JP2011240644A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011240644A JP2011240644A JP2010115934A JP2010115934A JP2011240644A JP 2011240644 A JP2011240644 A JP 2011240644A JP 2010115934 A JP2010115934 A JP 2010115934A JP 2010115934 A JP2010115934 A JP 2010115934A JP 2011240644 A JP2011240644 A JP 2011240644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scribe line
- brittle material
- material substrate
- substrate
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】サファイア基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第1主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第1主面とは逆側の第2主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。
【選択図】図5
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第1主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第1主面とは逆側の第2主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。
【選択図】図5
Description
本発明は、レーザ加工方法、特に、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法に関する。
発光ダイオード等の発光素子は、サファイア基板上に窒化物半導体を積層することによって形成されている。このようなサファイア基板等から構成される半導体ウェハには、複数の発光ダイオード等の発光素子が、スクライブ予定ラインにより区画されて形成されている。そして、このような半導体ウェハをスクライブ予定ラインに沿って分断する方法の1つとして、レーザ加工が用いられている。
特許文献1に、サファイア基板等の脆性材料基板を分断するレーザ加工方法が示されている。この特許文献1に示された方法は、サファイア基板のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射して加熱溶融を進行させ、これによりスクライブ溝が形成される。その後、サファイア基板を折り曲げることによりスクライブ溝に沿って分断され、複数の素子が得られる。
特許文献2には、別のレーザ加工方法が示されている。この特許文献2に示された方法は、基板の内部にレーザ光の集光点を合わせ、集光点をスクライブ予定ラインに沿って走査し、基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成して分断するものである。
特許文献3には、さらに別のレーザ加工方法が示されている。ここでは、半導体ウェハに対して、透過性を有するレーザ光がウェハ表面からスクライブ予定ラインに沿って照射され、これにより、ウェハ内部に、ウェハ裏面に露出する変質層が形成される。その後、変質層が露出したウェハに対して、その変質層が露出した側からレーザ光が照射される。これにより、スクライブ予定ラインに沿って熱応力が生じ、ウェハはスクライブ予定ラインに沿って分断される。
特許文献1に示されたレーザ加工方法では、レーザ光を基板に照射することによって、基板表面にスクライブ溝が形成される。このため、スクライブ溝が形成された後は抗折強度が低くなり、後工程で分断するための力が小さくて良いという利点がある。しかし、分断面に傷が生じやすく、端面強度が低くなるという問題がある。このような問題は特許文献3においても同様である。
また、特許文献2に示されたレーザ加工方法では、基板内部に改質領域が形成されるが、基板表面にスクライブ溝が形成されない。このため、後の分断工程において大きな力が必要になる。
本発明の課題は、サファイア基板等の脆性材料基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断できるようにすることにある。
第1発明に係るレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第1主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第1主面とは逆側の第2主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。
この方法では、脆性材料基板の第1主面にスクライブラインが形成される。次に、脆性材料基板の逆側の第2主面からパルスレーザ光が照射される。このパルスレーザ光の照射により、パルス周期ごとにスクライブラインが加熱及び冷却される。その結果、パルスピーク付近において、スクライブラインが形成された部分に瞬間的な熱応力が生じ、脆性材料基板はスクライブラインに沿って分断される。
ここでは、パルスレーザ光の照射によってスクライブラインに熱応力を生じさせ、これにより脆性材料基板が分断される。このため、分断面に傷が生じにくく、端面強度が低くなるのを抑えることができる。
第2発明に係るレーザ加工方法は、第1発明のレーザ加工方法において、スクライブライン形成工程は、脆性材料基板に、第2主面から脆性材料基板の厚みに対して39%以上58%以下の範囲に亀裂先端が存在するスクライブ溝を形成する。
ここでは、スクライブライン形成工程において、亀裂の先端が、パルスレーザ光が照射される面から脆性材料基板の厚みに対して39%以上58%以下の範囲に存在するように形成される。このため、分断工程において、容易に、かつ傷を抑えつつ分断することができる。なお、亀裂の先端とレーザ光照射面との距離が前述の範囲外の場合は、スクライブラインとは異なる部分から分断される場合が多い。
第3発明に係るレーザ加工方法は、第1又は第2発明において、スクライブライン形成工程は、改質層形成工程と、レーザ光走査工程と、を含む。改質層形成工程は、パルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する。レーザ光走査工程はパルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査する。そして、脆性材料基板の厚みtに対して、厚みtの15%以上55%以下の長さで改質層から脆性材料基板の第1主面に向かって亀裂を進展させる。
ここでは、脆性材料基板の表面は溶融されない。また、比較的透過率の高いパルスレーザ光が、その集光点が基板内部に位置するように照射され、基板内部に改質層が形成される。このとき、改質層形成と同時に、第1主面まで貫通する亀裂と第2主面に向かって延びる亀裂が形成される。その結果、脆性材料基板の厚みtに対して、厚みtの15%以上55%以下の長さの亀裂が形成される。このため、スクライブラインの形成に際して溶融物が他の領域に飛散することがない。また、後工程である分断工程において、分断が容易になる。
第4発明に係るレーザ加工方法は、第1から第3発明のいずれかにおいて、脆性材料基板はサファイア基板である。
サファイアは熱伝導率が比較的大きい。このため、分断工程においてパルスレーザ光を照射すると、パルス周期ごとに基板は加熱及び冷却され、パルスピーク付近で瞬間的な熱応力が生じる。この熱応力によってスムーズに分断されることになる。
以上のような本発明では、サファイア基板等の脆性材料基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断することができる。
図1は、本発明の一実施形態による加工方法が適用される半導体ウェハの一例である。この図1に示す半導体ウェハ1は、サファイア基板2上に窒化物半導体が積層され、複数の発光ダイオード等の発光素子3がスクライブ予定ライン4によって区画されて形成されたものである。
[レーザ加工装置]
図2は、本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置5の概略構成を示したものである。レーザ加工装置5は、レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット6と、レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系7と、伝送光学系7からのレーザ光をウェハ1の内部において集光させるための集光レンズ8と、を有している。なお、ウェハ1はテーブル9に載置されており、レーザ光とウェハ1が載置されるテーブル9とは、相対的に上下方向に移動が可能であるとともに、水平面内で相対移動が可能となっている。
図2は、本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置5の概略構成を示したものである。レーザ加工装置5は、レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット6と、レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系7と、伝送光学系7からのレーザ光をウェハ1の内部において集光させるための集光レンズ8と、を有している。なお、ウェハ1はテーブル9に載置されており、レーザ光とウェハ1が載置されるテーブル9とは、相対的に上下方向に移動が可能であるとともに、水平面内で相対移動が可能となっている。
[レーザ加工方法]
以上のようなレーザ加工装置5を用いたレーザ加工方法は以下の通りである。
以上のようなレーザ加工装置5を用いたレーザ加工方法は以下の通りである。
まず、スクライブライン形成工程では、レーザ光線発振ユニット6において、レーザ光の出力パワー等の加工条件を多光子吸収が生じる条件に制御し、ウェハ1のサファイア基板の内部に集光点Pを合わせる(図3参照)。そして、このパルスレーザ光をウェハ1の第2主面1b側から照射して、サファイア基板内部に改質領域10を形成する。
その後、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って相対的に移動させることにより、集光点Pをスクライブ予定ラインに沿って走査する。これにより、顕微鏡写真を図式化した図4に示すように、改質領域10がスクライブ予定ラインに沿って移動し、サファイア基板の内部のみに改質された領域からなる改質層12が形成される。このとき、ウェハ1の表面(第2主面1b)ではパルスレーザ光はほとんど吸収されないので、ウェハ1の表面が溶融することはない。また、レーザ加工条件を制御することによって、図4に示すように、改質層12から、ウェハ1の第1主面1aまで貫通する亀裂と、ウェハ1の第2主面1bに向かって延びる亀裂が形成される。すなわち、改質層12のウェハ表面側に、改質層12から亀裂が延びた亀裂進展層13が形成される。この亀裂は、改質層12の上下に熱応力が作用することによって生じるものである。
次に、分断工程では、改質層12及び亀裂進展層13が形成された領域(スクライブライン)に対して、ウェハ1の第2主面1b側からパルスレーザ光を照射し、スクライブラインに沿って走査する。このとき、パルス周期ごとの加熱及び冷却により、改質層12及び亀裂進展層13が形成された領域に熱応力が生じる。この熱応力によって、ウェハ1は改質層12及び亀裂進展層13の部分で分断される。
[実施例]
<スクライブラインの形成>
スクライブライン形成工程における実験条件は以下の通りである。なお、ここでは、半導体ウェハ1としてサファイア基板を分断対象としている。
<スクライブラインの形成>
スクライブライン形成工程における実験条件は以下の通りである。なお、ここでは、半導体ウェハ1としてサファイア基板を分断対象としている。
基板:サファイア 厚みt=330μm
走査回数:1回
パルスレーザ繰り返し周波数:5MHz
集光位置:基板内部170μm
以上のような条件のもとに、レーザ出力及び走査速度を種々変化させた場合の亀裂進展の有無及びその長さを図5に示している。図5において、「○」は亀裂進展が観察されたことを示している。また、「○」の欄に並べて記載している数値が亀裂進展の長さである。この結果から、以上の実験では、基板厚みtに対して、この厚みtの15%以上55%以下の長さの亀裂進展が観察されたことがわかる。なお、「15%」の値は「54.6μm(17%)」から、「55%」の値は「179.4μm(54%)」から導き出したものである。なお、「亀裂進展の長さ」とは、亀裂の最大長さをいう。
走査回数:1回
パルスレーザ繰り返し周波数:5MHz
集光位置:基板内部170μm
以上のような条件のもとに、レーザ出力及び走査速度を種々変化させた場合の亀裂進展の有無及びその長さを図5に示している。図5において、「○」は亀裂進展が観察されたことを示している。また、「○」の欄に並べて記載している数値が亀裂進展の長さである。この結果から、以上の実験では、基板厚みtに対して、この厚みtの15%以上55%以下の長さの亀裂進展が観察されたことがわかる。なお、「15%」の値は「54.6μm(17%)」から、「55%」の値は「179.4μm(54%)」から導き出したものである。なお、「亀裂進展の長さ」とは、亀裂の最大長さをいう。
<分断>
(i) 解析
まず、パルスレーザ光をサファイア基板に照射した場合のシミュレーション結果について説明する。ここでは、二次元解析モデルとして、図6に示すようなモデルを想定している。そして、図6に示す解析面を、有限要素法によって解析した。
(i) 解析
まず、パルスレーザ光をサファイア基板に照射した場合のシミュレーション結果について説明する。ここでは、二次元解析モデルとして、図6に示すようなモデルを想定している。そして、図6に示す解析面を、有限要素法によって解析した。
ここで、解析対象としての基板は、厚みが330μmのサファイア基板であり、その物性値は図6に示す通りである。なお、図6において楕円で示しているのがパルスレーザ光であり、矢印の方向に走査される。また、この場合のレーザ光照射条件は、以下の通りである。
繰り返し周波数:1kHz
パルス幅 :250μs
出力 :220W
走査速度 :300mm/s
また、各パルス波形において、1サイクルあたり8個所の解析タイミングを設定している。
パルス幅 :250μs
出力 :220W
走査速度 :300mm/s
また、各パルス波形において、1サイクルあたり8個所の解析タイミングを設定している。
解析結果を図7及び図8に示している。図7は1パルス間の熱伝導解析結果を示し、図8は1パルス間の熱応力解析結果を示している。各結果の解析タイミングは、パルス波形において「○」で示した時刻である。これらの解析結果から、以下のことがわかる。
パルスレーザ光を照射した場合、図7(a)〜(e)から明らかなように、十分な熱拡散が起こる前に加熱が終了するので、パルス波のピーク付近のみ(図7(b)〜(d))に比較的大きな深さ方向の温度勾配が生じる。この温度勾配は、次のパルスが照射される時刻(図7(i))には、熱拡散によって解消する。このため、パルス周期ごとに基板内部に引張応力を誘起できると考えられる。
なお、連続発振のレーザ光についても同様の解析を行ったが(ここでは解析結果は省略する)、サファイア基板では熱伝導率が大きいために、連続発振のレーザ光の照射によって加熱しても、深さ方向の大きな温度勾配が生じない。このため、連続発振のレーザ光でサファイア基板に引張応力を誘起するのは難しいと考えられる。
(ii) 実験
次に、前述の解析モデルを確認するために、実際にCO2パルスレーザ光を照射して分断した実験結果を図9(a)〜(e)に示す。ここで、分断対象としての基板は、解析モデルと同様に、厚みが330μmのサファイア基板である。また、レーザ照射条件についても解析モデルの条件と同様の条件である。
次に、前述の解析モデルを確認するために、実際にCO2パルスレーザ光を照射して分断した実験結果を図9(a)〜(e)に示す。ここで、分断対象としての基板は、解析モデルと同様に、厚みが330μmのサファイア基板である。また、レーザ照射条件についても解析モデルの条件と同様の条件である。
図9において、「169μm・・・187μm」の数値は、パルスレーザを照射した面から亀裂先端までの距離である。パルスレーザを照射する面から亀裂先端までの距離が128μm〜187μmであれば、スクライブ線に沿って基板を分断できた。これらの実験結果において、第2主面からパルスレーザを照射しているものは、(a)(b)である。第1主面からパルスレーザを照射しているものは(c)(d)(e)である。
以上の実験結果から、まず、レーザ光を照射する表面から亀裂先端までの距離が、130μm以上190μm以下(図11の実験結果では、128μm〜187μm)でないと、分断そのものができないことがわかる。また、実験結果(a),(b)から明らかなように、スクライブラインを形成した側と逆側の面からパルスレーザ光を照射して分断することによって、分断面の傷を低減することができる。
なお、レーザ光を照射する表面から亀裂先端までの距離が130μm以下及び190μm以上(基板の厚み330μmに対して、39%以上58%以下)の場合は、分断そのものは可能であるが、スクライブラインとは別の部分から分断される。
[特徴]
(a)スクライブライン形成工程において、亀裂先端が、パルスレーザ光が照射される面から130μm以上190μm以下(基板の厚みに対して、39%以上58%以下)の範囲に存在するように形成されるので、分断工程において、レーザ照射によって容易に分断することができる。
(a)スクライブライン形成工程において、亀裂先端が、パルスレーザ光が照射される面から130μm以上190μm以下(基板の厚みに対して、39%以上58%以下)の範囲に存在するように形成されるので、分断工程において、レーザ照射によって容易に分断することができる。
(b)スクライブラインが形成された側とは逆側からパルスレーザ光を照射し、分断しているので、分断面の傷を低減できる。このため端面強度を高く維持することができる。
(c)スクライブライン形成工程において、基板表面は溶融されない。このため、溶融飛散物による素子の損傷を避けることができる。
[他の実施形態]
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
前記実施形態では、スクライブライン形成工程において、改質層及び亀裂進展層を形成したが、従来のレーザ加工方法と同様にレーザ光によるアブレーション加工によってスクライブ溝を形成したり、あるいはソーブレードを用いたメカニカルツールによってスクライブ溝を形成してもよい。
前記実施形態では、ウェハを構成する基板として、サファイア基板を例にとって説明したが、シリコン基板などの他の熱伝導率の大きい脆性材料基板においても本発明を同様に適用することができる。
2 サファイア基板
4 スクライブ予定ライン
12 改質層
13 亀裂進展層
4 スクライブ予定ライン
12 改質層
13 亀裂進展層
Claims (4)
- レーザ光を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって、
スクライブ予定ラインに沿って前記脆性材料基板の第1主面にスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、
前記スクライブラインに対して、前記第1主面とは逆側の第2主面からパルスレーザ光を照射し、前記脆性材料基板を前記スクライブラインに沿って分断する分断工程と、
を備えたレーザ加工方法。 - 前記スクライブライン形成工程は、前記脆性材料基板に、前記第2主面から前記脆性材料基板の厚みに対して39%以上58%以下の範囲に亀裂先端が存在するスクライブ溝を形成する、請求項1に記載のレーザ加工方法。
- 前記スクライブライン形成工程は、
パルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、
パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、
を含み、
脆性材料基板の厚みtに対して、前記厚みtの15%以上55%以下の長さで前記改質層から前記脆性材料基板の第1主面に向かって亀裂を進展させる、
請求項1又は2に記載のレーザ加工方法。 - 前記脆性材料基板はサファイア基板である、請求項1から3のいずれかに記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115934A JP2011240644A (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115934A JP2011240644A (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011240644A true JP2011240644A (ja) | 2011-12-01 |
Family
ID=45407778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010115934A Pending JP2011240644A (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011240644A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015524379A (ja) * | 2012-07-27 | 2015-08-24 | アップル インコーポレイテッド | サファイア・ウィンドウ |
JP2018182078A (ja) * | 2017-04-13 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
WO2020129913A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体対象物加熱装置 |
WO2021054372A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
WO2021054353A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
-
2010
- 2010-05-20 JP JP2010115934A patent/JP2011240644A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015524379A (ja) * | 2012-07-27 | 2015-08-24 | アップル インコーポレイテッド | サファイア・ウィンドウ |
JP2018182078A (ja) * | 2017-04-13 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP7217585B2 (ja) | 2017-04-13 | 2023-02-03 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
WO2020129913A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体対象物加熱装置 |
WO2021054372A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
JP2021048236A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
WO2021054353A1 (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
JP2021048235A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
JP7305495B2 (ja) | 2019-09-18 | 2023-07-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
JP7391583B2 (ja) | 2019-09-18 | 2023-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
US12023761B2 (en) | 2019-09-18 | 2024-07-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection device and inspection method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5639997B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
KR102172826B1 (ko) | 플랫 가공물을 복수의 섹션들로 분리하기 위한 방법 및 기기 | |
US10532431B2 (en) | Laser processing method | |
JP4322881B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
WO2007032392A1 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP5879106B2 (ja) | 脆性材料基板のスクライブ方法 | |
TW200927354A (en) | Laser processing method | |
JP2014011358A (ja) | レーザダイシング方法 | |
JP2012028452A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2014510398A (ja) | 光電素子の改良されたレーザスクライビングのための方法及び装置 | |
JP5269356B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
TWI515071B (zh) | Laser processing method | |
JP2011240644A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2013027887A (ja) | レーザダイシング方法 | |
KR101312284B1 (ko) | 레이저 가공 방법 | |
JP2012033668A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5560096B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
TW201546004A (zh) | 脆性材料基板之加工方法 | |
JP2012050988A (ja) | レーザスクライブ方法 | |
KR101164418B1 (ko) | 펨토초 펄스 레이저의 비선형 초점이동을 통한 절단방법 | |
JP2010129987A (ja) | ウエーハ加工方法、レーザ加工装置およびレーザ加工用プログラム | |
CN107866637B (zh) | 脆性材料基板的断开方法及断开装置 | |
JP2014105147A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP5385999B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2018052814A (ja) | 脆性材料基板の改質層形成方法並びに改質層形成装置 |