KR102546692B1 - 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 - Google Patents
디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102546692B1 KR102546692B1 KR1020177030675A KR20177030675A KR102546692B1 KR 102546692 B1 KR102546692 B1 KR 102546692B1 KR 1020177030675 A KR1020177030675 A KR 1020177030675A KR 20177030675 A KR20177030675 A KR 20177030675A KR 102546692 B1 KR102546692 B1 KR 102546692B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass
- laser
- microns
- workpiece
- burst
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 502
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 161
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 86
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 53
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 16
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 102
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 49
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 45
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 43
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 38
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 31
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 17
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 16
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003286 fusion draw glass process Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000000087 laser glass Substances 0.000 description 6
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000005400 gorilla glass Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 241000282575 Gorilla Species 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N Norphytane Natural products CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000007652 sheet-forming process Methods 0.000 description 1
- 239000010420 shell particle Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/0215—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the ribbon being in a substantially vertical plane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/54—Glass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Abstract
본 발명은 투명 물질의 박형 기판을 절단 및 분리하기 위한, 예를 들어, 박막 트랜지스터 (TFT) 장치의 제조에 주로 사용되는 디스플레이 유리 조성물의 절단을 위한 레이저 절단 기술에 관한 것이다. 기재된 레이저 공정은, 예를 들어, 0.25m/sec의 속도로, 직선 절단을 만들고, 뾰족한 반경 외부 코너 (<1mm)을 절단하며, 및 내부 구멍 및 슬롯을 형성하는 단계를 포함하여 임의의 만곡된 형상을 생성하는데 사용될 수 있다. 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재를 레이저 가공하는 방법은, 펄스된 레이저 빔을 초점 라인으로 초점 조정하는 단계를 포함한다. 펄스된 레이저는, 펄스 버스트 당 5-20의 펄스를 갖는 펄스 버스트 및 버스트 당 300-600 micro Joules의 펄스 버스트 에너지를 생성한다. 초점 라인은 유리 복합 피가공재로 향하게 되어 물질 내에 유도 흡수를 발생시킨다. 피가공재 및 레이저 빔은 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인을 형성하도록 서로에 대해 병진 이동되고, 인접한 결함 라인은 5-15 microns의 간격을 갖는다.
Description
본 출원은 2015년 3월 24일자로 출원된 미국 가 특허출원 제62/137,443호의 우선권을 주장하며, 이의 전체적인 내용은 참고로 여기에 혼입된다.
본 개시는 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공에 관한 것이다.
물질의 레이저 가공 영역은, 물질의 절단, 드릴링, 밀링, 용접, 용융, 등 및 다른 타입을 포함하는 매우 다양한 적용들을 포괄한다. 이러한 정용 중에서, 특히 관심이 있는 하나는, 예를 들어, 박막 트랜지스터 (TFT) 또는 디스플레이 유리 조성물을 분리하는 공정에 대해, 다른 타입의 기판을 절단하거나 또는 분리하는 것이다.
공정 개발 및 비용 관점으로부터, 유리 기판의 절단 및 분리에서 개선의 많은 기회가 있다. 오늘날 시장에서 현재 시행되고 있는 것보다 빠르고, 청결하며, 저렴하고, 더 반복 가능하며, 및 더 실현 가능한 유리 분리 방법을 얻는 것은 큰 관심사이다.
본 출원은 투명 물질의 박형 기판을 절단 및 분리하기 위한 레이저 절단 기술, 및 좀 더 구체적으로는 박막 트랜지스터 (TFT) 장치의 제조에 주로 사용되는 디스플레이 유리 조성물의 절단을 기재한다. 기재된 레이저 공정은, >1m/sec까지로 직선 절단 (straight cut)을 만들고, 뾰족한 반경 외부 코너 (<1mm)을 절단하며, 및 내부 구멍 및 슬롯을 형성하는 단계를 포함하여 임의의 만곡된 형상을 생성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 대표적인 구체 예는, 스핀들 (spindle)이 삽입될 수 있는 내부 구멍을 갖는 원형 유리 메모리 디스크 (circular glass memory disk)를 형성하는데 사용될 수 있다.
본 출원은 또한 유리를 절단한 다음, 그 뒤에 절단 공정 단독으로 달성될 수 있는 것보다 훨씬 높은 수준으로 절단 유리 부분 (part)의 에지 강도 및 에지 충격 강도 (edge impact strength) 모두를 높이기 위해 다양한 방법으로 상기 부분을 가공하는 방법을 기재한다. 여기에 기재된 방법은 또한 단일 패스 (single pass)에서 이러한 유리의 스택 (stacks)을 절단하여, 공정 시간 및 기계 이용률을 개선할 수 있다.
하나의 구체 예에서, 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재를 레이저 가공하는 방법은, 펄스된 레이저 빔을 빔 전파 방향을 따라 지향된 레이저 빔 초점 라인 (laser beam focal line)으로 초점 조정하는 단계를 포함한다. 상기 레이저 빔 초점 라인은 또한 유리 복합 피가공재로 향하게 되며, 상기 레이저 빔 초점 라인은 물질 내에 유도 흡수 (induced absorption)를 발생시키고, 및 상기 유도 흡수는 피가공재 내에 레이저 빔 초점 라인에 따라 결함 라인 또는 손상 트랙 (damage track)을 생성시킨다. 상기 방법은 또한 피가공재 및 레이저 빔을 윤곽선을 따라 서로에 대해 병진 이동 (translating)시키는 단계, 및 상기 피가공재 내에 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인을 레이저 형성하는 단계를 포함하며, 여기서 인접한 결함 라인들 사이에 간격 (또는 주기성)은 5 microns 내지 15 microns이다. 펄스된 레이저는 펄스 버스트 (pulse burst) 당 5-20의 펄스를 갖는 펄스 버스트 및 300-600 micro Joules의 펄스 버스트 에너지를 생성한다.
상기 피가공재 내에 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인을 레이저 형성하는 단계는, 윤곽선에 의해 한정된 표면을 따라 피가공재를 분리하는 것을 용이하게 하여 분리된 표면을 형성할 수 있다. 상기 유도 흡수는, 약 0.5 micron 이하의 절단 및 분리된 에지의 Ra 표면 거칠기 (surface roughness)를 생성할 수 있다. 상기 유도 흡수는 또한 분리된 표면상에 3 microns 미만의 평균 직경을 갖는 입자를 생성할 수 있다.
몇몇 구체 예에 따르면, 유리 제품은 적어도 250 microns로 연장하는 복수의 결함 라인을 갖는 적어도 하나의 에지를 포함하는 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합체를 포함하며, 상기 결함 라인 각각은, 5 microns 내지 15 microns의 거리만큼 분리된, 약 1 microns 이하의 직경을 갖는다. 몇몇 구체 예에 따르면, 적어도 하나의 에지는, 약 100 microns 이하의 깊이까지의 표면 손상 및/또는 약 0.5 microns 이하의 Ra 표면 거칠기를 갖는다. 몇몇 구체 예에서, 이 유리 제품은 0.5mm 내지 7mm의 두께를 갖는다. 개발된 레이저 방법은, 원하는 프로파일 (profile)을 열 응력 (thermal stressing)에 의해 완전한 레이저 분리를 위해 또는 패널 (panel)로부터 부분의 수동적 또는 기계적 분리를 위해 조정될 수 있다. 상기 방법은, 초-단 펄스 레이저 (ultra-short pulse laser)의 활용을 포함하고, 및 완전히 자동화된 분리를 위해, 고압 공기 흐름과 때때로 결합된, 열 응력을 생성하는 CO2 레이저가 뒤따를 수 있다.
전술한 내용은, 동일한 도면 부호가 다른 도들 전반에 걸쳐 동일한 부분을 나타내는, 수반된 도면에 예시된 바와 같은, 대표 구체 예의 다음의 좀 더 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 도면은 반드시 일정한 축척이 아니며, 대신에 대표적인 구체 예를 예시할 때 강조되는 경우가 있다.
도 1a-1c는, 변형 유리 (modified glass)의 균등한 간격의 결함 라인 또는 손상 트랙을 갖는 단층선 (fault line) (또는 절취선)의 예시이다.
도 2a 및 도 2b는, 레이저 빔 초점 라인의 위치 설정, 즉, 초점 라인을 따라 유도 흡수로 인한 레이저 파장에 대해 투명한 물질의 가공의 예시이다.
도 3a는 하나의 구체 예에 따른 레이저 공정을 위한 광학 어셈블리 (optical assembly)의 예시이다.
도 3b-1 내지 3b-4는, 기판에 대해 레이저 빔 초점 라인을 다르게 위치시켜 기판을 가공하는 다양한 방식의 예시이다.
도 4는 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제2 구체 예의 예시이다.
도 5a 및 5b는 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제3 구체 예의 예시이다.
도 6은 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제4 구체 예의 개략도이다.
도 7a-7c는, 물질의 레이저 가공을 위한 다른 레이저 강도 레짐 (intensity regimes)의 예시이다. 도 7a는, 초점을 맞추지 않는 (unfocused) 레이저 빔을 예시하고, 도 7b는 구면 렌즈로 집중된 레이저 빔 (condensed laser beam)을 예시하며, 및 도 7c는 액시콘 (axicon) 또는 회절 프레넬 렌즈 (diffractive Fresnel lens)로 집중된 레이저 빔을 예시한다.
도 8a는, 7의 펄스를 갖는 각 대표적인 펄스 버스트로, 시간에 대하여 대표적인 펄스 내에서 레이저 펄스의 상대 강도를 개략적으로 예시한다.
도 8b는, 9의 펄스를 함유하는 각 대표적인 펄스 버스트로, 대표적인 펄스 버스트 내에서 시간에 대하여 레이저 펄스의 상대적 강도를 개략적으로 예시한다.
도 8c는 0.024 mm 및 0.134 mm 두께의, 박막 트랜지스터 (TFT) 유리의 직선 절단 스트립 (strips)의 절단 에지 이미지를 예시한다.
도 9a는 0.6 mm 두께의 Eagle XG® 유리의 직선 절단 스트립의 에지 이미지이다.
도 9b 및 9c는, 알칼리가 적거나 또는 없는 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리에서 생성된 손상 트랙을 예시한다. 좀 더 구체적으로, 도 9b는 0.5㎜ 두께의 Eagle XG® 유리에서 손상 트랙을 예시하고 (평면도), 및 도 9c는 동일한 유리에서 손상 트랙을 예시한다 (저면도).
도 9d는, 9b 및 9c에 나타낸 0.5 mm 두께의 Eagle XG® 유리의 절단된 스트립의 에지 이미지이다.
도 9e는 버스트 당 다른 에너지 수준에 대하여 디스플레이 유리의 파괴 강도 (break strength) 대 버스트 에너지를 예시하는 그래프이다.
도 9f는, 디스플레이 유리의 하나의 구체 예에 대한 파괴 강도 대 천공 피치를 예시하는 그래프이다.
도 9g는 여기에 기재된 하나의 구체 예에 따른 CO2 빔 직경의 함수에 따른 속도의 증가를 예시한다.
도 10은 원자 이온화 에너지를 예시한다.
도 11은 기계적 또는 CO2 레이저 스코어링 (scoring)을 이용한 연속 퓨전 유리 제조 공정 (continuous fusion glass manufacturing process)에 대한 기존의 유리 절단 접근법을 예시한다.
도 12a는, 유리 플레이트 또는 시트가 수평 레이저 절단을 사용하여 인발 (draw)로부터 분리되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단의 방법을 예시한다.
도 12b는, 레이저가 유리 시트의 구역을 관통하여 절단하고 및 인발로부터 유리의 품질 섹션 (quality section)을 제거하는데 사용되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단의 방법을 예시한다.
도 13은 인발에서 높은 곳에 비드를 절단하고 및 인발에서 하부 시트를 수평으로 절단하는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단을 예시한다.
도 14는, 인발로부터 유리를 제거하기 위해 수평으로 절단하고, 유리 에지 비드를 제거하기 위해 별도의 수직 절단이 수반되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단을 예시한다.
도 15는 시트로부터 테두리 또는 폐유리를 제거하기 위해 인발로부터 떨어진 곳에서 유리의 레이저-기반 절단의 사용을 예시한다.
도 16은, 어닐링 점 (annealing point)에 가까운 온도에서 유리 시트를 수용하는 다-단 가열로 (multi-stage furnace)를 이용하여 인발시 절단의 레이저-기반 공정을 예시한다.
도 17은 인발시 절단된 유리 시트에 미리 정해진 온도 냉각 프로파일을 부여하도록 구성된 다단 가열로를 예시한다.
도 1a-1c는, 변형 유리 (modified glass)의 균등한 간격의 결함 라인 또는 손상 트랙을 갖는 단층선 (fault line) (또는 절취선)의 예시이다.
도 2a 및 도 2b는, 레이저 빔 초점 라인의 위치 설정, 즉, 초점 라인을 따라 유도 흡수로 인한 레이저 파장에 대해 투명한 물질의 가공의 예시이다.
도 3a는 하나의 구체 예에 따른 레이저 공정을 위한 광학 어셈블리 (optical assembly)의 예시이다.
도 3b-1 내지 3b-4는, 기판에 대해 레이저 빔 초점 라인을 다르게 위치시켜 기판을 가공하는 다양한 방식의 예시이다.
도 4는 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제2 구체 예의 예시이다.
도 5a 및 5b는 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제3 구체 예의 예시이다.
도 6은 레이저 가공을 위한 광학 어셈블리의 제4 구체 예의 개략도이다.
도 7a-7c는, 물질의 레이저 가공을 위한 다른 레이저 강도 레짐 (intensity regimes)의 예시이다. 도 7a는, 초점을 맞추지 않는 (unfocused) 레이저 빔을 예시하고, 도 7b는 구면 렌즈로 집중된 레이저 빔 (condensed laser beam)을 예시하며, 및 도 7c는 액시콘 (axicon) 또는 회절 프레넬 렌즈 (diffractive Fresnel lens)로 집중된 레이저 빔을 예시한다.
도 8a는, 7의 펄스를 갖는 각 대표적인 펄스 버스트로, 시간에 대하여 대표적인 펄스 내에서 레이저 펄스의 상대 강도를 개략적으로 예시한다.
도 8b는, 9의 펄스를 함유하는 각 대표적인 펄스 버스트로, 대표적인 펄스 버스트 내에서 시간에 대하여 레이저 펄스의 상대적 강도를 개략적으로 예시한다.
도 8c는 0.024 mm 및 0.134 mm 두께의, 박막 트랜지스터 (TFT) 유리의 직선 절단 스트립 (strips)의 절단 에지 이미지를 예시한다.
도 9a는 0.6 mm 두께의 Eagle XG® 유리의 직선 절단 스트립의 에지 이미지이다.
도 9b 및 9c는, 알칼리가 적거나 또는 없는 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리에서 생성된 손상 트랙을 예시한다. 좀 더 구체적으로, 도 9b는 0.5㎜ 두께의 Eagle XG® 유리에서 손상 트랙을 예시하고 (평면도), 및 도 9c는 동일한 유리에서 손상 트랙을 예시한다 (저면도).
도 9d는, 9b 및 9c에 나타낸 0.5 mm 두께의 Eagle XG® 유리의 절단된 스트립의 에지 이미지이다.
도 9e는 버스트 당 다른 에너지 수준에 대하여 디스플레이 유리의 파괴 강도 (break strength) 대 버스트 에너지를 예시하는 그래프이다.
도 9f는, 디스플레이 유리의 하나의 구체 예에 대한 파괴 강도 대 천공 피치를 예시하는 그래프이다.
도 9g는 여기에 기재된 하나의 구체 예에 따른 CO2 빔 직경의 함수에 따른 속도의 증가를 예시한다.
도 10은 원자 이온화 에너지를 예시한다.
도 11은 기계적 또는 CO2 레이저 스코어링 (scoring)을 이용한 연속 퓨전 유리 제조 공정 (continuous fusion glass manufacturing process)에 대한 기존의 유리 절단 접근법을 예시한다.
도 12a는, 유리 플레이트 또는 시트가 수평 레이저 절단을 사용하여 인발 (draw)로부터 분리되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단의 방법을 예시한다.
도 12b는, 레이저가 유리 시트의 구역을 관통하여 절단하고 및 인발로부터 유리의 품질 섹션 (quality section)을 제거하는데 사용되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단의 방법을 예시한다.
도 13은 인발에서 높은 곳에 비드를 절단하고 및 인발에서 하부 시트를 수평으로 절단하는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단을 예시한다.
도 14는, 인발로부터 유리를 제거하기 위해 수평으로 절단하고, 유리 에지 비드를 제거하기 위해 별도의 수직 절단이 수반되는, 유리 인발시 유리의 레이저-기반 절단을 예시한다.
도 15는 시트로부터 테두리 또는 폐유리를 제거하기 위해 인발로부터 떨어진 곳에서 유리의 레이저-기반 절단의 사용을 예시한다.
도 16은, 어닐링 점 (annealing point)에 가까운 온도에서 유리 시트를 수용하는 다-단 가열로 (multi-stage furnace)를 이용하여 인발시 절단의 레이저-기반 공정을 예시한다.
도 17은 인발시 절단된 유리 시트에 미리 정해진 온도 냉각 프로파일을 부여하도록 구성된 다단 가열로를 예시한다.
대표적인 구체 예의 설명은 다음과 같다.
본 출원은, 예를 들어, 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 조성물, 예를 들어, 유리의 기판 중에서 마감 부분을 구성하는, 디스플레이 및/또는 TFT (박막 트랜지스터) 유리 조성물과 같은, 유리 조성물의 정밀한 절단 및 분리를 위한 공정을 제공한다. 이러한 유리 또는 유리 조성물의 몇몇 예로는, 뉴욕의 코닝사 (Corning Incorporated)로부터 이용 가능한 Eagle XG®, Contego, Corning Lotus™, 및 Corning Lotus NXT™이 있다. 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 조성물은, 박막 트랜지스터와 같은 전자 장치의 적용을 위한 기판으로 작용하기에 적합하도록 제형화될 수 있다. 이는 TFT 유리 조성물이 통상적으로 실리콘의 열팽창계수 (CTE)와 비슷한 열팽창계수 (바람직하게는 5ppm/℃ 이하, 바람직하게는 4ppm/℃ 미만, 예를 들어 대략 3ppm/℃, 또는 2.5-3.5 ppm/℃)를 갖고, 및 유리 내에 낮은 수준의 알칼리를 갖는다는 것을 의미한다. TFT 적용에 사용되는 유리에 대해 낮은 수준의 알칼리 (즉, 0-2%, 바람직하게는 < 1wt%, 예를 들어 < 0.5wt%)는 바람직한데, 이는 알칼리 도펀트 (alkali dopants)가, 몇몇 조건하에서, 유리 밖으로 침출될 수 있고, 및 실리콘 공정을 오염시킬 수 있기 때문이다. 레이저 절단 공정은, 에지에 대한 낮은 표면 아래의 손상 및 최소 결함 및 무시할 수 있는 파편을 갖는 조절 가능한 방식으로 유리 부분을 분리하여, 부분 강도를 보존한다. 개발된 레이저 방법은 선택된 레이저 파장에 대해 투명한 물질에 매우 적절하다. 이 파장은, 예를 들어, 1064, 532, 355 또는 266 nanometers일 수 있다. 피가공재 또는 TFT 유리 조성물은, 바람직하게는 선택된 레이저 파장에 대해 실질적으로 투명해야 한다 (즉, 물질 깊이의 mm당 약 10% 미만, 및 바람직하게는 약 1% 미만의 흡수). 이 방법의 실례는, 예를 들어, 0.025 mm 내지 0.7 mm 범위의 두께에서 Eagle XG® 조성물을 사용하여 만들어진다.
이하 기재된 공정 기본 단계는, 원하는 형상의 윤곽을 그리고, 및 균열 전파에 대한 최소 저항의 경로를 설정하여서 이의 기판 매트릭스로부터 형상의 분리 및 이탈시키는 수직 단층선을 만드는 데 있다. 레이저 분리 방법은, 원래의 기판에서 유리 형상의 수동 또는 기계적 분리, 부분 분리 또는 전체 분리가 가능하도록 조정 및 구성될 수 있다.
제1단계에서, 가공될 물체는, 기판의 두께를 통해 관통하는 높은 종횡비 라인 초점으로 집중되는 (1064 nm 이하의 파장에서) 초-단 펄스된 (100 psec 미만의 펄스 폭) 레이저 빔으로 조사된다. 높은 에너지 밀도의 이 부피 내에서 물질은 비선형 효과 (nonlinear effects)를 통해 변형된다. 이러한 높은 광 강도 없이, 비선형 흡수는 유발되지 않는다는 점에 유의하는 것이 중요하다. 이러한 강도 임계 값 아래에서, 물질은 레이저 방사선 (laser radiation)에 투명하며 및 이의 원래 상태로 유지된다. 원하는 라인이나 경로를 통해 레이저를 스캐닝함으로써, 본 발명자들은 좁은 결함 라인 또는 윤곽선 또는 경로 (수 microns의 폭)를 만들고, 및 다음 단계에서 분리될 경계 또는 형상을 한정한다.
레이저 소스 (laser source)는, 유리 복합 피가공재와 같이, 실질적으로 투명한 물질에서 다-광자 흡수 (MPA)를 만들 수 있다. MPA는, 하나의 상태 (보통 기저 상태)로부터 높은 에너지 전자 상태 (이온화)로 분자를 여기시키기 위해 동일하거나 또는 다른 주파수의 둘 이상의 광자의 동시 흡수이다. 분자의 관련된 하한 및 상한 상태 사이에 에너지 차이는, 두 광자의 에너지의 합과 같다. 또한, 유도 흡수라고도 불리는, MPA는, 예를 들어, 선형 흡수보다 몇 자릿수 배로 더 약한, 2-차 또는 3-차 공정 (third-order process) (또는 고차원)일 수 있다. 이는 2-차 유도 흡수의 강도가 광 강도의 제곱에 비례할 수 있다는 점에서 선형 흡수와 다르고, 따라서 이것은 비선형 광학 공정이다.
수직 결함이나 천공으로 선이나 윤곽선이 생성되면, 분리는: 다음을 통해 일어날 수 있다: 1) 천공된 단층선 상에 또는 그 주위의 수동 또는 기계적 응력; 응력 또는 압력은 천공된 단층선의 양 측면을 당겨 떨어뜨리고 및 여전히 서로 결합된 구역을 파괴하는 장력을 생성해야 하며; 2) 열원을 사용하여, 단층선 주위에 응력 존을 생성하여 수직 결함 또는 천공된 단층선을 장력하에 놓아, 부분적 또는 전체적 분리를 유도한다. 두 경우 모두, 분리는, 레이저 스캔 속도, 레이저 출력, 렌즈의 파라미터, 펄스 폭, 반복률, 등과 같은, 몇 가지의 공정 파라미터에 의존한다.
이러한 레이저 절단 공정은, 다양한 유리 조성물의 몸체를 완전히 관통하도록 초점 라인을 발생시키는 광학 장치와 조합하여 초-단 펄스 레이저의 사용을 구성한다. 몇몇 구체 예에서, 개별적인 펄스의 펄스 지속시간은 약 1 picosecond 초과 내지 약 100 picoseconds 미만, 예컨대 약 5 picoseconds 초과 내지 약 20 picoseconds 미만의 범위이며, 개별 펄스의 반복률은, 약 10kHz 내지 650kHz의 범위와 같은, 약 1kHz 내지 4MHz의 범위일 수 있다.
전술한 개별 펄스 반복률에서 단일 펄스 작동에 부가하여, 상기 펄스는, 약 1 nsec 내지 약 50 nsec의 범위, 예를 들어, 약 20 nsec와 같은, 약 10 내지 약 30 nsec의 범위 내에 있는 버스트 내에 개별 펄스들 사이에 지속시간에 의해 분리된 2 펄스 이상 (예를 들어, 3 펄스, 4 펄스, 5 펄스, 10 펄스, 15 펄스, 20 펄스, 또는 그 이상)의 버스트에서 생성될 수 있고, 및 버스트 반복 주파수는 약 1 kHz 내지 약 200 kHz의 범위일 수 있다. (펄스 버스트의 버스팅 또는 생성은, 펄스의 방출이 균일하고 안정된 스트림 (stream)이 아니라 오히려 펄스의 촘촘한 클러스터인 레이저 작동의 타입이다.) 펄스 버스트 레이저 빔은, 물질이 이 파장에서 실질적으로 투명하도록 선택된 파장을 가질 수 있다. 물질에서 측정된 버스트 당 평균 레이저 출력은, 물질의 mm 두께당 40 microJoules를 초과, 예를 들어, 40 microJoules/mm 내지 2500 microJoules/mm, 또는 500 내지 2250 microJoules/mm일 수 있다. 예를 들어, 0.5-0.7mm 두께의 Corning Eagle XG® 유리의 경우, 유리를 절단 및 분리하기 위해 300-600 μJ 펄스 버스트를 사용할 수 있고, 이는 428 μJ/mm 내지 1200 μJ/mm의 대표적인 범위 (예를 들어, 0.7 mm Eagle XG® 유리의 경우 300 μJ/0.7 mm, 및 0.5 mm Eagle XG® 유리의 경우 600 μJ/0.5 mm)에 상응한다.
유리는 레이저 빔에 대해 이동되어 (또는 레이저 빔이 유리에 대해 병진 이동되어) 임의의 원하는 부분의 형상을 그리는 절취선을 만든다. 레이저는, 직경이 대략 1 microns인 내부 개구부로, 유리의 전체 깊이를 관통하는 구멍-같은 결함 존 (또는 손상 트랙, 또는 결함 라인)을 생성한다. 디스플레이 또는 TFT 타입 유리에서, 이러한 천공, 결함 영역, 손상 트랙, 또는 결함 라인은 일반적으로 5 microns 이상의 간격 및 20 microns 이하의 간격, 바람직하게는 5-15 microns의 간격으로 서로 이격된다. 예를 들어, TFT/디스플레이 유리의 경우, 5-12 microns, 7-15 microns, 또는 7-12 microns이다.
여기에 정의된 바와 같이, 결함 라인의 직경 또는 내부 직경은, 유리 또는 피가공재 내에 개방 채널 또는 공기 구멍의 내부 직경이다. 예를 들어, 여기에 기재된 몇몇 구체 예에서, 결함 라인의 내부 직경은, <500 nm, 예를 들어 ≤400 nm, 또는 ≤300 nm이다. 더군다나, 결함 라인의 내부 직경은, 예를 들어, 레이저 빔 초점 라인의 스폿 직경 (spot diameter) 정도일 수 있다. 레이저 빔 초점 라인은, 약 0.1 micron 내지 약 10 microns, 바람직하게는 0.1 내지 5 microns, 예를 들어 1.5 내지 3.5 microns의 범위에서 평균 스폿 직경을 가질 수 있다. 피가공재 또는 유리 부분이 단층선 또는 윤곽선을 따라 분리되면, 절단 및 분리된 표면상의 결함 라인은, 잠재적으로 여전히 관찰될 수 있고, 및 예를 들어, 결함 라인의 내부 직경과 비슷한 폭을 가질 수 있다. 따라서, 여기에 기재된 구체 예의 방법에 의해 제조된 유리 제품의 절단 표면상의 결함 라인의 폭은, 예를 들어, 약 0.1 microns 내지 약 5 microns의 폭을 가질 수 있다.
단일 시트 유리 이외에도, 상기 공정은 또한 유리의 스택을 절단하는데 사용될 수 있으며, 및 단일 레이저 패스로 총 높이가 최대 몇 mm인 유리 스택을 완전히 천공할 수 있다. 유리 스택은 부가적으로 다양한 위치에서 공기 갭 (air gaps)을 가질 수 있고; 레이저 공정은, 여전히 단일 패스로, 이러한 스택의 상부 및 하부 유리 층 모두를 완전히 천공할 것이다.
유리가 천공되자마자, 유리가 충분한 내부 응력을 갖는다면, 균열은 절취선을 따라 전파되고 및 유리 시트는 원하는 부분으로 분리될 것이다. TFT 유리 조성물이 낮은 열팽창계수 (CTE <4ppm/℃) 및 낮은 내부 응력 (예를 들어, 디스플레이로서 사용된 경우 뒤틀림 (distortion) 또는 복굴절을 방지하기 위해 <10MPa, 예를 들어 <5MPa)을 갖는 유리이기 때문에, 부가적인 기계적 분리력 (separation force)은 유리 부분을 분리하기 위해 일반적으로 적용되는데, 예를 들어, 절취선을 따라 또는 가깝게 CO2 레이저의 후속 패스는, 열 응력을 생성하는 데 사용되어 동일한 사전-프로그래밍된 절취선을 따라 유리를 분리할 것이다.
마지막으로, 둥근 또는 모따기된 에지는, 가공 및 수송 동안에 필요한 높은 수준의 신뢰성으로 인해 TFT 디스플레이 유리 시트의 통상적인 요건이다. 이러한 기술로 생성된 절단 에지는, 필요한 높은 수준의 신뢰성을 제공할 수 있다. 부가적으로, 부가적인 에지 형상이 요구되는 경우, 여기에 기재된 레이저 절단 방법은, 에지 모따기를 가능하게 하며, 이는 에지 신뢰성 (응력시 및 에지 충격시 견딜 수 있는 능력)의 수준을 부가적으로 증가시킬 수 있다. 마지막으로, 직사각형인, 절단 에지 또는 모따기된 에지는, 부가적으로 미세하게 연마하거나 또는 터치-연마되어 에지 강도, 에지 충격 강도 또는 전반적인 에지 신뢰성을 더욱 개선할 수 있다. 유리의 절단은, (a) 퓨전 유리 제조 라인 인발 (즉, 온-라인)에서, 예를 들어, 이러한 제조 라인의 인발의 버텀에서, 또는 (b) 오프-라인 - 즉, 인발시가 아닌, 다른 곳에거 달성될 수 있고, 및 에지 모따기 또는 연마가 뒤따를 수 있다.
본 출원은, 에지 강도, 에지 충격 강도를 유지하고 및 높은 수준의 유리 에지 신뢰성을 가능하게 하는, 에지를 절단하는데 최소 손상 및 무시할 수 있는 파편으로, 조절 가능한 방식하에, 투명한 기판에서 임의의 형상의 정밀한 절단 및 분리를 위한, 좀 더 구체적으로는, Eagle XG®, Corning Lotus™, Contego 및 Corning Lotus NXT ™ 등과 같은, TFT 유리 조성물의 절단하기 레이저 방법 및 장치를 기재한다. 개발된 레이저 방법은, 깨끗하고 초기 상태의 표면 품질을 유지하는, 낮은 레이저 강도, 또는 선형 레짐에서 레이저 파장에 대한 물질 투명도, 및 레이저 초점 주변의 고강도의 구역에 의해 생성된 감소된 표면 아래의 손상에 의존한다. 본 공정의 주요 조력요소 중 하나는, 초-단 펄스된 레이저에 의해 생성된 결함 또는 결함 라인의 높은 종횡비이다. 이는 절단될 물질의 상단으로부터 하단으로 연장되는 단층선의 생성을 가능하게 한다. 원칙적으로, 이러한 결함은, 단일 펄스로 생성될 수 있으며, 및 필요한 경우, 부가적인 펄스는, 영향을 받는 구역 (깊이와 폭)의 확장을 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 몇몇 구체 예에서, 레이저 방법은, 스핀들이 삽입될 수 있는 내부 구멍을 갖는 원형의 유리 메모리 디스크를 형성하는데 사용될 수 있다. 이하 기재되는 바와 같이, CO2 레이저는 이러한 내부 구멍으로부터 절단된 유리를 방출하기 위해 사용될 수 있다. 여기에 기재된 레이저 방법이, 시작점 및 종료점이 원의 원주를 따라 만나지만 버 (burr)를 형성하지 않는, 원형의 형상, 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 임의의 형상을 생성하는데 사용될 수 있음을 예기치 않게 발견하였다. 당 업계에 알려진 바와 같이, 곡선으로 이루어진 형상을 위한 종래의 레이저 분리 방법은, 레이저 분리 기술의 시작점 및 레이저 분리 기술의 종료점 (보통 시작점과 동일하거나 실질적으로 동일한 위치)에서 다량의 용융 물질을 생성한다. 이러한 버는 최종 제품의 품질에 악영향을 미치거나 또는 버를 제거하기 위해 부가적인 그라인딩 또는 연마 기술에 적용되어야 한다. 그러나, 본 개시에 따른 대표적인 레이저 방법은, 이러한 버를 결과하지 않는 것을 예기치 않게 확인하였다.
레이저 빔 초점 라인은, 약 0.1mm 내지 약 10mm, 또는 약 0.5mm 내지 약 5mm의 범위, 예를 들어, 약 1mm, 약 2mm, 약 3mm, 약 4mm, 약 5mm, 약 6mm, 약 7mm, 약 8mm 또는 약 9mm의 길이, 또는 약 0.1mm 내지 약 2mm, 또는 0.1mm 내지 약 1mm의 범위의 길이, 및 약 0.1 microns 내지 약 5 microns의 범위에서 평균 스폿 직경을 가질 수 있다. 구멍 또는 결함 라인 각각은, 0.1 내지 10 microns, 예를 들어, 0.25 내지 5 microns (예를 들어, 0.2-0.75 microns)의 직경을 가질 수 있다.
라인 초점의 발생은, 가우스 레이저 빔을 액시콘 렌즈로 전송함으로써 수행될 수 있으며, 이 경우 가우스-베셀 빔 (Gauss-Bessel beam)으로 알려진 빔 프로파일은 생성된다. 이러한 빔은 가우스 빔보다 훨씬 더 천천히 회절한다 (예를 들어, 수십 microns 이하가 아니라 수백 microns 또는 millimeters의 범위에 대해 단일 미크론 스폿 크기를 유지할 수 있다). 그러므로, 초점의 깊이 또는 물질과의 강한 상호작용의 길이는, 가우스 빔만을 사용할 때보다 훨씬 클 수 있다. 에어리 빔 (Airy beams)과 같은, 다른 형태 또는 천천히 회절하거나 또는 회절하지 않는 빔은 또한 사용될 수 있다.
도 1a-1c에 예시된 바와 같이, 투명 물질, 좀 더 구체적으로는 TFT 유리 조성물을 절단 및 분리하는 방법은, 본질적으로는 초-단 펄스된 레이저 (140)로 가공될 물질 또는 피가공재 (130) 내에 복수의 수직 결함 라인 (120)으로 형성된 단층선 (110)의 생성에 기초한다. 결함 라인들 (120)은, 예를 들어, 유리 시트의 두께를 통해 연장되고, 및 유리 시트의 주 (편평한) 표면에 직각이다. 여기에서 "단층선"은 또한 여기서 "윤곽선"이라고도 한다. 단층선들 또는 윤곽선들은, 도 1a에 예시된 단층선 (110)과 같이, 선형일 수 있지만, 단층선 또는 윤곽선은 또한 곡률 (curvature)을 갖는 비선형일 수 있다. 만곡된 단층선 또는 윤곽선은, 예를 들어, 1차원 대신에 2차원으로 다른 것에 대해 피가공재 (130) 또는 레이저 빔 (140)을 병진 이동시켜 생성될 수 있다. 물질 (130)을 가공하기 위해 선택된 레이저 파라미터 및 물질 특성 (흡수, CTE, 응력, 조성물, 등)에 의존하여, 단층선 (110)의 생성은, 단독으로 자가-분리를 유도하는데 충분할 수 있다. 이 경우, 예를 들어, CO2 레이저에 의해 생성된 열 응력 또는 인장력/굽힘력 (bending forces)과 같은, 2차 분리 공정은, 필요하지 않다. 도 1a에 예시된 바와 같이, 복수의 결함 라인은 윤곽선을 한정할 수 있다. 결함 라인을 갖는 분리된 에지 또는 표면은 윤곽선에 의해 한정된다. 결함 라인을 생성하는 유도 흡수는, 3 microns 미만의 평균 직경으로 분리된 에지 또는 표면상에 입자를 생성할 수 있어서, 매우 깨끗한 절단 공정을 결과한다.
몇몇 경우에, 생성된 단층선 (110)은, 물질을 자발적으로 분리하기에 충분하지 않고, 2차 단계는 필요할 수 있다. 천공된 유리 부분은 오븐과 같은 챔버에 배치될 수 있어 유리 부분의 벌크 가열 또는 냉각을 생성하고, 결함 라인을 따라 상기 부분을 분리하기 위한 열 응력을 생성하는 반면에, 이러한 공정은 느릴 수 있고 및 많은 제품 또는 큰 조각 또는 천공된 유리를 수용하기 위해 큰 오븐 또는 챔버가 요구될 수 있다. 원하는 경우, 제2 레이저는, 예를 들어, 열 응력을 생성하여 이를 분리하는데 사용될 수 있다. TFT 또는 디스플레이 유리 조성물의 경우에, 분리는, 단층선의 생성 후에, 물질의 힘 분리 및 열 응력을 생성하기 위해, 기계적 힘의 적용에 의해 또는 열 소스 (예로서, 적외선 레이저, 예를 들어, CO2 레이저)를 이용하여 달성될 수 있다. 또 다른 옵션은 오직 CO2 레이저로 분리를 시작한 다음 수동으로 분리를 마감하는 것이다. 선택적인 CO2 레이저 분리는, 예를 들어, 10.6 microns에서 방출되는 초점을 맞추지 않는 연속파 (cw) 레이저로, 및 작동주기 (duty cycle)를 조절하여 조정된 출력으로, 달성된다. 초점 변화 (즉, 초점을 맞춘 스폿 크기를 포함 및 까지의 초점을 맞추지 않는 정도)는, 스폿 크기를 변화시켜 유도된 열 응력을 변화시키는데 사용된다. 초점을 맞추지 않는 레이저 빔은, 대략 레이저 파장의 크기의 최소, 회절-제한 스폿 크기보다 큰 스폿 크기를 생성하는 레이저 빔을 포함한다. 예를 들어, 1 내지 20mm, 예를 들어, 1 내지 12mm, 3 내지 8mm의 스폿 크기를 갖는 CO2 레이저는 활용될 수 있으며, 예를 들어, CO2 10.6㎛ 파장 레이저는, 천공된 유리 상에 이러한 스폿 크기로 빔을 형성할 수 있다. CO2 레이저 스폿 직경의 몇 가지 예로는, 2mm, 5mm, 7mm, 10mm, 및 20mm이 있다. 9-11 microns 범위에서 방출하는 파장을 갖는 레이저와 같이, 방출 파장이 또한 유리에 의해 흡수되는, 다른 레이저는, 또한 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 100 내지 400 Watts의 출력 수준을 갖는 CO2 레이저는 사용될 수 있고, 및 빔은 결함 라인을 따라 또는 인접하게 50-500 mm/sec의 속도로 스캐닝될 수 있으며, 이는 분리를 유도하기에 충분한 열 응력을 생성한다. 특정 범위 내에서 선택된 정확한 출력 수준, 스폿 크기, 및 스캔 속도는, 물질 사용, 이의 두께, 열팽창계수 (CTE), 탄성 계수에 의존할 수 있는데, 이는 이러한 요인 모두가 주어진 공간 위치에서 특별한 에너지 침착의 속도에 의해 부여된 열 응력의 양에 영향을 미치기 때문이다. 스폿 크기가 너무 작거나 (즉, <1mm), 또는 CO2 레이저 출력이 너무 높거나 (>400W), 또는 스캔 속도가 너무 느리면 (10mm/sec 미만), 유리는 과열될 수 있어, 유리에서 삭마 (ablation), 용융 또는 열적으로 발생된 균열을 생성하며, 이는 이들이 분리된 부분의 에지 강도를 감소시키기 때문에 바람직하지 않다. 바람직하게는, CO2 레이저 빔 스캐닝 속도는, 효율적이고 신뢰할 수 있는 부분 분리를 유도하기 위해, >50 mm/sec이다. 그러나, CO2 레이저로 생성된 스폿 크기가 너무 크거나 (>20mm), 또는 레이저 출력이 너무 낮거나 (<10W, 또는 몇몇 경우에서 <30W), 또는 스캔 속도가 너무 빠르면 (>500mm/sec), 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 조성물 (디스플레이 및/또는 TFT 유리)에서 신뢰성 있는 부분 분리를 유도하기에 너무 낮은 열 응력을 결과하는 불충분한 가열이 발생한다.
예를 들어, 몇몇 구체 예에서, 전술된 psec 레이저로 천공된, 0.7mm 두께의 Corning Eagle XG® 유리에 대해 부분 분리를 유도하기 위해, 대략 6mm의 유리 표면에서의 스폿 직경 및 250mm/sec의 스캐닝 속도로, 200 Watts의 CO2 레이저 출력은 사용될 수 있다. 예를 들어, 더 두꺼운 Corning Eagle XG® 유리 기판은, 더 얇은 Eagle XG® 기판보다 분리하는데 단위 시간당 더 많은 CO2 레이저 열 에너지를 요구할 수 있거나, 또는 더 낮은 CTE를 갖는 유리는 더 높은 CTE를 갖는 유리보다 분리하는데 더 많은 CO2 레이저 열 에너지를 요구할 수 있다. 절취선에 따른 분리는, CO2 스폿이 주어진 위치를 통과한 후에, 매우 빠르게 (1초 미만), 예를 들어, 100 milliseconds 내, 50 milliseconds 내, 또는 25 milliseconds 내에서 발생할 것이다.
몇몇 유리의 경우, 단층선 (110)의 방향을 따라 인접한 결함 라인들 (120) 사이에, 거리 또는 주기성은, 0.1 microns 초과 또는 약 20 microns 이하일 수 있다. 예를 들어, 몇몇 유리의 경우, 인접한 결함 라인 (120) 사이에 주기성은, 0.5 내지 15 microns, 또는 3 내지 10 microns, 또는 0.5 microns 내지 3.0 microns일 수 있다. 예를 들어, 몇몇 유리에서, 인접한 결함 라인 (120) 사이에 주기성은, 0.5 microns 내지 1.0 microns일 수 있다. 그러나, 여기에 개시된 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 조성물, 특히 0.5mm 두께의 더 큰 두께인 경우, 인접한 결함 라인들 (120) 사이에 주기성은, 바람직하게는 >5 microns, 및 더욱더 바람직하게는 5-15 microns일 수 있다.
결함 라인을 생성하는 몇 가지 방법이 있다. 라인 초점을 형성하는 광학적 방법은, 고강도의 선형 영역을 형성하기 위해, 도넛형 레이저 빔 및 구형 렌즈, 액시콘 렌즈, 회절 소자, 또는 다른 방법을 사용하여, 다중 형태를 취할 수 있다. 비선형 광학 효과를 통해, 기판 물질 또는 유리 피가공재의 파괴를 생성하도록 초점의 영역에서 기판 물질의 파괴를 생성하기에 충분한 광학 강도가 도달하는 한, 레이저 (피코초, 펨토초, 등) 및 파장 (IR, 녹색, UV, 등)의 타입은 또한 변화될 수 있다. 바람직하게는, 레이저는 주어진 버스트 내의 펄스의 수를 조정하여 시간에 따른 에너지 침착의 조절을 가능하게 하는 펄스 버스트 레이저이다.
본 출원에서, 초-단 펄스된 레이저는, 일관성 있고, 조절 가능하며 및 반복 가능한 방식으로, 높은 종횡비의 수직 결함 라인을 생성하는데 사용된다. 이 개념의 핵심은, 광학기기를 사용하여 투명한 부분 내에 고강도 레이저 빔의 라인 초점을 생성하는 데 있다. 이 개념의 하나의 버전은, 초-단 (picoseconds 또는 femtosecond 지속기간) 베셀 빔을 사용하여 높은 종횡비의, 테이퍼-없는 마이크로채널 (taper-free microchannels)의 영역을 생성하도록 광학 렌즈 어셈블리에서 액시콘 렌즈 소자를 사용하는 데 있다. 다시 말하면, 액시콘은 원통형 및 높은 종횡비 (가늘고 긴 길이 및 작은 직경)의 고강도 영역으로 레이저 빔을 집중시킨다. 집중된 레이저 빔으로 생성된 고강도로 인해, 레이저의 전자기장과 기판 물질의 비선형 상호작용은 일어나고 및 레이저 에너지는 기판으로 전달되어 단층선을 구성하는 결함의 형성을 달성한다. 그러나, 레이저 에너지 강도가 높지 않은 물질의 구역 (예를 들어, 중심 수렴선 (convergence line)을 감싸는 기판의 유리 부피)에서, 물질은 레이저에 투명하고 및 레이저로부터 물질로 에너지를 전달하기 위한 메커니즘이 없다는 것을 인식하는 것이 중요한다. 결과적으로, 레이저 강도가 비선형 임계값 아래에 있을 때, 유리 또는 피가공재는 아무런 변화가 없다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 물질을 레이저 가공하는 방법은, 펄스된 레이저 빔 (2)을 빔 전파 방향을 따라 지향된 레이저 빔 초점 라인 (2b)으로 초점 조정하는 단계를 포함한다. 도 3a에 나타낸 바와 같이, 레이저 (3) (미도시)는, 광학 어셈블리 (6)에 입사되는 부분 (2a)을 갖는, 레이저 빔 (2)을 방출한다. 광학 어셈블리 (6)는 입사된 레이저 빔을 빔 방향을 따라 한정된 확장 범위 (초점 라인의 길이 l)에 걸쳐 출력 측에서 넓은 범위에 걸친 레이저 빔 초점 라인 (2b)으로 전환시킨다. 평면 기판 (1)은, 레이저 빔 (2)의 레이저 빔 초점 라인 (2b)이 적어도 부분적으로 중첩되도록 빔 경로 내에 위치된다. 레이저 빔 초점 라인은 기판 내로 이렇게 향하게 된다. 참조 번호 (1a)는 광학 어셈블리 (6) 또는 레이저와 각각 마주하는 평면 기판의 표면을 지명하며, 참조 부호 (1b)는 기판 (1)의 뒷면을 지명한다. 치수를 갖는 기판 또는 피가공재 두께 (본 실시 예에서, 평면 (1a 및 1b), 즉, 기판 평면에 수직으로 측정됨)는 d로 표시된다. 기판 또는 피가공재는 또한 물질로 언급될 수 있으며, 및 예를 들어, 레이저 빔 (2)의 파장에 대해 실질적으로 투명한 유리 제품일 수 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판 (1) (또는 유리 복합 피가공재)은, 종 방향의 빔 축에 수직으로, 따라서 광학 어셈블리 (6) (기판은 도면의 평면에 수평)에 의해 생성된 동일한 초점 라인 (2b) 뒤에 정렬된다. 초점 라인은 빔 방향을 따라 지향되거나 정렬되며, 기판은 초점 라인 (2b)이 기판의 표면 (1a) 전에 시작하여 기판의 표면 (1b) 전에 정지하는 방식으로, 즉, 여전히 초점 라인 (2b)이 기판 내에서 종결되고 표면 (1b)을 넘어 연장되지 않는 방식으로, 초점 라인 (2b)에 대해 위치된다. 기판 (1)과 레이저 빔 초점 라인 (2b)의 중첩 구역, 즉, 초점 라인 (2b)에 의해 덮인 기판 물질에서, 넓은 범위에 걸친 레이저 빔 초점 라인 (2b)은, (레이저 빔 초점 라인 (2b)을 따라 적절한 레이저 강도가, 길이 (l)의 섹션, 즉, 길이 (l)의 라인 초점 상에 레이저 빔 (2)의 초점 조정에 의해 보장되는, 전제하에서) 유도 흡수가 기판 물질에서 발생되는, (길이방향의 빔 방향을 따라 정렬된) 넓은 범위에 걸친 섹션 (2c)을 발생시킨다. 유도 흡수는 섹션 (2c)를 따라 기판 물질에서 결함 라인 형성을 생성한다. 결함 라인은, 다중 레이저 펄스의 단일의 고에너지 버스트를 사용하여 발생된 실질적으로 투명한 물질, 기판, 또는 피가공재 내에 초소형의 (예를 들어, 직경이 >100 nm 및 <0.5 microns) 가늘고 긴 "구멍" (또한, 소위 천공 또는 결함 라인이라 한다)이다. 개별 천공은, 예를 들어, 수백 kilohertz (초당 수십만 개의 천공)의 속도로 생성될 수 있다. 소스와 물질 사이의 상대적인 이동으로, 이러한 천공은, 서로 인접하게 배치될 수 있다 (원하는 대로 서브-microns으로부터 수 microns까지 변화하여 공간 분리됨). 이 공간 분리 (피치)는, 물질 또는 피가공재의 분리를 용이하게 하기 위해 선택될 수 있다. 몇몇 구체 예에서, 결함 라인은, 실질적으로 투명한 물질의 상부에서 하부로 연장된 구멍 또는 개방 채널인, "관통 구멍 (through hole)"이다. 결함 라인 형성은, 국소적일 뿐만 아니라 유도 흡수의 넓은 범위에 걸친 섹션 (2c)의 전체 길이에 걸쳐있다. (레이저 빔 초점 라인 (2b)과 기판 (1)의 중첩의 길이에 상응하는) 섹션 (2c)의 길이는, 참조번호 L로 표시된다. 유도 흡수의 섹션 (2c) (또는 결함 라인이 형성되는 기판 (1)의 물질 내에 섹션)의 평균 직경 또는 범위는 참조 번호 D로 표시된다. 이 평균 넓이 (D)는, 기본적으로 레이저 빔 초점 라인 (2b)의 평균 직경 (δ), 즉, 약 0.1 microns 내지 약 5 microns의 범위에서 평균 스폿 직경에 상응한다.
도 2a에 나타낸 바와 같이, (레이저 빔 (2)의 파장 (λ)에 대해 투명한) 기판 물질은, 초점 라인 (2b) 내의 레이저 빔의 고강도와 관련된 비선형 효과로 발생하는 초점 라인 (2b)을 따라 유도 흡수에 기인하여 가열된다. 도 2b는, 가열된 기판 물질이 결국 확장하여서 상응하는 유도된 장력이, 표면 (1a)에서 가장 높은 장력으로, 미세-균열 형성을 유도하는 것을 예시한다.
레이저 소스의 선택은, 투명한 물질에서 다-광자 흡수 (MPA)를 생성하는 능력에 기인하게 된다. MPA는, 하나의 상태 (보통 기저 상태)로부터 높은 에너지 전자 상태 (이온화)로 분자를 여기시키기 위해 동일하거나 다른 주파수의 둘 이상의 광자의 동시 흡수이다. 분자의 관련된 하단 및 상단 상태 사이에 에너지 차이는 두 광자의 에너지의 합과 같을 수 있다. 또한, 유도 흡수라고도 불리는 MPA는, 예를 들어, 선형 흡수보다 수 자릿수 배로 더 약한, 2차 또는 3차 공정, 또는 고-차 공정일 수 있다. MPA는, 유도 흡수의 강도가, 예를 들어, 빛의 강도 자체에 비례하지 않고, 빛의 강도의 제곱 또는 세제곱 (또는 더 높은 거듭 제곱식 (power law))에 비례할 수 있다는 점에서 선형 흡수와 다르다. 따라서, MPA는 비선형 광학 공정이다.
초점 라인 (2b)을 발생하기 위해 적용될 수 있는, 대표적인 광학 어셈블리들 (6), 뿐만 아니라 이들 광학 어셈블리들이 적용될 수 있는, 대표적인 광학 장비 (setups)는 이하 기재된다. 모든 어셈블리 또는 장비는, 전술된 설명을 기반으로 하므로, 동일한 구성요소 또는 특색들 또는 기능이 동일한 것에 대해 동일한 참조 번호가 사용된다. 따라서, 이하 차이점만 기재된다.
분리가 발생하는, 분리된 부분의 표면의 (파괴 강도, 기하학적 정밀도, 거칠기 및 재-가공 요건의 회피와 관련한) 고품질을 보장하기 위해, 분리의 선을 따라 기판 표면상에 위치된 개별 초점 라인은, 후술하는 광학 어셈블리 (이후, 광학 어셈블리는 선택적으로 레이저 광학기기라고도 함)를 사용하여 발생되어야 한다. 분리된 표면 (또는 절단 에지)의 거칠기는, 특히 초점 라인의 스폿 크기 또는 스폿 직경으로부터 결과한다. 예를 들어, 0.25 내지 1 microns일 수 있는, 분리된 (절단된) 표면의 거칠기는, 예를 들어, Ra 표면 거칠기 통계 (초점 라인의 스폿 직경으로부터 결과하는 범프 (bumps)의 높이를 포함하는, 샘플 표면의 높이의 절대 값의 거칠기 산술 평균)을 특징으로 할 수 있다. (기판 (1)의 물질과 상호작용하는) 레이저 (3)의 주어진 파장 (λ)의 경우에서, 예를 들어, 0.5 microns 내지 2 microns의 작은 스폿 크기를 달성하기 위해서, 특정 요건은 보통 레이저 광학기기 (6)의 개구 수 (numerical aperture)에 대해 부과되어야 한다. 이러한 요건은 하기 기재된 레이저 광학기기 (6)에 의해 충족된다.
요구된 개구 수를 달성하기 위해, 광학 기기는, 한편으로는, 공지된 아베 (Abbe) 공식에 따라, 주어진 초점 길이에 대해 요구되는 개구부 (opening)를 없애야 한다 (N.A. = n sin (theta), n: 가공될 유리 또는 복합 피가공재의 굴절률, sin: 개구 각도의 반; 및 theta = arctan (D/2f); D: 유효 구경, f: 초점 거리). 반면에, 레이저 빔은, 통상적으로 레이저와 초점 조정 광학기기 사이에 확대된 망원경을 사용하여 빔 확대의 수단에 의해 달성될 수 있는, 요구된 애퍼처 (aperture)까지 광학기기를 조명해야 한다.
초점 라인을 따라 균일한 상호작용의 목적을 위해 스폿 크기는 너무 강하게 변하지 않아야 한다. 이는, 예를 들어, 빔 개구부 및 그에 따른 개구 수의 퍼센트가 약간만 변하도록, 작은 원형 구역에서만 초점 조정 광학기구를 조명하여 (이하 구체 예를 참조) 보장될 수 있다.
도 3a에 따르면 (레이저 방사선 (2)의 레이저 빔 번들 내에 중심 빔의 수준에서 기판 평면에 수직인 단면; 여기에서, 역시, 레이저 빔 (2)은 기판 평면에 수직으로 입사, 즉, 초점 라인의 입사각은, 유도 흡수 (2c)의 넓은 범위에 걸친 섹션 또는 초점 라인 (2b)이 기판 법선과 평행하도록, 약 0°임), 레이저 (3)에 의해 방출된 레이저 방사선 (2a)은, 먼저 사용된 레이저 방사선에 대해 완전히 불투명한 원형 개구 (8) 상으로 향하게 된다. 개구 (8)는, 종 방향의 빔 축에 수직으로 지향되고 및 도시된 빔 번들 (2a)의 중심 빔에 대해 중심에 둔다. 개구 (8)의 직경은, 빔 번들 (2a)의 중심 근처의 빔 번들 또는 중심 빔 (여기서는 2aZ로 표기됨)이 상기 개구를 타격하고 및 그것에 의해 완전히 흡수되는 방식으로 선택된다. 빔 번들 (2a)의 외부 둘레 범위 (여기에서 2aR로 표시된, 주변 광선 (marginal rays))에서 빔만이 빔 직경에 비해 감소된 개구 크기로 인해 흡수되지 않고, 개구 (8)를 측면으로 통과하며, 및 이 구체 예에서, 구형으로 절단된, 양면 볼록 렌즈 (7)로서 설계된, 광학 어셈블리 (6)의 초점 조정 광학 소자의 주변 지역 (marginal areas)을 타격한다.
도 3a에 예시된 바와 같이, 레이저 빔 초점 라인 (2b)은, 레이저 빔에 대한 단일 초점뿐만 아니라, 레이저 빔 내에 다른 광선에 대한 일련의 초점이다. 일련의 초점은, 레이저 빔 초점 라인 (2b)의 길이 (l)로서 도 3a에 나타낸, 한정된 길이의 가늘고 긴 초점 라인을 형성한다. 렌즈 (7)는, 중심 빔 상에 중심을 두고 있으며, 및 보통, 구형 절단 렌즈의 형태로 비-교정된, 양면 볼록 초점 조정 렌즈로서 설계된다. 이러한 렌즈의 구면 수차 (spherical aberration)는 유리할 수 있다. 선택적으로, 이상적인 초점을 형성하지는 않지만, 한정된 길이의 뚜렷하고, 가늘고 긴 초점 라인을 형성하는, 이상적으로 보정된 시스템으로부터 벗어난 비구면 또는 다중-렌즈 시스템은 또한 사용될 수 있다 (즉, 단일 초점을 갖지 않는 렌즈 또는 시스템). 따라서, 렌즈의 존들은, 렌즈 중심으로부터의 거리를 조건으로, 초점 라인 (2b)을 따라 초점을 맞춘다. 빔 방향을 가로지르는 개구 (8)의 직경은, (피크 강도의 1/e로 감소하는데 빔의 강도에 대해 요구된 거리로 한정된) 빔 번들의 직경의 약 90%이고 및, 광학 어셈블리 (6)의 렌즈의 직경의 약 75%이다. 따라서, 중심에서 빔 번들을 차단하여 발생된 비-수차-보정된 구면 렌즈 (7)의 초점 라인 (2b)은 사용된다. 도 3a는 중심 빔을 통한 일 평면 내에 섹션을 나타내고, 및 도시된 빔이 초점 라인 (2b) 주변으로 회전될 때 완전한 3차원 번들은 보일 수 있다.
이 타입의 초점 라인의 하나의 잠재적인 단점은, 초점 라인을 따라 (따라서 물질의 원하는 깊이를 따라) 변할 수 있고, 및 따라서 원하는 타입의 상호작용 (균열 형성까지 열-소성 변형, 유도 흡수, 용융 없음)은, 초점 라인의 선택된 부분에서만 발생할 수 있다. 이것은 결국 아마 입사되는 레이저 광의 일부만이 기판 물질에 의해 원하는 방식으로 흡수될 수 있음을 의미한다. 이러한 방식으로, 공정의 효율 (원하는 분리 속도에 대해 요구된 평균 레이저 출력)은 손상될 수 있고, 및 레이저 광은 또한 원하지 않는 영역 (기판 또는 기판 고정 치공구에 부착된 부분 또는 층)으로 전달될 수 있으며, 및 원하지 않는 방식 (예를 들어, 가열, 확산, 흡수, 원치 않는 변형)으로 이들과 상호작용할 수 있다.
도 3b-1 내지 도 3b-4는, 레이저 빔 초점 라인 (2b)의 위치가 기판 (1)에 대해 광학 어셈블리 (6)를 적절하게 위치 설정하고 및/또는 정렬하여 뿐만 아니라 광학 어셈블리 (6)의 파라미터를 적절히 선택하여 조절될 수 있음을 (도 3a에서의 광학 어셈블리뿐만 아니라 기본적으로 임의의 다른 적용 가능한 광학 어셈블리 (6)에 대해) 나타낸다. 도 3b-1에 예시된 바와 같이, 초점 라인 (2b)의 길이 (l)는, 그것이 기판 두께 (d) (여기서 2배 만큼)를 초과하는 방식으로 조정될 수 있다. 기판 (1)이 초점 라인 (2b)의 중심에 (종 방향의 빔 방향으로 보았을 때) 배치되면, 유도 흡수 (2c)의 넓은 범위에 걸친 섹션은, 전체 기판 두께에 걸쳐 발생된다. 레이저 빔 초점 라인 (2b)은, 예를 들어, 약 0.01mm 내지 약 100mm 범위 또는 약 0.1mm 내지 약 10mm의 범위에서 길이 (l)를 가질 수 있다. 다양한 구체 예는, 예를 들어, 약 0.1mm, 0.2mm, 0.3mm, 0.4mm, 0.5mm 내지 5mm, 예를 들어, 0.5mm, 0.7mm, 1mm, 2mm, 3mm, 4mm, 또는 5mm의 길이 (l)를 갖도록 구성될 수 있다.
도 3b-2에 나타낸 경우에서, 기판 두께 (d)에 거의 상응하는, 길이 (l)의 초점 라인 (2b)은, 발생된다. 기판 (1)은, 라인 (2b)이 기판 외부의 지점에서 시작하는 방식으로 라인 (2b)에 대해 위치되기 때문에, (기판 표면으로부터 한정된 기판 깊이까지 연장되지만, 반대 기판 (1b)까지 연장되지 않는) 유도 흡수의 넓은 범위에 걸친 섹션 (2c)의 길이 (l)는, 초점 라인 (2b)의 길이 (l)보다 작다. 도 3b-3은, 도 3b-2에서와 같이, 라인 (2b)의 길이 (l)가 기판 (1) 내에 유도 흡수의 섹션 (2c)의 길이 (L)보다 크도록, (빔 방향에 수직인 방향을 따라 본) 기판 (1)이, 초점 라인 (2b)의 시작점 위에 위치된 경우를 나타낸다. 따라서, 초점 라인은, 기판 내에서 시작하고 및 반대 표면 (1b)을 넘어 연장된다. 도 3b-4는, - 입사의 방향에서 본 초점 라인에 대한 기판의 중심 위치 결정의 경우 - 초점 라인이 기판 내에 표면 (1a) 근처에서 시작하고 및 기판 내에 표면 (1b) 근처에서 끝나도록 (예를 들어, l = 0.75·d), 초점 라인 길이 (l)가 기판 두께 (d)보다 작은 경우를 나타낸다.
이것은, 유도 흡수의 섹션 (2c)이 기판의 적어도 하나의 표면에서 시작되도록, 표면 (1a, 1b) 중 적어도 하나가 초점 라인에 의해 덮여지는, 방식으로 초점 라인 (2b)을 위치시키는데 특히 유리하다. 이러한 방식에서, 표면에서 삭마, 페더링 (feathering) 및 미립자화 (particulation)를 피하면서 사실상 이상적인 절단을 달성하는 것이 가능하다.
도 4는 또 다른 적용 가능한 광학 어셈블리 (6)를 도시한다. 기본 구성은 도 3a에 기재된 것을 따르고, 이하 차이점들만이 하기에 기재된다. 도시된 광학 어셈블리는 한정된 길이 (l)의 초점 라인이 형성되는 방식으로 형성된, 초점 라인 (2b)을 발생하기 위해 비-구면 자유 표면을 갖는 광학기기의 사용을 기반으로 한다. 이 목적을 위해, 비구면은 광학 어셈블리 (6)의 광학 소자로서 사용될 수 있다. 도 4에서, 예를 들어, 액시콘으로 종종 언급되는, 소위 원추 프리즘 (conical prism)은 사용된다. 액시콘은, 광학 축을 따라 선상에 스폿 소스를 형성하는 (또는 레이저 빔을 링으로 변환시키는) 특수, 원뿔형 절단 렌즈이다. 이러한 액시콘의 레이아웃은, 일반적으로 당업자에게 공지되어 있고; 본 실시 예에서 콘 각 (cone angle)은 10°이다. 액시콘 원뿔 각도의 다른 범위는 또한 활용될 수 있다. 여기서 참조 번호 9로 표시된 액시콘의 정점은, 입사 방향으로 향하게 되고 및 빔 중심에 중심을 둔다. 액시콘 (9)에 의해 생성된 초점 라인 (2b)이 그 내부에서 시작되기 때문에, (여기서 주 빔 축에 수직으로 정렬된) 기판 (1)은 액시콘 (9) 바로 뒤에 있는 빔 경로에 위치될 수 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 초점 라인 (2b)의 범위 내에 머물면서 액시콘의 광학 특성으로 인해 빔 방향을 따라 기판 (1)을 이동시키는 것도 가능하다. 따라서, 기판 (1)의 물질에서 유도 흡수의 섹션 (2c)은 전체 기판 깊이 (d)에 걸쳐 연장된다.
그러나, 도시된 레이아웃은, 다음과 같은 제한 사항을 조건으로 한다: 액시콘 (9)에 의해 형성된 초점 라인 (2b)의 영역은 액시콘 (9) 내에서 시작되기 때문에, 레이저 에너지의 상당 부분은, 액시콘 (9)과 기판 또는 유리 복합 피가공재 물질 사이에 구분이 있는 위치에서, 물질 내 위치된, 초점 라인 (2b)의 유도 흡수의 섹션 (2c)으로 집중되지 않는다. 더군다나, 초점 라인 (2b)의 길이 (l)는, 액시콘 (9)의 굴절률 및 콘 각을 통한 빔 직경과 관련된다. 그래서, 상대적으로 얇은 물질 (수 millimeters)의 경우, 전체 초점 라인은 기판 또는 유리 복합 피가공재 두께보다 훨씬 길어서, 레이저 에너지의 상당 부분이 물질에 집중되지 않는 효과를 갖는다.
이러한 이유 때문에, 액시콘 및 초점 조정 렌즈 (focusing lens)를 모두 포함하는 광학 어셈블리 (6)를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 도 5a는 이러한 광학 어셈블리 (6)를 도시하며, 여기서 넓은 범위에 걸친 레이저 빔 초점 라인 (2b)을 형성하도록 설계된 비-구형 자유 표면을 갖는 제1 광학 소자는 레이저 (3)의 빔 경로 내에 위치된다. 도 5a에 나타낸 경우에서, 이 제1 광학 소자는, 5°의 콘 각을 갖는 액시콘 (10)이고, 이는 빔 방향에 수직하게 배치되고 및 레이저 빔 (3)상에 중심을 둔다. 액시콘의 정점은 빔 방향으로 지향된다. 제2, 초점 조정 광학 소자, 여기서 평면-볼록 렌즈 (11) (이의 곡률은 액시콘으로 지향됨)는, 액시콘 (10)으로부터 거리 (z1)에서 빔 방향 내에 위치된다. 이 경우에서 대략 300mm인, 거리 (z1)는, 액시콘 (10)에 의해 형성된 레이저 방사선이 렌즈 (11)의 외부 방사상 부분에 원형으로 입사하는 방식으로 선택된다. 렌즈 (11)는, 이 경우 1.5 mm인, 한정된 길이의 초점 라인 (2b)상에, 이 경우 렌즈 (11)로부터 약 20 mm인, 거리 (z2)에서 출력 측에 원형 방사선을 집중시킨다. 렌즈 (11)의 유효 초점 길이는, 이 구체 예에서, 25 mm이다. 액시콘 (10)에 의한 레이저 빔의 원형 변환은 참조 번호 SR로 표시된다.
도 5b는, 도 5a에 따른 기판 (1)의 물질에서 초점 라인 (2b) 또는 유도 흡수 (2c)의 형성을 도시한다. 양 소자 (10, 11)의 광학 특징뿐만 아니라 이들의 위치 설정은, 빔 방향에서 초점 라인 (2b)의 길이 (l)가 기판 (1)의 두께 (d)와 정확히 일치하는 방식으로 선택된다. 결과적으로, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 빔 방향을 따라 기판 (1)의 정확한 위치 설정은, 기판 (1)의 두 표면들 (1a 및 1b) 사이에서 정확히 초점 라인 (2b)을 위치시키기 위해 요구된다.
따라서, 초점 라인이 레이저 광학기기로부터 특정 거리에 형성되고, 및 레이저 방사선의 대부분이 초점 라인의 원하는 단부까지 집중되는 경우에 유리하다. 기재된 바와 같이, 이는, 한편으로는, 요구된 개구 수 및 따라서 요구된 스폿 크기를 실현하는 역할을 하며, 및, 그러나, 다른 한편으로는, 기본적으로 원형 스폿이 형성됨에 따라, 확산의 원이, 스폿의 중심에서 매우 짧은 거리 이상의 요구된 초점 라인 (2b) 이후에 강도가 감소하는, 특정 외부 방사상 영역에 걸쳐 오직 원형 (환형)으로 주로 초점조정 소자 (11) (렌즈)를 조명함으로써 달성될 수 있다. 이러한 방식으로, 결함 라인 형성은 요구된 기판 깊이에서 짧은 거리 내에서 정지된다. 액시콘 (10) 및 초점 조정 렌즈 (11)의 조합은 이러한 요건을 충족시킨다. 액시콘은 두 가지 다른 방식으로 작용한다: 액시콘 (10)으로 인해, 보통 둥근 레이저 스폿이 링의 형태로 초점 조정 렌즈 (11)에 보내지며, 및 액시콘 (10)의 비구면성 (asphericity)은, 초점 라인이 초점 평면에서 초점 대신에 렌즈의 초점 평면을 넘어 형성되는 효과를 갖는다. 초점 라인 (2b)의 길이 (l)는, 액시콘에 대한 빔 직경을 통해 조정될 수 있다. 다른 한편으로는, 초점 라인을 따라 개구 수는, 거리 (z1) 액시콘-렌즈 및 액시콘의 콘 각을 통해 조정될 수 있다. 이러한 방식으로, 전체 레이저 에너지는 초점 라인에 집중될 수 있다.
결함 라인 형성이 기판의 뒷면으로 계속되도록 의도된다면, 원형 (환형) 조명은 여전히, (1) 대부분의 레이저 광이 초점 라인의 요구된 길이에서 집중되는 의미에서 레이저 출력은 최적으로 사용되고, 및 (2) 다른 광학 기능의 수단에 의해 설정된 원하는 수차 (aberration)와 연관하여 원형으로 조명된 존에 기인하여 초점 라인을 따라 균일한 스폿 크기를 달성하는 것이 가능하고 - 및 따라서 초점 라인을 따라 기판으로부터 부분의 균일한 분리를 달성하는 것이 가능한 - 장점을 갖는다.
도 5a에 도시된 평면-볼록 렌즈 대신에, 초점 조정 메니스커스 렌즈 (meniscus lens) 또는 다른 고도로 보정된 초점 조정 렌즈 (비구면, 다중-렌즈 시스템)를 사용하는 것이 또한 가능하다.
도 5a에 도시된 액시콘 및 렌즈의 조합을 사용하여 매우 짧은 초점 라인 (2b)을 발생하기 위해, 액시콘에 입사되는 레이저 빔의 매우 작은 빔 직경을 선택하는 것이 필요할 것이다. 이것은 액시콘의 정점으로 빔의 중심 맞춤이 매우 정확해야 하며, 및 그 결과가 레이저의 방향 변화 (빔 드리프트 안정도 (beam drift stability))에 매우 민감한 실질적인 단점을 갖는다. 더군다나, 촘촘히 조준된 (tightly collimated) 레이저 빔은 매우 발산적인데, 즉, 광 편향으로 인해 빔 번들은 짧은 거리에 걸쳐 흐릿해진다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 두 영향은, 광학 어셈블리 (6)에서, 또 다른 렌즈인, 조준 렌즈 (12)를 포함하여 회피될 수 있다. 부가적인 정의 렌즈 (positive lens) (12)는, 초점 조정 렌즈 (11)의 원형 조명을 매우 촘촘히 조정하는 역할을 한다. 조준 렌즈 (12)의 초점 길이 (f')는, (f')과 동일한, 원하는 원형 직경 (dr)이 액시콘으로부터 조준 렌즈 (12)까지의 거리 (z1a)로부터 결과하는 방식으로 선택된다. 링의 원하는 폭 (br)은, (조준 렌즈 (12)로부터 초점 조정 렌즈 (11)까지의) 거리 (z1b)를 통해 조정될 수 있다. 순수 기하학의 문제로서, 작은 폭의 원형 조명은, 짧은 초점 라인을 초래한다. 최소값은 거리 (f')에서 달성될 수 있다.
따라서, 도 6에 도시된 광학 어셈블리 (6)는, 도 5a에 도시된 것에 기초하며, 이하 오직 차이점만이 기재된다. (빔 방향을 향하여 이의 곡률을 갖는) 평면-볼록 렌즈로서 여기에 또한 설계된, 조준 렌즈 (12)는, 일 측면 상에, (빔 방향을 향하여 이의 정점을 갖는) 액시콘 (10)과, 다른 측면 상에, 평면-볼록 렌즈 (11) 사이에 빔 경로에서 중심으로 부가적으로 배치된다. 액시콘 (10)으로부터 조준 렌즈 (12)의 거리는 z1a로 지칭되며, 조준 렌즈 (12)로부터 초점 조정 렌즈 (11)의 거리는 z1b로, 및 초점 조정 렌즈 (11)로부터 초점 라인 (2b)의 거리는 z2 (항상 빔 방향에서 본)로 지칭된다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 조준 렌즈 (12)에 대한 원형 직경 (dr) 아래로 분기적으로 입사되는, 액시콘 (10)에 의해 형성된 원형 방사선 (SR)은, 초점 조정 렌즈 (11)에서 적어도 대략 일정한 원형 직경 (dr)에 대해 거리 (z1b)를 따라 요구된 원형 폭 (br)으로 조정된다. 나타낸 경우에서, 매우 짧은 초점 라인 (2b)은, 렌즈 (12)에서 대략 4mm의 원형 폭 (br)이 렌즈 (12)의 초점 조정 특성에 기인하여 (원형 직경 (dr)은 본 실시 예에서 22mm임) 렌즈 (11)에서 대략 0.5 mm로 감소되는 것으로 발생되도록 의도된다.
도시된 실시 예에서, 2mm의 통상적인 레이저 빔 직경, 초점 길이 (f) = 25mm를 갖는 초점 조정 렌즈 (11), 초점 길이 (f') = 150 mm를 갖는 조준 렌즈, 및 선택 거리 Z1a = Z1b = 140 mm 및 Z2 = 15 mm을 사용하여, 0.5 mm 미만의 초점 라인 (l)의 길이를 달성하는 것이 가능하다.
또한, 도 7a-7c는, 다른 레이저 강도 레짐에서 레이저-물질 상호작용 (laser-matter interaction)을 예시한다. 도 7a에 나타낸, 제1 경우에서, 초점을 맞추지 않는 레이저 빔 (710)은, 기판에 임의의 변형을 도입하지 않고 투명 기판 (720)을 통과한다. 이 특정 경우에서, 비선형 효과는 레이저 에너지 밀도 (또는 빔에 의해 조사되는 단위 면적당 레이저 에너지)가 비선형 효과를 유도하는데 필요한 임계치 이하이기 때문에 존재하지 않는다. 에너지 밀도가 높을수록, 전자기장의 강도는 높아진다. 따라서, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔이 구면 렌즈 (730)에 의해 더 작은 스폿 크기로 초점 조정되는 경우, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 조명된 구역은 감소되고, 및 에너지 밀도는 증가하여, 물질을 변형시키는 비선형 효과를 촉발시켜 그 조건이 만족되는 용적에서 오직 단층선의 형성을 가능하게 한다. 이러한 방식으로, 초점 조정된 레이저 (focused laser)의 빔 허리 (beam waist)가 기판의 표면에 위치되면, 표면의 변형은 발생할 것이다. 대조적으로, 초점 조정된 레이저의 빔 허리가 기판의 표면 아래에 위치되는 경우, 에너지 밀도는 비선형 광학 효과의 임계값 아래에 있어 표면에서 아무 일도 일어나지 않는다. 그러나, 기판 (720)의 벌크에 위치된 초점 (740)에서, 레이저 강도는 다-광자 비-선형 효과를 유발할 정도로 충분히 높아서, 따라서 물질에 손상을 유도한다. 마지막으로, 도 7c에 나타낸 바와 같은, 액시콘의 경우에서, 액시콘 렌즈 (750), 또는 선택적으로 프레넬 액시콘의 회절 패턴은, 베셀-형상 강도 분포 (고강도의 실린더형 (760))를 발생하는 간섭을 생성하고, 및 오직 그 용적에서 충분히 높은 강도가 물질 (720)에 대한 변형 및 비선형 흡수를 생성한다. 베셀-형상 강도 분포가 물질에 대한 변형 및 비선형 흡수를 생성하기에 충분히 높은, 실린더형 (760)의 직경은 또한, 여기서 언급된 바와 같은, 레이저 빔 초점 라인의 스폿 직경이다. 베셀 빔의 스폿 직경 (D)은 D = (2.4048λ)/(2πB)로 표시될 수 있는데, 여기서 λ는 레이저 빔 파장이고 및 B는 액시콘 각도의 함수이다.
레이저 및 광학 시스템.
몇몇 대표적인 구체 예에 따르면, 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 조성물을 절단하기 위한 목적으로, 라인-초점 빔 (line-focus beam) 형성 광학기기와 조합하여 다중 펄스의 버스트를 생성하는 피코초 펄스 레이저 (예를 들어, 1064 nm 또는 532 nm 피코초 펄스 레이저)는, 유리 조성물에 손상의 라인 (결함 라인)을 생성하는데 사용될 수 있다 (그러나, 다른 펄스 레이저가 또한 활용될 수 있음에 주의해야 한다).
예를 들어, 최대 0.7 mm의 두께를 갖는 디스플레이/TFT 유리 조성물은, 그것이 광학기기에 의해 생성된 초점 라인의 영역 내에 있도록 위치된다. 약 1mm 길이의 초점 라인, 유리 조성물에서 측정된 200kHz의 버스트 반복률 (약 120 microJoules/버스트 이상)에서 약 24W 이상의 출력을 생성하는 1064 nm 피코초 레이저를 사용하여, 초점 라인 영역에서 광학 강도는, 유리 조성물에서 비-선형 흡수를 생성하는데 충분히 높다. 펄스된 레이저 빔은, 물질의 두께 mm당 40 microJoules 초과의, 물질에서, 측정된 평균 레이저 버스트 에너지를 가질 수 있다. 몇몇 유리의 경우, 에너지 밀도가, 절취선 또는 절단 에지에 직각인 미세균열의 정도를 최소화하면서, 유리를 통해 빈틈없는 손상 트랙을 만들기에 충분히 강하기 때문에, 사용된 평균 레이저 버스트 에너지는, 물질의 mm 두께당 2500 μJ 만큼 높은, 예를 들어, 40-2500 μJ/mm, 디스플레이/TFT 타입유리에 대해 바람직하게는 400-1300 μJ/mm (및 좀 더 바람직하게는 550 내지 1000 μJ/mm)일 수 있다. 이러한 mm당 "평균 펄스 버스트 레이저 에너지"는 또한, 버스트-당, 평균의, 선형 에너지 밀도, 또는 물질 두께 mm당 레이저 펄스 버스트 당 평균 에너지를 의미할 수 있다. 유리 조성물 내에서 손상, 삭마, 기화, 또는 변형된 물질의 영역은, 대체로 레이저 빔 초점 라인에 의해 생성된 높은 광학 강도의 선형 영역을 따라 생성된다.
여기에 기재된 이러한 피코초 레이저의 통상적인 작동은, 펄스 (500A)의 "버스트" (500)를 생성하는 점에 주의된다 (예를 들어, 도 8a 및 8b 참조). 각 "버스트" (여기서 또한 "펄스 버스트" (500)라고도 함)는, 매우 짧은 지속기간의 다수의 개별 펄스들 (500A) (적어도 5 펄스, 적어도 7 펄스, 적어도 8 펄스, 적어도 9 펄스, 적어도 10 펄스, 적어도 15 펄스, 적어도 20의 펄스, 또는 그 이상의 펄스)를 함유한다. 즉, 펄스 버스트는 펄스의 "포켓 (pocket)"이며, 버스트는, 각 버스트 내에서 개별적으로 인접한 펄스의 분리보다 더 긴 지속시간에 의해 서로 분리된다. 본 발명자들은 디스플레이 유리/TFT 유리 조성물을 절단 또는 천공하기 위해 버스트 당 펄스의 수가 5-20이 바람직할 수 있다는 것을 발견했다. 펄스 (500A)는 100 psec까지 (예를 들어, 0.1 psec, 5 psec, 10 psec, 15 psec, 18 psec, 20 psec, 22 psec, 25 psec, 30 psec, 50 psec, 75 psec 또는 이들 사이)의 펄스 지속시간 (Td)를 갖는다. 버스트 내에 각 개별 펄스 (500A)의 에너지 또는 강도는, 버스트 내에 다른 펄스의 것과 같지 않을 수 있으며, 버스트 (500) 내에 다중 펄스의 강도 분포는, 종종 레이저 설계에 의해 지배되는 시간에서 지수적 감쇠 (exponential decay)를 따른다. 바람직하게는, 여기에 기재된 대표적인 구체 예의 버스트 (500) 내에 각 펄스 (500A)는 1 nsec 내지 50 nsec (예를 들어, 레이저 캐비티 설계에 의해 지배도는 시간인, 10-50nsec, 또는 10-30nsec)의 지속시간 (Tp)에 의해 버스트의 후속 펄스로부터 시간에서 분리된다. 주어진 레이저에 대해, 버스트 (500) 내에 인접한 펄스들 사이에 시간 분리 (time separation) (Tp) (펄스-대-펄스 분리)은 비교적 균일하다 (± 10%). 예를 들어, 몇몇 구체 예들에서, 버스트 내에 각 펄스는, 후속 펄스로부터 약 20nsec (50MHz)만큼 시간에서 분리된다. 예를 들어, 약 20nsec의 펄스 분리 (Tp)를 생성하는 레이저의 경우, 버스트 내에 펄스 대 펄스 분리 (Tp)는 약 ±10%, 또는 약 ±2nsec 내에서 유지된다. 펄스들의 각 "버스트" 사이의 시간 (즉, 버스트들 사이에 시간 분리 (Tb))은 훨씬 길어질 것이다 (예를 들어, 0.25 ≤ Tb ≤1000 microseconds, 예를 들어 1-10 microseconds, 또는 3-8 microseconds). 여기에 기재된 레이저의 몇몇의 대표적인 구체 예에서, 시간 분리 (Tb)는 약 200kHz의 주파수 또는 버스트 반복률을 갖는 레이저에 대해 약 5 microseconds이다. 레이저 버스트 반복률은 버스트에서 첫 번째 펄스와 후속 버스트의 첫 번째 펄스 사이에 시간 (Tb)과 관련된다 (레이저 버스트 반복률 = 1/Tb). 몇몇 구체 예에서, 레이저 버스트 반복 주파수는 약 1 kHz 내지 약 4 MHz의 범위일 수 있다. 좀 더 바람직하게는, 레이저 버스트 반복률은, 예를 들어, 약 10 kHz 내지 650 kHz의 범위일 수 있다. 각 버스트에서 제1 펄스와 후속 버스트에서 제1 펄스 사이의 시간 (Tb)은, 0.25 microsecond (4MHz 버스트 반복률) 내지 1000 microsecond (1kHz 버스트 반복률), 예를 들어 0.5 microsecond (2MHz 버스트 반복률) 내지 40 microsecond (25 kHz 버스트 반복률), 또는 2 microsecond (500 kHz 버스트 반복률) 내지 20 microseconds (50kHz 버스트 반복률)일 수 있다. 정확한 타이밍, 펄스 지속시간, 및 버스트 반복률은, 레이저 설계에 의존하여 변할 수 있지만, 고강도의 짧은 펄스 (Td <20 psec, 및 바람직하게는 Td≤15 psec)는 특히 잘 작동하는 것으로 나타났다.
물질을 변형시키는데 필요한 에너지는, 버스트 에너지 - 버스트 내에 함유된 에너지 (각 버스트 (500)는 일련의 펄스 (500A)를 함유함), 또는 단일 레이저 펄스 (이의 다수는 버스트를 포함할 수 있음) 내에 함유된 에너지의 관점에서 기재될 수 있다. 버스트 당 에너지는 25-750 μJ일 수 있고, 다수의 비 디스플레이/비 TFT 유리 조성물의 경우, 50-500 μJ 또는 50-250 μJ일 수 있다. 몇몇 비 디스플레이, 비 TFT 유리에서, 버스트 당 에너지는 100-250 μJ이다. 그러나, 디스플레이 또는 TFT 유리 조성물의 경우, 버스트당 에너지는, 특별한 디스플레이/TFT 유리 조성물에 의존하여, 예를 들어, 300 내지 500 μJ 또는 400 내지 600 μJ로, 더 높아야 한다. 도 8a 및 도 8b에 나타낸 바와 같이, 펄스 버스트 내에 개별 펄스의 에너지는, 작을 것이고, 정확한 개별 레이저 펄스 에너지는, 펄스 버스트 (500) 내에 펄스 (500A)의 수 및 시간에 따른 레이저 펄스의 감쇠율 (예를 들어, 지수 감쇄율)에 의존할 것이다. 예를 들어, 일정한 에너지/버스트의 경우, 펄스 버스트가 10개의 개별 레이저 펄스 (500A)를 함유한다면, 그 다음 각 개별 레이저 펄스 (500A)는, 동일한 펄스 버스트 (500)가 단지 2개의 개별 레이저 펄스를 갖는 경우보다 적은 에너지를 함유할 것이다.
이러한 펄스 버스트를 발생할 수 있는 레이저의 사용은, 투명한 물질, 예를 들어, 유리를 절단 또는 변형시키는데 유리하다. 단일-펄스된 레이저의 반복률에 의해 시간에서 이격된 단일 펄스의 사용과는 대조적으로, 버스트 (500) 내에 빠른 일련의 펄스에 걸쳐 레이저 에너지를 확산시키는 펄스 버스트 시퀀스 (sequence)의 사용은, 단일-펄스 레이저로 가능한 것보다 물질과 고강도 상호작용의 더 큰 시간척도 (timescales)에 접근을 가능하게 한다. 단일-펄스가 시간에서 확장될 수 있는 반면, 이렇게 하면 펄스 내에 강도는 펄스 폭에 대해 대략 1만큼 떨어져야 한다. 따라서, 10 psec 단일 펄스가 10 nsec 펄스로 확장되면, 강도는 거의 3 자릿수 만큼 떨어진다. 이러한 감소는, 비선형 흡수가 더 이상 의미 있지 않으며, 및 가벼운 물질 상호작용이 더 이상 절단을 허용할 정도로 충분히 강하지 않은 지점으로 광학 강도를 감소시킬 수 있다. 대조적으로, 펄스 버스트 레이저를 사용하여, 버스트 (500) 내에 각 펄스 (500A)가 - 예를 들어, 대략 10nsec 만큼 시간에서 이격된 3개의 10psec 펄스들 (500A)로 매우 높게 유지될 수 있는 강도는 여전히, 단일 10 psec 펄스의 것보다 대략 3배 높게 각 펄스 내에 강도를 허용하고, 반면에, 레이저는 현재 3 자릿수 더 큰 시간척도에 걸쳐 물질과 상호작용을 가능하게 한다. 또한, 예를 들어, 대략 10 nsec 만큼 시간에서 이격된 10개의 10 psec 펄스 (500A)는, 여전히 단일 10 psec 펄스의 강도보다 약 10배 더 높게 각 펄스 내에 강도를 가능하게 하고, 반면에, 레이저는 현재 10배까지의 범위인 더 큰 시간척도에 걸쳐 물질과 상호작용을 가능하게 한다. 버스트 내에 다중 펄스 (500A)의 이러한 조정은, 따라서 기존의 플라즈마 플룸 (plasma plume)과의 다소의 광 상호작용 (light interaction), 초기 또는 이전의 레이저 펄스에 의해 미리-여기된 원자 및 분자와의 다소의 광-물질 상호작용, 및 미세균열의 조절된 성장을 촉진할 수 있는 물질 내에서 다소의 가열 효과를 용이하게 할 수 있는 방식으로 레이저-물질 상호작용의 시간-척도의 조작을 가능하게 한다. 물질을 변형시키기 위해 요구되는 버스트 에너지의 양은, 기판 물질 조성물 및 기판과 상호작용하는데 사용되는 라인 초점의 길이에 의존할 것이다. 상호작용 영역이 길수록, 더 많은 에너지가 퍼지고, 및 더 많은 버스트 에너지는 요구될 것이다. 정확한 타이밍, 펄스 지속시간, 및 버스트 반복률은, 레이저 설계에 의존하여 변화할 수 있지만, 고강도의 짧은 펄스 (<15 psec, 또는 ≤10 psec)는 이 기술로 잘 작동하는 것으로 나타난다. 결함 라인 또는 구멍은, 펄스의 단일 버스트가 유리 상에 동일한 위치를 필수적으로 부딪치는 경우, 물질 내에 형성된다. 즉, 단일 버스트 내에 다중 레이저 펄스는, 유리 내에 단일 결함 라인 또는 구멍 위치에 상응한다. 물론, 유리가 (예를 들면, 일정하게 이동하는 스테이지 (stage)에 의해) 이동되기 때문에 (또는 빔이 유리에 대해 이동되기 때문에), 버스트 내에 개별 펄스는 정확히 유리의 동일한 공간 위치에 있을 수 없다. 그러나, 이들은 서로 1㎛ 이내에 알맞게 있다 - 즉, 이들은 필수적으로 동일한 위치에서 유리를 부딪친다. 예를 들어, 이들은 서로 간격 (sp), 여기서 0 < sp ≤ 500 nm에서 유리를 부딪칠 수 있다. 예를 들어, 유리 위치가 20 펄스의 버스트로 타격을 받는 경우, 버스트 내에 개별 펄스는 서로 250nm 내에서 유리를 부딪친다. 따라서, 몇몇 구체 예에서, 1 nm < sp < 250 nm이다. 몇몇 구체 예에서, 1 nm < sp < 100 nm이다.
구멍 또는 손상 트랙 형성:
유리 기판이 충분한 응력을 갖는다면 (예를 들어, 이온 교환된 유리), 그 다음 부분은 레이저 공정에 의해 윤곽이 그려진 천공된 손상의 경로를 따라 자발적으로 균열 및 분리될 것이다. 그러나, TFT 또는 디스플레이 유리 (예를 들어, Corning Eagle XG® 또는 Lotus, Corning Lotus NXT™ 또는 Contego 조성물)의 경우와 같이, 기판에 내재하는 많은 응력이 없으면, 그 다음 피코초 레이저는 피가공재에 손상 트랙을 간단히 형성한다. 이들 손상 트랙은 일반적으로 약 0.1-1.5 microns, 또는 0.2 microns 내지 2 microns (예를 들어, 몇몇 구체 예에서, 0.2 내지 0.7 microns, 또는 0.3 내지 0.6 microns)의 내부 치수를 갖는 구멍의 형태를 취한다. 바람직하게는, 상기 구멍은 치수 (즉, 폭 또는 직경)가 매우 작다 (1 microns 이하).
구멍 또는 결함 라인은 물질의 전체 두께를 관통할 수 있으며, 및 물질의 깊이 전체에 걸쳐 연속적인 개구일 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 도 9a는 600 micron 두께의 Eagle XG® 기판의 피가공재의 전체 두께를 관통하는 이러한 트랙 또는 결함 라인의 실시 예를 나타낸다. 천공 또는 손상 트랙은 절개된 에지의 측면을 통해 관찰된다. 물질을 통과하는 트랙은 필수적으로 쓰루-홀 (through-holes)이 아니다. 구멍을 막는 유리의 영역이 종종 있지만, 일반적으로 크기가, 예를 들어, 대략 microns로 작다.
또한, 유리의 스택된 시트를 천공하는 것은 가능하다. 이 경우, 초점 라인 길이는 스택 높이보다 길어야 한다. 구멍 또는 결함 라인들 사이에 측면 간격 (피치)은, 기판이 초점 조정된 레이저 빔 하부로 이동됨에 따라 레이저의 펄스 속도 (pulse rate)에 의해 결정된다. 오직 단일 피코초 레이저 펄스 버스트가 보통 전체 구멍을 형성하는데 필요하지만, 원한다면 다중 버스트는 사용될 수 있다. 다른 피치에서 구멍을 형성하기 위해, 레이저는 더 길거나 또는 더 짧은 간격으로 발사하도록 작동될 수 있다. 절단 작업의 경우, 레이저 작동 (laser triggering)은 일반적으로 빔 아래에 피가공재의 스테이지 구동 이동과 동시에 발생하므로, 레이저 펄스 버스트는, 예를 들어, 매 1 microns 또는 매 5 microns, 또는 매 7-15 microns과 같이, 고정된 간격으로 작동된다. 단층선의 방향을 따라 인접한 천공들 또는 결함 라인들 사이에, 거리 또는 주기성은, 예를 들어, 몇몇 유리 구체 예들에 대해 0.1 micron 초과 및 약 20 microns 이하일 수 있다. 예를 들어, 몇몇 유리의 경우, 인접한 천공 또는 결함 라인 사이에 간격 또는 주기성은, 0.5 microns 만큼 낮거나 또는 0.5 micron 내지 3.0 microns 정도로 적을 수 있다. 예를 들어, 몇몇 구체 예에서, 주기성은 0.5 micron 내지 1.0 micron일 수 있다. 디스플레이 또는 TFT 타입 유리의 경우, 통상적으로 5-15 microns이다.
인접한 천공 또는 결함 라인 사이에 정확한 간격은, 기판에 응력 수준을 고려해 볼 때, 천공된 구멍에서 천공된 구멍으로 균열이 전파되는 것을 용이하게 하는 물질 특성에 의해 결정된다. 그러나, 기판을 절단하는 것과는 대조적으로, 물질을 단지 천공하기 위해 동일한 방법을 사용하는 것이 또한 가능하다. 여기에 기재된 방법에서, 구멍 또는 결함 라인 (또는 손상 트랙, 또는 천공)은 더 큰 간격 (예를 들어, 5 micron 피치, 또는 7 micron 피치 이상)으로 분리될 수 있다.
(초점 라인 길이 및 그에 따른 출력 밀도를 결정하는) 레이저 출력 및 렌즈 초점 길이는, 유리의 완전 관통 및 낮은 미세-균열을 보장하는 것이 특히 중요한 파라미터이다. 일반적으로, 이용 가능한 레이저 출력이 높을수록, 상기 공정으로 물질을 더 빨리 절단할 수 있다. 여기에 개시된 공정은 0.25 m/sec 이상의 절단 속도로 유리를 절단할 수 있다. 절단 속도 (또는 절단하는 속도)는 투명 물질 (예를 들어, 유리)의 표면에 대해 레이저 빔이 다수의 구멍 또는 변형된 영역을 생성하면서 이동하는 비율이다. 예를 들어, 400mm/sec, 500mm/sec, 750mm/sec, 1m/sec, 1.2m/sec, 1.5m/sec, 또는 2m/sec, 또는 3.4m/sec 내지 4m/sec과 같은, 빠른 절단 속도는, 종종 제조를 위한 자본 투자를 최소화하고, 및 장비 가동률을 최적화하는데 요구된다. 레이저 출력은, 버스트 에너지에 레이저의 버스트 반복 주파수 (반복률)를 곱한 것과 같다. 일반적으로, 빠른 절단 속도로 유리 물질을 절단하기 위해, 손상 트랙은 통상적으로 1-25 microns만큼 이격되어 있고, 몇몇 구체 예에서, 손상 트랙 사이의 간격 (즉, 피치)은, 바람직하게는 3 microns 이상 - 예를 들어 3-12 microns, 또는 예를 들어 5-10 microns이다. 디스플레이 또는 TFT 유리의 경우, 손상 트랙은 5 microns 초과 (예를 들어, 5-15 microns)로 분리되어야 한다. 디스플레이 또는 TFT 유리의 몇몇 유리 조성물의 경우, 손상 트랙은 7-15 microns, 7-12 microns, 또는 9-15 microns으로 분리된다.
예를 들어, 몇몇 비 디스플레이 유리의 경우, 300mm/sec의 선형 절단 속도를 달성하기 위해, 3 microns 구멍 피치는 적어도 100kHz 버스트 반복률을 갖는 펄스 버스트 레이저에 상응한다. 600mm/sec 절단 속도의 경우, 3 microns 피치는 적어도 200kHz 버스트 반복률을 갖는 버스트-펄스된 레이저에 상응한다. 200kHz에서 적어도 40μJ/버스트를 생성하고, 및 600mm/s 절단 속도에서 절단하는 펄스 버스트 레이저는, 적어도 8 Watts의 레이저 출력을 가져야 한다. 빠른 절단 속도는 통상적으로 더 높은 레이저 출력을 요구한다. 증가된 버스트 펄스 반복률은 또한 속도 및 레이저 출력을 결과할 수 있다.
예를 들어, 디스플레이/TFT 유리의 경우, 5 micron 피치로 100 kHz 레이저는 최대 500 mm/s로 절단할 것이고; 7 micron 피치가 활용되는 경우 700 mm/s의 최대 속도; 10 micron 피치로 1000 mm/s의 최대 속도; 12 microns 피치로 1200mm/s의 최대 속도; 15 microns 피치로 1500 mm/s의 최대 속도로 절단될 것이다. 동일한 레이저 반복률의 경우, 300μJ/버스트는 30W 평균 출력을 요구하고, 400μJ/버스트에 대해 40W 평균 출력을 요구하며, 500μJ/버스트는 50W 평균 출력을 요구하고, 및 600μJ/버스트는 60W 평균 출력을 요구한다.
따라서, 바람직하게는 펄스 버스트 ps 레이저의 레이저 출력은 바람직하게는 적어도 10W 이상이다. 손상 트랙과 정확한 버스트 에너지 사이에 최적 피치는 물질 의존성이며, 및 경험적으로 결정될 수 있다. 그러나, 레이저 펄스 에너지를 높이거나 또는 더 가까운 피치로 손상 트랙을 만드는 것이 항상 기판 물질을 더 잘 분리하거나 또는 에지 품질을 향상시키는 조건이 아니라는 점에 주의해야 한다. 손상 트랙 사이에 피치 (예를 들어, <0.1 microns, 몇몇 대표적인 구체 예에서 <1 ㎛, 또는 몇몇 구체 예에서는 <2 ㎛)가 너무 조밀하면, 때때로 인근의 후속 손상 트랙의 형성을 억제할 수 있고, 및 종종 천공된 윤곽선 주변에서 물질의 분리를 억제할 수 있으며, 및 또한 유리 내에서 원치않는 미세균열을 증가시킬 수 있다. 너무 긴 피치 (> 50 ㎛, 몇몇 유리에서 >25 ㎛ 또는 심지어 >20 ㎛)는, "조절되지 않은 미세균열"을 결과할 수 있는데, 즉, 여기서 미세균열이 구멍에서 구멍으로 전파되는 대신에 다른 경로를 따라 전파되고, 유리를 다른 (바람직하지 않은) 방향으로 균열시킨다. 이는, 잔여 미세균열이 유리를 약화시키는 흠으로 작용하기 때문에, 분리된 유리 부분의 강도를 궁극적으로 낮출 수 있다. 각 손상 트랙을 형성하는데 사용되는 너무 높은 버스트 에너지 (예를 들어, >2500 μJ/버스트, 및 몇몇 구체 예에서 >600 μJ/버스트)는, 인접한 손상 트랙의 이미 형성된 미세균열의 "메움 (healing)" 또는 재-용융을 야기할 수 있으며, 이는 유리의 분리를 억제할 것이다. 따라서, 버스트 에너지는 <2500 μJ/버스트, 예를 들어, ≤600 μJ/버스트인 것이 바람직하다. 또한, 너무 높은 버스트 에너지를 사용하면, 매우 큰 미세균열이 형성될 수 있으며, 및 분리 후에 부분의 에지 강도를 감소시키는 흠을 생성할 수 있다. 버스트 에너지가 너무 낮으면 (<40 μJ/버스트), 유리 내에 형성된 상당한 손상 트랙이 결과하지 않아, 매우 높은 분리 강도를 결과하거나 또는 천공된 윤곽선을 따라 분리할 수 없게 된다.
예를 들어, 0.7mm 두께의 비-이온 교환된 코닝 코드 2319 또는 코드 2320 Gorilla 유리를 절단하기 위해, 본 발명자들은 3-5 microns의 피치가 약 150-250 μJ/버스트의 펄스 버스트 에너지, 및 바람직하게는 5 이하 (예를 들어, 3 또는 4)의 버스트 펄스 수 t (버스트 당 펄스의 수)로, 잘 작동되는 것을 관찰하였다.
그러나, 본 발명자들은 훨씬 더 높은 (5 내지 10배 높은) 용적 측정 펄스 에너지 밀도 (μJ/μ㎥)가 높은 함량의 알칼리를 갖는 Corning Gorilla®과 같은, 유리에 대한 것과 비교하여 알칼리가 없거나 또는 적은 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리를 천공 또는 절단하는데 요구된다는 것을 발견하였다. 적거나 없는 알칼리를 함유하는 유리에서 손상 트랙을 생성하기 위한 레이저 기계에 대해, 더 높은 펄스 에너지와 함께 많은 수의 펄스는 각 레이저 펄스 버스트에서 요구된다. 예를 들어, 몇몇 구체 예에서, 피코초 레이저는 고 에너지 펄스 및 더 많은 수의 펄스를 허용하는 100 KHz에서 작동된다. 이는, 버스트 당 적어도 5 및 좀 더 바람직하게는 적어도 7 이상의 펄스, 및 더더욱 바람직하게는 버스트 당 적어도 8 펄스를 갖는 펄스 버스트 레이저를 활용하여 알칼리가 적거나 또는 없는 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리를 천공 또는 절단하는 단계, 및 약 0.05μJ/μ㎥ 이상, 예를 들어, 적어도 0.1 μJ/μ㎥, 예를 들어, 0.1-0.5 μJ/μ㎥의 (알칼리가 적거나 또는 없는) 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 내에 용적 측정 에너지 밀도를 제공하는 단계에 의해 바람직하게 달성된다.
알칼리가 적거나 또는 없는 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 (즉, 디스플레이 또는 TFT 유리)를 천공 또는 절단하기 위해, 레이저가 미리 결정된 윤곽선을 따라 쉬운 유리 분리, 미리 결정된 윤곽선을 이외의 방향에서 유리 균열의 적거나 또는 없는 발생, 및 낮은 표면 거칠기를 갖는 에지를 갖는 것을 가능하도록 버스트 당 적어도 9 펄스로 펄스 버스트를 생성하는 것이 더욱 바람직하다. 예를 들어, 몇몇 구체 예에서, 펄스된 레이저는 10W-150W (예를 들어, 10-100W)의 레이저 출력을 가지며, 버스트 당 적어도 5, 및 바람직하게는 적어도 9 펄스 (예를 들어, 버스트 당 10-20 펄스)로 펄스 버스트를 생성한다. 몇몇 구체 예들에서, 펄스된 레이저는 25W-65W (예를 들어, 25-60W)의 출력을 가지며, 및 버스트 당 적어도 10-20 펄스를 갖는 펄스 버스트를 생성하고, 및 레이저 버스트에 의해 생성된 인접한 결함 라인들 사이에 거리 또는 주기성은 5-10 microns 또는 5 내지 15 microns이다. 몇몇 구체 예에서, 펄스된 레이저는 10W-100W의 레이저 출력을 가지며, 및 버스트 당 적어도 9 펄스로 펄스 버스트를 생성하고, 및 피가공재 및 레이저 빔은 적어도 0.25m/sec의 속도로 서로에 대해 병진 이동된다. 몇몇 구체 예에서, 피가공재 및/또는 레이저 빔은, 적어도 0.3m/sec, 또는 적어도 0.35m/sec, 또는 적어도 0.4m/sec의 속도로 서로에 대해 병진 이동된다.
1m/sec의 절단 속도에서, (뉴욕 코닝의, Corning Incorporated로부터 이용 가능한) Eagle XG® 유리의 절단은, 통상적으로 15-84 Watts의 레이저 출력의 활용을 요구하는데, 종종 30-45 Watts도 충분하다. 2.7 m/s에서 Eagle XG® (500㎛ 두께) 유리의 절단은, 8.8 ㎛ 피치로 약 220 μJ/버스트를 갖는 65W Watts 버스트 펄스 레이저를 사용하여 입증된다. 유리는 그 다음 기계적으로 분리된다.
일반적으로, 다양한 유리 조성물 및 다른 투명 물질 전체에 걸쳐, 본 발명자들은 10 내지 100W의 레이저 출력이 0.2-1 m/sec의 절단 속도를 달성하는데 바람직하고, 다수의 유리에 대해 25-60 Watts의 레이저 출력이 충분 (및 최적)하다는 것을 발견했다. TFT/디스플레이 타입 유리의 경우에, 0.4m 내지 5m/sec의 절단 속도에 대해, 레이저 출력은 바람직하게는 300-600 μJ/버스트의 버스트 에너지, 버스트 당 5-20 펄스 (절단된 물질에 의존함), 및 5-15 ㎛, 및 몇몇 유리 조성물에 대해 7-12 ㎛의 구멍 분리 (또는 결함 라인 사이에 피치)로, 10W-150W이어야 한다. 피코초 펄스 버스트 레이저의 사용은, 이들이 고출력 및 버스트 당 펄스의 요구된 수를 발생하기 때문에, 이러한 절단 속도에 대해 바람직하다. 따라서, 몇몇 대표적인 구체 에에 따르면, 펄스된 레이저는 10-100W의 출력, 예를 들어, 25W 내지 60 Watts를 생성하고, 및 버스트 당 적어도 5-20 펄스로 펄스 버스트를 생성하며, 및 결함 라인 사이에 거리는 5-15 microns이고; 및 레이저 빔 및/또는 피가공재는 적어도 0.25 m/sec, 몇몇 구체 예에서, 적어도 0.4 m/sec, 예를 들어, 0.5 m/sec 내지 5 m/sec 이상의 속도로 서로에 대해 병진 이동된다.
좀 더 구체적으로, 예를 들어, Eagle XG 또는 Contego 유리와 같은, 디스플레이 또는 TFT 유리에 대하여 손상 트랙을 생성하기 위해, 도 9b-9c에 나타낸 바와 같이, 버스트 에너지, 버스트 당 펄스의 수, 및 결함의 피치의 올바른 시너지 효과는 사용되어야 한다. 다른 타입의 유리에 사용되는 범위는, 디스플레이 또는 TFT 유리에서 작동하지 않거나, 또는 만족스럽지 않은 (느린) 절단 속도를 결과한다. 좀 더 구체적으로, 도 9b는 코닝사로부터 이용 가능한 0.5mm Eagle XG 유리에서 초-단 레이저 펄스에 의해 생성된 (표면 평면도, 레이저 입사 측) 천공을 나타낸다. 상기 도는 용이한 분리를 위한 구멍을 연결하는 균열을 유도하는 열 영향 존의 중간에서 천공을 예시한다. 도 9c는 동일 기판의 하부 표면의 이미지이며, 및 상부 표면과 동일한 특성을 나타낸다. 도 9b 및 도 9c의 대표적인 구체 예에 대해, 레이저 버스트에서 총 에너지는 450 μJ이다. 이 에너지는 버스트에서 다수 펄스들 사이에 분포된다. 처음 두 개의 펄스는, 유리의 표면에서 시작하여 손상 트랙을 따라 플라스마를 발생시키기에 충분히 에너지가 풍부하고 (충분한 출력을 가짐), 및 후속 펄스는 플라즈마와 상호작용하여 벌크를 통해 손상 트랙을 길게 하지만, 또한 천공 주변의 열 영향 존을 생성한다. 도 9d는 CO2 빔 처리 후에 완전히 분리된, 9b 및 9c에 나타낸 0.5㎜ 두께의 Eagle XG® 유리의 절단된 스트립의 에지 (측면) 이미지이다.
초점 구역 주변의 열 영향 존 및 결함을 연결하는 균열은, 연속적인 펄스로부터 에너지가 초점 용적에 및 주변에 축적되어, 구조적 변화를 생성함으로, 시간에 걸쳐 형성된다. 일련의 레이저 펄스는, 유리의 벌크 내에 초점 스폿에서 점열원 (point source of heat)을 구성한다. 많은 수의 펄스는 초점 주변에서 더 높은 온도로 변환되어 더 큰 열 영향 존을 생성한다. 이 가열된 존이 냉각됨에 따라, 잔류 응력은 유리 표면에서 인장 응력의 형태로 유도된다. 그 응력은 결국 천공을 연결하는 파단을 촉진하는 그 다음의 버스트의 손상 존과 상호작용한다. 본 발명자들은 디스플레이/TFT 유리에 대해 레이저 절단 공정 작업을 만들고, 및 손상 트랙을 따라 유리를 분리하는데 요구된 힘을 낮추기 위한 다양한 조건을 발견했다. 이 힘은 또한 내파괴성 (또는 파괴력)이라 지칭되며, 및 수동으로 유리를 분리하는데 필요한 힘의 양이고; 4점 굽힘 시험을 통해 측정될 수 있으며, 및 MPa의 단위를 갖는다. 20MPa 이하, 바람직하게는 15MPa 이하의 내파괴성은, 250mm/s를 초과하는 속도에서 CO2 빔으로 디스플레이 또는 TFT 유리의 분리를 가능하게 한다. 내파괴성이 더 크면, 그 다음 CO2 분리 속도는 비례하여 느려진다. 디스플레이 또는 TFT 유리에 대한 이 목표 내파괴성은, 하기 3가지 파라미터에 대해 하기 지정된 범위 내에서 작동한 다음, 이들 특정 범위 내에서 특정 디스플레이 또는 TFT 유리 조성물에 대해 최적화하여 얻어진다.
1. 펄스 버스트 에너지: 디스플레이 또는 TFT 유리를 절단하거나 분리할 목적을 위해, 본 발명자들은 펄스 버스트 에너지가 버스트 당 300μJ 내지 600μJ 이어야 한다는 것을 발견하였다. 이 범위를 벗어나서 작업하면, 다른 유리를 성공적으로 분리할 수 있지만, 디스플레이 (또는 TFT) 유리는 분리되지 않는다. 몇몇 디스플레이 타입의 유리의 경우, 이상적인 범위는 300 μJ 내지 500 μJ이며, 다른 디스플레이 타입 유리의 경우, 이것은 400 μJ 내지 600 μJ이다. 400μJ 내지 500μJ의 펄스 버스트 에너지는, 모든 디스플레이 타입 유리에 대해 잘 작동된다. 라인 초점 내에 에너지 밀도는, 특정 디스플레이 또는 TFT 유리에 대해 최적화되어야 하며, 예를 들어, Eagle XG 및 Contego 유리의 경우, 펄스 버스트 에너지의 이상적인 범위는 300 내지 500 μJ이며, 라인 초점은 1.0 내지 1.4 mm이다 (라인 초점 길이는 광학적 구성에 의해 결정된다).
본 발명자들은, 에너지 밀도가 너무 낮으면 (300 μJ 미만), 그 다음 천공 및 열 손상이 원하는 대로 형성되지 않으며, 및 구멍들 사이의 파단이 쉽게 실현되지 않아서, 디스플레이 유리에서 증가된 내파괴성 (또한, 여기에서 파괴 강도라 함)을 유도한다는 것을 발견하였다. 에너지 밀도가 너무 높으면 (> 600 μJ, 및 많은 디스플레이 유리의 경우 >500 μJ), 열 손상이 커져서, 천공을 연결하는 균열은 벗어나게 되고 및 원하는 경로를 따라 형성되지 못하며, 및 디스플레이 (또는 TFT) 유리의 내파괴성 (파괴 강도)은 극적으로 증가할 것이다. 도 9e는 버스트 당 다른 에너지 수준에 대하여 디스플레이 유리의 파괴 강도 대 버스트 에너지를 예시한다. 이 도는 펄스 버스트 에너지가 300μJ에 도달하는 경우 파괴 강도 (내파괴성)가 극적으로 증가함을 보여준다. 이것은 또한 펄스 버스트 에너지가 약 400μJ인 경우, 이 디스플레이 유리가 더 낮은 내파괴성을 갖는다는 것을 예시한다.
2. 버스트 당 펄스: 본 발명자들은 버스트 당 5-22 (예를 들어 5-20) 개의 펄스의 수를 갖는 것이 또한 디스플레이 및/또는 TFT 유리의 낮은 또는 이상적인 내파괴성에 중요하다는 것을 발견했다. 몇몇 디스플레이 유리의 경우, 버스트 당 펄스 수는 5-15이며, 다른 디스플레이 유리의 경우, 버스트 당 9-20 또는 10-20이다. 이 명시된 범위를 벗어나서 작업하면, 많은 유리 (예를 들어, Gorilla 유리)가 분리되지만, 통상적인 디스플레이 또는 TFT 유리는 양호하게 또는 효율적으로 분리되지 않는다. Contego 및 Eagle XG 유리의 경우, 버스트 당 많은 수의 펄스는 필요하다. 예를 들어, Eagle XG 유리를 성공적으로 천공 및/또는 절단하기 위해, 버스트 당 펄스의 수는 7 내지 20, 바람직하게는 9 내지 20, 더욱 바람직하게는 10-20이다. 범위는 Contego 유리의 경우 더 작고; Contego 유리를 성공적으로 천공 및/또는 절단하기 위해, 버스트 당 펄스 수는 15 내지 20이다. 비교로서, 버스트 당 2 내지 4 펄스는, 강화된 및 비-강화된 Gorilla 유리를 천공 및 분리하는데 충분하지만, 이들 두 디스플레이 유리 (Contego 및 Eagle XG)에 대해 4 펄스는 요구된 손상 트랙 및 열 영향 존을 생성하기에 충분하지 않다. (표면 아래의 손상 및/또는 바람직하지 않은 균열 전파를 최소화하면서) 디스플레이 유리의 효율적인 절단을 가능하게 하기 위해, 여기에 기재된 버스트 당 펄스의 요구된 수는 300μJ 내지 600μJ, 및 바람직하게는 400-500μJ의 버스트 에너지로, (TFT/디스플레이 유리 조성물에 기초하여 버스트 당 5 또는 7 또는 10 또는 15 펄스) 활용되어야 한다.
3. 천공 사이에 피치 또는 거리.
천공 사이에 피치 또는 거리는 중요한 또 다른 파라미터이다. 디스플레이 또는 TFT 타입 유리의 경우, 천공 사이에 피치 또는 거리는 바람직하게는 5-15 microns이어야 한다. 예를 들어, Eagle XG의 경우, 가장 낮은 내파괴성에 대한 이상적인 피치는 5 내지 15 microns이다. 내파괴성은 피치가 이 범위를 벗어나는 경우, 빠르게 증가한다. Contego 타입 유리의 경우, 이상적인 피치는 7 내지 11 microns이다. Contego 타입 유리에 대한 내파괴성 (파괴 강도)은 이 범위를 벗어나 증가하여, 유리를 절단하거나 분리하기가 더 어려워진다. 5 microns 미만의 피치로 Eagle XG 타입 유리의 레이저 가공은, 균열이 단층선에서 벗어나고 및 다수의 상호연결 균열을 형성하여 더 높은 유리 내파괴성을 결과한다. 예를 들어, 도 9f는, 10 microns으로부터 4 microns으로 피치가 변화함에 따라, 디스플레이 유리의 구체 예에 대하여 급속한 파괴 강도 증가를 예시한다. 좀 더 구체적으로, 파괴 강도는 급속히 증가하고 (유리는 분리되기가 더 어려워짐) 및 천공 피치가 4 microns 대 10 microns일 때 최소 3 배 이상이다. Contego 타입 유리에서 >15 microns의 천공 피치에 대해, 균열은 구멍에서 구멍으로 연결되지 않는다. 디스플레이 또는 TFT 유리의 경우, 전술된 바와 같이, 명시된 범위 (5-15microns) 내에서 피치를 선택하는 것은, 펄스 버스트 내에 펄스 수 및 에너지 밀도 모두에 대한 요건을 동시에 만족시키면서 수행되어야 한다.
따라서, 몇몇 구체 예에 따르면, 디스플레이 또는 TFT 유리 피가공재 (또한, 여기서 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재라 한다)를 레이저 가공하는 방법은: 빔 전파 방향을 따라 지향되고 및 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재로 향하는 레이저 빔 초점 라인으로 펄스된 레이저 빔을 초점 조정하며, 상기 레이저 빔 초점 라인은 물질 내에 유도 흡수를 발생시키고, 및 상기 유도 흡수는 피가공재 내에서 상기 레이저 빔 초점 라인을 따라 결함 라인을 생성하는, 초점 조정 단계; 및 상기 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재 및 레이저 빔을 윤곽선을 따라 서로에 대해 병진 이동시키고, 이에 의해 상기 피가공재 내에 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인들을 레이저 형성하는, 병진 이동 단계를 포함하며, 여기서, 인접한 결함 라인들 사이에 간격은 5 micron 내지 15 microns이고; 버스트 에너지는 300-500 micro Joules이며, 및 버스트 당 펄스의 수는 9 내지 20, 및 바람직하게는 10-20이다.
몇몇 구체 예에 따르면, 인접한 결함 라인 사이에 주기성은 5 micron 내지 15 microns이며, 버스트 에너지는 300-500 micro Joules이고, 및 버스트 당 펄스 수는 9-20이다. 다른 구체 예에 따르면, 인접한 결함 라인 사이에 주기성은 7 micron 내지 12 microns이고, 버스트 에너지는 400-600 micro Joules이며, 및 버스트 당 펄스의 수는 5-15이다.
하기 표 1은, Eagle XG 및 Contego 유리에서 구멍들 사이에 균열을 성공적으로 생성하고 및 천공하는데 사용되는 펄스된 레이저의 대표적인 조건을 나타낸다. 상기 공정의 두 번째 단계는, 펄스 레이저 빔에 의해 생성된 천공을 따라 스캔하기 위해 열원으로 CO2 레이저를 사용하여 유리를 완전히 분리시키는 것이다.
| 레이저 파라미터 | Eagle EXG 유리 | Contego 유리 | |
| 펄스된 레이저 |
피치 | 10 ㎛ | 10 ㎛ |
| 에너지/버스트 | 450 μJ | 450 μJ | |
| 천공 속도 | 300 mm/s | 250 mm/s | |
| 버스트 당 펄스의 # | 10 | 15 | |
| CO2 레이저 |
평균 출력 | 240 W | 200 W |
| 스폿 크기 | 6 mm | 7 mm | |
| 스캔 속도에 대한 범위 | 100-300 mm/s | 100-250 mm/s |
저-알칼리 또는 비-알칼리 유리의 절단 및 분리.
도 8c 및 도 9a에 나타낸 바와 같이, 넓은 범위의 기판 두께에 대해, 선형 절단 또는 좀 더 복잡한 형상을 갖는, 유리, 예를 들어, Eagle XG®의 분리를 가능하게 하는 다른 조건은 확인되었다. 도 8c에서 이미지는, Eagle XG® 유리의 0.024mm 두께의 조각 (상부 이미지), 및 Eagle XG® 유리의 0.134mm 두께의 조각 (하부 이미지)의 절단 에지를 보여준다. Eagle XG®는 박막 트랜지스터 (TFT) 기판으로 사용하기 위해 고안된 유리 조성물이어서, ℃당 약 3ppm의 적절한 열팽창계수 (CTE)를 가짐으로써, 실리콘 (silicon)의 열팽창계수와 대략 일치하도록 한다. 본 레이저 공정은 또한, 유사한 TFT 유리 조성물, 즉, Eagle XG®에 유사한 CTE (예를 들어, 2ppm/℃ 내지 5ppm/℃의 CTE)를 갖는 것뿐만 아니라, 다른 조성물 및 CTEs의 다른 유리들을 절단 및 분리하는데 사용될 수 있다.
몇몇 대표적인 조성물은 높은 어닐링 점 및 높은 영률을 소유하는 알칼리가-없는 유리이어서, TFT의 제조 동안, 유리가 우수한 치수 안정성 (즉, 저 압축)을 보유하는 것이 가능하여, TFT 공정 동안 가변성을 감소시킨다. 높은 어닐링 점을 갖는 유리는, 유리 제조 다음에 열처리 동안 압축/수축으로 인한 패널 뒤틀림을 방지하는데 도움이 될 수 있다. 부가적으로, 본 개시의 몇몇 구체 예는 빠른 에칭 속도를 가져서, 백플레인 (backplane)의 경제적 얇게 함 (economical thinning) 뿐만 아니라 비정상적으로 높은 액상 점도를 허용하고, 따라서 상대적으로 차가운 형성 맨드릴 (forming mandrel)에서 실투의 가능성을 감소시키거나 또는 제거한다. 이들 조성물의 특정 상세의 결과로서, 대표적인 유리는, 매우 낮은 수준의 가스 함유물, 및 귀금속, 내화물 및 산화주석 전극 물질에 대한 최소 침식으로 우수한 품질로 용융된다.
하나의 구체 예에서, 실질적으로 알칼리가-없는 유리는, 높은 어닐링 점을 가질 수 있다. 몇몇 구체 예에서, 어닐링 점은 약 785℃, 790℃, 795℃ 또는 800℃를 초과한다. 작동의 어떤 특정 이론에 제한 없이, 이러한 높은 어닐링 점은 저-온 폴리실리콘 공정에서 백플레인 기판으로 사용될 대표적인 유리에 대해 낮은 완화의 속도 (rates of relaxation) - 따라서 비교적 소량의 압축 -를 결과하는 것으로 믿어진다.
또 다른 구체 예에서, 약 35,000 poise (T35k)의 점도에서 대표적인 유리의 온도는 약 1340℃ 이하, 1335℃, 1330℃, 1325℃, 1320℃, 1315℃, 1310℃, 1300℃ 또는 1290℃ 이하이다. 특정 구체 예에서, 유리는 약 1310℃ 미만에서 약 35,000 poise (T35k)의 점도를 갖는다. 다른 구체 예에서, 약 35,000 poise (T35k)의 점도에서 대표적인 유리의 온도는, 약 1340℃, 1335℃, 1330℃, 1325℃, 1320℃, 1315℃, 1310℃, 1300℃ 또는 1290℃ 미만이다. 다양한 구체 예에서, 유리 제품은 약 1275℃ 내지 약 1340℃의 범위, 또는 약 1280℃ 내지 약 1315℃의 범위에서 T35k를 갖는다.
유리의 액상선 온도 (Tliq)는 유리와 평형 상태로 공존할 수 있는 결정질 상이 없는 온도 이상이다. 다양한 구체 예에서, 유리 제품은 약 1180℃ 내지 약 1290℃의 범위, 또는 약 1190℃ 내지 약 1280℃의 범위에서 Tliq를 갖는다. 또 다른 구체 예에서, 유리의 액상선 온도에 상응하는 점도는, 약 150,000 poise 이상이다. 몇몇 구체 예에서, 유리의 액상선 온도에 상응하는 점도는, 약 175,000 poise, 200,000 poise, 225,000 poise 또는 250,000 poise 이상이다.
다른 구체 예에서, 대표적인 유리는 T35k-Tliq > 0.25T35k-225℃를 제공할 수 있다. 이것은 퓨전 공정의 형성 맨드릴에 대해 실투하는 경향을 최소화시킨다.
하나 이상의 구체 예에서, 실질적으로 알칼리가-없는 유리는, 산화물 기준에 대한 몰 퍼센트로: SiO2 60-80; Al2O3 5-20; B2O3 0-10; MgO 0-20; CaO 0-20; SrO 0-20; BaO 0-20; ZnO 0-20을 포함하고; 여기서 Al2O3, MgO, CaO, SrO 및 BaO는 각각의 산화물 성분의 몰%를 나타낸다.
몇몇 구체 예에서, 실질적으로 알칼리가-없는 유리는, 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 65-75; Al2O3 10-15; B2O3 0-3.5; MgO 0-7.5; CaO 4-10; SrO 0-5; BaO 1-5; ZnO 0-5를 포함하고; 여기서 1.0 ≤ (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 < 2 및 0 < MgO/(MgO+Ca+SrO+BaO) < 0.5이다.
어떤 구체 예에서, 실질적으로 알칼리가-없는 유리는, 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 67-72; Al2O3 11-14; B2O3 0-3; MgO 3-6; CaO 4-8; SrO 0-2; BaO 2-5; ZnO 0-1을 포함하고; 여기서 1.0 ≤ (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3 < 1.6 및 0.20 < MgO/(MgO+Ca+SrO+BaO) < 0.40이다.
다른 구체 예에서, 유리는 약 785℃ 이상의 어닐링 온도; 약 81 GPa 이상의 영률; 약 1750℃ 이하의 T200P; 약 1340℃ 이하의 T35kP; 및 0.5 nm 미만의 원자력 현미경에 의해 측정된 평균 표면 거칠기를 포함한다. 이 유리는 약 2.7 g/cc 이하의 밀도를 포함할 수 있으며, 및 비 탄성계수 (specific modulus)는 약 34 미만이다. 다른 구체 예에서, 비 탄성계수는 30 내지 34이다. 다른 구체 예에서, (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3는 약 1.0 내지 1.6의 범위이다. 몇몇 구체 예에서, T200P는 약 1700℃ 이하이다. 몇몇 구체 예에서, T35kP는 약 1310℃ 이하이다. 이 유리는 또한 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 60-80, Al2O3 5-20, B2O3 0-10, MgO 0-20, CaO 0-20, SrO 0-20, BaO 0-20, 및 ZnO 0-20을 포함할 수 있다.
몇몇 구체 예에서, 유리는 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 약 1.0 내지 1.6의 범위, T (Ann) >785℃, 밀도 <2.7 g/cc, T(200P) <1750℃, T(35kP) <1340℃, 영률 >81 GPa을 포함한다. 이 유리는 또한 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 60-80, Al2O3 5-20, B2O3 0-10, MgO 0-20, CaO 0-20, SrO 0-20, BaO 0-20, 및 ZnO 0-20을 포함할 수 있다.
다른 구체 예에서, 유리는 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3가 약 1.0 내지 1.6의 범위, T (Ann) >785℃, 밀도 <2.7 g/cc, T(200P) <1750℃, T (35kP) >1270℃, 영률 >81 GPa를 포함한다. 이 유리는 또한 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 60-80, Al2O3 5-20, B2O3 0-10, MgO 0-20, CaO 0-20, SrO 0-20, BaO 0-20 및 ZnO 0-20을 포함할 수 있다.
제1 방법은 피코초 (펄스 버스트) 레이저를 사용하여 결함 라인 또는 구멍을 생성하고, 및 원하는 형상에 따라 다중 손상 트랙의 단층선을 형성한 다음, 기계적 분리를 수행하는 것이다. 결함 라인 또는 구멍의 형성 후에, 유리의 기계적 분리는, 파괴 플라이어 (breaking pliers)를 사용하거나, 손으로 또는 전용 도구로 부분을 구부리거나, 또는 천공된 단층선을 따라 분리를 개시하고 및 전파하는데 충분한 장력을 생성시키는 임의의 방법을 사용하여 수동으로 달성될 수 있다.
또 다른 방법은 피코초 (펄스 버스트) 레이저를 활용하여 결함 라인 또는 구멍을 생성하고 및 원하는 형상을 따라 다수의 구멍 (또는 다중 손상 트랙)의 단층선을 형성한다. 이 단계는 그 다음 열 분리의 단계, 바람직하게는 CO2 레이저가 수반되고, 여기서 상기 CO2 빔은 손상 트랙의 단층선을 따라 스캔된다. 몇몇 구체 예에서, 레이저 방법은 스핀들 (spindle)이 메모리 디스크의 작동 동안 삽입될 수 있는 내부 구멍을 갖는 원형 유리 메모리 디스크를 형성하는데 사용될 수 있다. CO2 레이저는 이 내부 구멍으로부터 절단 유리를 방출하는데 사용될 수 있다. 여기에 기재된 레이저 방법이, 원형 형상, 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는, 임의의 형상을 생성하는데 사용될 수 있고, 여기서 시작 및 종료 지점은 원형의 원주를 따라 만날 수 있지만 버 (burr)를 형성하지 않는다는 것을 예기치 않게 발견했다. 당 업계에 공지된 바와 같이, 곡선형 형상에 대한 종래의 레이저 분리 방법은, 레이저 분리 기술의 시작점 및 종료점 (보통 시작점과 동일하거나 또는 실질적으로 동일한 위치)에서 다량의 용융 물질을 생성한다. 이 버는 최종 제품의 품질에 악영향을 미치거나 또는 버를 제거하기 위해 부가적인 그라인딩 또는 연마 기술을 적용해야만 한다. 그러나, 본 개시에 따른 대표적인 레이저 방법은, 이러한 버를 결과하지 않는다는 것을 예기치 않게 발견하였다.
CO2 레이저 빔은 목표로 하는 유리 표면의 온도를 빠르게 증가시키는 조절된 열원이다. 이 급속 가열은 유리 표면층에 압축 응력을 형성한다. 가열된 유리 표면이 유리 기판의 전체 표면적에 비해 상대적으로 작기 때문에, 급속히 냉각되고 및 이 온도 구배 (temperature gradient)는 유리를 통해 및 절단 방향을 따라 (즉, 천공을 따라) 존재하는 균열을 전파할 정도로 충분히 높은 인장 응력을 유도하여, 완전한 유리 분리를 결과한다. 이러한 전체 유리 분리 기술은, 절단 조각, 예를 들어, 메모리 디스크 또는 이와 유사한 것의 둘레 또는 원주를 따라, 또는 내부 구멍 또는 다른 기하학적 형상, 또는 둘 다의 내부 원주/둘레를 따라 사용될 수 있다. 도 9g는 CO2 빔 직경의 함수에 따른 속도의 증가를 나타낸다. 좀 더 구체적으로, 이 도는 CO2 빔 직경 (가우스 빔 프로파일)의 4개의 대표적인 구체 예에 대하여 분리 속도 (절단 속도)의 함수에 따른 파괴 강도를 예시한다. 이 도는 또한 파괴 강도가 증가하면 분리 또는 절단 속도가 감소하는 것을 예시한다 (즉, 유리를 분리하는데 요구된 힘의 양이 감소함에 따라 분리 속도가 증가함). 이 도는 또한 가우스 타입의 레이저 빔의 경우, CO2 빔 직경이 작아짐에 따라 유리의 분리 속도가 증가하는 것을 예시한다. CO2 빔의 직경이 너무 작으면, 그 다음 유리가 열 손상될 수 있다는 점에 주의된다. 이러한 조절된 가열은 다중 CO2 빔 형상 및 빔 강도 분포를 사용하여 달성될 수 있다. 표 1의 구체 예에서, 레이저 강도 분포는 Eagle XG 유리에 대해 6 mm 직경 및 Contego 유리에 대해 7 mm 직경의 원형 스폿을 갖는 가우스이다. 이 빔 형상 (원형) 및 강도 분포 (가우스)의 경우, 표 1의 구체 예에 대하여, 유리 분리 속도 (절단 속도)는 Eagle XG®에 대해 300 mm/s, 및 Contego에 대해 250 mm/s에서 최적화된다. 몇몇 구체 예에서, CO2 레이저의 출력은 100-400W이다. 원형 CO2 레이저 빔으로 달성된 분리 속도에 대하여 비슷한 값은 또한, 다른 형상의 레이저 빔을 사용하여 얻을 수 있다. 예를 들어, "탑 햇 (top hat)" 레이저 빔은, CO2 레이저 열원으로 활용될 수 있다 - (즉, 가우스 형상의 레이저 빔 강도 프로파일 대신에 직사각형). 탑 햇 레이저 빔의 피크 강도가 가우스 레이저 빔의 피크 강도의 절반이기 때문에, 레이저 빔 직경은 유리의 과열 없이 더욱 감소될 수 있다. 레이저 빔 직경의 감소는 분리 속도를 증가시킨다. 부가적으로, 탑 햇 프로파일은 열 구배를 증가시키며, 따라서 유리의 과열 없이 유리에 유도된 열 응력을 증가시킨다. 이것은 또한 분리 속도의 증가를 허용한다. "탑 햇" 빔 CO2 레이저 프로파일은 다음 기술 중 하나를 사용하여 달성될 수 있다: 회절 레이저 빔 쉐이퍼 (shapers), 비구면 렌즈, 또는 (레이저 출력을 잃어가며) 정사각형 또는 원형 개구의 사용. 탑 햇 CO2 빔 프로파일은 Eagle XG® 유리의 경우 >300mm/s, 및 Contego 유리의 경우 250mm/s 이상의 유리 분리 속도를 달성한다. CO2 레이저의 출력은, 예를 들어, 100W-400W (예를 들어, 200-400W)이다.
또 다른 접근법에서, 본 발명자들은 CO2 레이저와 함께 갈바노미터 (galvanometer)를 사용하여 레이저 천공된 - (즉, (가우스 대신에) 직사각형 형상의 레이저 빔 프로파일) Eagle XG® 및 Contego 유리를 분리시켰다. 이들 구체 예에서, CO2 레이저 빔은 절취선을 따라 이동하는 동안 손상 트랙에 수직으로 래스터된다 (rastered). 2mm의 빔 직경을 갖는 레이저 빔은 실험에 사용된다. 수직 래스터링의 (즉, 단층선을 가로지르는) 크기는 4 mm이다. 약 20%의 절단 속도 증가는, 6 mm 직경의 가우스 CO2 레이저 빔을 사용하여 달성된 절단 (분리) 속도에 대해 관찰된다. CO2 레이저의 출력은, 예를 들어, 100W-400W (예를 들어, 200-400W)이다.
더 빠른 분리 속도는, 예를 들어, 20mm의 축 길이로 절단 방향을 따라 이의 장축 (major axis) 및 6mm로 설정된 이의 단축으로, 빔 스폿을 갖는 CO2 레이저로, 타원형 레이저 가열원을 사용하여 달성될 수 있다. 예를 들어, 500mm/s의 분리 속도는, 226W의 출력을 갖는 CO2 레이저로 손상 트랙을 따라 정렬된, 타원형 빔 6mm x 8mm으로 얻어진다.
분리 전에 결함 라인의 직경 또는 내부 직경은, 유리 물질 또는 피가공재에서 개방 채널 또는 공기 구멍의 내부 직경이다. 피가공재가 분리되자마자, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 결함 라인들은 여전히 가시적일 수 있다. 분리된 피가공재에서 볼 수 있는 개별 결함 라인의 폭은, 예를 들어, 현미경을 사용하여 측정될 수 있으며, 및 상기 폭은 분리 전에 결함 라인의 내부 직경과 비슷할 수 있다. 예를 들어, 결함 라인 직경이 0.1 micron 내지 5 microns인 경우, 그 다음 절단 후에 분리된 표면상에 개별 결함 라인들의 상응하는 폭은, 약 0.1 micron 내지 5 microns의 범위일 수 있다.
Eagle XG® 유리 및 저 또는 비-알칼리 유리의 계열로부터 비슷한 조성물은, "파괴"에 높은 펄스 에너지를 요구하는 강한 분자 및 원자 결합에 기인하여 레이저 유도 분리 접근법에 대해 문제 제기를 야기한다. 도 10은 원자 이온화 에너지를 나타낸다. 통상적인 알칼리 유리 조성물 (예를 들어, Corning Gorilla® 유리)에서 흔히 사용되는 것과 비교하여 Na, Ca, K 및 비슷한 원소의 환원 (reduction)은, 저 이온화 원소를 제거하여 (투명 레짐에서 레이저 파장에 노출된 경우) 이온화를 위해 다-광자 흡수를 요구하는 비례적으로 더 많은 원소를 남긴다. 이 구체 예는 물질의 작은 실린더형 용적에 충분한 레이저 에너지를 균일하게 조사하는 수단을 제공하여 원자 및 분자 결합을 해리시켜 적은 파편 및 적은 표면 아래의 손상을 결과한다.
디스플레이 유리 조성물과 Gorilla 유리 조성물 사이에 차이점은 다음과 같다:
- Eagle XG® 및 다른 디스플레이 유리:
i. CTE는 더 낮은, 약 3ppm/℃임
ⅱ. 무 알칼리 (또는 오직 미량)
ⅲ. 낮은 열 확산도
- Corning Gorilla® 및 다른 이온-교환 가능한 유리:
i. CTE는 일반적으로 약 7-9 ppm/℃임
ⅱ. 조성물에서 나트륨과 같은 많은 양의 알칼리를 가짐 (이온 교환이 가능하게 한다)
ⅲ. 더 높은 열 확산도.
TFT 유리 조성물의 낮은 열팽창 및 낮은 열 확산도는, 열 균열 전파에 대한 응력을 생성 및 관리하기 위한 필요성으로 인해, 이러한 유리가 불투명한 레짐 (예를 들어, 10.6 microns에서 CO2)에서 작동하는 레이저로 전적으로 절단되는 경우, 어려운 열 관리 문제를 생성한다. 예를 들어, TFT 유리는 10.6 microns 파장에 투명하지 않으며, 및 이러한 레이저의 에너지는, 유리의 높은 층 (유리 내부에서 멀지 않은 곳)에 의해 흡수된다. 그러나, 본 발명자들은 절취선의 생성이 균열을 시작, 전파 및 유도하는 데 요구된 레이저 에너지의 양을 줄임으로써 열 관리 문제를 단순화하고, 및 유리를 가열하기 위해 10.6 micron 레이저에서 CO2와 같은 IR 레이저의 사용은, 유리가 피코초 펄스 레이저로 천공된 후에, 유리하게는 결함 라인들 사이에서 빠르고, 효율적으로 및 조절된 균열 전파를 결과하며, 따라서 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리의 신속하고 효율적인 절단을 결과한다.
이들 유리의 레이저 파라미터의 부가적인 미세 조정에 대한 필요성을 결과하는 디스플레이 유리의 타입에서 조성적 차이가 있다. 예를 들어, Eagle XG® (또한, 여기서 EXG라 함)는 높은 고유 내손상성 유리 (예를 들어, Contego)보다 출력, 피치 및 펄스 수에 대한 더 넓은 범위의 값을 갖는다. 두 유리 모두는 3-4ppm/℃의 범위에서 낮은 CTE를 보유한다. 2개의 유리의 조성은 하기 표 2에 열거된다.
| mol% | 7607(Contego) | EXG |
| SiO2 | 67.02 | 67.2 |
| Al2O3 | 6.29 | 10.97 |
| B2O3 | 19.82 | 10.21 |
| MgO | 0.51 | 2.28 |
| CaO | 4.89 | 8.74 |
| SrO | 0.51 | 0.52 |
| BaO | 0.01 | 0 |
| SnO2 | 0.05 | .06 |
| ZrO2 | 0.02 | .01 |
| Fe2O3 | 0.01 | .01 |
| Na2O | 0.87 | 0 |
| 합계 | 100.00 | 100.00 |
따라서, 여기에 기재된 방법은, (연속 퓨전 유리 제조 공정 - 소위 "인발-시"에 의해 요구되는 바와 같은) 연속 방식뿐만 아니라 플레이트 또는 시트에서 임의의 형상으로 무-알칼리 유리를 절단하는 효과적인 수단을 제공한다. 작은 (예를 들어, Corning Willow® 유리) 두께 (약 100-200 microns, 또는 100-150 microns)의 피코초 레이저 천공은, 예를 들어, 1 microns 내지 20 microns의 펄스 간격으로 200-300 mm/sec의 속도에서 입증된다 (더 빠른 속도도 가능함).
인발-시 유리를 절단
Mechanical scoring & breaking은 연속 퓨전 유리 제조 공정을 위한 전통적인 유리 절단 방식이다. 직선 절단의 경우 1m/s를 빠르게 달성할지라도, 이 공정은 느린 속도, 유리 에지 칩핑 (chipping), 절단 에지의 높은 거칠기, 등에 기인하여 이러한 적용에 큰 어려움이 있기 때문에 윤곽선 유리 형상을 절단하는 경우 매우 제한적이다. 이들 적용은 표면 아래의 손상 (SSD)을 줄이기 위해 다중 그라인딩 및 연마 단계뿐만 아니라 세척 단계를 요구하는데, 이는 낮은 수율로 인한 비용 증가 및 높은 자본 수요로 인해 공정에 비용이 추가될 뿐만 아니라 단순히 기술 요건을 충족시킬 수도 없다.
이산화탄소 (CO2) 레이저 스코어 (score) 및 파괴 접근법은 디스플레이 유리 조성물을 절단하기 위해 시도되었다. 이 기술은 CO2 열적 유도 레이저 균열 전파를 수반하는 기계적 균열 개시에 의존한다. 대부분의 경우, 10.6 microns의 파장에서 CO2 레이저 방사선은, 열 충격을 일으키고 및 직선을 따라 균열을 전파하기 위해 냉각제 분사가 수반되는 정밀 열원 (precision heat source)으로 사용된다. 이 접근법의 어려움은, 특히 윤곽선 주위에서, 이러한 균열의 방향 및 전파 속도를 조절하는 데 있다. 기계적 또는 CO2 레이저 스코어 및 파괴 기술에 의한 직선 절단이 몇몇 적용에 잘 작동될지라도, 매우 정밀하고, 깨끗하며 및 유연한 (즉, 직선을 따라 단순 절단이 아님) 유리 절단 해법은 요구된다.
기계적 및 CO2 기반 스코어링 모두의 어려움 중 하나의 예로는, 액정 디스플레이 (LCD) 유리 퓨전 인발 공정이다. LCD 퓨전 인발 공정에서, 얇은 평면 유리의 연속적인 리본 (ribbon)은 형성되어, 높은 인발 타워에서 방출된다. 이 얇은 유리는 0.050mm 내지 2mm의 두께 및 24인치 내지 150인치의 폭 (60.96cm 내지 381cm의 폭)으로 형성되는 것이 가장 일반적이다. 이 유리의 리본은 유리창을 스코어링 또는 절단하는 것과 비슷한 기계적 스코어링 휠에 의해 스코어링된다. 이 스코어링된 유리는 그 다음 리본으로부터 기계적으로 굽혀지고 절단되어, 예를 들어, 인발 타워의 하부에서 24인치 내지 150인치의 폭 (약 61cm 내지 381cm의 폭) x 24인치 내지 150인치의 높이 (즉, 약 61cm 내지 381cm의 높이)인 시트를 이룬다. 유리의 시트가 기계적으로 맞물리고 및 가장 바깥 말단의 롤러에 의해 잡아 당겨지기 때문에, 이러한 시트는 시트의 우측 및 좌측 면들 상에 매우 거칠고 두꺼운 섹션을 가질 것이고, 이들 섹션은 "비드 (beads)" 또는 "에지 비드"로 불린다. 기계적 스코어링은, 유리 시트의 두꺼운 비드 섹션이 아닌, 유리 시트의 품질 구역에서 오직 수행될 수 있다. 로봇은 유리의 시트를 잡고, 구부린 다음, 유리의 리본으로부터 스코어링된 시트를 절단시킨다. 이 파괴 작용은 리본 위의 인발 타워 내로 높은 진폭 진동 (amplitude vibration)을 야기하여 최종 시트에 평탄도 변화를 형성되게 된다. 또한, 진동이 인발 위쪽으로 미세-균열을 진행할 수 있기 때문에, 연속 시트 형성 공정의 심각한 혼란 또는 "루비콘 (rubicons)"을 야기할 수 있다. 유리의 기계적으로 스코어링 및 절단은 또한 매우 작고 가벼운 유리 칩을 생성할 수 있고, 및 유리 칩은 공기를 통해 운반되어 근처의 표면에 침착될 수 있으며, 이들 유리 칩은 때때로 10-200 microns 크기 및 3-20 microns 두께이다. 이들 유리 칩은 기계적 스코어링에 의해 생산되어 인발 타워 위쪽으로 부유하고 및 시트의 표면에 부착한다. "클램-쉘 (clam-shell)" 유리 칩이라고 불리는, 이들 입자의 일부는, 매우 평평한 면을 가져서, 다른 유리 표면에 단단히 들러붙으며, 및 리본 유리 표면에 영구적으로 부착될 수 있다. 기계적 스코어링에 의해 생성된 이러한 부착된 유리 칩은, 유리 시트의 불량 섹션을 결과하는데, 이는 이러한 오염이 세척하기가 매우 어렵고 및 LCD 및 TFT 적용에 요구된 유리 상에 코팅 및 패터닝을 방해할 수 있기 때문이다.
인발 후, 이 유리 시트는 그 다음 리본 구역에서 2차 절단 구역으로 이동되며, 여기서 유리 시트는 종종 수직 비드 스코어링 기계로 불리는 또 다른 기계 상에 배치되고, 및 유리 또는 비-품질 구역의 비드 섹션은 그 다음 기계적으로 스코어링되고, 및 그 다음 비드 섹션은 모 시트에서 기계적으로 절단된다. 다시 말하면, 작은 클램-쉘 유리 칩은, 시트의 결함 구역 상으로 날아 흩어질 수 있어, 유리의 불량 섹션을 결과한다.
모든 시트는 그 다음 몇몇 경우에서 상자로 포장되고 및 마감 위치로 운송된다. 다시, 클램-쉘 유리 칩은, 유리의 에지로부터 표면으로 이동하여, 유리의 불량 색션을 결과할 수 있다. 이 유리 상자는 내려지고 및 마감 라인에 배치되며, 여기서 시트는 기계적 또는 CO2 스코어되고 및 약간 더 작은 유리 시트로 기계적으로 절단된다. 이 오프-라인 스코어링 공정은 인발-시 스코어 공정보다 훨씬 더 정밀하다. 다시 말하면, 더 많은 클램-쉘 유리 칩은, 유리 표면 위로 흩어져, 이들 유리 시트의 불량 섹션을 결과한다.
이러한 시트는 그 다음, 최종 길이 및 폭으로 얇은 유리 시트를 거칠고 미세하게 그라인딩하고, 및 또한 원하는 에지 프로파일 또는 사면을 발생하는데 사용될 수 있는 에지 그라인더로 이동된다. 그 다음, 시트는 네 모서리를 그라인딩할 다른 그라인더로 이동된다. 다음으로, 시트는 크랩 쉘 입자를 제외한 가장 느슨한 입자의 표면을 세정하는 인라인 세정기로 이동한다.
전통적인 기계 스코어 및 파괴 방법과 달리, 여기에 개시된 레이저 유리 절단 기술은, 얇은 유리와 같은 유리를 미리 결정된 윤곽선을 따라 매우 정확하고, 매우 고속으로, 및 크거나 또는 상당한 수의 유리 칩을 생성하지 않고, 유리하게 절단할 수 있다. 또한, 유리는 매우 빠른 속도 (예를 들어, 1-2m/sec)로 천공될 수 있다. 테스트 경우에서, 칩은 유리 에지에 관찰되지 않는다. 레이저 공정은 큰 유리 시트에서 휴대폰 크기 (70mm x 150mm)와 같은 작은 유리 제품을 천공 및 분리할 수 있다. 이 얇은 유리의 천공 및 분리 공정은, 에지에 400 nm 미만의 표면 거칠기 (Ra) 및 <60 microns의 표면-아래의 미세-균열을 남긴다. 이 에지 품질은 유리의 그라운드 시트 (ground sheet)의 품질에 가깝다. 이 역량을 고려해 볼 때, 고온의 유리는 얇은 유리 시트를 만드는 퓨전 인발 공정에서 레이저로 절단될 수 있다. 따라서, 여기에 기재된 기술의 구체 예는 유리하게는, 유리가 인발 라인 (또는 원한다면, 마감 라인의 바로 직후)에서 최종 형상으로 절단되도록 함으로써 수율 개선, 감소된 또는 존재하지-않는 미립자 발생, 및 비용 개선을 제공한다).
도 11은 연속 퓨전 유리 제조 공정을 위한 기존의 유리 절단 접근법을 예시한다. 기존 공정에서, 유리 시트 (1164)는 인발 타워 (1162)로부터 아래로 흐른다. 유리 시트 (1164)의 더 어두운 음영은 더 높은 온도를 나타낸다. 유리 시트가, 예를 들어, 퓨전 인발 기계에서 형성되는 경우, 고온의 부드러운 유리 시트는 유리 시트의 두 개의 외부 에지 상에 자국을 형성하는 롤러와 같은 그레스핑 메커니즘 (grasping mechanism)에 의해 당겨진다. 자국난 에지는 소위 "비드"라고 불리고, 이들 에지는 유리 시트의 전체 길이로 연장된다. 이들 비드 구역이 종종 유리 시트의 중심 섹션에 비해 왜곡되고 평평하지 않기 때문에, 비드 (또는 비드 구역)의 제거는, 유리가 최종 장치를 만드는데 활용되기 전 수행된다. 인발 이동 (1165)에 의해 예시된 바와 같이, 유리 시트는 유리 시트 (1164)의 에지를 따라 유리 비드 (1166)를 생성하는 롤러 휠을 사용하여 다운 인발된다. 기계적 또는 CO2 레이저 스코어는, 스코어 라인 (1168)을 따라 적용되어, 유리 시트 (1164)로부터 스코어링된 시트 (1170)의 절단을 용이하게 한다.
여기에 기재된 방법은 온라인 및 오프-라인 모두의 유리 절단 필요를 위한 디스플레이 유리 조성물용 유리 절단 해법을 제공한다. 온라인에서, 이들 방법은, 인발에서 나옴에 따라, 특히 인발의 하부 (BOD)로 알려진, 유리가 이의 형성 온도로부터 냉각되기 시작하는, 구역에서, 유리 시트의 절단 및 비드 제거 모두에 대해 적용될 수 있다. 유리 시트가, 예를 들어, 퓨전 인발 기계에서 형성될 때, 고온의 부드러운 유리 시트는, 유리 시트의 두 개의 외부 에지 상에 자국을 형성하는 롤러와 같은 그레스핑 메커니즘에 의해 당겨진다. 자국난 에지는 "비드"라고 불리며, 이들 에지는 유리 시트의 전체 길이로 연장한다. 이들 비드 구역이 종종 유리 시트의 중심 섹션에 비해 왜곡되고 평평하지 않기 때문에, 유리가 최종 장치를 만드는데 활용되기 전에 비드 (또는 비드 구역)의 제거는 수행된다. 여기에 기재된 방법은, 유리 시트의 전체 두께를 통해 전신 (전체-두께) 천공을 결과할 수 있는 유리 절단 해법을 제공한다. 일련의 전체-두께 천공은, 단층선을 따라 시트를 분리할 때, 유리 시트에서 매우 정밀하고 조절 가능한 절단을 형성할 수 있는, 단층선을 형성할 수 있다.
도 12a-12b는, 도 2-6과 관련하여 여기에 기재된 것과 같은 레이저 광학 시스템을 활용하여, 여기에 기재된 방법에 따라 인발시 레이저 유리 절단의 2가지 방법을 예시한다. 레이저 절단 공정 (1200A)에 따르면, 일련의 결함 라인들로 이루어진 레이저 절단 라인 (1168')은, 인발 타워 (1162)에 의해 형성된 유리 시트 (1164)에 적용된다. 공정 (1200A)에서, 레이저 (도시되지 않음)는 유리 시트 (1164)의 전체 두께를 통해 절단하도록 구성된다. 레이저 절단 라인 (1168')은, 유리 리본을 진동시키지 않거나 또는 어떤 유리 칩 또는 입자를 생성하지 않고, 비드 (1166)를 절단하는 것을 포함하여, 인발시 새롭게 형성된 유리 시트 (1164)의 전체 폭을 가로질러 연장된다.
도 12b는 인발시 레이저 유리 절단의 선택적인 방법 (1200B)을 예시하고, 여기서 레이저는 유리 시트의 품질 구역을 통해 절단하고, 및 유리의 더 큰 직사각형 시트 (1170')를 제거하는데 사용된다. 폐유리 (1172)는 인발 구역의 하부 (1172)에서 유리 시트로부터 제거된다. 다른 구체 예에서, 제거된 유리 시트 (1170')가 직사각형일 필요는 없다는 것은 인식되어야 한다. 유리 시트 (1170')는 정사각형 또는 원형일 수 있거나, 또는 요구된 임의의 다른 형상일 수 있다.
도 13은 인발시 레이저 유리 절단의 또 다른 선택적인 방법을 예시한다. 도 13에서, 수직 레이저 절단 라인 (1168')은 인발 경로에서 상대적으로 높은 유리 비드 (1166)에 인접하게 적용된다. 그 다음, 인발 경로에서 상대적으로 더 낮은, 수평 레이저 절단 라인 (1168')이 인발로부터 유리 시트 (1170')를 절단하고 제거하도록 적용된다.
도 14는 인발시 레이저 유리 절단의 또 다른 선택적인 방법을 예시한다. 도 14에서, 수평 레이저 절단 라인 (1168')은 레이저 절단 시트 (1170')를 인발로부터 제거하기 위해, 유리 시트 (1164)의 전체 폭을 가로질러, 인발시 적용된다. 이후에, 수직 레이저 절단 라인 (1168')은 절단된 시트 (1170')에 적용되어 인발의 하부에서 절단 시트로부터 비드를 제거한다.
도 15는 인발에서 벗어난 시트 (1170')로부터 테두리 또는 폐유리를 제거하기 위해 여기에 기재된 레이저 방법의 사용을 예시한다. 마감 구역에서, 수평 및 수직 레이저 절단 라인들 (1168')은, 레이저 절단 유리 시트 (1170')로부터 폐유리 (1172)의 수평 및 수직 조각을 제거하기 위해 적용된다.
여기에 개시된 레이저 유리 가공 기술은, 얇은 유리를 매우 정확하고, 매우 빠르며, 유리 칩을 생성하지 않고 절단할 수 있다. 레이저-기반 기술은 매우 작은 구멍 (예를 들어, <1 micron의 직경) 및 짧은 피치 간격 (예를 들어, 1 micron)으로 유리를 관통할 수 있다. 또한, 여기에 개시된 방법은 초고속 (예를 들어, 1 내지 2 meters/sec)으로 유리를 천공하는데 사용될 수 있다. 칩은 유리 에지 상에 보이지 않는다. 휴대폰용과 같은 소형 유리 제품 (예를 들어, 70mm x 150mm)은 더 큰 유리의 시트에서 천공 및 제거될 수 있다. 이 얇은 유리의 천공 및 분리 공정은, 400 nm Ra 미만의 거칠기 및 <60 microns에서 표면 아래의 미세-갈라진 금 또는 미세-균열을 갖는 에지를 남긴다. 이 엣지 품질은 유리 그라운드 시트 (ground sheet)의 품질에 가깝다. 이러한 특성을 고려할 때, 레이저-기반 공정은 얇은 유리 시트를 만드는 퓨전 인발 공정에서 고온 유리를 절단하는데 사용될 수 있다.
유리 응력은 또한, 몇몇 적용, 특히 높은 응력을 갖는 적층 유리 시트 또는 유리 시트를 갖는 적용의 경우 특히 우려될 수 있다. 이러한 상황하에서 전통적인 방법으로 시트의 절단은, 상당한 어려움을 야기한다. 예를 들어, 상당한 양의 응력은, 퓨전 인발 공정 동안에 LCD 유리 시트의 인발 동안 유도된다. 시트 및 비드 계면에서 응력은, 시트와 비드 사이의 두께 차이 및 상기 차이에 연관된 냉각 속도 때문에, 유리 냉각 동안 훨씬 더 크다. 응력 수준은, 퓨전 인발 적층 시트의 경우에 상당히 클 수 있고 (>300 MPa), 여기서 인접한 시트 층들 사이에 점도 및 CTE 차이는 매우 높은 외부 층 압축 응력을 결과한다. 이 높은 압축 응력 층 특성은, 적층 유리 시트의 유리 강도를 상당히 개선할 수 있다. 그러나, 전통적인 방법으로 유리 시트의 절단은, 높은 응력 수준을 갖는 시트에서 어려울 수 있다.
기술 분야에서 이해되는 바와 같이, 퓨전 인발 공정으로 제조된 LCD 유리 시트는, 유리가 그 연화점 이상으로부터 그 변형점 훨씬 아래로 냉각됨에 따라 유도되는 높은 응력을 갖는다. 응력은 또한 두께 및 열 질량의 차이로 인해 유리 비드 계면에서 상당히 높다. 응력은 적층 유리 시트의 경우에 훨씬 더 높고 (>300 MPa), 여기서 유리 층의 CTE 및 점도에서 불일치는, 강화 유리 적용을 위해 요구된 높은 압축 응력을 유도할 수 있다. 이들 높은 수준의 응력은 유리의 변형점 (<300℃)보다 훨씬 낮은 온도에서 유리 시트를 절단하는 것을 매우 어렵게 만든다.
유리 시트의 두께를 통한 단발 (single shot) 관통을 수반하는 레이저 기술을 사용하여 시트를 절단하고 및 시트로부터 비드를 분리하는 방법 및 다른 구체 예는 개시된다. 여기에 개시된 방법은, 비드의 인발 및 분리시 시트의 레이저-기반 절단을 가능하게 하여 퓨전 인발 공정의 제조 효율을 개선한다. 더군다나, 몇몇 구체 예에서, 단일 층 시트 및 적층 시트는, (유리의 어닐링 점에 가까운) 고온에서 절단될 수 있어, 유도된 응력을 훨씬 더 작게 만든다. 고온에서 시트를 절단하고 및 규정된 온도 프로파일을 통해 시트를 후-가공하는 능력은 또한, 더 낮은 유리 수축률 (glass compaction), 더 낮은 잔류 응력, 별도의 마감 단계 비용을 제거할 가능성, 더 높은 변형점의 유리를 가공할 능력, 및 유리가 어닐링 온도에서 더 오래 머무르기 때문에 증가된 생산량으로 시트를 수용할 수 있다.
도 16은 어닐링 점에 가까운 온도에서 (절단될) 유리 시트 부분 (1170')을 유지하도록 설계된 다-단 가열로 (1671)를 사용하는 대표 공정을 예시한다. 인발의 하부에서, (절단될) 유리 시트 (1170')는 유리의 어닐링 온도 부근에서 유지되는 가열로 (1671a)로 도입된다. 어닐링 점 근처의 상승된 온도에서 더 낮은 응력 수준은, 시트의 절단에 도움이 된다. 시트 (1164)는, 수평 레이저 빔 병진 이동 (1676)을 수행하는 인발에서 레이저 빔 (1674)에 의해 수평으로 먼저 절단되어, 유리 내에 복수의 결함 라인을 생성한다.
유리 시트 (1170')는 그 다음 유리의 어닐링 온도에서 또한 유지되는, 가열로 (1671b)로 병진 이동된다. 유리 비드 (1166)는, 비드 (1166)에 인접한 유리 시트 (1170')를 레이저 스코어링하기 위해 수직 병진 이동 (1674)을 수행하도록 구성된, 레이저 빔 (1674)을 사용하여 분리된다. 수평 및 수직 절단 단계는, 레이저-손상 윤곽선을 따라 인장 또는 굽힘 응력을 적용하여 유리를 인발로부터 분리하고 및 필요하다면 절단된 유리 시트 (1170')로부터 유리 비드를 분리시키는 단계를 포함할 수 있다. 응력은, 예를 들어, 로봇을 사용하여 적용될 수 있다.
유리 비드의 제거 후에, 절단 유리 시트 (1170')는 제3 가열로 (1671c)로 병진 이동되고, 여기서 열원 (1680)은 유리 플레이트 (1170')의 절단 에지에 열을 전달하기 위해 수직 병진 이동 (1682)을 수행한다. 열은 절단된 수직 에지를 매끄럽고 둥글게 하기 위해 적용되는 반면, 도 16에 나타내지는 않았지만, 열은 또한 플레이트 (1170')의 수평 절단 에지를 매끄럽고 및 둥글게 하기 위해 적용될 수 있다. 열원은 가스 화염, CO2 레이저, 등을 포함할 수 있다.
유리 시트 (1164)는, CTE, 등과 같은 다른 물질 특성을 각각 갖는, 다층으로 구성된 적층 시트일 수 있다. 이러한 적층 시트는, 각 아이소파이프 (isopipe)가 적층의 다른 층에 대해 유리를 제공하기 위해 사용되는 이중-아이소파이프 인발 타워를 사용하여 형성될 수 있다. 적층의 유리 층들 사이에 CTE의 차이는, 유리 시트가 연화점 이상으로부터 변형점 훨씬 아래로 냉각됨에 따라 도입된 상당한 양의 응력을 결과한다. 예를 들어, 400 MPa 초과의 압축 응력은, (예를 들어, 전체적인 내용이 참고로 여기에 혼입된, 미국 공개특허 제2011/0318555호에 기재된 바와 같은) 0.8 내지 1 범위의 총 적층 두께에 대한 내부 층의 두께의 비로, 60 x 10-7/℃ 초과의 내부 및 표면층 사이에 CTE 차이를 가져서 적층 시트 표면의 표면상에서 유도될 수 있다.
유리 시트 (1164)가 적층인 경우, 가열로 (1671a 및 1671b)는 적층의 두 층의 어닐링 온도 사이에 온도에서 적층을 유지하도록 구성될 수 있다. 높은 표면 압축 응력이 요구되는 적용 (고강도 적용을 위한 적층 유리)의 경우, 어닐링 온도에서 제공되는 시간은 응력 크기를 감소시킬 것이어서, 레이저 빔 (1674)을 사용하는 절단을 용이하게 한다. 이들 경우에서, 높은 응력은 여전히 절단-후 냉각 동안에 유리를 퀀칭 (quenching)시켜 마감된 유리 시트에서 달성될 수 있다.
도 17은, 점진적으로 더 차가운 단계 (1771a, 1771b, 및 1771c)를 갖는 다단계 가열로 (1771)을 통해 시트를 물리적으로 횡단시켜 유리의 변형점보다 훨씬 더 낮은 온도로 시트 (1170')가 냉각되는 공정을 예시한다. 일련의 가열로는, 규정된 온도 프로파일을 적용하여 잔류 응력을 최소화하고, 형성-후 수축률을 최소화하며, 유리 시트 속성을 개선하고, 및 유리 특성을 조절한다. 유사한 조절 냉각 프로파일은 시-변 온도 프로파일을 갖는 단일-단계 가열로 (single-stage furnace)를 사용함으로써 다른 구체 예에서 달성되는 것으로 이해되어야 한다.
다른 구체 예에서, 레이저 천공은, 유리의 어닐링 점 이상의 높은 온도에서, 결함 라인들 사이에 특정 분리로, 인발 내에 유리로 만들어진다. 이것은 이 인발 위치에서 유리 강도에 큰 영향을 미치지 않는다. 그러나, CTE 응력이 인발시 다운스트림 위치에서 발생되는 경우 (예를 들어, 적층 유리), 이는, 자발적인 분리 또는 단지 약한 외부 섭동으로 분리되는 유리 시트를 결과할 수 있다. 자발적인 분리, 또는 약한 외부 섭동으로 분리는, 유리 비드의 제거 및 유리 수집에 유용할 수 있다.
고온에서 시트를 절단하고 규정된 온도 프로파일을 통해 시트를 후-가공하는 능력은 또한, 더 낮은 유리 수축률 및 더 낮은 잔류 응력을 갖는 시트를 가능하게 할 수 있다. 이러한 능력은 또한 별도의 마감 단계의 비용을 없애고, 변형점이 더 높은 유리의 가공을 허용하며, 어닐링 온도에서 유리가 오래 머무르기 때문에 생산량을 증가시킬 수 있다.
전체-두께 절단에 따른 유리 분리는 두 결함 라인 사이에 피치에 의해 조절된다. 피치를 조절하는 능력은 또한, 이것이 레이저 펄스 주파수 또는 버스트 반복률, 버스트 모드 내에 펄스의 수 및 펄스당 및/또는 버스트당 이용 가능한 평균 에너지에 의해 또한 영향을 받는, 절단 속도를 결정하기 때문에 중요한다.
관통된 결함 라인의 구멍 주변의 미세-균열이 그 다음 가장 가까운 구멍을 향한 지향되는 경우, 이는, 하나의 구멍으로부터 절단 방향으로 그 다음 가장 가까운 구멍까지의 균열 전파가 절단의 라인을 따라 미세-균열에 의해 부가적으로 향상된다는 의미에서 유리 절단을 돕는다.
박막 트랜지스터 (TFT)와 같은, 연속 퓨전 유리 제조 공정 및 디스플레이 적용은, 유리를 특정 형상, 치수 및 특정 에지 마감으로 절단하는 단계를 요구한다. 예를 들어, 디스플레이 유리 시트를 고객에게 보내기 전에 둥근 에지 (bullnose edge)로 마무리하는 것은 업계 표준이다. 이는, 수송 동안 종종 이러한 마감 처리가 없는 유리 에지가 파손됨에 따라, 신뢰성의 이유로 바람직하다. 여기에 기재된 방법은, 수송 동안 높은 신뢰성을 또한 제공하지만, 고가의 기계적 그라인딩 및 연마 공정을 요구하지 않는, 에지 프로파일, 모따기 (chamfer)로 디스플레이 유리 시트를 절단 및 마감처리하는 것을 가능하게 한다. 최대한, 이러한 에지는 높은 신뢰도 산업 표준을 달성하기 위해 미세한 터치 연마만이 요구될 수 있다.
최종적으로, 여기에 기재된 방법은 0.025 mm 또는 더 얇은 두께로부터 수 mm 두께의 유리 시트, 또는 퓨전 공정에 의해 생산된 유리 시트의 스택의 다양한 두께의 TFT 유리 조성물을 완전히 분리/절단할 수 있다. 이러한 TFT 유리 조성물의 피가공재는, 예를 들어, 약 0.01mm 내지 7mm (예를 들어, 0.5mm 내지 7mm, 또는 0.5mm 내지 5mm)의 범위에서 두께를 가질 수 있다. 도 2-6에 기재된 장치에 의해 발생된 레이저 빔 초점 라인은, 예를 들어, 필요에 따라 전체 피가공재 두께에 통해 연장하는 결함 라인을 형성하기 위해 피가공재의 두께의 범위를 포함하는 범위에서 길이를 가질 수 있다.
본 출원은 향상된 레이저 가공 역량 및 비용 절감 및 그에 따른 더 낮은 제조비로 전환될 수 있는 다음의 이점을 제공한다. 현 구체 예에서, 절단 공정은 다음을 제공한다:
감소된 레이저 출력으로 절단되는 부분의 완전 분리: 개시된 구체 예는 0.025 mm 또는 더 얇은 두께로부터 수 mm 두께의 유리 시트, 또는 퓨전 공정에 의해 생산된 유리 시트의 스택의 다양한 두께의 TFT 유리 조성물을 완전히 분리/절단할 수 있다.
감소된 표면 결함: 레이저와 물질 사이에 초-단 펄스 상호작용으로 인해, 열 상호작용이 거의 없고, 따라서 바람직하지 않은 응력 및 미세-균열을 결과할 수 있는 열 영향 존이 최소로 존재한다. 부가적으로, 레이저 빔을 유리에 집중하거나 또는 초점 조정하는 광학기기는, 부품의 표면상에 통상적으로 직경이 2-5 microns인 결함 라인을 생성한다. 분리 후에, 표면 아래의 결함은 100 microns 미만, 예를 들어 <75 microns, <50 microns, <30 microns, 또는 심지어 20 microns 이하이다. 이것은, 강도가 결함의 수, 및 크기 및 깊이의 관점에서 이들의 통계적 분포에 의해 지배받음에 따라, 부품의 에지 강도에 큰 영향을 미친다. 이 수치가 높을수록, 부분의 에지는 약해질 것이다. 여기에 개시된 구체 예들에 의해 가능한 공정은 20 microns 이하의 절단 에지의 표면 아래의 손상을 제공한다.
임의의 절단 공정에 의해 야기되고, 및 절단 표면에 거의 수직으로 지향된 작은 미세균열 및 물질 변형, 또는 표면 아래의 손상은, 유리 또는 기타 취성 물질의 에지 강도에 대해 중요한 것이다. 표면 손상의 깊이는, 수 nm의 광학 해상도를 갖는, 공초점 현미경 (confocal microscope)을 사용하여 절단 표면을 관찰함으로써 측정될 수 있다. 표면 반사는 무시되고, 균열은 물질 아래에서 찾아내며, 균열은 밝은 선으로 나타난다. 현미경은 그 다음 더 이상 "스파크"가 없어질 때까지, 즉, 산란 피쳐가 관찰되지 않을 때까지, 물질에 초점을 맞춰서, 일정한 간격으로 이미지를 수집한다. 이미지는 그 다음 균열을 찾아 유리의 깊이를 통해 추적하여 수동으로 가공하여 표면 아래의 손상의 (통상적으로 microns으로 측정된) 최대 깊이를 얻는다. 통상적으로 수천 개의 미세균열이 있으므로, 통상적으로 가장 큰 미세균열만 측정된다. 이 절차는 통상적으로 절단 에지의 약 5개 위치에서 반복된다. 미세균열이 절단 표면에 거의 직각일지라도, 절단 표면에 정확히 직각인 임의의 균열은 이 방법으로 검출되지 않을 수 있다.
공정 청결도 (Process cleanliness): 여기에 기재된 방법은 Eagle XG®, Corning Lotus™, Corning Lotus NXT™ 및 기타와 같은, TFT 유리 조성물을 깨끗하고 조절된 방식으로 분리 및/또는 절단을 가능하게 한다. 공정 청결도: 여기에 기재된 방법은 가능하게 한다. 종래의 박피 (ablative) 또는 열 레이저 공정을 사용하는 것은, 다수의 더 작은 조각으로 기판의 단편화 및 미세-균열을 유도하는 열 영향 존을 촉발시키는 경향이 있기 때문에 매우 어렵다. 개시된 방법의 물질과 유도된 상호작용 및 레이저 펄스의 특성은, 매우 짧은 시간 규모로 발생하고, 및 레이저 방사선에 대한 기판 물질의 투명도가 유도된 열 효과를 최소화하기 때문에, 이러한 문제점 모두를 피한다. 결함 라인이 기판 내에서 생성되기 때문에, 절단 단계 동안 파편 및 미립자 물질의 존재는 실질적으로 제거된다. 생성된 결함 라인으로부터 결과하는 임의의 미립자가 있는 경우, 이들은 부분이 분리될 때까지 잘 함유된다. 여기에 기재된 레이저-기반 방법에 의해 절단되고 분리된 표면상의 입자는, 약 3 microns 미만의 평균 직경을 가질 수 있다.
다른 크기의 형상 및 복잡한 프로파일을 절단
본 레이저 가공 방법은, 다른 경쟁 기술의 한계점인, 다양한 형태 및 형상에 따라 유리, 사파이어, 및 다른 기판 및 유리 피가공재를 절단/분리할 수 있게 한다. 촘촘한 반경은 TFT 유리 조성물에서 절단될 수 있어 (예를 들어, <2mm), 곡면 에지를 허용하고, 및 또한 (휴대폰 적용에서 스피커/마이크로폰에 대해 요구되는 바와 같은) 작은 구멍 및 슬롯을, 예를 들어, 본 방법으로 약 5mm 미만으로 만들 수 있다. 또한, 결함 라인이 임의의 균열 전파의 위치를 강력하게 조절하기 때문에, 본 방법은 절단의 공간 위치를 크게 조절할 수 있으며, 수백 microns 정도의 작은 구조 및 피쳐를 절단 및 분리할 수 있다.
공정 단계의 제거
유입되는 유리 패널로부터 최종 크기 및 형상으로 유리 플레이트를 제작하기 위한 공정은, 패널을 절단, 크기로 절단, 마감 및 에지 형상화, 부분을 목표 두께로 얇게 함, 및 TFT 유리 조성물의 연마를 포괄하는 여러 단계를 포함한다. 이들 단계 중 어떤 하나의 제거는, 공정 시간 및 기업 비용의 측면에서 제조비를 개선할 것이다. 제시된 방법은, 예를 들어, 다음과 같이 단계 수를 줄일 수 있다:
* 감소된 파편 및 에지 결함 발생 - 세척 및 건조 스테이션의 잠재적 제거.
* 샘플을 최종 크기, 모양 및 두께로 직접 절단 - 마감 라인의 필요성을 제거.
* 인발시 직접 유리 절단 - 마감 라인의 필요성을 제거.
여기에 인용된 모든 특허, 공개된 출원 및 참고 문헌의 관련 교시는 그 전체가 참조로서 혼입된다.
대표적인 구체 예가 여기에 개시되었지만, 첨부된 청구 범위에 포괄되는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고, 형태 및 상세에서 다양한 변화가 이루어질 수 있음을 당업자는 이해할 것이다.
Claims (33)
- 삭제
- 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재를 레이저 가공하는 방법에서, 상기 방법은:
액시콘, 초점 렌즈, 및 조준 렌즈의 조합에 의해 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재로 향하고 및 빔 전파 방향을 따라 지향된 레이저 빔 초점 라인으로 펄스된 레이저 빔을 초점 조정하며, 상기 레이저 빔 초점 라인은 물질 내에 유도 흡수를 발생시키고, 및 상기 유도 흡수는 피가공재 내에서 상기 레이저 빔 초점 라인을 따라 결함 라인을 생성하는, 초점 조정 단계; 및
상기 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리 복합 피가공재 및 레이저 빔을 제1 윤곽선을 따라 서로에 대해 병진 이동시키고, 이에 의해 상기 피가공재 내에 제1 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인들을 레이저 형성하는, 병진 이동 단계를 포함하며, 여기서, 인접한 결함 라인들 사이에 간격은 5 microns 내지 15 microns이고; 및 여기서, 상기 펄스된 레이저는 펄스 버스트 당 400 내지 600 micro Joules의 펄스 버스트 에너지 및 400-1300 μJ/mm의 평균 레이저 펄스 버스트 에너지로, 펄스 버스트 당 9-20의 펄스를 갖는 펄스 버스트를 생성하는, 유리 복합 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 펄스 버스트 에너지는 펄스 버스트 당 400-500 micro Joules인, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 인접한 결함 라인들 사이에 간격은, 7 microns 내지 12 microns인, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 펄스된 레이저는, 10W-150W의 레이저 출력을 갖는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 펄스된 레이저는, 10W-100W의 레이저 출력을 가지며 및 상기 피가공재 및 상기 레이저 빔은, 적어도 0.25m/sec의 속도로 서로에 대해 병진 이동되는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
(i) 상기 펄스된 레이저는, 10W-100W의 레이저 출력을 가지며; (ⅱ) 상기 피가공재 및 레이저 빔은 적어도 0.4m/sec의 속도로 서로에 대해 병진 이동되는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 윤곽선을 따라 피가공재를 분리시키는 단계를 더욱 포함하는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 8에 있어서,
상기 윤곽선을 따라 피가공재를 분리시키는 단계는, (i) 기계적 힘을 적용하는 단계; (ⅱ) 이산화탄소 (CO2) 레이저 빔을 제1 윤곽선을 따라 또는 윤곽선에 가깝게 피가공재 내로 향하는 단계; 및/또는 (ⅲ) 제1 윤곽선의 내부에 있는 제2 윤곽선을 따라 상기 피가공재 내로 이산화탄소 (CO2) 레이저 빔을 향하는 단계를 포함하는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 제1 또는 제2 윤곽선을 따라 피가공재를 분리시키는 단계는: (i) 타원형의 이산화탄소 (CO2) 레이저 빔을 제1 또는 제2 윤곽선을 따라 또는 윤곽선에 가깝게 피가공재 내로 향하는 단계, 여기서 상기 CO2 레이저 출력은 100-400W임;
또는 (ⅱ) 균일한 강도 빔 프로파일 (탑 해트 프로파일)의 이산화탄소 (CO2) 레이저 빔을 제1 또는 제2 윤곽선을 따라 또는 윤곽선에 가깝게 피가공재 내로 향하게 하여 각각의 윤곽선을 따라 피가공재의 열 응력 유도 분리를 용이하게 하는, 향하는 단계를 포함하고; 여기서 CO2 레이저 출력은 100-400W인, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 펄스의 지속시간은, 1 picosecond 초과 내지 100 picoseconds 미만인, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 버스트들은 10kHz 내지 650kHz의 범위에 있는 반복률을 갖는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
(i) 상기 레이저 빔 초점 라인은 0.1 microns 내지 10 microns의 범위에서 평균 스폿 직경을 가지며; 및/또는 (ⅱ) 상기 유도 흡수는, 피가공재 내에서 100 microns 이하의 깊이까지 표면 손상을 생성하는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 피가공재 내에 제1 또는 제2 윤곽선을 따라 복수의 결함 라인을 레이저 형성하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 복수의 결함 라인을 레이저 형성하는 단계는, 각각의 윤곽선에 의해 한정된 표면을 따라 피가공재의 분리를 달성하여 분리된 표면을 형성하고, 및 상기 분리된 표면은: (i) 0.5 microns 이하의 Ra 표면 거칠기를 가지며; 또는 (ⅱ) 3 microns 미만의 평균 직경을 갖는, 표면 입자를 포함하는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 피가공재는 0.01mm 내지 7mm의 범위에서 두께를 갖는, 유리 피가공재를 레이저 가공하는 방법. - 알칼리토 보로-알루미노실리케이트 유리를 포함하고 및 적어도 250 microns으로 연장되는 복수의 결함 라인을 갖는 적어도 하나의 에지를 갖는, 미리 결정된 기하학적 구조를 갖는 유리 제품으로서, 상기 결함 라인 각각은, 5 microns 내지 15 microns의 거리만큼 분리된, 1 microns 이하의 직경을 갖는, 유리 제품.
- 청구항 16에 있어서,
상기 미리 결정된 기하학적 구조는 내부 구멍을 갖는 원형인, 유리 제품. - 청구항 17에 있어서,
상기 내부 구멍은 원형인, 유리 제품. - 청구항 16에 있어서,
상기 적어도 하나의 에지는, 100 microns 이하의 깊이까지 표면 손상을 갖는, 유리 제품. - 청구항 16에 있어서,
상기 적어도 하나의 에지는, 0.5 microns 이하의 Ra 표면 거칠기를 갖는, 유리 제품. - 청구항 16에 있어서,
0.01 mm 내지 7 mm의 두께를 갖는, 유리 제품. - 청구항 16에 있어서,
상기 유리는, 산화물 기준에 대한 몰 퍼센트로 1.0 및 1.6의 범위에 있는 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3, T (ann) > 785℃, 밀도 < 2.7 g/cc, T(200P) < 1750℃, T(35kP) < 1340℃, 영률 > 81GPa를 포함하는, 유리 제품. - 청구항 22에 있어서,
상기 유리는, 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 60-80, Al2O3 5-20, B2O3 0-10, MgO 0-20, CaO 0-20, SrO 0-20, BaO 0-20, 및 ZnO 0-20을 더욱 포함하는, 유리 제품. - 청구항 16에 있어서,
상기 유리는, 산화물 기준에 대한 몰 퍼센트로 1.0 및 1.6의 범위에 있는 (MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3, T (ann) > 785℃, 밀도 < 2.7 g/cc, T(200P) < 1750℃, T(35kP) < 1270℃, 영률 > 81GPa를 포함하는, 유리 제품. - 청구항 24에 있어서,
상기 유리는, 산화물 기준에 대한 몰%로: SiO2 60-80, Al2O3 5-20, B2O3 0-10, MgO 0-20, CaO 0-20, SrO 0-20, BaO 0-20, 및 ZnO 0-20을 더욱 포함하는, 유리 제품. - 청구항 16-25 중 어느 한 항의 유리 제품을 포함하는 메모리 디스크.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562137443P | 2015-03-24 | 2015-03-24 | |
| US62/137,443 | 2015-03-24 | ||
| PCT/US2016/023738 WO2016154284A1 (en) | 2015-03-24 | 2016-03-23 | Laser cutting and processing of display glass compositions |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170131586A KR20170131586A (ko) | 2017-11-29 |
| KR102546692B1 true KR102546692B1 (ko) | 2023-06-22 |
Family
ID=55661620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177030675A KR102546692B1 (ko) | 2015-03-24 | 2016-03-23 | 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11773004B2 (ko) |
| EP (2) | EP3848334A1 (ko) |
| JP (2) | JP7292006B2 (ko) |
| KR (1) | KR102546692B1 (ko) |
| CN (1) | CN107922237B (ko) |
| HU (1) | HUE055461T2 (ko) |
| TW (1) | TWI747817B (ko) |
| WO (1) | WO2016154284A1 (ko) |
Families Citing this family (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014079478A1 (en) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Light In Light Srl | High speed laser processing of transparent materials |
| EP2754524B1 (de) | 2013-01-15 | 2015-11-25 | Corning Laser Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie |
| EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
| US9815730B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-11-14 | Corning Incorporated | Processing 3D shaped transparent brittle substrate |
| US9676167B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-13 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| US9850160B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Laser cutting of display glass compositions |
| US10442719B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-15 | Corning Incorporated | Edge chamfering methods |
| US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
| US20150165560A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| TWI730945B (zh) | 2014-07-08 | 2021-06-21 | 美商康寧公司 | 用於雷射處理材料的方法與設備 |
| US10611667B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Method and system for forming perforations |
| TWI659793B (zh) | 2014-07-14 | 2019-05-21 | 美商康寧公司 | 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法 |
| CN107073641B (zh) | 2014-07-14 | 2020-11-10 | 康宁股份有限公司 | 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法 |
| EP3536440A1 (en) | 2014-07-14 | 2019-09-11 | Corning Incorporated | Glass article with a defect pattern |
| WO2016115017A1 (en) | 2015-01-12 | 2016-07-21 | Corning Incorporated | Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method |
| US10429553B2 (en) | 2015-02-27 | 2019-10-01 | Corning Incorporated | Optical assembly having microlouvers |
| KR102546692B1 (ko) | 2015-03-24 | 2023-06-22 | 코닝 인코포레이티드 | 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 |
| JP2018516215A (ja) | 2015-03-27 | 2018-06-21 | コーニング インコーポレイテッド | 気体透過性窓、および、その製造方法 |
| EP3319911B1 (en) | 2015-07-10 | 2023-04-19 | Corning Incorporated | Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same |
| DE102015111490A1 (de) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum lasergestützten Abtrennen eines Teilstücks von einem flächigen Glaselement |
| JP6552717B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2019-07-31 | サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ | 薄型のガラス層を切断する方法 |
| US11123822B2 (en) * | 2016-03-31 | 2021-09-21 | AGC Inc. | Manufacturing method for glass substrate, method for forming hole in glass substrate, and apparatus for forming hole in glass substrate |
| US11111170B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-09-07 | Corning Incorporated | Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates |
| US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US10134657B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-11-20 | Corning Incorporated | Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer |
| US10794679B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-10-06 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| EP3490945B1 (en) | 2016-07-29 | 2020-10-14 | Corning Incorporated | Methods for laser processing |
| US10522963B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-12-31 | Corning Incorporated | Laser cutting of materials with intensity mapping optical system |
| US10730783B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-08-04 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| CN110167891A (zh) | 2016-10-24 | 2019-08-23 | 康宁股份有限公司 | 用于对片状玻璃基材进行基于激光的机械加工的基材处理工位 |
| US10752534B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks |
| US10688599B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines |
| CN110291051B (zh) * | 2017-02-21 | 2022-04-29 | Ａｇｃ株式会社 | 玻璃板以及玻璃板的制造方法 |
| JP6888808B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 樹脂層付き脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 |
| US10580725B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US10626040B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-04-21 | Corning Incorporated | Articles capable of individual singulation |
| US10906832B2 (en) * | 2017-08-11 | 2021-02-02 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for synchronous multi-laser processing of transparent workpieces |
| WO2019040854A1 (en) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Corning Incorporated | APPARATUS AND METHOD FOR LASER PROCESSING OF TRANSPARENT WORKPIECES USING AFOCAL BEAM ADJUSTMENT ASSEMBLY |
| RU2677519C1 (ru) * | 2017-12-18 | 2019-01-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ резки стекла |
| JP7075652B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-05-26 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ装置およびスクライブ方法 |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
| WO2019173358A1 (en) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Corning Incorporated | Apparatus and method for controlling substrate thickness |
| US11401195B2 (en) * | 2018-03-29 | 2022-08-02 | Corning Incorporated | Selective laser processing of transparent workpiece stacks |
| US11152294B2 (en) | 2018-04-09 | 2021-10-19 | Corning Incorporated | Hermetic metallized via with improved reliability |
| TW201946882A (zh) | 2018-05-07 | 2019-12-16 | 美商康寧公司 | 透明氧化物玻璃的雷射誘導分離 |
| US20210205932A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-07-08 | Corning Incorporated | Scribing thin ceramic materials using beam focal line |
| JP7166794B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | 面取り加工方法 |
| EP3810558B1 (en) * | 2018-06-19 | 2023-04-26 | Corning Incorporated | High strain point and high young's modulus glasses |
| US11059131B2 (en) * | 2018-06-22 | 2021-07-13 | Corning Incorporated | Methods for laser processing a substrate stack having one or more transparent workpieces and a black matrix layer |
| US11524366B2 (en) * | 2018-07-26 | 2022-12-13 | Coherent Munich GmbH & Co. KG | Separation and release of laser-processed brittle material |
| WO2020021705A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | Hoya株式会社 | ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP7120903B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2020090894A1 (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| CN113474311B (zh) | 2019-02-21 | 2023-12-29 | 康宁股份有限公司 | 具有铜金属化贯穿孔的玻璃或玻璃陶瓷制品及其制造过程 |
| CN109693046B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-03-16 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种双层基板的孔结构激光加工方法 |
| CN110143025B (zh) * | 2019-04-02 | 2024-04-12 | 福建华佳彩有限公司 | 一种玻璃基板的背板结构 |
| WO2020213372A1 (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス物品の製造方法及び製造システム |
| KR20200121948A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| DE102019113635A1 (de) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von Glaselementen |
| US20220259092A1 (en) * | 2019-07-16 | 2022-08-18 | Nitto Denko Corporation | Method for dividing composite material |
| WO2021009960A1 (ja) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | 日東電工株式会社 | 複合材の分断方法 |
| EP3999477A1 (en) * | 2019-07-18 | 2022-05-25 | Corning Incorporated | Methods for separating transparent articles from a transparent mother sheet using an open ended pressure assembly |
| DE102019215264A1 (de) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | Flabeg Deutschland Gmbh | Scheibenförmiges Glaselement und Verfahren zum Vereinzeln eines Glassubstrats in eine Mehrzahl von derartigen Glaselementen |
| KR20210048000A (ko) * | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 주식회사 비에스피 | 크랙 프리 유리기판 절단 및 박형화 방법 |
| DE102019129036A1 (de) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von Glasscheiben und verfahrensgemäß hergestellte Glasscheibe sowie deren Verwendung |
| CN112894146A (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-04 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 玻璃基板通孔的激光加工方法和装置 |
| DE102020100051A1 (de) * | 2020-01-03 | 2021-07-08 | Schott Ag | Verfahren zur Bearbeitung sprödharter Materialien |
| KR20210110510A (ko) * | 2020-02-28 | 2021-09-08 | 쇼오트 아게 | 유리 부재의 분리 방법 및 유리 서브부재 |
| US11774676B2 (en) * | 2020-05-27 | 2023-10-03 | Corning Research & Development Corporation | Laser-cleaving of an optical fiber array with controlled cleaving angle |
| US11640031B2 (en) * | 2020-05-27 | 2023-05-02 | Corning Research & Development Corporation | Laser-cleaving of an optical fiber array with controlled cleaving angle |
| WO2021247284A1 (en) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | Corning Incorporated | Methods for laser processing transparent workpieces using modified pulse burst profiles |
| JP2022078515A (ja) * | 2020-11-13 | 2022-05-25 | 日東電工株式会社 | 複層構造体及びその製造方法 |
| DE102020132700A1 (de) * | 2020-12-08 | 2022-06-09 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Hochenergieglasschneiden |
| JP7458511B2 (ja) | 2021-01-28 | 2024-03-29 | Hoya株式会社 | ガラス板の製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、およびガラス板の処理装置 |
| WO2022168963A1 (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-11 | 日本板硝子株式会社 | ガラス組成物ならびにガラス繊維およびその製造方法 |
| DE102021105034A1 (de) | 2021-03-02 | 2022-09-08 | Cericom GmbH | Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks aus Glas |
| CN113333965B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-10-28 | 西安交通大学 | 一种基于贝塞尔光束的石英玻璃隐形切割方法 |
| CN114012268B (zh) * | 2021-10-13 | 2023-06-16 | 浙江师范大学 | 一种光伏增效微结构紫外激光加工装置及方法 |
| WO2023099946A1 (en) | 2021-12-02 | 2023-06-08 | Uab Altechna R&D | Pulsed laser beam shaping device for laser processing of a material transparent for the laser beam |
| CN114289882A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 杭州银湖激光科技有限公司 | 一种人眼安全的激光打标方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008156200A (ja) | 2006-02-22 | 2008-07-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| US20140199519A1 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Corning Laser Technologies GmbH | Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates |
| JP2015030040A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド | 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行するシステム |
Family Cites Families (767)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1790397A (en) | 1931-01-27 | Glass workins machine | ||
| US1529243A (en) | 1924-01-30 | 1925-03-10 | Libbey Owens Sheet Glass Co | Flattening table for continuous sheet glass |
| US1626396A (en) | 1926-08-02 | 1927-04-26 | Libbey Owens Sheet Glass Co | Sheet-glass-drawing apparatus |
| US2754956A (en) | 1951-05-02 | 1956-07-17 | Sommer & Maca Glass Machinery | Conveyor structure for flat glass edging beveling and polishing apparatus |
| US2682134A (en) | 1951-08-17 | 1954-06-29 | Corning Glass Works | Glass sheet containing translucent linear strips |
| US2749794A (en) | 1953-04-24 | 1956-06-12 | Corning Glass Works | Illuminating glassware and method of making it |
| GB1242172A (en) | 1968-02-23 | 1971-08-11 | Ford Motor Co | A process for chemically cutting glass |
| US3647410A (en) | 1969-09-09 | 1972-03-07 | Owens Illinois Inc | Glass ribbon machine blow head mechanism |
| US3775084A (en) | 1970-01-02 | 1973-11-27 | Owens Illinois Inc | Pressurizer apparatus for glass ribbon machine |
| US3729302A (en) | 1970-01-02 | 1973-04-24 | Owens Illinois Inc | Removal of glass article from ribbon forming machine by vibrating force |
| US3673900A (en) | 1970-08-10 | 1972-07-04 | Shatterproof Glass Corp | Glass cutting apparatus |
| US3695497A (en) | 1970-08-26 | 1972-10-03 | Ppg Industries Inc | Method of severing glass |
| US3695498A (en) | 1970-08-26 | 1972-10-03 | Ppg Industries Inc | Non-contact thermal cutting |
| DE2231330A1 (de) | 1972-06-27 | 1974-01-10 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines scharfen fokus |
| US3947093A (en) | 1973-06-28 | 1976-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical device for producing a minute light beam |
| GB1500207A (en) | 1975-10-29 | 1978-02-08 | Pilkington Brothers Ltd | Breaking flat glass into cullet |
| JPS5318756A (en) | 1976-07-31 | 1978-02-21 | Izawa Seimen Koujiyou Yuugen | Production of boiled noodle with long preservetivity |
| DE2757890C2 (de) | 1977-12-24 | 1981-10-15 | Fa. Karl Lutz, 6980 Wertheim | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Behältnissen aus Röhrenglas, insbesondere Ampullen |
| US4441008A (en) | 1981-09-14 | 1984-04-03 | Ford Motor Company | Method of drilling ultrafine channels through glass |
| US4546231A (en) | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
| US4618056A (en) | 1984-03-23 | 1986-10-21 | Omega Castings, Inc. | Link conveyor belt for heat treating apparatus |
| JPS6127212A (ja) | 1984-07-19 | 1986-02-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 合成樹脂成形用型 |
| JPS6174794A (ja) | 1984-09-17 | 1986-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ加工装置の加工ヘツド |
| US4642439A (en) | 1985-01-03 | 1987-02-10 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for edge contouring lenses |
| US4623776A (en) | 1985-01-03 | 1986-11-18 | Dow Corning Corporation | Ring of light laser optics system |
| JPS6246930A (ja) | 1985-08-21 | 1987-02-28 | Bandou Kiko Kk | ガラス板の割断装置 |
| US4646308A (en) | 1985-09-30 | 1987-02-24 | Spectra-Physics, Inc. | Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses |
| JPS6318756A (ja) | 1986-07-09 | 1988-01-26 | Fujiwara Jiyouki Sangyo Kk | 生物育成、微生物培養工程における制御温度の監視方法及びその装置 |
| US4749400A (en) | 1986-12-12 | 1988-06-07 | Ppg Industries, Inc. | Discrete glass sheet cutting |
| JP2691543B2 (ja) | 1986-12-18 | 1997-12-17 | 住友化学工業株式会社 | 光制御板およびその製造方法 |
| EP0272582B1 (en) | 1986-12-18 | 1994-05-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Light control sheets |
| JPS63192561A (ja) | 1987-02-04 | 1988-08-09 | Nkk Corp | マルチ切断装置 |
| US5104523A (en) | 1987-05-29 | 1992-04-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass-plate sorting system |
| US4918751A (en) | 1987-10-05 | 1990-04-17 | The University Of Rochester | Method for optical pulse transmission through optical fibers which increases the pulse power handling capacity of the fibers |
| IL84255A (en) | 1987-10-23 | 1993-02-21 | Galram Technology Ind Ltd | Process for removal of post- baked photoresist layer |
| JPH01179770A (ja) | 1988-01-12 | 1989-07-17 | Hiroshima Denki Gakuen | 金属とセラミックスとの接合方法 |
| US4764930A (en) | 1988-01-27 | 1988-08-16 | Intelligent Surgical Lasers | Multiwavelength laser source |
| US4907586A (en) | 1988-03-31 | 1990-03-13 | Intelligent Surgical Lasers | Method for reshaping the eye |
| US4929065A (en) | 1988-11-03 | 1990-05-29 | Isotec Partners, Ltd. | Glass plate fusion for macro-gradient refractive index materials |
| US4891054A (en) | 1988-12-30 | 1990-01-02 | Ppg Industries, Inc. | Method for cutting hot glass |
| US5112722A (en) | 1989-04-12 | 1992-05-12 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles |
| US5104210A (en) | 1989-04-24 | 1992-04-14 | Monsanto Company | Light control films and method of making |
| US5035918A (en) | 1989-04-26 | 1991-07-30 | Amp Incorporated | Non-flammable and strippable plating resist and method of using same |
| US4951457A (en) | 1989-11-08 | 1990-08-28 | Deal Douglas O | Narrow pitch articulated chain and links therefor |
| US4997250A (en) | 1989-11-17 | 1991-03-05 | General Electric Company | Fiber output coupler with beam shaping optics for laser materials processing system |
| EP0465675B1 (en) | 1990-01-31 | 1996-09-11 | Bando Kiko Co. Ltd. | Machine for working glass plate |
| US5040182A (en) | 1990-04-24 | 1991-08-13 | Coherent, Inc. | Mode-locked laser |
| IE912667A1 (en) | 1991-07-29 | 1993-02-10 | Trinity College Dublin | Laser Profiling of Lens Edge |
| US5256853A (en) | 1991-07-31 | 1993-10-26 | Bausch & Lomb Incorporated | Method for shaping contact lens surfaces |
| WO1993008877A1 (en) | 1991-11-06 | 1993-05-13 | Lai Shui T | Corneal surgery device and method |
| US5265107A (en) | 1992-02-05 | 1993-11-23 | Bell Communications Research, Inc. | Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses |
| US5410567A (en) | 1992-03-05 | 1995-04-25 | Corning Incorporated | Optical fiber draw furnace |
| JPH05274085A (ja) | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 入力および表示装置 |
| JPH05300544A (ja) | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Sony Corp | 映像表示装置 |
| JPH05323110A (ja) | 1992-05-22 | 1993-12-07 | Hitachi Koki Co Ltd | 多ビーム発生素子 |
| US5475197A (en) | 1992-06-17 | 1995-12-12 | Carl-Zeiss-Stiftung | Process and apparatus for the ablation of a surface |
| US6016223A (en) | 1992-08-31 | 2000-01-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Double bessel beam producing method and apparatus |
| JP3553986B2 (ja) | 1992-08-31 | 2004-08-11 | キヤノン株式会社 | ２重ベッセルビーム発生方法及び装置 |
| CA2112843A1 (en) | 1993-02-04 | 1994-08-05 | Richard C. Ujazdowski | Variable repetition rate picosecond laser |
| JPH06318756A (ja) | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Toshiba Corp | レ−ザ装置 |
| EP0627643B1 (en) | 1993-06-03 | 1999-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser scanning optical system using axicon |
| WO1994029069A1 (fr) | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Seiko Epson Corporation | Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides |
| US5521352A (en) | 1993-09-23 | 1996-05-28 | Laser Machining, Inc. | Laser cutting apparatus |
| US5418803A (en) | 1994-01-11 | 1995-05-23 | American Biogenetic Sciences, Inc. | White light laser technology |
| US6489589B1 (en) | 1994-02-07 | 2002-12-03 | Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln | Femtosecond laser utilization methods and apparatus and method for producing nanoparticles |
| JP3531199B2 (ja) | 1994-02-22 | 2004-05-24 | 三菱電機株式会社 | 光伝送装置 |
| US5436925A (en) | 1994-03-01 | 1995-07-25 | Hewlett-Packard Company | Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber |
| US5400350A (en) | 1994-03-31 | 1995-03-21 | Imra America, Inc. | Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses |
| US5778016A (en) | 1994-04-01 | 1998-07-07 | Imra America, Inc. | Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor |
| US5656186A (en) | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
| DE19513354A1 (de) | 1994-04-14 | 1995-12-14 | Zeiss Carl | Materialbearbeitungseinrichtung |
| JP2526806B2 (ja) | 1994-04-26 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | 半導体レ―ザおよびその動作方法 |
| WO1995031023A1 (en) | 1994-05-09 | 1995-11-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Dispersion-compensated laser using prismatic end elements |
| US6016324A (en) | 1994-08-24 | 2000-01-18 | Jmar Research, Inc. | Short pulse laser system |
| US5434875A (en) | 1994-08-24 | 1995-07-18 | Tamar Technology Co. | Low cost, high average power, high brightness solid state laser |
| US5604592A (en) | 1994-09-19 | 1997-02-18 | Textron Defense Systems, Division Of Avco Corporation | Laser ultrasonics-based material analysis system and method using matched filter processing |
| US5776220A (en) | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
| US5578229A (en) | 1994-10-18 | 1996-11-26 | Michigan State University | Method and apparatus for cutting boards using opposing convergent laser beams |
| US5541774A (en) | 1995-02-27 | 1996-07-30 | Blankenbecler; Richard | Segmented axial gradient lens |
| US5696782A (en) | 1995-05-19 | 1997-12-09 | Imra America, Inc. | High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers |
| AT402195B (de) | 1995-05-29 | 1997-02-25 | Lisec Peter | Vorrichtung zum fördern von glastafeln |
| JP3319912B2 (ja) | 1995-06-29 | 2002-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
| DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
| US5854490A (en) | 1995-10-03 | 1998-12-29 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| JPH09106243A (ja) | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムの複製方法 |
| JP3125180B2 (ja) | 1995-10-20 | 2001-01-15 | 新東工業株式会社 | シート状樹脂成型設備 |
| US5715346A (en) | 1995-12-15 | 1998-02-03 | Corning Incorporated | Large effective area single mode optical waveguide |
| US5736709A (en) | 1996-08-12 | 1998-04-07 | Armco Inc. | Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power |
| US5854751A (en) | 1996-10-15 | 1998-12-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Simulator and optimizer of laser cutting process |
| US7353829B1 (en) | 1996-10-30 | 2008-04-08 | Provectus Devicetech, Inc. | Methods and apparatus for multi-photon photo-activation of therapeutic agents |
| EP0951454B8 (en) | 1996-11-13 | 2002-11-20 | Corning Incorporated | Method for forming an internally channeled glass article |
| US5781684A (en) | 1996-12-20 | 1998-07-14 | Corning Incorporated | Single mode optical waveguide having large effective area |
| US6033583A (en) | 1997-05-05 | 2000-03-07 | The Regents Of The University Of California | Vapor etching of nuclear tracks in dielectric materials |
| US6156030A (en) | 1997-06-04 | 2000-12-05 | Y-Beam Technologies, Inc. | Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification |
| BE1011208A4 (fr) | 1997-06-11 | 1999-06-01 | Cuvelier Georges | Procede de decalottage de pieces en verre. |
| DE19728766C1 (de) | 1997-07-07 | 1998-12-17 | Schott Rohrglas Gmbh | Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper |
| US6078599A (en) | 1997-07-22 | 2000-06-20 | Cymer, Inc. | Wavelength shift correction technique for a laser |
| US6003418A (en) | 1997-07-31 | 1999-12-21 | International Business Machines Corporation | Punched slug removal system |
| JP3264224B2 (ja) | 1997-08-04 | 2002-03-11 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
| US6520057B1 (en) | 1997-09-30 | 2003-02-18 | Eastman Machine Company | Continuous system and method for cutting sheet material |
| JP3185869B2 (ja) | 1997-10-21 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | レーザ加工方法 |
| DE19750320C1 (de) | 1997-11-13 | 1999-04-01 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Lichtpulsverstärkung |
| GB2335603B (en) | 1997-12-05 | 2002-12-04 | Thermolase Corp | Skin enhancement using laser light |
| US6501578B1 (en) | 1997-12-19 | 2002-12-31 | Electric Power Research Institute, Inc. | Apparatus and method for line of sight laser communications |
| JPH11197498A (ja) | 1998-01-13 | 1999-07-27 | Japan Science & Technology Corp | 無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料 |
| US6272156B1 (en) | 1998-01-28 | 2001-08-07 | Coherent, Inc. | Apparatus for ultrashort pulse transportation and delivery |
| JPH11240730A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Nec Kansai Ltd | 脆性材料の割断方法 |
| JPH11269683A (ja) | 1998-03-18 | 1999-10-05 | Armco Inc | 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置 |
| US6160835A (en) | 1998-03-20 | 2000-12-12 | Rocky Mountain Instrument Co. | Hand-held marker with dual output laser |
| DE69931690T2 (de) | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| EP0949541B1 (en) | 1998-04-08 | 2006-06-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithography apparatus |
| US6256328B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-07-03 | University Of Central Florida | Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser |
| US6308055B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-10-23 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for operating a PLL for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
| JPH11347861A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Amada Co Ltd | レーザ加工機における複合加工方法およびレーザ加工機における複合加工システム |
| JPH11347758A (ja) | 1998-06-10 | 1999-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超精密加工装置 |
| US6407360B1 (en) | 1998-08-26 | 2002-06-18 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Laser cutting apparatus and method |
| DE19851353C1 (de) | 1998-11-06 | 1999-10-07 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Laminats aus einem sprödbrüchigen Werkstoff und einem Kunststoff |
| JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 2001-06-18 | 住友重機械工業株式会社 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
| US6259058B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
| US7649153B2 (en) | 1998-12-11 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam |
| US6445491B2 (en) | 1999-01-29 | 2002-09-03 | Irma America, Inc. | Method and apparatus for optical sectioning and imaging using time-gated parametric image amplification |
| JP2000225485A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Fine Machining Kk | レーザ加工装置のステージ |
| US6381391B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Method and system for generating a broadband spectral continuum and continuous wave-generating system utilizing same |
| JP2000247668A (ja) | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Bando Kiko Kk | ガラス板の加工機械 |
| DE19908630A1 (de) | 1999-02-27 | 2000-08-31 | Bosch Gmbh Robert | Abschirmung gegen Laserstrahlen |
| US6635849B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-10-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser beam machine for micro-hole machining |
| US6501576B1 (en) | 1999-03-24 | 2002-12-31 | Intel Corporation | Wireless data transfer using a remote media interface |
| US6484052B1 (en) | 1999-03-30 | 2002-11-19 | The Regents Of The University Of California | Optically generated ultrasound for enhanced drug delivery |
| DE60038400T2 (de) | 1999-04-02 | 2009-04-23 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Laserverfahren zur Bearbeitung von Löchern nur in einer keramischen Grünfolie mit einem Trägerfilm |
| US6137632A (en) | 1999-04-19 | 2000-10-24 | Iomega Corporation | Method and apparatus for lossless beam shaping to obtain high-contrast imaging in photon tunneling methods |
| JP2000311377A (ja) | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Sharp Corp | 光ピックアップ装置 |
| JP2000327349A (ja) | 1999-05-24 | 2000-11-28 | China Glaze Co Ltd | 結晶化ガラス板の曲げ加工方法 |
| US6373565B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-04-16 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article |
| CN2388062Y (zh) | 1999-06-21 | 2000-07-19 | 郭广宗 | 一层有孔一层无孔双层玻璃车船窗 |
| US6449301B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-09-10 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for mode locking of external cavity semiconductor lasers with saturable Bragg reflectors |
| US6185051B1 (en) | 1999-06-23 | 2001-02-06 | Read-Rite Corporation | High numerical aperture optical focusing device for use in data storage systems |
| US6259151B1 (en) | 1999-07-21 | 2001-07-10 | Intersil Corporation | Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors |
| US6573026B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-06-03 | Corning Incorporated | Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses |
| US6452117B2 (en) | 1999-08-26 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Method for filling high aspect ratio via holes in electronic substrates and the resulting holes |
| AU768964B2 (en) | 1999-09-24 | 2004-01-08 | Peter Forrest Thompson | Heat pump fluid heating system |
| DE19952331C1 (de) | 1999-10-29 | 2001-08-30 | Schott Spezialglas Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen |
| JP2001130921A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-15 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性基板の加工方法及び装置 |
| JP2001138083A (ja) | 1999-11-18 | 2001-05-22 | Seiko Epson Corp | レーザー加工装置及びレーザー照射方法 |
| JP4592855B2 (ja) | 1999-12-24 | 2010-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US6339208B1 (en) | 2000-01-19 | 2002-01-15 | General Electric Company | Method of forming cooling holes |
| US6552301B2 (en) | 2000-01-25 | 2003-04-22 | Peter R. Herman | Burst-ultrafast laser machining method |
| JP2001236673A (ja) | 2000-02-17 | 2001-08-31 | Minolta Co Ltd | 光ヘッド及び光記録・再生装置 |
| DE10010131A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-06 | Zeiss Carl | Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion |
| AU2001259451A1 (en) | 2000-05-04 | 2001-11-12 | Schott Donnelly Llc | Chromogenic glazing |
| AU2001261402A1 (en) | 2000-05-11 | 2001-11-20 | Ptg Precision Technology Center Limited Llc | System for cutting brittle materials |
| DE10030388A1 (de) | 2000-06-21 | 2002-01-03 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung von Glassubstraten für elektronische Speichermedien |
| JP3530114B2 (ja) | 2000-07-11 | 2004-05-24 | 忠弘 大見 | 単結晶の切断方法 |
| JP2002040330A (ja) | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子切換え制御装置 |
| JP2002045985A (ja) | 2000-08-07 | 2002-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ楕円穴加工方法およびレーザ楕円穴加工装置 |
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| KR100673073B1 (ko) | 2000-10-21 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치 |
| SE0004096D0 (sv) | 2000-11-08 | 2000-11-08 | Nira Automotive Ab | Positioning system |
| US20020110639A1 (en) | 2000-11-27 | 2002-08-15 | Donald Bruns | Epoxy coating for optical surfaces |
| US20020082466A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Jeongho Han | Laser surgical system with light source and video scope |
| JP4880820B2 (ja) | 2001-01-19 | 2012-02-22 | 株式会社レーザーシステム | レーザ支援加工方法 |
| DE10103256A1 (de) | 2001-01-25 | 2002-08-08 | Leica Microsystems | Sicherheitsvorrichtung für Mikroskope mit einem Laserstrahl als Beleuchtungsquelle |
| JP2002228818A (ja) | 2001-02-05 | 2002-08-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
| JP3445250B2 (ja) | 2001-02-20 | 2003-09-08 | ゼット株式会社 | 靴 底 |
| EA004167B1 (ru) | 2001-03-01 | 2004-02-26 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Лазтекс" | Способ резки стекла |
| US7027155B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-04-11 | Gsi Lumonics Corporation | Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure |
| JP2002321081A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
| DE10124803A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Zeiss Carl | Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator |
| EP1262836B1 (en) | 2001-06-01 | 2018-09-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7015491B2 (en) | 2001-06-01 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system |
| JP3725805B2 (ja) | 2001-07-04 | 2005-12-14 | 三菱電線工業株式会社 | ファイバ配線シートおよびその製造方法 |
| SG108262A1 (en) | 2001-07-06 | 2005-01-28 | Inst Data Storage | Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation |
| US6754429B2 (en) | 2001-07-06 | 2004-06-22 | Corning Incorporated | Method of making optical fiber devices and devices thereof |
| SE0202159D0 (sv) | 2001-07-10 | 2002-07-09 | Coding Technologies Sweden Ab | Efficientand scalable parametric stereo coding for low bitrate applications |
| WO2003007370A1 (en) | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Wiring glass substrate and method of manufacturing the wiring glass substrate, conductive paste and semiconductor module used for wiring glass substrate, and method of forming wiring substrate and conductor |
| JP3775250B2 (ja) | 2001-07-12 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 |
| KR100820689B1 (ko) | 2001-08-10 | 2008-04-10 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료기판의 모따기 방법 및 모따기 장치 |
| JP3795778B2 (ja) | 2001-08-24 | 2006-07-12 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 水添ビスフェノールａ型エポキシ樹脂を用いたレジノイド研削砥石 |
| JP4294239B2 (ja) | 2001-09-17 | 2009-07-08 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工装置および透過型の１／２波長板 |
| JP2003114400A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光学システムおよびレーザ加工方法 |
| JP2003124491A (ja) | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| EP1306196A1 (de) | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Telsonic AG | Haltevorrichtung, Vorrichtung zum Verschweissen von Werkstücken und Verfahren zum Bereitstellen einer Haltevorrichtung |
| JP2003154517A (ja) | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Seiko Epson Corp | 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法 |
| US6720519B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling |
| US6973384B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-12-06 | Bellsouth Intellectual Property Corporation | Automated location-intelligent traffic notification service systems and methods |
| JP2003238178A (ja) | 2002-02-21 | 2003-08-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ガス導入用シャワープレート及びその製造方法 |
| WO2003076119A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
| US6787732B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor |
| US6744009B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-06-01 | Seagate Technology Llc | Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates |
| DE10219514A1 (de) | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
| FR2839508B1 (fr) | 2002-05-07 | 2005-03-04 | Saint Gobain | Vitrage decoupe sans rompage |
| JP3559827B2 (ja) | 2002-05-24 | 2004-09-02 | 独立行政法人理化学研究所 | 透明材料内部の処理方法およびその装置 |
| US7116283B2 (en) | 2002-07-30 | 2006-10-03 | Ncr Corporation | Methods and apparatus for improved display of visual data for point of sale terminals |
| CA2396831A1 (en) | 2002-08-02 | 2004-02-02 | Femtonics Corporation | Microstructuring optical wave guide devices with femtosecond optical pulses |
| DE10240033B4 (de) | 2002-08-28 | 2005-03-10 | Jenoptik Automatisierungstech | Anordnung zum Einbringen von Strahlungsenergie in ein Werkstück aus einem schwach absorbierenden Material |
| US6737345B1 (en) | 2002-09-10 | 2004-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Scheme to define laser fuse in dual damascene CU process |
| US20040051982A1 (en) | 2002-09-13 | 2004-03-18 | Perchak Robert M. | Wide angle surface generator & target |
| JP3929393B2 (ja) | 2002-12-03 | 2007-06-13 | 株式会社日本エミック | 切断装置 |
| JP2004209675A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Kashifuji:Kk | 押圧切断装置及び押圧切断方法 |
| KR100497820B1 (ko) | 2003-01-06 | 2005-07-01 | 로체 시스템즈(주) | 유리판절단장치 |
| TWI319412B (en) | 2003-01-15 | 2010-01-11 | Sumitomo Rubber Ind | Polymeric-type antistatic agent and antistatic polymer composition and fabricating method thereof |
| JP2004217492A (ja) | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Murakami Corp | ガラス板材の切抜方法 |
| AU2003203192A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-08-13 | Toyota Steel Center Co., Ltd. | Laser cutting device, laser cutting method, and laser cutting system |
| JP3775410B2 (ja) | 2003-02-03 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | レーザー加工方法、レーザー溶接方法並びにレーザー加工装置 |
| CN1758985A (zh) | 2003-03-12 | 2006-04-12 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
| US7617167B2 (en) | 2003-04-09 | 2009-11-10 | Avisere, Inc. | Machine vision system for enterprise management |
| DE602004031106D1 (de) | 2003-04-22 | 2011-03-03 | Coca Cola Co | Verfahren und vorrichtung zur verfestigung von glas |
| US7511886B2 (en) | 2003-05-13 | 2009-03-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system |
| DE10322376A1 (de) | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Axiconsystem und Beleuchtungssystem damit |
| FR2855084A1 (fr) | 2003-05-22 | 2004-11-26 | Air Liquide | Optique de focalisation pour le coupage laser |
| JP2005000952A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 |
| EP1642165A1 (en) | 2003-06-26 | 2006-04-05 | RIS National Laboratory | Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters |
| WO2005007335A1 (ja) | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物 |
| WO2005024516A2 (de) | 2003-08-14 | 2005-03-17 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage |
| JP2005104819A (ja) | 2003-09-10 | 2005-04-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 合せガラスの切断方法及び合せガラス切断装置 |
| US7408616B2 (en) | 2003-09-26 | 2008-08-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method |
| US20050205778A1 (en) | 2003-10-17 | 2005-09-22 | Gsi Lumonics Corporation | Laser trim motion, calibration, imaging, and fixturing techniques |
| JP2005135964A (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| JP2005138143A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用する加工装置 |
| US7172067B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-02-06 | Johnson Level & Tool Mfg. Co., Inc. | Level case with positioning indentations |
| JP2005144487A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Seiko Epson Corp | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP3962718B2 (ja) | 2003-12-01 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置及びその制御方法、プログラム |
| US7057709B2 (en) | 2003-12-04 | 2006-06-06 | International Business Machines Corporation | Printing a mask with maximum possible process window through adjustment of the source distribution |
| WO2005053925A1 (ja) | 2003-12-04 | 2005-06-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 基板加工方法、基板加工装置および基板搬送方法、基板搬送機構 |
| JP2005179154A (ja) | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 脆性材料の割断方法およびその装置 |
| US7633033B2 (en) | 2004-01-09 | 2009-12-15 | General Lasertronics Corporation | Color sensing for laser decoating |
| US8270077B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| WO2005068163A1 (ja) | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Japan Science And Technology Agency | 微細加工方法 |
| US20070019179A1 (en) | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
| CN1910522B (zh) | 2004-01-16 | 2010-05-26 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 偏振调制光学元件 |
| JP4074589B2 (ja) | 2004-01-22 | 2008-04-09 | Ｔｄｋ株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| TWI395068B (zh) | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
| JP2005219960A (ja) | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Nishiyama Stainless Chem Kk | ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、フラットパネルディスプレイ |
| EP1721695A4 (en) | 2004-03-05 | 2009-04-01 | Olympus Corp | LASER PROCESSING FACILITY |
| DE102004012402B3 (de) | 2004-03-13 | 2005-08-25 | Schott Ag | Verfahren zum Freiformschneiden von gewölbten Substraten aus sprödbrüchigem Material |
| JP5074658B2 (ja) | 2004-03-15 | 2012-11-14 | キヤノン株式会社 | 最適化方法、最適化装置、及びプログラム |
| US7486705B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
| JP4418282B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-02-17 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工方法 |
| US20050231651A1 (en) | 2004-04-14 | 2005-10-20 | Myers Timothy F | Scanning display system |
| KR100626554B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-09-21 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 비금속재 절단장치 및 비금속재 절단시의 절단깊이 제어방법 |
| US7123348B2 (en) | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
| GB0412974D0 (en) | 2004-06-10 | 2004-07-14 | Syngenta Participations Ag | Method of applying active ingredients |
| JP4890746B2 (ja) | 2004-06-14 | 2012-03-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| US7804043B2 (en) | 2004-06-15 | 2010-09-28 | Laserfacturing Inc. | Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser |
| DE102005030543A1 (de) | 2004-07-08 | 2006-02-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarisatoreinrichtung zur Erzeugung einer definierten Ortsverteilung von Polarisationszuständen |
| US7283209B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
| US7231786B2 (en) | 2004-07-29 | 2007-06-19 | Corning Incorporated | Process and device for manufacturing glass sheet |
| US7259354B2 (en) | 2004-08-04 | 2007-08-21 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods for processing holes by moving precisely timed laser pulses in circular and spiral trajectories |
| US7136227B2 (en) | 2004-08-06 | 2006-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fresnel zone plate based on elastic materials |
| KR100462359B1 (ko) | 2004-08-18 | 2004-12-17 | 주식회사 이오테크닉스 | 폴리곤 미러를 이용한 레이저 가공장치 및 방법 |
| KR101273740B1 (ko) | 2004-09-22 | 2013-06-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 장치, 노광 장치 및 마이크로 디바이스의 제조 방법 |
| JP4527488B2 (ja) | 2004-10-07 | 2010-08-18 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
| JP3887394B2 (ja) | 2004-10-08 | 2007-02-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 脆性材料の割断加工システム及びその方法 |
| JP3723201B1 (ja) | 2004-10-18 | 2005-12-07 | 独立行政法人食品総合研究所 | 貫通孔を有する金属製基板を用いたマイクロスフィアの製造方法 |
| WO2006046525A1 (ja) | 2004-10-25 | 2006-05-04 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | クラック形成方法およびクラック形成装置 |
| JP4692717B2 (ja) | 2004-11-02 | 2011-06-01 | 澁谷工業株式会社 | 脆性材料の割断装置 |
| JP4222296B2 (ja) | 2004-11-22 | 2009-02-12 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法とレーザ加工装置 |
| JP4564343B2 (ja) | 2004-11-24 | 2010-10-20 | 大日本印刷株式会社 | 導電材充填スルーホール基板の製造方法 |
| JP2006150385A (ja) | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Canon Inc | レーザ割断方法 |
| US7201965B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-04-10 | Corning Incorporated | Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance |
| KR101096733B1 (ko) | 2004-12-27 | 2011-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판의 절단장치 및 이를 이용한 기판의 절단방법 |
| JP5037138B2 (ja) | 2005-01-05 | 2012-09-26 | Ｔｈｋ株式会社 | ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置 |
| US7542013B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode |
| JPWO2006082738A1 (ja) | 2005-02-03 | 2008-06-26 | 株式会社ニコン | オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2006248885A (ja) | 2005-02-08 | 2006-09-21 | Takeji Arai | 超短パルスレーザによる石英の切断方法 |
| JP2006240948A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス板製品を切り抜きにより製造する方法 |
| DE102005013783B4 (de) | 2005-03-22 | 2007-08-16 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zum Trennen von spröden Materialien mittels Laser mit unsymmetrischer Strahlungsdichteverteilung |
| US20070228616A1 (en) | 2005-05-11 | 2007-10-04 | Kyu-Yong Bang | Device and method for cutting nonmetalic substrate |
| US20060261118A1 (en) | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Cox Judy K | Method and apparatus for separating a pane of brittle material from a moving ribbon of the material |
| JP4173151B2 (ja) | 2005-05-23 | 2008-10-29 | 株式会社椿本チエイン | コンベヤチェーン |
| US7402773B2 (en) | 2005-05-24 | 2008-07-22 | Disco Corporation | Laser beam processing machine |
| DE102005042072A1 (de) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen in Halbleiterwafern |
| JP4199820B2 (ja) | 2005-06-01 | 2008-12-24 | フェトン株式会社 | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
| EP1894063A1 (en) | 2005-06-21 | 2008-03-05 | Carl Zeiss SMT AG | A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror |
| JP4841873B2 (ja) | 2005-06-23 | 2011-12-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
| US7566914B2 (en) | 2005-07-07 | 2009-07-28 | Intersil Americas Inc. | Devices with adjustable dual-polarity trigger- and holding-voltage/current for high level of electrostatic discharge protection in sub-micron mixed signal CMOS/BiCMOS integrated circuits |
| JP4490883B2 (ja) | 2005-07-19 | 2010-06-30 | 株式会社レーザーシステム | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| US7934172B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-04-26 | Micronic Laser Systems Ab | SLM lithography: printing to below K1=.30 without previous OPC processing |
| DE102005039833A1 (de) | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Rowiak Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen |
| KR20070023958A (ko) | 2005-08-25 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 기판 절단 시스템 및 상기 시스템을이용한 액정 표시 장치용 기판 절단 방법 |
| US7244906B2 (en) | 2005-08-30 | 2007-07-17 | Electro Scientific Industries, Inc. | Energy monitoring or control of individual vias formed during laser micromachining |
| US7373041B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-05-13 | Schleifring Und Apparatebau Gmbh | Optical rotary coupling |
| US7626138B2 (en) | 2005-09-08 | 2009-12-01 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
| US9138913B2 (en) | 2005-09-08 | 2015-09-22 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
| PL1950019T3 (pl) | 2005-09-12 | 2012-08-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Sposób oddzielania folii międzywarstwowej |
| JP4736660B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-07-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 光走査装置 |
| US20070068648A1 (en) | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Honeywell International, Inc. | Method for repairing die cast dies |
| KR100792593B1 (ko) | 2005-10-12 | 2008-01-09 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 극초단 펄스 레이저를 이용한 단일 펄스 패턴 형성방법 및시스템 |
| US20070111119A1 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-17 | Honeywell International, Inc. | Method for repairing gas turbine engine compressor components |
| US7838331B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-11-23 | Denso Corporation | Method for dicing semiconductor substrate |
| US20070111480A1 (en) | 2005-11-16 | 2007-05-17 | Denso Corporation | Wafer product and processing method therefor |
| KR100858983B1 (ko) | 2005-11-16 | 2008-09-17 | 가부시키가이샤 덴소 | 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법 |
| JP2007142001A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| US7977601B2 (en) | 2005-11-28 | 2011-07-12 | Electro Scientific Industries, Inc. | X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method |
| CN101331592B (zh) | 2005-12-16 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 激光照射设备、激光照射方法和半导体装置的制造方法 |
| GB0600022D0 (en) | 2006-01-03 | 2006-02-08 | Pilkington Plc | Glazings |
| JP4483793B2 (ja) | 2006-01-27 | 2010-06-16 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法及び製造装置 |
| US8007913B2 (en) * | 2006-02-10 | 2011-08-30 | Corning Incorporated | Laminated glass articles and methods of making thereof |
| US7418181B2 (en) | 2006-02-13 | 2008-08-26 | Adc Telecommunications, Inc. | Fiber optic splitter module |
| JP5245819B2 (ja) | 2006-02-15 | 2013-07-24 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の面取り方法および装置 |
| US7535634B1 (en) | 2006-02-16 | 2009-05-19 | The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration | Optical device, system, and method of generating high angular momentum beams |
| EP1990125B1 (en) | 2006-02-22 | 2011-10-12 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Glass processing method using laser |
| US20090176034A1 (en) | 2006-02-23 | 2009-07-09 | Picodeon Ltd. Oy | Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology |
| DE102006012034A1 (de) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere in einer Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage |
| KR100588459B1 (ko) | 2006-03-20 | 2006-06-12 | (주)큐엠씨 | 레이저 빔 전달 시스템 및 그 형성 방법 |
| JP2007253203A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ加工用光学装置 |
| JP2009530222A (ja) | 2006-03-24 | 2009-08-27 | ケー−エング カンパニー リミテッド | ベンディング部を有するガラス切断装置及びこれを利用したガラス切断方法 |
| JPWO2007119740A1 (ja) | 2006-04-13 | 2009-08-27 | 東レエンジニアリング株式会社 | スクライブ方法、スクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板 |
| US7794904B2 (en) | 2006-04-24 | 2010-09-14 | Stc.Unm | Method and apparatus for producing interferometric lithography patterns with circular symmetry |
| US20070298529A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-27 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices |
| GB2439962B (en) | 2006-06-14 | 2008-09-24 | Exitech Ltd | Process and apparatus for laser scribing |
| EP1875983B1 (en) | 2006-07-03 | 2013-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
| JP2008018547A (ja) | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Seiko Epson Corp | 基体の製造方法、ｔｆｔ基板の製造方法、多層構造基板の製造方法、表示装置の製造方法 |
| DE102006035555A1 (de) | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Eliog-Kelvitherm Industrieofenbau Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Verformung von Glasscheiben |
| FR2904437B1 (fr) | 2006-07-28 | 2008-10-24 | Saint Gobain | Dispositif actif a proprietes energetiques/optiques variables |
| JP2008037943A (ja) | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Nitto Denko Corp | 衝撃吸収粘着剤シートおよびその製造方法 |
| TWI362370B (en) | 2006-08-18 | 2012-04-21 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Method for cutting a brittle substrate |
| US8168514B2 (en) | 2006-08-24 | 2012-05-01 | Corning Incorporated | Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications |
| US8035803B2 (en) | 2006-09-06 | 2011-10-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
| EP2065120B1 (en) | 2006-09-19 | 2015-07-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| US7867907B2 (en) | 2006-10-17 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| DE102006051105B3 (de) | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks mittels Laserstrahlung |
| GB0622232D0 (en) | 2006-11-08 | 2006-12-20 | Rumsby Philip T | Method and apparatus for laser beam alignment for solar panel scribing |
| GB0623511D0 (en) | 2006-11-24 | 2007-01-03 | Council Cent Lab Res Councils | Raman detection of container contents |
| JP2008132616A (ja) | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 脆性材料の割断方法とその装置 |
| US8338744B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-12-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Condensing optical system, laser processing method and apparatus, and manufacturing method of brittle material blank |
| US20080158529A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8952832B2 (en) | 2008-01-18 | 2015-02-10 | Invensense, Inc. | Interfacing application programs and motion sensors of a device |
| AT504726A1 (de) | 2007-01-05 | 2008-07-15 | Lisec Maschb Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines trennspalts in einer glasscheibe |
| JP2008168327A (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Shinko Seisakusho:Kk | レーザ切断装置 |
| US7566657B2 (en) | 2007-01-17 | 2009-07-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods of forming through-substrate interconnects |
| JP5194030B2 (ja) | 2007-02-06 | 2013-05-08 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系のマルチミラーアレイを監視するための方法および装置 |
| JP5318748B2 (ja) | 2007-02-22 | 2013-10-16 | 日本板硝子株式会社 | 陽極接合用ガラス |
| CN101622722B (zh) | 2007-02-27 | 2012-11-21 | 卡尔蔡司激光器材有限责任公司 | 连续涂覆设备、生产晶态薄膜和太阳电池的方法 |
| TWI486320B (zh) | 2007-03-02 | 2015-06-01 | Nippon Electric Glass Co | 強化板玻璃及其製造方法 |
| ITMI20070528A1 (it) | 2007-03-16 | 2008-09-17 | Piaggio & C Spa | Sistema di propulsione e di trasmissione ibrida per motoveicoli |
| US8937706B2 (en) | 2007-03-30 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US9250536B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| JP5461387B2 (ja) | 2007-04-03 | 2014-04-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイス又は投影対物器械である光学システム |
| KR101333518B1 (ko) | 2007-04-05 | 2013-11-28 | 참엔지니어링(주) | 레이저 가공 방법 및 절단 방법 및 다층 기판을 가지는 구조체의 분할 방법 |
| EP1983154B1 (en) | 2007-04-17 | 2013-12-25 | Services Pétroliers Schlumberger | In-situ correction of triaxial accelerometer and magnetometer measurements made in a well |
| JP4863168B2 (ja) | 2007-04-17 | 2012-01-25 | 日本電気硝子株式会社 | フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 |
| JP2008288577A (ja) | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Fujikura Ltd | 基板の処理方法、貫通配線基板及びその製造方法、並びに電子部品 |
| DE102007018674A1 (de) | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Lzh Laserzentrum Hannover E.V. | Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas |
| US8236116B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-08-07 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Method of making coated glass article, and intermediate product used in same |
| US20080310465A1 (en) | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Martin Achtenhagen | Method and Laser Device for Stabilized Frequency Doubling |
| US8076605B2 (en) | 2007-06-25 | 2011-12-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for adapting parameters to increase throughput during laser-based wafer processing |
| WO2009012913A1 (de) | 2007-07-21 | 2009-01-29 | Keming Du | Optische anordnung zur erzeugung von multistrahlen |
| US8169587B2 (en) | 2007-08-16 | 2012-05-01 | Apple Inc. | Methods and systems for strengthening LCD modules |
| JP2009056482A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 基板分割方法、及び表示装置の製造方法 |
| JP5113462B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-01-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の面取り方法 |
| KR100876502B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2008-12-31 | 한국정보통신대학교 산학협력단 | 초단파 레이저 빔을 이용한 기판 절단장치 및 그 절단방법 |
| WO2009042212A2 (en) | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Aradigm Corporation | Impinging jet nozzles in stretched or deformed substrates |
| JP2009084089A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Omron Laserfront Inc | ガラス切断装置及び方法 |
| JP2009082958A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sunx Ltd | レーザ加工装置及びアキシコンレンズ |
| DE102008041593A1 (de) | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie |
| CN101821071B (zh) | 2007-10-11 | 2012-10-03 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基板的激光划线方法及激光划线装置 |
| JP5580049B2 (ja) | 2007-10-16 | 2014-08-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のｕ字状溝加工方法およびこれを用いた除去加工方法およびくり抜き加工方法および面取り方法 |
| KR20090041316A (ko) | 2007-10-23 | 2009-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법 |
| JP5326259B2 (ja) | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| DE102007055567A1 (de) | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System |
| KR100949152B1 (ko) | 2007-11-23 | 2010-03-25 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 유리 기판 레이저 절단 장치 |
| JP4710897B2 (ja) | 2007-11-28 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 接合体の剥離方法 |
| KR20090057161A (ko) | 2007-12-01 | 2009-06-04 | 주식회사 이엔팩 | 초발수성 좌변기 시트 |
| JP2009142886A (ja) | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Agt:Kk | レーザー穴開け加工方法 |
| CN101462822B (zh) | 2007-12-21 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法 |
| CN101911112B (zh) | 2007-12-25 | 2012-06-13 | 日本电气株式会社 | 图像处理装置、图像压缩装置及图像传输系统 |
| US7842583B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device |
| US20090183764A1 (en) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Tenksolar, Inc | Detachable Louver System |
| JP5098665B2 (ja) | 2008-01-23 | 2012-12-12 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 |
| JP2009178725A (ja) | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Sunx Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| KR101303542B1 (ko) | 2008-02-11 | 2013-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시패널 절단장치 |
| GB0802944D0 (en) | 2008-02-19 | 2008-03-26 | Rumsby Philip T | Apparatus for laser processing the opposite sides of thin panels |
| PT2285521T (pt) | 2008-02-20 | 2019-09-20 | Lasercoil Tech Llc | Conjunto recipiente e método associado |
| US20100319898A1 (en) | 2008-03-13 | 2010-12-23 | Underwood Patrick K | Thermal interconnect and integrated interface systems, methods of production and uses thereof |
| JP5826027B2 (ja) | 2008-03-21 | 2015-12-02 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | レーザベースの材料加工方法及びシステム |
| JP5333816B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-11-06 | 旭硝子株式会社 | ガラス板の切線加工装置及び切線加工方法 |
| US8237080B2 (en) | 2008-03-27 | 2012-08-07 | Electro Scientific Industries, Inc | Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses |
| JP5345334B2 (ja) | 2008-04-08 | 2013-11-20 | 株式会社レミ | 脆性材料の熱応力割断方法 |
| JP5274085B2 (ja) | 2008-04-09 | 2013-08-28 | 株式会社アルバック | レーザー加工装置、レーザービームのピッチ可変方法、及びレーザー加工方法 |
| US8358888B2 (en) | 2008-04-10 | 2013-01-22 | Ofs Fitel, Llc | Systems and techniques for generating Bessel beams |
| JP2009255114A (ja) | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Linkstar Japan Co Ltd | 脆性材料基板の加工装置および切断方法 |
| US8035901B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-10-11 | Corning Incorporated | Laser scoring with curved trajectory |
| JP5539625B2 (ja) | 2008-05-08 | 2014-07-02 | ミヤチテクノス株式会社 | レーザ加工方法 |
| TWI414502B (zh) * | 2008-05-13 | 2013-11-11 | Corning Inc | 含稀土元素之玻璃材料及基板及含該基板之裝置 |
| EP2119512B1 (en) | 2008-05-14 | 2017-08-09 | Gerresheimer Glas GmbH | Method and device for removing contaminating particles from containers on automatic production system |
| US8061128B2 (en) | 2008-05-15 | 2011-11-22 | Ford Global Technologies, Llc | Diesel particulate filter overstress mitigation |
| US8053704B2 (en) | 2008-05-27 | 2011-11-08 | Corning Incorporated | Scoring of non-flat materials |
| GB2460648A (en) | 2008-06-03 | 2009-12-09 | M Solv Ltd | Method and apparatus for laser focal spot size control |
| JP2009297734A (ja) | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nitto Denko Corp | レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法 |
| US8514476B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-08-20 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
| US7810355B2 (en) | 2008-06-30 | 2010-10-12 | Apple Inc. | Full perimeter chemical strengthening of substrates |
| US8268913B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-09-18 | Fina Technology, Inc. | Polymeric blends and methods of using same |
| JP4876149B2 (ja) | 2008-07-11 | 2012-02-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置における使用のためのスペクトル純度フィルタ |
| JP2010017990A (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Seiko Epson Corp | 基板分割方法 |
| KR101499651B1 (ko) | 2008-08-01 | 2015-03-06 | 주식회사 무한 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치 |
| TWI484563B (zh) | 2008-08-01 | 2015-05-11 | Moohan Co Ltd | 薄膜電晶體之製造方法與設備 |
| JP5071868B2 (ja) | 2008-08-11 | 2012-11-14 | オムロン株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置、光学素子の製造方法、および光学素子 |
| TW201009525A (en) | 2008-08-18 | 2010-03-01 | Ind Tech Res Inst | Laser marking method and laser marking system |
| JP5155774B2 (ja) | 2008-08-21 | 2013-03-06 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | プラトー面加工用レジノイド超砥粒砥石ホイール |
| JP2010075991A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | レーザ加工装置 |
| JP5435267B2 (ja) | 2008-10-01 | 2014-03-05 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスロール、ガラスロールの製造装置、及びガラスロールの製造方法 |
| US8123515B2 (en) | 2008-10-02 | 2012-02-28 | Robert Frank Schleelein | System and method for producing composite materials with variable shapes |
| US7869210B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-01-11 | Dell Products L.P. | Temperature control for an information handling system rack |
| JP5297139B2 (ja) | 2008-10-09 | 2013-09-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| US8895892B2 (en) | 2008-10-23 | 2014-11-25 | Corning Incorporated | Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet |
| US8092739B2 (en) | 2008-11-25 | 2012-01-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Retro-percussive technique for creating nanoscale holes |
| US8131494B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-03-06 | Baker Hughes Incorporated | Rotatable orientation independent gravity sensor and methods for correcting systematic errors |
| US20110253544A1 (en) | 2008-12-08 | 2011-10-20 | University Of South Australia | Formation Of Nanoporous Materials |
| JP2010134328A (ja) | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 偏光素子およびレーザーユニット |
| US9346130B2 (en) | 2008-12-17 | 2016-05-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
| US20110240476A1 (en) | 2008-12-17 | 2011-10-06 | Ding Wang | Fabrication of conductive nanostructures on a flexible substrate |
| EP2202545A1 (en) | 2008-12-23 | 2010-06-30 | Karlsruher Institut für Technologie | Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode |
| KR101020621B1 (ko) | 2009-01-15 | 2011-03-09 | 연세대학교 산학협력단 | 광섬유를 이용하는 광소자 제조 방법, 광섬유를 이용하는 광소자 및 이를 이용한 광 트위저 |
| EP2392549A4 (en) | 2009-02-02 | 2014-02-26 | Asahi Glass Co Ltd | GLASS SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE ELEMENT |
| CN102307699B (zh) | 2009-02-09 | 2015-07-15 | 浜松光子学株式会社 | 加工对象物的切断方法 |
| US8327666B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-12-11 | Corning Incorporated | Method of separating strengthened glass |
| US8347651B2 (en) | 2009-02-19 | 2013-01-08 | Corning Incorporated | Method of separating strengthened glass |
| US8341976B2 (en) | 2009-02-19 | 2013-01-01 | Corning Incorporated | Method of separating strengthened glass |
| US8245540B2 (en) | 2009-02-24 | 2012-08-21 | Corning Incorporated | Method for scoring a sheet of brittle material |
| BR122019015544B1 (pt) | 2009-02-25 | 2020-12-22 | Nichia Corporation | método para fabricar um elemento semicondutor, e, elemento semicondutor |
| CN101502914A (zh) | 2009-03-06 | 2009-08-12 | 苏州德龙激光有限公司 | 用于喷油嘴微孔加工的皮秒激光加工装置 |
| CN201357287Y (zh) | 2009-03-06 | 2009-12-09 | 苏州德龙激光有限公司 | 新型皮秒激光加工装置 |
| JP5300544B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-09-25 | 株式会社ディスコ | 光学系及びレーザ加工装置 |
| KR101041140B1 (ko) | 2009-03-25 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 방법 |
| US20100252959A1 (en) | 2009-03-27 | 2010-10-07 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for improved brittle materials processing |
| US9723723B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-08-01 | View, Inc. | Temperable electrochromic devices |
| EP2416916B1 (en) | 2009-04-07 | 2015-02-25 | Trumpf, Inc. | Cutting machine with a cutting head using a beam and a suction duct coupled to the motion unit moving the cutting head |
| KR200448519Y1 (ko) | 2009-04-28 | 2010-04-21 | 남동진 | 돌출형 ⅰｃ 패키지용 방열판 |
| US20100279067A1 (en) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Robert Sabia | Glass sheet having enhanced edge strength |
| CN102422406B (zh) | 2009-05-06 | 2014-07-09 | 康宁股份有限公司 | 用于玻璃基片的支承件 |
| ATE551304T1 (de) | 2009-05-13 | 2012-04-15 | Corning Inc | Verfahren und anlagen zum formen von endlosen glasscheiben |
| US8539795B2 (en) * | 2009-05-13 | 2013-09-24 | Corning Incorporated | Methods for cutting a fragile material |
| US8132427B2 (en) | 2009-05-15 | 2012-03-13 | Corning Incorporated | Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet |
| US8269138B2 (en) | 2009-05-21 | 2012-09-18 | Corning Incorporated | Method for separating a sheet of brittle material |
| DE102009023602B4 (de) | 2009-06-02 | 2012-08-16 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Vorrichtung zum industriellen Herstellen elastisch verformbarer großflächiger Glasplatten in hoher Stückzahl |
| US8194170B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-06-05 | Algonquin College | Axicon lens array |
| US9701581B2 (en) | 2009-06-04 | 2017-07-11 | Corelase Oy | Method and apparatus for processing substrates using a laser |
| US20100332087A1 (en) | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Mark Robert Claffee | Remote Vehicle Controller |
| TWI395630B (zh) | 2009-06-30 | 2013-05-11 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 使用雷射光之玻璃基板加工裝置 |
| JP5416492B2 (ja) | 2009-06-30 | 2014-02-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ光によるガラス基板加工装置 |
| US8592716B2 (en) | 2009-07-22 | 2013-11-26 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for initiating scoring |
| CN201471092U (zh) | 2009-08-07 | 2010-05-19 | 苏州德龙激光有限公司 | 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台 |
| CN101637849B (zh) | 2009-08-07 | 2011-12-07 | 苏州德龙激光有限公司 | 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台 |
| JP5500914B2 (ja) | 2009-08-27 | 2014-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射装置 |
| CN102596830A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-07-18 | 康宁股份有限公司 | 利用激光从化学强化玻璃基板切割出制品的方法 |
| US8932510B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-01-13 | Corning Incorporated | Methods for laser cutting glass substrates |
| KR101094284B1 (ko) | 2009-09-02 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법 |
| WO2011037787A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Esi-Pyrophotonics Lasers, Inc. | Method and apparatus to scribe a line in a thin film material using a burst of laser pulses with beneficial pulse shape |
| JP2011079690A (ja) | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Leo:Kk | 回折格子を用いた厚板ガラスのレーザ熱応力割断 |
| US20110088324A1 (en) | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Wessel Robert B | Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly |
| US20110094267A1 (en) | 2009-10-28 | 2011-04-28 | Kenneth William Aniolek | Methods of producing glass sheets |
| CN102596831B (zh) | 2009-11-03 | 2015-01-07 | 康宁股份有限公司 | 具有非恒定速度的移动玻璃带的激光刻划 |
| US8623496B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-01-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Laser drilling technique for creating nanoscale holes |
| CN102612667B (zh) | 2009-11-18 | 2015-06-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备以及器件制造方法 |
| US8946590B2 (en) * | 2009-11-30 | 2015-02-03 | Corning Incorporated | Methods for laser scribing and separating glass substrates |
| US8338745B2 (en) | 2009-12-07 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Apparatus and methods for drilling holes with no taper or reverse taper |
| US20120234807A1 (en) | 2009-12-07 | 2012-09-20 | J.P. Sercel Associates Inc. | Laser scribing with extended depth affectation into a workplace |
| EP2336823A1 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Boegli-Gravures S.A. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Masken für eine Laseranlage zur Erzeugung von Mikrostrukturen. |
| CN102695988B (zh) | 2009-12-23 | 2015-09-02 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备以及器件制造方法 |
| US9042422B2 (en) | 2009-12-30 | 2015-05-26 | National University Corporation Chiba University | Tunable external resonator laser |
| US20110210105A1 (en) | 2009-12-30 | 2011-09-01 | Gsi Group Corporation | Link processing with high speed beam deflection |
| JP5405324B2 (ja) | 2010-01-04 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 撮像レンズおよび撮像装置 |
| JP5461205B2 (ja) | 2010-01-19 | 2014-04-02 | 日立造船株式会社 | レーザ加工方法とその装置 |
| TWI438162B (zh) | 2010-01-27 | 2014-05-21 | Wintek Corp | 強化玻璃切割方法及強化玻璃切割預置結構 |
| US9234760B2 (en) | 2010-01-29 | 2016-01-12 | Blackberry Limited | Portable mobile transceiver for GPS navigation and vehicle data input for dead reckoning mode |
| ITMO20100020A1 (it) | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Keraglass Engineering S R L | Dispositivo per la pulizia di rulli. |
| WO2011096353A1 (ja) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | 株式会社フジクラ | 微細構造の形成方法および微細構造を有する基体 |
| WO2011106325A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services | Azicon beam polarization devices |
| US8743165B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-06-03 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and device for laser processing |
| JP5249979B2 (ja) | 2010-03-18 | 2013-07-31 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の加工方法およびこれに用いるレーザ加工装置 |
| KR101842421B1 (ko) | 2010-03-24 | 2018-05-14 | 리모 게엠베하 | 레이저 광선 제공 장치 및 선형 배광 재생 장치 |
| US20110238308A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Isaac Thomas Miller | Pedal navigation using leo signals and body-mounted sensors |
| US8654538B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-02-18 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring board and method for manufacturing the same |
| KR20130059337A (ko) | 2010-03-30 | 2013-06-05 | 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. | 레이저 기반 재료 가공 장치 및 방법들 |
| TWI433745B (zh) | 2010-04-16 | 2014-04-11 | Qmc Co Ltd | 雷射加工方法及雷射加工設備 |
| CN102844857A (zh) | 2010-04-20 | 2012-12-26 | 旭硝子株式会社 | 半导体器件贯通电极用的玻璃基板 |
| JP2013144613A (ja) | 2010-04-20 | 2013-07-25 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体デバイス貫通電極形成用のガラス基板の製造方法 |
| US8821211B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-09-02 | Lg Chem, Ltd. | Device for cutting of glass sheet |
| DE202010006047U1 (de) | 2010-04-22 | 2010-07-22 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Strahlformungseinheit zur Fokussierung eines Laserstrahls |
| KR100984727B1 (ko) | 2010-04-30 | 2010-10-01 | 유병소 | 대상물 가공 방법 및 대상물 가공 장치 |
| US8245539B2 (en) | 2010-05-13 | 2012-08-21 | Corning Incorporated | Methods of producing glass sheets |
| WO2011145589A1 (ja) | 2010-05-19 | 2011-11-24 | 三菱化学株式会社 | カード用シート及びカード |
| JP5488907B2 (ja) | 2010-05-20 | 2014-05-14 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの回収装置及び回収方法 |
| AU2011254204B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-08-20 | Seqirus UK Limited | Influenza virus reassortment method |
| GB2481190B (en) | 2010-06-04 | 2015-01-14 | Plastic Logic Ltd | Laser ablation |
| JP5844361B2 (ja) | 2010-06-29 | 2016-01-13 | コーニング インコーポレイテッド | オーバーフロー・ダウンドロー・フュージョン法を使用した共延伸により製造された多層ガラス板 |
| DE102010025965A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Schott Ag | Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken |
| DE102010025966B4 (de) | 2010-07-02 | 2012-03-08 | Schott Ag | Interposer und Verfahren zum Herstellen von Löchern in einem Interposer |
| DE102010025967B4 (de) | 2010-07-02 | 2015-12-10 | Schott Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer |
| DE202010013161U1 (de) | 2010-07-08 | 2011-03-31 | Oerlikon Solar Ag, Trübbach | Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf |
| KR20130091313A (ko) | 2010-07-12 | 2013-08-16 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 임프린트 몰드용 TiO₂함유 석영 유리 기재 및 그 제조 방법 |
| US9296066B2 (en) * | 2010-07-12 | 2016-03-29 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method of material processing by laser filamentation |
| FR2962818B1 (fr) | 2010-07-13 | 2013-03-08 | Saint Gobain | Dispositif electrochimique a proprietes de transmission optique et/ou energetique electrocommandables. |
| KR20120015366A (ko) | 2010-07-19 | 2012-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 강화유리 절단방법 및 절단장치 |
| JP5580129B2 (ja) | 2010-07-20 | 2014-08-27 | 株式会社アマダ | 固体レーザ加工装置 |
| JP2012024983A (ja) | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 脆性材料の面取り方法とその装置 |
| JP5669001B2 (ja) | 2010-07-22 | 2015-02-12 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの割断方法、ガラスロールの製造方法、及びガラスフィルムの割断装置 |
| US8741777B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate processing method |
| JP5389265B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-01-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 基板加工方法 |
| JP2012031018A (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | 強化ガラス基板及び強化ガラス基板の溝加工方法と強化ガラス基板の切断方法 |
| US8604380B2 (en) | 2010-08-19 | 2013-12-10 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for optimally laser marking articles |
| US8584354B2 (en) | 2010-08-26 | 2013-11-19 | Corning Incorporated | Method for making glass interposer panels |
| US8720228B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-05-13 | Corning Incorporated | Methods of separating strengthened glass substrates |
| TWI402228B (zh) | 2010-09-15 | 2013-07-21 | Wintek Corp | 強化玻璃切割方法、強化玻璃薄膜製程、強化玻璃切割預置結構及強化玻璃切割件 |
| TWI576320B (zh) | 2010-10-29 | 2017-04-01 | 康寧公司 | 用於裁切玻璃帶之方法與設備 |
| WO2012061304A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Georgia Tech Research Corporation | Ultra-thin interposer assemblies with through vias |
| US9958750B2 (en) | 2010-11-08 | 2018-05-01 | View, Inc. | Electrochromic window fabrication methods |
| US8164818B2 (en) | 2010-11-08 | 2012-04-24 | Soladigm, Inc. | Electrochromic window fabrication methods |
| JP5617556B2 (ja) | 2010-11-22 | 2014-11-05 | 日本電気硝子株式会社 | 帯状ガラスフィルム割断装置及び帯状ガラスフィルム割断方法 |
| JP2012119098A (ja) | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Gigaphoton Inc | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
| EP2457881B1 (en) | 2010-11-30 | 2019-05-08 | Corning Incorporated | Method and apparatus for bending a sheet of material into a shaped article |
| US8607590B2 (en) | 2010-11-30 | 2013-12-17 | Corning Incorporated | Methods for separating glass articles from strengthened glass substrate sheets |
| US8616024B2 (en) | 2010-11-30 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets |
| CN103237771B (zh) | 2010-11-30 | 2016-10-19 | 康宁股份有限公司 | 在玻璃中形成高密度孔阵列的方法 |
| CN103261960B (zh) | 2010-12-08 | 2017-08-08 | 唯景公司 | 绝缘玻璃装置的改良隔板 |
| TW201226345A (en) | 2010-12-27 | 2012-07-01 | Liefco Optical Inc | Method of cutting tempered glass |
| EP2660652B1 (en) | 2010-12-28 | 2019-05-01 | Nitto Denko Corporation | Monochromatic display device with a porous electrode sheet |
| KR101298019B1 (ko) | 2010-12-28 | 2013-08-26 | (주)큐엠씨 | 레이저 가공 장치 |
| AU2011353979B2 (en) | 2011-01-05 | 2016-03-03 | Yuki Engineering System Co., Ltd | Beam processing device |
| WO2012096053A1 (ja) | 2011-01-11 | 2012-07-19 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法 |
| CN102248302A (zh) | 2011-01-13 | 2011-11-23 | 苏州德龙激光有限公司 | 超短脉冲激光异形切割钢化玻璃的装置及其方法 |
| US8539794B2 (en) | 2011-02-01 | 2013-09-24 | Corning Incorporated | Strengthened glass substrate sheets and methods for fabricating glass panels from glass substrate sheets |
| JP2012159749A (ja) | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Nichia Chem Ind Ltd | ベッセルビーム発生装置 |
| US8475507B2 (en) | 2011-02-01 | 2013-07-02 | Solta Medical, Inc. | Handheld apparatus for use by a non-physician consumer to fractionally resurface the skin of the consumer |
| US8933367B2 (en) | 2011-02-09 | 2015-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser processing method |
| WO2012108054A1 (ja) | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 信越ポリマー株式会社 | 単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
| CN103380482B (zh) | 2011-02-10 | 2016-05-25 | 信越聚合物株式会社 | 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件 |
| DE102011000768B4 (de) | 2011-02-16 | 2016-08-18 | Ewag Ag | Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung |
| JP5649592B2 (ja) | 2011-02-17 | 2015-01-07 | Hoya株式会社 | 携帯電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法、携帯電子機器用カバーガラスのガラス基板および携帯電子機器 |
| US8584490B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-11-19 | Corning Incorporated | Laser cutting method |
| JP5193326B2 (ja) | 2011-02-25 | 2013-05-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板加工装置および基板加工方法 |
| US8776547B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-07-15 | Corning Incorporated | Local strengthening of glass by ion exchange |
| JP2012187618A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-04 | V Technology Co Ltd | ガラス基板のレーザ加工装置 |
| NL2006418C2 (nl) | 2011-03-18 | 2012-09-19 | Rexnord Flattop Europe Bv | Transportsysteem, alsmede gebruik van een ten opzichte van een kunststof module binnenwaarts reikende kamer in een transportsysteem. |
| US9379143B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display device, and active matrix substrate manufacturing method |
| KR101253016B1 (ko) | 2011-03-31 | 2013-04-15 | 아반스트레이트 가부시키가이샤 | 유리판의 제조 방법 |
| EP2696312A4 (en) | 2011-04-07 | 2015-04-22 | Nethom | WIRELESS IDENTIFICATION LABEL, ELECTRONIC PRODUCT PCB INCLUDING THE LABEL, AND ELECTRONIC PRODUCT MANAGEMENT SYSTEM |
| US8857215B2 (en) | 2011-05-18 | 2014-10-14 | Corning Incorporated | Apparatus and method for heat treating glass sheets |
| US8986072B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-03-24 | Corning Incorporated | Methods of finishing an edge of a glass sheet |
| WO2012164649A1 (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| TWI547454B (zh) | 2011-05-31 | 2016-09-01 | 康寧公司 | 於玻璃中高速製造微孔洞的方法 |
| WO2012172960A1 (ja) | 2011-06-15 | 2012-12-20 | 旭硝子株式会社 | ガラス板の切断方法 |
| JP2013007842A (ja) | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 構造体形成装置、構造体形成方法及び構造体 |
| JP5765421B2 (ja) | 2011-06-28 | 2015-08-19 | 株式会社Ihi | 脆性的な部材を切断する装置、方法、および切断された脆性的な部材 |
| TWI572480B (zh) | 2011-07-25 | 2017-03-01 | 康寧公司 | 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層 |
| WO2013016823A1 (en) | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Ats Automation Tooling Systems Inc. | Systems and methods for producing silicon slim rods |
| KR101120471B1 (ko) | 2011-08-05 | 2012-03-05 | (주)지엘코어 | 다중 초점 방식의 펄스 레이저를 이용한 취성 재료 절단 장치 |
| JP5729873B2 (ja) | 2011-08-05 | 2015-06-03 | 株式会社マキタ | 集塵装置 |
| US8635887B2 (en) | 2011-08-10 | 2014-01-28 | Corning Incorporated | Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves |
| JP2013043808A (ja) | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Asahi Glass Co Ltd | 強化ガラス板切断用保持具及び強化ガラス板の切断方法 |
| US20130047671A1 (en) | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Jeffrey T. Kohli | Apparatus and method for forming glass sheets |
| JPWO2013031655A1 (ja) | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置 |
| DE112012003627T5 (de) | 2011-08-31 | 2014-05-15 | Asahi Glass Co., Ltd. | Verfahren zum Schneiden einer Glasplatte mit erhöhter Festigkeit und Vorrichtung zum Schneiden einer Glasplatte mit erhöhter Festigkeit |
| PH12012000258B1 (en) | 2011-09-09 | 2015-06-01 | Hoya Corp | Method of manufacturing an ion-exchanged glass article |
| US9010151B2 (en) | 2011-09-15 | 2015-04-21 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass sheet cutting method |
| KR101962661B1 (ko) | 2011-09-15 | 2019-03-27 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리판 절단방법 및 유리판 절단장치 |
| JP5861864B2 (ja) | 2011-09-15 | 2016-02-16 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス板切断方法およびガラス板切断装置 |
| JP6063670B2 (ja) | 2011-09-16 | 2017-01-18 | 株式会社アマダホールディングス | レーザ切断加工方法及び装置 |
| US10239160B2 (en) | 2011-09-21 | 2019-03-26 | Coherent, Inc. | Systems and processes that singulate materials |
| CN104025251B (zh) | 2011-09-21 | 2018-01-09 | 雷蒂安斯公司 | 切割材料的系统和过程 |
| JP5931389B2 (ja) | 2011-09-29 | 2016-06-08 | 川崎重工業株式会社 | 搬送システム |
| FR2980859B1 (fr) | 2011-09-30 | 2013-10-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de lithographie |
| JP5864988B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-02-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 強化ガラス板切断方法 |
| DE102011084128A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Schott Ag | Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante |
| JP2013091578A (ja) | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | ガラス基板のスクライブ方法 |
| KR20130049080A (ko) | 2011-11-03 | 2013-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 회전식 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
| CN103086591A (zh) | 2011-11-08 | 2013-05-08 | 雅士晶业股份有限公司 | 具有曲率变化图案的玻璃面及其制造方法 |
| KR101269474B1 (ko) | 2011-11-09 | 2013-05-30 | 주식회사 모린스 | 강화글라스 절단 방법 |
| US20130129947A1 (en) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Daniel Ralph Harvey | Glass article having high damage resistance |
| US8677783B2 (en) | 2011-11-28 | 2014-03-25 | Corning Incorporated | Method for low energy separation of a glass ribbon |
| JP5963038B2 (ja) | 2011-12-05 | 2016-08-03 | 株式会社リコー | 穿孔装置、用紙処理装置及び画像形成装置 |
| WO2013084879A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置 |
| WO2013084877A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置 |
| KR20130065051A (ko) | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 강화 글라스의 절단 방법 및 이를 이용한 터치스크린패널의 제조방법 |
| TW201332917A (zh) | 2011-12-12 | 2013-08-16 | Nippon Electric Glass Co | 板玻璃的割斷分離方法以及板玻璃的割斷分離裝置 |
| CN103635438B (zh) | 2011-12-12 | 2016-08-17 | 日本电气硝子株式会社 | 平板玻璃的切割分离方法 |
| JP5910075B2 (ja) | 2011-12-27 | 2016-04-27 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法 |
| JP5887929B2 (ja) | 2011-12-28 | 2016-03-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法 |
| JP2013136074A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 分断装置、被加工物の分断方法、および光学素子パターン付き基板の分断方法 |
| CN103182894A (zh) | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 玻璃件及其制作方法 |
| JP5685208B2 (ja) | 2012-01-24 | 2015-03-18 | 株式会社日立製作所 | 薄板用熱間圧延機の制御装置および薄板用熱間圧延機の制御方法 |
| JP2013152986A (ja) | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP5964607B2 (ja) | 2012-02-14 | 2016-08-03 | 株式会社カネカ | 剥離層付き支持体、基板構造、および電子デバイスの製造方法 |
| US20130222877A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Sage Electrochromics, Inc. | Multi-zone electrochromic devices |
| US9828277B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods for separation of strengthened glass |
| KR20140129055A (ko) | 2012-02-28 | 2014-11-06 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 강화 유리를 분리하는 방법과 장치 및 이에 의해 제조된 물품 |
| US9895771B2 (en) | 2012-02-28 | 2018-02-20 | General Lasertronics Corporation | Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings |
| US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
| CN104114506B (zh) | 2012-02-29 | 2017-05-24 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 加工强化玻璃的方法和装置及藉此制造的物品 |
| US9082764B2 (en) | 2012-03-05 | 2015-07-14 | Corning Incorporated | Three-dimensional integrated circuit which incorporates a glass interposer and method for fabricating the same |
| JP2013187247A (ja) | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | インターポーザおよびその製造方法 |
| US9341912B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-05-17 | View, Inc. | Multi-zone EC windows |
| TW201343296A (zh) | 2012-03-16 | 2013-11-01 | Ipg Microsystems Llc | 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法 |
| JP5964626B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP2013203631A (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置 |
| JP2013203630A (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Asahi Glass Co Ltd | 強化ガラス板の切断方法 |
| TW201339111A (zh) | 2012-03-29 | 2013-10-01 | Global Display Co Ltd | 強化玻璃的切割方法 |
| JP2013216513A (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体 |
| CN104661787A (zh) | 2012-04-05 | 2015-05-27 | Sage电致变色显示有限公司 | 用于电变色装置制造的热激光划线切割方法和设备及相应的切割玻璃面板 |
| JP2015120604A (ja) | 2012-04-06 | 2015-07-02 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断システム |
| FR2989294B1 (fr) | 2012-04-13 | 2022-10-14 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et methode de nano-usinage par laser |
| CN102642092B (zh) | 2012-04-13 | 2015-06-10 | 北京信息科技大学 | 基于激光光束的微孔加工装置及方法 |
| US20130288010A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Ravindra Kumar Akarapu | Strengthened glass article having shaped edge and method of making |
| KR20130124646A (ko) | 2012-05-07 | 2013-11-15 | 주식회사 엠엠테크 | 강화 유리 절단 방법 |
| US9365446B2 (en) | 2012-05-14 | 2016-06-14 | Richard Green | Systems and methods for altering stress profiles of glass |
| DE102012010635B4 (de) | 2012-05-18 | 2022-04-07 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Verfahren zur 3D-Strukturierung und Formgebung von Oberflächen aus harten, spröden und optischen Materialien |
| CN102672355B (zh) | 2012-05-18 | 2015-05-13 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | Led衬底的划片方法 |
| TWI468354B (zh) | 2012-05-23 | 2015-01-11 | Taiwan Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 用於一玻璃基板之切割方法及切割設備 |
| JP6009225B2 (ja) | 2012-05-29 | 2016-10-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 強化ガラス板の切断方法 |
| FR2991214B1 (fr) | 2012-06-01 | 2014-06-13 | Snecma | Procede de percage d'une piece par impulsions laser |
| US9938180B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Methods of cutting glass using a laser |
| JP6022223B2 (ja) | 2012-06-14 | 2016-11-09 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP5991860B2 (ja) | 2012-06-19 | 2016-09-14 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | ガラス基板の加工方法 |
| US20130344684A1 (en) | 2012-06-20 | 2013-12-26 | Stuart Bowden | Methods and systems for using subsurface laser engraving (ssle) to create one or more wafers from a material |
| JP6065910B2 (ja) | 2012-07-09 | 2017-01-25 | 旭硝子株式会社 | 化学強化ガラス板の切断方法 |
| AT13206U1 (de) | 2012-07-17 | 2013-08-15 | Lisec Maschb Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas |
| US9462632B2 (en) | 2012-07-17 | 2016-10-04 | Qualcomm Incorporated | Concurrent data streaming using various parameters from the same sensor |
| TW201417928A (zh) | 2012-07-30 | 2014-05-16 | Raydiance Inc | 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割 |
| US8842358B2 (en) | 2012-08-01 | 2014-09-23 | Gentex Corporation | Apparatus, method, and process with laser induced channel edge |
| KR101395054B1 (ko) | 2012-08-08 | 2014-05-14 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 강화유리 커팅 방법 및 강화유리 커팅용 스테이지 |
| KR20140022981A (ko) | 2012-08-14 | 2014-02-26 | (주)하드램 | 기판 에지 보호유닛을 포함한 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법 |
| KR20140022980A (ko) | 2012-08-14 | 2014-02-26 | (주)하드램 | 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법 |
| CN102785031B (zh) * | 2012-08-15 | 2015-04-01 | 武汉隽龙科技有限公司 | 一种利用超短脉冲激光的透明材料切割方法及切割装置 |
| US9446590B2 (en) | 2012-08-16 | 2016-09-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Diagonal openings in photodefinable glass |
| US20140047957A1 (en) | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Jih Chun Wu | Robust Torque-Indicating Wrench |
| JP5727433B2 (ja) | 2012-09-04 | 2015-06-03 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短パルスレーザでの透明材料処理 |
| CN102923939B (zh) | 2012-09-17 | 2015-03-25 | 江西沃格光电股份有限公司 | 强化玻璃的切割方法 |
| KR20140036593A (ko) | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 가공 장치 |
| US20140084040A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separating workpieces |
| CN102898014A (zh) | 2012-09-29 | 2013-01-30 | 江苏太平洋石英股份有限公司 | 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置 |
| US9227886B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-01-05 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Polymerization process |
| CN102916081B (zh) | 2012-10-19 | 2015-07-08 | 张立国 | 一种薄膜太阳能电池的清边方法 |
| LT6046B (lt) | 2012-10-22 | 2014-06-25 | Uab "Lidaris" | Justiruojamų optinių laikiklių pakeitimo įrenginys ir sistema, turinti tokių įrenginių |
| US20140110040A1 (en) | 2012-10-23 | 2014-04-24 | Ronald Steven Cok | Imprinted micro-louver structure method |
| DE102012110971A1 (de) | 2012-11-14 | 2014-05-15 | Schott Ag | Trennen von transparenten Werkstücken |
| US9991090B2 (en) | 2012-11-15 | 2018-06-05 | Fei Company | Dual laser beam system used with an electron microscope and FIB |
| KR20140064220A (ko) | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 에스케이씨 주식회사 | 보안필름의 제조방법 |
| WO2014079478A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Light In Light Srl | High speed laser processing of transparent materials |
| AU2013348226A1 (en) | 2012-11-21 | 2015-07-09 | Nexeon Energy Solutions LLC | Energy-efficient film |
| JP2014104484A (ja) | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| CN102962583A (zh) | 2012-11-28 | 2013-03-13 | 江苏大学 | 一种基于激光加热的塑料件微结构成形方法和装置 |
| JP2016508069A (ja) | 2012-11-29 | 2016-03-17 | コーニング インコーポレイテッド | 基板をレーザー穿孔するための犠牲カバー層およびその方法 |
| KR102157750B1 (ko) | 2012-11-29 | 2020-09-21 | 코닝 인코포레이티드 | 레이저 손상 및 에칭에 의한 유리 제품의 제조방법 |
| JP6054161B2 (ja) | 2012-12-13 | 2016-12-27 | 株式会社ディスコ | レーザ加工方法 |
| RU2539970C2 (ru) | 2012-12-17 | 2015-01-27 | Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" | Источник света с лазерной накачкой и способ генерации излучения |
| CN203021443U (zh) | 2012-12-24 | 2013-06-26 | 深圳大宇精雕科技有限公司 | 玻璃板水射流切割机 |
| EP2750447A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-02 | Alcatel Lucent | Neighboring cell selection for an user equipment using a content delivery service in a mobile network |
| CN103013374B (zh) | 2012-12-28 | 2014-03-26 | 吉林大学 | 仿生防粘疏水疏油贴膜 |
| JP5860173B2 (ja) | 2012-12-29 | 2016-02-16 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク |
| EP2950968A4 (en) | 2013-02-04 | 2016-10-19 | Newport Corp | METHOD AND DEVICE FOR LASER CUTTING TRANSPARENT AND SEMITRANSPARENT SUBSTRATES |
| EP2954309B1 (en) | 2013-02-05 | 2019-08-28 | Massachusetts Institute of Technology | 3-d holographic imaging flow cytometry |
| US9498920B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-11-22 | Carbon3D, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication |
| JP2014156289A (ja) | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Mitsubishi Electric Building Techno Service Co Ltd | エレベータの主ロープ点検方法 |
| WO2014130830A1 (en) | 2013-02-23 | 2014-08-28 | Raydiance, Inc. | Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties |
| EP2958864B1 (en) | 2013-02-25 | 2018-03-21 | Corning Incorporated | Method of manufacturing a thin glass pane |
| DE102013003118B4 (de) | 2013-02-25 | 2015-03-26 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zum Entsorgen von einem bei einem Lochungsvorgang eines Hohlprofils enstehenden Butzens |
| JP2014162682A (ja) | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルムの切断方法、ガラスフィルム切断装置、およびガラスフィルム |
| US10179952B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-15 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Patterned thin films by thermally induced mass displacement |
| CN105164581B (zh) | 2013-03-08 | 2020-05-01 | Sage电致变色显示有限公司 | 具有多个独立可控区域和内部母线的电致变色器件 |
| CN103143841B (zh) | 2013-03-08 | 2014-11-26 | 西北工业大学 | 一种利用皮秒激光加工孔的方法 |
| KR102209964B1 (ko) | 2013-03-13 | 2021-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 피코초 레이저 가공 장치 |
| EP3473372B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-01-27 | Kinestral Technologies, Inc. | Method for cutting strengthened glass |
| JP6061193B2 (ja) | 2013-03-18 | 2017-01-18 | 大日本印刷株式会社 | ブランクのストリッパ機構 |
| EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
| US9878304B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-01-30 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Method of manufacturing water-absorbent resin composition |
| JP6059059B2 (ja) | 2013-03-28 | 2017-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| EP2964416B1 (de) | 2013-04-04 | 2023-07-19 | LPKF Laser & Electronics SE | Verfahren zum trennen eines substrates |
| DE102013103370A1 (de) | 2013-04-04 | 2014-10-09 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Verfahren zum Einbringen von Durchbrechungen in ein Glassubstrat sowie ein derart hergestelltes Glassubstrat |
| ES2908956T3 (es) | 2013-04-04 | 2022-05-04 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Procedimiento para introducir rupturas en un sustrato |
| EP2984517B1 (en) | 2013-04-10 | 2018-05-30 | Saint-Gobain Glass France | Multilayer film with electrically switchable optical properties |
| CN104108870A (zh) | 2013-04-16 | 2014-10-22 | 安徽华强玻璃科技有限公司 | 一种玻璃切割刀清洗装置 |
| CN103224117B (zh) | 2013-05-10 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种自动反馈调节碎玻璃传送张力的系统 |
| CN103316990B (zh) | 2013-05-28 | 2015-06-10 | 江苏大学 | 脉冲激光驱动飞片加载薄板的微冲裁自动化装置及其方法 |
| CN103273195B (zh) | 2013-05-28 | 2015-03-04 | 江苏大学 | 激光间接冲击下金属薄板的微冲裁自动化装置及其方法 |
| US9365413B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-06-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Transducer-including devices, and methods and apparatus for their calibration |
| TWI685706B (zh) | 2013-06-18 | 2020-02-21 | 唯景公司 | 非矩形之電致變色裝置 |
| US9776891B2 (en) | 2013-06-26 | 2017-10-03 | Corning Incorporated | Filter and methods for heavy metal remediation of water |
| KR101344368B1 (ko) | 2013-07-08 | 2013-12-24 | 정우라이팅 주식회사 | 수직형 유리관 레이저 절단장치 |
| CN103359948A (zh) | 2013-07-12 | 2013-10-23 | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 | 钢化玻璃的切割方法 |
| KR20150009153A (ko) | 2013-07-16 | 2015-01-26 | 동우 화인켐 주식회사 | 강화처리된 유리의 홀 형성 방법 |
| US9102011B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-08-11 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
| US9790128B2 (en) | 2013-08-07 | 2017-10-17 | Corning Incorporated | Laser controlled ion exchange process and glass articles formed therefrom |
| US9296646B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-03-29 | Corning Incorporated | Methods for forming vias in glass substrates |
| TWI618131B (zh) | 2013-08-30 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離起點形成裝置及形成方法、疊層體製造裝置 |
| WO2015032535A1 (de) | 2013-09-04 | 2015-03-12 | Saint-Gobain Glass France | Verfahren zur herstellung einer scheibe mit einer elektrisch leitfähigen beschichtung mit elektrisch isolierten fehlstellen |
| CN203509350U (zh) | 2013-09-27 | 2014-04-02 | 东莞市盛雄激光设备有限公司 | 皮秒激光加工装置 |
| JP2015076115A (ja) | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用円盤状ガラス基板、及び磁気記録媒体用円盤状ガラス基板の製造方法 |
| CN103531414B (zh) | 2013-10-14 | 2016-03-02 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 一种栅控行波管栅网的皮秒脉冲激光切割制备方法 |
| US10017410B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-07-10 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
| US20150121960A1 (en) | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
| US20150122656A1 (en) | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Mass based filtration devices and method of fabrication using bursts of ultrafast laser pulses |
| US9517929B2 (en) | 2013-11-19 | 2016-12-13 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses |
| US11053156B2 (en) | 2013-11-19 | 2021-07-06 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses |
| US10005152B2 (en) | 2013-11-19 | 2018-06-26 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
| DE102013223637B4 (de) | 2013-11-20 | 2018-02-01 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats |
| JP2017501951A (ja) | 2013-11-25 | 2017-01-19 | コーニング インコーポレイテッド | 実質的に柱面を成す鏡面反射面の形状を決定するための方法 |
| JP6206820B2 (ja) | 2013-11-29 | 2017-10-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 塗料組成物及び該塗料組成物を用いた光拡散部材 |
| US10144088B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-12-04 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses |
| US9815730B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-11-14 | Corning Incorporated | Processing 3D shaped transparent brittle substrate |
| US10442719B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-15 | Corning Incorporated | Edge chamfering methods |
| US9850160B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Laser cutting of display glass compositions |
| US20150165560A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| KR20160100332A (ko) | 2013-12-17 | 2016-08-23 | 코닝 인코포레이티드 | 3-d 유리 성형 |
| US9701563B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US9687936B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-27 | Corning Incorporated | Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics |
| EP3083023A1 (en) | 2013-12-17 | 2016-10-26 | Bayer Cropscience LP | Mixing systems, methods, and devices with extendible impellers |
| US20150166393A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates |
| US9517963B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US20150165563A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers |
| US9676167B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-13 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| CN103831539B (zh) | 2014-01-10 | 2016-01-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 激光打孔方法及激光打孔系统 |
| JP6390961B2 (ja) | 2014-01-28 | 2018-09-19 | 株式会社リコー | 書込ヘッドユニットの組立装置および書込ヘッドユニットの組立方法 |
| DE102014201739B4 (de) | 2014-01-31 | 2021-08-12 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Laserbearbeitungsvorrichtung sowie Verfahren zum Erzeugen zweier Teilstrahlen |
| WO2015127583A1 (en) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | Schott Ag | Chemically toughened glass article with low coefficient of thermal expansion |
| EP2913137A1 (de) | 2014-02-26 | 2015-09-02 | Bystronic Laser AG | Laserbearbeitungsvorrichtung und Verfahren |
| CA2939574C (en) | 2014-03-04 | 2019-08-20 | Saint-Gobain Glass France | Method for cutting a laminated, ultrathin glass layer |
| US11204506B2 (en) | 2014-03-05 | 2021-12-21 | TeraDiode, Inc. | Polarization-adjusted and shape-adjusted beam operation for materials processing |
| US11780029B2 (en) | 2014-03-05 | 2023-10-10 | Panasonic Connect North America, division of Panasonic Corporation of North America | Material processing utilizing a laser having a variable beam shape |
| JP6318756B2 (ja) | 2014-03-24 | 2018-05-09 | 東レ株式会社 | ポリエステルフィルム |
| US20150352671A1 (en) | 2014-06-09 | 2015-12-10 | GM Global Technology Operations LLC | Laser cutting same side slug removal |
| EP3158391A4 (en) | 2014-06-17 | 2018-03-07 | Sage Electrochromics, Inc. | Controlled switching for electrochromic devices |
| US9939702B2 (en) | 2014-06-17 | 2018-04-10 | Sage Electrochromics, Inc. | Controlled switching for electrochromic devices |
| EP3158390B1 (en) | 2014-06-17 | 2023-01-18 | Sage Electrochromics, Inc. | Moisture resistant electrochromic device |
| TWI730945B (zh) | 2014-07-08 | 2021-06-21 | 美商康寧公司 | 用於雷射處理材料的方法與設備 |
| EP2965853B2 (en) | 2014-07-09 | 2020-03-25 | High Q Laser GmbH | Processing of material using elongated laser beams |
| WO2016007843A1 (en) | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Corning Incorporated | Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles |
| TWI659793B (zh) | 2014-07-14 | 2019-05-21 | 美商康寧公司 | 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法 |
| US9617180B2 (en) | 2014-07-14 | 2017-04-11 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for fabricating glass articles |
| US10611667B2 (en) | 2014-07-14 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Method and system for forming perforations |
| CN105481236A (zh) | 2014-07-14 | 2016-04-13 | 康宁股份有限公司 | 用于切割叠层结构的系统和方法 |
| CN107073641B (zh) | 2014-07-14 | 2020-11-10 | 康宁股份有限公司 | 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法 |
| DE102014213775B4 (de) | 2014-07-15 | 2018-02-15 | Innolas Solutions Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen, kristallinen Substraten, insbesondere von Halbleitersubstraten |
| US9757815B2 (en) | 2014-07-21 | 2017-09-12 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials |
| DE102014110920C5 (de) | 2014-07-31 | 2023-08-03 | Schott Ag | Geformter Glasartikel mit vorbestimmter Geometrie |
| CN104344202A (zh) | 2014-09-26 | 2015-02-11 | 张玉芬 | 一种有孔玻璃 |
| CN204211638U (zh) | 2014-09-29 | 2015-03-18 | 江西省平波电子有限公司 | 一种带有喷水管的玻璃基板切割机 |
| DE102014116958B9 (de) | 2014-11-19 | 2017-10-05 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung |
| KR102251985B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-05-17 | 트룸프 레이저-운트 시스템테크닉 게엠베하 | 비대칭 광학 빔 정형을 위한 시스템 |
| US9740063B2 (en) | 2014-11-28 | 2017-08-22 | Japan Display Inc. | Reflective type liquid crystal display device |
| US9873628B1 (en) | 2014-12-02 | 2018-01-23 | Coherent Kaiserslautern GmbH | Filamentary cutting of brittle materials using a picosecond pulsed laser |
| US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
| WO2016100954A1 (en) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Captl Llc | Flow cytometry using hydrodynamically planar flow |
| JP6005125B2 (ja) | 2014-12-22 | 2016-10-12 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短パルスレーザでの透明材料処理 |
| FR3031102B1 (fr) | 2014-12-31 | 2017-01-27 | Saint Gobain | Procede de rompage d'une forme interieure dans une feuille de verre |
| KR102546692B1 (ko) | 2015-03-24 | 2023-06-22 | 코닝 인코포레이티드 | 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 |
| JP2018516215A (ja) | 2015-03-27 | 2018-06-21 | コーニング インコーポレイテッド | 気体透過性窓、および、その製造方法 |
| KR20170006900A (ko) | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 삼성전자주식회사 | 성형장치 및 이를 이용한 성형방법 |
| DE102015111490A1 (de) | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum lasergestützten Abtrennen eines Teilstücks von einem flächigen Glaselement |
| JP6552717B2 (ja) | 2015-08-10 | 2019-07-31 | サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ | 薄型のガラス層を切断する方法 |
| CN105081564B (zh) | 2015-08-31 | 2017-03-29 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种强化玻璃内形孔的加工方法 |
| CN107922259B (zh) | 2015-09-04 | 2021-05-07 | Ａｇｃ株式会社 | 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置 |
| JP6066384B2 (ja) | 2015-10-23 | 2017-01-25 | 大日本印刷株式会社 | 投射装置および投射型映像表示装置 |
| WO2017079570A2 (en) | 2015-11-04 | 2017-05-11 | Duke University | Splise-switching oligonucleotides and methods of use |
| US11008244B2 (en) | 2015-11-25 | 2021-05-18 | Corning Incorporated | Methods of separating a glass web |
| DE102015120950B4 (de) | 2015-12-02 | 2022-03-03 | Schott Ag | Verfahren zum lasergestützten Ablösen eines Teilstücks von einem flächigen Glas- oder Glaskeramikelement, flächiges zumindest teilweise keramisiertes Glaselement oder Glaskeramikelement und Kochfläche umfassend ein flächiges Glas- oder Glaskeramikelement |
| CN205328860U (zh) | 2015-12-07 | 2016-06-22 | 临泉县强钢钢化玻璃有限公司 | 一种新型玻璃切割渣清理机构 |
| US20170197868A1 (en) | 2016-01-08 | 2017-07-13 | Apple Inc. | Laser Processing of Electronic Device Structures |
| DE102016102768A1 (de) | 2016-02-17 | 2017-08-17 | Schott Ag | Verfahren zur Kantenbearbeitung von Glaselementen und verfahrensgemäß bearbeitetes Glaselement |
| CN106007349A (zh) | 2016-06-27 | 2016-10-12 | 浙江飞越洁具制造有限公司 | 一种自动化玻璃加工装置 |
| EP3490945B1 (en) | 2016-07-29 | 2020-10-14 | Corning Incorporated | Methods for laser processing |
| US10522963B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-12-31 | Corning Incorporated | Laser cutting of materials with intensity mapping optical system |
| EP3311947B1 (en) | 2016-09-30 | 2019-11-20 | Corning Incorporated | Methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| US10730783B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-08-04 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| NL2017998B1 (en) | 2016-12-14 | 2018-06-26 | Corning Inc | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| US20180118602A1 (en) | 2016-11-01 | 2018-05-03 | Corning Incorporated | Glass sheet transfer apparatuses for laser-based machining of sheet-like glass substrates |
| US10668561B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-06-02 | Coherent, Inc. | Laser apparatus for cutting brittle material |
-
2016
- 2016-03-23 KR KR1020177030675A patent/KR102546692B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-23 HU HUE16714696A patent/HUE055461T2/hu unknown
- 2016-03-23 JP JP2017549740A patent/JP7292006B2/ja active Active
- 2016-03-23 EP EP21155842.4A patent/EP3848334A1/en active Pending
- 2016-03-23 EP EP16714696.8A patent/EP3274306B1/en active Active
- 2016-03-23 CN CN201680029955.7A patent/CN107922237B/zh active Active
- 2016-03-23 US US15/560,390 patent/US11773004B2/en active Active
- 2016-03-23 WO PCT/US2016/023738 patent/WO2016154284A1/en active Application Filing
- 2016-03-24 TW TW105109206A patent/TWI747817B/zh active
-
2021
- 2021-03-11 JP JP2021039240A patent/JP7313390B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008156200A (ja) | 2006-02-22 | 2008-07-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| JP2011037707A (ja) | 2006-02-22 | 2011-02-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| US20140199519A1 (en) | 2013-01-15 | 2014-07-17 | Corning Laser Technologies GmbH | Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates |
| JP2015030040A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド | 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行するシステム |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Farid Ahmed, el al., Display glass cutting by femtosecond laser induced single shot periodic void array. Applied Physics A, 2008, 93(1), 189-192 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3274306A1 (en) | 2018-01-31 |
| US20180057390A1 (en) | 2018-03-01 |
| JP7292006B2 (ja) | 2023-06-16 |
| KR20170131586A (ko) | 2017-11-29 |
| JP7313390B2 (ja) | 2023-07-24 |
| JP2021102552A (ja) | 2021-07-15 |
| US11773004B2 (en) | 2023-10-03 |
| WO2016154284A1 (en) | 2016-09-29 |
| EP3848334A1 (en) | 2021-07-14 |
| HUE055461T2 (hu) | 2021-11-29 |
| EP3274306B1 (en) | 2021-04-14 |
| CN107922237B (zh) | 2022-04-01 |
| TWI747817B (zh) | 2021-12-01 |
| CN107922237A (zh) | 2018-04-17 |
| JP2018519229A (ja) | 2018-07-19 |
| TW201703912A (zh) | 2017-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102546692B1 (ko) | 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공 | |
| US10611668B2 (en) | Laser cut composite glass article and method of cutting | |
| US20180179100A1 (en) | Laser cutting of display glass compositions | |
| JP6937820B2 (ja) | ３ｄ成形透明脆性基板の加工 | |
| KR102292611B1 (ko) | 사파이어 기판을 레이저로써 레이저 절단하는 방법 및 일련의 결함을 갖는 엣지가 형성된 사파이어를 포함한 물품 | |
| EP3363771B1 (en) | Method of machining and releasing closed forms from a transparent substrate using burst of ultrafast laser pulses | |
| US10597321B2 (en) | Edge chamfering methods | |
| EP3452418B1 (en) | Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |