JP5560096B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態によるレーザ加工装置を図1に示す。このレーザ加工装置は、レーザ発振器1と、ミラー機構2と、レンズ機構3と、XYステージ4と、を備えている。レーザ発振器1、ミラー機構2、及びレンズ機構3によりレーザ照射機構が構成され、またXYステージにより移動機構が構成されている。
ここでは、予備加工工程及びそれに続くスクライブ工程によって、ガラス基板5のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成される。スクライブ工程では、パルスレーザ光によってアブレーション加工が行われる。
本発明では、パルスレーザ光の焦点位置を、従来のように基板上面近傍ではなく下方に移動させ、パルスレーザ光の基板上面でのビーム直径(集光径)が所定の値になるようにしている。図3は、本発明の一実施形態によるレーザ加工装置の焦点位置を示す模式図である。
ガラス基板5にスクライブ溝6を形成する場合は、まず、パルスレーザ光を集光してガラス基板5に照射し、このパルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査する(予備加工工程)。なお、走査回数は1回である。この予備加工工程では、レーザ光の加工条件を調整し、スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずに溶融のみが生じるようにする。
レーザ照射条件
レーザ強度 :6.42×107 W/cm2
オーバーラップ率:99.27%
走査回数 :1回
なお、「オーバーラップ率」とは、隣接する2つのパルスレーザ光が重なり合う割合であり、走査速度と繰り返し周波数によって決まるものである。
レーザ照射条件
レーザ強度 :3.29×109 W/cm2
オーバーラップ率:94.75%
走査回数 :1回
以上の加工条件で、加工した場合のガラス基板5の上面の様子を図4(b)に示している。ここでは、基板上面のスクライブ予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成されていることがわかる。
図5に従来の加工方法によるスクライブ溝深さと、本実施形態の加工方法によるスクライブ溝深さと、を示している。なお、図5は、スクライブ工程の後に、スクライブ溝の両側を押圧して分断した後の、分断面を示したものである。
図6に、従来の加工方法(通常のアブレーション加工)による場合と、本実施形態の加工方法(溶融後アブレーション加工)を用いた場合の端面強度のデータを示している。この図6から、従来のアブレーションによる加工方法では、端面強度が低く、かつ欠陥率が高いのに比較して、本実施形態の加工方法では、高い端面強度が維持され、かつ欠陥率が低くなっていることがわかる。
図7に、従来のアブレーション加工により、2回走査してスクライブ溝を形成し、分断した場合の比較例を示している。図7(a)は基板正面の様子を示し、同図(b)は分断面を示している。これらの図から、従来の加工方法では、基板上面に欠陥が生じ、また分断面にクラックが生じていることがわかる。このため、図6に示すように、従来の加工方法では、端面強度が低くなる。
以上のように、本実施形態の加工方法によれば、予備加工工程によってガラス基板5をアブレーションせずに溶融させ、その後スクライブ工程によってスクライブ溝を形成するので、端面強度の低下を抑えて、より深いスクライブ溝を形成することができる。
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
5 ガラス基板
6 スクライブ溝
Claims (3)
- ガラス基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、
レーザ光をガラス基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、前記スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずにガラス基板のレーザ光照射側の表面に溶融のみを生じさせる予備加工工程と、
パルスレーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って照射し、前記スクライブ予定ラインに沿ってアブレーション加工を行うと同時に加工部を溶融させてスクライブ溝を形成するスクライブ工程と、
を含む、
レーザ加工方法。 - 前記予備加工工程において、
レーザ光の強度は、7×107W/cm2以下で、かつ前記スクライブ予定ラインを溶融させる強度であり、
前記レーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である、
請求項1に記載のレーザ加工方法。 - 前記スクライブ工程において、
前記パルスレーザ光のレーザ強度は1.0×108以上1.0×1010W/cm2以下であり、
前記パルスレーザ光を前記スクライブ予定ラインに沿って走査する回数は1回である、
請求項1又は2に記載のレーザ加工方法。
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