JP2008166777A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 127
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 303
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 48
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 43
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 20
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 19
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 14
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 35
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 9
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002165 resonance energy transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置の照明源を構成する方法が示される。方法は、照明源を、それぞれ1つまたは複数の照明源ポイントを含む画素グループに分割することと、パターンを露光するために、少なくとも1つの画素グループで形成された照明形状を選択することと、照明源における修正された照明形状を形成する画素グループの状態変化の結果として、リソグラフィメトリックを繰り返し計算することと、繰り返し計算に基づき照明形状を調整することとを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
CDUtotal=(2CDUwidth+CDUlength)/3 (2)
式(2)における全メトリックCDU(CD均一性)は、特定された誤差収支の関数として、パターン701の幅および長さのCD(CD)変化の重み付けられた合計を含む。
Claims (13)
- リソグラフィ装置の照明源を構成する方法であって、
前記照明源を、照明システムの瞳面内で、それぞれ1つまたは複数の照明源ポイントを含む画素グループに分割することと、
パターンを露光するために、少なくとも1つの画素グループで形成された照明形状を選択することと、
照明源において、修正された照明形状を形成する画素グループの状態変化の結果として、リソグラフィメトリックを繰り返し計算することと、
前記繰り返し計算に基づき前記照明形状を調整することと、
を含む方法。 - 前記計算することは、複数の画素グループに関して実行される、
請求項1に記載の方法。 - 複数の画素グループの状態は、所定の順番またはランダムに変更される、
請求項2に記載の方法。 - 前記複数の画素グループそれぞれの前記状態は、前記照明源における各画素グループの径方向および/または角方向位置に基づいて変更される、
請求項3に記載の方法。 - 前記順番は、前記画素グループの前記径方向位置の増大または低減に基づく、
請求項3に記載の方法。 - 前記複数の画素グループの前記状態は、(a)所定の画素グループの径方向位置より大きい径方向位置を有する画素グループの状態、および(b)所定の画素グループの径方向位置より小さい径方向位置を有する画素グループの状態を交互に変更することによって変更される、
請求項5に記載の方法。 - 前記リソグラフィメトリックは、前記パターンのCD均一性、プロセスウインドウ、前記プロセスウインドウの寸法、MEEF、最大NILS、または焦点外れにおける最大NILSである、
請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記リソグラフィメトリックによって予測される前記CD均一性の値は、測定されたCD均一性と一致するように較正される請求項7に記載の方法。
- 前記画素グループの前記状態は、前記画素グループを前記初期照明形状に追加することによって、または、前記初期照明形状から前記画素グループを取り除くことによって変更される、
請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。 - 前記照明源は、1より大きい前記照明システムの全開口に関して正規化された径方向位置σを有する画素グループを含む、
請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。 - リソグラフィメトリックを計算することは、フォトリソグラフィシミュレーションを使用して、前記修正された照明形状によって照明される前記パターンの画像を計算することを含み、前記フォトリソグラフィシミュレーションは、較正されたランプモデルまたは全レジストプロセスを使用して実行される、
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。 - 機械実行可能な命令を有するコンピュータ製品であって、前記命令は、リソグラフィ装置の照明源を構成するための方法を実行するために機械によって実行可能であり、前記方法は、
前記照明源を、それぞれ1つまたは複数の照明源ポイントを含む画素グループに分割することと、
パターンを露光するために、少なくとも1つの画素グループで形成された照明形状を選択することと、
照明源において、修正された照明形状を形成する画素グループの状態変化の結果として、リソグラフィメトリックを繰り返し計算することと、
前記繰り返し計算に基づき前記照明形状を調整することと、
を含むコンピュータ製品。 - リソグラフィ装置であって、
放射のビームを調整するように構成された照明システムと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の表面上にパターニングデバイスによってパターニングされた放射のビームを投影するように構成された投影システムと、
前記照明システムの瞳面に照明源を制御するように構成されたプロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、
前記照明源を、それぞれ1つまたは複数の照明源ポイントを含む画素グループに分割し、
パターンを露光するために、少なくとも1つの画素グループで形成された照明形状を選択し、
照明源において、修正された照明形状を形成する画素グループの状態変化の結果として、リソグラフィメトリックを繰り返し計算し、かつ、
前記繰り返し計算に基づき前記照明形状を調整するように構成される、
リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US87735006P | 2006-12-28 | 2006-12-28 | |
US11/797,356 US20080158529A1 (en) | 2006-12-28 | 2007-05-02 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166777A true JP2008166777A (ja) | 2008-07-17 |
Family
ID=39583417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007329420A Pending JP2008166777A (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-21 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080158529A1 (ja) |
JP (1) | JP2008166777A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110225 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120120 |