JPWO2007119740A1 - スクライブ方法、スクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ割断基板を得るためのスクライブ線を、比較的小さい超硬工具押し付け力またはレーザエネルギーで被割断基板に形成できるようにする。【解決手段】被割断基板Kを割断する割断工程に先立ち、被割断基板Kの割断予定線Jに沿ってスクライブ線Sを形成するスクライブ方法において、まず、第1レーザ光L1を被割断基板Kの割断予定線Jに沿って相対移動させることにより被割断基板Kの内部に被割断基板Kの割断予定線Jに沿う内部変質層Nを形成し、次いで、被割断基板Kの表面に被割断基板Kの割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成する。スクライブ線Sの形成に先立ち、第1レーザ光L1により内部変質層Nを被割断基板Kの内部に予め形成しておくと、内部変質層Nを予め形成しない場合と比較して、被割断基板Kを割断可能とするのに十分な深さのスクライブ線Sを、より低いエネルギーで形成することができる。【選択図】 図10
Description
本発明は、スクライブ方法、スクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板に関する。より詳しくは、ガラス板、セラミックス板、ウエハー等の脆性材料(被割断基板)を割断するにあたり、割断工程に先立ち、脆性材料の割断予定線に沿ってスクライブ線を形成する方法、装置及びこれらを用いて割断した割断基板に関する。
スクライブ方法は、脆性材料を割断するにあたり、割断工程に先立ち、脆性材料の割断予定線に沿って連続した微小な亀裂、つまりスクライブ線を形成する方法である。スクライブ方法の代表的なものとして、ダイヤモンド刃等の超硬工具を脆性材料に対して押し付けながら割断予定線に沿って相対移動させるメカニカルスクライブ法(例えば特許文献1、2)と、脆性材料の割断予定線に沿ってレーザ光を相対移動させると共にこれに追随して冷却剤を噴射するレーザスクライブ法(例えば特許文献3、4)とがある。
特開平6−102480
特開平11−322355
再公表特許WO2003/008352
特開2003−117921
メカニカルスクライブ法では、超硬工具を脆性材料に対して押し付けながら相対移動させるため、切り屑や微細な破片などが発生するという問題がある。この押し付け力を小さくすることで、切り屑や微細な破片などの発生を少なくできるが、あまり小さくするとスクライブ線が浅くなってしまい、割断工程時に割断できなくなってしまう。そこで、小さな押し付け力でも、十分な深さのスクライブ線が形成できる方法が望まれている。
一方、レーザスクライブ法では、切り屑や微細な破片などの発生はないが、スクライブ時に用いるレーザ光は、次の理由により、できるだけ小さいエネルギーであることが望まれている。すなわち、このような基板割断技術では、生産性の良さが重要であり、そのための手段の一つとして、スクライブ線の形成速度の向上が挙げられる。例えばガラス板Kに対するレーザ光の相対速度を速くすることで、スクライブ線の形成速度の向上を実現できる。ここで、単位面積当たりに加わるレーザ光のエネルギーは、レーザ光の相対速度に反比例するため、相対速度をあまり速くすると、割断予定線が受けるレーザ光のエネルギーが小さくなり、割断工程時に完全に割断されないことがあるからである。したがって、レーザ光の相対速度を速くする場合には、それに伴ってレーザ光の出力を上げる必要がある。しかし、レーザ光の出力には限界があると共に、高出力での連続使用はレーザ発振器の寿命を縮める要因となる。
このように、メカニカルスクライブ法においては、小さい押し付け力でも十分に割断可能となるスクライブ線を形成できることが望まれ、レーザスクライブ法においては、小さいレーザエネルギーでも割断可能となるスクライブ線を形成できることが望まれている。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、割断基板を得るためのスクライブ線を、比較的小さい超硬工具押し付け力またはレーザエネルギーで被割断基板に形成することができるスクライブ方法及びスクライブ装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のスクライブ方法は、被割断基板Kを割断する割断工程に先立ち、被割断基板Kの割断予定線Jに沿ってスクライブ線Sを形成するスクライブ方法において、まず、第1レーザ光L1を被割断基板Kの割断予定線Jに沿って相対移動させることにより被割断基板Kの内部に被割断基板Kの割断予定線Jに沿う内部変質層Nを形成し、次いで、被割断基板Kの表面に被割断基板Kの割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成することを特徴とする。
また、本発明のスクライブ装置1は、被割断基板Kを割断する割断工程に先立ち、被割断基板Kの割断予定線Jに沿ってスクライブ線Sを形成するスクライブ装置1において、第1レーザ光L1を被割断基板Kの割断予定線Jに沿って相対移動させることにより被割断基板Kの内部に被割断基板Kの割断予定線Jに沿う内部変質層Nを形成する内部変質層形成手段8,4と、被割断基板Kの表面に被割断基板Kの割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成するスクライブ線形成手段6,7,4とを備えることを特徴とする。
本発明によると、まず、第1レーザ光L1により被割断基板Kの内部に割断予定線Jに沿う内部変質層Nを形成し、次いで、被割断基板Kの表面に割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成する。スクライブ線Sと内部変質層Nとは同一垂直平面内で略平行となる。このようにスクライブ線Sの形成に先立ち、第1レーザ光L1により内部変質層Nを被割断基板Kの内部に予め形成しておくと、内部変質層Nを予め形成しない場合と比較して、被割断基板Kを割断可能とするのに十分な深さのスクライブ線Sを、より低いエネルギーで形成することができる。つまり、メカニカルスクライブ法においては、割断基板を得るためのスクライブ線Sを、比較的小さい超硬工具押し付け力で被割断基板Kに形成することができる。また、レーザスクライブ法においては、割断基板を得るためのスクライブ線Sを、比較的小さいレーザエネルギーで被割断基板Kに形成することができる。
第1レーザ光L1として、被割断基板Kを透過する発振波長のレーザ光を用いることが好ましい。具体的には、発振波長が500nm〜550nm、望ましくは523〜532nm付近のグリーンレーザを用いることが好ましいが、被割断基板Kを透過する波長特性を示すレーザ光であればよい。本発明で言う「内部変質層」は、亀裂や割れなどのクラック層、周囲の材料を押し広げる力が働く層、変質層の周囲と屈折率が異なる層などを意味する。
また、被割断基板Kに対し第2レーザ光L2を被割断基板Kの割断予定線Jに沿って相対移動させることにより、被割断基板Kの割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成することで、レーザスクライブ法に適用することができる。この場合、第2レーザ光L2は被割断基板Kを透過しない発振波長のレーザ光が好ましい。また、被割断基板Kは脆性材料であることが好ましい。
被割断基板Kが透明ガラス板である場合、第1レーザ光L1を走査することにより透明ガラス板Kの内部にマーキングを行うことも可能である。マーキングとは、マーキング加工で光の屈折率の異なる領域を作ることを意味する。
被割断基板Kが可視光線に対して不透明な基板である場合でも、この基板が特定の波長に対して当該波長を透過する物質から構成されているのであれば、該波長の第1レーザ光光L1を走査することにより、被割断基板Kの内部にマーキングを行うことも可能である。
例えば、被割断基板がシリコンウェハーである場合、近赤外線の波長を持つ第1レーザ光L1を走査することにより、被割断基板Kの内部にマーキングを行うことも可能である
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内部にマーキングが施された基板は、割断後のトレーサビリティを実施することが可能となる。
なお、本発明で言う「透明」は、無色透明及び有色透明のどちらも含み、特定の波長を吸収しないことを意味する。
つまり、基板が可視光線に対して不透明であっても、特定の波長に対して当該波長を透過する物質から構成されているのであれば、透明とみなす。
また、透過には、完全透過だけでなく一部透過も含み、透過量の多い少ないに関わらず特定の波長が一部吸収される場合も含めて、透過とみなす。
マーキングの識別手段は、人が目視で確認することだけでなく、カメラなどの光学的認識手段を含み、可視領域だけでなく紫外・赤外などの非可視領域の認識手段も含む。
本発明によると、割断基板を得るためのスクライブ線を、比較的小さい超硬工具押し付け力またはレーザエネルギーで被割断基板に形成することができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態を、添付図面を参照しながら説明する。
図1は本発明に係るレーザスクライブ装置の概略を示す正面図、図2は図1のI−I線矢示図、図3は本発明に係るレーザスクライブ装置の構成要部を示す斜視図、図4は第1レーザ光ユニットの光学系を示す図、図5は第2レーザ光ユニットの光学系を示す図である。各図において、レーザスクライブ装置の据え付け面を基準とした固定座標系を直交X,Y軸で表し、テーブルを基準とした移動座標系を直交x,y軸で表す。またx,y軸に直交するz軸の軸回り方向をθで表す。
図1,2,3に示すように、本発明に係るレーザスクライブ装置1は、基台2、テーブル3、テーブル駆動装置4、基板位置決め装置5、初期亀裂形成機構10、第1レーザ光ユニット8、第2レーザ光ユニット6、冷却ユニット7及び制御装置9などを備える。
基台2は、レーザスクライブ装置1の各構成要素を取り付けるための基本となるフレーム体であり、床面等の据え付け面Gに固設される。
テーブル3は、平面視が方形を呈する載置面31を備える。載置面31は、十分な平面度を有するように加工されると共に、置かれたガラス板Kを真空吸着するための多数の吸着穴を備える。なお、対象となるガラス板Kは透明ガラスであるものとする。載置面31における四辺のうち互いに隣り合う二辺に沿った部分には、それぞれ長尺状の規制部材321x,321yが取り付けられる。二本の規制部材321x,321yは、載置面31に対するレーザ光L1,L2の相対移動方向Yに対し選択的に直交可能となるように、平面視が互いに直交するように取り付けられる。
テーブル駆動装置4は、テーブル3の下方に取り付けられ、x方向駆動部41とy方向駆動部42とθ方向駆動部43とを備える。x方向駆動部41は、テーブル3をx方向に直線駆動可能なリニアモータまたはボールねじ式直動機構などにより実現される。y方向駆動部42は、テーブル3をy方向に直線駆動可能なリニアモータまたはボールねじ式直動機構などにより実現される。θ方向駆動部43は、テーブル3をθ方向に回転駆動可能なサーボモータ式回転機構などにより実現される。
基板位置決め装置5は、載置面31の四つの頂点のうち規制部材321x,321yを含まない頂点側に配設される。そして、ガラス板Kの2辺c,dにそれぞれ押し当て可能な押し当て部材51と、押し当て部材51を対角線方向D1に駆動するエアシリンダ52とを備える。
初期亀裂形成機構10は、上下駆動可能とされた回転刃11を備え、テーブル3に載置保持されたガラス板Kにおける割断予定線Jの始端JSに極微少な初期亀裂Cを形成可能に構成される。
第1レーザ光ユニット8は、テーブル3の上方において基台2に懸架支持され、図4に示すように、レーザ発振器81と照射光学系82とを備える。レーザ発振器81として、使用時の発振波長が523〜532nmのグリーンレーザを用いることができる。また、使用時の発振波長が780nm付近のフェムト秒レーザを用いてもよい。他に、発振波長が351〜355nm付近の紫外レーザ、発振波長が1047〜1064nm付近の赤外レーザなども使用できる。赤外レーザとして例示できるのは、YLFレーザやYAGレーザやYVO4レーザやYbレーザなどである。グリーンレーザには赤外レーザの第2高調波成分を使用するものが例示できる。紫外レーザとしては、赤外レーザの第3高調波成分を使用するものが例示できる。
上記レーザ以外のガス励起レーザなども使用可能であり、被割断基板が表示器などに用いられるガラスである場合、概ね340nm〜2700nmの波長に対して透過率が80%以上であるから透過もしくは部分透過とみなせ、本発明の第1レーザ光L1として使用可能である。被割断基板がガラス以外の場合、その材料に対して透過もしくは部分透過する波長のレーザ光を適宜選定することが可能である。レーザ光の発振形態としては、連続発振可能なCWレーザ、断続的に発振可能なパルスレーザが例示できる。パルスレーザとしてミリ秒、ナノ秒、ピコ秒、フェムト秒など発振時間で表現可能であるが、内部変質層Nを形成するためであればどの様なものを使用してもよい。また、瞬時的に大きなエネルギーを照射可能なQスイッチ方式も使用できる。
照射光学系82は、シャッター86、偏向ミラー83a,83b、一対のガルバノミラー84a,84b及びfθレンズ85を備える。シャッター86は、レーザ発振器81の光軸上に制御信号により開閉自在に配設される。偏向ミラー83aは、レーザ発振器81から出射したレーザ光L1の光軸上にその反射面を偏角させて配設される。偏向ミラー83bは、その反射面を偏向ミラー83aの反射面に対向させて偏向ミラー83aの垂直下方に配設される。一対のガルバノミラー84a,84bは、それぞれ駆動モータの駆動軸に取り付けられ駆動軸の回動に伴って各反射面の角度を可変に構成され、偏向ミラー83bで反射したレーザ光L1をfθレンズ85に導くように配置される。fθレンズ85は、ガルバノミラー84bで反射したレーザ光L1を、載置面31に置いたガラス板Kの内部に結像可能に配設される。
第2レーザ光ユニット6は、レーザ光L1に追随するように、ガラス板Kに対するレーザ光L1の相対移動時の進行方向Y2を基準にfθレンズ85の後方位置で基台2に懸架支持される。そして、図5に示すように、レーザ発振器61と照射光学系62とを備える。レーザ発振器61として、使用時の発振波長が8μm〜12μmの炭酸ガスレーザが例示できる。被割断基板が表示器などに用いられるガラスである場合、概ね3μm以上の波長の光に対して吸収特性を示し、8μm〜12μmの波長のレーザ光は主として材料表面で吸収される。被割断基板がガラス以外の場合、その材料に対して吸収する波長のレーザ光を適宜選定することが可能である。
照射光学系62は、シャッター65、偏向ミラー63a,63b,63c、集光レンズ64a及びエキスパンドレンズ64bを備える。シャッター65は、レーザ発振器61の光軸上に制御信号により開閉自在に配設される。偏向ミラー63aは、レーザ発振器61から出射したレーザ光L2の光軸上にその反射面を偏角させて配設される。偏向ミラー63bは、その反射面を偏向ミラー63aの反射面に対向させて偏向ミラー63aの垂直下方に配設される。偏向ミラー63cは、その反射面を偏向ミラー63bの反射面に対向させて偏向ミラー63bの水平方向に配設される。集光レンズ64aは、偏向ミラー63cで反射したレーザ光L2を集光するように配設される。エキスパンドレンズ64bは、集光レンズ64aから出たレーザ光L2を、載置面31に置いたガラス板K上に適宜成形して照射可能に配設される。
図1に戻って、冷却装置7は、冷却剤噴射管71と開閉バルブ72と冷却剤貯蔵部73とを備える。冷却剤噴射管71は、レーザ光L2に追随するように、ガラス板Kに対するレーザ光L2の相対移動時の進行方向Y2を基準にエキスパンドレンズ64bの後方部に設けられる。開閉バルブ72は、冷却剤噴射管71と冷却剤貯蔵部73との間に設けられ、制御信号により開閉自在に構成される。冷却剤貯蔵部73は、純水、液体窒素、または液体ヘリウム等の冷却剤(ミスト)Mを貯蔵するタンクである。
制御装置9は、レーザスクライブ装置1におけるレーザスクライブ動作の開始命令等の諸命令や諸条件を入力するための入力部を備える。そして、入力された命令または条件に応じてテーブル駆動装置4、基板位置決め装置5、初期亀裂形成機構10、第1レーザ光ユニット8、第2レーザ光ユニット6及び冷却ユニット7等の各機器を所定のシーケンスにより制御することでレーザスクライブ装置1を機能動作させる。
次に、以上のように構成されたレーザスクライブ装置1の動作について説明する。図6はガラス板の割断予定線を示す図、図7は本発明に係るレーザスクライブ装置によるレーザスクライブ動作の流れを示すフローチャート、図8は本発明に係るレーザスクライブ法の要部を説明するための図、図9は内部変質層、スクライブ線及びガラス内マーキングを形成したガラス板の平面図である。
図6に示すように、ガラス板Kには、互いに平行な2本の割断予定線J1,J2、及びこれらの割断予定線J1,J2に直行する1本の割断予定線J3があるものとして説明する。また、初期状態におけるテーブル3のx軸、y軸は、それぞれ据え付け面のX軸、Y軸に一致しており、レーザ発振器61,81は共にオン、シャッター65,86は共に閉じているものとして説明する。
まず、作業者はガラス板Kを手で持ってきて、その割断予定線J1がy軸に沿うように載置面31に置く。なお、ガラス板Kを載置面31上に置く操作をロボットに行わせるようにしてもよい(ステップ100)。続いて、作業者はこのガラス板Kに対するレーザスクライブ動作の開始命令を、制御装置9の入力部から入力する(ステップ110)。これにより基板位置決め装置5はエアシリンダ52を伸延させ、押当て部材51をガラス板Kの辺c,dに押し当ててガラス板Kを対角線方向D1に押し込む。その結果、ガラス板Kは対角線方向D1に移動し、辺a,bがそれぞれ規制板321x,321yに当接したところで停止し位置決めがなされる。ガラス板Kが位置決めされると、載置面31の吸着穴に真空圧が作用し、ガラス板Kを載置面31上に吸着保持する(ステップ120)。
続いて、x方向駆動部41及びy方向駆動部42は、テーブル3を駆動して割断予定線J1のスクライブ開始位置に移動させる。スクライブ開始位置とは、ガラス板Kの割断予
定線J1の始端JSが回転刃11の下方手前に来る位置である(ステップ130)。この状態で初期亀裂形成機構10は回転刃31を降下させて、その刃先が基板Kの表面よりも低くなる位置に配置する。続いて、y方向駆動部42は、テーブル3をy1(Y1)方向に所定の速度で駆動する(ステップ135)。
定線J1の始端JSが回転刃11の下方手前に来る位置である(ステップ130)。この状態で初期亀裂形成機構10は回転刃31を降下させて、その刃先が基板Kの表面よりも低くなる位置に配置する。続いて、y方向駆動部42は、テーブル3をy1(Y1)方向に所定の速度で駆動する(ステップ135)。
テーブル3がy1方向に走行することにより、回転刃11が基板Kにおける割断予定線Jの始端JSに衝突する。その直後に初期亀裂形成機構10は回転刃11を上昇させる。これにより、割断予定線Jの始端JSに所定深さ及び長さの極微少な初期亀裂Cが形成される。なお、初期亀裂Cの形成は、回転刃11でなくレーザ光により行うことも可能である。
続いて、シャッター86が開き、レーザ発振器81から出射したレーザ光L1は、偏向ミラー83a,83bの順にそれらの各反射面で反射して進行方向を90度ずつ変えて進み、ガルバノミラー84a,84bで反射して、fθレンズ85へ導かれる。このとき、ガルバノミラー84a,84bはそれぞれの駆動モータにより回動することなく所定位置で停止状態とされる(ステップ140)。
ガラス板Kに対するレーザ光L1の相対的な移動により、レーザ光L1は、ガラス板Kの内部に始端NSを起点として、割断予定線J1に沿ってY方向に連続した変質層からなる内部変質層Nを形成していく。
シャッター86に続いてシャッター65が開き、レーザ発振器61から出射したレーザ光L2は、偏向ミラー63a,63b,63cの順にそれらの各反射面で反射して進行方向を90度ずつ変えて進む。偏向ミラー63cで反射したレーザ光L2は、集光レンズ64aを介してエキスパンドレンズ64bに導かれる。レーザ光L2はエキスパンドレンズ64bにより、ガラス板K上に適宜成形されて照射される(ステップ145)。
シャッター65の開動作に続いて開閉バルブ72が開き、冷却剤噴射管71は、冷却剤貯蔵部73から導かれた冷却剤Mを噴出する(ステップ150)。ガラス板Kに対するレーザ光L2及び冷却剤Mの相対的な移動により、始端JSを起点として、レーザ光L2は割断予定線Jを急激に加熱し局所的に熱膨張させて圧縮応力を生じさせ、冷却剤Mはその直後に加熱部分を急激に冷却することで局所的に収縮させて引張応力を生じさせる。これにより、初期亀裂Cを亀裂進展の開始点として、ガラス板Kの表面に、ガラス板Kの割断予定線Jに沿う微小クラックを連続成長させてスクライブ線Sを形成していく。
ステップ135からステップ150の動作を、図8を参照して具体的に説明する。まず、レーザ光L1によりガラス板Kの内部に割断予定線Jに沿う内部変質層Nを形成し、次いで、レーザ光L2によりガラス板Kの表面に割断予定線Jに沿うスクライブ線Sを形成する。スクライブ線Sと内部変質層Nとは同一垂直平面内で略平行となる。このようにレーザ光L2によるスクライブ線Sの形成に先立ち、レーザ光L1により内部変質層Nをガラス板Kの内部に予め形成しておくと、レーザ光L2は、内部変質層Nを予め形成しない場合と比較して、ガラス板Kを割断可能とするのに十分な深さのスクライブ線Sを、より低いエネルギーで形成することができる。その裏付けとなる実施例については後述する。
ガラス板Kが終端JEに到達して内部変質層N及びスクライブ線Sの形成が終ると(ステップ160でイエス)、シャッター86、シャッター65及び開閉バルブ72が閉じ、レーザ光L1の照射、レーザ光L2の照射及び冷却剤Mの噴出が停止する(ステップ170)。そして、y方向駆動部42は、テーブル3をy2(Y2)方向に駆動し元の位置に戻す(ステップ180)。
続いて、x方向駆動部41は、テーブル3をX1方向に駆動することで(ステップ210)、割断予定線J2のスクライブ開始位置に移動させ、その後、割断予定線J1に沿う内部変質層N及びスクライブ線Sの形成時と同様な要領で、割断予定線J2に沿う内部変質層及びスクライブ線を形成する(ステップ130〜ステップ180)。
割断予定線J2に沿う内部変質層及びスクライブ線の形成が終ると、θ方向駆動部43は、テーブル3をθ方向に90度回転駆動する(ステップ220)。その後、割断予定線J1,J2に沿う内部変質層及びスクライブ線の形成時と同様な要領で、割断予定線J3に沿う内部変質層及びスクライブ線を形成する(ステップ130〜ステップ180)。なお、割断予定線J3に沿う内部変質層及びスクライブ線の形成時は、割断予定線J1,J2に沿う内部変質層及びスクライブ線の形成時とは異なり、ステップ135においてx方向駆動部41がテーブル3を駆動してY1方向に移動させる。
続いて、内部変質層N及びスクライブ線Sを形成したガラス板Kに対し、内部マーキング処理を行う(ステップ230)。内部マーキング処理は次のようにして行う。まず、テーブル駆動装置4は、ガラス板Kにおけるマーキング予定位置が第1レーザユニット8におけるfθレンズ85の下方に来るようにテーブル3を移動させる。続いて、シャッター86を開くと共に、マーキングすべき文字20に応じた動作でガルバノミラー84a,84bを駆動しレーザ光L1を走査することでガラス板Kの内部に文字20をマーキングする。なお、内部マーキング処理を内部変質層N及びスクライブ線Sの形成前に行うようにしてもよい。
内部マーキング処理が不要な装置の場合は、偏向ミラー83bやガルバノミラー84a,84bを省略でき、偏向ミラー83aで反射したレーザ光を直接fθレンズ85に入射させることも可能(図示せず)である。この場合、偏向ミラー83bの位置を適宜配置し直すことは言うまでもない。
以上のようにして内部変質層N、スクライブ線S及びガラス内マーキング20を形成したガラス板K(図9参照)に対し、手または専用の加圧器を用いて機械的な応力、例えばスクライブ線Sの回りの曲げモーメントを加えて割断予定線Jを境に割断する。
以下、本発明を実施例及び比較例により更に説明する。図10は本発明の実施例を説明するための図であり、図10(A)はレーザ光L1を用いないでレーザ光L2のみでスクライブ線Sを形成している状態を示し、図10(B),10(C)はレーザ光L1及びレーザ光L2を用いてスクライブ線Sを形成している状態を示す。
〔実施例1〕
上述の実施の形態で記述したレーザスクライブ装置1を用い、レーザ発振器81の出力は一定とし、レーザ発振器61の出力を3段階に変えて、内部変質層N及びスクライブ線Sを形成し、それぞれの出力に対するスクライブ線Sの深さを測定した。測定条件を以下に示し、測定結果を表1に示す。
上述の実施の形態で記述したレーザスクライブ装置1を用い、レーザ発振器81の出力は一定とし、レーザ発振器61の出力を3段階に変えて、内部変質層N及びスクライブ線Sを形成し、それぞれの出力に対するスクライブ線Sの深さを測定した。測定条件を以下に示し、測定結果を表1に示す。
測定条件:
(1)ガラス板K
製品名:コーニング株式会社製1737 板厚:0.7mm 材質;無アルカリガラス
形態:素ガラス
(2)内部変質層形成用のレーザ発振器81
発振波長:527nm 設定エネルギー:0.5mJ/パルス
(3)スクライブ線形成用のレーザ発振器61
発振波長:10.6μm
(4)テーブル3の走行速度:400mm/s
(1)ガラス板K
製品名:コーニング株式会社製1737 板厚:0.7mm 材質;無アルカリガラス
形態:素ガラス
(2)内部変質層形成用のレーザ発振器81
発振波長:527nm 設定エネルギー:0.5mJ/パルス
(3)スクライブ線形成用のレーザ発振器61
発振波長:10.6μm
(4)テーブル3の走行速度:400mm/s
〔比較例1〕
上述の実施の形態で記述したレーザスクライブ装置1を用いて、レーザ光L1を照射しないことにより内部変質層Nは形成せずに、スクライブ線Sのみを形成し、その深さを測定した。測定結果を表2に示す。
上述の実施の形態で記述したレーザスクライブ装置1を用いて、レーザ光L1を照射しないことにより内部変質層Nは形成せずに、スクライブ線Sのみを形成し、その深さを測定した。測定結果を表2に示す。
〔考察〕
内部変質層Nを形成したモード1と、内部変質層Nを形成しなかったモード4とを比較すると、スクライブ線Sを形成するためのレーザ発振器61の出力は同じであるが、モード1の方がモード4よりも深いスクライブ線Sを形成することができた。このことは言い方を変えれば、レーザ光L1により内部変質層Nを予め形成することにより、レーザ光L2はより低いエネルギーで、割断に必要なスクライブ線Sを形成することができる、ということになる。
内部変質層Nを形成したモード1と、内部変質層Nを形成しなかったモード4とを比較すると、スクライブ線Sを形成するためのレーザ発振器61の出力は同じであるが、モード1の方がモード4よりも深いスクライブ線Sを形成することができた。このことは言い方を変えれば、レーザ光L1により内部変質層Nを予め形成することにより、レーザ光L2はより低いエネルギーで、割断に必要なスクライブ線Sを形成することができる、ということになる。
以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこの実施の形態に限定されるものではない。例示した機構や部材については適宜省略や追加が可能である。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。
1 レーザスクライブ装置(スクライブ装置)
4 テーブル駆動装置(スクライブ線形成手段、内部変質層形成手段)
6 第2レーザ光ユニット(スクライブ線形成手段)
7 冷却ユニット(スクライブ線形成手段)
8 第1レーザ光ユニット(内部変質層形成手段)
84 ガルバノミラー(第1レーザ光走査手段)
J 割断予定線
K ガラス板(被割断基板)
L1 レーザ光(第1レーザ光)
L2 レーザ光(第2レーザ光)
N 内部変質層
S スクライブ線
4 テーブル駆動装置(スクライブ線形成手段、内部変質層形成手段)
6 第2レーザ光ユニット(スクライブ線形成手段)
7 冷却ユニット(スクライブ線形成手段)
8 第1レーザ光ユニット(内部変質層形成手段)
84 ガルバノミラー(第1レーザ光走査手段)
J 割断予定線
K ガラス板(被割断基板)
L1 レーザ光(第1レーザ光)
L2 レーザ光(第2レーザ光)
N 内部変質層
S スクライブ線
Claims (18)
- 被割断基板を割断する割断工程に先立ち、被割断基板の割断予定線に沿ってスクライブ線を形成するスクライブ方法において、まず、第1レーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対移動させることにより被割断基板の内部に被割断基板の割断予定線に沿う内部変質層を形成し、次いで、被割断基板の表面に被割断基板の割断予定線に沿うスクライブ線を形成することを特徴とするスクライブ方法。
- 被割断基板に対し第2レーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対移動させることにより、被割断基板の割断予定線に沿うスクライブ線を形成する請求項1に記載のスクライブ方法。
- 第1レーザ光として、被割断基板を透過する発振波長のレーザ光を用いる請求項1または請求項2に記載のスクライブ方法。
- 第2レーザ光として、被割断基板を透過しない発振波長のレーザ光を用いる請求項2または請求項3に記載のスクライブ方法。
- 第2レーザ光の照射出力が、第1レーザ光を使用しない場合の照射出力よりも小さい請求項2から請求項4のいずれかに記載のスクライブ方法。
- 被割断基板が脆性材料である請求項1から請求項5のいずれかに記載のスクライブ方法。
- 被割断基板が透明ガラス板である請求項1から請求項6のいずれかに記載のスクライブ方法。
- 第1レーザ光を走査することにより被割断基板の内部にマーキングを行う請求項1から請求項7のいずれかに記載のスクライブ方法。
- 被割断基板を割断する割断工程に先立ち、被割断基板の割断予定線に沿ってスクライブ線を形成するスクライブ装置において、第1レーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対移動させることにより被割断基板の内部に被割断基板の割断予定線に沿う内部変質層を形成する内部変質層形成手段と、被割断基板の表面に被割断基板の割断予定線に沿うスクライブ線を形成するスクライブ線形成手段とを備えることを特徴とするスクライブ装置。
- スクライブ線形成手段は、被割断基板に対し第2レーザ光を被割断基板の割断予定線に沿って相対移動させることにより、被割断基板の割断予定線に沿うスクライブ線を形成する構成とした請求項9に記載のスクライブ装置。
- 第1レーザ光として、被割断基板を透過する発振波長のレーザ光を用いる請求項9または請求項10に記載のスクライブ装置。
- 第2レーザ光として、被割断基板を透過しない発振波長のレーザ光を用いる請求項10または請求項11に記載のスクライブ方法。
- 第2レーザ光の照射出力が、第1レーザ光を使用しない場合の照射出力よりも小さい請求項10から請求項12のいずれかに記載のスクライブ装置。
- 被割断基板が脆性材料である請求項9から請求項13のいずれかに記載のスクライブ装置。
- 被割断基板が透明ガラス板である請求項9から請求項14のいずれかに記載のスクライブ装置。
- 内部変質層形成手段は、第1レーザ光を走査することにより被割断基板の内部にマーキングを行う第1レーザ光走査手段を備える請求項9から請求項15のいずれかに記載のスクライブ装置。
- 請求項1から請求項8のいずれかに記載のスクライブ方法を用いてスクライブした被割断基板Kを割断して得られた割断基板。
- 請求項9から請求項16のいずれかに記載のスクライブ装置を用いてスクライブした被割断基板Kを割断して得られた割断基板。
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