JP7292006B2 - ディスプレイガラス組成物のレーザ切断及び加工 - Google Patents
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Description
アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス組成物を切断するために、幾つかの例示的な実施形態によれば、直線集束ビーム形成光学系と組み合わせた複数のパルスのバーストを生成するピコ秒のパルス化レーザ(例えば、1064nm、又は532nmピコ秒のパルス化レーザ)が、ガラス組成物に損傷線(欠陥線)を作り出すのに用いられる。(しかしながら、他のパルス化レーザも利用されうることに留意されたい。)
例えば、最大で0.7mm厚を有するディスプレイ/TFTガラス組成物を、厚さが光学系によって生成される焦線の領域内になるように、位置付けた。約1mmの長さの焦線、ガラス組成物において測定して200kHzのバースト繰り返し数(約120マイクロジュール/バースト以上)で、約24W以上の出力を生成する1064nmピコ秒のレーザを用いて、焦線領域における光学的強度は、ガラス組成物において非線形吸収を作り出すのに十分に高い。パルス化レーザビームは、材料において、材料の厚さ1mmあたり40マイクロジュールを超える、測定された平均レーザバーストエネルギーを有しうる。幾つかのガラスについては、用いられる平均レーザバーストエネルギーは、例えば40~2500μJ/mmなど、材料の厚さ1mmあたり2500μJの高さであってよく、エネルギー密度は、穿設された線又は切断エッジと直交する微小亀裂の範囲を最小限に抑えつつ、ガラスを貫通する完全な損傷跡を作製するのに十分に強いことから、400~1300μJ/mmがディスプレイ/TFT型のガラスにとって好ましい(及び、550~1000μJ/mmがさらに一層好ましい)。この1mmあたりの「平均パルスバーストレーザエネルギー」は、平均、1バーストあたり、線形のエネルギー密度、又は、材料の厚さ1mmあたりのレーザパルスバーストあたりの平均エネルギーとも称されうる。ガラス組成物内の損傷、アブレーション、蒸発、又は他の方法で改質された材料の領域は、レーザビーム焦線によって作り出された光学的強度の高い線形の領域にほぼ従って作出された。
ガラス基板が十分な応力を有する場合(例えば、イオン交換されたガラスを用いて)、パーツは自発的に亀裂し、レーザプロセスによって描き出された穿設された損傷の経路に沿って分離する。しかしながら、TFT又はディスプレイガラス(例えば、Corning Eagle XG(登録商標)又はLotus、Corning Lotus NXT(商標)又はContego組成物)の場合のように、基板に固有の応力が多量に存在しない場合には、ピコ秒のレーザは、ワークピースに損傷跡を簡単に形成する。これらの損傷跡は、概して、約0.1~1.5μm、又は0.2μm~2μm(例えば、幾つかの実施形態では、0.2~0.7μm、又は0.3~0.6μm)の内部寸法を有する孔の形態をとる。好ましくは、孔は、寸法(すなわち、幅又は直径)が非常に小さい(1μm以下)。
穿孔間のピッチ又は距離は、重要な別のパラメータである。ディスプレイ又はTFT型のガラスについては、穿孔間のピッチ又は距離は、好ましくは5~15μmであるべきである。例えば、Eagle XGでは、最低の耐破断性のための理想的なピッチは、5~15μmである。耐破断性は、ピッチがこの範囲外にあるときには、急速に増加する。Contego型のガラスでは、理想的なピッチは7~11μmである。Contego型のガラスについての耐破断性(破壊強度)は、この範囲外では増加し、ガラスを切断又は分離しづらくする。5μm未満のピッチを用いたEagle XG型のガラスのレーザ加工は、亀裂を断層線から逸らし、複数の相互接続する亀裂を形成し、より高いガラスの耐破断性をもたらす。例えば、図9Fは、ピッチが10μmから約4μmに変化する際に、急速破壊強度が、ディスプレイガラスの実施形態では増加することを示している。より詳細には、破壊強度は、急速に増加し(ガラスは分離しづらくなった)、穿孔ピッチが10μmでは4μmであった場合より最小で3倍大きかった。Contego型のガラスの>15μmの穿孔ピッチでは、亀裂は、孔から孔へと接続されない。ディスプレイ又はTFTガラスでは、上述したように、記載された範囲(5~15μm)内でのピッチの選択は、エネルギー密度及びパルスバースト内のパルス数の両方についての要件を同時に満たしつつ、行われるべきであることに留意されたい。
パルス化レーザビームを、ビームの伝播方向に沿って配向され、かつ、アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース内へと導かれるレーザビーム焦線へと集束させる工程であって、該レーザビーム焦線が、材料内に誘起吸収を生成し、該誘起吸収が、ワークピース内にレーザビーム焦線に沿って欠陥線を生成する、工程、及び
アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピースとレーザビームとを、輪郭に沿って互いに対して平行移動させ、それによって、ワークピース内に輪郭に沿って複数の欠陥線をレーザ形成する工程であって、隣接する欠陥線間の周期は5μm~15μmであり、バーストエネルギーは300~500マイクロジュールであり、1バーストあたりのパルス数は9~20、好ましくは10~20である、工程
を含む。
図8C及び9Aに示されるように、広範囲の基板厚さについて、線形の切断又はさらに複雑な形状のいずれかを伴う、例えばEagle XG(登録商標)などのガラスの分離を可能にする、さまざまな条件が見いだされた。図8Cの画像は、Eagle XG(登録商標)ガラスの0.024mm厚片(上部画像)、及びEagle XG(登録商標)ガラスの0.134mm厚片(下部画像)の切断エッジを示している。Eagle XG(登録商標)は、薄膜トランジスタ(TFT)基板として使用するために設計されたガラス組成物であり、したがって、ケイ素の熱膨張係数とほぼ一致させることができる、約3ppm/℃の適切な熱膨張係数(CTE)を有する。このレーザプロセスは、同様のTFTガラス組成物の切断及び分離、すなわち、Eagle XG(登録商標)に似たCTE(例えば、2ppm/℃~5ppm/℃のCTE)を有するもの、並びに他の組成及びCTEを有する他のガラスの切断及び分離にも用いられうる。
- Eagle XG(登録商標)及び他のディスプレイガラス:
CTEが低く、約3ppm/℃
無アルカリ(又は微量のみ)
温度拡散率が低い
- Corning Gorilla(登録商標)と他のイオン交換可能なガラス:
CTEは、概して約7~9ppm/℃である
組成物中にナトリウムなどのアルカリを大量に有する(イオン交換可能にする)
温度拡散率が高い。
機械的スコアリング及び割断は、連続的な溶融ガラス製造プロセスのための従来のガラス切断法である。このプロセスは、真っ直ぐな切断については、1m/秒を達成し、速いが、輪郭ガラス形状を切断するとなると、遅い速度、ガラスエッジの欠け、切断エッジの高い粗さ等に起因して、このような用途にとって極めて困難になることから、高度に制限される。これらの用途は、表面下損傷(SSD)を低減するための複数の研削及び研磨工程、並びに、洗浄工程を必要とし、これにより、より高い資本要件に起因するプロセスに対するコスト及び低い収率を原因としたより高いコストが追加されるのみならず、単に、技術的要件を満たすこともできない。
レーザ出力を低下させて切断するパーツの完全な分離:本開示の実施形態は、溶融プロセスによって生成されたガラスシート又はガラスシートのスタックの0.025mm以下~数mm厚のさまざまな厚さのTFTガラス組成物を完全に分離/切断することができる。
本レーザ加工方法は、他の競合技術においては制限となる、多くの形態及び形状をなぞる、ガラス、サファイア、及び他の基板及びガラスワークピースの切断/分離を可能にする。TFTガラス組成物では、狭い半径(tight radii)を切断することができ(例えば、<2mm)、曲線状のエッジを可能にし、かつ、本方法を用いて、例えば約5mm未満の、小さい孔及びスロット(携帯電話の用途ではスピーカー/マイクに必要とされるような)の作出も可能にする。また、欠陥線は、亀裂伝播の位置を強力に制御することから、本方法は、切断の空間位置の非常に優れた制御をもたらし、数百μmの大きさしかない構造及び特徴の切断及び分離を可能にする。
受け入れするガラスパネルから最終的な大きさ及び形状へとガラス板を製造するプロセスは、パネルの切断、寸法化のための切断、仕上げ及びエッジ成形、対象とする厚さへのパーツの薄肉化、及び、TFTガラス組成物の研磨を含めた、幾つかの工程を包含する。これらの工程のいずれかの排除は、処理時間及び資本支出の観点から製造コストを改善する。提示される方法は、例えば、以下のことにより、工程数を低減できる:
・デブリ及びエッジ欠陥の生成の低減-洗浄及び乾燥ステーションの排除の可能性、
・最終的な大きさ、形状及び厚さへの試料の直接的な切断-仕上げ加工ラインの必要性の排除、
・ドローにおけるガラスの直接的切断-仕上げ加工ラインの必要性の排除。
ガラスワークピースをレーザ加工する方法において、
パルス化レーザビームを、前記ビームの伝播方向に沿って配向され、かつ、前記ガラスワークピース内へと導かれるレーザビーム焦線へと集束させる工程であって、該レーザビーム焦線が、前記ワークピースの材料内に誘起吸収を生成し、該誘起吸収が、前記ワークピース内に前記レーザビーム焦線に沿って欠陥線を生成する、工程、及び
前記ガラスワークピース及び前記レーザビームを第1の輪郭に沿って互いに対して平行移動させて、それによって、前記ワークピース内に前記第1の輪郭に沿って複数の欠陥線をレーザ形成する工程であって、隣接する欠陥線間の間隔が5μm~15μmであり、前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり5~20パルスを有し、1パルスバーストあたり300~600マイクロジュールのパルスバーストエネルギーを有するパルスバーストを生成する、工程
を含む、方法。
アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピースをレーザ加工する方法において、
パルス化レーザビームを、前記ビームの伝播方向に沿って配向され、かつ、前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース内へと導かれるレーザビーム焦線へと集束させる工程であって、該レーザビーム焦線が、前記材料内に誘起吸収を生成し、該誘起吸収が、前記ワークピース内に前記レーザビーム焦線に沿って欠陥線を生成する、工程、及び
前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース及び前記レーザビームを第1の輪郭に沿って互いに対して平行移動させて、それによって、前記ワークピース内に前記第1の輪郭に沿って複数の欠陥線をレーザ形成する工程であって、隣接する欠陥線間の間隔が5μm~15μmであり、前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり5~20パルスを有し、1パルスバーストあたり300~600マイクロジュールのパルスバーストエネルギーを有する、パルスバーストを生成する、工程
を含む、方法。
前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり9~20パルスを有するパルスバーストを生成し、前記パルスバーストエネルギーが、1パルスバーストあたり300~500マイクロジュールであることを特徴とする、実施形態2に記載の方法。
前記隣接する欠陥線間の間隔が7μm~12μmであり、前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり5~15パルスを有するパルスバーストを生成し、前記パルスバーストエネルギーが、1パルスバーストあたり400~600マイクロジュールであることを特徴とする、実施形態2に記載の方法。
前記パルス化レーザが、10W~150W、好ましくは10W~100W、例えば25W~60Wのレーザ出力を有することを特徴とする、実施形態2、3又は4に記載の方法。
前記パルス化レーザが、10W~100Wのレーザ出力を有し、前記ワークピース及び前記レーザビームが、少なくとも0.25m/秒の速度で互いに対して平行移動することを特徴とする、実施形態2、3又は4に記載の方法。
(i)前記パルス化レーザが、10W~100Wのレーザ出力を有し、かつ、(ii)前記ワークピース及び前記レーザビームが、少なくとも0.4m/秒、好ましくは少なくとも1m/秒の速度で、互いに対して平行移動することを特徴とする、実施形態2、3又は4に記載の方法。
前記ワークピースを前記輪郭に沿って分離する工程をさらに含むことを特徴とする、実施形態1又は2に記載の方法。
前記ワークピースを前記輪郭に沿って分離する工程が、(i)機械的な力を印加する工程;(ii)前記第1の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程、及び/又は、(iii)第2の輪郭に沿って前記ワークピース内へと二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程であって、前記第2の輪郭が前記第1の輪郭の内部にある、工程
を含むことを特徴とする、実施形態8に記載の方法。
前記第1又は第2の輪郭に沿って前記ワークピースを分離する工程が、(i)前記第1又は第2の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと楕円形の二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程であって、前記CO2レーザ出力が100~400Wである、工程、又は、(ii)前記第1又は第2の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと均一な強度のビームプロファイル(トップハット型プロファイル)の二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導し、前記それぞれの輪郭に沿って前記ワークピースの熱応力誘起性の分離を促進する工程であって、前記CO2レーザ出力が100~400Wである、工程
を含むことを特徴とする、実施形態9に記載の方法。
前記ワークピースが、複数のディスプレイガラス複合材料基板の積層を含むことを特徴とする、実施形態1~10のいずれかに記載の方法。
前記複数のディスプレイガラス複合材料基板のうちの少なくとも2つが、エアギャップによって分離されていることを特徴とする、実施形態11に記載の方法。
前記パルスが、約1ピコ秒超~約100ピコ秒未満、好ましくは1ナノ秒~約50ナノ秒、より好ましくは約5ピコ秒超~約20ピコ秒未満の範囲の持続時間を有することを特徴とする、実施形態1又は2に記載の方法。
前記バーストが、約10kHz~約650kHzの範囲の繰り返し数を有することを特徴とする、実施形態1、2、又は13に記載の方法。
(i)前記レーザビーム焦線が、約0.1μm~約10μmの範囲の平均スポット径を有すること、及び/又は、(ii)前記誘起吸収が、前記ワークピース内に最大で約100μm以下の深さの表面下損傷を生成することを特徴とする、実施形態1~14のいずれかに記載の方法。
前記ワークピース内に前記第1又は第2の輪郭に沿って前記複数の欠陥線をレーザ形成する工程をさらに含み、該複数の欠陥線をレーザ形成する工程が、前記それぞれの輪郭によって画成された表面に沿って前記ワークピースの分離をもたらし、分離された表面を形成し、該分離された表面が、(i)約0.5μm以下のRa表面粗さを有するか、あるいは、(ii)3μm未満の平均直径を有する表面粒子を含むことを特徴とする、実施形態1~15のいずれかに記載の方法。
前記ワークピースが、約0.01mm~約7mmの範囲の厚さを有することを特徴とする、実施形態1~16のいずれかに記載の方法。
実施形態1~17のいずれかに記載の方法によって調製されたガラス物品。
少なくとも250μmにわたり延在する複数の欠陥線を有する少なくとも1つのエッジを含む、アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料を含み、前記欠陥線の各々が、約1μm以下の直径を有し、5μm~15μmの距離だけ分離されている、ガラス物品。
前記少なくとも1つのエッジが、最大で約100μm以下の深さの表面下損傷を有することを特徴とする、実施形態19に記載のガラス物品。
前記少なくとも1つのエッジが約0.5μm以下のRa表面粗さを有することを特徴とする、実施形態19又は20に記載のガラス物品。
0.01mm~約7mmの厚さを有することを特徴とする、実施形態19、20、又は21に記載のガラス物品。
所定の幾何学形状を有するガラス物品であって、該ガラス物品が、アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラスを含み、かつ、少なくとも250μmにわたり延在する複数の欠陥線を有する少なくとも1つのエッジを有し、前記欠陥線の各々が、約1μm以下の直径を有し、5μm~15μmの距離だけ分離されている、ガラス物品。
前記所定の幾何学形状が、内部孔を有する円形であることを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
前記内部孔が円形であることを特徴とする、実施形態24に記載のガラス物品。
前記少なくとも1つのエッジが、最大で約100μm以下の深さの表面下損傷を有することを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
前記少なくとも1つのエッジが約0.5μm以下のRa表面粗さを有することを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
0.01mm~約7mmの厚さを有することを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
前記ガラスが、約1.0~1.6の範囲の(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3、T(ann)>785℃、密度<2.7g/cm3、T(200P)<1750℃、T(35kP)<1340℃、ヤング率>81GPaを含むことを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
前記ガラスが、酸化物基準のモルパーセント表示で、SiO2 60~80、Al2O3 5~20、B2O3 0~10、MgO 0~20、CaO 0~20、SrO 0~20、BaO 0~20、及びZnO 0~20をさらに含むことを特徴とする、実施形態29に記載のガラス物品。
前記ガラスが、約1.0~1.6の範囲の(MgO+CaO+SrO+BaO)/Al2O3、T(ann)>785℃、密度<2.7g/cm3、T(200P)<1750℃、T(35kP)>1270℃、ヤング率>81GPaを含むことを特徴とする、実施形態23に記載のガラス物品。
前記ガラスが、酸化物基準のモルパーセント表示で、SiO2 60~80、Al2O3 5~20、B2O3 0~10、MgO 0~20、CaO 0~20、SrO 0~20、BaO 0~20、及びZnO 0~20をさらに含むことを特徴とする、実施形態31に記載のガラス物品。
実施形態18~32のいずれかに記載のガラス物品を含むメモリディスク。
1a,1b 基板表面
2 レーザビーム
2a ビーム束
2b 焦線
2c 誘起吸収の広域セクション
6 光学アセンブリ
9 アキシコンの頂点
10 アキシコン
11 平凸レンズ/集束レンズ
12 コリメーティングレンズ
110 断層線
120 欠陥線
130 材料又はワークピース
140 超短パルス化レーザ
710 集束しないレーザビーム
720 基板/材料
730 球面レンズ
740 焦点
750 アキシコンレンズ
760 シリンダ
1162 ドロータワー
1164 ガラスシート
1165 ドローの動き
1166 ガラスビード
1168 スコア線
1168’ レーザ切断線
1170 シート
1170’ 切断ガラスシート/ガラス板
1172 廃ガラス/ドロー領域の底部
1671a,1671b,1671c 加熱炉
1674 レーザビーム
1680 熱源
1682 垂直移動
1771 多段加熱炉
1771a,1771b,1771c 冷却段階
Claims (6)
- ガラスワークピースをレーザ加工する方法において、
パルス化レーザビームを、前記ビームの伝播方向に沿って配向され、かつ、前記ガラスワークピース内へと導かれるレーザビーム焦線へと集束させる工程であって、該レーザビーム焦線が、前記ワークピースの材料内に誘起吸収を生成し、該誘起吸収が、前記ワークピース内に前記レーザビーム焦線に沿って欠陥線を生成する、工程、及び
前記ガラスワークピース及び前記レーザビームを第1の輪郭に沿って互いに対して平行移動させて、それによって、前記ワークピース内に前記第1の輪郭に沿って複数の欠陥線をレーザ形成する工程であって、隣接する欠陥線間の間隔が5μm~15μmであり、前記欠陥線の各々が1μm以下の直径を有し、前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり5~20パルスを有し、1パルスバーストあたり300~600マイクロジュールのパルスバーストエネルギーを有する、パルスバーストを生成する、工程
を含み、
前記ガラスワークピースが、アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピースであり、前記方法が、
前記パルス化レーザビームを、前記ビームの伝播方向に沿って配向され、かつ、前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース内へと導かれるレーザビーム焦線へと集束させる工程であって、
前記誘起吸収が、前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース内に前記レーザビーム焦線に沿って欠陥線を生成する、工程、及び
前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース及び前記レーザビームを、前記第1の輪郭に沿って互いに対して平行移動させ、それによって、前記アルカリ土類ボロアルミノシリケートガラス複合材料ワークピース内に前記第1の輪郭に沿って前記複数の欠陥線をレーザ形成する工程
を含み、
(i)前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり9~20パルスのパルスバーストを生成し、前記パルスバーストエネルギーが、1パルスバーストあたり300~500マイクロジュールであるか、あるいは
(ii)前記隣接する欠陥線間の間隔が7μm~12μmであり、前記パルス化レーザが、1パルスバーストあたり5~15パルスのパルスバーストを生成し、前記パルスバーストエネルギーが、1パルスバーストあたり400~600マイクロジュールである
ことを特徴とする、方法。 - (i)前記パルス化レーザが、10W~150W、好ましくは10W~100W、例えば25W~60Wのレーザ出力を有するか、あるいは、(ii)前記パルス化レーザが、10W~100Wのレーザ出力を有し、かつ、前記ワークピース及び前記レーザビームが、少なくとも0.25m/秒の速度で互いに対して平行移動するか、あるいは、(iii)前記パルス化レーザが、10W~100Wのレーザ出力を有し、かつ、前記ワークピース及び前記レーザビームが、少なくとも0.4m/秒、好ましくは少なくとも1m/秒の速度で互いに対して平行移動することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ワークピースを前記輪郭に沿って分離する工程をさらに含み、前記ワークピースを前記輪郭に沿って分離する工程が、
(a)機械的な力を印加する工程、又は
(b)(i)前記第1の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程、及び/又は、(ii)第2の輪郭に沿って前記ワークピース内へと二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程であって、前記第2の輪郭が前記第1の輪郭の内部にある、工程、又は、(iii)前記第1又は第2の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと楕円形の二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導する工程であって、前記CO2レーザ出力が100~400Wである、工程、又は、(iv)前記第1又は第2の輪郭に沿って又はその近くに前記ワークピース内へと均一な強度のビームプロファイル(トップハット型プロファイル)の二酸化炭素(CO2)レーザビームを誘導し、前記それぞれの輪郭に沿って前記ワークピースの熱応力誘起性の分離を促進する工程であって、前記CO2レーザ出力が100~400Wである、工程
によってCO2レーザビームを使用する工程
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - (i)前記ワークピースが、複数のディスプレイガラス複合材料基板の積層を含む、又は、(ii)前記ワークピースが、複数のディスプレイガラス複合材料基板の積層を含み、かつ、前記複数のディスプレイガラス複合材料基板のうちの少なくとも2つが、エアギャップによって分離されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。
- (i)前記パルスが、約1ピコ秒超~約100ピコ秒未満の範囲内、好ましくは約5ピコ秒超~約20ピコ秒未満の持続時間を有する、及び/又は、(ii)前記バーストが、約10kHz~約650kHzの範囲の繰り返し数を有する、及び/又は、(iii)前記レーザビーム焦線が、約0.1μm~約10μmの範囲の平均スポット径を有する、及び/又は、(iv)前記誘起吸収が、前記ワークピース内に最大で約100μm以下の深さの表面下損傷を生成することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ワークピース内に前記第1又は第2の輪郭に沿って前記複数の欠陥線をレーザ形成する工程をさらに含み、該複数の欠陥線をレーザ形成する工程が、前記それぞれの輪郭によって画成された表面に沿って前記ワークピースの分離をもたらし、分離された表面を形成し、前記分離された表面が、(i)約0.5μm以下のRa表面粗さを有するか、あるいは、(ii)表面が3μm未満の平均直径を有する表面粒子を含むことを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
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