR（即照明區域IRa、照明區域IRb、照明區域IRc、照明區域IRd、照明區域IRe、照明區域IRf及照明區域IRg）。照明光學系統12a對照明區域IRa照射曝光用光EL。照明光學系統12b對照明區域IRb照射曝光用光EL。照明光學系統12c對照明區域IRc照射曝光用光EL。照明光學系統12d對照明區域IRd照射曝光用光EL。照明光學系統12e對照明區域IRe照射曝光用光EL。照明光學系統12f對照明區域IRf照射曝光用光EL。照明光學系統12g對照明區域IRg照射曝光用光EL。
各投影光學系統14的物體面側的視場是藉由各投影光學系統14所具備的視場光闌144而規定。因此，各照明區域IR是指與視場光闌144光學共軛的區域。
本實施形態中，各投影光學系統14將罩幕圖案的等倍的直立正像投影至基板151上。因此，照明區域IRa～照明區域IRg的形狀及排列與投影區域PRa～投影區域PRg的形狀及排列分別相同。因此，各照明區域IR包含由相對於X軸方向而傾斜的邊所規定的兩個端部（以下適當稱為「傾斜部」）。沿著X軸方向而重疊的兩個傾斜部於罩幕131上規定接連圖案區域131a，該接連圖案區域131a於一次掃描曝光動作中藉由該兩個傾斜部而經曝光用光EL照射兩次。即，沿著X軸方向而重疊的兩個照明區域IR的兩個傾斜部於罩幕131上規定於一次掃描曝光動作中藉由該兩個傾斜部而經雙重照明的接連圖案區域131a。另一方面，有效區域131p中接連圖案區域131a以外的非接連圖案區域131b成為於一次掃描曝光動作中經曝光用光EL照明一次的區域。
接連圖案區域131a為與接連曝光區域151a對應的區域。即，照明接連圖案區域131a的曝光用光EL通過接連圖案區域131a而照射於接連曝光區域151a。另一方面，非接連圖案區域131b為與非接連曝光區域151b對應的區域。即，照明非接連圖案區域131b的曝光用光EL通過非接連圖案區域131b而照射於非接連曝光區域151b。
接連圖案區域131a為矩形的區域。接連圖案區域131a為X軸方向（即掃描方向）成為長邊方向且Y軸方向（即非掃描方向）成為短邊方向的區域。接連圖案區域131a為沿著X軸方向而延伸的區域。於罩幕131上設定有沿著Y軸方向而等間隔地排列的多個接連圖案區域131a（圖3（b）所示的例子中為6個接連圖案區域131a）。
非接連圖案區域131b為矩形的區域。非接連圖案區域131b為X軸方向成為長邊方向且Y軸方向成為短邊方向的區域。非接連圖案區域131b為沿著X軸方向而延伸的區域。於罩幕131上設定有沿著Y軸方向而等間隔地排列的多個非接連圖案區域131b（圖3（b）所示的例子中為7個非接連圖案區域131b）。
例如，形成於罩幕131上的罩幕圖案如圖2（c）所示，包含沿著Y軸方向重複規則地形成且分別為相同罩幕圖案的多個單位罩幕圖案部1311u。多個單位罩幕圖案部1311u形成於有效區域131p的至少一部分。即，有效區域131p的至少一部分包含沿著X軸方向及Y軸方向的至少其中之一而重複規則地形成有多個單位罩幕圖案部1311u的重複區域。另外，圖2（c）所示的例子中，多個單位罩幕圖案部1311u是沿著X軸方向及Y軸方向兩者而重複規則地形成。
於該情形時，沿著Y軸方向相鄰的兩個接連圖案區域131a的間隔D1較沿著Y軸方向相鄰的兩個單位罩幕圖案部1311u的間隔D2更長。接連圖案區域131a沿著Y軸方向出現的頻率低於單位罩幕圖案部1311u沿著Y軸方向出現的頻率。沿著Y軸方向的接連圖案區域131a的排列週期較沿著Y軸方向的單位罩幕圖案部1311u的排列週期更長。
藉由經由單位罩幕圖案部1311u的曝光用光EL，而於基板151上形成與單位罩幕圖案部1311u對應的單位元件圖案部1511u。因此，藉由經由包含重複規則地形成（即排列）的多個單位罩幕圖案部1311u的罩幕131的曝光用光EL，而於基板151上形成包含重複規則地排列的多個單位元件圖案部1511u的元件圖案。
如上所述般藉由曝光裝置1進行曝光的基板151例如是用於製造顯示面板。於該情形時，單位罩幕圖案部1311u為用以於基板151上形成構成顯示面板的各畫素（即各顯示畫素）的罩幕圖案。即，單位罩幕圖案部1311u為用以於基板151上形成各畫素內所形成的薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）器件等電路器件、彩色濾光片、黑色矩陣、觸控面板電路器件等的罩幕圖案。進而，單位元件圖案部1511u為各畫素的元件圖案。
一方面參照圖3（a）及圖3（b），一方面對用於製造此種顯示面板的罩幕131的一具體例加以說明。圖3（a）為表示用於製造顯示面板的罩幕131的一具體例的平面圖。圖3（b）為表示圖3（a）所示的罩幕131的一部分的平面圖。
如圖3（a）所示，罩幕131中（特別是由遮光區域131s所包圍的有效區域131p中），形成有包含多個相同罩幕圖案1311d的罩幕圖案群1311g。各罩幕圖案1311d為用以製造一台顯示面板的罩幕圖案。即，各罩幕圖案1311d為與一台顯示面板的元件圖案對應的罩幕圖案。因此，圖3（a）所示的罩幕131是用於由一片基板151製造多個相同的顯示面板。於圖3（a）所示的例子中，於罩幕131中形成有8個罩幕圖案1311d。因此，圖3（a）所示的罩幕131是用於由一片基板151製造8個相同的顯示面板。
各罩幕圖案1311d如圖3（b）所示，包含用以於基板151上分別形成一台顯示面板的多個畫素的多個單位罩幕圖案部1311u。以下，將多個單位罩幕圖案部1311u的集合適當稱為「畫素罩幕圖案部1311p」。各罩幕圖案1311d進而包含用以於基板151上形成周邊電路等的周邊罩幕圖案部1311s，所述周邊電路等是配置於配置有多個畫素的畫素區域的周邊。圖3（b）表示周邊罩幕圖案部1311s包含用以形成自多個畫素伸出的配線（例如將多個畫素與驅動電路連接的配線）的罩幕圖案的例子。另外，於圖3（b）所示的例子中，將周邊罩幕圖案部1311s配置於畫素罩幕圖案部1311p的-X側。然而，亦可根據周邊電路等的配置位置，將周邊罩幕圖案部1311s配置於畫素罩幕圖案部1311p的+X側、-Y側及+Y側的至少一側。
此種罩幕131是如以下般製造。首先，藉由下述罩幕圖案計算裝置2來計算與元件圖案對應的罩幕圖案（於圖3（a）～圖3（b）所示的例子中為包含多個罩幕圖案1311d的罩幕圖案群1311g）。另外，所謂此處所提及的「罩幕圖案的計算」，是指決定罩幕圖案的內容（即圖案佈局），實質上與表示罩幕圖案的內容的罩幕圖案資料的生成等價。然後，將所計算出的罩幕圖案實際形成於未形成有罩幕圖案的空白罩幕（mask blanks）。具體而言，例如電子束曝光裝置等根據所計算出的罩幕圖案而對塗佈有感光材料的空白罩幕進行曝光。然後，對經曝光的空白罩幕進行顯影，由此於空白罩幕上形成與罩幕圖案對應的感光材料的圖案層。然後，介隔感光材料的圖案層對空白罩幕（特別是空白罩幕所具備的遮光膜）進行加工。結果，製造形成有與元件圖案對應的罩幕圖案的罩幕131。
（2）本實施形態的罩幕圖案計算裝置2 繼而，一方面參照圖4～圖12，一方面對計算形成於罩幕131上的罩幕圖案的罩幕圖案計算裝置2進行說明。
（2-1）罩幕圖案計算裝置2的構造 首先，一方面參照圖4，一方面對罩幕圖案計算裝置2的構造進行說明。圖4為表示罩幕圖案計算裝置2的構造的區塊圖。
如圖4所示，罩幕圖案計算裝置2具備中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）21、記憶體22、輸入部23、操作設備24及顯示設備25。
CPU 21控制罩幕圖案計算裝置2的動作。CPU 21計算罩幕圖案而生成罩幕圖案資料。即，CPU 21設計罩幕佈局。具體而言，CPU 21根據表示元件圖案的內容（即圖案佈局）的元件圖案資料，計算滿足所需計算條件的罩幕圖案。具體而言，CPU 21對用以計算滿足所需計算條件的罩幕圖案的最佳化問題或數理規劃問題求解，由此計算罩幕圖案。所需計算條件的一具體例可列舉：使曝光量（DOSE量）及焦點深度（Depth Of Focus，DOF）最佳化（所謂使製程窗口（process window）最佳化）的條件。另外，使曝光量及焦點深度最佳化的條件是指將曝光量設定為第一所需量且將焦點深度設定為第二所需量的條件。
CPU 21亦可實質上作為電子設計自動化（Electronic Design Automation，EDA）工具而發揮功能。例如，CPU 21亦可藉由執行用以使CPU 21進行所述罩幕圖案的計算動作的計算機程式，而作為EDA工具發揮功能。
記憶體22儲存用以使CPU 21進行罩幕圖案的計算動作的計算機程式。然而，用以使CPU 21進行罩幕圖案的計算動作的計算機程式亦可記錄於外部的記憶裝置（例如硬碟或光碟）等中。記憶體22進而暫時儲存CPU 21進行罩幕圖案的計算動作的期間中生成的中間資料。
輸入部23接受用於使CPU 21進行罩幕圖案的計算動作的各種資料的輸入。此種資料的一例可列舉：表示對基板151應形成的元件圖案的元件圖案資料等。然而，罩幕圖案計算裝置2亦可不具備輸入部23。
操作設備24接受用戶對罩幕圖案計算裝置2的操作。操作設備24例如包含鍵盤、滑鼠及觸控面板的至少一個。CPU 21亦可根據操作設備24所接受的用戶的操作，進行罩幕圖案的計算動作。然而，罩幕圖案計算裝置2亦可不具備操作設備24。
顯示設備25可顯示所需的資訊。例如，顯示設備25亦可直接或間接地顯示表示罩幕圖案計算裝置2的狀態的資訊。例如，顯示設備25亦可直接或間接地顯示罩幕圖案計算裝置2正計算的罩幕圖案。例如，顯示設備25亦可直接或間接地顯示與罩幕圖案的計算動作有關的任意資訊。然而，罩幕圖案計算裝置2亦可不具備顯示設備25。
（2-2）罩幕圖案的計算動作 繼而，一方面參照圖5，一方面對罩幕圖案計算裝置2進行的罩幕圖案的計算動作進行說明。圖5為表示罩幕圖案計算裝置2進行的罩幕圖案的計算動作的流程的流程圖。
如圖5所示，罩幕圖案計算裝置2所具備的CPU 21取得表示元件圖案的元件圖案資料（步驟S1）。元件圖案資料為表示以滿足既定的設計規則（design rule）的方式經調整的元件圖案的內容（即圖案佈局）的資料，是作為所謂元件設計（換言之為電路設計）的結果而取得。既定的設計規則例如可列舉線或孔的最小寬度、或者兩條線或兩個孔之間的最小空間作為一例。
與步驟1的處理同時，CPU 21設定狀態變量，該狀態變量表示利用經由罩幕131的曝光用光EL於基板151上形成元件圖案時的曝光裝置1的狀態（步驟S2）。
例如，CPU 21亦可設定與照明光學系統12有關的狀態變量。與照明光學系統12有關的狀態變量為規定光源單元11的狀態（例如照明光學系統12的光瞳面上的光強度分佈、照明光學系統12的光瞳面上的光的偏光狀態的分佈等）的可調整或經固定的參數。此種與照明光學系統12有關的狀態變量的一具體例可列舉：與照明光學系統12的照明圖案的形狀（即曝光用光EL的射出圖案的形狀）有關的狀態變量、與σ值有關的狀態變量及與曝光用光EL1的光強度有關的狀態變量中的至少一個。
例如，CPU 21亦可設定與投影光學系統14有關的狀態變量。與投影光學系統14有關的狀態變量為規定投影光學系統14的狀態（例如像差或延遲（retardation）等光學特性）的可調整或經固定的參數。此種與投影光學系統14有關的狀態變量的一具體例可列舉：與投影光學系統14所投影的曝光用光EL的波面形狀有關的狀態變量、與投影光學系統14所投影的曝光用光EL的強度分佈有關的狀態變量及與投影光學系統14所投影的曝光用光EL的相移量（或相位）有關的狀態變量中的至少一個。
然後，CPU 21計算罩幕圖案，該罩幕圖案可形成將步驟S1中所取得的元件圖案資料所表示的元件圖案形成於基板151上的像（步驟S3）。此時，CPU 21計算如下罩幕圖案，該罩幕圖案可於處於步驟S2中設定的狀態變量所表示的狀態的曝光裝置1照射曝光用光EL的狀況下滿足所述計算條件。因此，CPU 21每當計算罩幕圖案時，判定該所計算出的罩幕圖案是否滿足計算條件。於所計算出的罩幕圖案不滿足計算條件的情形時，CPU 21重複進行變更罩幕圖案（換言之調整所計算出的罩幕圖案）的動作直至滿足計算條件為止。然而，CPU 21亦可除了變更罩幕圖案以外或取而代之而變更狀態變量。於該情形時，CPU 21計算如下罩幕圖案，該罩幕圖案可於處於變更後的狀態變量所表示的狀態的曝光裝置1照射曝光用光EL的狀況下滿足所述計算條件。
本實施形態中，尤其CPU 21於圖5的步驟S3中計算罩幕圖案時，利用罩幕131中包含（即形成有）多個單位罩幕圖案部1311u這一情況，相對有效率地計算罩幕圖案。以下，一方面參照圖6，一方面對在圖5的步驟S3中利用罩幕131中包含多個單位罩幕圖案部1311u這一情況來計算罩幕圖案的處理進行進一步說明。圖6為表示於圖5的步驟S3中，利用罩幕131中包含多個單位罩幕圖案部1311u這一情況來計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。另外，為了便於說明，於使用圖6的說明中，使用計算圖3（a）及圖3（b）所示的罩幕圖案的動作來進行說明，但圖6所示的處理可於計算任意罩幕圖案時應用。
如圖6所示，CPU 21根據元件圖案資料而取得單位元件圖案部1511u的圖案佈局（步驟S311）。另外，雖然元件圖案中包含多個單位元件圖案部1511u，但多個單位元件圖案部1511u的圖案佈局相同，故CPU 21只要取得一個單位元件圖案部1511u的圖案佈局即可。
然後，CPU 21根據步驟S311中取得的一個單位元件圖案部1511u的圖案佈局，計算一個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局（步驟S312）。即，CPU 21首先計算一個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局，而代替彙總計算包含多個單位罩幕圖案部1311u的畫素罩幕圖案部1311p。
本實施形態中，CPU 21於步驟S312中計算一個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局時，利用罩幕131中包含多個單位罩幕圖案部1311u這一情況。具體而言，如上文所述，CPU 21應計算的罩幕圖案中包含重複規則地排列的多個單位罩幕圖案部1311u。多個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局相同。於是，於罩幕131上，某個單位罩幕圖案部1311u自身的一部分理應鄰接於該某個單位罩幕圖案部1311u。
例如，圖7表示某一個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局，該某一個單位罩幕圖案部1311u用於形成與顯示面板的一個畫素對應的某一個單位元件圖案部1511u。包含用以形成某一個畫素所含的TFT器件的罩幕圖案及用以形成某一個畫素所包含且與該TFT器件相連的信號線（例如閘極線或資料線等）的罩幕圖案。然而，用以形成TFT器件的掃描曝光動作與用以形成信號線的掃描曝光動作通常是使用不同的罩幕131分別進行。因此，圖案計算裝置2實際上分別計算包含用以形成TFT器件的單位罩幕圖案部1311u的罩幕圖案、與包含用以形成信號線的單位罩幕圖案部1311u的罩幕圖案。然而，本實施形態中，為了便於說明，於圖7（進而以下的圖8（a）～圖10）中，為了容易地理解多個單位罩幕圖案部1311u的重複排列而進行圖示，使用包含用以形成TFT器件的罩幕圖案及用以形成信號線的罩幕圖案的單位罩幕圖案部1311u來進行說明。
於圖7所示的例子中，單位罩幕圖案部1311u於XY平面上的形狀成為矩形（例如長方形或正方形）。即，單位罩幕圖案部1311u於罩幕131上所占的區域於XY平面上的形狀成為矩形。於罩幕131上，將此種單位罩幕圖案部1311u沿著X軸方向及Y軸方向兩者重複規則地排列有多個。即，於罩幕131上，將多個此種單位罩幕圖案部1311u排列成矩陣狀。
於該情形時，如圖8（a）所示，單位罩幕圖案部1311u-2鄰接於單位罩幕圖案部1311u-1的+X側。單位罩幕圖案部1311u-2的圖案佈局與單位罩幕圖案部1311u-1的圖案佈局相同。因此實質上，於單位罩幕圖案部1311u-1的+X側外緣（或邊，以下相同），鄰接有作為包含該單位罩幕圖案部1311u-1的-X側外緣的單位罩幕圖案部1311u-1的一部分的鄰接罩幕圖案部1311n。
同樣地，如圖8（b）所示，單位罩幕圖案部1311u-3鄰接於單位罩幕圖案部1311u-1的-X側。單位罩幕圖案部1311u-3的圖案佈局與單位罩幕圖案部1311u-1的圖案佈局相同。因此實質上，於單位罩幕圖案部1311u-1的-X側外緣，作為包含該單位罩幕圖案部1311u-1的+X側外緣的單位罩幕圖案部1311u-1的一部分的鄰接罩幕圖案部1311n鄰接。
同樣地，如圖8（c）所示，單位罩幕圖案部1311u-4鄰接於單位罩幕圖案部1311u-1的-Y側。單位罩幕圖案部1311u-4的圖案佈局與單位罩幕圖案部1311u-1的圖案佈局相同。因此實質上，於單位罩幕圖案部1311u-1的-Y側外緣，作為包含該單位罩幕圖案部1311u-1的+Y側外緣的單位罩幕圖案部1311u-1的一部分的鄰接罩幕圖案部1311n鄰接。
同樣地，如圖8（d）所示，單位罩幕圖案部1311u-5鄰接於單位罩幕圖案部1311u-1的+Y側。單位罩幕圖案部1311u-5的圖案佈局與單位罩幕圖案部1311u-1的圖案佈局相同。因此實質上，於單位罩幕圖案部1311u-1的+Y側外緣，作為包含該單位罩幕圖案部1311u-1的-Y側外緣的單位罩幕圖案部1311u-1的一部分的鄰接罩幕圖案部1311n鄰接。
考慮到此種單位罩幕圖案部1311u的一部分可成為鄰接於該單位罩幕圖案部1311u的鄰接罩幕圖案部1311n，CPU 21假定（換言之視為）欲計算的一個單位罩幕圖案部1311u的一部分作為鄰接罩幕圖案部1311n而鄰接於該一個單位罩幕圖案部1311u。例如亦可如圖9所示，CPU 21假定鄰接罩幕圖案部1311n沿著單位罩幕圖案部1311的各邊延伸的方向（即，X軸方向及Y軸方向的至少其中之一）而鄰接於單位罩幕圖案部1311u。具體而言，CPU 21亦可假定：（i）於單位罩幕圖案部1311u的+X側外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的-X側外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-1鄰接；（ii）於單位罩幕圖案部1311u的-X側外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的+X側外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-2鄰接；（iii）於單位罩幕圖案部1311u的+Y側外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的-Y側外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-3鄰接；（iv）於單位罩幕圖案部1311u的-Y側外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的+Y側外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-4鄰接。或者亦可如圖10所示，CPU 21假定：鄰接罩幕圖案部1311n除了沿著圖9所示的單位罩幕圖案部1311的各邊延伸的方向以外（或者取而代之），還沿著單位罩幕圖案部1311u的對角方向（即，於XY平面上與X軸方向及Y軸方向兩者交叉的方向）而鄰接於單位罩幕圖案部1311u。具體而言，CPU 21亦可假定：（i）沿著單位罩幕圖案部1311u的對角方向，於單位罩幕圖案部1311u的+X側且+Y側的外緣（例如頂點，以下於本文中相同），包含該單位罩幕圖案部1311u的-X側且-Y側的外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-5鄰接；（ii）於單位罩幕圖案部1311u的-X側且+Y側的外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的+X側且-Y側的外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-6鄰接；（iii）於單位罩幕圖案部1311u的+X側且-Y側的外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的-X側且+Y側的外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-7鄰接；（iv）於單位罩幕圖案部1311u的-X側且-Y側的外緣，包含該單位罩幕圖案部1311u的+X側且+Y側的外緣的鄰接罩幕圖案部1311n-8鄰接。
於此種假定的狀況下，CPU 21考慮鄰接罩幕圖案部1311n的影響而計算一個單位罩幕圖案部1311u的圖案佈局。作為一例，CPU 21根據單位元件圖案部1511u，首先以滿足所述計算條件的方式而計算與該單位元件圖案部1511u對應的單位罩幕圖案部1311u。即，CPU 21首先不考慮多個單位罩幕圖案部1311u的重複排列，而計算單位罩幕圖案部1311u。於該時刻，罩幕圖案部1311u是不考慮鄰接罩幕圖案部1311n的存在（即，於假定鄰接罩幕圖案部1311n不鄰接於單位罩幕圖案部1311u的基礎上）而進行計算。然而，實際上鄰接罩幕圖案部1311n（即，其他單位罩幕圖案部1311u的一部分）鄰接於單位罩幕圖案部1311u。因此，經由單位罩幕圖案部1311u的曝光用光EL有可能不僅受到曝光用光EL自身所通過的單位罩幕圖案部1311u的影響，而且還受到鄰接罩幕圖案部1311n的影響。故而，經由不考慮鄰接罩幕圖案部1311n的存在而計算出的單位罩幕圖案部1311u的曝光用光EL有可能因鄰接罩幕圖案部1311n的影響，而無法於基板151上形成可形成單位元件圖案部1511u的像。因此，CPU 21假定所計算出的單位罩幕圖案部1311u的一部分作為鄰接罩幕圖案部1311n而鄰接於所計算出的單位罩幕圖案部1311u。然後，CPU 21推定鄰接罩幕圖案部1311n的存在對利用經由單位罩幕圖案部1311u的曝光用光EL進行的單位元件圖案部1511u的形成所造成的影響，以抵消該影響且亦滿足所述計算條件的方式，對單位罩幕圖案部1311u的至少一部分進行修正。即，CPU 21以即便於存在鄰接罩幕圖案部1311n的情形時，亦可與不存在鄰接罩幕圖案部1311n的情形同樣地形成可形成適當的單位元件圖案部1511u的像的方式，對單位罩幕圖案部1311u的至少一部分進行修正。另外，單位罩幕圖案部1311u的至少一部分的修正包括單位罩幕圖案部1311u的至少一部分的線寬的調整、單位罩幕圖案部1311u的至少一部分的延伸方向的調整、單位罩幕圖案部1311u的至少一部分的去除及對單位罩幕圖案部1311u的至少一部分的新罩幕圖案的追加。
再次於圖6中，於計算單位罩幕圖案部1311u之後（或之前或同時），CPU 21根據元件圖案資料而取得相當於周邊電路的元件圖案的周邊元件圖案部1511s的圖案佈局（步驟S313）。然後，CPU 21根據步驟S313中取得的周邊元件圖案部1511s，計算周邊罩幕圖案部1311s的圖案佈局（步驟S314）。
此後，CPU 21將步驟S312中計算出的單位罩幕圖案部1311u重複規則地排列多個（步驟S315）。具體而言，CPU 21根據圖5的步驟S1中取得的元件圖案資料，確定元件圖案所含的多個單位元件圖案部1511u的排列態樣。然後，CPU 21按照所確定的多個單位元件圖案部1511u的排列態樣，排列多個單位罩幕圖案部1311u。結果，計算出包含多個單位罩幕圖案部1311u的畫素罩幕圖案部1311p（參照圖3（b））的圖案佈局。其後，CPU 21針對所計算出的畫素罩幕圖案部1311p，配置步驟S314中計算出的周邊罩幕圖案部1311s（步驟S315）。結果如圖11所示，計算出包含多個單位罩幕圖案部1311u的罩幕圖案1311d的圖案佈局（步驟S315）。
然後，CPU 21將步驟S315中計算出的罩幕圖案1311d排列多個（步驟S316）。結果，如圖12所示，計算出包含多個罩幕圖案1311d的罩幕圖案群1311g（即，罩幕131上的罩幕圖案）。
如以上所說明，於本實施形態中，CPU 21可利用罩幕131中包含多個單位罩幕圖案部1311u這一情況而計算罩幕圖案。因此，CPU 21可有效率地計算罩幕圖案。
另外，所述圖6的步驟S316的處理為計算含有多個罩幕圖案1311d的罩幕131的罩幕圖案時進行的處理，所述罩幕圖案1311d包含多個單位罩幕圖案部1311u。然而，圖案計算裝置2亦可計算僅含有一個罩幕圖案1311d的罩幕131的罩幕圖案，所述罩幕圖案1311d包含多個單位罩幕圖案部1311u。於該情形時，亦可不進行所述圖6的步驟S316的處理。
（3）變形例 繼而，對所述罩幕圖案的計算動作的變形例進行說明。
（3-1）第一變形例 於所述說明中，CPU 21計算一個單位罩幕圖案部1311u，並藉由將該所計算出的單位罩幕圖案部1311u排列多個而計算罩幕圖案1311d。另一方面，於第一變形例中，CPU 21計算互不相同的多種單位罩幕圖案部1311u。
具體而言，如圖13所示，罩幕圖案1311d所含的多個單位罩幕圖案部1311u各自可分類至多種單位罩幕圖案群1311ud，所述多種單位罩幕圖案群1311ud可根據與其他單位罩幕圖案部1311u的鄰接位置的差異而區分。於圖13所示的例子中，例如多個單位罩幕圖案部1311u各自可分類至9種單位罩幕圖案群1311ud-1～單位罩幕圖案群1311ud-9的任一個。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側、-X側、+Y側及-Y側分別鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-1。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側、-X側及+Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於-Y側不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-2。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側、-X側及-Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於+Y側不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-3。其他單位罩幕圖案部1311u於-X側、+Y側及-Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於+X側不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-4。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側、+Y側及-Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於-X側不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-5。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側及+Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於-X側及-Y側分別不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-6。其他單位罩幕圖案部1311u於+X側及-Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於-X側及+Y側分別不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-7。其他單位罩幕圖案部1311u於-X側及+Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於+X側及-Y側分別不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-8。其他單位罩幕圖案部1311u於-X側及-Y側分別鄰接，一方面其他單位罩幕圖案部1311u於+X側及+Y側分別不鄰接的單位罩幕圖案部1311u屬於單位罩幕圖案群1311ud-9。
CPU 21計算屬於不同的多種單位罩幕圖案群1311ud的多種單位罩幕圖案部1311u。於圖13所示的例中，CPU 21計算屬於單位罩幕圖案群1311ud-1的一個單位罩幕圖案部1311u-11、屬於單位罩幕圖案群1311ud-2的一個單位罩幕圖案部1311u-12、屬於單位罩幕圖案群1311ud-3的一個單位罩幕圖案部1311u-13、屬於單位罩幕圖案群1311ud-4的一個單位罩幕圖案部1311u-14、屬於單位罩幕圖案群1311ud-5的一個單位罩幕圖案部1311u-15、屬於單位罩幕圖案群1311ud-6的一個單位罩幕圖案部1311u-16、屬於單位罩幕圖案群1311ud-7的一個單位罩幕圖案部1311u-17、屬於單位罩幕圖案群1311ud-8的一個單位罩幕圖案部1311u-18及屬於單位罩幕圖案群1311ud-9的一個單位罩幕圖案部1311u-19。
計算多種單位罩幕圖案部1311u各自的處理本身與上文所述的計算單位罩幕圖案部1311u的處理相同。因此，CPU 21假定於各種單位罩幕圖案部1311u的X側、-X側、+Y側及-Y側的各外緣中其他單位罩幕圖案部1311u鄰接的外緣，各種單位罩幕圖案部1311u的至少一部分鄰接，於此基礎上計算各種單位罩幕圖案部1311u。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-11的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-11的+X側、-X側、+Y側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-11。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-12的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-12的+X側、-X側及+Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-12。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-13至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-13的+X側、-X側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-13。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-14的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-14的-X側、+Y側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-14。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-15的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-15的+X側、+Y側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-15。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-16的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-16的+X側及+Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-16。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-17的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-17的+X側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-17。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-18的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-18的-X側及+Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-18。例如，CPU 21假定單位罩幕圖案部1311u-19的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-19的-X側及-Y側的各外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-19。
然後，CPU 21將所計算出的多種單位罩幕圖案部1311u及周邊罩幕圖案部1311s排列，由此計算罩幕圖案。
根據此種第一變形例，CPU 21可亦考慮到每個單位罩幕圖案部1311u受鄰接罩幕圖案部1311n的影響不同，而計算單位罩幕圖案部1311u。因此，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。進而，使用形成有藉由此種第一變形例所計算出的罩幕圖案的罩幕131對基板151進行曝光的曝光裝置1能以相對高精度地形成所需的元件圖案的方式對基板151進行曝光。
另外，於計算鄰接於周邊罩幕圖案部1311s的單位罩幕圖案部1311u時，CPU 21亦可假定周邊罩幕圖案部1311s的至少一部分作為鄰接罩幕圖案部1311n而鄰接於單位罩幕圖案部1311u，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u。例如，於圖13所示的例中，CPU 21亦可假定周邊罩幕圖案部1311s的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u-15的-X側外緣，於此基礎上計算單位罩幕圖案部1311u-15。對於單位罩幕圖案部1311u-16及單位罩幕圖案部1311ud-17而言亦相同。於該情形時，CPU 21亦可於計算單位罩幕圖案部1311u之前，預先計算周邊罩幕圖案部1311s。結果，CPU 21可亦考慮到經由單位罩幕圖案部1311u的曝光用光EL受周邊罩幕圖案部1311s的影響，而計算單位罩幕圖案部1311u。因此，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。
根據相同的理由，於計算鄰接於單位罩幕圖案部1311u的周邊罩幕圖案部1311s時，CPU 21亦可假定單位罩幕圖案部1311u的至少一部分作為鄰接罩幕圖案部1311n而鄰接於周邊罩幕圖案部1311s，於此基礎上計算周邊罩幕圖案部1311s。
或者，於計算鄰接於周邊罩幕圖案部1311s的單位罩幕圖案部1311u時，CPU 21亦可如圖14所示，計算包含單位罩幕圖案部1311u及鄰接於該單位罩幕圖案部1311u的周邊罩幕圖案部1311s的至少一部分的複合罩幕圖案部1311c。於計算此種複合罩幕圖案部1311c的情形時，亦與於假定周邊罩幕圖案部1311s的至少一部分鄰接於單位罩幕圖案部1311u的基礎上計算單位罩幕圖案部1311u的情形同樣地，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。
（3-2）第二變形例 於所述說明中，CPU 21藉由排列多個罩幕圖案1311d而計算罩幕圖案群1311g。另一方面，於第二變形例中，CPU 21於排列多個罩幕圖案1311d之後，進而根據多個罩幕圖案1311d的排列態樣對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正，由此計算罩幕圖案群1311g。以下，一方面參照圖15，一方面對第二變形例的罩幕圖案的計算動作進行說明。另外，對於與所述實施形態中進行的處理相同的處理，標註相同步驟編號而省略其詳細說明。
如圖15所示，於第二變形例中，亦與所述實施形態同樣地進行步驟S311～步驟S316的處理。於第二變形例中，於步驟S316中排列多個罩幕圖案1311d之後，CPU 21利用罩幕131中包含多個罩幕圖案1311d（即排列有多個罩幕圖案1311d）這一情況，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正（步驟S321）。另外，多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正包括多個罩幕圖案1311d的至少一部分的線寬的調整、多個罩幕圖案1311d的至少一部分的延伸方向的調整、多個罩幕圖案1311d的至少一部分的去除及對多個罩幕圖案1311d的至少一部分的新罩幕圖案的追加。
具體而言，如上文所述，罩幕圖案群1311g所含的多個罩幕圖案1311d的圖案佈局相同。於是，於罩幕131上，某個罩幕圖案1311d自身的一部分理應鄰接於該某個罩幕圖案1311d。因此，CPU 21利用與於假定單位罩幕圖案部1311u的一部分鄰接於該單位罩幕圖案部1311u的基礎上計算單位罩幕圖案部1311u的動作相同的方法，假定各罩幕圖案1311d自身的一部分鄰接於該各罩幕圖案1311d，於此基礎上對各罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
例如，如圖16所示，CPU 21假定於罩幕圖案1311d-1的-X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-1的+X側外緣的罩幕圖案1311d-1的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-1的+Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-1的-Y側外緣的罩幕圖案1311d-1的至少一部分鄰接。而且，CPU 21推定假定鄰接的罩幕圖案的存在對利用經由各罩幕圖案1311d-1的曝光用光EL進行的元件圖案形成所造成的影響，以抵消該影響並且滿足所述計算條件的方式，對罩幕圖案1311d-1的至少一部分進行修正。
另外，雖然為了避免圖式的煩雜化而未圖示，但CPU 21假定於罩幕圖案1311d-2的-X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-2的+X側外緣的罩幕圖案1311d-2的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-2的-Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-2的+Y側外緣的罩幕圖案1311d-2的至少一部分鄰接，於此基礎上修正罩幕圖案1311d-2。CPU 21假定於罩幕圖案1311d-3的+X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-3的-X側外緣的罩幕圖案1311d-3的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-3的-X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-3的+X側外緣的罩幕圖案1311d-3的至少一部分鄰接，並且於罩幕圖案1311d-3的+Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-3的-Y側外緣的罩幕圖案1311d-3的至少一部分鄰接，於此基礎上修正罩幕圖案1311d-3。關於罩幕圖案1311d-5，與罩幕圖案1311d-3相同。因此，CPU 21只要以與罩幕圖案1311d-3相同的修正態樣而修正罩幕圖案1311d-5即可。CPU 21假定於罩幕圖案1311d-4的+X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-4的-X側外緣的罩幕圖案1311d-4的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-4的-X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-4的+X側外緣的罩幕圖案1311d-4的至少一部分鄰接，並且於罩幕圖案1311d-4的-Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-4的+Y側外緣的罩幕圖案1311d-4的至少一部分鄰接，於此基礎上修正罩幕圖案1311d-4。關於罩幕圖案1311d-6，與罩幕圖案1311d-4相同。因此，CPU 21只要以與罩幕圖案1311d-4相同的修正態樣而修正罩幕圖案1311d-6即可。CPU 21假定於罩幕圖案1311d-7的+X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-7的-X側外緣的罩幕圖案1311d-7的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-7的+Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-7的-Y側外緣的罩幕圖案1311d-7的至少一部分鄰接，於此基礎上修正罩幕圖案1311d-7。CPU 21假定於罩幕圖案1311d-8的+X側外緣，包含該罩幕圖案1311d-8的-X側外緣的罩幕圖案1311d-8的至少一部分鄰接，且於罩幕圖案1311d-8的-Y側外緣，包含該罩幕圖案1311d-8的+Y側外緣的罩幕圖案1311d-8的至少一部分鄰接，於此基礎上修正罩幕圖案1311d-8。
根據此種第二變形例，CPU 21可亦考慮每個罩幕圖案1311d受鄰接的其他罩幕圖案的影響不同，而對罩幕圖案1311d進行修正。因此，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。進而，使用形成有藉由此種第二變形例所計算出的罩幕圖案的罩幕131對基板151進行曝光的曝光裝置1能以相對高精度地形成所需的元件圖案的方式對基板151進行曝光。
另外，CPU 21亦可如圖17所示，以鄰接的兩個罩幕圖案1311d介隔周邊罩幕圖案部1311s而鄰接的方式排列多個罩幕圖案1311d。於該情形時，CPU 21可於排列多個罩幕圖案1311d之前，識別出周邊罩幕圖案部1311s彼此鄰接。因此，於該情形時，CPU 21可利用與於假定單位罩幕圖案部1311u的一部分鄰接於該單位罩幕圖案部1311u的基礎上計算單位罩幕圖案部1311u的動作相同的方法，假定周邊罩幕圖案部1311s的一部分鄰接於該周邊罩幕圖案部1311s，於此基礎上計算周邊罩幕圖案部1311s。
（3-3）第三變形例 於第三變形例中，CPU 21排列多個罩幕圖案1311d之後，根據所述接連圖案區域131a及非接連圖案區域131b與多個罩幕圖案1311d之間的對應關係，而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正，由此計算罩幕圖案群1311g。接連圖案區域131a及非接連圖案區域131b分別與基板151上的接連曝光區域151a及非接連曝光區域151b對應。因此，亦可謂CPU 21根據接連曝光區域151a及非接連曝光區域151b與多個罩幕圖案1311d之間的對應關係，而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。以下，一方面參照圖18，一方面對第三變形例的罩幕圖案的計算動作進行說明。另外，對於與所述實施形態中進行的處理相同的處理，標註相同的步驟編號而省略其詳細說明。
如圖18所示，於第三變形例中，亦與所述實施形態同樣地進行步驟S311～步驟S316的處理。於第三變形例中，於步驟S316中排列多個罩幕圖案1311d之後，CPU 21根據經由接連圖案區域131a的曝光用光EL於接連曝光區域151a中的曝光量及經由非接連圖案區域131b的曝光用光EL於非接連曝光區域151b中的曝光量，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正（步驟S331）。
具體而言，如上文所述，規定接連曝光區域151a的各投影區域PR的傾斜部是以沿著X軸方向重疊的兩個傾斜部的沿著X軸方向的寬度的總和與各投影區域PR的沿著X軸方向的寬度（即，傾斜部以外的區域部分的沿著X軸方向的寬度）相同的方式設定。因此，理論上經雙重曝光的接連曝光區域151a的曝光量與未經雙重曝光的非接連曝光區域151b的曝光量實質上成為相同。然而，因存在接連曝光區域151a經雙重曝光且另一方面非接連區域151b未經雙重曝光的差異，故可能有因某些原因而接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量變得不同。
因此，於第三變形例中，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較，接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差（即差量）變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，於接連曝光區域151a的曝光量大於非接連曝光區域151b的曝光量的情形時，CPU 21亦能以接連曝光區域151a的曝光量變小及/或非接連曝光區域151b的曝光量變大的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，於接連曝光區域151a的曝光量小於非接連曝光區域151b的曝光量的情形時，CPU 21亦能以接連曝光區域151a的曝光量變大及/或非接連曝光區域151b的曝光量變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
CPU 21亦可對多個罩幕圖案1311d中形成於接連圖案區域131a的接連罩幕圖案部1311a（例如，接連圖案區域131a所含的單位罩幕圖案部1311u或周邊罩幕圖案部1311s）的至少一部分進行修正。即，CPU 21亦可對多個罩幕圖案1311d中經用以對接連曝光區域151a進行曝光的曝光用光EL進行照射的接連罩幕圖案部1311a的至少一部分進行修正。例如，CPU 21亦可對多個罩幕圖案1311d中非接連圖案區域131b所含的非接連罩幕圖案部1311b（例如，非接連圖案區域131b所含的單位罩幕圖案部1311u或周邊罩幕圖案部1311s）的至少一部分進行修正。即，CPU 21亦可對多個罩幕圖案1311d中經用以對非接連曝光區域151b進行曝光的曝光用光EL照射的非接連罩幕圖案部1311b的至少一部分進行修正。
於CPU 21對接連罩幕圖案部1311a及非接連罩幕圖案部1311b兩者進行修正的情形時，接連罩幕圖案部1311a的修正內容與非接連罩幕圖案部1311b的修正內容不同。然而，接連罩幕圖案部1311a的修正內容亦可與非接連罩幕圖案部1311b的修正內容相同。
此處，一方面參照圖19（a）～圖19（d），一方面對以接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差變小的方式對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正的處理的一具體例進行說明。
如圖19（a）所示，以應形成於基板151上的元件圖案為於接連曝光區域151a及非接連曝光區域151b之間線寬（更具體而言，成為基準的線寬）相同的元件圖案的情形為例進行說明。
於該情形時，若不考慮接連曝光區域151a中的曝光量與非接連曝光區域151b中的曝光量的差量，則CPU 21如圖19（b）所示，以接連圖案區域131a所含的接連罩幕圖案部1311a的線寬與非接連圖案區域131b所含的非接連罩幕圖案部1311b的線寬相同的方式計算罩幕圖案。於該情形時，若於接連罩幕圖案部1311a的線寬與非接連罩幕圖案部1311b的線寬相同的狀況下接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量相同，則CPU 21亦可不對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
然而，視情形不同，有可能於接連罩幕圖案部1311a的線寬與非接連罩幕圖案部1311b的線寬相同的狀況下，接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量不同。於該情形時，CPU 21以使接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差變小的方式，CPU 21對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。具體而言，CPU 21以調整接連罩幕圖案部1311a及非接連圖案1311b的至少其中之一的線寬的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。即，CPU 21亦能以接連罩幕圖案部1311a的線寬與非接連圖案1311b的線寬不同的方式，對接連罩幕圖案部1311a及非接連罩幕圖案部1311b的至少一部分進行修正。更具體而言，例如於基板151上塗佈有負型抗蝕劑的情形時，CPU 21亦可對接連罩幕圖案部1311a中使曝光用光EL通過的透光圖案1311a-1及非接連罩幕圖案部1311b中使曝光用光EL通過的透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬進行調整。例如，於基板151上塗佈有正型抗蝕劑的情形時，CU 21亦可對接連罩幕圖案部1311a中將曝光用光EL遮蔽的遮光圖案1311a-2及非接連罩幕圖案部1311b中將曝光用光EL遮蔽的遮光圖案1311b-2的至少一部分的線寬進行調整。以下，為了便於說明，使用在基板151上塗佈有負型抗蝕劑的例子進行說明。即，於以下的說明中，使用罩幕圖案1311a及罩幕圖案1311b的至少一部分的調整相當於透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬的調整的例子進行說明。
例如，有可能接連曝光區域151a的曝光量大於非接連曝光區域151b的曝光量。於該情形時，有可能形成於接連曝光區域151a中的元件圖案相較於形成於非接連曝光區域151b中的元件圖案而變粗。此處，CPU 21如上文所述，以接連曝光區域151a的曝光量變小及/或非接連曝光區域151b的曝光量變大的方式，調整透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬。具體而言，如圖19（c）所示，CPU 21例如以透光圖案1311a-1的線寬相較於透光圖案1311b-1的線寬而變細的方式，調整透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬。
或者，例如有可能於接連罩幕圖案部1311a的線寬與非接連罩幕圖案部1311b的線寬相同的狀況下，接連曝光區域151a的曝光量小於非接連曝光區域151b的曝光量。於該情形時，有可能形成於接連曝光區域151a中的元件圖案相較於形成於非接連曝光區域151b中的元件圖案而變細。因此，CPU 21如上文所述，以接連曝光區域151a的曝光量變大及/或非接連曝光區域151b的曝光量變小的方式，調整透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬。具體而言，如圖19（d）所示，CPU 21例如以透光圖案1311a-1的線寬相較於透光圖案1311b-1的線寬而變粗的方式，調整透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬。
此種透光圖案1311a-1及透光圖案1311b-1的至少一部分的線寬調整的結果為，接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差變小或成為零。因此，形成於接連曝光區域151a中的元件圖案的線寬與形成於非接連曝光區域151b中的元件圖案的線寬的偏差亦變小或成為零。即，根據此種第三變形例，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。進而，使用形成有藉由此種第三變形例所計算出的罩幕圖案的罩幕131對基板151進行曝光的曝光裝置1能以相對高精度地形成所需的元件圖案的方式對基板151進行曝光。
另外，接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差依存於曝光裝置1的特性、或塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等而變動。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存第一相關資訊，該第一相關資訊表示接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差、與曝光裝置1的特性及塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等之間的相關關係。此種第一相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第一相關資訊的情形時，CPU 21亦可根據該第一相關資訊，確定實際使用形成有圖案計算裝置2所計算出的罩幕圖案的罩幕131的曝光裝置1中的接連曝光區域151a與非接連曝光區域151b之間的曝光量偏差。然後，CPU 21亦能以所確定的偏差變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，接連曝光區域151a與非接連曝光區域151b之間的曝光量偏差的修正量依存於多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容（例如線寬的調整量）。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存第二相關資訊，該第二相關資訊表示接連曝光區域151a與非接連曝光區域151b之間的曝光量偏差的修正量、與多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容之間的相關關係。此種第二相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第二相關資訊的情形時，CPU 21亦可確定使接連曝光區域151a與非接連曝光區域151b之間的曝光量偏差變小或成為零所需要的修正量，並且根據第二相關資訊，確定以所確定的修正量修正曝光量偏差所需要的多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容。
另外，CPU 21亦可除了根據接連曝光區域151a的曝光量及非接連曝光區域151b的曝光量或取而代之，而根據接連曝光區域151a的任意曝光特性及非接連曝光區域151b的任意曝光特性，而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，CPU 21亦能以接連曝光區域151a的任意曝光特性與非接連曝光區域151b的任意曝光特性的偏差（即差量）變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，所述說明中，接連曝光區域151a是藉由多個投影光學系統14各自設定的多個投影區域PR而規定。然而，於曝光裝置1具備單一的投影光學系統14（即，設定單一的投影區域PR）的情形時，亦可於基板151上規定接連曝光區域151a。例如，於藉由用以形成某個元件圖案的至少一部分的第N1（其中，N1為1以上的整數）次掃描曝光動作而投影曝光用光EL的區域的至少一部分、與藉由用以形成相同元件圖案的至少一部分的第N2（其中，N2為與N1不同的1以上的整數）次掃描曝光動作而投影曝光用光EL的區域的至少一部分重複的情形時，於基板151上存在為了形成相同元件圖案（例如同一層的元件圖案）而經曝光用光EL曝光兩次以上的區域。該經曝光用光EL曝光兩次以上的區域相當於所述接連曝光區域151a。另一方面，例如於藉由第N1次掃描曝光動作而投影曝光用光EL的區域的至少一部分與藉由第N2（其中，N2為與N1不同的1以上的整數）次掃描曝光動作而投影曝光用光EL的區域不重複的情形時，於基板151上存在為了形成相同元件圖案而經曝光用光EL僅曝光一次的區域。該經曝光用光EL僅曝光一次的區域相當於所述非接連曝光區域151b。因此，圖案計算裝置2可使用第三變形例的計算方法，亦計算具備單一的投影光學系統14（即，設定單一的投影區域PR）的曝光裝置1所使用的罩幕131的罩幕圖案。
另外，於第三變形例中，CPU 21亦可藉由在計算出單位罩幕圖案部1311u後將該計算出的單位罩幕圖案部1311u排列多個而不計算罩幕圖案。於該情形時，CPU 21亦可利用任意方法計算出與元件圖案對應的罩幕圖案，其後根據接連圖案區域131a及非接連圖案區域131b與多個罩幕圖案1311d之間的對應關係，對該計算出的罩幕圖案進行修正。於該情形時，CPU 21亦仍然可計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。
（3-4）第四變形例 所述第三變形例中，CPU 21以接連曝光區域151a的曝光量與非接連曝光區域151b的曝光量的偏差變小或成為零的方式對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正，由此計算罩幕圖案群1311g。另一方面，於第四變形例中，CPU 21於排列多個罩幕圖案1311d之後，以接連曝光區域151a的曝光量的不均一變小或成為零的方式對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正，由此計算罩幕圖案群1311g。以下，一方面參照圖20，一方面對第四變形例的罩幕圖案的計算動作進行說明。另外，對於與所述實施形態中進行的處理相同的處理，標註相同的步驟編號而省略其詳細說明。另外，關於以下的說明中未特別說明的處理內容，亦可與第三變形例中的處理內容相同。
如圖20所示，於第四變形例中，亦與所述實施形態同樣地進行步驟S311～步驟S316的處理。於第四變形例中，於步驟S316中排列多個罩幕圖案1311d之後，CPU 21根據經由接連圖案區域131a的曝光用光EL於接連曝光區域151a中的曝光量，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正（步驟S341）。
具體而言，如上文所述，以規定接連曝光區域151a的方式沿著X軸方向重疊的兩個投影區域PR的傾斜部的沿著X軸方向的寬度的總和是以成為一定值（具體而言為傾斜部以外的區域部分的沿著X軸方向的寬度）的方式設定。因此，理論上於藉由兩個投影區域PR而經雙重曝光的接連曝光區域151a內，曝光量不會產生不均一。然而，在某個接連曝光區域151a內，由兩個投影區域PR中的一個所得的曝光量與由兩個投影區域PR中的另一個所得的曝光量之比率R可能變化。具體而言，如圖21所示，於通過沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心而沿著X軸方向延伸的區域151ar-1中，由一個投影區域PR（圖21所示的例子中為投影區域PRa）所得的曝光量與由另一投影區域PR（圖21所示的例子中為投影區域PRb）所得的曝光量之比率R大致成為50：50。另一方面，於通過自沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心向-Y側偏移既定量的位置而沿著X軸方向延伸的區域151ar-2中，由一個投影區域PRa所得的曝光量與由另一投影區域PRb所得的曝光量之比率R大致成為R1（其中，R1＞50）：R2（其中，R2＜50）。於通過自沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心向+Y側偏移既定量的位置而沿著X軸方向延伸的區域151ar-3中，由一個投影區域PRa所得的曝光量與由另一投影區域PRb所得的曝光量之比率R大致成為R3（其中，R3＜50）：R4（其中，R4＞50）。有可能因此種接連曝光區域151a內的比率R的變動，而於接連曝光區域151a內曝光量產生不均一。
因此，於第四變形例中，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較而接連曝光區域151a內的曝光量的不均一變小的方式，修正多個罩幕圖案1311d（例如接連罩幕圖案部1311a、透光圖案1311a-1或遮光圖案1311a-2）的至少一部分。或者，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較而接連曝光區域151a內的曝光量的不均一成為零（即，曝光量變得均勻）的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，於接連曝光區域151a內的第一區域的曝光量大於接連曝光區域151a內的第二區域的曝光量的情形時，CPU 21亦能以第一區域的曝光量變小及/或第二區域的曝光量變大的方式，修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分。例如，於接連曝光區域151a內的第一區域的曝光量小於接連曝光區域151a內的第二區域的曝光量的情形時，CPU 21亦能以第一區域的曝光量變大及/或第二區域的曝光量變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
作為一例，有可能接連曝光區域151a內的某個區域的比率R越接近50：50（＝1），該某個區域的曝光量越變大。更具體而言，於圖21所示的例子中，如圖21右側的圖表所示，有可能於接連曝光區域151a內，區域151ar-1的曝光量達到最大，沿著Y軸方向自曝光區域151ar-1離得越遠的區域中曝光量越變小。即，有可能於接連曝光區域151a內，沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心部的曝光量達到最大，自該中心部沿著Y軸方向離得越遠的區域中曝光量越變小。於該情形時，CPU 21亦能以如下方式對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正：自沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心部而沿著Y軸方向離得越遠的區域中，藉由多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正而越更多地增加曝光量。或者，CPU 21亦能以如下方式對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正：自沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心部而沿著Y軸方向離得越遠的區域中，藉由多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正而使曝光量越不易減少。更具體而言，例如亦可如圖22所示，CPU 21以如下方式調整接連罩幕圖案部1311a的至少一部分：於接連圖案區域131a內，自沿著Y軸方向的接連曝光區域151a的中心部而沿著Y軸方向離得越遠的區域中，接連罩幕圖案部1311a的線寬越變粗。另外，圖22所示的罩幕圖案為用以形成線寬於接連曝光區域151a及非接連曝光區域151b之間相同的元件圖案（即圖19（a）所示的元件圖案）的罩幕圖案
此種多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正的結果為，接連曝光區域151a的曝光量的不均一變小或成為零。因此，形成於接連曝光區域151a中的元件圖案的線寬的不均一亦變小或成為零。即，根據此種第四變形例，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。進而，使用形成有藉由此種第四變形例所計算出的罩幕圖案的罩幕131對基板151進行曝光的曝光裝置1能以相對高精度地形成所需的元件圖案的方式對基板151進行曝光。
另外，接連曝光區域151a的曝光量的不均一依存於曝光裝置1的特性、或塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等而變動。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存第三相關資訊，該第三相關資訊表示接連曝光區域151a的曝光量的不均一、與曝光裝置1的特性及塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等之間的相關關係。此種第三相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第三相關資訊的情形時，CPU 21亦可根據該第三相關資訊，確定實際使用形成有圖案計算裝置2所計算出的罩幕圖案的罩幕131的曝光裝置1中的接連曝光區域151a的曝光量的不均一。然後，CPU 21亦能以所確定的不均一變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，接連曝光區域151a的曝光量的不均一的修正量依存於多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容（例如線寬的調整量）。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存有第四相關資訊，該第四相關資訊表示接連曝光區域151a的曝光量的不均一的修正量、與多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容之間的相關關係。此種第四相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第四相關資訊的情形時，CPU 21亦可確定使接連曝光區域151a的曝光量的不均一變小或成為零所需要的修正量，並且根據第四相關資訊，確定以所確定的修正量修正曝光量的不均一所需要的多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容。
另外，CPU 21亦可除了根據接連曝光區域151a的曝光量的不均一以外或取而代之，而根據接連曝光區域151a的任意曝光特性的不均一而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，CPU 21亦能以接連曝光區域151a的任意曝光特性的不均一變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，於第四變形例中，CPU 21亦可藉由在計算出單位罩幕圖案部1311u之後將該計算出的單位罩幕圖案部1311u排列多個而不計算罩幕圖案。於該情形時，CPU 21亦可利用任意方法而計算與元件圖案對應的罩幕圖案，然後以接連曝光區域151a的曝光量的不均一變小或成為零的方式，對該計算出的罩幕圖案進行修正。於該情形時，CPU 21亦仍然可計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。
（3-5）第五變形例 於第五變形例中，CPU 21排列多個罩幕圖案1311d之後，根據多個投影光學系統14與多個罩幕圖案1311d之間的對應關係而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正，藉此計算罩幕圖案群1311g。多個投影光學系統14分別與多個照明區域IR（或者多個投影區域PR）對應。因此，亦可謂CPU 21根據多個照明區域IR（或者多個投影區域PR）與多個罩幕圖案1311d之間的對應關係而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。以下，一方面參照圖23一方面對第五變形例的罩幕圖案的計算動作進行說明。另外，對於與所述實施形態中進行的處理相同的處理，標註相同的步驟編號而省略其詳細說明。
如圖23所示，於第五變形例中，亦與所述實施形態同樣地進行步驟S311～步驟S316的處理。於第五變形例中，於步驟S316中排列多個罩幕圖案1311d之後，CPU 21根據自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正（步驟S351）。
具體而言，多個投影光學系統14是以光學特性（例如像差等）於多個投影光學系統14之間相同的方式製造。於該情形時，來自多個投影光學系統14的多束曝光用光EL的曝光量理應全部相同。然而，實際上有可能因製造誤差等而導致多個投影光學系統14之間產生光學特性的不均一。例如，有可能一個投影光學系統14的光學特性與其他投影光學系統14的光學特性不同。於該情形時，有可能自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL的曝光量與自其他投影光學系統14投影的其他曝光用光EL的曝光量不同。結果，有可能於基板151上，藉由自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL進行曝光的一個曝光區域的曝光量與藉由自其他投影光學系統14投影的其他曝光用光EL進行曝光的其他曝光區域的曝光量不同。更具體而言，有可能設定與一個投影光學系統14對應的一個投影區域PR的基板151上的一個曝光區域的曝光量，與設定與其他投影光學系統14對應的其他投影區域PR的基板151上的其他曝光區域的曝光量不同。
因此，第五變形例中，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較而自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。或者，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較而來自多個投影光學系統14的多束曝光用光EL的曝光量的不均一成為零（即，多束曝光用光EL的曝光量全部相同）的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。換言之，CPU 21以與修正多個罩幕圖案1311d的至少一部分之前相比較，藉由自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL而分別曝光的基板151上的多個曝光區域的曝光量的不均一變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，於藉由自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL進行曝光的一個曝光區域的曝光量大於藉由自其他投影光學系統14投影的其他曝光用光EL進行曝光的其他曝光區域的曝光量的情形時，CPU 21亦能以一個曝光區域的曝光量變小及/或其他曝光區域的曝光量變大的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，於藉由自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL進行曝光的一個曝光區域的曝光量小於藉由自其他投影光學系統14投影的其他曝光用光EL進行曝光的其他曝光區域的曝光量的情形時，CPU 21亦能以一個曝光區域的曝光量變大及/或其他曝光區域的曝光量變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
藉由自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL進行曝光的基板151上的一個曝光區域為於基板151上設定與一個投影光學系統14對應的投影區域PR的區域（更具體而言為隨著基板151的移動而投影區域PR通過的區域）。對基板151上的設定某個投影區域PR的區域進行曝光的曝光用光EL為經由以下區域而投影至基板151上的曝光用光EL，即，罩幕131上的設定與該某個投影區域PR對應的照明區域IR的區域（更具體而言為伴隨著罩幕131的移動而照明區域IR通過的區域）。因此，CPU 21亦可為了調整藉由自一個投影光學系統14投影的一束曝光用光EL進行曝光的一個曝光區域的曝光量，而對與該一個投影光學系統14對應的照明區域IR（即，經藉由一個投影光學系統14投影的曝光用光EL照射的照明區域IR）於罩幕131上通過的區域中所含的罩幕圖案進行修正。例如，CPU 21亦可為了調整藉由自投影光學系統14a投影的曝光用光EL進行曝光的曝光區域的曝光量，而對罩幕131上的設定照明區域IRa的區域所含的罩幕圖案（例如設定照明區域IRa的區域所含的單位罩幕圖案部1311u、或周邊罩幕圖案部1311s等）進行修正。例如，CPU 21亦可為了調整藉由自投影光學系統14b投影的曝光用光EL進行曝光的曝光區域的曝光量，而對罩幕131上的設定照明區域IRb的區域所含的罩幕圖案（例如設定照明區域IRb的區域所含的單位罩幕圖案部1311u、或周邊罩幕圖案部1311s等）進行修正。對於投影光學系統14c～投影光學系統14g（照明區域IRa～照明區域IRg）而言亦相同。
CPU 21以罩幕131上的設定一個照明區域IR的區域所含的一個罩幕圖案的修正內容、與罩幕131上的設定其他照明區域IR的區域所含的其他罩幕圖案的修正內容不同的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。其原因在於：曝光量不均一的一個原因為多個投影光學系統14之間的光學特性的不均一，因此若使一個罩幕圖案的修正內容與其他罩幕圖案的修正內容不同，則可藉由罩幕圖案來修正多個投影光學系統14之間的光學特性的不均一（結果，亦可修正曝光量的不均一）。然而，CPU 21亦能以罩幕131上的設定一個照明區域IR的區域所含的罩幕圖案的修正內容、與罩幕131上的設定其他照明區域IR的區域所含的罩幕圖案的修正內容相同的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
繼而，一方面參照圖24（a）～圖24（c）及圖25（a）及圖25（b），一方面對如下處理的一具體例進行說明，所述處理以自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
如上文所述，產生自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量不均一的一個原因為多個投影光學系統14之間的光學特性的不均一。此種光學特性的一例可列舉像差（特別是失真像差）。失真像差為投影光學系統14形成於像面上的像變形的現象。
例如，圖24（a）表示未產生失真像差的投影光學系統14的像面141及設定於該像面141內的投影區域PR。另外，像面141內的虛線為用以表現像面141的變形的輔助線。進而，圖24（a）示出經如下曝光用光EL進行掃描曝光的基板151上的某個位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至未產生失真像差的投影光學系統14的投影區域PR中。尤其圖24（a）示出於基板151上沿著Y軸方向排列的三個位置A、位置B及位置C的曝光量。位置A是由投影至區域a中的曝光用光EL的一部分（圖24（a）中為方便起見，表述作「曝光用光ELa（1）、曝光用光ELa（2）、···、曝光用光ELa（n）」）依序掃描曝光，所述區域a是於投影區域PR的較Y軸方向中央部更靠-Y側沿著X軸而延伸。位置B是由投影至區域b中的曝光用光EL的一部分（圖24（a）中為方便起見，表述作「曝光用光ELb（1）、曝光用光ELb（2）、···、曝光用光ELb（n）」）依序掃描曝光，所述區域b是於投影區域PR的Y軸方向中央部沿著X軸而延伸。位置C是由投影至區域c中的曝光用光EL的一部分（圖24（a）中為方便起見，表述作「曝光用光ELc（1）、曝光用光ELc（2）、···、曝光用光ELc（n）」）依序掃描曝光，所述區域c是於投影區域PR的較Y軸方向中央部更靠+Y側沿著X軸而延伸。如圖24（a）所示，於未產生失真像差的情形時，位置A～位置C的曝光量（特別是其分佈圖案）相同。結果，若經由相同線寬的罩幕圖案將曝光用光EL投影至位置A～位置C，則於位置A～位置C形成相同線寬的元件圖案。
另一方面，圖24（b）表示產生了失真像差（尤其產生自像面的中央朝向外側鼓起的變形的桶形失真像差）的投影光學系統14的像面141及設定於該像面141內的投影區域PR。進而，圖24（b）亦示出經如下曝光用光EL進行掃描曝光的基板151上的某個位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至產生了桶形失真像差的投影光學系統14的投影區域PR中。圖24（c）表示產生了失真像差（尤其產生自像面的外側朝向中央凹陷的變形的線軸形失真像差）的投影光學系統14的像面141及設定於該像面141內的投影區域PR。進而，圖24（c）亦示出經如下曝光用光EL進行掃描曝光的基板151上的某個位置的曝光量，所述曝光用光EL是投影至產生了線軸形失真像差的投影光學系統14的投影區域PR中。由圖24（b）～圖24（c）可知，於產生了失真像差的情形時，與由失真像差所致的像面141的變形相應地，投影曝光用光ELa（1）、曝光用光ELa（2）、···、曝光用光ELa（n）的區域a及投影曝光用光ELc（1）、曝光用光ELc（2）、···、曝光用光ELc（n）的區域c亦彎曲。因此，位置A及位置C的曝光量（特別是其分佈圖案）變得與位置B的曝光量（特別是其分佈圖案）不同。具體而言，位置A及位置C的曝光量的峰值變得小於位置B的曝光量的峰值，且位置A及位置C的曝光量的減少梯度亦變得小於位置B的曝光量的減少梯度。結果，即便經由相同線寬的罩幕圖案將曝光用光EL投影至位置A～位置C，亦有可能形成於位置A及位置C的元件圖案的線寬變得較形成於位置B的元件圖案的線寬更粗。
雖然多個投影光學系統14全部未產生失真像差或產生相同失真像差的可能性並不為零，但現實中，多個投影光學系統14各自產生不同的失真像差或多個投影光學系統14的僅一部分產生失真像差的可能性高。因此，藉由調整多個投影光學系統14來消除此種失真像差並不容易。因此，既然不容易消除失真像差，則由此種失真像差而導致產生自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量不均一。例如，圖25（a）表示於投影光學系統14a產生了桶形失真像差、投影光學系統14b產生了線軸形失真像差、投影光學系統14c未產生失真像差的情形時設定於基板151上的投影區域PRa～投影區域PRc。如圖25（a）所示，投影區域PRa是跨非接連曝光區域151b-a及接連曝光區域151a-ab而設定。投影區域PRc是跨接連曝光區域151a-ab、非接連曝光區域151b-b及接連曝光區域151a-bc而設定。投影區域PRc是設定於接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-c中。因此，如圖25（a）的右側所示，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，曝光量產生不均一。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，所形成的元件圖案的線寬亦產生不均一。進而，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b各自的內部，曝光量亦產生不均一。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b的內部，所形成的元件圖案的線寬亦產生不均一。
因此，CPU 21如圖25（b）所示，以使此種曝光量的不均一變小（特別是使所形成的元件圖案的線寬的不均一變小）的方式，對與接連曝光區域151a-ab對應的接連圖案區域131a-ab、與接連曝光區域151a-bc對應的接連圖案區域131a-bc、與非接連曝光區域151b-a對應的非接連圖案區域131b-a、與非接連曝光區域151b-b對應的非接連圖案區域131b-b及與非接連曝光區域151b-c對應的非接連圖案區域131b-c中的至少一個所含的罩幕圖案的至少一部分進行修正。例如，CPU 21亦可與第三變形例～第四變形例同樣地，以調整罩幕圖案的至少一部分的線寬的方式，修正罩幕圖案。進而，CPU 21亦能以罩幕圖案的修正內容（例如線寬的調整量）成為與修正罩幕圖案之前的曝光量相應的量的方式，修正罩幕圖案。結果，如圖25（b）的右側所示，根據經修正的罩幕圖案，接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間的曝光量的不均一變小（於圖25（b）所示的例子中成為零）。因此，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，所形成的元件圖案的線寬的不均一變小（於圖25（b）所示的例子中成為零）。進而，於圖25（b）所示的例子中，接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b各自的內部的曝光量的不均一亦變小。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b的內部，所形成的元件圖案的線寬的不均一亦變小。
進而，一方面參照圖26（a）及圖26（b）及圖27（a）及圖27（b），一方面對如下處理的另一具體例進行說明，所述處理以自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
如上文所述，產生多束曝光用光EL的曝光量的不均一的一個原因為多個投影光學系統14之間的光學特性的不均一。此種光學特性的一例可列舉像差（特別是像場彎曲）。像場彎曲為投影光學系統14的像面141以相對於投影光學系統14而成為凹面或凸面的方式彎曲的現象。由於像面141彎曲，故基板151中，自產生了像場彎曲的投影光學系統14投影的曝光用光EL實質上處於散焦狀態。
例如，圖26（a）表示未產生像場彎曲的投影光學系統14的像面141及設定於該像面141內的投影區域PR。進而，圖26（a）示出經如下曝光用光EL進行掃描曝光的基板151上的某個位置（所述位置A～位置C）的曝光量，所述曝光用光EL是投影至未產生像場彎曲的投影光學系統14的投影區域PR中。如圖24（a）所示，於未產生像場彎曲的情形時，位置A～位置C的曝光量（特別是其分佈圖案）相同。結果，若經由相同線寬的罩幕圖案將曝光用光EL投影至位置A～位置C，則於位置A～位置C形成相同線寬的元件圖案。
另一方面，圖26（b）表示產生了像場彎曲的投影光學系統14的像面141及設定於該像面141內的投影區域PR。進而，圖26（b）示出經如下曝光用光EL進行掃描曝光的基板151上的某個位置（位置A～位置C）的曝光量，所述曝光用光EL是投影至產生了像場彎曲的投影光學系統14的投影區域PR中。於圖26（b）所示的例子中，於位置B，像面141與基板151的表面一致（即對焦）。於該情形時，曝光用光EL於位置B適當聚光，但於位置A及位置C，曝光用光EL處於散焦狀態。因此，位置A及位置C的曝光量（特別是其分佈圖案）變得與位置B的曝光量（特別是其分佈圖案）不同。具體而言，位置A及位置C的曝光量的峰值變得小於位置B的曝光量的峰值，且位置A及位置C的曝光量的減少梯度亦變得小於位置B的曝光量的減少梯度。結果，即便經由相同線寬的罩幕圖案將曝光用光EL投影至位置A～位置C，亦有可能形成於位置A及位置C的元件圖案的線寬變得較形成於位置B的元件圖案的線寬更粗。
雖然多個投影光學系統14全部未產生像場彎曲或產生相同像場彎曲的可能性並不為零，但現實中，多個投影光學系統14各自產生不同的像場彎曲或多個投影光學系統14的僅一部分產生像場彎曲的可能性高。因此，藉由調整多個投影光學系統14來消除此種像場彎曲並不容易。因此，既然不容易消除像場彎曲，則由此種像場彎曲導致產生自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一。例如，圖27（a）表示於投影光學系統14a產生了以像面141成為凹面的方式彎曲的像場彎曲、投影光學系統14b產生了以像面141成為凸面的方式彎曲的像場彎曲、投影光學系統14c未產生像場彎曲的情形時設定於基板151上的投影區域PRa～投影區域PRc。如圖26（a）所示，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，曝光量產生不均一。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，所形成的元件圖案的線寬亦產生不均一。進而，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b各自的內部，曝光量亦產生不均一。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b的內部，所形成的元件圖案的線寬亦產生不均一。
因此，CPU 21如圖27（b）所示，以使此種曝光量的不均一變小（特別是使所形成的元件圖案的線寬的不均一變小）的方式，對接連圖案區域131a-ab、接連圖案區域131a-bc、非接連圖案區域131b-a、非接連圖案區域131b-b及非接連圖案區域131b-c中的至少一個所含的罩幕圖案的至少一部分進行修正。結果，如圖27（b）的右側所示，根據經修正的罩幕圖案，接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間的曝光量的不均一變小（於圖27（b）所示的例子中成為零）。因此，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-c之間，所形成的元件圖案的線寬的不均一變小（於圖27（b）所示的例子中成為零）。進而，於圖27（b）所示的例子中，接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b各自的內部的曝光量的不均一亦變小。結果，於接連曝光區域151a-ab～接連曝光區域151a-bc及非接連曝光區域151b-a～非接連曝光區域151b-b的內部，所形成的元件圖案的線寬的不均一亦變小。
如此，根據第五變形例，自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小或成為零。因此，基板151上的分別投影自不同投影光學系統14投影的不同曝光用光EL的不同區域中形成的元件圖案的線寬的不均一亦變小或成為零。即，根據此種第五變形例，CPU 21可相對有效率地計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。進而，使用形成有藉由此種第五變形例所計算出的罩幕圖案的罩幕131對基板151進行曝光的曝光裝置1能以相對高精度地形成所需的元件圖案的方式對基板151進行曝光。
另外，自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一依存於曝光裝置1的特性、或塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等而變動。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存第五相關資訊，該第五相關資訊表示自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一、與曝光裝置1的特性及塗佈於基板151上的抗蝕劑的特性等之間的相關關係。此種第五相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第五相關資訊的情形時，CPU 21亦可根據該第五相關資訊，確定實際使用形成有圖案計算裝置2所計算出的罩幕圖案的罩幕131的曝光裝置1中的多束曝光用光EL的曝光量的不均一。然後，CPU 21亦能以所確定的不均一變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，多束曝光用光EL的曝光量的不均一的修正量依存於多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容（例如線寬的調整量）。因此，圖案計算裝置2亦可於記憶體22內預先儲存第六相關資訊，該第六相關資訊表示多束曝光用光EL的曝光量的不均一的修正量、與多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容之間的相關關係。此種第六相關資訊可根據曝光裝置1實際曝光的基板151的測量結果而生成，或亦可根據曝光裝置1的動作模擬的結果而生成。於記憶體22中預先儲存有第六相關資訊的情形時，CPU 21亦可確定使多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小或成為零所需要的修正量，並且根據第六相關資訊，確定以所確定的修正量修正曝光量的不均一所需要的多個罩幕圖案1311d的至少一部分的修正內容。
另外，CPU 21亦可除了根據自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一以外或取而代之，而根據該多束曝光用光EL的任意曝光特性的不均一而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。例如，CPU 21亦能以多束曝光用光EL的任意曝光特性的不均一變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
另外，第五變形例中，CPU 21亦可藉由在計算出單位罩幕圖案部1311u後將該計算出的單位罩幕圖案部1311u排列多個而不計算罩幕圖案。於該情形時，CPU 21亦可利用任意方法而計算與元件圖案對應的罩幕圖案，然後以自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光量的不均一變小或成為零的方式，對該計算出的罩幕圖案進行修正。即便於該情形時，CPU 21亦仍然可計算可相對高精度地形成所需的元件圖案的罩幕圖案。
另外，於第五變形例中，CPU 21根據自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光特性的不均一，而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。然而，CPU 21亦可除此以外或取而代之，而根據自某一個投影光學系統14投影的曝光用光EL的曝光特性的不均一（即，與一個投影光學系統14對應的一個投影區域PR內的曝光特性的不均一），而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。即，CPU 21亦可不考慮自多個投影光學系統14分別投影的多束曝光用光EL的曝光特性的不均一，而對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。具體而言，如圖24（b）及圖24（c）所示，在產生了失真像差的投影光學系統14的投影區域PR內，曝光特性產生不均一（即，產生引起位置A及位置C的曝光量與位置B的曝光量不同的狀態般的曝光特性不均一）。於產生像面歪曲的情形時亦相同。進而，視投影光學系統14的光學特性不同，於未產生失真像差及像面歪曲的投影光學系統14的投影區域PR內，曝光特性亦有可能產生不均一。因此，CPU 21亦能以使自此種單一的投影光學系統14投影的曝光用光EL的曝光特性的不均一（即，與單一的投影光學系統14對應的單一的投影區域PR內的曝光特性的不均一）變小或成為零的方式，對多個罩幕圖案1311d的至少一部分進行修正。
（4）元件製造方法 繼而，一方面參照圖28，一方面對使用所述曝光裝置1來製造顯示面板的方法進行說明。圖28為表示使用所述曝光裝置1來製造顯示面板的元件製造方法的流程的流程圖。另外，以下為了便於說明，對製造作為顯示面板的一例的液晶顯示面板的元件製造方法進行說明。然而，其他顯示面板亦可使用將圖28所示的元件製造方法的至少一部分改變的元件製造方法而製造。
於圖28的步驟S200（罩幕製造步驟）中，首先製造罩幕131。即，藉由罩幕圖案計算裝置2而計算罩幕圖案，並且製造形成有所計算出的罩幕圖案的罩幕131。然後，於步驟S201（圖案形成步驟）中，實行於曝光對象的基板151上塗佈抗蝕劑的塗佈步驟、使用所述曝光裝置1將顯示面板用的罩幕圖案轉印至基板151上的曝光步驟及對該基板151進行顯影的顯影步驟。藉由包括該塗佈步驟、曝光步驟及顯影步驟的微影步驟，而於基板151上形成與罩幕圖案（或元件圖案）對應的抗蝕劑圖案。繼微影步驟之後，實行以抗蝕劑圖案作為罩幕的蝕刻步驟及去除抗蝕劑圖案的剝離步驟等。結果於基板151上形成元件圖案。此種微影步驟等是根據形成於基板151的層數而實行多次。
於步驟S202（彩色濾光片形成步驟）中，形成彩色濾光片。於步驟S203（單元組裝步驟）中，於步驟S201中形成有元件圖案的基板151與步驟S202中形成的彩色濾光片之間注入液晶。結果製造液晶單元。
在隨後的步驟S204（模組組裝步驟）中，對步驟S203中製造的液晶單元安裝用以進行顯示動作的所需零件（例如電氣電路及背光等）。結果，液晶顯示面板完成。
所述各實施形態的構成要件的至少一部分可與所述各實施形態的構成要件的至少另一部分適當組合。所述各實施形態的構成要件中的一部分亦可不使用。另外，只要法令容許，則將與所述各實施形態中引用的曝光裝置等有關的所有公開公報及美國專利的揭示援用而作為本文記載的一部分。
本發明不限於所述實施例，可於不違反自申請專利範圍及說明書全體所讀取的發明主旨或思想的範圍內適當變更，帶有此種變更的圖案計算裝置、圖案計算方法、罩幕、曝光裝置、元件製造方法、計算機程式及記錄媒體亦包括在本發明的技術範圍內。
1‧‧‧曝光裝置
2‧‧‧罩幕圖案計算裝置
11‧‧‧光源單元
12、12a～12g‧‧‧照明光學系統
13‧‧‧罩幕台
14、14a～14g‧‧‧投影光學系統
15‧‧‧基板台
16‧‧‧控制裝置
21‧‧‧CPU
22‧‧‧記憶體
23‧‧‧輸入部
24‧‧‧操作設備
25‧‧‧顯示設備
131‧‧‧罩幕
131a、131a-ab、131a-bc‧‧‧接連圖案區域
131b、131b-a～131b-c‧‧‧非接連圖案區域
131p‧‧‧有效區域
131s‧‧‧遮光區域（遮光帶）
141‧‧‧像面
144‧‧‧視場光闌
151‧‧‧基板
151a‧‧‧接連區域
151a-ab、151a-bc‧‧‧接連曝光區域
151ar-1～151ar-3、a～c‧‧‧區域
151b‧‧‧非接連區域
151b-a～151b-c‧‧‧非接連曝光區域
1311a‧‧‧接連罩幕圖案部
1311b‧‧‧非接連罩幕圖案部
1311c‧‧‧複合罩幕圖案部
1311d、1311d-1～1311d-8‧‧‧罩幕圖案
1311g‧‧‧罩幕圖案群
1311n、1311n-1～1311n-8‧‧‧鄰接罩幕圖案部
1311p‧‧‧畫素罩幕圖案部
1311s‧‧‧周邊罩幕圖案部
1311u、1311u-1～1311u-5、1311u-11～1311u-19‧‧‧單位罩幕圖案部
1311ud-1～1311ud-9‧‧‧單位罩幕圖案群
1511u‧‧‧單位元件圖案部
A～C‧‧‧位置
D1、D2‧‧‧間隔
EL、ELa（1）、ELa（2）、ELa（n）、ELb（1）、ELb（2）、ELb（n）、ELc（1）、ELc（2）、ELc（n）‧‧‧曝光用光
IR、IRa～IRg‧‧‧照明區域
PR、PRa～PRg‧‧‧投影區域
S1～S3、S311～S316、S321、S331、S341、S351、S200～S204‧‧‧步驟
圖1為表示本實施形態的曝光裝置的總體構造的一例的立體圖。 圖2（a）為表示設定於基板上的投影區域的平面圖，圖2（b）為表示設定於罩幕上的照明區域的平面圖，圖2（c）為表示重複形成於罩幕上的多個單位罩幕圖案部的平面圖。 圖3（a）為表示用於製造顯示面板的罩幕的一具體例的平面圖，圖3（b）為表示圖3（a）所示的罩幕的一部分的平面圖。 圖4為表示罩幕圖案計算裝置的構造的區塊圖。 圖5為表示罩幕圖案計算裝置進行的罩幕圖案的計算動作的流程的流程圖。 圖6為表示於圖5的步驟S3中，利用罩幕中包含多個單位罩幕圖案部這一情況而計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。 圖7為表示某一個單位罩幕圖案部的圖案佈局的一具體例的平面圖。 圖8（a）～圖8（d）分別為表示相鄰的兩個單位罩幕圖案部的位置關係的平面圖。 圖9為表示假定單位罩幕圖案部的一部分鄰接於該單位罩幕圖案部的狀況的平面圖。 圖10為表示假定單位罩幕圖案部的一部分鄰接於該單位罩幕圖案部的狀況的平面圖。 圖11為表示藉由將單位罩幕圖案部排列多個而獲得的罩幕圖案的平面圖。 圖12為表示藉由將罩幕圖案排列多個而獲得的罩幕圖案群的平面圖。 圖13為表示可根據鄰接區域的圖案佈局的差異而區分的多種單位罩幕圖案群的平面圖。 圖14為表示包含單位罩幕圖案部及鄰接於該單位罩幕圖案部的周邊罩幕圖案部的至少一部分的複合罩幕圖案部的平面圖。 圖15為表示第二變形例中計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。 圖16為表示假定罩幕圖案的一部分鄰接於該罩幕圖案的狀況的平面圖。 圖17為表示藉由將罩幕圖案排列多個而獲得的罩幕圖案群的平面圖。 圖18為表示第三變形例中計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。 圖19（a）為表示形成於基板上的元件圖案的一例的平面圖，圖19（b）～圖19（d）分別為表示用以形成圖19（a）所示的元件圖案的罩幕圖案的一例的平面圖。 圖20為表示第四變形例中計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。 圖21為表示接連曝光區域與將該接連曝光區域雙重曝光的兩個投影區域的位置關係的平面圖。 圖22為表示用以形成圖19（a）所示的元件圖案的罩幕圖案的一例的平面圖。 圖23為表示第五變形例中計算罩幕圖案的處理的流程的流程圖。 圖24（a）～圖24（c）為表示投影光學系統的像面及投影區域與失真像差的關係的平面圖。 圖25（a）為表示存在產生了失真像差的投影光學系統及未產生失真像差的投影光學系統的情形時設定於基板上的投影區域的平面圖，圖25（b）為表示產生了圖25（a）所示的失真像差的情形時的罩幕圖案的修正內容的一例的平面圖。 圖26（a）為表示未產生像場彎曲的投影光學系統的投影區域與曝光量的關係的平面圖，圖26（b）為表示產生了像場彎曲的投影光學系統的投影區域與曝光量的關係的平面圖。 圖27（a）為表示存在產生了像場彎曲的投影光學系統及未產生像場彎曲的投影光學系統的情形時設定於基板上的投影區域的平面圖，圖27（b）為表示產生了圖27（a）所示的像場彎曲的情形時的罩幕圖案的修正內容的一例的平面圖。 圖28為表示使用曝光裝置來製造顯示面板的元件製造方法的流程的流程圖。

Claims (62)

  1. 一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕是用於利用曝光用光在基板上形成將單位元件圖案部排列多個而成的元件圖案，並且所述圖案計算裝置的特徵在於： 計算所述罩幕圖案中用以將一個所述單位元件圖案部形成於所述基板上的單位罩幕圖案部，且藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算所述罩幕圖案， 於計算所述單位罩幕圖案部時，假定相當於所述單位罩幕圖案部的至少一部分的特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的圖案計算裝置，其中 假定包含所述單位罩幕圖案部的一側外緣的所述特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部的與所述一側相反的另一側的外緣，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的圖案計算裝置，其中 所述單位罩幕圖案部於俯視時為矩形區域， 假定包含所述單位罩幕圖案部的一側邊的所述特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部的與所述一側相反的另一側的邊，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述單位罩幕圖案部於俯視時為矩形區域， 假定：（i）包含所述單位罩幕圖案部的第一邊的第一個所述特定罩幕圖案部鄰接於與所述第一邊相向的所述單位罩幕圖案部的第二邊，（ii）包含所述第二邊的第二個所述特定罩幕圖案部鄰接於所述第一邊，（iii）包含與所述第一邊及所述第二邊不同的所述單位罩幕圖案部的第三邊的第三個所述特定罩幕圖案部鄰接於與所述第三邊相向的所述單位罩幕圖案部的第四邊，（iv）包含所述第四邊的第四個所述特定罩幕圖案部鄰接於所述第三邊， 於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 假定：（i）包含所述單位罩幕圖案部的所述第一頂點的第五個所述特定罩幕圖案部沿著第一對角方向而鄰接於沿著所述第一頂點及所述第一對角方向排列的所述單位罩幕圖案部的第二頂點，（ii）包含所述第二頂點的第六個所述特定罩幕圖案部沿著所述第一對角方向而鄰接於所述第一頂點，（iii）包含與所述第一頂點及所述第二頂點不同的所述單位罩幕圖案部的第三頂點的第七個所述特定罩幕圖案部沿著第二對角方向而鄰接於沿著所述第三頂點及所述第二對角方向排列的所述單位罩幕圖案部的第四頂點，（iv）包含所述第四頂點的第八個所述特定罩幕圖案部沿著所述第二對角方向而鄰接於所述第三頂點， 於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據鄰接於所述單位罩幕圖案部的所述特定罩幕圖案部的存在對利用經由所述單位罩幕圖案部的所述曝光用光進行的所述單位元件圖案部的形成所造成的影響，而計算所述單位罩幕圖案部。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的圖案計算裝置，其中多個所述單位元件圖案部與顯示裝置所具備的多個畫素分別對應。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 按照多個所述單位元件圖案部的排列將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個，藉此計算所述罩幕圖案。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述元件圖案更包含與所述單位元件圖案部不同的第一元件圖案部， 計算用以將所述第一元件圖案部形成於所述基板上的第一罩幕圖案部，且將計算出的所述單位罩幕圖案部與所述第一罩幕圖案部一併排列多個，藉此計算所述罩幕圖案。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述元件圖案更包含第二元件圖案部，所述第二元件圖案部包含所述單位元件圖案部及與所述單位元件圖案部不同且鄰接於所述單位元件圖案部的第一元件圖案部， 計算用以將所述第二元件圖案部形成於所述基板上的第二罩幕圖案部，且將計算出的所述單位罩幕圖案部與所述第二罩幕圖案部一併排列多個，藉此計算所述罩幕圖案。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的圖案計算裝置，其中 多個所述單位元件圖案部與顯示裝置所具備的多個畫素分別對應， 所述第一元件圖案部與配置於所述多個畫素的周邊的周邊電路對應。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述罩幕上形成有包含多個所述罩幕圖案的罩幕圖案群， 藉由將計算出的所述罩幕圖案排列多個而計算所述罩幕圖案群。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的圖案計算裝置，其中 於將計算出的所述罩幕圖案排列多個而計算所述罩幕圖案群時，根據一個所述罩幕圖案對利用經由鄰接於所述一個所述罩幕圖案的其他所述罩幕圖案的所述曝光用光進行的所述元件圖案的形成所造成的影響，而對所述其他罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的圖案計算裝置，其中 多個所述罩幕圖案與多個顯示裝置分別對應。
  15. 如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述罩幕包含：第一罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次；以及第二罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少另一部分而經所述曝光用光照射一次， 根據所述第一罩幕區域及所述第二罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  16. 一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕是用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含：第一罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次；以及第二罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少另一部分而經所述曝光用光照射一次， 根據所述第一罩幕區域及所述第二罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  17. 如申請專利範圍第15項或第16項所述的圖案計算裝置，其中 對所述罩幕圖案中形成於所述第一罩幕區域的第一罩幕圖案部及所述罩幕圖案中形成於所述第二罩幕區域的第二罩幕圖案部中的至少其中之一進行修正。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的圖案計算裝置，其中 所述第一罩幕圖案部的修正內容與所述第二罩幕圖案部的修正內容不同。
  19. 如申請專利範圍第15項至第18項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性及經由所述第二罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性中的至少其中之一，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  20. 如申請專利範圍第15項至第19項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性與經由所述第二罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性之差量，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  21. 如申請專利範圍第15項至第20項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 以經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性與經由所述第二罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性之差量變小或成為零的方式，對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  22. 如申請專利範圍第1項至第21項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述罩幕包含第一罩幕區域，所述第一罩幕區域為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次， 根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  23. 一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕是用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含第一罩幕區域，所述第一罩幕區域為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次， 根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  24. 如申請專利範圍第22項或第23項所述的圖案計算裝置，其中 對所述罩幕圖案中形成於所述第一罩幕區域的第一罩幕圖案部的至少一部分進行修正。
  25. 如申請專利範圍第22項至第24項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 以經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一變小或經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性變均勻的方式，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  26. 如申請專利範圍第19項至第25項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述曝光特性包含曝光量。
  27. 如申請專利範圍第1項至第26項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述罩幕包含：第三罩幕區域，經用以經由第一投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；以及第四罩幕區域，經用以經由第二投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據所述第三罩幕區域及所述第四罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  28. 一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕是用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含：第三罩幕區域，經用以經由第一投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；以及第四罩幕區域，經用以經由第二投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據所述第三罩幕區域及第四罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  29. 如申請專利範圍第27項或第28項所述的圖案計算裝置，其中 對所述罩幕圖案中形成於所述第三罩幕區域的第三罩幕圖案部及所述罩幕圖案中形成於所述第四罩幕區域的第四罩幕圖案部中的至少其中之一進行修正。
  30. 如申請專利範圍第29項所述的圖案計算裝置，其中 所述第三罩幕圖案部的修正內容與所述第四罩幕圖案部的修正內容不同。
  31. 如申請專利範圍第27項至第30項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據經由所述第三罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性及經由所述第四罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性中的至少其中之一，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  32. 如申請專利範圍第27項至第31項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據經由所述第三罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性與經由所述第四罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性之差量，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  33. 如申請專利範圍第27項至第32項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 以經由所述第三罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性與經由所述第四罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性之差量變小或成為零的方式，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  34. 如申請專利範圍第31項至第33項中任一項所述的圖案計算裝置，其中所述曝光特性包含曝光量。
  35. 如申請專利範圍第27項至第34項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據所述第一投影光學系統的光學特性及所述第二投影光學系統的光學特性中的至少其中之一，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  36. 如申請專利範圍第27項至第35項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據所述第一投影光學系統的光學特性與所述第二投影光學系統的光學特性之差量，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  37. 如申請專利範圍第36項所述的圖案計算裝置，其中 以因所述光學特性之差量而產生的經由所述第三罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性與經由所述第四罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性之差量變小或成為零的方式，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  38. 如申請專利範圍第35項至第37項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述光學特性包含各投影光學系統的像差。
  39. 如申請專利範圍第1項至第38項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述罩幕包含第五罩幕區域，所述第五罩幕區域經用以經由所需的投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  40. 一種圖案計算裝置，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含第五罩幕區域，所述第五罩幕區域經用以經由所需的投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  41. 如申請專利範圍第39項或第40項所述的圖案計算裝置，其中 對所述罩幕圖案中形成於所述第五罩幕區域的第五罩幕圖案部的至少其中之一進行修正。
  42. 如申請專利範圍第39項至第41項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 以經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一變小或消失的方式，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  43. 如申請專利範圍第39項至第42項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 所述曝光特性包含曝光量。
  44. 如申請專利範圍第39項至第43項中任一項所述的圖案計算裝置，其中 根據所述所需的投影光學系統的光學特性而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  45. 如申請專利範圍第44項所述的圖案計算裝置，其中 以因所述光學特性而產生的經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一變小或消失的方式，而對所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  46. 如申請專利範圍第44項或第45項所述的圖案計算裝置，其中 所述光學特性包含各投影光學系統的像差。
  47. 一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成將單位元件圖案部排列多個而成的元件圖案，並且所述圖案計算方法的特徵在於： 計算所述罩幕圖案中用以將一個所述單位元件圖案部形成於所述基板上的單位罩幕圖案部，且藉由將計算出的所述單位罩幕圖案部排列多個而計算所述罩幕圖案， 於計算所述單位罩幕圖案部時，假定相當於所述單位罩幕圖案部的至少一部分的特定罩幕圖案部鄰接於所述單位罩幕圖案部，於此基礎上計算所述單位罩幕圖案部。
  48. 一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含：第一罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次；以及第二罩幕區域，為了形成所述元件圖案的至少另一部分而經所述曝光用光照射一次， 根據所述第一罩幕區域及所述第二罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  49. 一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含第一罩幕區域，所述第一罩幕區域為了形成所述元件圖案的至少一部分而經所述曝光用光照射至少兩次， 根據經由所述第一罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  50. 一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含：第三罩幕區域，經用以經由第一投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射；以及第四罩幕區域，經用以經由第二投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據所述第三罩幕區域及所述第四罩幕區域與所述罩幕圖案的對應關係，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  51. 一種圖案計算方法，計算形成於罩幕上的罩幕圖案，所述罩幕用於利用曝光用光在基板上形成元件圖案，並且 所述罩幕包含第五罩幕區域，所述第五罩幕區域經用以經由所需的投影光學系統對所述基板進行曝光的所述曝光用光進行照射， 根據經由所述第五罩幕區域的所述曝光用光的曝光特性於所述基板上的不均一，而對根據所述元件圖案所計算出的所述罩幕圖案的至少一部分進行修正。
  52. 一種罩幕，其是使用如申請專利範圍第47項至第51項中任一項所述的圖案計算方法而製造。
  53. 一種罩幕，形成有利用如申請專利範圍第47項至第51項中任一項所述的圖案計算方法所計算出的罩幕圖案。
  54. 一種曝光裝置，介隔如申請專利範圍第52項或第53項所述的罩幕將所述曝光用光照射於所述基板，藉此於所述基板上形成所述元件圖案。
  55. 一種元件製造方法，使用如申請專利範圍第54項所述的曝光裝置對塗佈有感光劑的所述基板進行曝光，於所述基板上形成所述元件圖案， 對經曝光的所述感光劑進行顯影，形成與所述元件圖案對應的曝光圖案層， 介隔所述曝光圖案層對所述基板進行加工。
  56. 一種計算機程式，使計算機執行如申請專利範圍第47項至第51項中任一項所述的圖案計算方法。
  57. 一種記錄媒體，記錄有如申請專利範圍第56項所述的程式。
  58. 一種罩幕，藉由照射區域而經照射，所述照射區域含有來自照明系統的照射量根據第一方向的位置而沿著與所述第一方向交叉的所述第二方向變化的第一區域及與所述第一區域不同的第二區域，並且所述罩幕包括： 第一電路圖案，設於與所述照射區域中所述第一區域對應的區域中；以及 第二電路圖案，設於與所述第二區域對應的區域中，且根據所述第一電路圖案而形成。
  59. 如申請專利範圍第58項所述的罩幕，其中所述第一電路圖案及所述第二電路圖案是根據於物體上投影所述第一電路圖案及所述第二電路圖案的投影光學系統的光學特性而形成。
  60. 如申請專利範圍第59項所述的罩幕，其中所述第一電路圖案是根據排列於所述第二方向上的多個投影光學系統各自的光學特性而形成。
  61. 一種罩幕，具有藉由光學特性不同的多個投影光學系統於物體上進行曝光的既定圖案，並且所述罩幕包括： 第一電路圖案，根據所述多個投影光學系統中第一光學系統的光學特性而形成；以及 第二電路圖案，根據與所述第一光學系統不同的第二光學系統的光學特性而形成。
  62. 如申請專利範圍第61項所述的罩幕，其於將所述第一光學系統及所述第二光學系統排列而配置的既定方向上，更包括第三電路圖案，所述第三電路圖案是設於所述第一電路圖案及所述第二電路圖案之間，且根據所述第一光學系統及所述第二光學系統的光學特性而形成。
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