JP2009282386A - フォトマスクと半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 1枚のフォトマスクで、複数種類のパターンを同時に露光することができるし、その中の1つのパターンを個別に露光することもできるフォトマスクを提供する。
【解決手段】 フォトマスク100では、ブランクマスク10内に、Dパターン20を一部に含む複合パターン18が形成されている。Dパターン20の周囲には、第1アライメントマーク群16a〜16eが分散して形成されており、複合パターン18の周囲に第2アライメントマーク群8a〜8eが分散して形成されている。フォトマスク100によると、Aパターン4とBパターン6とCパターン14をブラインドしても、Dパターン20のみを位置決めすることができる。処理対象物の表面にA〜Dの4つのパターン2、6、14、20を同時に形成することもできるし、Dパターン20のみを個別に形成することもできる。
【選択図】 図1
【解決手段】 フォトマスク100では、ブランクマスク10内に、Dパターン20を一部に含む複合パターン18が形成されている。Dパターン20の周囲には、第1アライメントマーク群16a〜16eが分散して形成されており、複合パターン18の周囲に第2アライメントマーク群8a〜8eが分散して形成されている。フォトマスク100によると、Aパターン4とBパターン6とCパターン14をブラインドしても、Dパターン20のみを位置決めすることができる。処理対象物の表面にA〜Dの4つのパターン2、6、14、20を同時に形成することもできるし、Dパターン20のみを個別に形成することもできる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、フォトマスクとそのフォトマスクを用いて半導体チップを製造する方法に関する。
半導体ウェハ等の処理対象物の表面に各種のパターンを形成するために、所定のパターンが形成されているフォトマスクを利用する露光処理が利用される。この露光処理を実施するためにステッパと呼ばれる装置が用いられる。ステッパを用いてフォトマスクに形成されているパターンを処理対象物の表面に縮小露光することによって、処理対象物の表面に所定のパターンを焼き付けることができる。
フォトマスクのブランクマスクには、露光したときに処理対象物の表面に露光されるパターンが形成されている。
処理対象物の表面にパターンを露光する処理を行うときに、そのパターンと処理対象物の相対的位置関係を位置決めするためのアライメントマーク群が必要となる。パターンと処理対象物の相対的位置関係は、処理対称物に対するフォトマスクのX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することによって定められる。そのため、処理対象物に対するパターンを位置決めするために、フォトマスクに複数のアライメントマーク群を形成しておく必要がある。アライメントマーク群は通常、精度の高い位置決めができるように、パターンの周囲に分散して形成される。
処理対象物の表面にパターンを露光する処理を行うときに、そのパターンと処理対象物の相対的位置関係を位置決めするためのアライメントマーク群が必要となる。パターンと処理対象物の相対的位置関係は、処理対称物に対するフォトマスクのX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することによって定められる。そのため、処理対象物に対するパターンを位置決めするために、フォトマスクに複数のアライメントマーク群を形成しておく必要がある。アライメントマーク群は通常、精度の高い位置決めができるように、パターンの周囲に分散して形成される。
フォトマスクでは通常、ブランクマスク上に1つのパターンが形成されている。この場合、処理対象物の表面に複数種類のパターンを露光するためには、異なるパターンが形成されている複数種類のフォトマスクを必要とする。しかしながら、フォトマスクは高価であるため、複数種類のフォトマスクを用いると多額の製造コストが必要となる。
特許文献1に、1枚のフォトマスクで処理対象物の表面に複数種類のパターンを露光することができるフォトマスクが開示されている。図4に、そのフォトマスク300の平面図を示す。
図4に示すように、フォトマスク300では、ブランクマスク122に、Aパターン106とBパターン104とCパターン112が形成されている。Aパターン106の外周には第1アウターダイシング領域108が形成されており、Aパターン106と第1アウターダイシング領域108で第1領域110を構成している。第2領域120内には、2つのBパターン104と2つのCパターン112が形成されている。第2領域120内には、Cパターン112に隣接するダミー領域114が形成されている。ダミー領域114にはパターンは形成されていない。Cパターン112とダミー領域114を合わせた領域をC領域116とする。Bパターン104とC領域116の大きさは同じである。第2領域120内にはさらに、Bパターン104とC領域116の各々を隔てているインナーダイシング領域118が形成されている。第2領域120の外周には、第2アウターダイシング領域102が形成されている。
図4に示すように、フォトマスク300では、ブランクマスク122に、Aパターン106とBパターン104とCパターン112が形成されている。Aパターン106の外周には第1アウターダイシング領域108が形成されており、Aパターン106と第1アウターダイシング領域108で第1領域110を構成している。第2領域120内には、2つのBパターン104と2つのCパターン112が形成されている。第2領域120内には、Cパターン112に隣接するダミー領域114が形成されている。ダミー領域114にはパターンは形成されていない。Cパターン112とダミー領域114を合わせた領域をC領域116とする。Bパターン104とC領域116の大きさは同じである。第2領域120内にはさらに、Bパターン104とC領域116の各々を隔てているインナーダイシング領域118が形成されている。第2領域120の外周には、第2アウターダイシング領域102が形成されている。
フォトマスク300では、例えば第1アウターダイシング領域108と第2アウターダイシング領域102にアライメントマーク群が形成される。この場合、第1アウターダイシング領域108に形成されているアライメントマーク群によって第1領域110と処理対象物の相対的位置関係が位置決めされる。また、第2アウターダイシング領域102に形成されているアライメントマーク群によって第2領域120と処理対象物の相対的位置関係が位置決めされる。第1領域110を露光すると、処理対象物の表面にAパターン106が露光される。また、第2領域120を露光すると、処理対象物の表面に2つのBパターン104と2つのCパターン112が同時に露光される。フォトマスク300によると、1枚のフォトマスクで処理対象物の表面に複数種類のパターンを露光することができる。
処理対象物の表面に複数種類のパターンを組み合わせたパターンを形成するとともに、特定のパターンのみを過剰に形成したい場合がある。上記した特許文献1のフォトマスク300の例でいえば、2つのBパターン104と2つのCパターン112を組み合わせたパターンを露光するとともに、例えばBパターンのみを過剰に露光したい場合がある。この場合、第2アウターダイシング領域102に形成されているアライメントマーク群を利用して位置決めすることから、2つのBパターン104と2つのCパターン112を組み合わせたパターンを単位として位置決めすることになる。この場合、Bパターン104とともにCパターン112までもが同時に露光されてしまう。Bパターン104のみを過剰に形成することができない。Cパターン112の部分を遮光マスクで遮光してしまえば、Cパターン112を形成することはないが、2つのBパターン104と2つのCパターン112を組み合わせたパターンを単位として位置決めする限り、Cパターン112を遮光しても、処理対象物の表面に不要な領域が形成されてしまう。その結果、1枚の処理対象物から得ることができるパターンの取れ数が減少してしまい、製造効率がよくない。
本発明は、上記の課題を解決するために提案された。すなわち本発明は、1枚のフォトマスクで、複数種類のパターンを同時に露光することもできるし、その中の1つのパターンを個別に露光することもできるフォトマスクを提供することを目的とする。図4の場合でいえば、2つのBパターン104と2つのCパターン112を同時に露光することもできるし、Bパターン104あるいはCパターン104のみを個別に露光することもできるフォトマスクを提供する。またそのようなフォトマスクを用いて半導体チップを製造する方法を提供することをも目的とする。
本発明は、処理対象物の表面に第1パターンを露光する処理と、処理対象物の表面に第1パターンを一部に含む第2パターンを露光する処理の両者に用いることができるフォトマスクに関する。処理対象物は半導体であってもよいし、導体であってもよいし、絶縁体であってもよい。
本発明のフォトマスクでは、ブランクマスクに、第1パターンを一部に含む第2パターンが形成されている。第2パターンは第1パターン以外のパターンを少なくとも1つ含んでおり、第1パターンより大きい。第2パターンの大きさは限定されない。
本発明のフォトマスクでは、第1パターンの周囲に第1アライメントマーク群が分散して形成されている。第1アライメントマーク群は、第1パターンの外周の外側に形成されていてもよいし、第1パターンの外周の内側に形成されていてもよい。第1アライメントマーク群によって処理対象物と第1パターンの相対的位置関係が位置決めされる。第1アライメントマーク群が形成されているのは1つのパターンに対してのみに限定されない。第2パターンに複数の第1パターンが含まれていてもよい。
本発明のフォトマスクでは、第2パターンの周囲に第2アライメントマーク群が分散して形成されている。第2アライメントマーク群は、第2パターンの外周の外側に形成されていてもよいし、第2パターンの外周の内側に形成されていてもよい。第2アライメントマーク群によって処理対象物と第2パターンの相対的位置関係が位置決めされる。
第2パターンの一部に含まれている第1パターンのみを露光するときには、第2パターンに含まれている第1パターン以外のパターンをブラインド(遮蔽)する必要がある。本発明のフォトマスクでは、第1パターンの周囲に第1アライメントマーク群が形成されているため、第1パターン以外のパターンをブラインドしても、第1アライメントマーク群を利用して第1パターンのみを位置決めすることができる。また、第2パターンを位置決めするときには、第2アライメントマーク群を利用することができる。第2パターンを露光することによって処理対象物の表面に第2パターンを形成することもできるし、第2パターンの一部に含まれている第1パターンを露光することによって、処理対象物の表面に第1パターンのみを形成することもできる。本発明のフォトマスクによると、1枚のフォトマスクで、処理対象物の表面に複数種類のパターンを含むパターン(第2パターン)を露光することもできるし、その中に含まれている特定のパターン(第1パターン)を個別に露光することもできる。
本発明のフォトマスクでは、少なくとも一つのアライメントマークが、第1アライメントマーク群と第2アライメントマーク群の両者に属していてもよい。少なくとも1つの第1アライメントマークと第2アライメントマークを形成する位置が重複する場合に、第1アライメントマークと第2アライメントマークを兼用するアライメントマークが形成されていてもよい。
本発明のフォトマスクでは、第2パターンがダイシング領域を備えており、第1アライメントマーク群と第2アライメントマーク群がダイシング領域の外側に形成されていてもよい。処理対象物の表面にアライメントマーク群を露光すると、処理対象物上の露光した位置に例えば金属膜等が転写されてアライメントマーク群が形成される。ダイシング領域に金属膜等が形成されていると、ダイシング領域をダイシングするときに金属膜等の削り屑が発生してしまう。上記のフォトマスクによると、ダイシング領域にアライメントマーク群が形成されていないので、ダイシング時における金属膜等の削り屑の発生を防止することができる。
本発明のフォトマスクを用いて半導体ウェハから半導体チップを製造する方法は、第1アライメントマーク群を用いて半導体ウェハと第1パターンの相対的位置関係を位置決めする第1位置決め工程と、第1位置決め工程の後に第1パターンを用いて半導体ウェハの表面を露光する工程を備えている。第1位置決め工程を行うときには、第2パターンに含まれている第1パターン以外のパターンをブラインドする。上記の工程によって、半導体ウェハの表面には第1パターンのみが形成される。第2パターンに複数の第1パターンが含まれている場合、第1アライメントマーク群を利用して、複数の第1パターンを組み合わせたパターンを位置決めすることもできる。半導体ウェハの表面に複数の第1パターンを組み合わせたパターンを形成することもできる。
本方法は、第2アライメントマーク群を用いて半導体ウェハと第2パターンの相対的位置関係を位置決めする第2位置決め工程と、第2位置決め工程の後に第2パターンを用いて半導体ウェハの表面を露光する工程を備えている。上記の工程によって、半導体ウェハの表面には第2パターンが形成される。第1位置決め工程と第2位置決め工程を行う順序は限定されない。第2位置決め工程の後に第1位置決め工程を行ってもよい。あるいは第1位置決め工程と第2位置決め工程を別の半導体ウェハに実施してもよい。一方の半導体ウェハの上面に第1パターンのみを形成し、他方の半導体ウェハの表面に第2パターンのみを形成してもよい。
本方法によると、半導体チップの表面に第1パターンと第2パターンを形成した後に、半導体ウェハを個々のチップに切り分けることによって、第1パターンのみが形成されている半導体チップと第2パターンが形成されている半導体チップを製造することができる。また第1位置決め工程と第2位置決め工程を別の半導体ウェハに実施した場合、一方の半導体ウェハの上面に第1パターンのみを形成し、他方の半導体ウェハの表面に第2パターンのみを形成することもできる。第2パターンを露光した半導体ウェハは、第2パターンを単位としてダイシングしてもよいし、第2パターンに含まれる個別パターンを単位にしてダイシングしてもよい。
本方法によると、1枚のフォトマスクを用いて、半導体ウェハの表面に複数種類のパターンを含むパターン(第2パターン)を露光することもできるし、その中に含まれている特定のパターン(第1パターン)のみを個別に露光することもできる。半導体ウェハの表面に必要なパターンのみを露光することができ、半導体ウェハに不要な領域が発生することが抑制されるので、半導体チップを効率よく製造することができる。
本発明によると、1枚のフォトマスクで、複数の種類のパターンを同時に露光することもできるし、その中の1つのパターンを個別に露光することもできる。また、そのようなフォトマスクを用いて半導体チップを製造することができる。
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
(第1特徴) 第1アライメントマーク群は、過剰に必要とされるパターンの周囲のみに形成されている。
(第1特徴) 第1アライメントマーク群は、過剰に必要とされるパターンの周囲のみに形成されている。
(第1実施例)
図1に、本発明の第1実施例であるフォトマスク100の平面図を示す。
図1に示すように、フォトマスク100では、ブランクマスク10に複合パターン(第2パターンの実施例)18が形成されている。複合パターン18内には、Aパターン4とBパターン6とCパターン14とDパターン20が形成されている。Dパターン20の周囲にはアライメントマーク群が形成されており、Dパターン20のみを位置決めすることができる。第1パターンの実施例に相当する。Aパターン4とBパターン6とCパターン14とDパターン20は、各々異なるパターンであり、大きさが異なっている。4つのパターン4、6、14、20の各々の外周には、ダイシング領域2a〜2dが形成されている。ダイシング領域2a〜2dの幅W2はいずれも等しい。ダイシング領域2a〜2dの各々は、ダイシングライン12によって区画されている。図示W1はダイシング領域2bの幅とダイシング領域2cの幅を合わせた幅を示す。幅W1は幅W2の2倍(W1=2×W2)である。
図1に、本発明の第1実施例であるフォトマスク100の平面図を示す。
図1に示すように、フォトマスク100では、ブランクマスク10に複合パターン(第2パターンの実施例)18が形成されている。複合パターン18内には、Aパターン4とBパターン6とCパターン14とDパターン20が形成されている。Dパターン20の周囲にはアライメントマーク群が形成されており、Dパターン20のみを位置決めすることができる。第1パターンの実施例に相当する。Aパターン4とBパターン6とCパターン14とDパターン20は、各々異なるパターンであり、大きさが異なっている。4つのパターン4、6、14、20の各々の外周には、ダイシング領域2a〜2dが形成されている。ダイシング領域2a〜2dの幅W2はいずれも等しい。ダイシング領域2a〜2dの各々は、ダイシングライン12によって区画されている。図示W1はダイシング領域2bの幅とダイシング領域2cの幅を合わせた幅を示す。幅W1は幅W2の2倍(W1=2×W2)である。
ダイシング領域2a〜2d内であって、複合パターン18の周囲には、第2アライメントマーク群8a〜8fが分散して形成されている。フォトマスク100を用いて処理対象物の表面にパターンを露光するときに、第2アライメントマーク群8a〜8fを利用して位置決めすることによって、複合パターン18と処理対象物の相対的位置関係を位置決めすることができる。第2アライメントマーク群8a〜8fは、8aと8c、8bと8f、8dと8eが各々対をなしており、処理対称物に対するフォトマスク100の複合パターン18のX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することができる。
例えば図1における複合パターン18を繰返し露光する場合、まず1つめの複合パターン18を処理対象物の表面に位置決めして露光する。処理対象物の表面に1つめの複合パターン18が形成される。以降、ステッパによりピッチが制御され、1つめに形成された複合パターン18の上下左右方向に、1つめの複合パターン18に隣接する新たな複合パターン18を形成することができる。処理対象物の表面の全面に複合パターン18を繰返し形成した後、形成したパターンに新しいパターンを重ね合わせて形成する場合には、処理対象物の表面に形成されている第2アライメントマーク群8a〜8fを利用して位置決めを行う。
ダイシング領域2d内であって、Dパターン20の周囲には、第1アライメントマーク群16a〜16eが分散して形成されている。フォトマスク100を用いて処理対象物の表面にDパターン20を露光するときに、第1アライメントマーク群16a〜16eを利用して、Dパターン20のみを位置決めすることができる。第1アライメントマーク群16a〜16eは、16aと16c、16bと16eが各々一対となっている。また、第1アライメントマーク16dは第2アライメントマーク8eと対をなしている。アライメントマーク8eは、第1アライメントマークと第2アライメントマークを兼用している。第1アライメントマーク群16a〜16eと第2アライメントマーク8eを利用して位置決めすることによって、処理対称物に対するフォトマスク100のX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することができる。処理対象物に対するDパターン20の相対的位置関係を位置決めすることができる。
例えば図1におけるDパターン20を繰返し露光する場合、まずダイシング領域2aを含むAパターン4とダイシング領域2bを含むBパターン6とダイシング領域2cを含むCパターン14をブラインドする。次に1つめのDパターン20を処理対象物の表面に位置決めして露光する。処理対象物の表面に1つめのDパターン20が形成される。以降、ステッパによりピッチが制御され、1つめに形成されたDパターン20の上下左右方向に、1つめのDパターン20に隣接する新たなDパターン20を形成することができる。処理対象物の表面の全面にDパターン20を繰返し形成した後、形成したパターンに新しいパターンを重ね合わせて形成する場合には、処理対象物の表面に形成されている第1アライメントマーク群16a〜16eを利用して位置決めを行う。
処理対象物の表面にパターンを形成した後、ダイシングライン12に沿ってダイシング領域2a〜2dをダイシングすることによって、処理対象物を複数のチップ群に分割することができる。ダイシングは例えばダイシングブレード等によって行われるため、ダイシングをする領域は所定の幅(以下、ダイシング幅と記載する)が必要となる。ダイシング幅は、例えばダイシング中にダイシングブレード等の位置が多少ずれた場合でもパターンが傷つかないように、実際にダイシングされる幅よりも多少大きな幅であることが好ましい。従ってフォトマスク100では、幅W1が、アライメントマークを配置し得る幅以上であり、かつダイシング幅以上の幅であることが必要となる。
フォトマスク100によると、Dパターン20の周囲に第1アライメントマーク群16a〜16e、8eが形成されているため、ダイシング領域2aを含むAパターン4とダイシング領域2bを含むBパターン6とダイシング領域2cを含むCパターン14をブラインドしても、Dパターン20のみを位置決めすることができる。処理対象物の表面に複合パターン18を露光することによってA〜Dの4つのパターン2、6、14、20を同時に形成することもできるし、Dパターン20のみを露光することによってDパターン20のみを個別に形成することもできる。
またフォトマスク100では、ダイシング領域2a〜2dの各々の幅が等しく、幅W1は幅W2の2倍の幅である。従って、例えば複合パターン18を処理対象物の表面に繰返し露光したときに、処理対象物の表面に形成された1つの複合パターン18とその複合パターン18に隣接する他の複合パターン18の間で、隣接するパターンの間のピッチがW2の2倍(=W1)になる。同様に処理対象物の表面にDパターン20のみを繰返し露光する場合にも、隣接するDパターン20の間のピッチがW2の2倍(=W1)になる。そのため、処理対象物の表面に繰返し露光するパターンの大きさと処理対象物の大きさから、1枚の処理対象物の表面に形成することができるパターンの数をあらかじめ見積もることができる。
なお、本実施例のフォトマスク100ではダイシング領域2a〜2dの各々の幅が等しク形成されており、幅W1が幅W2の2倍となっているが、ダイシング領域2a〜2dの幅は限定されるものではない。ダイシング領域の幅は、少なくともアライメントマークを配置し得る幅以上であればよい。また隣接する2つのダイシング領域を合わせた幅は、少なくともアライメントマークを配置し得る幅以上であり、かつダイシング幅以上の幅であればよい。
(第2実施例)
図2に、本発明の第2実施例であるフォトマスク200の平面図を示す。
図2に示すように、フォトマスク200では、ブランクマスク40に複合パターン(第2パターンの実施例)48が形成されている。複合パターン48内には、Aパターン34とBパターン36とCパターン44とDパターン50が形成されている。Cパターン44とDパターン50の各々の周囲には、アライメントマーク群が形成されており、Cパターン44のみを位置決めすることもできれば、Dパターン50のみを位置決めすることもできる。Cパターン44とDパターン50の各々は、第1パターンの実施例に相当する。Aパターン34とBパターン36とCパターン44とDパターン50は、各々異なるパターンであり、大きさが異なっている。4つのパターン34、36、44、50の各々の外周には、外周領域32a〜32dが形成されている。外周領域32a〜32dの幅は限定されない。少なくともアライメントマークを配置し得る幅以上であればよい。4つのパターン34、36、44、50の各々はダイシング領域42によって隔てられている。処理対象物の表面に複合パターン48を形成した場合、ダイシング領域42をダイシングすることによって、処理対象物を複数のチップ群に分割することができる。ダイシング領域42の幅は限定されない。少なくともダイシング幅以上であればよい。
図2に、本発明の第2実施例であるフォトマスク200の平面図を示す。
図2に示すように、フォトマスク200では、ブランクマスク40に複合パターン(第2パターンの実施例)48が形成されている。複合パターン48内には、Aパターン34とBパターン36とCパターン44とDパターン50が形成されている。Cパターン44とDパターン50の各々の周囲には、アライメントマーク群が形成されており、Cパターン44のみを位置決めすることもできれば、Dパターン50のみを位置決めすることもできる。Cパターン44とDパターン50の各々は、第1パターンの実施例に相当する。Aパターン34とBパターン36とCパターン44とDパターン50は、各々異なるパターンであり、大きさが異なっている。4つのパターン34、36、44、50の各々の外周には、外周領域32a〜32dが形成されている。外周領域32a〜32dの幅は限定されない。少なくともアライメントマークを配置し得る幅以上であればよい。4つのパターン34、36、44、50の各々はダイシング領域42によって隔てられている。処理対象物の表面に複合パターン48を形成した場合、ダイシング領域42をダイシングすることによって、処理対象物を複数のチップ群に分割することができる。ダイシング領域42の幅は限定されない。少なくともダイシング幅以上であればよい。
外周領域32a〜32d内であって、複合パターン48の周囲には、第2アライメントマーク群38a〜38fが分散して形成されている。フォトマスク200を用いて処理対象物の表面にパターンを露光するときに、第2アライメントマーク群38a〜38fを利用して、複合パターン48を位置決めすることができる。第2アライメントマーク群38a〜38fは、38aと38d、38bと38f、38cと38eが各々対をなしており、処理対称物に対するフォトマスク200の複合パターン48のX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することができる。
外周領域32c内であって、Cパターン44の周囲には、第1アライメントマーク群46a〜46dが分散して形成されている。第1アライメントマーク46bと46cが一対となっている。また、第1アライメントマーク46aは第2アライメントマーク38dと対をなしており、第1アライメントマーク46dは第2アライメントマーク38cと対をなしている。アライメントマーク38c、38dは、第1アライメントマークと第2アライメントマークを兼用している。第1アライメントマーク群46a〜46dと第1アライメントマークを兼用するマーク38c、38dによって、処理対称物に対するフォトマスク200のCパターン44のX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することができる。
外周領域32d内であって、Dパターン50の周囲には、第1アライメントマーク群46e〜46iが分散して形成されている。フォトマスク200を用いて処理対象物の表面にDパターン50を露光するときに、第1アライメントマーク群46e〜46iでは、46fと46i、46gと46hが各々一対となっている。また、第1アライメントマーク46eは第2アライメントマーク38eと対をなしている。アライメントマーク38eは、第1アライメントマークと第2アライメントマークを兼用している。第1アライメントマーク群46e〜46iと第1アライメントマークを兼用するマーク38eによって、処理対称物に対するフォトマスク200のDパターン50のX方向位置とY方向位置と回転角度(マスク平面に垂直な軸の周りの角度、X軸周りの角度、Y軸周りの角度)を決定することができる。
なお、第1アライメントマーク群46a〜46iと第2アライメントマーク群38a〜38fはいずれも外周領域32a〜32d内に形成されており、ダイシング領域42にはアライメントマークが形成されていない。外周領域32a〜32dの幅は限定されない。アライメントマーク群38a〜38f、46a〜46iを配置し得る幅以上であればよい。
本実施例において処理対象物の表面に特定のパターンを繰返し露光する場合にも、第1実施例と同様の方法を用いることができる。処理対象物の表面に特定のパターンを繰返し形成することができる。
フォトマスク200によると、Cパターン44の周囲に第1アライメントマーク群46a〜46d、38c、38dが形成されている。そのため、外周領域32aを含むAパターン34と外周領域32bを含むBパターン36と外周領域32dを含むDパターン50をブラインドしても、Cパターン44のみを位置決めすることができる。また、Dパターン50の周囲には第1アライメントマーク群46e〜46i、38eが形成されている。そのため、外周領域32aを含むAパターン34と外周領域32bを含むBパターン36と外周領域32cを含むCパターン44をブラインドしても、Dパターン50のみを位置決めすることができる。フォトマスク200によると、複合パターン48を露光することによって処理対象物の表面にA〜Dの4つのパターン32、36、44、50を同時に形成することもできるし、Cパターン44のみを露光することによってCパターン44のみを形成することもできるし、Dパターン50のみを露光することによってDパターン50のみを形成することもできる。
またフォトマスク200では、Cパターン44とDパターン50の複合パターンを1つのパターンとして位置決めすることもできる。この場合、外周領域32aを含むAパターン34と外周領域32bを含むBパターン36をブラインドし、Cパターン44の周囲とDパターン50の周囲に形成されているアライメントマーク群の一部を利用して位置決めをする。処理対象物の表面にCパターン44とDパターン50の複合パターンを形成することができる。
またフォトマスク200では、ダイシング領域42にアライメントマーク群38a〜38f、46a〜46iが形成されていない。そのため、処理対象物の表面に複合パターン48を形成した場合、ダイシング領域42に沿って処理対象物をダイシングしても金属膜等の削り屑が発生することがない。
(第3実施例)
本発明の第3実施例である半導体チップの製造方法を示す。
図3は、第1実施例のフォトマスク100を用いて半導体ウェハ60、70の表面にパターンを形成したときの模式図を示す。
本発明の第3実施例である半導体チップの製造方法を示す。
図3は、第1実施例のフォトマスク100を用いて半導体ウェハ60、70の表面にパターンを形成したときの模式図を示す。
まず半導体ウェハ60の表面に複合パターン18を位置決めする(第2位置決め工程)。その後に半導体ウェハ60の表面に複合パターン18を露光する。その結果、半導体ウェハ60の表面に複合パターン18が縮小露光されて、複合パターン18が形成されている複合チップ62aを製造することができる。半導体ウェハ60の表面に複合パターン18を繰返し露光することによって、半導体ウェハ60の表面に複数の複合チップ群62を形成することができる。なお図3では明瞭化のため、複合チップ群62のうち複合チップ62a内のパターンのみを図示している。
次に複合パターン18のうちダイシング領域8aを含むAパターン4とダイシング領域8bを含むBパターン6とダイシング領域8cを含むCパターン14をブラインドする。次に半導体ウェハ70の表面にDパターン20のみを位置決めする(第1位置決め工程)。その後に、半導体ウェハ70の表面にDパターン20を露光する。その結果、半導体ウェハ70の表面にDパターン20のみが縮小露光されて、Dパターンのみが形成されているDチップ72aを製造することができる。半導体ウェハ70の表面にDパターン20を繰返し露光することによって、半導体ウェハ70の表面に複数のDチップ群72を形成することができる。なお図3では明瞭化のため、Dチップ群72のうちDチップ72a内のパターンのみを図示している。
本実施例において、必要とするチップの数を、例えば後記する表1に示すように仮定する。表1に示すAチップ+BチップはAパターンとBパターンの2つのパターンが隣接しているパターンが形成されているチップである。CチップはCパターンのみが形成されているチップである。DチップはDパターンのみが形成されているチップである。Aチップ+Bチップは、例えば複合チップ62aをダイシングしてCチップとDチップを切り離すことによって形成することができる。
表1に示すように、Dチップは、Aチップ+Bチップ、Cチップよりも100個過剰に製造する必要がある。フォトマスク100を用いて半導体ウェハの表面に複合パターン18を繰返し露光した場合、4つのパターン2、6、14、20の各々が同数ずつ形成されるため、Dチップが不足する。フォトマスク100を用いてDパターン20のみを位置決めして、半導体ウェハの表面にDパターン20のみを繰返し露光することによって、不足しているDチップのみを製造することができる。フォトマスク100を用いると、半導体ウェハ1枚あたりのチップの取れ数と必要とするチップの比率に応じてDチップのみを製造することで、Dパターン20のみが形成されているフォトマスクを別に用意しなくても、Dチップのみを製造することができる。
表1に示すように、必要とするチップの比率によると、Aチップ+Bチップ、Cチップ、Dチップを200個製造する毎に、Dチップのみを100個過剰に製造する必要がある。例えば複合パターン18を繰返し露光することによって、1枚の半導体ウェハからAチップ+Bチップ、Cチップ、Dチップが各々1000個ずつ製造されるとする。例えばDパターン20のみを繰返し露光することによって、1枚の半導体ウェハからDチップが5000個製造されるとする。この場合、複合パターン18のみが形成されている半導体ウェハを10枚製造する毎に、Dチップのみが形成されている半導体ウェハを1枚の比率で製造すればよい。その結果、表1に示す比率(200個:300個)と一致する。実際の製造工程では、歩留まりを考慮して製造する比率を決定してもよい。
本発明のフォトマスクでは、第1アライメントマーク群は、過剰に必要とされるパターンの周囲のみに形成されていることが好ましい。過剰に必要としないパターンの周囲に第1アライメントマーク群が形成されていると、処理対象物の表面にパターンを形成した後、ダイシングをするときに発生する金属膜等の削り屑の量が増加する。過剰に必要とされるパターンの周囲のみに第1アライメントマーク群を形成することによって、ダイシング時における金属膜等の削り屑の発生を抑制することができる。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2a〜2d、42:ダイシング領域
4、34、106:Aパターン
6、36、104:Bパターン
8a〜8f、38a〜38f:第2アライメントマーク群
10、40、122:ブランクマスク
12:ダイシングライン
14、44、112:Cパターン
16a〜16d、46a〜46i:第1アライメントマーク群
18、48:複合パターン
20、50:Dパターン
32a〜32d:外周領域
100、200、300:フォトマスク
102:第2アウターダイシング領域
108:第1アウターダイシング領域
114:ダミー領域
116:C領域
120:第2領域
4、34、106:Aパターン
6、36、104:Bパターン
8a〜8f、38a〜38f:第2アライメントマーク群
10、40、122:ブランクマスク
12:ダイシングライン
14、44、112:Cパターン
16a〜16d、46a〜46i:第1アライメントマーク群
18、48:複合パターン
20、50:Dパターン
32a〜32d:外周領域
100、200、300:フォトマスク
102:第2アウターダイシング領域
108:第1アウターダイシング領域
114:ダミー領域
116:C領域
120:第2領域
Claims (4)
- 処理対象物の表面に第1パターンを露光する処理と、処理対象物の表面に前記第1パターンを一部に含む第2パターンを露光する処理の両者に用いることができるフォトマスクであり、
ブランクマスクに、
(1)前記第1パターンを一部に含む前記第2パターンが形成されており、
(2)前記第1パターンの周囲に第1アライメントマーク群が分散して形成されており、
(3)前記第2パターンの周囲に第2アライメントマーク群が分散して形成されている、
ことを特徴とするフォトマスク。 - 少なくとも一つのアライメントマークが、前記第1アライメントマーク群と前記第2アライメントマーク群の両者に属していることを特徴とする請求項1のフォトマスク。
- 前記第2パターンがダイシング領域を備えており、
前記第1アライメントマーク群と前記第2アライメントマーク群が前記ダイシング領域の外側に形成されていることを特徴とする請求項1又は2のフォトマスク。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトマスクを用いて半導体ウェハから半導体チップを製造する方法であり、
前記第1アライメントマーク群を用いて半導体ウェハと前記第1パターンの相対的位置関係を位置決めする第1位置決め工程と、
前記第1位置決め工程後に、前記第1パターンを用いて前記半導体ウェハの表面を露光する工程と、
前記第2アライメントマーク群を用いて半導体ウェハと前記第2パターンの相対的位置関係を位置決めする第2位置決め工程と、
前記第2位置決め工程後に、前記第2パターンを用いて前記半導体ウェハの表面を露光する工程と、
を備えていることを特徴とする半導体チップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008135532A JP2009282386A (ja) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | フォトマスクと半導体チップの製造方法 |
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Publications (1)
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---|---|
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ID=41452883
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JP2008135532A Pending JP2009282386A (ja) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | フォトマスクと半導体チップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009282386A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010128367A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Fujitsu Microelectronics Ltd | レチクルレイアウトデータ作成方法及びレチクルレイアウトデータ作成装置 |
JP2015102699A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
CN112614803A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-06 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种集成电路的制备方法 |
US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
2008
- 2008-05-23 JP JP2008135532A patent/JP2009282386A/ja active Pending
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JP2015102699A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法 |
US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
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