CN108198577B - 磁盘用玻璃基板和磁盘 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种磁盘用玻璃基板和磁盘,其可以抑制气流在磁盘的外周侧端部的附近发生紊乱,可以抑制磁盘颤动。该磁盘用玻璃基板的特征在于,其具备一对主表面、形成于外周侧端面的侧壁面、以及介于上述侧壁面与主表面之间的倒角面,上述侧壁面的正圆度为1.5μm以下,包括上述中心位置在内的、在板厚方向上不同的多个位置的侧壁面的多个轮廓线的内切圆和外切圆的半径之差为5μm以下。
Description
本申请是分案申请,其原申请的申请号为201380062197.5,申请日为2013年12月27日,发明名称为“磁盘用玻璃基板和磁盘”。
技术领域
本发明涉及磁盘用玻璃基板和磁盘。
背景技术
如今,在个人计算机或DVD(Digital Versatile Disc)记录装置等中内置有用于记录数据的硬盘装置(HDD:Hard Disk Drive)。特别是在笔记型个人计算机等以移动性为前提的设备中使用的硬盘装置中,使用在玻璃基板上设置有磁性层的磁盘,利用在磁盘的面上略微悬浮的磁头对磁性层进行磁记录信息的记录或读取。作为该磁盘的基板,由于具有比金属基板(铝基板)等更难以发生塑性变形的性质,因而优选使用玻璃基板。
另外,应增大硬盘装置中存储容量的要求,寻求磁记录的高密度化。例如使用垂直磁记录方式,使磁性层中的磁化方向相对于基板的面为垂直方向,进行磁记录信息区域的微细化。由此,可以增大1张盘片基板中的存储容量。在这种盘片基板中,优选按照磁性层的磁化方向相对于基板面朝向大致垂直方向的方式,尽可能地使基板表面平坦,使磁性粒子的生长方向统一为垂直方向。
进一步,为了进一步增大存储容量,还进行了下述操作:通过使用搭载有DFH(Dynamic Flying Height)机构的磁头来极度缩短距磁记录面的悬浮距离,从而降低磁头的记录再生元件与磁盘的磁记录层之间的磁性间距,进一步提高信息的记录再现精度(提高S/N比)。该情况下,为了长期稳定地进行利用磁头的磁记录信息的读写,要求尽可能减小磁盘的基板的表面凹凸。
磁盘记录有用于将磁头定位于数据轨道的伺服信息。以往,已知的是:若降低磁盘的外周侧的端面(下文中也称为外周端面)的正圆度,则磁头的悬浮稳定,可良好地进行伺服信息的读取,利用磁头进行的读写稳定。例如,在专利文献1记载的技术中,公开了外周端面的正圆度为4μm以下的磁盘用玻璃基板。若利用该玻璃基板,认为通过降低外周端面的正圆度,从而LUL(load unload,装载卸载)试验耐久性提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-217918号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,近年来已知采用了叠加写入(shingle write)方式的HDD,其按照相邻的轨道部分重叠的方式进行记录。在叠加写入方式中,伴随相邻轨道上的记录的信号劣化极小,因此可以飞跃性地提高轨道记录密度(下文中也称为TPI),例如可以实现500kTPI(trackper inch,每英寸磁道数)以上的极高的轨道记录密度。另外,关于使用与以往相比磁各向异性高的磁性材料的EAMR(能量辅助磁记录)方式,也正在进行研究。在适于EAMR方式的磁盘中,由于能够降低磁性粒子的尺寸本身,因此能够提高BPI(bit per inch,每英寸位数)和TPI,能够实现高记录密度。另一方面,通过TPI的提高,关于磁头对伺服信号的追随性,与以往相比要求更为严格。
例如采用叠加写入方式等而为500kTPI以上的HDD中,即使将磁盘的外周端面的正圆度降低至1.5μm以下,在磁盘的外周侧的端部也会发生伺服信号的读取不稳定的现象。特别是,与其内周侧的区域相比,磁盘的外周侧端部的最外周侧难以稳定读取。
本发明的目的在于提供一种能够抑制磁盘的外周侧端部的伺服信号的读取错误的磁盘用玻璃基板及磁盘。
用于解决课题的方案
本发明人为了消除磁盘的外周侧端部附近的伺服信号读取错误,首先考虑了排除磁盘的内孔松动(ガタつく)所导致的影响。使磁盘的中心与轴的中心精密地对齐,组装HDD。由此,内孔的影响消除,因而磁盘的外周端面的面内方向的摇动达到外周端面的正圆度以下的大小。这样,虽然磁盘的内周侧的端面的正圆度、及内周端面与外周端面的同心度不会产生影响,但未能改善伺服信号读取错误。
以往,若降低磁盘的正圆度则颤动减小,因而认为在正圆度与颤动之间存在相关性。但是,根据本发明人的研究可知,即便使正圆度为1.5μm以下,颤动也不会减小,在正圆度极小的情况下,在正圆度与颤动之间未发现相关性。其理由可如下考虑。即,以往是将比玻璃基板的板厚更长的板状探针竖立在与玻璃基板的主表面垂直的方向并接触外周端部,由此测定外周端部的正圆度。此时,探针在板厚方向上在向基板的外侧最为突出的位置进行接触。因此,与外周端部的板厚方向的形状无关,作为正圆度测定基础的外周端部的轮廓线反映了向基板外侧最为突出的形状。因此,在现有的正圆度的测定方法中,并未反映外周端部的侧壁面的板厚方向上的三维形状。并且,在现有的正圆度的测定方法中,使磁盘的外周端部的正圆度足够好的情况下,正圆度以外的其他原因对颤动所产生的影响相对较大,由此认为在正圆度与颤动之间未发现相关性。
因此,本发明人除了关注正圆度之类的磁盘的面内方向的参数外,还关注磁盘的板厚方向的形状。首先,调查了磁盘的外周侧端部的板厚的偏差,但偏差极小,未发现问题。于是,对其他的各种形状参数进行了深入研究,结果首次发现,在磁盘的外周端面中,侧壁面(在与主表面正交的方向延伸的面)的板厚方向的斜率及凹凸会对磁盘的最外周部的颤动产生影响,因而对伺服信号的读取产生影响。即,通过极度减小磁盘的外周端面的正圆度,才发现了外周端面的板厚方向的形状会对颤动产生影响。
本发明的磁盘用玻璃基板为具备一对主表面、形成于外周侧端部的侧壁面、以及介于上述侧壁面与主表面之间的倒角面的磁盘用玻璃基板,其特征在于,上述侧壁面的正圆度为1.5μm以下,包括中心位置在内的、在板厚方向上不同的多个位置的侧壁面的多个轮廓线的内切圆和外切圆的半径之差为5μm以下。
本发明的磁盘用玻璃基板优选的是,分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线,将由这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点作为中点A,在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线,在由这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中,将由一个倒角面求出的中心作为中心B,将由另一个倒角面求出的中心作为中心C时,中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
本发明的磁盘用玻璃基板适合用于板厚为0.5mm以下的情况。
本发明的磁盘适合用于在上述的磁盘用玻璃基板的主表面上形成了磁性层的情况。
附图说明
图1A是本实施方式的磁盘用玻璃基板的俯视图。
图1B是本实施方式的磁盘用玻璃基板的板厚方向的截面图。
图2是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的侧壁面的圆筒度的测定方法的图。
图3是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的侧壁面的圆筒度的测定方法的图。
图4是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的外周端面的形状评价值的测定方法的图。
图5是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的外周端面的形状评价值的测定方法的图。
图6A是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的端面磨削加工的图。
图6B是示出图6A的Y-Y截面的图。
图7A是说明在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造时进行的使用MRF的端面研磨的图。
图7B是说明在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造时进行的使用MRF的端面研磨的图。
图7C是说明在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造时进行的使用MRF的端面研磨的图。
图8是说明在本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造时进行的使用MRF的端面研磨的图。
具体实施方式
下面,对本实施方式的磁盘用玻璃基板进行详细说明。
[磁盘用玻璃基板]
作为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的材料,可以使用铝硅酸盐玻璃、碱石灰玻璃、硼硅酸盐玻璃等。尤其是从可以实施化学强化并且可以制作主表面平坦度和基板强度优异的磁盘用玻璃基板这些方面考虑,可以优选使用铝硅酸盐玻璃。若为无定形的铝硅酸盐玻璃则进一步优选。
对本实施方式的磁盘用玻璃基板的组成不作限定,但本实施方式的玻璃基板优选为由如下组成构成的无定形的铝硅酸盐玻璃:换算成氧化物基准,以摩尔%表示,含有50%~75%的SiO2;1%~15%的Al2O3;合计为5%~35%的选自Li2O、Na2O和K2O中的至少1种成分;合计为0%~20%的选自MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO中的至少1种成分;以及合计为0%~10%的选自ZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5和HfO2中的至少1种成分。
本实施方式的玻璃基板优选为例如由如下组成构成的无定形的铝硅酸盐玻璃:以质量%表示,含有57%~75%的SiO2;5%~20%的Al2O3(其中,SiO2和Al2O3的总量为74%以上);合计超过0%且在6%以下的ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3以及TiO2;超过1%且在9%以下的Li2O;5%~28%的Na2O(其中,质量比Li2O/Na2O为0.5以下);0%~6%的K2O;0%~4%的MgO;超过0%且在5%以下的CaO(其中,MgO与CaO的总量为5%以下,而且CaO的含量多于MgO的含量);以及0%~3%的SrO+BaO。
本实施方式的玻璃基板例如可以为下述结晶化玻璃,其特征在于,以氧化物基准的质量%计,含有45.60%~60%的SiO2、7%~20%的Al2O3、1.00%~小于8%的B2O3、0.50%~7%的P2O5、1%~15%的TiO2、和总量为5%~35%的RO(其中R为Zn和Mg)的各成分,CaO的含量为3.00%以下,BaO的含量为4%以下,不含有PbO成分、As2O3成分和Sb2O3成分及Cl-、NO-、SO2-、F-成分,作为主结晶相,含有选自RAl2O4、R2TiO4、(其中R为选自Zn、Mg中的一种以上)中的一种以上,主结晶相的结晶粒径为0.5nm~20nm的范围,结晶度为15%以下,比重为2.95以下。
本实施方式的磁盘用玻璃基板的组成可以如下:作为必要成分,包含SiO2、Li2O、Na2O、以及选自由MgO、CaO、SrO和BaO组成的组中的一种以上的碱土金属氧化物,CaO的含量相对于MgO、CaO、SrO和BaO的总含量的摩尔比(CaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))为0.20以下,玻璃化转变温度为650℃以上。这种组成的磁盘用玻璃基板适合于在能量辅助磁记录用磁盘中所用的磁盘用玻璃基板。
本实施方式中的磁盘用玻璃基板为圆环状的薄板的玻璃基板。无论磁盘用玻璃基板的尺寸如何,例如,作为公称直径2.5英寸的磁盘用玻璃基板是合适的。
图1A和图1B示出本实施方式的磁盘用玻璃基板G。图1A是磁盘用玻璃基板G的俯视图,图1B是磁盘用玻璃基板G的板厚方向的截面图。
磁盘用玻璃基板G具备一对主表面11p、12p、形成于外周侧端部的侧壁面11w、以及介于侧壁面11w与主表面11p、12p之间的倒角面11c、12c。
玻璃基板G在中心部具有圆孔。侧壁面11w包含玻璃基板G的板厚方向的中心位置32(参照图2)。图2是说明玻璃基板G的外周端面的圆筒度的测定方法的图,表示玻璃基板G的外周端面的板厚方向的截面。对倒角面11c、12c相对于主表面11p、12p的倾斜角度不作限定,例如为45°。另外,侧壁面11w和倒角面11c、12c的边界不限定为具有图示那样的边缘的形状,也可以为光滑地连续的曲面状。
本实施方式的磁盘用玻璃基板G中,板厚方向的中心位置32处的侧壁面11w的正圆度为1.5μm以下,圆筒度为5μm以下。图3是说明玻璃基板G的外周端面的圆筒度的测定方法的图,示出包括上述中心位置32在内的、在板厚方向上不同的多个位置31、32、33的侧壁面11w的多个轮廓线31a、32a、33a(参照图3)。如图3所示,圆筒度是指这些轮廓线的内切圆C1和外切圆C2(参照图3)的半径之差R。需要说明的是,这样的半径之差R所指的评价指标越接近零,则可以说外周端面的形状越接近几何学圆筒,因此本说明书中将上述评价指标称为“圆筒度”。
(正圆度)
正圆度的测定方法可以为公知的方法。例如,将比玻璃基板的板厚更长的板状探针按照与外周端面相对的方式配置于与玻璃基板的主表面垂直的方向,使玻璃基板在圆周方向旋转,从而取得轮廓线,可以将该轮廓线的内切圆与外切圆的半径之差作为玻璃基板的正圆度算出。需要说明的是,正圆度的测定中例如可以使用正圆度·圆筒形状测定装置。
侧壁面11w的正圆度的调节例如通过后述说明的端面磨削加工和根据需要进行的利用了磁性粘性流体(MagnetoRheological Fluid;下文中简称为“MRF”)的端面研磨来进行。
(圆筒度)
如图2所示,侧壁面11w的圆筒度利用在侧壁面11w在板厚方向上不同的多个测定位置31、32、33所取得的各轮廓线求出。测定位置32为玻璃基板G的板厚方向的中心位置。测定位置31、33例如为沿板厚方向相距测定位置32为200μm的位置。需要说明的是,本实施方式中,侧壁面11w上的多个测定位置为3处。在板厚为0.635mm以下的情况下;及由于倒角量大等原因,由上述测定位置的决定方法得到的测定位置31和33从侧壁面上偏离的情况下,也可以将在板厚方向上与测定位置32分别距离100μm的位置作为测定位置31、33。测定位置的个数也可以多于3。
作为用于测定各测定位置31~33处的玻璃基板G的外周端面的形状的测定装置,使用在侧壁面11w的测定位置31~33可区别取得各轮廓线31a、32a、33a的测定装置。测定装置可以使用与上述正圆度同样的测定装置。触针优选使用例如尖端的曲率半径为以下等的曲率半径比较小的小孔用测头。测定时,触针3按照与玻璃基板G的测定壁11w的各测定位置31~33相对的方式进行配置,对每一处依次进行测定。
在与各测定位置31~33相对地配置触针3的状态下,使玻璃基板G旋转一周,由此取得各测定位置31~33的轮廓线31a~33a。并且,基于由重叠所取得的3个轮廓线31a~33a所得到的轮廓线、通过最小二乘法所求出的中心O,与上述正圆度时同样地决定与最外侧接触的外切圆C2和与最内侧接触的内切圆C1。然后,将这些外切圆C2和内切圆C1的半径之差R作为侧壁面11w的圆筒度求出。
侧壁面11w的圆筒度例如通过后述的端面磨削加工和根据需要进行的利用了MRF的端面研磨来进行调节。
(形状评价值)
参照图4和图5,对玻璃基板G的形状评价值进行说明。形状评价值是指用于评价玻璃基板G的外周的侧壁面和倒角面的同轴程度的指标值。
图4和图5是说明本实施方式的磁盘用玻璃基板G的外周端面的形状评价值的测定方法的图。图4示出玻璃基板G的外周端面的板厚方向的截面。对倒角面11c、12c相对于侧壁面11w的倾斜角度不作特别限制,例如为40°~70°。另外,侧壁面11w和倒角面11c、12c的边界不限定为具有图示那样的边缘的形状,也可以为光滑地连续的曲面状。
关于形状评价值,分别取得在侧壁面11w上的板厚方向距离200μm的两点位置37、38处的圆周方向的轮廓线,将由这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆37c、38c的中心37o、38o间的中点作为中点A,同时进一步在两个倒角面11c、12c上的板厚方向长度的中心的位置34、35分别取得圆周方向的轮廓线,在由这些轮廓线求出的最小二乘圆34c、35c的中心34o、35o中,将由一个倒角面11c求出的中心34o作为中心B,将由另一个倒角面12c求出的中心35o作为中心C时,形状评价值为中点A和中心B间的距离a与中点A和中心C间的距离b的合计。玻璃基板G的形状评价值优选为1.0μm以下。更优选为0.5μm以下。
侧壁面11w上的两个位置37、38例如为从玻璃基板G的板厚方向的中心位置起向主表面11p、12p侧各距离100μm的位置。用于取得倒角面11c、12c的轮廓线的测定位置34、35例如为从主表面11p、12p起分别向板厚方向的中心位置侧等距离靠近的位置(例如,在玻璃基板G的倒角面的板厚方向长度为0.15mm的情况下,从玻璃基板G的主表面11p、12p起向中心位置各靠近0.075mm的位置)。
作为用于在各测定位置37、38、34、35测定外周端面的形状的测定装置,例如可以使用正圆度·圆筒形状测定装置。正圆度·圆筒形状测定装置的触针3可以在上下方向(板厚方向)以微米单位移动。
需要说明的是,在测定之前,利用千分尺预先测定玻璃基板G的板厚。另外,利用轮廓形状测定机预先测定半径方向的截面的倒角面的形状、板厚方向和半径方向的各长度、相对于主表面的角度、以及侧壁面的长度。关于倒角面与侧壁面的边界的位置,在任一外形线均为直线状的情况下,利用侧壁面的延长线与倒角面的延长线的交点可确定倒角面与侧壁面的边界的位置。在倒角面或侧壁面的外形线为圆弧状的情况下,例如,用与该外形线最好地重叠的一个圆进行近似,利用与所求出的圆的交点来确定。
在测定时,按照玻璃基板G的主表面与正圆度·圆筒形状测定装置的基准面水平的方式,进而按照玻璃基板G的中心与测定装置的旋转中心重合的方式,将玻璃基板G设置于测定装置中。另外,使触针3的尖端的在测定时与玻璃基板G接触的位置与设置于测定装置中的玻璃基板G的上侧的主表面的高度重合。在该状态下,将触针3在板厚方向降低板厚的一半的距离时,则触针3配置于玻璃基板G的板厚的中央的高度。并且,在将触针3从板厚的中央提高100μm的点37、以及从板厚的中央降低100μm的点38处,测定玻璃基板G的外周端部的轮廓线。由这些轮廓线决定侧壁面11w的两个最小二乘圆37c、38c的中心37o、38o,进而决定这两个中心37o、38o间的中点A。
另外,触针3的位置按照达到两个倒角面在各自的板厚方向上的中间高度的方式进行设定,在各自的位置34、35测定玻璃基板G的外周端部的轮廓线。基于这些轮廓线,决定倒角面11c、12c的最小二乘圆34c、35c的中心B、C。接下来,对中点A和中心B间的距离a与中点A和中心C间的距离b进行合计,从而求出形状评价值。
需要说明的是,关于倒角面的板厚方向的高度的中间的位置34、35,在考虑上述具有直径不同的三个圆筒的结构体的情况下,认为是最好地表示出与倒角面部分相当的圆筒的偏心程度的点。另外,认为该位置是对倒角面附近的空气流动产生最多影响的点。基于这些理由,优选在该位置测定轮廓线。
对于由侧壁面11w和倒角面11c、12c决定的形状评价值,例如通过后述的端面磨削加工和根据需要进行的使用MRF的端面研磨来调节。
以上的磁盘用玻璃基板G的正圆度和圆筒度极小。因此,外周侧端部的气流难以产生紊乱,可抑制颤动。由此,外周侧端部的对伺服信息的追随性得以保持。特别是,如采用叠加写入方式的磁盘那样在轨道记录密度高的情况下,严格地要求对于伺服信息的追随性,但可以将该玻璃基板G适当地用于磁盘。
关于圆筒度小而使伺服信息的读取稳定的理由,可考虑如下。在玻璃基板G的外周端部的正圆度大的情况下,磁盘的外周端面在水平方向(表面方向)挤出的空气的量发生变动,因此容易引起较大的气流紊乱。但是,外周端面的正圆度极小时,难以发生这种较大的气流紊乱。在外周端面的正圆度极小的状况下,代替水平方向的气流,在玻璃基板G的外周端部与HDD内壁的间隙,空气如何跨越磁盘并在板厚方向平稳流动很重要。
根据本发明人的研究可知,在HDD的内部,在HDD内壁与磁盘的外周端面之间的间隙中恒定地存在板厚方向的空气流动,若打乱该流动而产生不规则的现象,则会发生颤动,磁头的悬浮变得不稳定。相反地,玻璃基板G的外周端面的圆筒度小时,在HDD内壁与磁盘的外周端面之间的间隙中,板厚方向的空气恒定地平稳流动,难以发生颤动。
如上所述,在轨道记录密度极高的HDD中,HDD内部的空气流动的紊乱在改善磁头对伺服信息的追随性方面很重要。由于这种空气紊乱,使得颤动变大。该空气紊乱包括周期性地(恒定地)发生的紊乱、和突然发生的紊乱这两种。其中,关于周期性地发生的紊乱,很多情况下通过改变HDD的设计可以消除;但关于突然发生的紊乱,通过改变HDD的设计无法改善,因此要求试图通过其他手段来降低。本发明人发现,玻璃基板G的外周端面会引起通过变更HDD的设计而无法解决的空气流动的紊乱,以致于形成外周端面的圆筒度极小的玻璃基板G。
本实施方式的玻璃基板G的板厚例如为0.8mm、0.635mm,并且例如为0.5mm以下。玻璃基板G在用于磁盘的情况下,板厚越薄则越容易发出咔嗒声,颤动越容易变大。但是,如上所述,玻璃基板G的圆筒度为5μm以下,因此在用于磁盘的情况下,可抑制外周侧端部的气流紊乱,可抑制颤动。
本实施方式的玻璃基板G进一步优选形状评价值极小、外周端面的形状难以产生气流紊乱的玻璃基板。形状评价值变小时,在用于磁盘的情况下,能够进一步抑制颤动。由此,HDD内的磁头对伺服信息的追随性变得更好。
在将叠加写入方式或能量辅助磁记录用的磁盘等、特别是形成有轨道记录密度为500kTPI(track per inch)以上的磁性层的磁盘组装入HDD中时,在产生了磁盘颤动的情况下,HDD的磁头对伺服信息的追随性有时会变差,因此,本实施方式的磁盘用玻璃基板适合于上述具备高记录密度的磁盘。
本实施方式的玻璃基板G优选被称为Duboff值的主表面上的外周端部的评价指标为30nm以下。另外,Duboff值优选大于0。Duboff值是指,在玻璃基板G的半径方向上的主表面的廓线中,测定半径31.2mm~32.2mm的2点间的廓线,用假想直线连结上述2点时,从该假想直线至玻璃基板G的主表面的廓线为止的最大距离即为Duboff值。需要说明的是,在比较假想直线和主表面的廓线时,假想直线位于板厚方向的中心侧的情况下,Duboff值以正值表示。相反,在主表面轮廓线位于板厚的中心侧的情况下,Duboff值以负值表示。该值越接近0,则最外周附近的主表面的形状越平坦、良好,磁头稳定地悬浮。因此,在正圆度和圆筒度极小的同时,可得到HDD中的磁头对伺服信号的追随性更加良好的效果。Duboff值的测定例如可以使用光学式的表面形状测定装置进行。需要说明的是,对于本案的Duboff值而言,测定与现有的测定范围相比更外周侧的区域。由此,与以往相比能够高精度地评价端部形状的差异。
本实施方式的玻璃基板G优选外周侧端部的最外周侧的主表面的纳米波纹度(NW-Rq)为以下。此处,纳米波纹度可以用RMS(Rq)值表示,该RMS(Rq)值作为半径30.5mm~31.5mm的区域中的波长带域50~200μm的粗糙度算出,例如,可以使用激光式的表面形状测定装置进行测定。
这样,磁头的悬浮进一步稳定。因此,此处也是在正圆度和圆筒度极小的同时,可得到HDD中的磁头对伺服信号的追随性良好的效果。
[磁盘用玻璃基板的制造方法]
下面,关于本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法,对每个工序进行说明。但是,各工序的顺序可适当更换。
(1)玻璃基板的成型和粗磨削工序
例如通过浮法形成板状玻璃后,从该板状玻璃切出成为磁盘用玻璃基板的基础的规定的形状的玻璃基板。例如也可以通过使用了上模和下模的模压成型来使玻璃基板成型,以代替浮法。需要说明的是,玻璃基板不限于这些方法,还可以采用下拉法、再拉法、熔融法等公知的制造方法进行制造。
需要说明的是,根据需要,也可以对玻璃基板的两个主表面进行采用游离磨粒的粗磨削加工。
(2)圆孔形成工序
利用圆筒状的钻头,在圆盘状玻璃基板的中心部形成内孔,形成圆环状的玻璃基板。需要说明的是,也可以利用金刚石切割器等进行划线。
(3)端面磨削工序
接着,进行对于圆环状的玻璃基板的端面的磨削加工。对于玻璃基板的端面的磨削加工是为了对玻璃基板的外周侧端部和内周侧端部形成倒角面而进行的。对于玻璃基板的外周侧端面的磨削加工例如可以为由使用了金刚石磨粒的成型磨石进行的公知的倒角加工。
玻璃基板的外周侧端面的磨削加工是利用下述磨削加工进行的,其中,按照与玻璃基板的端面抵接的磨石的轨迹不是一定的方式,使玻璃基板的端面与磨石接触,由此进行上述磨削加工。关于对于玻璃基板的外周侧端面的磨削加工,参照图6A和图6B在下文中进行说明。
图6A和图6B是示出对于玻璃基板的外周侧端面的加工方法的图。图6B是示出图6A的Y-Y截面的图。
如图6A和图6B所示,在玻璃基板G的外周侧端面的磨削加工中所用的磨削磨石41整体形成为圆环状,并且具有槽43。槽43按照能够对玻璃基板G的外周侧的侧壁面11w和倒角面11c这两个面同时进行磨削加工的方式而形成,具体地说,槽43具备由侧壁部43a及在其两侧存在的倒角部43b、43b构成的槽形状。关于上述槽43的侧壁部43a和倒角部43b,考虑玻璃基板G的磨削加工面的完成目标的尺寸形状,从而形成为特定的尺寸形状。
在玻璃基板的外周侧端面的加工中,在相对于形成于磨削磨石41的槽43的槽方向使玻璃基板G倾斜的状态、即相对于磨削磨石41的旋转轴46使玻璃基板G的旋转轴45仅倾斜角度α的状态下,一边使磨削磨石41接触玻璃基板G的外周侧端面11w,一边使玻璃基板G和磨削磨石41两者旋转,进行磨削加工。由此,与玻璃基板G的外周侧端面抵接的磨削磨石41的轨迹不是一定的,在该状态下,磨削磨石41的磨粒在基板端面上抵接并作用于随机的位置,因此对基板的损害少,磨削加工面的表面粗糙度及其面内偏差也减小,可以更平滑地、即以应对更高品质要求的水平的品位完成磨削加工面。进而还具有提高磨石寿命的效果。
另外,参照图6A可知,磨削磨石41与玻璃基板G的接触状态是磨削磨石41的槽43与玻璃基板G的外径弧的面接触状态,磨削磨石41与玻璃基板G的接触面积增加。因此,延长磨削磨石41对于玻璃基板G的接触长度(切割刀刃长度),可以使磨粒的锋利度持续。因此,在利用对加工面品位有利的微细磨粒磨石进行磨削加工的情况下,也可以确保稳定的磨削性,可以稳定地得到由塑性模式主体的磨削加工产生的良好的磨削面品位(镜面品位)。并且,通过使磨削磨石的锋利度持续,稳定地确保实现塑性模式的磨削性,可以确保玻璃基板的外周侧端面的由倒角加工所产生的良好的尺寸形状精度。
上述的玻璃基板G相对于磨削磨石41的槽方向的的倾斜角度α可以任意设定,为了更好地发挥上述作用效果,例如优选为2~8度的范围内。磨削加工中所用的磨削磨石41优选用树脂(resin)结合了金刚石磨粒的磨石(树脂结合磨石)。金刚石磨石的号数优选为#2000~#3000。
磨削磨石41的圆周速度例如为800m/分钟~1000m/分钟,玻璃基板G的圆周速度为10m/分钟左右。另外,磨削磨石41的圆周速度相对于玻璃基板G的圆周速度之比(圆周速度比)优选为80~200的范围内。
此外,上述树脂结合磨石的磨石弹性模量优选为2000~3000[N/mm]的范围内。关于磨石弹性模量,在树脂结合磨石的情况下,为与金刚石磨粒与树脂的结合强度具有关联的指标。
发明人利用各种特性的树脂结合磨石进行外周侧端面的磨削加工,并观察了玻璃基板的端面的加工品质,结果发现,树脂结合磨石中的金刚石磨粒与树脂的结合强度对上述磨削加工后的玻璃基板的外周端面的侧壁面的圆筒度会产生较大影响。即,可知:若利用磨石弹性模量过高的树脂结合磨石进行外周端面的磨削加工,则虽然加工速率良好,但表面容易产生瑕疵,侧壁面的圆筒度变差;若使用磨石弹性模量过低的树脂结合磨石进行外周侧端面的磨削加工,则侧壁面的圆筒度良好,但加工速率显著降低。换言之,通过变化磨石弹性模量,可以调节玻璃基板的侧壁面的圆筒度。其结果,可知磨石弹性模量的范围优选上述范围。通过在上述范围内,可以将磨削加工后的外周侧端面形成准镜面,因此在其后的端面研磨工序中可以减少加工余量,可以在维持高表面品质的同时,提高包括侧壁面的圆筒度在内的端部的形状精度。
例如使用抗弯强度测定试验机,测定以特定的负荷(例如15kgf)对磨石的表面挤压HRF压头时的变位,由此可以计算出磨石弹性模量。
(4)端面研磨工序
接着,进行对于圆环状的玻璃基板的端面的研磨加工。对于玻璃基板的端面的研磨加工是为了使对于玻璃基板的外周侧和内周侧端面(侧壁面和倒角面)的表面性状良好而进行的。
本实施方式中,对于玻璃基板的外周侧端面,实施了使用MRF的端面研磨。在使用MRF的端面研磨中,通过沿着磁力线保持磁性浆料而形成磁性浆料的块,使该块与玻璃基板的外周端面接触并相对移动,由此进行玻璃基板的外周侧的端面的研磨。在使用MRF的端面研磨中,能够同时对侧壁面和倒角面进行研磨。使用MRF的端面研磨中的加工余量例如为1μm~5μm左右。
关于玻璃基板的内周侧端面,使用包含氧化铈磨粒作为研磨磨粒的浆料(游离磨粒)进行刷光研磨。需要说明的是,对于玻璃基板的内周侧端面,也可以实施使用MRF的端面研磨,以此来代替刷光研磨。
下面,对玻璃基板的外周侧端面的使用MRF的端面研磨进行详细说明。图7A~图7C和图8是说明通过使用MRF的端面研磨对玻璃基板的外周侧端面进行的研磨方法的一例的图。
进行使用MRF的端面研磨的装置20利用产生磁力的单元和磁性浆料进行玻璃基板的端面研磨。磁性浆料中使用了磁粘性流体和作为研磨磨粒的例如氧化铈或氧化锆等的微粒。磁粘性流体采用了例如含有非极性油和表面活性剂的流体,所述非极性油含有3g/cm3~5g/cm3的由0.1μm~10μm的Fe构成的磁性体微粒。非极性油或极性油例如在室温(20℃)下且在非磁化状态下具有1~20(Pa·秒)的粘度。
对进行使用MRF的端面研磨的装置20的概要进行说明,如图7A所示,装置20包含作为永久磁铁的一对磁铁22、24、隔离件26以及由非磁体例如不锈钢构成的圆筒形状的管28。磁铁22、24和隔离件26内置于管28内。作为使用MRF的端面研磨的对象的玻璃基板被未图示的保持工具把持。使管28相对地配置于被保持工具把持的玻璃基板的外周部,使后述的磁性浆料的块30(参照图7C、图8)与玻璃基板的外周端面接触。使通过该管28内的磁铁22、24形成的块30与玻璃基板的外周端面在接触的状态下相对移动,由此进行玻璃基板的外周端面的研磨。装置20的管28和保持玻璃基板的未图示的保持工具与未图示的驱动电机机械连接。使管28和保持工具旋转,从而使玻璃基板的端面与块30相对移动,由此使它们以例如500rpm~2000rpm相对旋转,从而能够对玻璃基板的外周端面进行研磨。需要说明的是,也可以将各个管28和保持工具固定,仅使玻璃基板进行旋转,由此使玻璃基板的端面与块30相对移动。
更具体地说明使用MRF的端面研磨,磁铁22和磁铁24相互接近而作为磁力产生单元发挥功能,形成如图7B所示的磁力线29。该磁力线29以从磁铁22、24的中心向外侧突出的方式行进,而且在玻璃基板的厚度方向上行进。例如为了在管28的外周形成如图7C所示的磁性浆料的块30,在磁铁22、24之间设置由非磁体构成的隔离件26。
磁力产生单元的磁通密度只要设定为可形成磁性浆料的块30的程度即可,但是,考虑到高效地进行端面研磨这一点,优选为0.3特斯拉~5特斯拉。
需要说明的是,在图7A~图7C以及图8所示的例子中,虽然采用永久磁铁作为磁力产生单元,但也可以采用电磁铁。另外,也可以不使用隔离件26,而是将磁铁22、24固定在管28中,确保磁铁22的N极的端面与磁铁24的S极的端面之间的分开距离固定。
作为在磁性浆料中含有的研磨磨粒,可采用氧化铈、胶态二氧化硅、氧化锆、氧化铝磨粒、金刚石磨粒等公知的玻璃基板的研磨磨粒。研磨磨粒的粒径例如为0.5μm~3μm。通过采用该范围的研磨磨粒,能够良好地对玻璃基板的外侧端面进行研磨。在磁性浆料中例如含有1vol%~20vol%的研磨磨粒。
通过进行使用了MRF的端面研磨,可以进行除去在玻璃基板的端面附着灰尘等的污染、伤痕等的损伤。因此,可以防止热粗糙的产生、防止产生钠、钾等的导致腐蚀的离子析出。此外,还能够极大地减小表面的粗糙度或起伏,并且可以提高包括玻璃基板的侧壁面的圆筒度在内的端部的形状精度。
(5)精磨削工序
在精磨削工序中,使用双面磨削装置对玻璃基板的主表面进行磨削加工。双面磨削装置具有上下成一对的定盘(上定盘以及下定盘),在上定盘和下定盘之间夹持有玻璃基板。并且,通过对上定盘或下定盘中的任意一方或双方进行移动操作,来使玻璃基板和各定盘相对移动,由此能够对该玻璃基板的两主表面进行磨削。在精磨削工序中,例如除了金刚石的固定磨粒外,还可以使用游离磨粒。
(6)第1研磨(主表面研磨)工序
接着,对进行了磨削的玻璃基板的主表面实施第1研磨。第1研磨的目的是通过精磨削来去除残留在主表面上的伤痕、变形,并调整表面凹凸(微小波纹度、粗糙度)。
在第1研磨工序中,使用具备行星齿轮机构的双面研磨装置进行对于玻璃基板的主表面的研磨。双面研磨装置具有上定盘和下定盘。在下定盘的上表面和上定盘的底面上安装有平板的研磨垫(树脂抛光材料)。收纳于载具上的一个或多个玻璃基板被夹持在上定盘与下定盘之间,利用行星齿轮机构使上定盘和下定盘中的任意一方或双方进行移动操作,来使玻璃基板和各定盘相对移动,由此能够对该玻璃基板的两主表面进行磨削。树脂抛光材料优选为聚氨酯制的材料。另外,硬度优选以ASKER C硬度表示为70~100。
在上述相对运动的动作中,上定盘被以规定负荷朝向玻璃基板(即在铅垂方向上)按压,研磨垫被朝向玻璃基板按压,同时研磨液被供给至玻璃基板与研磨垫之间。通过该研磨液中含有的研磨剂,对玻璃基板的主表面进行研磨。研磨剂例如为氧化铈或氧化锆。研磨剂的平均粒径优选为0.3μm~3μm。
(7)化学强化工序
接着,对第1研磨工序后的玻璃基板进行化学强化。
作为化学强化液,可以使用例如硝酸钾和硫酸钠的混合液等,通过将玻璃基板浸渍到化学强化液中而进行。
这样,通过将玻璃基板浸渍到化学强化液中,玻璃基板的表层的锂离子和钠离子分别被化学强化液中的离子半径相对大的钠离子和钾离子所取代,玻璃基板得到强化。
(8)第2研磨(最终研磨)工序
接着,实施第2研磨。第2研磨的目的为主表面的镜面研磨。在第2研磨中,例如使用与第1研磨中所用的装置同样的研磨装置。此时,与第1研磨的不同之处在于,游离磨粒的种类和粒子尺寸不同,以及树脂抛光材料的硬度不同。树脂抛光材料的硬度优选以ASKER C硬度表示为60~90。另外,优选发泡聚氨酯制、绒面革型的材料。
作为用于第2研磨的游离磨粒,例如采用在浆料中混合的胶态二氧化硅等的微粒(颗粒尺寸:直径10nm~100nm左右)。由此,可以进一步降低玻璃基板的主表面的表面粗糙度,可以将端部形状调整到优选的范围。
通过对研磨后的玻璃基板进行清洗,得到磁盘用玻璃基板。
[磁盘]
磁盘使用磁盘用玻璃基板如下获得。
磁盘例如为这样的结构:在磁盘用玻璃基板(下文中简称为“基板”)的主表面上,从接近主表面的一方依次至少层叠有附着层、基底层、磁性层(磁记录层)、保护层、润滑层。
例如将基板导入已进行了抽真空的成膜装置内,利用DC磁控溅射法在Ar气氛中,在基板的主表面上从附着层依次成膜至磁性层。作为附着层例如可采用CrTi,作为基底层例如可采用CrRu。作为磁性层,例如可采用CoPt系列合金。另外,也可以形成L10有序结构的CoPt系合金或FePt系合金来构成热辅助磁记录用的磁性层。在上述成膜后,例如通过CVD法并使用C2H4来形成保护层,然后对表面进行导入氮气的氮化处理,由此能够形成磁记录介质。之后,例如通过浸渍涂布法在保护层上涂布PFPE(全氟聚醚),由此能够形成润滑层。
所制作的磁盘优选安装在作为磁记录再现装置的HDD(Hard Disk Drive:硬盘驱动器)中,该磁盘驱动装置具备搭载有DFH(Dynamic Flying Height:动态飞行高度)控制机构的磁头、和用于固定磁盘的轴。
[实施例、比较例]
为了确认本实施方式的磁盘用玻璃基板的效果,由所制造出的磁盘用玻璃基板制作了2.5英寸的磁盘(外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm)。所制作的磁盘用玻璃基板的玻璃的组成如下所述。
(玻璃的组成)
SiO2 65摩尔%、Al2O3 6摩尔%、Li2O 1摩尔%、Na2O 9摩尔%、MgO 17摩尔%、CaO0摩尔%、SrO 0摩尔%、BaO 0摩尔%、ZrO2 2摩尔%
需要说明的是,该无定形的铝硅酸盐玻璃为:相对于MgO、CaO、SrO和BaO的总含量,CaO的含量的摩尔比(CaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))为0,玻璃化转变温度为671℃。
[实施例、比较例的磁盘用玻璃基板的制作]
按照顺序进行本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法的各工序,由此制作了实施例的磁盘用玻璃基板。
这里,
(1)的玻璃基板的成型采用了模压成型方法。在粗磨削中使用了游离磨粒。
在(3)的端面磨削工序中,首先,对于玻璃基板的外周侧端面,通过使用金刚石磨粒的成型磨石进行了倒角加工。然后,进一步使用其他的成型磨石,按照与玻璃基板的端面抵接的磨石的轨迹不是一定的方式,一边使玻璃基板的端面与磨石接触,一边将端部的表面加工成准镜面,进行磨削加工。
在对于玻璃基板的外周侧端面的第2阶段的磨削加工中,使用#2500的金刚石磨粒的树脂结合磨石,使玻璃基板相对于磨削磨石的槽方向的倾斜角度(图6A的α)为5度,对其他条件适当调整,从而进行。
在(4)的端面研磨工序中,对玻璃基板的外周侧端面进行使用MRF的端面研磨,对玻璃基板的内周侧端面,使用包含氧化铈磨粒作为研磨磨粒的浆料而进行刷光研磨。在使用MRF的端面研磨中,研磨浆料采用了氧化铈磨粒分散于磁性流体中而成的浆料,该磁性流体是使Fe的微粒分散于非磁性油中而成的。实施例中使用的磁铁均使用了具有3特斯拉的磁通密度的永久磁铁。
在(5)的精磨削中,使用在定盘上粘贴有磨削垫的磨削装置进行磨削,该磨削垫用树脂固定了金刚石磨粒。
在(6)的第1研磨中,使用具备行星齿轮的双面研磨装置进行研磨。使用了包含平均粒径1.5μm的氧化铈磨粒的浆料和作为研磨垫的硬质聚氨酯垫(ASKER C硬度:85)。
在(7)的化学强化中,使用了硝酸钾与硝酸钠的混合熔融液作为化学强化液。
在(8)的第2研磨中,使用与第1研磨同样的研磨装置,并使用混合了平均粒径50nm的胶态二氧化硅的微粒的浆料和绒面革型的发泡聚氨酯的研磨垫(ASKER C硬度:65)进行研磨。清洗第2研磨后的玻璃坯板,得到磁盘用玻璃基板。
经过上述工序,如表1所示制作了比较例和实施例的磁盘用玻璃基板。如表1所示,在比较例和实施例的磁盘用玻璃基板中,外周端面的侧壁面的正圆度和圆筒度分别不同。对于侧壁面的正圆度和圆筒度不同的玻璃基板,主要通过适当改变在对于外周侧端面的磨削加工中使用的树脂结合磨石的磨石弹性模量,从而可分别制作。
将比玻璃基板的板厚更长的板状探针配置于与玻璃基板的主表面垂直的方向,从而取得轮廓线,由此测定磁盘用玻璃基板的侧壁面的正圆度。图2所示那样计算出侧壁面的圆筒度。即,取得侧壁面的板厚方向的中心位置、以及与中心位置上下距离200μm的位置的轮廓线,求出这三个轮廓线的内切圆的半径,接下来求出三个轮廓线的内切圆的半径中的最大值与最小值之差,将该半径之差作为侧壁面的圆筒度。所有的测定均使用正圆度·圆筒形状测定机进行。
[评价方法]
准备比较例和实施例的磁盘用玻璃基板,形成磁性层等,制作磁盘。将该磁盘与DFH头一起安装在盘片转速为7200rpm的2.5英寸型HDD中,以500kTPI的轨道密度记录磁信号后,在半径位置30.4mm~31.4mm的区域进行伺服信号的读取试验。
[评价基准]
对HDD的伺服信号的读取错误次数进行评价。结果示于表1。若计数为30以下则在实际使用上合格。
【表1】
正圆度(μm) | 圆筒度(μm) | 错误数 | |
比较例1 | 5.6 | 8 | 97 |
比较例2 | 1.5 | 8 | 52 |
比较例3 | 1.1 | 8 | 51 |
比较例4 | 1.5 | 6 | 38 |
实施例1 | 1.5 | 5 | 22 |
实施例2 | 1.5 | 3 | 13 |
实施例3 | 1.1 | 3 | 13 |
实施例4 | 1.4 | 4 | 17 |
实施例5 | 0.9 | 2 | 10 |
另外,准备如表2那样改变了板厚的样品,与上述同样地进行评价。结果示于表2。需要说明的是,所有样品中正圆度均为1.5μm以下。
【表2】
圆筒度(μm) | 板厚(mm) | 错误数 | |
实施例1 | 5 | 0.635 | 22 |
实施例6 | 5 | 0.5 | 24 |
比较例2 | 8 | 0.635 | 52 |
比较例5 | 8 | 0.5 | 110 |
由表1的评价结果可以确认,在正圆度大幅超过1.5μm的情况下(比较例1),伺服信号的读取错误数多。另外确认到,即使正圆度为1.5μm以下,在圆筒度超过5μm的情况下(比较例2~4),错误数也未充分减少。另一方面,在圆筒度为5μm以下的情况下(实施例1~5),错误数减少至合格水平。特别是,在圆筒度为3μm以下的情况下(实施例2、3、5),得到了良好的结果。
另外,由表2的评价结果可知,在圆筒度为5μm以下的情况下,即使板厚为0.5mm(实施例6),伺服信号的读取也可维持合格水平,即使板厚薄,磁头对于伺服信号的追随性也几乎不会变差。另一方面可知,在圆筒度超过5μm的情况下,板厚为0.5mm时(比较例5),伺服信号的读取显著紊乱,磁头对于伺服信号的追随性变得极差。
接着,制作实施例7~12的磁盘用玻璃基板。关于实施例7~9,基于实施例1的制造条件进行制作;关于实施例10~12,基于实施例3的制造条件进行制作。此时,通过在上述范围适当调整玻璃基板相对于磨削磨石的槽方向的倾斜角度(图6A的α)及其他因素(磨石的号数、磨石或玻璃基板的圆周速度),从而分别制作外周端面的形状评价值不同的玻璃基板。倾斜角度越大,则磨削后的表面品质越高,可以降低之后的研磨的加工余量,因而可以改善形状评价值。
制作在所得到的磁盘用玻璃基板上形成有磁性层的磁盘。之后,对于各个磁盘,使用激光多普勒测振仪进行颤振的评价。在颤振的评价中,首先将磁盘安装至转速为7200rpm的硬盘驱动器(HDD)的轴上,由激光多普勒测振仪向旋转中的磁盘的主表面照射激光。接着,激光多普勒测振仪接受磁盘反射的激光,由此取得磁盘的板厚方向的振动值。将该振动值称为颤振特性值。
更详细来说,如下所述。
在颤振特性值的测定中,将磁盘安装至2.5英寸型HDD的轴上并旋转磁盘,由激光多普勒测振仪向旋转中的磁盘的主表面照射激光。需要说明的是,为了避免受到外部空气的影响,牢固地安装罩,在HDD的罩上开出激光照射用的孔。接着,激光多普勒测振仪接受磁盘反射的激光,从而测定磁盘的板厚方向的振动量作为颤振特性值。此时,在以下的条件下测定颤振特性值。
·HDD和测定系统的环境:在恒温恒湿腔室内将温度维持在25℃
·磁盘的转速:7200rpm
·激光的照射位置:在半径方向上距离磁盘的中心31mm(距离外周端1.5mm)的位置
·HDD的壳体的光盘安装部的内壁直径的最小值:65.880mm
[评价基准]
关于对所测定的颤振特性值的评价结果,按照良好的顺序(即,颤振特性值小的顺序)分成4个水平1~4示出。水平1、2为实际使用上合格。结果示于表3。
水平1:20nm以下
水平2:大于20nm且为30nm以下
水平3:大于30nm且为40nm以下
水平4:大于40nm
【表3】
由表3可知,在形状评价值为1.0μm以下的情况下,颤振特性值为水平1,颤振特性特别良好。认为其原因是,通过使形状评价值小,从而在HDD内壁与磁盘的外周端面之间的间隙中,恒定的板厚方向的空气的流动变得平稳,因此难以发生颤动。
以上,对本发明的磁盘用玻璃基板进行了详细说明,但本发明不限定于上述实施方式,当然也可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良和变更。
Claims (17)
1.一种玻璃基板,其是作为磁盘用玻璃基板的基础的玻璃基板,该磁盘用玻璃基板具备一对主表面、形成于外周侧端部的侧壁面、以及介于上述侧壁面与主表面之间的倒角面,其特征在于,
上述侧壁面的正圆度为1.5μm以下,
将以下3个侧壁面的轮廓线重叠,基于该重叠的轮廓线求出的内切圆和外切圆的半径之差为5μm以下,所述3个侧壁面的轮廓线包括所述基板厚度的中心位置处的所述侧壁面的圆周方向的轮廓线、和分别自所述中心位置沿相反的板厚方向相距特定的距离的2个板厚位置处的所述侧壁面的圆周方向的各轮廓线,
在自所述中心位置沿相反的板厚方向相距200μm的位置位于所述侧壁面上的情况下,将所述特定的距离设为200μm;在自所述中心位置沿相反的板厚方向相距200μm的位置不在所述侧壁面上的情况下,将所述特定的距离设为100μm。
2.如权利要求1所述的玻璃基板,其特征在于,
分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线,将由这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点作为中点A,
在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线,在由这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中,将由一个倒角面求出的中心作为中心B,将由另一个倒角面求出的中心作为中心C时,
中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
3.如权利要求1或2所述的玻璃基板,其特征在于,板厚为0.635mm以下。
4.如权利要求1或2所述的玻璃基板,其特征在于,所述内切圆和外切圆的半径之差为3μm以下。
5.如权利要求3所述的玻璃基板,其特征在于,所述内切圆和外切圆的半径之差为3μm以下。
6.一种磁盘用玻璃基板的制造方法,其特征在于,至少对权利要求1~5任一项所述的玻璃基板的主表面进行研磨处理。
7.一种磁盘的制造方法,其特征在于,至少在由权利要求6所述的方法得到的磁盘用玻璃基板的主表面形成磁性层。
8.一种磁盘用基板,其为具备一对主表面、形成于外周侧端部的侧壁面、以及介于上述侧壁面与主表面之间的倒角面的磁盘用基板,其特征在于,
上述侧壁面的正圆度为1.5μm以下,
上述磁盘用基板的板厚为0.635mm以下,
将以下3个侧壁面的轮廓线重叠,基于该重叠的轮廓线求出的内切圆和外切圆的半径之差为5μm以下,所述3个侧壁面的轮廓线包括所述基板厚度的中心位置处的所述侧壁面的圆周方向的轮廓线、和分别自所述中心位置沿相反的板厚方向相距特定的距离的2个板厚位置处的所述侧壁面的圆周方向的各轮廓线,
在自所述中心位置沿相反的板厚方向相距200μm的位置位于所述侧壁面上的情况下,将所述特定的距离设为200μm;在自所述中心位置沿相反的板厚方向相距200μm的位置不在所述侧壁面上的情况下,将所述特定的距离设为100μm。
9.如权利要求8所述的磁盘用基板,其特征在于,所述内切圆和外切圆的半径之差为3μm以下。
10.如权利要求8或9所述的磁盘用基板,其特征在于,
分别取得在外周侧的侧壁面上的沿板厚方向相距200μm的两点位置处的圆周方向的轮廓线,将由这些轮廓线分别求出的两个最小二乘圆的中心间的中点作为中点A,
在外周侧的两个倒角面上的板厚方向长度的中心的位置分别取得圆周方向的轮廓线,在由这些轮廓线求出的最小二乘圆的中心中,将由一个倒角面求出的中心作为中心B,将由另一个倒角面求出的中心作为中心C时,
中点A和中心B间的距离与中点A和中心C间的距离的合计为1μm以下。
11.如权利要求8或9所述的磁盘用基板,其特征在于,板厚为0.5mm以下。
12.如权利要求10所述的磁盘用基板,其特征在于,板厚为0.5mm以下。
13.如权利要求8或9所述的磁盘用基板,其特征在于,该磁盘用基板被用作叠加写入方式或能量辅助磁记录方式的磁盘用的基板。
14.如权利要求10所述的磁盘用基板,其特征在于,该磁盘用基板被用作叠加写入方式或能量辅助磁记录方式的磁盘用的基板。
15.如权利要求11所述的磁盘用基板,其特征在于,该磁盘用基板被用作叠加写入方式或能量辅助磁记录方式的磁盘用的基板。
16.如权利要求12所述的磁盘用基板,其特征在于,该磁盘用基板被用作叠加写入方式或能量辅助磁记录方式的磁盘用的基板。
17.一种磁盘,其中,在权利要求8~16任一项所述的磁盘用基板的主表面上至少具有磁性层。
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