JP2016001258A - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の露光領域を用いて基板を走査露光する場合に、走査露光時のマスクの移動距離を短縮する。
【解決手段】露光用の照明光でマスクＭのパターン及び複数の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧを介してプレートＰの複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを露光しつつ、マスクＭ及びプレートＰを部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対して同期して走査する露光方法において、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間には継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆを備え、プレートＰの走査露光中にプレートＰの走査速度ＶＰを変化させることと、プレートＰの走査速度ＶＰに応じて露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの走査方向の幅を制御することとを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、投影光学系を介して基板を露光する露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。

液晶ディスプレイ、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)ディスプレイ、及びプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造工程中で、ガラスプレート等のパネル状の感光性基板にマスクパターンの像を露光するために、マスクと感光性基板とを投影光学系に対して同期移動して感光性基板を走査露光する露光装置（以下、パネル露光装置という。）が使用されている。従来のパネル露光装置は、投影光学系の大型化を抑制して大面積のパターンを効率的に露光するために、複数の部分投影光学系から構成されるマルチレンズ型の投影光学系を備え、その複数の部分投影光学系の露光領域で露光されるパターンを感光性基板上で高精度に繋ぐために、走査方向に対して傾斜した形状の２つの露光領域の端部で二重露光が行われる継ぎ部が設けられている（例えば、特許文献１参照）。

また、パネル露光装置で走査露光する際に、マスク及び感光性基板の走査速度がそれぞれ所定速度に達してから感光性基板の各パターン形成領域の露光を行うために、マスクを保持して移動するマスクステージの走査方向の移動ストロークには、マスクをその所定速度まで加速するための加速区間、及び各パターン形成領域の露光終了後に、マスクの減速を行うための減速区間が加えられていた（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−３３０９６４号公報

パネル露光装置においては、マスクの大型化に伴い、マスクステージも大型化してきている。また、従来の露光方法では、マスクステージの移動スロトークには、実際に感光性基板を露光しているときの区間の長さの他に、マスクの加減速区間の長さを加える必要があるため、マスクステージ、並びにマスクステージ用の位置計測機構及び駆動機構はさらに大型化することになる。このため、走査露光時のマスクの移動距離をできるだけ短縮することが求められている。

また、従来のパネル露光装置においては、感光性基板の表面に継ぎ部が設けられているため、複数の露光領域で露光されるパターンを高精度に繋ぐことができる。また、その継ぎ部には、わずかな露光量むらが生じる恐れがあるが、このような露光量むらは、現在のディスプレイ装置で必要とされるレイヤの数では問題にならない程度のものである。しかしながら、今後、感光性基板上で必要とされるレイヤの数が増加したときに、その複数のレイヤに対して同じ露光装置で露光を行うと、その継ぎ部のわずかな露光量むらの影響（例えば継ぎ部における透明な回路パターンの線幅が他の領域のパターンの線幅と微妙に異なること等）が次第に積算されて、最終的に製造されるディスプレイ装置の画面に微妙な輝度むら等が現れる恐れがある。

本発明の態様は、このような事情に鑑み、複数の露光領域を用いて基板を走査露光する場合に、走査露光時のマスクの移動距離を短縮すること、又は継ぎ部の露光量のむらの影響を低減することを目的とする。

本発明の第１の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、その複数の露光領域の間には継ぎ部を備え、その基板の走査露光中にその基板の走査方向の速度を変化させることと、その基板のその走査方向の速度に応じてその露光領域のその走査方向の幅を制御することと、を含む露光方法が提供される。

第２の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、その基板の第１の層の走査露光中におけるその複数の露光領域の間の継ぎ部のその基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、その基板の第１の層と異なる第２の層の走査露光中におけるその継ぎ部のその非走査方向の位置を変化させる露光方法が提供される。

第３の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、その基板の第１の層の走査露光中におけるその複数の露光領域の間の継ぎ部のその基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、その基板の第１の層と異なる第２の層の走査露光中におけるその継ぎ部のその非走査方向の位置を変化させるために、その基板の第１の層の走査露光中におけるそのマスク及びその基板のその投影光学系に対するその非走査方向の第１の相対位置に対して、その基板の第２の層の走査露光中におけるそのマスク及びその基板のその投影光学系に対するその非走査方向の第２の相対位置を変化させる露光方法が提供される。

第４の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、その複数の露光領域は、その複数の露光領域の間に継ぎ部が設けられるように配置されるとともに、その基板をその投影光学系に対して走査方向に走査する基板ステージと、その露光領域のその走査方向の幅を制御する露光領域制御機構と、その基板の走査露光中に、その基板ステージを介してその基板のその走査方向の速度を変化させるとともに、その基板の走査方向の速度に応じて、その露光領域制御機構を介してその露光領域の走査方向の幅を制御する制御部と、を備える露光装置が提供される。

第５の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、その複数の露光領域の間の継ぎ部のその基板の走査方向に直交する非走査方向の位置を制御する露光領域制御機構と、その基板の第１の層の走査露光中における、その継ぎ部のその非走査方向の位置に対して、その基板の第１の層と異なる第２の層の走査露光中における、その継ぎ部のその非走査方向の位置を変化させるように、その露光領域制御機構を介してその継ぎ部の位置を制御する制御部と、を備える露光装置が提供される。

第６の態様によれば、露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、そのマスク及びその基板をその少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、その基板をその投影光学系に対して走査方向に走査可能であるとともに、その基板をその走査方向に直交する非走査方向に移動可能な基板ステージと、そのマスクをその投影光学系に対してその走査方向に対応する方向に走査可能であるとともに、そのマスクをその非走査方向に対応する方向に移動可能なマスクステージと、その基板ステージ及びそのマスクステージの動作を制御する制御部と、を備え、その制御部は、その基板の第１の層の走査露光中におけるその複数の露光領域の間の継ぎ部のその基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、その基板の第１の層と異なる第２の層の走査露光中におけるその継ぎ部のその非走査方向の位置を変化させるために、その基板の第１の層の走査露光中におけるそのマスク及びその基板のその投影光学系に対するその非走査方向の第１の相対位置に対して、その基板の第２の層の走査露光中におけるそのマスク及びその基板のその投影光学系に対するその非走査方向の第２の相対位置を、その基板ステージ及びそのマスクステージを介して変化させる露光装置が提供される。

第７の態様によれば、本発明の態様の露光方法又は露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第１又は第４の態様によれば、基板及びマスクの加減速中にも基板を露光できるため、複数の露光領域を用いて基板を走査露光する場合に、走査露光時のマスクの移動距離を短縮できる。
また、本発明の第２若しくは第３の態様、又は第５若しくは第６の態様によれば、継ぎ部の非走査方向の位置を変化させることができるため、複数の露光領域を用いて例えば基板の複数の層（レイヤ）の走査露光を行う場合に、継ぎ部の露光量むらの影響を低減できる。

実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。 図１の露光装置の制御系を示すブロック図である。 （Ａ）は図１中のブラインド機構を示す平面図、（Ｂ）は図１中の複数の部分投影光学系及び視野絞りの配置の一例を示す図、（Ｃ）は複数の露光領域の間の継ぎ部を示す図である。 第１の実施形態における露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）は走査開始直後のマスクステージを示す図、（Ｂ）は加速中のマスクステージを示す図である。 （Ａ）はさらに加速中のマスクステージを示す図、（Ｂ）は一定速度で走査中のマスクステージを示す図、（Ｃ）はプレートのパターン形成領域を示す図である。 （Ａ）は減速中のマスクステージを示す図、（Ｂ）は走査終了後のマスクステージを示す図である。 （Ａ）はマスクステージ（プレートステージ）の速度変化の一例を示す図、（Ｂ）は露光領域のスリット幅の変化の一例を示す図、（Ｃ）はプレート上の露光量分布の一例を示す図である。 （Ａ）は変形例のブラインド機構を示す図、（Ｂ）は変形例において露光領域のスリット幅を最大にした状態を示す図である。 第２の実施形態の露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）はブラインドで照明領域の−Ｘ方向の端部を遮光した状態を示す図、（Ｂ）はプレートの第２レイヤにおける継ぎ部の位置を示す図、（Ｃ）はブラインドで照明領域の＋Ｘ方向の端部を遮光した状態を示す図、（Ｄ）はプレートの第３レイヤにおける継ぎ部の位置を示す図である。 （Ａ）はブラインドで照明領域の両端部を遮光した状態を示す図、（Ｂ）はプレート上の継ぎ部を示す図、（Ｃ）はブラインド及びシャッタ部で照明領域の一部を遮光した状態を示す図、（Ｄ）はプレート上の継ぎ部の位置を示す図である。 （Ａ）はマスクをＹ方向にずらした状態を示す平面図、（Ｂ）はプレート上の継ぎ部の位置を示す図である。 電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態につき図１〜図８（Ｃ）を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの概略構成を示す。露光装置ＥＸは、フォトレジスト（感光材料）が塗布された矩形の平板ガラスよりなるプレートＰ（感光性基板）にマスクＭのパターンの像を露光する走査露光方式のパネル露光装置である。露光装置ＥＸで露光されたプレートＰは、一例として、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬディスプレイ等の表示装置の表示部であるパネルを製造するために使用される。露光装置ＥＸは、それぞれマスクＭのパターンの像をプレートＰの表面に投影する複数（本実施形態では一例として７つ）の部分投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣ，ＰＬＤ，ＰＬＥ，ＰＬＦ，ＰＬＧ（図３（Ｂ）参照）を有するマルチレンズ型の投影システムＰＳ（投影光学系）を備えている。以下、投影システムＰＳに対して合焦されているときのプレートＰの表面に垂直にＺ軸を取り、その表面に平行な平面内で走査露光時のマスクＭ及びプレートＰの走査方向に沿ってＸ軸を、Ｘ軸に直交する方向（非走査方向）に沿ってＹ軸を取って説明する。

図１において、露光装置ＥＸは、露光用の照明光（露光光）ＥＬを発生する例えば超高圧水銀ランプからなる光源１０と、照明光ＥＬでマスクＭのパターン面の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧと同じ個数の照明領域ＩＲＡ，ＩＲＢ，ＩＲＣ，ＩＲＤ，ＩＲＥ，ＩＲＦ，ＩＲＧ（図３（Ａ）参照）を均一な照度分布で照明する照明系ＩＳと、マスクＭをマスクホルダ（不図示）を介してＸＹ平面に平行に保持して移動するマスクステージ２１と、プレートＰを保持して移動するプレートステージ２２とを備えている。

さらに、露光装置ＥＸは、マスクステージ２１の端部に設けられたＸ軸の移動鏡２３ＭＸ及びＹ軸の移動鏡２３ＭＹに計測用のレーザ光を照射して、マスクステージ２１の位置情報を計測する複数軸のレーザ干渉計２３Ａと、プレートステージ２２の端部に設けられたＸ軸の移動鏡２３ＰＸ及びＹ軸の移動鏡２３ＰＹに計測用のレーザ光を照射して、プレートステージ２２の位置情報を計測する複数軸のレーザ干渉計２３Ｂとを備えている。また、露光装置ＥＸは、レーザ干渉計２３Ａ，２３Ｂの計測結果に基づいてマスクステージ２１及びプレートステージ２２を駆動するそれぞれリニアモータ等を含むマスクステージ駆動系２５及びプレートステージ駆動系２６（図２参照）と、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御装置２０（図２参照）とを備えている。

マスクステージ駆動系２５は、走査露光時にマスクステージ２１の走査方向（Ｘ方向）の位置及び速度を制御するとともに、必要に応じてマスクステージ２１のＺ軸に平行な軸の回り（以下、θｚ方向という）の回転角を所定範囲内で調整可能である。また、プレートステージ駆動系２６は、走査露光時にマスクステージ２１に同期してプレートステージ２２のＸ方向の位置及び速度を制御するとともに、走査露光の間（ステップ移動時）に、プレートステージ２２のＸ方向及び／又はＹ方向の位置を制御する。なお、一例として、マスクＭは、Ｘ方向の幅が１〜２ｍ程度、Ｙ方向の幅が１〜１．５ｍ程度の矩形の平板状であり、プレートＰは、Ｘ方向の幅が２〜２．５ｍ程度、Ｙ方向の幅が２〜３ｍ程度の矩形の平板状であり、マスクステージ２１及びプレートステージ２２はそれぞれマスクＭ及びプレートＰを保持できる大きさに設定されている。また、プレートＰの複数のパターン形成領域（不図示）にそれぞれマスクＭのパターンの像が露光される。

次に、照明系ＩＳ及び投影システムＰＳにつき説明する。まず、光源１０から射出された照明光ＥＬは、楕円鏡、ミラー、シャッタ（不図示）、及び波長選択フィルター（不図示）を介して集光光学系１１に入射する。集光光学系１１を通過した照明光ＥＬは、分岐光学系１３の入射端１２に入射し、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧと同じ個数の分岐光学系１３の射出端１４Ａ〜１４Ｇから射出された照明光ＥＬは、それぞれ対応する部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧを介して台形状の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧを照明する。なお、本実施形態では、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの物体面側の視野は、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧ中の視野絞り３５Ａ〜３５Ｇ（図３（Ｂ）参照）によって規定される。このため、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧとは、視野絞り３５Ａ〜３５Ｇの開口３５Ａａ等と光学的に共役な領域を意味しており、部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧは、それぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧを含み照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧよりもわずかに広い範囲を照明する。部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧは、それぞれコリメートレンズ、フライアイインテグレータ（オプティカルインテグレータ）、及びコンデンサーレンズ等を有する。集光光学系１１から部分照明系ＩＬＡ〜ＩＬＧまでの光学部材を含んで照明系ＩＳが構成されている。

マスクＭの照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧからの照明光は、各照明領域に対応するようにＹ方向に沿って２列に配列された複数の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧからなる投影システムＰＳに入射する。部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ中のパターンの像を対応する台形状の露光領域ＰＲＡ，ＰＲＢ，ＰＲＣ，ＰＲＤ，ＰＲＥ，ＰＲＦ，ＰＲＧ（図３（Ｃ）参照）に形成する。部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、互いに同一構成で一例としてＺ方向に配列された２段の反射屈折系を有するほぼ両側にテレセントリックで高解像度の結像光学系である。また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、それぞれ一例として中間結像を行うとともに、マスクパターンの等倍の正立正像をプレートＰ上に形成する。

一例として、部分投影光学系ＰＬＤは、マスクＭからの光をシフトする像シフタ３１Ａと、マスクＭのパターンの一次像を形成する第１反射屈折系を構成する第１屈折系３３Ａ及び凹面鏡３４Ａと、マスクＭからの光をその第１反射屈折系に向け、その第１反射屈折系からの光を−Ｚ方向に向ける第１直角プリズム３２Ａと、その一次像の近傍に配置された視野絞り３５Ｄと、その一次像の二次像をプレートＰ上に形成する第２反射屈折系を構成する第２屈折系３３Ｂ及び凹面鏡３４Ｂと、一次像からの光をその第２反射屈折系に向け、その第２反射屈折系からの光をプレートＰ側に向ける第２直角プリズム３２Ｂと、プレートＰに入射する光をシフトする像シフタ３１Ｂとを備えている。像シフタ３１Ａ，３１Ｂは例えば複数の平行平面板よりなる。なお、マルチレンズ型の投影システムの詳細な構成の一例は、例えば特開２００１−３３０９６４号公報に開示されている。

また、投影システムＰＳを構成する部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの個数は、露光されるマスクＭが大きくなるほど多くなり、投影システムＰＳは例えば１１個の部分投影光学系（１列目が５個及び２列目が６個）を備えてもよい。このように、部分投影光学系ＰＬＡ等の個数は任意であり、部分投影光学系ＰＬＡ等の構成は任意である。
図３（Ｂ）に示すように、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、Ｙ方向に配置された第１列の３個の部分投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣと、それらに対向するように−Ｘ方向に配置されるとともに、Ｙ方向に半周期ずれて配置された第２列の４個の部分投影光学系ＰＬＤ，ＰＬＥ，ＰＬＦ，ＰＬＧとに分かれて、光学系フレーム（不図示）に支持されている。また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの中間結像面の近傍に、それぞれ視野絞り３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄ，３５Ｅ，３５Ｆ，３５Ｇが配置され、視野絞り３５Ａ〜３５Ｇに設けられたＹ方向に平行なエッジ部を上辺及び底辺とする台形状の開口３５Ａａ〜３５Ｇａによって、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの基本的な形状が規定される。

図３（Ｃ）に示すように、第２列の部分投影光学系ＰＬＤ〜ＰＬＧの露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧは、−Ｘ方向側を底辺とする台形状であり、第１列の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＣの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣは、Ｙ方向に関して露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの間に位置しているとともに、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣは、＋Ｘ方向側を底辺とする台形状である。また、例えば＋Ｘ方向に向かって全部の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを見ると、第１列の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの走査方向（Ｘ方向）に対して傾斜した２つのエッジ部（以下、傾斜部という）は、それぞれ第２列の露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの対応する傾斜部と重なっている。なお、図３（Ｃ）において、第２列の外側の２つの露光領域ＰＲＤ，ＰＲＧの外側のエッジ部は、例えばマスクＭのパターン領域ＰＡ（図３（Ａ）参照）を囲む遮光帯、又はプレートＰの近傍に配置されて、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧからＹ方向の露光可能な範囲を選択するためのＸ方向に平行な２枚の遮光板（不図示）によって遮光されているため、露光領域ＰＲＤ，ＰＲＧの外側のエッジ部はＸ軸に平行になっている。

また、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは、一例としてそれぞれマスクパターンの等倍の正立正像をプレートＰ上に形成するため、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの形状及び配列は、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの形状及び配列と同じである。このため、例えば＋Ｘ方向に見ると、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ（照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ）はＹ方向に隙間なく配置されている。そこで、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのパターンの投影システムＰＳによる像でプレートＰを露光しつつ、マスクステージ２１によって照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対してマスクＭを＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に移動（走査）することと、プレートステージ２２によって露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してプレートＰを＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に移動（走査）することとを同期して行うことで、マスクＭの全面のパターンを１回の走査露光でプレートＰの一つのパターン形成領域４３Ａに隙間なく露光できる。

また、パターン形成領域４３Ａにおいて、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの一方の傾斜部、及び対応する露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの傾斜部（露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの傾斜部とＹ方向に対称な形状の傾斜部）によって二重露光される継ぎ部４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄ，４４Ｅ，４４Ｆでは、二重露光後の露光量が他の領域の露光量と実質的に同じになるため、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧで露光されるパターンがＹ方向に高精度に繋がれる。露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの傾斜部のＹ方向の幅の最大値をｄとすると、継ぎ部４４Ａ〜４４ＦのＹ方向の幅の最大値もｄとなる。また、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの走査方向（Ｘ方向）の幅であるスリット幅Ｄが最大値に設定されているときの、−Ｙ方向から１番目の継ぎ部４４Ａの中心のパターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向の端部からの距離をＹＡとする。このとき、２番目の継ぎ部４４Ｂの中心のその端部からの距離はほぼ（２・ＹＡ＋ｄ／２）となる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、走査露光時の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄ、及び露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの傾斜部のＹ方向の位置を変更する機構を備えている。まず、図１において、マスクＭの照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの上方に近接して、それぞれＹ方向に細長い平板状の遮光部材よりなる４個のマスク側のブラインド４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄが、互いに重ならないようにかつ互いに独立にＸ方向に移動可能に配置されている。そして、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄの−Ｙ方向の端部は、例えばリニアモータ方式でブラインド４１Ａ〜４１ＤのＸ方向の位置及び速度を個別に制御する駆動部４２Ａに連結され、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄの＋Ｙ方向の端部はガイド部４２Ｂに連結されている。駆動部４２Ａにはブラインド４１Ａ〜４１ＤのＸ方向の位置を検出するエンコーダ（不図示）も組み込まれている。一例として、駆動部４２Ａ及びガイド部４２Ｂは、照明系ＩＳを保持するフレーム（不図示）に支持されている。

図３（Ａ）に示すように、照明系ＩＳによる２列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧは、マスクＭのパターン領域ＰＡをＹ方向に横切るように設定され、第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣと第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧとのＸ方向の間隔は、一例として各照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのＸ方向の幅の２倍よりも大きく設定されている。ブラインド４１Ａ〜４１ＤのＸ方向の幅はそれぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのＸ方向の幅よりもわずかに広く設定され、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を最大にするときには、第１のブラインド４１Ａは第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣに対して＋Ｘ方向側に待避し、第２及び第３のブラインド４１Ｂ，４１Ｃは第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣと第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧとの間の領域に待避し、第４のブラインド４１Ｄは第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧに対して−Ｘ方向側に待避している。

そして、ブラインド４１Ａ及び／又は４１Ｂで第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣの＋Ｘ方向側及び／又は−Ｘ方向側の部分を遮光し、ブラインド４１Ｃ及び／又は４１Ｄで第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧの＋Ｘ方向側及び／又は−Ｘ方向側の部分を遮光することによって、図３（Ｃ）の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄ及び露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのＸ方向の中心位置を変更することができる。ブラインド４１Ａ〜４１Ｄ、駆動部４２Ａ、及びガイド部４２Ｂから、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを変更するブラインド機構４０（第１制御機構）が構成されている。図２のブラインド制御系２７が、主制御装置２０からの制御情報（例えば露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄ及びＸ方向の中心位置等）に基づいて、駆動部４２Ａを介してブラインド４１Ａ〜４１ＤのＸ方向の位置及び速度を制御する。

また、図３（Ｂ）に示すように、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの中間結像面の近傍の視野絞り３５Ａ〜３５Ｇの配置面において、視野絞り３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｄ，３５Ｅの台形状の開口３５Ａａ等の−Ｙ方向の傾斜部に平行なエッジ部を有するシャッタ部３６Ａ，３６Ｂ１，３６Ｄ，３６Ｅが、それぞれ駆動部３７Ａ，３７Ｂ１，３７Ｄ，３７ＥによってＹ方向の位置を制御できるように配置されている。さらに、視野絞り３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｆ，３５Ｇの台形状の開口３５Ｇａ等の＋Ｙ方向の傾斜部に平行なエッジ部を有するシャッタ部３６Ｂ２，３６Ｃ，３６Ｆ，３６Ｇが、それぞれ駆動部３７Ｂ２，３７Ｃ，３７Ｆ，３７ＧによってＹ方向の位置を制御できるように配置されている。駆動部３７Ａ〜３７Ｇとしては、例えば直動型の超音波モータ等が使用できる。

例えば、駆動部３７Ｃによってシャッタ部３６Ｃを点線で示す位置Ｂ１まで移動して、視野絞り３５Ｃの開口３５Ｃａの一部を遮光することによって、視野絞り３５Ｃによって規定される台形状の露光領域ＰＲＣ（図３（Ｂ）参照）の＋Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の位置（露光領域ＰＲＣのＹ方向の長さ）を制御できる。同様に、他のシャッタ部３６Ａ，３６Ｂ１，３６Ｄ，３６ＥをＹ方向に駆動することによって、対応する露光領域ＰＲＡ，ＰＲＢ，ＰＲＤ，ＰＲＥの−Ｙ方向の傾斜部の位置を制御でき、シャッタ部３６Ｂ２，３６Ｆ，３６ＧをＹ方向に駆動することによって、対応する露光領域ＰＲＢ，ＰＲＦ，ＰＲＧの＋Ｙ方向の傾斜部の位置を制御できる。シャッタ部３６Ａ〜３６Ｇ及び駆動部３７Ａ〜３７Ｇから、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの少なくとも一方の傾斜部のＹ方向の位置を変更するシャッタ機構３８（第２制御機構）が構成されている。

図２のシャッタ制御系２８が、主制御装置２０からの制御情報に基づいて、駆動部３７Ａ〜３７Ｇを介してシャッタ部３６Ａ〜３６Ｇの位置を制御する。例えば、マスクＭ（又は他のマスク）に形成されているパターンを、プレートＰ上のＹ方向に隣接する２つのパターン形成領域に継ぎ合わせながら露光して、マスクＭ等のパターンよりも大面積のパターンをプレートＰ上に露光するような場合に、マスクＭ等のパターンのＹ方向の幅に応じて、シャッタ機構３８のシャッタ部３６Ａ〜３６Ｇの位置を変更して、対応する露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのＹ方向の傾斜部の位置を制御することで、プレートＰ上のＹ方向に隣接する２つのパターン形成領域の間の継ぎ部の位置を最適な位置に調節することができる。なお、ブラインド機構４０のブラインド４１Ａ〜４１Ｄ及び／又はシャッタ機構３８のシャッタ部３６Ａ〜３６Ｇは、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの像面の近傍の位置、その像面と光学的に共役な面、又はこの面の近傍の位置に配置することができる。さらに、ブラインド機構４０のブラインド４１Ａ〜４１Ｄ及び／又はシャッタ機構３８のシャッタ部３６Ａ〜３６Ｇは、照明系ＩＳ内でマスクＭのパターン面と光学的に共役な面、又はこの面の近傍の位置に配置してもよい。

また、露光装置ＥＸは、プレートステージ２２に設けられて例えばマスクＭのアライメントマーク（不図示）の像の位置情報を計測する空間像計測部２４と、プレートＰのアライメントマーク（不図示）の位置情報を計測するアライメント系ＡＬ（図２参照）と、各種データ等を記憶する記憶部２９と、主制御装置２０と不図示のホストコンピュータとの間で各種情報の授受を行うインタフェース部（不図示）とを備えている。空間像計測部２４及びアライメント系ＡＬの計測結果に基づいてそれぞれマスクＭ及びプレートＰのアライメントを行うことができる。

次に、本実施形態の露光装置ＥＸによる露光方法の一例につき説明する。まず、本実施形態では、マスクステージ２１及びプレートステージ２２の加減速中においてもマスクＭのパターンを介してプレートＰを露光する。なお、本実施形態の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧは等倍の正立正像をプレートＰ上に形成するため、走査露光時のマスクステージ２１（マスクＭ）のＸ方向の走査速度ＶＭとプレートステージ２２（プレートＰ）のＸ方向の走査速度ＶＰとは互いに等しくなるように制御される。そして、速度が変化しているプレートＰを走査露光する場合にも、プレートＰの表面の各点の単位面積当たりの露光量（積算露光量）ΣＥをフォトレジストの感度に対応する所定の目標値Ｅｄｅにするためには、プレートＰの速度に応じて図３（Ｃ）のプレートＰの表面の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを制御する必要がある。

ここで、スリット幅Ｄの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対して走査速度ＶＰで走査されるプレートＰの各点の露光時間はＤ／ＶＰとなる。このため、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧにおける照明光ＥＬの照度（単位時間当たり及び単位面積当たりの照射エネルギー）をＥＰとすると、プレートＰの表面の各点の露光量ΣＥは次のようになる。
ΣＥ＝（Ｄ／ＶＰ）ＥＰ＝Ｅｄｅ …（１）
この式（１）からスリット幅Ｄを求めると、次のようにスリット幅Ｄは走査速度ＶＰに比例して変化させればよい。

Ｄ＝（Ｅｄｅ／ＥＰ）ＶＰ …（２）
本実施形態では、記憶部２９中の露光データファイルに露光量の目標値Ｅｄｅが記録されている。主制御装置２０は、露光時に、例えば光源制御部（不図示）を介して光源１０の電力を調節して照明光ＥＬのプレートＰ上の照度ＥＰを制御し、ステージ駆動系２５，２６を介してステージ２１及び２２のＸ方向の走査速度ＶＰを制御し、所定の時間間隔で、その照度ＥＰ及び走査速度ＶＰを用いて式（２）からスリット幅Ｄを求める。そして、主制御装置２０は、その所定の時間間隔でほぼ連続的に、ブラインド制御系２７を介して露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄ及びＸ方向の中心位置を、それぞれ式（２）から求められるスリット幅Ｄ及び予め露光方法等に応じて定められている位置に設定する。これによって、走査速度ＶＰが変化してもプレートＰの表面の各点の露光量ΣＥは目標値Ｅｄｅに制御される。なお、式（２）中のプレートステージ２２の走査速度ＶＰの代わりにマスクステージ２１（マスクＭ）の走査速度ＶＭを使用することもできる。

次に、本実施形態の露光装置ＥＸによる露光方法の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。この露光方法は主制御装置２０によって制御される。まず、マスクＭ及びプレートＰのアライメントが行われた後、図５（Ａ）に示すように、マスクステージ２１を移動ストローク中の最も−Ｘ方向の端部に移動する。この状態で、マスクステージ２１に保持されているマスクＭのパターン領域ＰＡは、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ（この段階では照明光ＥＬは照射されていない）に対して−Ｘ方向の直前に位置しており、ブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１Ｄが閉じており、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄは０である。

この後、一例として、ブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔の中心位置が、それぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧのＸ方向の中心位置に合致した状態で、ブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１Ｄは開閉される。この場合、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄが変化しても、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのＸ方向（走査方向）の中心位置は、スリット幅Ｄが最大になる全開時の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのＸ方向の中心位置に維持される。また、プレートステージ２２の駆動によって、プレートＰの露光対象のパターン形成領域４３Ａ（図６（Ｃ）参照）がパターン領域ＰＡの下方に位置している。この後、マスクＭ及びプレートＰは互いに同じ速度特性でＸ方向に同期して移動する。

そして、図４のステップ１０２において、照明系ＩＳからの照明光ＥＬ（露光光）の照射が開始され、ステップ１０４でマスクステージ２１（マスクＭ）及びプレートステージ２２（プレートＰ）の矢印５３Ａで示す＋Ｘ方向への加速が開始され、ステップ１０４と並行してステップ１０６において、ブラインド機構４０の駆動によってプレートＰ上の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄがプレートステージ２２の走査速度ＶＰの増加に応じて式（２）に従って実質的に連続的に拡張される。ただし、図５（Ｂ）に示すように、第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧだけがパターン領域ＰＡに入った状態では、照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧ上のブラインド４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔は例えばＤ１まで広がっており、照明領域ＩＲＤ等のうちの中心部の幅Ｄ１の部分に対応するプレートＰ上の領域がスリット幅Ｄ１の露光領域ＰＲＤ等となっている。そして、第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣはパターン領域ＰＡの外部にあるため、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ上のブラインド４１Ａ，４１Ｂは閉じたままである。

その後、第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣもパターン領域ＰＡに入ると、図６（Ａ）に示すように、ブラインド４１Ａ，４１ＢのＸ方向の間隔は、ブラインド４１Ｃ，４１Ｄの間隔と同じ間隔（例えばＤ１より広いＤ２）に設定されており、プレートＰ上の第１列の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣのスリット幅と、第２列の露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧのスリット幅とは同じ値Ｄ２となっており、そのスリット幅はさらに次第に拡張される。また、この露光方法では、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのＸ方向の中心位置は同じ位置に固定されている。そのため、図６（Ａ）において、照明領域ＩＲＡ，ＩＲＤに対応するプレートＰ上の露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤの傾斜部で二重露光される継ぎ部４４Ａａの中心の、プレートＰ上のパターン形成領域の−Ｙ方向の端部からの距離ＹＡは、全開にされた露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤの傾斜部で二重露光された図３（Ｃ）に示す継ぎ部４４Ａの距離ＹＡと同じである。
このように、継ぎ部４４ＡａのＹ方向における継ぎ位置をそのままにして（継ぎ位置を残すようにして）、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を狭くすることができる。

ここで、一例として、式（２）においてスリット幅Ｄとして露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの全開時のスリット幅である最大値Ｄｍを代入して得られる走査速度ＶＰを目標速度ＶＰｍとする。そして、ステップ１０８において、マスクステージ２１（マスクＭ）及びプレートステージ２２（プレートＰ）の＋Ｘ方向への走査速度がその目標速度ＶＰｍに達したときに、ステージ２１，２２の走査速度をその目標速度ＶＰｍに固定して、マスクＭ及びプレートＰを一定速度で＋Ｘ方向に走査する。ステップ１０８と並行してステップ１１０においては、図６（Ｂ）に示すように、ブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔が照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの幅よりも広くなり、対応する露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄが最大値Ｄｍまで広くなり、スリット幅Ｄはその最大値Ｄｍに固定される。この状態では、図６（Ｃ）に示すように、プレートＰのパターン形成領域４３Ａは、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してマスクＭと同期して＋Ｘ方向に走査されており、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ間には図３（Ｃ）に示す継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆが形成される。

その後、ステップ１１２において、マスクステージ２１及びプレートステージ２２の減速が開始され、ステップ１１２と並行してステップ１１４において、ブラインド機構４０によってプレートＰ上の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄがプレートステージ２２の走査速度ＶＰの減少に応じて式（２）に従って実質的に連続的に縮小される。そして、図７（Ａ）に示すように、第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧだけがパターン領域ＰＡ外に出た状態では、照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧ上のブラインド４１Ｃ，４１Ｄは完全に閉じており、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ上のブラインド４１Ａ，４１ＢのＸ方向の間隔は例えばＤ３まで縮小されており、照明領域ＩＲＡ等に対応するプレートＰ上の露光領域ＰＲＡ等のスリット幅もＤ３に縮小されている。

そして、ステップ１１６において、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣもパターン領域ＰＡ外に出たときに、マスクステージ２１及びプレートステージ２２が停止し、図７（Ｂ）に示すように、ブラインド４１Ａ，４１Ｂも完全に閉じて、照明光ＥＬの照射が停止され（ステップ１１８）、パターン形成領域４３Ａに対する走査露光が終了する。その後、例えばプレートＰ上の別のパターン形成領域（不図示）を露光する場合には、プレートステージ２２を駆動してプレートＰのその別のパターン形成領域を露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対して＋Ｘ方向側に移動する。そして、ステップ１０２〜１１８の動作が繰り返される。ただし、マスクＭ及びプレートＰは矢印５３Ｂで示す−Ｘ方向に走査される。

この露光方法において、パターン形成領域４３Ａの露光時のステージ２１及び２２の走査速度ＶＭ，ＶＰは、図８（Ａ）の実線の曲線Ｃ１で示すようにマスクステージ２１のＸ方向の位置に応じて、長さＬＸ３の加速区間では次第に加速され、長さＬＸ４の定速区間では一定速度となり、長さＬＸ３の減速区間で次第に減速される。また、加速開始時のマスクステージ２１のＸ方向の位置をＸ１、減速開始後に停止したときのマスクステージ２１のＸ方向の位置をＸ２とすると、位置Ｘ１，Ｘ２の差（＝Ｘ２−Ｘ１）がマスクステージ２１の移動ストロークＳＸ１となる。長さＬＸ３，ＬＸ３を用いて移動ストロークＳＸ１は次のようになる。

ＳＸ１＝ＬＸ４＋２・ＬＸ３ …（３）
さらに、パターン形成領域４３Ａの次のパターン形成領域に露光する際には、ステージ２１，２２の移動速度ＶＭ，ＶＰは、曲線Ｃ１の符号を反転した点線の曲線Ｃ２で示すように変化するが、マスクステージ２１の移動ストロークはＳＸ１である。
また、図５（Ａ）において、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのＸ方向の幅をＬＸ２、マスクＭのパターン領域ＰＡのＸ方向の長さをＬＸ１とすると、図７（Ｂ）に示すように、走査露光終了時には、マスクステージ２１はさらに照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの幅ＬＸ２だけ移動している必要があるため、マスクステージ２１の移動ストロークＳＸ１はほぼ次のようになる。

ＳＸ１＝ＬＸ１＋２・ＬＸ２ …（４）
これに対して、マスクステージ２１の加減速中にはプレートＰの露光を行わない露光方法（以下、比較例という）では、走査開始時のマスクステージ２１及びマスクＭのパターン領域ＰＡの位置は、それぞれ図５（Ａ）に２点鎖線で示すように、本実施形態の露光方法の場合の走査開始位置に対して−Ｘ方向に長さＬＸＡの加速区間だけ離れた位置５１Ａ及び５２Ａにある。さらに、その比較例では、走査露光終了時のマスクステージ２１及びマスクＭのパターン領域ＰＡの位置は、それぞれ図７（Ｂ）に２点鎖線で示すように、本実施形態の露光方法の場合の走査終了位置に対して＋Ｘ方向に長さＬＸＡの減速区間だけ離れた位置５１Ｂ及び５２Ｂに達している。このため、その比較例におけるマスクステージ２１のＸ方向の移動ストロークＳＸ２は、図８（Ａ）及び次式で示すように、本実施形態の場合の移動ストロークＳＸ１よりも２・ＬＸＡだけ長くなる。

ＳＸ２＝ＳＸ１＋２・ＬＸＡ …（５）
式（５）における加減速区間の長さＬＸＡは、式（３）における本実施形態の加減速区間の長さＬＸ３とほぼ同じであるため、本実施形態の露光方法によれば、比較例に比べて、マスクステージ２１の移動ストロークＳＸ１をほぼ加減速区間の長さＬＸ３の２倍だけ短縮できる。従って、マスクステージ２１が載置される第１ベース部材（不図示）、マスクステージ２１をＸ方向に駆動するリニアモータ等を含む駆動機構、及びレーザ干渉計２３Ａ用のＹ軸の移動鏡２３ＭＹ（位置計測機構）のＸ方向の長さもほぼ加減速区間の長さＬＸ３（ＬＸＡ）の２倍だけ短縮できる。このため、マスクＭが大型化してもマスクステージ２１用の第１ベース部材、駆動機構、及び位置計測機構の大型化を抑制できる。さらに、マスクステージ２１の加減速期間でもプレートＰを露光できるため、プレートＰの全部のパターン形成領域に対する露光時間を短縮でき、露光工程のスループット（生産性）を大幅に向上できる。

同様に、プレートステージ２２が載置される第２ベース部材（不図示）、プレートステージ２２のリニアモータ等を含むＸ方向への駆動機構、及び位置計測機構（移動鏡２３ＰＹ等）のＸ方向の長さも、ほぼプレートステージ２２の加減速時の移動量の２倍だけ短縮できる。従って、プレートＰが大型化してもプレートステージ２２用の第２ベース部材、駆動機構、及び位置計測機構の大型化を抑制できる。このため、露光装置ＥＸの全体としての大型化を抑制でき、露光装置ＥＸの製造コストを低減できる。

また、ステージ２１，２２の走査速度ＶＭ，ＶＰが図８（Ａ）に示すように変化しても、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄは、図８（Ｂ）に示すように走査速度ＶＰに比例して変化するため、プレートＰ上の各点の露光量ΣＥは、図８（Ｃ）に示すように目標値に維持され、高精度に露光が行われる。なお、本実施形態では、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧが２列に配置され、最初に第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧ（露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧ）によるプレートＰの露光が開始されてから、ほぼ長さＬＸ２だけステージ２１，２２が移動した後、第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ（露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣ）によるプレートＰの露光が開始される（図５（Ｂ）参照）。そして、露光終了時にはまず第２列の露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧによるプレートＰの露光が終了するため、プレートＰ上の露光量ΣＥで露光が行われている区間（例えばパターン形成領域４３Ａ）のＸ方向の長さは、マスクＭのパターン領域ＰＡの長さＬＸ１と同じである。

上述のように、本実施形態の露光方法及び露光装置ＥＸは、露光用の照明光ＥＬ（露光光）でマスクＭのパターン及び複数の部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧ（投影光学系）を介してプレートＰ（基板）の複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを露光しつつ、マスクＭ及びプレートＰを部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対して同期して走査する露光方法及び装置である。そして、その露光方法は、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間には継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆ等を備え、プレートＰの走査露光中にプレートＰの走査速度ＶＰを変化させるステップ１０４，１１２と、プレートＰの走査速度ＶＰに応じて露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄ（走査方向の幅）を制御するステップ１０６，１１４と、を有する。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧが、それらの間に継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆが設けられるように配置されるとともに、プレートＰを部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対してＸ方向（走査方向）に走査するプレートステージ２２（基板ステージ）と、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを制御するブラインド機構４０（露光領域制御機構）と、プレートＰの走査露光中に、プレートステージ２２を介してプレートＰの走査方向の速度を変化させるとともに、プレートＰの走査速度ＶＰに応じて、ブラインド機構４０を介して露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを制御する主制御装置２０（制御部）と、を備えている。

本実施形態の露光方法又は露光装置ＥＸによれば、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを用いてプレートＰを走査露光する場合に、走査露光時のマスクＭの移動ストローク（移動距離）を短縮できるとともに、プレートＰの露光時間を短縮して露光工程のスループットを向上できる。また、マスクＭの移動ストロークの短縮によって、マスクＭ用のステージ（マスクステージ２１）及びプレートステージ２２の駆動機構、及び位置計測機構の大型化を抑制できる。

なお、上述の実施形態では、以下のような変形が可能である。
まず、上述の実施形態では、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ（照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ）が並列に配置されているが、例えば一つの投影光学系の一つの露光領域を用いてマスクのパターンの像をプレートＰに露光する場合にも上述の実施形態の露光方法が適用できる。この場合、一例として、プレートＰの走査速度に応じてスリット幅が制御されるその露光領域を用いて、プレートＰ上のＸ方向に沿って配列された一つの部分パターン形成領域にマスクのパターンの像を走査露光した後、プレートＰをＹ方向にステップ移動する。そして、マスク及びプレートＰを逆方向に走査しながら、そのスリット幅が制御される露光領域を用いて、その部分パターン形成領域に継ぎ部（露光領域の傾斜部によって二重露光される部分）を挟んで隣接する部分パターン形成領域にそのマスクのパターンの像を走査露光する。この場合にも、マスクの移動ストロークを短縮でき、露光時間を短縮できる。

また、上述の実施形態では、ブラインド機構４０は４枚のブラインド４１Ａ〜４１Ｄを備えているが、図９（Ａ）の変形例のブラインド機構４０Ａで示すように、２枚のブラインド４１Ａ，４１Ｃのみを用いて露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを制御してもよい。
図９（Ａ）において、ブラインド機構４０Ａは、第１列の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣのスリット幅を制御するために、対応する照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣの遮光量を調節するブラインド４１Ａと、第２列の露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧのスリット幅を制御するために、対応する照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧの遮光量を調節するブラインド４１Ｃと、ブラインド４１Ａ，４１ＣのＸ方向の位置及び速度を制御する駆動部４２Ａと、ブラインド４１Ａ，４１Ｃの端部を支持するガイド部４２Ｂとを有する。

例えば照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対してマスクＭを＋Ｘ方向に走査する（露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してプレートＰを＋Ｘ方向に走査する）ときに、マスクＭ（プレートＰ）の走査速度に比例して露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを次第に広げる場合、図９（Ａ）に示すように、ブラインド機構４０Ａのブラインド４１Ａ及び４１Ｃでそれぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧの全面を覆った状態から、マスクＭ（プレートＰ）の走査速度に応じてブラインド４１Ａ及び４１Ｃをそれぞれ−Ｘ方向に移動する。これによって、照明領域ＩＲＡ，ＩＲＤ等のうちで遮光されない部分のプレートＰ上の像である露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤ等のスリット幅が次第に広くなる。図９（Ａ）の状態では、露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤ等のスリット幅はＤ２であり、露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤの傾斜部で二重露光されるプレートＰ上の継ぎ部４４ＡｂのＹ方向の中心は、図６（Ａ）のように、ブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１Ｄを照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧのＸ方向の中心に関してＸ方向に対称に広げる場合の継ぎ部４４ＡａのＹ方向の中心よりも−Ｙ方向にずれている。

また、マスクＭ及びプレートＰを一定速度で走査しており、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を最大値に設定しているときには、図９（Ｂ）に示すように、ブラインド４１Ａ及び４１Ｃはそれぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧに対して−Ｘ方向に待避している。その後、マスクＭ（プレートＰ）を減速するときには、ブラインド４１Ａ及び４１Ｃをそれぞれ＋Ｘ方向に移動して、ブラインド４１Ａ及び４１Ｃによる照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧの遮光幅を広くしていけばよい。その後、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対してマスクＭ（プレートＰ）を−Ｘ方向に走査してプレートＰを露光する際には、加速時にはブラインド４１Ａ，４１Ｃを＋Ｘ方向に移動し、減速時にはブラインド４１Ａ，４１Ｃを−Ｘ方向に移動すればよい。この変形例によれば、簡単な構成のブラインド機構４０Ａを用いて、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を制御できる。

なお、上述の実施形態では、ブラインド機構４０，４０Ａの駆動部４２Ａ及びガイド部４２Ｂは例えば照明系ＩＳを保持するフレーム（不図示）に支持されているが、駆動部４２Ａ及びガイド部４２Ｂをマスクステージ２１で支持することも可能である。この場合には、駆動部４２Ａ及びガイド部４２Ｂの長さをマスクステージ２１の移動ストローク程度にして、マスクステージ２１の走査速度に応じて、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄ又は４１Ａ，４１Ｃを全体として逆方向に移動する必要がある。ただし、マスクＭの走査方向と同じ方向に移動しているときのブラインド（例えば図６（Ａ）のブラインド４１Ａ，４１Ｃ）に関しては、マスクステージ２１の走査速度が加算されるため、マスクステージ２１に対する移動速度を他のブラインドよりも遅くすることができ、位置制御が容易になる。これは、以下の実施形態においても同様である。

また、４個のマスク側のブラインド４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄは、Ｚ軸に平行な軸を中心にしてＸＹ平面内で傾斜可能に構成することもできる。このようにして、マスクステージ２１の走査方向がＸ方向からずれた場合にも対応できるようにすることもできる。
また、本実施形態では、４個のマスク側のブラインド４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４１Ｄをそれぞれ一体にして構成したが、各露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を個別に制御できるように別体に構成することもできる。この場合、例えばブラインド４１Ａ，４１Ｂは、３つの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣに対応させて、それぞれ３個の互いに独立にＸ方向に駆動可能な３つの可動ブラインドから構成される。

［第２の実施形態］
第２の実施形態につき図１０〜図１２（Ｄ）を参照して説明する。本実施形態においても図１の露光装置ＥＸを使用するが、プレートＰの異なるレイヤに露光するときに露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部の非走査方向（Ｙ方向）の位置を異ならせる点が異なっている。ただし、本実施形態では、マスク及びプレートの加減速時にはプレートを露光することなく、マスク及びプレートの速度が所定の走査速度に達してからプレートを露光するようにしてもよい。この場合、マスクステージ２１及びプレートステージ２２の駆動機構及び位置計測機構等のＸ方向の長さをその加減速に必要な距離だけ長くする必要がある。なお、図１１（Ａ）〜図１２（Ｄ）において図３（Ａ）〜（Ｃ）及び図５（Ａ）〜図６（Ｃ）に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。

本実施形態の露光方法の一例につき図１０のフローチャートを参照して説明する。この露光方法は図２の主制御装置２０によって制御される。まず、図１０のステップ１２２において、図１のマスクステージ２１にマスクＭをロードし、プレートステージ２２にフォトレジストが塗布されたプレートＰをロードして、マスクＭ及びプレートＰのアライメントを行う。マスクＭには、プレートＰの第１レイヤ用のパターンが形成されているものとする。さらに、図３（Ａ）のブラインド機構４０のブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔内にある照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧ（以下、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの有効領域ともいう。）のＸ方向の中心が、それぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧのＸ方向の中央に設定されるように、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄの位置を設定する。

そして、ステップ１２４において、マスクＭのパターンの部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧによる像でプレートＰの第１レイヤのパターン形成領域４３Ａ（図３（Ｃ）参照）及び他のパターン形成領域（不図示）をそれぞれ走査露光する。この走査露光時のマスクＭ及びプレートＰを一定速度で走査しているときの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄは例えば最大値Ｄｍよりも小さいＤ４であるとする。このときのプレートＰの走査速度ＶＰは上述の式（２）を満たす値である。また、この走査露光時のパターン形成領域４３Ａにおける露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧ間の図３（Ｃ）に示す継ぎ部４４Ａ〜４４ＦのそれぞれのＹ方向の中心位置（以下、継ぎ位置という）は、例えば露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄを最大値にした場合の継ぎ位置ＹＡ等と同じである。ただし、本実施形態の露光方法ではスリット幅Ｄ４が最大値よりも狭いため、継ぎ部４４Ａ〜４４ＦのＹ方向の幅は、最大値ｄよりも狭いｄ２となる。

次のステップ１２６において、プレートＰをコータ・デベロッパ（不図示）により現像し、エッチング装置（不図示）においてプレートＰの第１レイヤのパターンを形成し、薄膜形成装置（不図示）を用いてプレートＰに第２レイヤ用の薄膜を形成し、コータ・デベロッパ（不図示）によってプレートＰにフォトレジストを塗布する。
次のステップ１２８において、図１のマスクステージ２１に第２レイヤ用のマスクＭ１をロードし、プレートステージ２２に第２レイヤ用のフォトレジストが塗布されたプレートＰをロードして、マスクＭ１及びプレートＰのアライメントを行う。さらに、図３（Ａ）のブラインド機構４０のブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔内にある照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの有効領域のＸ方向の中心が、それぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧのＸ方向の中央から＋Ｘ方向にずれた位置に設定されるように、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄの位置を設定する。

そして、ステップ１３０において、マスクＭ１のパターン領域ＰＡ１内のパターンの部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧによる像でプレートＰの第２レイヤのパターン形成領域４３Ａ（図１１（Ｂ）参照）及び他のパターン形成領域（不図示）をそれぞれ走査露光する。この走査露光時のマスクＭ１及びプレートＰを一定速度で走査しているときの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄは、図１１（Ａ）に示すように、第１レイヤの露光時と同じＤ４に設定されている。この走査露光時のパターン形成領域４３Ａにおける露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４５Ａ〜４５ＦのＹ方向の幅は、図１１（Ｂ）に示すように第１レイヤの露光時と同じｄ２である。これに対して、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの形状は、スリット幅が最大である場合の点線で示す形状のうちの＋Ｘ方向側の部分であり、図３（Ｃ）の場合に対して、図１１（Ｂ）の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの−Ｙ方向の傾斜部、及び露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの＋Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置はそれぞれδだけ−Ｙ方向にずれており、図１１（Ｂ）の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＣの＋Ｙ方向の傾斜部、及び露光領域ＰＲＤ〜ＰＲＧの−Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置はそれぞれδだけ＋Ｙ方向にずれている。そのずれ量δは、例えば継ぎ部の最大幅ｄの１／２〜数分の１程度である。

この結果、例えば−Ｙ方向の端部から１番目及び２番目の継ぎ部４５Ａ，４５Ｂの継ぎ位置のパターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向の端部からの距離はそれぞれほぼ（ＹＡ−δ）及び（２・ＹＡ＋ｄ／２＋δ）となる。従って、この第２レイヤの継ぎ部４５Ａ，４５Ｃ，４５Ｅの継ぎ位置は、第１レイヤの継ぎ部４４Ａ，４４Ｃ，４４Ｅの継ぎ位置に対してδだけ−Ｙ方向に変更され、第２レイヤの継ぎ部４５Ｂ，４５Ｄ，４５Ｆの継ぎ位置は、第１レイヤの継ぎ部４４Ｂ，４４Ｄ，４４Ｆの継ぎ位置に対してδだけ＋Ｙ方向に変更されていることになる。

次のステップ１３２において、プレートＰをコータ・デベロッパ（不図示）により現像し、エッチング装置（不図示）においてプレートＰの第２レイヤのパターンを形成し、薄膜形成装置（不図示）を用いてプレートＰに第３レイヤ用の薄膜を形成し、コータ・デベロッパ（不図示）によってプレートＰにフォトレジストを塗布する。
そして、ステップ１３４において、図１のマスクステージ２１に第３レイヤ用のマスクＭ２をロードし、プレートステージ２２に第３レイヤ用のフォトレジストが塗布されたプレートＰをロードして、マスクＭ２及びプレートＰのアライメントを行う。さらに、図３（Ａ）のブラインド機構４０のブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１ＤのＸ方向の間隔内にある照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの有効領域のＸ方向の中心が、それぞれ照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣ及びＩＲＤ〜ＩＲＧのＸ方向の中央から−Ｘ方向にずれた位置に設定されるように、ブラインド４１Ａ〜４１Ｄの位置を設定する。

次のステップ１３６において、マスクＭ２のパターン領域ＰＡ２内のパターンの部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧによる像をプレートＰの第３レイヤのパターン形成領域４３Ａ（図１１（Ｄ）参照）及び他のパターン形成領域（不図示）にそれぞれ走査露光する。この走査露光時のマスクＭ２及びプレートＰを一定速度で走査しているときの露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅Ｄは、図１１（Ｃ）に示すように、第１レイヤの露光時と同じＤ４に設定されている。この走査露光時のパターン形成領域４３Ａにおける露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４６Ａ〜４６ＦのＹ方向の幅は、図１１（Ｄ）に示すように第１レイヤの露光時と同じｄ２である。これに対して、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの形状は、スリット幅が最大である場合の点線で示す形状のうちの−Ｘ方向側の部分である。

この結果、例えば−Ｙ方向の端部から１番目及び２番目の継ぎ部４６Ａ，４６Ｂの継ぎ位置のパターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向の端部からの距離はそれぞれほぼ（ＹＡ＋δ）及び（２・ＹＡ＋ｄ／２−δ）となる。従って、この第３レイヤの継ぎ部４６Ａ，４６Ｃ，４６Ｅの継ぎ位置は、図３（Ｃ）の第１レイヤの継ぎ部４４Ａ，４４Ｃ，４４Ｅの継ぎ位置に対してδだけ＋Ｙ方向に変更され、第３レイヤの継ぎ部４６Ｂ，４６Ｄ，４６Ｆの継ぎ位置は、第１レイヤの継ぎ部４４Ｂ，４４Ｄ，４４Ｆの継ぎ位置に対してδだけ−Ｙ方向に変更されていることになる。このように第３レイヤの継ぎ部４６Ａ〜４６Ｆの継ぎ位置は、第２レイヤの継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの継ぎ位置に対してＹ方向に沿って逆方向にずれている。

次のステップ１３８において、プレートＰをコータ・デベロッパ（不図示）により現像し、エッチング装置（不図示）においてプレートＰの第３レイヤのパターンを形成する。さらに、必要に応じて、プレートＰに第４レイヤ等のパターンを形成することで、表示装置用のパネルを製造できる。
この露光方法によれば、プレートＰの第１レイヤの継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆの継ぎ位置に対して、プレートＰの第２レイヤの継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの継ぎ位置、及び第３レイヤの継ぎ部４６Ａ〜４６ＦのＹ方向の継ぎ位置は、互いにＹ方向（非走査方向）に逆方向にずれている。このため、仮に継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆ，４５Ａ〜４５Ｆ及び４６Ａ〜４６Ｆのわずかな露光量むらによってそれぞれプレートＰの第１レイヤ、第２レイヤ、及び第３レイヤの回路パターンの線幅等が部分的にわずかに変化していても、その線幅等が変化している部分はＹ方向にずれており、その線幅等が変化している部分が強調されることがない。このため、プレートＰに形成されるレイヤの数が増加しても、最終的に製造されるディスプレイ装置の画面に現れる微妙な輝度むら等の影響を低減できる。

上述のように本実施形態の露光方法及び露光装置ＥＸは、露光用の照明光ＥＬでマスクＭ，Ｍ１，Ｍ２のパターン及び部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧ（投影光学系）を介してプレートＰ（基板）の複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを露光しつつ、そのマスク及びプレートＰを部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対して同期して走査する露光方法及び露光装置である。そして、その露光方法は、プレートＰの第１レイヤ（第１の層）を走査露光するステップ１２４と、プレートＰの第２レイヤ（第２の層）を走査露光するステップ１３０とを有し、その第１レイヤの走査露光中における露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆの継ぎ位置（Ｙ方向の中心位置）に対して、その第２レイヤの走査露光中における継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの継ぎ位置を変化させている。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆ等のＹ方向（非走査方向）の位置を制御するブラインド機構４０（露光領域制御機構）と、プレートＰの第１レイヤの走査露光中における露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆの継ぎ位置に対して、プレートＰの第２レイヤの走査露光中における継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの継ぎ位置を変化させるように、ブラインド機構４０を介して継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆ及び４５Ａ〜４５Ｆの位置を制御する主制御装置２０（制御部）とを備えている。

本実施形態の露光方法又は露光装置ＥＸによれば、プレートＰの第１レイヤの継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆの継ぎ位置と第２レイヤの継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの継ぎ位置とを変えることによって、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを用いてプレートＰの複数のレイヤの走査露光を行う場合に、継ぎ部の露光量むらの影響を低減できる。
なお、上述の実施形態においては、レイヤ毎に継ぎ部の継ぎ位置を変えているが、少なくともマスク及びプレートを一定速度で走査しているときには、継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆ等の非走査方向（Ｙ方向）の幅は一定である。これに対して、例えばプレートＰ上に形成すべき回路パターンで必要とされる精度に応じて、継ぎ部の幅を変化させてもよい。これは、例えばプレートＰ上のレイヤ毎に、又はプレートＰのパターン形成領域（電子デバイス）毎に、継ぎ部のＹ方向の幅を変化させることを意味する。

例えば、プレートＰの他のパターン形成領域４３Ｂ（図１２（Ｂ）参照）に図１２（Ａ）のマスクＭ３のパターンを露光する際の継ぎ部のＹ方向の幅を、図１１（Ｂ）における継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの幅ｄ２に対して変化させる場合につき説明する。この場合、図１２（Ａ）に示すように、マスクステージ２１によってマスクＭ３を照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対して＋Ｘ方向に走査する際に、ブラインド機構４０のブラインド４１Ａ，４１Ｂ及び４１Ｃ，４１Ｄによって、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧの有効領域をＸ方向の中央の幅Ｄ５の部分に設定する。幅Ｄ５は図１１（Ａ）の幅Ｄ４とは異なっている。このとき、対応する露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅（Ｘ方向の幅）はＤ５となる。

そして、プレートＰのパターン形成領域４３Ｂにおいて、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間の継ぎ部４４Ａ１〜４４Ｆ１のＹ方向の幅は、そのスリット幅Ｄ５に比例した幅ｄ３となる。そのスリット幅Ｄ５が幅Ｄ４よりも広い場合には、継ぎ部４４Ａ１〜４４Ｆ１の幅ｄ３は図１１（Ｂ）の継ぎ部４５Ａ〜４５Ｆの幅ｄ２よりも広くなり、スリット幅Ｄ５が幅Ｄ４よりも狭い場合には幅ｄ３は幅ｄ２よりも狭くなる。このように、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅を制御することで、継ぎ部のＹ方向の幅を必要な精度に応じて最適な幅に制御できる。

また、上述の実施形態においては、継ぎ部の継ぎ位置を変えるためにブラインド機構４０を用いているが、図１２（Ｃ）及び（Ｄ）に示す変形例のように、ブラインド機構４０（第１制御機構）及び図３（Ｂ）のシャッタ機構３８（第２制御機構）を用いて継ぎ位置を変えることもできる。以下では、プレートＰの第３レイヤに露光する際の継ぎ位置の変更方法につき説明する。

この変形例において、ブラインド機構４０及びシャッタ機構３８を用いて継ぎ位置を変えるためには、図１２（Ｃ）に示すように、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対して第３レイヤ用のマスクＭ２を＋Ｘ方向に走査しているときに、ブラインド機構４０のブラインド４１Ｂで第１列の照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＣの−Ｘ方向の端部を遮光し、ブラインド４１Ｃで第２列の照明領域ＩＲＤ〜ＩＲＧの＋Ｘ方向の端部を遮光する。この際に、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧ内で遮光されていない部分のＸ方向の幅を図１１（Ｃ）の場合と同じＤ４に設定する。これによって、図１２（Ｄ）に示すように、マスクＭ２のパターンの像が露光されるプレートＰのパターン形成領域４３Ａ内で露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのスリット幅はＤ４に設定される。

ただし、この変形例では、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧのうちの面積の広い部分（像高が部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧの光軸に近い部分）が使用されている点が、図１１（Ｃ）及び（Ｄ）に示す例とは異なっている。このままでは、例えば露光領域ＰＲＤの＋Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置と、露光領域ＰＲＡの−Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置とが異なってしまい、二重露光による継ぎ部を設けることができない。そこで、例えば露光領域ＰＲＤの＋Ｙ方向の傾斜部の中心位置に、露光領域ＰＲＡの−Ｙ方向の傾斜部の中心位置を合わせるために、図３（Ｂ）のシャッタ機構３８を用いて、シャッタ部３６Ａで露光領域ＰＲＡに対応する視野絞り３５Ａの開口３５Ａａの−Ｙ方向の一部を遮光する。

そして、そのシャッタ部３６ＡのマスクＭ２のパターン面（照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧが形成される面）における共役像を図１２（Ｃ）のシャッタ部の像３６ＡＰとする。図１２（Ｃ）において、シャッタ部の像３６ＡＰの＋Ｙ方向の傾斜部の中心位置が、照明領域ＩＲＤの幅Ｄ４の部分の＋Ｙ方向の傾斜部の中心位置と同じ位置になるようにシャッタ部３６Ａの遮光量（Ｙ方向の位置）を制御する。これによって、図１２（Ｄ）に示すように、シャッタ部３６Ａによって制限された露光領域ＰＲＡの−Ｙ方向の傾斜部の中心位置と、露光領域ＰＲＤの＋Ｙ方向の傾斜部の中心位置とが等しくなり、それらの傾斜部で二重露光される部分がパターン形成領域４３Ｃ上の幅ｄ２の継ぎ部４４Ａ２となる。幅ｄ２は図１１（Ｄ）の継ぎ部４６Ａの幅と同じである。また、継ぎ部４４Ａ２の継ぎ位置のパターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向からの距離は、継ぎ部４６Ａの場合と同じ（ＹＡ＋δ）であり、そのずれ量δは、露光領域ＰＲＤのスリット幅Ｄ４及びＸ方向の中心位置に応じて定まる値である。

同様に、図３（Ｂ）の他のシャッタ部３６Ｂ１，３６Ｂ２，３６Ｃ，３６Ｅ，３６ＦのマスクＭ２のパターン面における共役像を図１２（Ｃ）の像３６Ｂ１Ｐ，３６Ｂ２Ｐ，３６ＣＰ，３６ＥＰ，３６ＦＰとする。このとき、像３６Ｂ１Ｐ，３６Ｂ２Ｐ，３６ＣＰ，３６ＥＰ，３６ＦＰによって制限される照明領域ＩＲＢ，ＩＲＣ，ＩＲＥ，ＩＲＦの幅Ｄ４に対応する部分を図１２（Ｄ）の露光領域ＰＲＢ，ＰＲＣ，ＰＲＥ，ＰＲＦとする。そして、露光領域ＰＲＡの＋Ｙ方向の傾斜部、露光領域ＰＲＢの±Ｙ方向の傾斜部、及び露光領域ＰＲＣの−Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置と、対応する露光領域ＰＲＥの−Ｙ方向の傾斜部、露光領域ＰＲＥの＋Ｙ方向の傾斜部、露光領域ＰＲＦの−Ｙ方向の傾斜部、及び露光領域ＰＲＧの−Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の中心位置とが等しくなるように、シャッタ部３６Ｂ１，３６Ｂ２，３６Ｃ，３６Ｅ，３６ＦのＹ方向の位置を制御する。

これによって、露光領域ＰＲＡの＋Ｙ方向の傾斜部及び露光領域ＰＲＥの−Ｙ方向の傾斜部で二重露光される部分、露光領域ＰＲＥの＋Ｙ方向の傾斜部及び露光領域ＰＲＢの−Ｙ方向の傾斜部で二重露光される部分、露光領域ＰＲＢの＋Ｙ方向の傾斜部及び露光領域ＰＲＦの−Ｙ方向の傾斜部で二重露光される部分、露光領域ＰＲＦの＋Ｙ方向の傾斜部及び露光領域ＰＲＣの−Ｙ方向の傾斜部で二重露光される部分、及び露光領域ＰＲＣの＋Ｙ方向の傾斜部及び露光領域ＰＲＧの−Ｙ方向の傾斜部で二重露光される部分がそれぞれパターン形成領域４３Ｃ上で幅ｄ２の継ぎ部４４Ｂ２，４４Ｃ２，４４Ｄ２，４４Ｅ２，４４Ｆ２となる。

また、−Ｙ方向から２番目の継ぎ部４４Ｂ２の継ぎ位置のパターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向からの距離は、（２・ＹＡ＋ｄ／２＋δ）であり、図１１（Ｄ）の継ぎ部４６Ｂの場合に対してずれ量δの符号が反転している。これは、図１２（Ｄ）の変形例では、露光領域ＰＲＥの−Ｙ方向の傾斜部の位置を、露光領域ＰＲＡの＋Ｙ方向の傾斜部の位置に合わせていることによる。同様に、継ぎ部４４Ｃ２，４４Ｆ２の継ぎ位置は、図１１（Ｄ）の継ぎ部４６Ｃ，４６Ｆの継ぎ位置と同じ方向にずれているが、継ぎ部４４Ｄ２，４４Ｅ２の継ぎ位置は、図１１（Ｄ）の継ぎ部４６Ｄ，４６Ｅの継ぎ位置と逆の方向にずれている。

この場合でも、第２レイヤのパターンの像の継ぎ部４４Ａ２〜４４Ｆ２の継ぎ位置は、第１レイヤの継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆ（図３（Ｃ）参照）の継ぎ位置に対してδだけＹ方向に変更されているため、継ぎ部の露光量むらの影響を低減できる。
なお、この変形例において、図３（Ｂ）のシャッタ機構３８に、さらに露光領域ＰＲＡ，ＰＲＤ，ＰＲＥの＋Ｙ方向の傾斜部、及び露光領域ＰＲＣ，ＰＲＦ，ＰＲＧの−Ｙ方向の傾斜部のＹ方向の位置を制御する複数のシャッタ部（不図示）を設けておいてもよい。この場合、図１１（Ａ）の第２レイヤ用のマスクＭ１のパターンをパターン形成領域４３Ａの第２レイヤに露光するときには、図１２（Ｄ）の露光領域ＰＲＡの−Ｙ方向の傾斜部等に合わせて、露光領域ＰＲＤの＋Ｙ方向の傾斜部等の位置を制御すればよい。

また、上述の実施形態では、例えば第２レイヤの露光時に、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの傾斜部のＹ方向の中心位置を変更して、プレートのパターン形成領域に対する継ぎ位置のＹ方向の相対位置を変更している。これに対して、図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示す変形例のように、プレートＰの第２レイヤの露光時に、第１レイヤの露光時に対して、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対するマスクＭ１のＹ方向（非走査方向）の相対位置を変更してもよい。この変形例で使用される図１の露光装置ＥＸは、マスクステージ２１を不図示のベース部材に対してＹ方向（非走査方向）に所定の狭い範囲（例えばマスクのパターン領域を囲む遮光帯の幅程度の範囲）で移動する機構を備えている。

図１３（Ａ）は、この変形例で第２レイヤ用のマスクＭ１を照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対してＸ方向に走査する状態を示し、図１３（Ｂ）は、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対応する露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対してプレートＰのパターン形成領域４３ＡをＸ方向に走査している状態を示す。この走査露光によって、パターン形成領域４３Ａの第２レイヤにマスクＭ１のパターンの像が露光される。なお、パターン形成領域４３Ａの第１レイヤには、図３（Ｃ）に示す第１レイヤのマスクＭのパターンの露光、現像、及びエッチング等の工程によって、所定の回路パターンが形成されているものとする。

さらに、この変形例では、マスクＭ，Ｍ１のパターン領域ＰＡ，ＰＡ１を囲む遮光帯（不図示）の±Ｙ方向の部分に、第２列の両端の照明領域ＩＲＤ，ＩＲＧのＸ方向の幅が最大の部分（Ｙ方向に平行な部分）のうちで、幅ΔＹ２程度の部分が入っているものとする。
また、図１３（Ａ）に示すように、第１レイヤの露光時の図３（Ａ）のマスクＭ及びパターン領域ＰＡがそれぞれ２点鎖線で示す位置４７Ａ及び４７Ｂにあり、パターン領域ＰＡの＋Ｙ方向のエッジ部が照明領域ＩＲＧの＋Ｙ方向の傾斜部の−Ｙ方向の端部に近接した位置にあったものとする。この場合、マスクＭ１のパターンの露光時には、走査露光開始前にマスクステージ２１をＹ方向に駆動して、照明領域ＩＲＡ〜ＩＲＧに対するマスクＭ１及びこのパターン領域ＰＡ１のＹ方向の位置（相対位置）を、それぞれ位置４７Ａ及び４７Ｂに対して−Ｙ方向にΔＹ１だけシフトさせておく。そのシフト量ΔＹ１は、上述の遮光帯中の照明領域ＩＲＤ，ＩＲＧのＹ方向に平行な部分の幅ΔＹ２より小さく設定される。

これに対応して、走査露光開始前にプレートステージ２２を駆動して、マスクＭ１のパターンが露光されるプレートＰのパターン形成領域４３ＡのＹ方向の位置も、第１レイヤの露光時の位置４７Ｃに対して−Ｙ方向にΔＹ１だけシフトしておく。このようにパターン形成領域４３ＡのＹ方向の位置をシフトすることは、露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧに対するパターン形成領域４３Ａ（プレートＰ）のＹ方向の位置（相対位置）をシフトすることを意味する。そして、走査露光後には、図１３（Ｂ）のパターン形成領域４３Ａ内の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧの間に継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆが形成される。この場合、パターン形成領域４３Ａは位置４７ＣからΔＹ１だけＹ方向にシフトしているため、継ぎ部４４Ａ及び４４Ｂの継ぎ位置の、パターン形成領域４３Ａの−Ｙ方向の端部からの距離はそれぞれ（ＹＡ＋ΔＹ１）及び（ＹＡ＋ｄ／２＋ΔＹ１）となる。これらの距離は、図３（Ｃ）の第１レイヤでの距離に対してΔＹ１だけシフトしている。同様に他の継ぎ部４４Ｃ〜４４Ｆの継ぎ位置も第１レイヤにおける距離に対してΔＹ１だけシフトしている。このため、継ぎ部４４Ａ〜４４Ｆの露光量むらの影響を低減できる。さらに、プレートＰはマスクＭ１と同じ量だけＹ方向にシフトしているため、マスクＭ１のパターンの像は、プレートＰの第１レイヤの回路パターンに対して高精度に重ね合わせて露光される。

上述のようにこの変形例の露光方法は、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを露光しつつ、マスク及びプレートを部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対して同期して走査する露光方法において、プレートＰの第１レイヤの走査露光中における継ぎ部４４Ａ〜４４ＦのＹ方向の位置に対して、プレートＰの第２レイヤの走査露光中における継ぎ部４４Ａ〜４４ＦのＹ方向の位置を変化させるために、主制御装置２０の制御のもとで、第１レイヤの走査露光中におけるマスクＭ及びプレートＰの部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対するＹ方向の第１の相対位置（位置４７Ａ〜４７Ｃ）に対して、プレートＰの第２レイヤの走査露光中におけるマスクＭ１及びプレートＰの部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧに対するＹ方向の第２の相対位置をそれぞれシフト量ΔＹ１だけ変化させている。

この変形例によっても、複数の露光領域ＰＲＡ〜ＰＲＧを用いてプレートＰの第１レイヤ及び第２レイヤの走査露光を行う場合に、レイヤ毎に継ぎ部の継ぎ位置を変更することができ、継ぎ部の露光量むらの影響を低減できる。
なお、この変形例では、部分投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＧが等倍の正立正像を形成するために、マスクＭ１及びプレートＰのＹ方向のシフト量は等しく設定されている。しかしながら、投影光学系の非走査方向の倍率がβ（βは１又は１以外の任意の正又は負の実数）であるとすると、マスクＭ１のＹ方向のシフト量がΔＹＭ１であるとき、プレートＰのＹ方向のシフト量ΔＹＰ１は、次のようにマスクＭ１のシフト量のβ倍に設定される。

ΔＹＰ１＝β・ΔＹＭ１ …（６）
これによって、第１レイヤの回路パターンに対して第２レイヤのパターンの像が高精度に重ね合わされて露光される。
また、上述の各実施形態では、マルチレンズ型で等倍の投影システムＰＳが使用されているが、投影システムＰＳとして単一の投影光学系を使用する場合にも本発明が適用できる。さらに、投影光学系の投影倍率が拡大又は縮小の場合にも本発明が適用できる。
また、上述の第２の実施形態では、プレートのレイヤによって継ぎ部の継ぎ位置を変更しているが、例えば１枚のプレートの一つのパターン形成領域から多数の小型の表示素子（例えば携帯電話用の表示素子）を製造するような場合には、Ｙ方向（非走査方向）に隣接する２つの表示素子の境界部にその継ぎ位置を設定してもよい。

また、上記の各実施形態の露光装置ＥＸ又は露光方法を用いて、基板上に所定のパターン（ＴＦＴパターン等）を形成することによって、電子デバイス（マイクロデバイス）としての液晶ディスプレイ用のパネル（液晶表示パネル）を得ることもできる。以下、図１４のフローチャートを参照して、この製造方法の一例につき説明する。
図１４のステップＳ４０１（パターン形成工程）では、先ず、露光対象の基板上にフォトレジストを塗布して感光基板（プレートＰ）を準備する塗布工程、上記の露光装置を用いてパネル用のマスク（例えばマスクＭを含む）のパターンをその感光基板上の複数のパターン形成領域に露光する露光工程、及びその感光基板を現像する現像工程が実行される。この塗布工程、露光工程、及び現像工程を含むリソグラフィ工程によって、その基板上に所定のレジストパターンが形成される。このリソグラフィ工程に続いて、そのレジストパターンをマスクとしたエッチング工程、及びレジスト剥離工程等を経て、その基板上に所定パターンが形成される。そのリソグラフィ工程等は、その基板上のレイヤ数に応じて複数回実行される。

その次のステップＳ４０２（カラーフィルタ形成工程）では、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂに対応した３つの微細なフィルタの組をマトリックス状に多数配列するか、又は赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの３本のストライプ状の複数のフィルタの組を水平走査線方向に配列することによってカラーフィルタを形成する。その次のステップＳ４０３（セル組立工程）では、例えばステップＳ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とステップＳ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶セルを製造する。

その後のステップＳ４０４（モジュール組立工程）では、そのようにして組み立てられた液晶セルに表示動作を行わせるための電気回路、及びバックライト等の部品を取り付けて、液晶表示パネルとして完成させる。
上述の電子デバイスの製造方法によれば、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いてマスクのパターンを基板に転写する工程（ステップＳ４０１の一部）と、この工程によりそのパターンが転写された基板をそのパターンに基づいて加工（現像、エッチング等）する工程（ステップＳ４０１の他の部分）とを含んでいる。

この製造方法によれば、マスクのパターンを効率的に、及び／又は露光量むらの影響を小さくして高精度に基板に露光できるため、液晶表示パネルを効率的に、及び／又は高精度に製造できる。
なお、上述の電子デバイスの製造方法は、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)ディスプレイ、又はプラズマディスプレイ等の他のディスプレイ用のパネル等を製造する場合にも適用できる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

ＥＸ…露光装置、ＰＳ…投影システム、ＰＬＡ〜ＰＬＧ…部分投影光学系、Ｍ…マスク、Ｐ…プレート、ＰＲＡ〜ＰＲＧ…露光領域、２１…マスクステージ、２２…プレートステージ、３５Ａ〜３５Ｇ…視野絞り、３６Ａ〜３６Ｇ…シャッタ部、３８…シャッタ機構、４０，４０Ａ…ブラインド機構、４１Ａ〜４１Ｃ…ブラインド、４３Ａ…パターン形成領域、４４Ａ〜４４Ｆ…継ぎ部

Claims (23)

1. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、
   複数の前記露光領域の間には継ぎ部を備え、
   前記基板の走査露光中に前記基板の走査方向の速度を変化させることと、
   前記基板の前記走査方向の速度に応じて前記露光領域の前記走査方向の幅を制御することと、
   を含むことを特徴とする露光方法。
2. 前記基板の前記走査方向の速度が第１の速度のときに前記露光領域の前記走査方向の幅を第１の幅に設定し、
   前記基板の前記走査方向の速度が前記第１の速度より大きい第２の速度のときに、前記露光領域の前記走査方向の幅を前記第１の幅より広い第２の幅に設定することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
3. 前記基板の露光中に、前記基板を前記走査方向の速度が所定速度になるまで加速し、前記基板を前記走査方向に前記所定速度で走査した後、前記基板を減速させるとともに、
   前記基板の加速時又は減速時の前記露光領域の前記走査方向の幅を、前記基板を前記所定速度で走査しているときの前記露光領域の前記走査方向の幅より狭く設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
4. 前記基板は、前記走査方向に直交する非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を介して露光され、
   前記第１列及び第２列の投影光学系のそれぞれの前記露光領域の前記走査方向の幅を制御するために、
   前記非走査方向に沿って配置された第１の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第１列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第１の遮光部材による遮光幅を制御し、
   前記走査方向に沿って前記第１の遮光部材と重ならないように、かつ前記非走査方向に沿って配置された第２の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第２列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第２の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法。
5. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、
   前記基板の第１の層の走査露光中における複数の前記露光領域の間の継ぎ部の前記基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、
   前記基板の前記第１の層と異なる第２の層の走査露光中における前記継ぎ部の前記非走査方向の位置を変化させることを特徴とする露光方法。
6. 複数の前記露光領域はそれぞれ少なくとも一方の前記非走査方向のエッジ部が前記走査方向に対して傾斜しており、
   前記継ぎ部の前記非走査方向の位置を変化させるために、複数の前記露光領域の前記走査方向の幅、及び複数の前記露光領域の少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記非走査方向の位置の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
7. 前記投影光学系は、前記非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を有し、
   前記第１列及び第２列の投影光学系のそれぞれの前記露光領域の前記走査方向の幅を制御するために、
   前記非走査方向に沿って配置された第１の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第１列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第１の遮光部材による遮光幅を制御し、
   前記走査方向に沿って前記第１の遮光部材と重ならないように、かつ前記非走査方向に沿って配置された第２の遮光部材の前記走査方向に位置を制御して、前記第２列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第２の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
8. 前記投影光学系は、前記非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を有し、
   前記第１列及び第２列の投影光学系の前記露光領域のうち少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記非走査方向の位置の少なくとも一方を制御するために、
   前記エッジ部に沿って配置された第３の遮光部材の前記非走査方向の位置を制御して、前記少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記第３の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項６又は７に記載の露光方法。
9. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光方法において、
   前記基板の第１の層の走査露光中における複数の前記露光領域の間の継ぎ部の前記基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、
   前記基板の前記第１の層と異なる第２の層の走査露光中における前記継ぎ部の前記非走査方向の位置を変化させるために、
   前記基板の前記第１の層の走査露光中における前記マスク及び前記基板の前記投影光学系に対する前記非走査方向の第１の相対位置に対して、前記基板の前記第２の層の走査露光中における前記マスク及び前記基板の前記投影光学系に対する前記非走査方向の第２の相対位置を変化させることを特徴とする露光方法。
10. 前記投影光学系の前記非走査方向の投影倍率をβとしたとき、
    前記第１の相対位置に対して、前記第２の相対位置において、前記マスクが前記投影光学系に対して前記非走査方向に距離Ｌだけずれているときに、
    前記第２の相対位置において、前記基板は前記投影光学系に対して前記非走査方向にβ・Ｌだけずれていることを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
11. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、
    複数の前記露光領域は、複数の前記露光領域の間に継ぎ部が設けられるように配置されるとともに、
    前記基板を前記投影光学系に対して走査方向に走査する基板ステージと、
    前記露光領域の前記走査方向の幅を制御する露光領域制御機構と、
    前記基板の走査露光中に、前記基板ステージを介して前記基板の前記走査方向の速度を変化させるとともに、前記基板の前記走査方向の速度に応じて、前記露光領域制御機構を介して前記露光領域の前記走査方向の幅を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする露光装置。
12. 前記制御部は、
    前記基板の前記走査方向の速度が第１の速度のときに、前記露光領域制御機構を介して前記露光領域の前記走査方向の幅を第１の幅に設定し、
    前記基板の前記走査方向の速度が前記第１の速度より大きい第２の速度のときに、前記露光領域制御機構を介して前記露光領域の前記走査方向の幅を前記第１の幅より広い第２の幅に設定することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
13. 前記制御装置は、
    前記基板の露光中に、前記基板ステージを介して、前記基板を前記走査方向の速度が所定速度になるまで加速し、前記基板を前記走査方向に前記所定速度で走査した後、前記基板を減速させるとともに、
    前記露光領域制御機構を介して、前記基板の加速時又は減速時の前記露光領域の前記走査方向の幅を、前記基板を前記所定速度で走査しているときの前記露光領域の前記走査方向の幅より狭く設定することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の露光装置。
14. 前記走査方向に直交する非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を備え、
    前記露光領域制御機構は、
    前記非走査方向に沿って配置されて、前記走査方向の位置が可変の第１の遮光部材と、
    前記走査方向に沿って前記第１の遮光部材と重ならないように、かつ前記非走査方向に沿って配置されて、前記走査方向の位置が可変の第２の遮光部材とを有し、
    前記制御部は、
    前記第１列及び第２列の投影光学系のそれぞれの前記露光領域の前記走査方向の幅を制御するために、
    前記第１の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第１列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第１の遮光部材による遮光幅を制御し、
    前記第２の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第２列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第２の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の露光装置。
15. 前記マスクを前記基板の前記走査方向に対応する方法に走査するマスクステージを備え、
    前記第１及び第２の遮光部材は、前記マスクステージに対して前記走査方向に対応する方向に相対移動可能に支持されたことを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
16. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、
    複数の前記露光領域の間の継ぎ部の前記基板の走査方向に直交する非走査方向の位置を制御する露光領域制御機構と、
    前記基板の第１の層の走査露光中における、前記継ぎ部の前記非走査方向の位置に対して、前記基板の前記第１の層と異なる第２の層の走査露光中における、前記継ぎ部の前記非走査方向の位置を変化させるように、前記露光領域制御機構を介して前記継ぎ部の位置を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とする露光装置。
17. 複数の前記露光領域はそれぞれ少なくとも一方の前記非走査方向のエッジ部が前記走査方向に対して傾斜しており、
    前記露光領域制御機構は、
    複数の前記露光領域の前記走査方向の幅を制御する第１制御機構、及び
    複数の前記露光領域の少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記非走査方向の位置を制御する第２制御機構のうち、少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
18. 前記投影光学系は、前記非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を有し、
    前記露光領域制御機構の前記第１制御機構は、
    前記非走査方向に沿って配置されて、前記走査方向の位置が可変の第１の遮光部材と、
    前記走査方向に沿って前記第１の遮光部材と重ならないように、かつ前記非走査方向に沿って配置されて、前記走査方向の位置が可変の第２の遮光部材とを有し、
    前記制御部は、
    前記第１列及び第２列の投影光学系のそれぞれの前記露光領域の前記走査方向の幅を制御するために、
    前記第１の遮光部材の前記走査方向の位置を制御して、前記第１列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第１の遮光部材による遮光幅を制御し、
    前記第２の遮光部材の前記走査方向に位置を制御して、前記第２列の投影光学系の前記露光領域の前記走査方向の端部の前記第２の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
19. 前記投影光学系は、前記非走査方向に沿ってそれぞれ配列されるとともに、前記走査方向に離れて配置された第１列及び第２列の投影光学系を有し、
    前記露光領域制御機構の前記第２制御機構は、
    前記エッジ部に沿って配置されて前記非走査方向の位置が可変の第３の遮光部材を有し、
    前記制御部は、
    前記第１列及び第２列の投影光学系の前記露光領域のうち少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記非走査方向の位置の少なくとも一方を制御するために、
    前記第３の遮光部材の前記非走査方向の位置を制御して、前記少なくとも一つの露光領域の前記エッジ部の前記第３の遮光部材による遮光幅を制御することを特徴とする請求項１７又は１８に記載の露光装置。
20. 露光光でマスクのパターン及び少なくとも一つの投影光学系を介して基板の複数の露光領域を露光しつつ、前記マスク及び前記基板を前記少なくとも一つの投影光学系に対して同期して走査する露光装置において、
    前記基板を前記投影光学系に対して走査方向に走査可能であるとともに、前記基板を前記走査方向に直交する非走査方向に移動可能な基板ステージと、
    前記マスクを前記投影光学系に対して前記走査方向に対応する方向に走査可能であるとともに、前記マスクを前記非走査方向に対応する方向に移動可能なマスクステージと、
    前記基板ステージ及び前記マスクステージの動作を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記基板の第１の層の走査露光中における複数の前記露光領域の間の継ぎ部の前記基板の走査方向に直交する非走査方向の位置に対して、
    前記基板の前記第１の層と異なる第２の層の走査露光中における前記継ぎ部の前記非走査方向の位置を変化させるために、
    前記基板の前記第１の層の走査露光中における前記マスク及び前記基板の前記投影光学系に対する前記非走査方向の第１の相対位置に対して、前記基板の前記第２の層の走査露光中における前記マスク及び前記基板の前記投影光学系に対する前記非走査方向の第２の相対位置を、前記基板ステージ及び前記マスクステージを介して変化させることを特徴とする露光装置。
21. 前記投影光学系の前記非走査方向の投影倍率をβとしたとき、
    前記制御部は、
    前記第１の相対位置に対して、前記第２の相対位置において、前記マスクステージを介して前記マスクを前記投影光学系に対して前記非走査方向に距離Ｄだけ変位させたときに、
    前記第２の相対位置において、前記基板ステージを介して前記基板を前記投影光学系に対して前記非走査方向にβ・Ｄだけ変位させることを特徴とする請求項２０に記載の露光装置。
22. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。
23. 請求項１１〜２１のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
    前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
    を含むデバイス製造方法。

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