JP6380728B2 - 投影走査露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の態様は、このような事情に鑑み、互いに大きさの異なるパネル用のパターンを基板に効率的に露光することを目的とする。
第2の態様によれば、第1パネル用マスクパターンと、その第1パネル用マスクパターンとは異なる大きさの第2パネル用マスクパターンとが形成されたマスクを準備することと、第1パネルが形成される第1領域と、その第1パネルとは異なる大きさの第2パネルが形成される第2領域とを有する基板を準備することと、1回の露光で、そのマスクのその第1パネル用マスクパターンの少なくとも一部及びその第2パネル用マスクパターンの少なくとも一部を介して、その基板のその第1領域の少なくとも一部及びその第2領域の少なくとも一部を露光することと、を含む露光方法が提供される。
図2(A)に示すように、部分投影光学系PLA〜PLGは、Y方向に配置された第1列の3個の部分投影光学系PLA,PLB,PLCと、それらに対向するように−X方向に配置されるとともに、Y方向に半周期ずれて配置された第2列の4個の部分投影光学系PLD,PLE,PLF,PLGとに分かれて、光学系フレーム(不図示)に支持されている。また、部分投影光学系PLA〜PLGの中間結像面の近傍に、視野絞り35A〜35Gが配置され、視野絞り35A〜35Gに設けられたY方向に平行なエッジ部を上辺及び底辺とする台形状の開口35Aa〜35Gaによって、露光領域PRA〜PRGの形状が規定される。
図3(A)は、図1のマスクステージ21に保持されたマスクMに形成された複数のパターンの配置の一例を示し、図3(B)は、図1の基板ステージ22に保持された基板Pの複数のパターン形成領域の配置の一例を示す。図3(A)、(B)における座標系(X,Y)は、図1の露光装置EXの座標系(X,Y)と同じである。
そして、選択領域54Dの下方に、基板Pのパターン形成領域61A内で部分領域62A1に対して継ぎ部44Dを共通領域として隣接する部分領域61A2(ここでは、パターン形成領域61A内で未露光の部分)を位置決めし、露光用の照明光でマスクMを照明し、露光領域PRA〜PRGに対してマスクMを−X方向に走査し、基板Pを同期して走査することで、部分領域61A2内にパネル形成用パターン51内で選択領域54D内にあるパターンの等倍の像が露光される。
その後、図8に示すように、パターン形成領域61A内の部分領域61A2を露光した場合と同様に、基板Pのパターン形成領域61B内の部分領域61B2にマスクMのパネル形成用パターン51内のパターンの像を露光し、パターン形成領域61A,62A内の部分領域61A1,62A3を露光した場合と同様に、基板Pのパターン形成領域61B,62B内の部分領域61B1,62B3にマスクMのパネル形成用パターン51,52内のパターンの像を露光する。さらに、パターン形成領域62A内の部分領域62A2を露光した場合と同様に、基板Pのパターン形成領域62B内の部分領域62B2にマスクMのパネル形成用パターン52内のパターンの像を露光し、パターン形成領域62A内の部分領域62A1を露光した場合と同様に、基板Pのパターン形成領域62B内の部分領域62B1にマスクMのパネル形成用パターン52内のパターンの像を露光することで、基板Pの全部のパターン形成領域61A,61B,62A,62Bに対する露光が終了する。この際に、パターン形成領域61B内の継ぎ部44E、及びパターン形成領域62B内の継ぎ部44F,44Gにおいても、それぞれ露光領域PRA〜PRGの傾斜部を介して二重露光が行われている。その後、基板Pはコータ・デベロッパ(不図示)に搬送されて、フォトレジストの現像が行われる。
まず、上述の実施形態では、1回の露光で、マスクMのパネル形成用パターン51,52のそれぞれの一部を介して、基板Pのパターン形成領域61A,62Aの一部を露光しているが、マスクMのパネル形成用パターン51,52の少なくとも一方の全部のパターンを介して、基板Pのパターン形成領域61A,62Aの一部、又はパターン形成領域61A,62Aの少なくとも一方の全部の領域を露光してもよい。
また、上述の実施形態とは異なるパターン配置のマスクを使用して、上述の実施形態とは異なるパターン形成領域の配置を有する基板を露光してもよい。
また、上述の実施形態では、マルチレンズ型で等倍の投影システムPSが使用されているが、投影システムPSとして単一の投影光学系を使用する場合にも本発明が適用できる。さらに、投影光学系の投影倍率が拡大又は縮小の場合にも本発明が適用できる。
また、上記の実施形態の露光装置EX又は露光方法を用いて、基板上に所定のパターン(TFTパターン等)を形成することによって、電子デバイス(マイクロデバイス)としての液晶ディスプレイ用のパネル(液晶表示パネル)を得ることもできる。以下、図10のフローチャートを参照して、この製造方法の一例につき説明する。
上述の電子デバイスの製造方法によれば、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いてマスクのパターンを基板に転写する工程(ステップS401の一部)と、この工程によりそのパターンが転写された基板をそのパターンに基づいて加工(現像、エッチング等)する工程(ステップS401の他の部分)とを含んでいる。
なお、上述の電子デバイスの製造方法は、有機EL(Electro-Luminescence)ディスプレイ、又はプラズマディスプレイ等の他のディスプレイ用のパネル等を製造する場合にも適用できる。
Claims (7)
- 投影光学系を介して照明光を基板に照射する投影走査露光方法であって、
第1パネル用マスクパターンと、前記第1パネル用マスクパターンとは異なる大きさの第2パネル用マスクパターンとが、第1方向へ並んで形成されたマスクを準備することと、
第1パネルが形成される第1領域と、前記第1パネルとは異なる大きさの第2パネルが形成される第2領域とを有する前記基板を準備することと、
前記基板と前記マスクとを、前記照明光に対して、前記第1方向とは交差する第2方向へ相対移動させながら走査露光することと、を含み、
前記走査露光することでは、前記マスクの前記第1パネル用マスクパターンの少なくとも一部及び前記第2パネル用マスクパターンの少なくとも一部を、前記照明光を介して、前記基板の前記第1領域の少なくとも一部及び前記第2領域の少なくとも一部を同時に投影しながら走査露光する投影走査露光方法。 - 前記走査露光することでは、前記基板の前記第1領域内の他部を、前記マスクの前記第1パネル用マスクパターンの少なくとも一部に対向するように、前記基板を前記マスクに対して前記第1方向へ相対移動させ、前記マスクの前記第1パネル用マスクパターンの少なくとも一部を、前記照明光を介して、前記基板の前記第1領域内の他部を露光する請求項1に記載の投影走査露光方法。
- 前記走査露光することでは、前記基板の前記第2領域内の他部を、前記マスクの前記第2パネル用マスクパターンの少なくとも一部に対向するように、前記基板を前記マスクに対して前記第1方向へ相対移動させ、前記マスクの前記第2パネル用マスクパターンの少なくとも一部を、前記照明光を介して、前記基板の前記第2領域内の他部を露光する請求項1又は2に記載の投影走査露光方法。
- 前記走査露光において、前記第1領域と前記第2領域との何れか一方の領域外に照明光が照射されないよう、前記領域外を遮光する請求項1〜3のいずれか一項に記載の投影走査露光方法。
- 前記マスクを準備することでは、前記第2方向の長さが前記第1パネル用マスクパターンよりも前記第2パネル用マスクパターンが長く、前記第2方向に関して前記第2パネル用マスクパターンに隣接して設けられ前記照明光を遮光する遮光領域が形成された前記マスクを準備し、
前記基板を準備することでは、前記第2パネルが形成される前記第2領域に対して、前記第2方向に対応する方向に隣接して、前記第2パネルが形成される第3領域を有する前記基板を準備する請求項1〜4のいずれか一項に記載の投影走査露光方法。 - 前記走査露光することでは、前記マスクの前記第1パネル用マスクパターンの少なくとも一部及び前記第2パネル用マスクパターンの少なくとも一部を、前記照明光を介して、それぞれ前記基板の前記第1領域の少なくとも一部及び前記第2領域の少なくとも一部を同時に走査露光するときに、前記基板の前記第3領域が露光されないよう前記マスクの前記遮光領域に照射される前記照明光が遮光される請求項5に記載の投影走査露光方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の投影走査露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
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