JP2021026157A - 露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】効率よく露光パラメータを補正することができる露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体を提供する。【解決手段】本発明に係る露光装置は、原版に描画されたパターンを基板に転写するように基板を露光する露光装置であって、制御部を備え、制御部は、補正次数に応じて、基板の面内を複数の分割領域に分割し、複数の分割領域は同心円に沿って配列されており、各分割領域は切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有しており、各分割領域において互いに同一個数のサンプルショット領域を配置し、サンプルショット領域の各々における所定の箇所を計測部に計測させ、計測結果に基づいて露光装置の露光パラメータを決定する。【選択図】 図５

Description

本発明は、露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体に関する。

半導体製造プロセスにおいては、ウエハ（基板）に対するレジスト塗布、エッチング、熱処理、成膜、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）等のプロセスによって、露光装置において露光されるウエハに歪みが発生する傾向があることが知られている。
そのような歪みが発生しているウエハに対して露光を行う際には、ウエハ面内に設けられているアライメントマーク等を計測することによって、歪みを面内の位置依存性として取得し、その結果から露光パラメータを補正することができる。
また、そのような歪みに応じて露光パラメータを補正する際にスループットを向上させるために、ウエハ面内のサンプルショット領域内のアライメントマーク等のみを計測することによって補正を行う手法も知られている。

特許文献１は、ウエハ全体に発生している歪みを補正するために、ウエハ面内の同心円上に均等にサンプルショット領域を配置して、歪みを精度良く補正する露光装置を開示している。

特開２００６−１４８０１３号公報

上で述べたようなウエハ全体に発生する歪みは、露光装置以外の装置によるプロセスがウエハ全体に一括して行われるために、略同心円状に発生すると共に、ウエハの中心から外側に向かって大きくなる傾向があることも知られている。
そのため、補正の効率化の観点では、そのような歪みの発生傾向を考慮してサンプルショット領域を配置することが重要である。
そこで本発明は、効率よく露光パラメータを補正することができる露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体を提供することを目的とする。

本発明に係る露光装置は、原版に描画されたパターンを基板に転写するように基板を露光する露光装置であって、制御部を備え、制御部は、補正次数に応じて、基板の面内を複数の分割領域に分割し、複数の分割領域は同心円に沿って配列されており、各分割領域は切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有しており、各分割領域において互いに同一個数のサンプルショット領域を配置し、サンプルショット領域の各々における所定の箇所を計測部に計測させ、計測結果に基づいて露光装置の露光パラメータを決定する。

本発明によれば、効率よく露光パラメータを補正することができる露光装置、物品の製造方法、露光方法、及び記録媒体を提供することができる。

第一実施形態に係る露光装置の模式図。 ウエハ上に設けられたショット領域及びアライメントマークの配置を例示的に示した図。 従来の露光装置でのウエハ上におけるサンプルショット領域の配置を示した図。 第一実施形態に係る露光装置でのウエハ上におけるサンプルショット領域の配置を示した図。 第一実施形態に係る露光装置における露光パラメータの補正方法を示すフローチャート。 第二実施形態に係る露光装置におけるウエハの分割方法を示した図。 第三実施形態に係る露光装置の模式図。

以下に、本実施形態に係る露光装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す図面は、本実施形態を容易に理解できるようにするために、実際とは異なる縮尺で描かれている場合がある。

［第一実施形態］
図１は、第一実施形態に係る露光装置１０の模式図を示している。
図１に示されているように、本実施形態に係る露光装置１０は、光源１と、光源１から出射した露光光をレチクル３（原版）へ導光する照明光学系２とを備えている。また、本実施形態に係る露光装置１０は、レチクル３を通過した露光光をウエハステージ７（ステージ）上に配置されたウエハ６（基板）に導光する投影光学系４を備えている。また、以下では、ウエハ６の面内において互いに直交する二方向をそれぞれｘ方向及びｙ方向、ウエハ６の面に垂直な方向をｚ方向と定義する。

また、本実施形態に係る露光装置１０は、ウエハ６にパターニングされた不図示のアライメントマークを計測するアライメントスコープ５（計測部）と、ウエハ６が載置されると共に、ウエハ６を露光位置に駆動するウエハステージ７とを備えている。
また、本実施形態に係る露光装置１０は、照明光学系２、投影光学系４、アライメントスコープ５及びウエハステージ７を制御する制御部１５を備えている。

本実施形態に係る露光装置１０は、アライメントマークを計測した結果に基づいてウエハステージ７の露光時の位置決めを行い、レチクル３に形成（描画）されたパターンをウエハ６上に転写するようにウエハ６を露光する。

図２は、ウエハ６上に設けられた複数のショット領域２０及び複数のアライメントマーク２１の配置を例示的に示した図である。

図２に示されているようなウエハ６において歪みが発生している場合には、まず、予め所定のウエハ６上のショット領域２０の全てのアライメントマーク２１を計測し、ウエハ６の面内における歪みを計測しておく。
そして、計測された歪みに基づいて露光パラメータを補正する際の補正次数に応じて変化する補正残差が露光装置１０のオーバーレイ管理目標値に対して十分小さくなるように、補正次数を決定する。

なお、ここでいう露光パラメータとは、例えばウエハステージ７の駆動位置や、照明光学系２及び投影光学系４の少なくとも一方の光学性能等である。
そして、決定された補正次数に応じてサンプルショット領域の配置を行う。

図３（ａ）及び（ｂ）は、従来の露光装置でのウエハ６上におけるサンプルショット領域３１の配置を示した図である。

ｘ方向及びｙ方向における補正次数Ｎが共に３次と決定されたとする。このとき、アライメントマーク２１の予め定められた位置（設計位置、称呼位置）からの位置ずれをｘの３次式及びｙの３次式を含む関数でフィッティングすることになる。
従って、フィッティングにおけるｘ方向及びｙ方向それぞれに関する係数の数、すなわちパラメータの数Ｎ＋１は、共に４となる。
そのため、従来の露光装置では、例えば図３（ａ）に示されているように、ウエハ６上を４行４列のマトリックス３０に分割する。
そして、マトリックス３０の各分割領域３２に対して一つずつ設けられるように、サンプルショット領域３１を配置する。

また、ｘ方向及びｙ方向における補正次数Ｎが共に５次と決定された場合、ｘ方向及びｙ方向のパラメータの数Ｎ＋１は、共に６となる。
そのため、従来の露光装置では、例えば図３（ｂ）に示されているように、ウエハ６上を６行６列のマトリックス３０に分割する。
そして、マトリックス３０の各分割領域３２に対して一つずつ設けられるように、サンプルショット領域３１を配置する。

露光装置においては、ウエハ６に対する露光処理が直交座標系で定義される露光パラメータによってショット領域の単位で行われるため、上で述べたようなサンプルショット領域３１の従来の配置方法は、直感的で考えやすい。
しかしながら、上述したように、例えばレジスト塗布、エッチング、熱処理、成膜、ＣＭＰ等のプロセスの多くは、ウエハ６の全体を同心円状且つ中心から外側に行くほど歪ませる傾向にある。
そのため、所定の補正次数に応じたサンプルショット領域の配置はそのような傾向を考慮して行う必要がある。

そこで、本実施形態に係る露光装置１０では、ウエハ６を同心円状に分割すると共に、各同心円の周方向に複数の領域に分割することによって、従来のマトリックス３０に対応する分割領域を得ている。
これにより、ウエハ６の面内に広がりを持たせるようにサンプルショット領域を配置することができると共に、露光前プロセスによって発生する同心円状の歪みに対する補正をより少ないサンプルショット領域の配置により行うことができる。

図４（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、本実施形態に係る露光装置１０でのウエハ６上におけるサンプルショット領域４０の配置を示した図である。
また、図５は、本実施形態に係る露光装置１０におけるウエハステージ７の駆動位置や、照明光学系２及び投影光学系４の少なくとも一方の光学性能等の露光パラメータの補正方法を示すフローチャートである。

本実施形態に係る露光装置１０では、まず、予め所定のウエハ６上の全ショット領域２０に設けられているアライメントマーク２１を計測する。そして、得られた計測結果と露光プロセスにおいて求められているオーバーレイ精度とから、必要な補正次数Ｎを決定する（ステップＳ１）。
なお、ステップＳ１では、アライメントマーク２１の計測結果の代わりに、予め所定のウエハ６に対して行われた露光処理の結果、すなわちオーバーレイ精度を用いて必要な補正次数Ｎを決定してもよい。

次に、必要な補正次数Ｎに基づいて、ウエハ６の同心円分割数（同心円の数）ｐ及び同心円間領域分割数（同心円間の領域の周方向における分割数）ｓを設定する（ステップＳ２）。
そして、各分割領域４５に一つずつ設けられるように、サンプルショット領域４０を配置する（ステップＳ３）。
ただし、分割領域４５の形状や大きさによって、ショット領域２０が含まれない分割領域４５があるが、その場合は近傍のショット領域２０をサンプルショット領域４０として配置すればよい。

ここで、同心円分割数ｐ及び同心円間領域分割数ｓの値については、補正次数Ｎに対するｘ方向及びｙ方向のパラメータの数Ｎ＋１のうち、ｘ方向及びｙ方向は互いに対称であることに伴って独立なパラメータの個数（Ｎ＋１）（Ｎ＋２）／２に応じて決定する。
また、サンプルショット領域４０は、分割領域４５それぞれにおいて発生している平均的な歪みを見るために、各分割領域４５の図形の幾何中心（重心）に最も近いアライメントマーク２１を含むショット領域２０に設定する。
また、ショット領域２０内に複数のアライメントマーク２１が設けられている場合には、各ショット領域２０内において同じ位置に設けられているアライメントマーク２１を選択して、サンプルショット領域４０を配置する。

本実施形態に係る露光装置１０では、例えばｘ方向及びｙ方向における補正次数Ｎが共に３次と決定されたとする。このとき、独立なパラメータの数は１０であるため、図４（ａ）に示されているように、同心円分割数ｐ＝２、同心円間領域分割数ｓ＝６として、１２の分割領域を設定する。
また、例えばｘ方向及びｙ方向における補正次数Ｎが５次と決定された場合、独立なパラメータの数は２１であるため、図４（ｂ）に示されているように、同心円分割数ｐ＝２、同心円間領域分割数ｓ＝１２として、２４の分割領域を設定する。

なお、上記の分割はあくまで例示的なものであり、例えば図４（ｃ）に示されている同心円分割数ｐ＝３、同心円間領域分割数ｓ＝１２として３６の分割領域を設定するようにして、同心円分割数ｐ及び同心円間領域分割数ｓを大きくしても構わない。

ここで、本実施形態に係る露光装置１０では、分割領域としては、扇形及び切頭扇形がある。
例えば、図４（ａ）に示されているように、半径Ｒのウエハ６の面上を円の周方向に６等分、すなわちハッチングで示される中心角θ＝６０°の扇形４６を６個含むとき、扇形及び切頭扇形は、次のように定義される。

すなわち、同心円分割数ｐ＝２である場合、扇形４６は、半径Ｒ／２及び中心角θ＝６０°の扇形４７と、残りの切頭扇形４８とに分けることができる。
そして、切頭扇形４８とは、半径Ｒ及び中心角θ＝６０°の扇形４６のうち、半径Ｒ／２及び中心角θ＝６０°の扇形４７を除いた、径Ｒ−Ｒ／２及び中心角θ＝６０°の切頭扇形と定義し、Ｓ（６０°、Ｒ−Ｒ／２）と表すこととする。

従って、本実施形態に係る露光装置１０では、分割領域である扇形及び切頭扇形は、互いに同じ中心角を有しているということができる。

そして、各サンプルショット領域４０に設けられた不図示のアライメントマーク２１（所定の箇所）を計測する（ステップＳ４）。
そして、以下の式（１）を用いて計測結果（計測位置）をフィッティングすることによって、係数ａ_ｉ（ｉ＝０，１，…，Ｎ）及びｂ_ｊ（ｊ＝０，１，…，Ｎ）を取得する。

そして、ウエハ６の各位置におけるウエハ面に平行な第一の断面内のアライメントマーク２１の予め定められた位置（設計位置）からの位置ずれΔｘｙ（ｘ，ｙ）を算出する。
このように算出されたΔｘｙ（ｘ，ｙ）が、ウエハ６の各位置におけるウエハ面に平行な第一の断面内の歪みΔｘｙ（ｘ，ｙ）に対応する。

そして、算出された歪みΔｘｙ（ｘ，ｙ）に応じて露光装置１０における露光パラメータを補正（決定）する（ステップＳ５）。
換言すると、この補正は、露光装置１０においてウエハ６を露光する際の座標系を変換することに対応する。
また、補正する露光パラメータとしては、ウエハステージ７の駆動位置や、照明光学系２及び投影光学系４の少なくとも一方の光学性能が挙げられるが、これに限られない。

なお、本実施形態に係る露光装置１０では、ウエハ６を複数の同心円に分割する方法として、隣接する同心円の円周の間隔が互いに等しくなるように設定している。
換言すると、本実施形態に係る露光装置１０では、分割領域である扇形及び切頭扇形は、互いに同じ径を有しているということができる。

すなわち、ウエハ６の半径をＲ、ｐ個に分割された各同心円をウエハ６の中心Ｏに近い順に１、２、３…とラベル付けをしたとき、中心Ｏから同心円ｍまでの距離ｒ_ｍは、以下の式（２）のように表される。

以上のように、本実施形態では、まず、決定された補正次数に応じて、複数の分割領域４５が同心円に沿って配列され、且つ各分割領域４５が切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有するように、ウエハ６の面内を複数の分割領域４５に分割する。そして、各分割領域４５において互いに同一個数のサンプルショット領域４０を配置している。
これにより、露光装置１０以外の装置によるプロセスによってウエハ６上に発生する歪みに応じて、少ないサンプルショット領域４０の配置で露光パラメータを補正することができる。
また、換言すると、本実施形態に係る露光装置１０では、ウエハ６の面内に設けられたアライメントマーク全てを計測して歪みを補正した結果に近くなるように、サンプルショット領域４０をウエハ６の面内に広がりを持たせて配置している。

なお、本実施形態に係る露光装置１０では、式（２）に示されるように、隣接する同心円の円周の間隔が互いに等しくなるようにウエハ６を分割していたが、これに限られない。すなわち、他の条件に基づいてウエハ６を複数の同心円に分割しても、本実施形態による効果を得ることができる。
また、本実施形態に係る露光装置１０では、ｘ方向及びｙ方向における補正次数Ｎを互いに同一にしていたが、これに限らず、ｘ方向及びｙ方向における補正次数を互いに異なるように設定しても構わない。

また、本実施形態に係る露光装置１０では、各分割領域４５に対して一つずつサンプルショット領域４０を設けているが、これに限らず、各分割領域４５に対して二つ以上、互いに同じ数だけサンプルショット領域４０を設けても構わない。
また、本実施形態に係る露光装置１０では、各ショット領域２０内に設けられたアライメントマーク２１を計測しているが、これに限られない。例えば、アライメントマーク２１が各ショット領域２０外に設けられている場合には、各ショット領域２０に対応するアライメントマーク２１を計測すればよい。

［第二実施形態］
図６は、第二実施形態に係る露光装置におけるウエハ６の分割方法を示す図である。
なお、本実施形態に係る露光装置は、ウエハ６の分割方法が異なる以外は、第一実施形態に係る露光装置１０と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。

本実施形態に係る露光装置では、ウエハ６を同心円状に分割する際に、各分割領域４５、すなわち分割領域４５である扇形及び切頭扇形の面積が互いに等しくなるように設定している。
換言すると、本実施形態に係る露光装置では、隣接する同心円の間に含まれる領域の面積が互いに等しくなるように、ウエハ６の面内を複数の同心円に分割している。

すなわち、第一実施形態に係る露光装置１０と同様に、ウエハ６の半径をＲ、ｐ個に分割された各同心円をウエハ６の中心Ｏに近い順に１、２、３…とラベル付けをし、中心Ｏから同心円ｍまでの距離をｒ_ｍとする。

このとき、本実施形態に係る露光装置では、以下の式（３）を満たすように、ウエハ６の面内を複数の同心円に分割する。

すなわち、本実施形態に係る露光装置では、以下の式（４）を満たすように、中心Ｏから同心円ｍまでの距離ｒ_ｍを設定すればよい。

本実施形態に係る露光装置では、上記の要領でウエハ６を同心円状に分割した後、第一実施形態に係る露光装置１０と同様に、各同心円内を複数の分割領域に分割し、各分割領域に対して一つずつサンプルショット領域４０を配置する。
そして、各サンプルショット領域４０に設けられた不図示のアライメントマークを計測する。そして、上記の式（１）を用いて計測結果（計測位置）をフィッティングすることによって、係数ａ_ｉ（ｉ＝０，１，…，Ｎ）及びｂ_ｊ（ｊ＝０，１，…，Ｎ）を取得する。

そして、ウエハ６の各位置における面に平行な第一の断面内の歪みΔｘｙ（ｘ，ｙ）を算出し、算出された歪みΔｘｙ（ｘ，ｙ）に応じて露光装置１０における露光パラメータを補正（決定）する。

本実施形態に係る露光装置では、上記の要領でウエハ６を複数の領域に分割することで、ウエハ６において均等にサンプルショット領域４０を配分することができる。
換言すると、本実施形態に係る露光装置では、第一実施形態に係る露光装置１０と比べて、ウエハ６の外周部側にサンプルショット領域４０をより多く配置することができる。
これにより、本実施形態に係る露光装置では、歪みが大きく発生するウエハ６の外周部近傍における歪みの傾向をより確実にとらえることが可能となる。

［第三実施形態］
図７は、第三実施形態に係る露光装置７０の模式図を示している。
なお、本実施形態に係る露光装置７０は、フォーカス計測用光学系が設けられている以外は、第一実施形態に係る露光装置１０と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。

図７に示されているように、本実施形態に係る露光装置７０は、ウエハ６にフォーカス計測用の光を投光する投光部８と、ウエハ６からのフォーカス計測用の光を受光する受光部９とを備えている。
そして、投光部８及び受光部９からフォーカス計測用光学系（計測部）が構成される。
これにより、本実施形態に係る露光装置７０では、ウエハ６に設けられているパターンの段差（ｘｙ面内の各位置におけるｚ方向の高さ）を計測することができる。
なお、ウエハ６にパターンが設けられていない場合は、ウエハ６の下地における段差を計測することになる。

そして、ウエハ６に設けられているパターンの予め定められた段差（設計位置）を予め把握しておくことによって、各ショット領域２０における段差からの位置ずれを算出する。
そして、算出された位置ずれから露光位置の高さＺや回転Ｔｉｌｔにおける補正量をフィードバックすることができる。

ここで、ウエハ６に設けられているパターンの段差についても、レジスト塗布、エッチング、熱処理、成膜、ＣＭＰ等のプロセスによってウエハ６の全体にわたって同心円状且つ中心から外側に行くほど変位する傾向がある。
そのため、平均的な段差形状を得るためには、第一及び第二実施形態と同様にサンプルショット領域４０を配置すればよい。

すなわち、本実施形態に係る露光装置７０では、まず、予め所定のウエハ６上の全ショット領域２０に設けられているパターンの段差を計測し、その計測結果と露光プロセスにおいて求められているオーバーレイ精度とから、必要な補正次数Ｎを決定する。
次に、必要な補正次数Ｎに基づいて、ウエハ６の同心円分割数ｐ及び同心円間領域分割数ｓを設定し、ウエハ６を同心円状に分割した後、各同心円間の領域を複数の分割領域４５に分割し、各分割領域４５に対して一つずつサンプルショット領域４０を配置する。

そして、各サンプルショット領域４０に設けられた不図示のアライメントマークを計測する。そして、以下の式（５）を用いて計測結果をフィッティングすることによって、係数ａ_ｉ（ｉ＝０，１，…，Ｎ）及びｂ_ｊ（ｊ＝０，１，…，Ｎ）を取得する。
そして、ウエハ６の各位置における面に垂直な第一の方向の段差Δｚ（ｘ，ｙ）を算出する。

そして、算出された段差Δｚ（ｘ，ｙ）に応じて露光装置１０における露光パラメータを補正（決定）する。
換言すると、これは、露光装置１０においてウエハ６を露光する際の座標系を変換することに対応する。

これにより、本実施形態に係る露光装置７０では、パターン段差形状を精度良く検出することができ、平均パターン段差を抽出することができる。
そして、露光装置７０以外の装置のプロセスによってウエハ６上に発生するパターン段差に応じて、少ないサンプルショット領域４０の配置で露光パラメータを補正することができる。

なお、このときサンプルショット領域４０は、分割領域４５それぞれにおいて発生している平均的なパターンの段差を見るために、各分割領域４５の図形の幾何中心（重心）に最も近いショット領域２０に設定する。

以上、好ましい実施形態について説明したが、これらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

また、上記に示した実施形態を実施する露光方法、コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム、該プログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な記録媒体も本実施形態の範囲に含まれる。

［物品の製造方法］
次に、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置を用いた物品の製造方法について説明する。
物品は、半導体デバイス、表示デバイス、カラーフィルタ、光学部品、ＭＥＭＳ等である。

例えば、半導体デバイスは、ウエハに回路パターンを作るための前工程と、前工程で作られた回路チップを製品として完成させるための、加工工程を含む後工程とを経ることにより製造される。
前工程は、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する露光工程と、感光剤を現像する現像工程とを含む。
現像された感光剤のパターンをマスクとしてエッチング工程やイオン注入工程等が行われ、ウエハ上に回路パターンが形成される。
これらの露光、現像、エッチング等の工程を繰り返して、ウエハ上に複数の層からなる回路パターンが形成される。
後工程で、回路パターンが形成されたウエハに対してダイシングを行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。

表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラスウエハに感光剤を塗布する工程と、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラスウエハを露光する工程と、露光された感光剤を現像する工程とを含む。

本実施形態に係る物品の製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。

３ レチクル（原版）
５ アライメントスコープ（計測部）
６ ウエハ（基板）
１０ 露光装置
１５ 制御部
２１ アライメントマーク（所定の箇所）
４０ サンプルショット領域
４５ 分割領域
Ｎ 補正次数

Claims (16)

1. 原版に描画されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光装置であって、
   制御部を備え、該制御部は、
   補正次数に応じて、前記基板の面内を複数の分割領域に分割し、該複数の分割領域は同心円に沿って配列されており、各分割領域は切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有しており、
   各分割領域において互いに同一個数のサンプルショット領域を配置し、
   前記サンプルショット領域の各々における所定の箇所を計測部に計測させ、
   該計測結果に基づいて前記露光装置の露光パラメータを決定することを特徴とする、露光装置。
2. 前記制御部は、前記サンプルショット領域の各々における前記基板の面に平行な第一の断面内のアライメントマークの位置を前記計測部に計測させ、該計測結果に基づいて、前記第一の断面内の方向に関する前記露光パラメータを決定することを特徴とする、請求項１に記載の露光装置。
3. 前記制御部は、前記分割領域において幾何中心に最も近い前記アライメントマークを含むショット領域を前記サンプルショット領域に設定することを特徴とする、請求項２に記載の露光装置。
4. 前記制御部は、所定の前記基板上に設けられた前記アライメントマークを前記計測部に計測させ、該計測結果と求められているオーバーレイ精度とから、前記補正次数を決定することを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
5. 前記制御部は、前記アライメントマークの前記第一の断面内における位置を（ｘ，ｙ）、前記補正次数をＮ、前記第一の断面内における前記アライメントマークの設計位置からの位置ずれをΔｘｙ（ｘ，ｙ）としたとき、
   

   

   なる式を用いて、前記サンプルショット領域の各々における前記アライメントマークの計測位置をフィッティングすることによって、係数ａ_ｉ（ｉ＝０，１，…，Ｎ）及びｂ_ｊ（ｊ＝０，１，…，Ｎ）を取得し、
   該取得された係数を用いて前記露光パラメータを決定することを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の露光装置。
6. 前記制御部は、前記サンプルショット領域の各々における前記基板の面に垂直な第一の方向のパターンの位置を前記計測部に計測させ、該計測結果に基づいて、前記第一の方向に関する前記露光パラメータを決定することを特徴とする、請求項１に記載の露光装置。
7. 前記制御部は、前記分割領域において幾何中心に最も近いショット領域を前記サンプルショット領域に設定することを特徴とする、請求項６に記載の露光装置。
8. 前記制御部は、所定の前記基板上に設けられた前記パターンの前記第一の方向における位置を前記計測部に計測させ、該計測結果と求められているオーバーレイ精度とから、前記補正次数を決定することを特徴とする請求項６または７に記載の露光装置。
9. 前記制御部は、前記基板の面内における前記パターンの位置を（ｘ，ｙ）、前記補正次数をＮ、前記サンプルショット領域の各々における前記パターンの前記第一の方向の設計位置からの位置ずれをΔｚ（ｘ，ｙ）としたとき、
   

   

   なる式を用いて、前記サンプルショット領域の各々における前記パターンの計測位置をフィッティングすることによって、係数ａ_ｉ（ｉ＝０，１，…，Ｎ）及びｂ_ｊ（ｊ＝０，１，…，Ｎ）を取得し、
   該取得された係数を用いて前記露光パラメータを決定することを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の露光装置。
10. 前記同心円は、互いに間隔が等しい複数の同心円から成ることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の露光装置。
11. 前記複数の分割領域の各々は、互いに面積が等しいことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の露光装置。
12. 前記基板が載置されるステージを備え、
    前記制御部は、前記計測結果に基づいて前記ステージの駆動位置を決定することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の露光装置。
13. 光源から出射した露光光を前記原版へ導光する照明光学系と、前記原版を通過した前記露光光を前記基板に導光する投影光学系とを備え、
    前記制御部は、前記計測結果に基づいて前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも一方の光学性能を決定することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の露光装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、
    露光された前記基板を現像する工程と、
    現像された前記基板を加工して物品を得る工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
15. 原版に描画されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光方法であって、
    補正次数に応じて、前記基板の面内を複数の分割領域に分割する工程であって、該複数の分割領域は同心円に沿って配列されており、各分割領域は切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有している、分割する工程と、
    各分割領域において互いに同一個数のサンプルショット領域を配置する工程と、
    前記サンプルショット領域の各々における所定の箇所を計測する工程と、
    該計測結果に基づいて露光パラメータを決定する工程と、
    を含むことを特徴とする、露光方法。
16. 補正次数に応じて、基板の面内を複数の分割領域に分割する工程であって、該複数の分割領域は同心円に沿って配列されており、各分割領域は切頭扇形又は扇形で互いに同じ中心角を有している、分割する工程と、
    各分割領域において互いに同一個数のサンプルショット領域を配置する工程と、
    前記サンプルショット領域の各々における所定の箇所を計測する工程と、
    該計測結果に基づいて露光装置の露光パラメータを決定する工程と、
    をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な記録媒体。

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