JP2019532908A - 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 420
- 238000013507 mapping Methods 0.000 title description 7
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 190
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 126
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 153
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 84
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 37
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 30
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 8
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 8
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282575 Gorilla Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007516 diamond turning Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000005021 gait Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
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- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
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- B23K26/073—Shaping the laser spot
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- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
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Abstract
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ、を含み、当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布がその平均ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%または20%以下しか変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、ワークピースをレーザー加工する方法。
Description
本出願は、米国特許法第119条の下、2016年8月30日に出願された米国特許仮出願第62/381,345号に対する優先権の恩典を主張するものであり、なお、本出願は、当該仮出願の内容に依拠し、かつ当該仮出願の全体が参照により本明細書に組み入れられる。本出願は、米国特許法第119条の下、2016年9月30日に出願された米国特許仮出願第62/402,337号に対する優先権の恩典を主張するものでもあり、なお、本出願は当該仮出願の内容に依拠し、かつ当該仮出願の全体が参照により本明細書に組み入れられる。
本開示は、概して、透明材料のレーザー加工、より詳細には、非回折性レーザービームによって形成された焦線によるそのような材料の切断またはそのような材料における穴形成に関する。
本明細書において引用される参考文献はいずれも、先行技術を構成することを承認するものではない。出願人は、引用される全ての文献の正確性および適切性に対する挑戦権を明確に保有する。
本開示の一実施形態は、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップを含み、当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを含む、方法に関する。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、軸対称である。他の実施形態により、当該レーザービーム焦線は、軸対称ではない(例えば、それは、楕円の断面を有し得る)。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、中央スポットまたは中央ローブが軸対称の断面を有する、ガウス−ベッセルビームまたはベッセルビームによって形成される。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、中央スポットまたは中央ローブが非軸対称の断面を有する、ガウス−ベッセルビームまたはベッセルビームによって形成される。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップを含み、当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを含む、方法に関する。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、軸対称である。他の実施形態により、当該レーザービーム焦線は、軸対称ではない(例えば、それは、楕円の断面を有し得る)。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、中央スポットまたは中央ローブが軸対称の断面を有する、ガウス−ベッセルビームまたはベッセルビームによって形成される。いくつかの実施形態により、当該レーザービーム焦線は、中央スポットまたは中央ローブが非軸対称の断面を有する、ガウス−ベッセルビームまたはベッセルビームによって形成される。
いくつかの実施形態により、当該方法はさらに、当該ワークピースに向けられた当該レーザービーム焦線に当該パルスレーザービームを集束させるための少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用するステップを含む。いくつかの実施形態により、当該非球面状表面は、屈折素子または反射素子の曲面である。いくつかの実施形態により、当該光学システムは、少なくとも2つの非球面光学部品を含む。
いくつかの実施形態により、(i)当該焦線は、焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、例えば、35%、さらには30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは15%を超えて変動しない、より好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有するか、あるいは、(ii)当該焦線は、当該焦線の長さLにおける強度分布が、40%以上変動しない、好ましくは35%または30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは15%、さらには10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する。
いくつかの実施形態により、当該光学システムは、
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないような、あるいは(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築される。
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないような、あるいは(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築される。
いくつかの実施形態により、当該焦線は、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線の当該エネルギー密度は、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において15%を超えて変動せず、好ましくは、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない。
いくつかの実施形態により、光学システムは、任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するように構築される。
いくつかの実施形態により、透明材料をレーザー加工するための装置は、
ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
変形ガウス−ベッセルビーム(modified Gauss−Bessel beam)を形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または、(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる。
ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
変形ガウス−ベッセルビーム(modified Gauss−Bessel beam)を形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または、(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる。
この装置のいくつかの実施形態により、当該装置の光学システムは、当該ワークピースに向けられた当該レーザービーム焦線に当該パルスレーザービームを集束させるための少なくとも1つの非球面状表面を含む。
いくつかの実施形態により、当該非球面状表面は、屈折素子または反射素子の曲面である。いくつかの実施形態により、当該光学システムは、少なくとも2つの非球面光学部品を含む。
いくつかの実施形態により、装置は、当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きいように、構築される。
いくつかの実施形態により、当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい。
いくつかの実施形態により、当該方法は、ビーム光源と透明ワークピースとの間に位置決めされたデコヒーレンス化光学素子を使用して当該パルスレーザービームの第2ビーム部分から当該パルスレーザービームの第1ビーム部分をデコヒーレンス化するステップを含む。例えば、いくつかの実施形態により、第1ビーム部分を第1偏光へと偏光し、第2ビーム部分を第2ビーム部分に直交する第2偏光へと偏光するステップは、当該第2ビーム部分から当該第1ビーム部分をデコヒーレンス化する。いくつかの実施形態により、当該デコヒーレンス化光学素子は、少なくとも1つの波長板(例えば、スピリットクォーター波長板SQW)を含む。
いくつかの実施形態により、当該方法はさらに、光学ブロッキング素子を越えて当該パルスレーザービームを向かわせるステップを含み、この場合、当該光学ブロッキング素子は、円錐波面を生成する光学素子と透明ワークピースとの間に位置決めされる。好ましくは、当該ビーム断面は、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であり、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい。
いくつかの実施形態により、当該方法はさらに、当該パルスレーザービームの第1部分に別の部分(当該パルスレーザービームの第2部分)と比べて特定の光遅延(リタデーション)を誘起するように構成された光遅延板(optical delay plate)の使用を含む。例えば、当該光遅延板は、当該パルスレーザービームの半分に対してπの光リタデーションを誘起し得(レーザー波長の1つの光周期は、光位相の2πラジアンに至ると考えられ、そのため、πの光リタデーションは、光周期の1/2の遅延である)、当該パルスレーザービームの半分に対して0.875πの光リタデーションを誘起し得、いくつかの実施形態では、当該レーザービームの半分に対して0.5πの光リタデーションを誘起し得る。好ましくは、当該ビーム断面は、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であり、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい。
いくつかの実施形態により、当該ワークピースは、(a)コーティングを含む少なくとも一部分と、(b)コーティングを含まない少なくとも一部分とを含む。
本開示の一実施形態は、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ、
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない(例えば、35%以上変動しない、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、
方法に関する。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ、
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない(例えば、35%以上変動しない、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、
方法に関する。
別の実施形態は、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向における、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が、最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、
方法に関する。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向における、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が、最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、
方法に関する。
別の実施形態は、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、長さLと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、長さLと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
本開示のさらなる実施形態は、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>70%、好ましくは75%超または>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>70%、好ましくは75%超または>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
本開示のさらなる実施形態は、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総エネルギーの75%、さらには>80%超(例えば、>85%、または90%超)が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布における半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含む、ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総エネルギーの75%、さらには>80%超(例えば、>85%、または90%超)が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布における半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法に関する。
追加の実施形態は、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含む、透明材料をレーザー加工する装置であって、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置を対象とする。
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含む、透明材料をレーザー加工する装置であって、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置を対象とする。
追加の実施形態は、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも1つの非球面部品を含み、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないような、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含む、透明材料をレーザー加工する装置を対象とする。
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも1つの非球面部品を含み、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないような、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含む、透明材料をレーザー加工する装置を対象とする。
さらなる特徴および利点について、以下の詳細な説明において述べ、ある程度、その説明から当業者には容易に明かとなるか、または記述された説明および本発明の特許請求の範囲ならびに添付の図面において説明されるような実施形態を実践することによって認識されるであろう。
上述の全般的説明および以下の詳細な説明の両方は、単なる例示であり、特許請求の範囲の本質および特質を理解するための概要または枠組みを提供することを意図していることは理解されたい。
添付の図面は、さらなる理解を提供するために含められており、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を成すものである。当該図面は、1つまたは複数の実施形態を例示するものであり、説明と共に、様々な実施形態の原理および作用を説明するのに役に立つ。
本明細書において説明される材料のレーザー加工の分野は、切断、開孔、微粉砕、溶接、溶融などの多種多様な用途および様々なタイプの材料を包含する。これらの材料は、例えば、化学強化されたガラス基板(例えば、Corning 社から入手可能なGorilla(登録商標)ガラスなど)、またはアルカリ土類アルミノホウケイ酸ガラス組成ガラス、例えば、TFT(薄膜トランジスタ)ガラス組成物、例えば、Eagle XG(登録商標)、Corning Lotus(商標)、ソーダ石灰ガラスなど、熱的に強化された(焼き戻しされた)ガラス、溶融シリカ、または他のガラス基板であり得る。当該方法は、例えば、必要に応じて、より大きなガラス基板からガラス片を切断するため、ガラスに穿孔、欠陥線、貫通孔を作製するため、またはガラスの面取りを行うために使用することができる。本明細書において説明される方法は、ミクロンスケールの穴を形成するために用いることもでき、そのような穴は、例えば、高速電気信号をルーティングする際に有用なガラス「インタポーザ」を作製するために使用することができる。
例えば、より大きなガラス基板からガラス片を切断するために、当該プロセスは、所望の形状を描き、亀裂伝播のための、したがって、基板マトリックスからの所望の形状のガラスの分離および脱離のための最小の抵抗の経路を確立する、欠陥線、輪郭、または経路110を作製する(例えば、図15Aを参照されたい)。レーザー分離法は、元の基板からのガラス形状物の、手動または機械による分離、部分的なまたは完全な分離、を可能にするように調整および構成することができる。
加工される対象、例えば、下記において説明されるガラスワークピース7など、は、レーザー5によって提供されるパルスレーザービームを照射される。当該パルスレーザービームは、例えば、下記において説明される、実質的に均一な強度分布および高いエネルギー密度を有する高アスペクト比の線(焦線4’)に集光される超短(100ピコ秒未満のパルス幅)パルスレーザービームであり得る。当該レーザービームの波長は、例えば、1064nm以下であり得る。焦線4’は、加工されるワークピース7の厚さを貫いて穿孔する。いくつかの実施形態において、当該ワークピース7は、ガラス基板である。当該ワークピース7の材料は、高エネルギー密度のこの体積内において、非線形効果によって改質される。この高い光強度が無ければ、非線形吸収は引き起こされないということに注目することは重要である。この強度閾値未満では、当該材料は、レーザー照射に対して透明であり、元の状態のままである。所望の線または経路の上に当該レーザービームによって形成される焦線をスキャンすることにより、本発明者らは、分離されるべき境界線または形状を画定するために使用することができる輪郭または経路に沿って複数の狭い欠陥線120(数マイクロメートル幅)を作製する。
焦線は、光ビームの集束スポットが、ガウスビームによって形成される同じサイズの単一の焦点スポットの典型的な回折特性によって予想されるより長い長さにわたって維持される領域である。あるポイント(または少なくとも非常に短い領域)に集束されるビームではなく、焦線に対応する当該ビームは、ビーム伝搬方向に沿って延在する領域に集束される。本明細書において言及される、焦線の「長さL」は、ピーク断面ビーム強度がその最大ピーク値の1/2に下がるポイントの間の距離(ビーム伝搬方向に沿った焦線内の距離)である。ガウスビームの場合、スポットサイズが平方根の倍率内に維持される当該典型的な長さは、典型的にはπ*w02/λによって与えられるレイリー範囲であり、この場合、λは、当該光の波長であり、w0は、ガウスビームスポットの1/e2半径である。焦線を形成するための戦略の1つは、準非回折性ビームを形成することであり、これは、レーザーシステムにおいて一般的であるガウスビームプロファイルを用いる代わりに、ガウスビームよりはるかにゆっくりと効果的に回折する、ベッセルプロファイルまたはガウス−ベッセルプロファイルなどのより洗練されたビーム形状を使用することができる。準非回折性ビーム、レイリー範囲、およびこれらのより複雑なビームプロファイルのスポット直径をどのようにして測定するかについてのより詳細な説明は、本明細書において後で提示される。
焦線4’に含まれる光エネルギーは、実質的に透明な材料、例えば、ガラス複合材ワークピースなど、において、多光子吸収(MPA)を生じさせることができる。MPAは、分子をある状態(通常、基底状態)からより高いエネルギー電子状態(イオン化)へと励起するための、同じまたは異なる周波数の2つ以上の光子の同時吸収である。
MPAの場合、当該分子における、関与するより低いエネルギー状態とより高いエネルギー状態の間のエネルギー差は、2つ以上の光子のエネルギーの合計に等しい。MPAは、誘起吸収とも呼ばれ、例えば、線形吸収より数桁弱い、2次または3次プロセス(またはより高次のプロセス)であり得る。それは、例えば、2次誘起吸収の強度が光強度の2乗に比例し得る点において、線形吸収とは異なっており、したがって、それは、非線形光学プロセスである。
任意の所望のパーツの形状を描く穿孔された領域を作り出すために、ガラス基板またはワークピース7は、当該レーザーミームによって形成された焦線4’に対して移動される(または、レーザービーム焦線は、当該ガラスに対して平行移動される)。例えば、少なくともいくつかの実施形態において、当該レーザービーム焦線4’は、例えば、およそ0.3〜1マイクロメートルの直径の内部開口部を有する、ガラスの深さ全体を貫通する穴状の欠陥ゾーン(または損傷軌跡、または欠陥線120)を作り出す。これらの穿孔、欠陥領域、損傷軌跡、または欠陥線は、概して、1マイクロメートルから50マイクロメートル(例えば、1〜50マイクロメートル、1〜25マイクロメートル、5〜25マイクロメートル、5〜30マイクロメートル、8〜30マイクロメートル、8〜40マイクロメートル、1〜20マイクロメートル、3〜15マイクロメートル、または5〜10マイクロメートル)において離間される。
欠陥または穿孔によるラインまたは輪郭が作製されると、1)固有材料応力(例えば、化学強化による)、手動により適用された応力、または他の機械的手段、これは、穿孔された断層線110上またはその周りに応力を生じさせ;当該応力または圧力は、穿孔された断層線の両側を引き離すように引っ張って、依然として一緒に結合していた領域を破壊する張力を生じさせるはずである;2)熱源の使用、これは、断層線110の周りに応力ゾーンを生じさせ、それにより、欠陥(本明細書において欠陥線120とも呼ばれる)または穿孔された断層線に張力を加え、部分的分離または完全分離を生じさせる、によって分離を行うことができる。どちらの場合も、分離は、いくつかのプロセスパラメータ、例えば、レーザースキャン速度、レーザー出力、レンズのパラメータ、パルス幅、繰り返し率など、に依存する。
本明細書において説明される少なくともいくつかの実施形態により、レーザー切断または穴形成プロセスは、焦線4’を発生させて様々なガラス組成物の本体を完全に穿孔する光学システムとの組み合わせにおいて、超短パルスレーザー5を使用する。本明細書において説明されるように、焦線4’は、当該焦線の長さL内における必要な距離に沿って、実質的に均一な光強度分布を提供する(例えば、図5AのMGB曲線などによって示されるように)。
いくつかの実施形態において、個々のパルスのパルス持続時間は、約1ピコ秒超から約100ピコ秒未満の間の範囲、例えば、約5ピコ秒超から約20ピコ秒未満の間など、であり、かつ個々のパルスの繰返し率は、約1kHzから4MHzの間の範囲、例えば、約10kHzから650kHzの間の範囲など、であり得る。
前述の個々のパルスの繰返し率での単一のパルスの作動に加え、当該パルスは、約1ナノ秒から約50ナノ秒の間、例えば、10ナノ秒から30ナノ秒の間、例えば、約20ナノ秒など、であるバースト内での個々のパルスの間の持続時間によって分離される、2パルス以上(例えば、3パルス、4パルス、5パルス、10パルス、15パルス、20パルス、またはそれ以上)のバーストにおいて生成することができ、ならびに当該バーストの繰り返し周波数は、約1kHzから約200kHzの間の範囲であり得る(バースティングまたはパルスバーストの生成は、パルスの放出が、均一で一定の流れにおいてではなく、むしろ緊密なパルスのクラスターにおいてであるようなタイプのレーザー作動である)。当該パルスバーストレーザービームは、材料がその波長において実質的に透明であるように選択された作動波長λを有する。当該材料において測定されたバーストあたりの平均レーザー出力は、材料の厚さ1mmあたり40マイクロジュールを超え得、例えば、40マイクロジュール/mmから2500マイクロジュール/mmの間、または500マイクロジュール/mmから2250マイクロジュール/mmの間、であり得る。例えば、0.1mm〜0.2mm厚のCorning Eagle XG(登録商標)ガラスの場合、200μJのパルスバーストを使用することにより、当該ガラスを切断し分離することができ、これは、1000〜2000μJ/mmの例示的範囲を与える。例えば、0.5mm〜0.7mm厚のCorning Eagle XG(登録商標)ガラスの場合、400〜700μJのパルスバーストを使用することにより、当該ガラスを切断し分離することができ、これは、570μJ/mm(400μJ/0.7mm)から1400μJ/mm(700μJ/0.5mm)の例示的範囲に対応する。
本明細書において定義されるように、欠陥線120の直径または内径は、当該ガラスまたはワークピースにおける開口チャネルまたは通気孔の内径である。例えば、本明細書において説明されるいくつかの実施形態において、欠陥線120の内径は、<500nm、例えば、≦400nm、または≦300nmである。さらに、欠陥線の内径は、例えば、レーザービーム焦線のスポット直径と同じ程度の大きさであり得る。当該レーザービーム焦線は、約0.1マイクロメートルから約5マイクロメートルの間の範囲、例えば、1.5マイクロメートルから3.5マイクロメートル、の平均スポット直径を有し得る。ガウス−ベッセルビームの場合、焦線直径D(D=2R、例えば、図3Aを参照されたい)は、中心強度ピークと、レーザービーム焦線が当該基板と相互作用する場合のレーザービーム焦線の断面プロファイルを近似するベッセル関数における第1Null値との間の距離の2倍であると考えられ得る。ワークピースまたはガラスパーツが、断層線または輪郭110に沿って分離されると、切断面または分離面における欠陥線120は、可能性として、依然として見ることができ、かつ、例えば、欠陥線の内径に匹敵する幅を有し得る。したがって、本明細書において説明される実施形態の方法によって調製されたガラス物品の切断面における欠陥線120の幅は、例えば、約0.1マイクロメートルから約5マイクロメートルの間の幅を有し得る。
当該プロセスは、ガラスの単一のシートだけでなく、ガラスのスタックを切断するためにも使用することができ、単一のレーザー通過により数mmの全高までガラススタックを完全に穿孔することができる。当該ガラススタックは、さらに、様々な位置において空気ギャップを有していてもよく;当該レーザープロセスは、依然として、単一の通過において、そのようなスタックの上側および下側のガラス層の両方を完全に穿孔するであろう。
ガラスが穿孔されると、当該ガラスが十分な内部応力を有する場合、亀裂が穿孔線に沿って伝播し、当該ガラス板は所望のパーツへと分離されるであろう。
本明細書において説明される方法および機器は、例えば、透明基板からの任意の形状の精密な切断および分離などのために利用することができ、より詳細には、端部強度および端部衝撃強度を保持し、ガラス端部の高レベルの信頼性を可能にする、パーツ端部への無視できる程度の破片および最小の損傷で、制御可能な方式により、ガラスに対して利用することができる。開発された当該レーザー法は、有利なことに、清浄で初期の状態の表面品質の維持、およびレーザー焦点の周りの高強度のエリアによって生じる表面下損傷の減少を可能にする。このプロセスの成功の鍵の1つは、超短パルスレーザーによって作り出された、下記によって説明されるような実質的に均一な強度分布を有する焦線4’によって作製された欠陥または欠陥線120の高アスペクト比である。それは、切断される材料の上面から底面まで延在する断層線110の作製を可能にする。原則として、この欠陥は、単一レーザーパルスまたは単一バーストパルスのいずれかによって作り出すことができる。
焦線の発生は、レーザー5によって提供されるガウスレーザービームを、変形ガウス−ベッセルビーム(MGBビーム)によって焦線4’を作り出す光学システム125(本明細書においてさらに詳細に説明される)へと送ることによって実施され得る。当該焦線4’は、約0.1mmから約100mmの間、もしくは0.3mmから10mmの間、もしくは約0.5mmから約5mmの間の範囲、例えば、約1mm、約2mm、約3mm、約4mm、約5mm、約6mm、約7mm、約8mm、もしくは約9mmなど、の長さL(すなわち、0.5最大強度ポイントの間の距離)、または約0.1mmから約1mmの間の範囲の長さを有する。焦線4’はさらに、約0.1マイクロメートルから約5マイクロメートルの間の範囲の平均スポット直径も有する。したがって、例えば、当該焦線4’は、0.3mmから10mmの長さLと、(その長さにおける)0.1マイクロメートルから約5マイクロメートルの間(例えば、0.2マイクロメートルから1または2マイクロメートル)の平均スポット直径とを有し得る。当該ガラスに作製された穴または欠陥線120は、それぞれ、0.1マイクロメートルから10マイクロメートルの間、例えば、0.25マイクロメートルから5マイクロメートル、例えば、0.2〜0.75マイクロメートル、または0.3〜0.75マイクロメートル、の直径を有する。
比較例−ガウス−ベッセルビームによる焦線の形成
標準的なレーザー機械加工システムは、一般的に、ガウスビーム(すなわち、ガウス強度分布を有するレーザービーム)を用いる。材料を改質させるのに十分なほど強力である十分に小さなスポットサイズへとビームが集束される場合、回折現象により、そのようなビームは、例えば、数マイクロメートル以下などの短い焦点深さを有する。対照的に、レーザー機械加工は、レーザービーム焦線を形成するガウス−ベッセルレーザービームによって実施することができ、そのようなビームは、ガウスビームによって形成される典型的な焦点に勝る利点を有しており、というのも、それらは、ガラス板に、当該ガラス板の深さを貫通して数ミリメートルに及び得るような、長い領域の材料改質を生じるためである。ガウス−ベッセルビームは、例えば、ガウス強度プロファイルを有する典型的なレーザービームを、屈折または反射アキシコンなどの光学部品、空間光変調器などの位相変更素子、またはDammann格子などの格子素子へと提供し、焦線を形成することにより、形成することができる。図1に表された比較例に示されるように、典型的なガウス強度分布を有する、コリメートされたレーザービーム2が、アキシコン3(すなわち、1つの円錐面3aを有するレンズ部品)に提供され、これは、当該アキシコンの円錐面3aに直接隣接して位置された延在する焦線4を作り出すガウス−ベッセルビームを形成する。図2は、当該延在する焦線4を、レーザービーム焦線4’(本明細書において焦線とも呼ばれる)としてワークピース7(例えば、ガラス基板)内に再結像(reimage)する再結像光学システム(re−imaging optical system)6を示している。図2の再結像光学システム6は、2つの光学部品、すなわち、焦点長F1を有する光学部品6aおよび焦点長F2を有する光学部品6b、を含む。これらの部品は、距離F1+F2によってお互いに離間され得る。当該再結像されたレーザービーム焦線4’は、当該焦線4’がレンズ部品6bに直接隣接して形成されないように、当該再結像光学システム6の裏面から離間される。
標準的なレーザー機械加工システムは、一般的に、ガウスビーム(すなわち、ガウス強度分布を有するレーザービーム)を用いる。材料を改質させるのに十分なほど強力である十分に小さなスポットサイズへとビームが集束される場合、回折現象により、そのようなビームは、例えば、数マイクロメートル以下などの短い焦点深さを有する。対照的に、レーザー機械加工は、レーザービーム焦線を形成するガウス−ベッセルレーザービームによって実施することができ、そのようなビームは、ガウスビームによって形成される典型的な焦点に勝る利点を有しており、というのも、それらは、ガラス板に、当該ガラス板の深さを貫通して数ミリメートルに及び得るような、長い領域の材料改質を生じるためである。ガウス−ベッセルビームは、例えば、ガウス強度プロファイルを有する典型的なレーザービームを、屈折または反射アキシコンなどの光学部品、空間光変調器などの位相変更素子、またはDammann格子などの格子素子へと提供し、焦線を形成することにより、形成することができる。図1に表された比較例に示されるように、典型的なガウス強度分布を有する、コリメートされたレーザービーム2が、アキシコン3(すなわち、1つの円錐面3aを有するレンズ部品)に提供され、これは、当該アキシコンの円錐面3aに直接隣接して位置された延在する焦線4を作り出すガウス−ベッセルビームを形成する。図2は、当該延在する焦線4を、レーザービーム焦線4’(本明細書において焦線とも呼ばれる)としてワークピース7(例えば、ガラス基板)内に再結像(reimage)する再結像光学システム(re−imaging optical system)6を示している。図2の再結像光学システム6は、2つの光学部品、すなわち、焦点長F1を有する光学部品6aおよび焦点長F2を有する光学部品6b、を含む。これらの部品は、距離F1+F2によってお互いに離間され得る。当該再結像されたレーザービーム焦線4’は、当該焦線4’がレンズ部品6bに直接隣接して形成されないように、当該再結像光学システム6の裏面から離間される。
光学システム6のレンズ6aおよび6bは、アキシコン3のすぐ後ろに作り出された焦線4を単純に拡大(または縮小)する。図3は、図2の光学システムによって形成されたガウス−ベッセルビーム(比較例において使用される光ビーム)の断面(半径方向プロファイル)を示している。図3に示された光学ビームの中央部分4a’(本明細書において中央スポットまたは中央ローブとも呼ばれる)は、焦線4’に対応しており、中央部分の周りのリングは、ガラス基板内へとさらに落ちる焦線の中央に向かって収束する光強度(ビーム)に対応している。焦線4’の中央部分4a’は、直径D(D=2R)を有する。任意の所定の位置において、当該レーザービームエネルギーのほとんどは、中央部分4a’に集中し、ガウス−ベッセルビームの中央部分4a’は、ガラス基板7内に欠陥線120を作製するために利用されるものである。いくつかの実施形態において、直径Dが可能な限り小さいことは好ましい。
しかしながら、比較例の典型的なガウス−ベッセルビームによって形成される焦線4(および、結果として、焦線4’)は、光軸OA(すなわち、ビーム伝搬の方向)に沿って非常に不均一なピーク強度プロファイルを有する。ここで、用語「ピーク強度」は、レーザービームの断面(または横方向)プロファイルにおいて観察される最大強度を説明するために使用され、この場合、断面の平面は、ビーム伝搬方向に対して横方向であり、ビーム伝搬方向に沿った1つの所定の位置において評価される。当該ピーク強度は、典型的には、ビーム伝搬方向に沿ったある所定の位置でのガウス−ベッセルビームの中央スポット内に含まれるエネルギーの量に比例するであろう。焦線4に沿ってアキシコンの先端から距離zでのx−y平面Pにおける比較のガウス−ベッセルビームの強度は、ガウス強度プロファイルを有する入力レーザービームを受け取るアキシコンによって形成される場合、以下の方程式:
I(r,z)=I0(Rz)Rz2πk(sin(β)/cos2(β))J0 2(kRsin(β) ) 方程式 1.1
によって与えられ、式中、Rzは、投射ガウスビーム2の1/e2ポイントにおいて測定された入力ビーム半径であり、I0(Rz)は、入力ビーム半径Rzに対応したアキシコンに照射するライトビームの強度であり(すなわち、半径高さRzでのガウスビーム強度)、λは、当該レーザービームの波長であり、βは、当該レーザービームが焦線に向かって収束するときの当該レーザービームの収束角であり、J0は、第1種のゼロ次ベッセル関数であり(ベッセル微分方程式に対する解)、Rは、当該焦線の半径(すなわち、中央部分4a’の半径)であり、k=2π/λである。したがって、距離zにおける当該焦線の中央でのピーク強度は、以下:
Ip(z)=I0(Rz)Rz2πk(sin(β)/cos2(β)) 方程式1.2
によって与えられる。この方程式は、光軸(z)に沿っての距離の関数として、ガウス−ベッセルビームの半径強度分布を説明するものであり、図4A〜図4Cに示されるものに対応する。
I(r,z)=I0(Rz)Rz2πk(sin(β)/cos2(β))J0 2(kRsin(β) ) 方程式 1.1
によって与えられ、式中、Rzは、投射ガウスビーム2の1/e2ポイントにおいて測定された入力ビーム半径であり、I0(Rz)は、入力ビーム半径Rzに対応したアキシコンに照射するライトビームの強度であり(すなわち、半径高さRzでのガウスビーム強度)、λは、当該レーザービームの波長であり、βは、当該レーザービームが焦線に向かって収束するときの当該レーザービームの収束角であり、J0は、第1種のゼロ次ベッセル関数であり(ベッセル微分方程式に対する解)、Rは、当該焦線の半径(すなわち、中央部分4a’の半径)であり、k=2π/λである。したがって、距離zにおける当該焦線の中央でのピーク強度は、以下:
Ip(z)=I0(Rz)Rz2πk(sin(β)/cos2(β)) 方程式1.2
によって与えられる。この方程式は、光軸(z)に沿っての距離の関数として、ガウス−ベッセルビームの半径強度分布を説明するものであり、図4A〜図4Cに示されるものに対応する。
図4A〜図4Cに示されるように、(ビーム伝搬方向に沿った)典型的なガウス−ベッセルビームのピーク強度プロファイルは、図4A〜図4Cに示されるように、非常に不均一である。焦線4の直径は、角度βに関連しており、当該焦線の直径Dは、角度β’に関連する。角度βは、焦線の小さなセクションに照射するかまたは作り出す光ビームの特定の一部分の開口数(NA)の指標であるとも見なすことができる。光物理学において知られるように、光ビームによって形成されるスポットの直径Dは、その光ビームの開口数に逆比例する。したがって、角度βが、焦線の長さに沿って変化する場合、これは、焦線の長さに沿ってそのNAが変化する、または焦線の長さに沿ってスポット直径が変化すると述べることに等しい。例えば、図4Aに示されるように、屈折アキシコン、同じ機能を実施する位相素子、または回折性Dammann格子が、入力ガウスビームから焦線4’を作り出すために利用される場合、ビーム伝搬軸(光軸OA)に沿った光ビーム強度(I)分布は、結果として、光軸OA(線z)に沿ったいくつかの領域に存在する過剰なエネルギーを生じるが、ビームに沿った他の領域では十分ではない。ガウス−ベッセルビームのこの不均一な強度分布は、過剰なエネルギーを受け取るガラスワークピースのエリアにおいて望ましくない微小亀裂形成を生じ得、少なすぎるエネルギーを受ける領域では、材料の不十分な改質を生じ得る。ガウス−ベッセルビームの(光軸OAに沿った)不均一なピーク強度分布は、断面サイズにおいて均一ではない穴の形成を生じ得、あるいは、ガラスワークピース7の一部分が、必要なサイズの穴を形成するには不十分な光出力を受け取る場合、不完全な穴を生じ得る。
より詳細には、図4Aは、図2に示される比較の光学システムのガウス−ベッセルビームによって形成された、光軸OAに沿った(および焦線4’の長さに沿った)距離zに対するモデル化されたピークビーム強度プロファイルのプロットである。図4Aに示されるように、距離Lは、0.5Imaxポイント(半最大ピーク強度ポイント、半最大出力にも対応する)の間のビーム伝搬方向に沿った距離である。図4Aのピーク強度曲線は、例えば、比較の光ビーム(ガウス−ベッセルビーム)の中央において最後のレンズ部品6bから0.25mmの距離zが、当該レンズ部品6bから約0.8mm離れた位置において光軸OAに沿って生じる最大強度Imaxの約40%であることを示している。しかしながら、ガウス−ベッセルビームのピーク強度I≦0.4Imaxは、典型的なガラス基板を切断または改質するには十分ではあり得ず、結果として、基板内での欠陥線の不完全な形成を生じ得る。したがって、比較のガウス−ベッセルビームの末端に位置される光エネルギーは、典型的には、ガラス切断用途において使用可能ではない。
図4Bは、光軸AO上の異なる位置(最後のレンズ部品6bから異なる距離z)において図2の例示的な比較の光学システムによって生成されたピーク強度Iの測定値のプロットを示している。より詳細には、図4Bは、光軸OAに沿った距離の関数としての、焦線4’が位置される光軸OAに沿って測定された光ビームのピーク強度のプロットである。図4Bのプロットに対応するガウス−ベッセルビームは、アキシコンレンズ3と、およそ2mmの長さLの焦線4’を作り出した2レンズシステム6とを使用して形成された。すなわち、この例において、図4Bに示されるように、最大強度の1/2(すなわち、0.5Imax)に対応する強度のポイント(A、A’)は、約2mm離れている。図4Bに示されるように、測定されたガウス−ベッセルビームのピーク強度は、焦線4’の長さに沿って非常に不均一であり、図4Aに示されるものと同様の形状を有する。
図4Cは、図4Aおよび図4Bと同様であり、ガウス−ベッセルビームによって作り出された別の比較の焦線のピーク強度分布を、光軸に沿った距離zの関数として、0mmから12mmの間のz値に対して示している(距離zは、再結像システム6の最後の光学部品の後ろの距離である)。図4Cにおいて、実線は、モデル化された結果に対応しており、円は、測定データに対応している。網掛け領域に対応する光強度は、ガラス基板の所定の厚さ内においてガラスを改質させるために(すなわち、欠陥線120、例えば、穴など、を作製するために)必要な強度である。この実施例において、ガラス基板7は、位置z≒1.5mmから位置z≒6.75mmの光軸に沿って延在する厚さtを有する。しかしながら、図4Cから分かるように、この比較例において、網掛け領域の外側の光出力は、効果的に浪費される。0<z<1.5mmおよび7mm<z<12mmの領域では、当該光出力(したがって、強度)は、効果的にガラスを改質するほど十分には強くない。さらに、この実施形態において、ガラスを改質するのに必要とされる光出力を超える光出力(または強度)も、生産的には使用されないため、浪費される。例えば、図4Cの網掛けエリアの上方に位置される、0.6Imaxを超えるピーク強度に対応する光エネルギーは、効果的にガラスを改質するために必要とされるより光エネルギーより過剰である。その上、当該領域の中央(すなわち、約3mmの距離Zのから5mmの距離Zの間)における光出力は、ガラス基板7を開孔または切断するために必要な出力量を大幅に超えるため、この過剰な出力は、過度の材料損傷、例えば、この領域における望ましくない微小亀裂形成など、を引き起こし得る。比較のガウス−ベッセルビームにおける測定されたピーク強度は、円によって示されており、図からわかるように、モデル化された結果によって得られるものと同様である。
出力密度に関して、ガラス材料の場合、レーザーエネルギー密度が、材料の凝集力より高くなる場合、当該材料は揮発し、高密度化、亀裂、損傷軌跡、または穴を形成することができる材料の改質を生じる。したがって、ワークピース7、例えば、ガラス基板など、を貫通する穴を作製するためには、焦線4’の長さに沿った各セグメントにおける出力密度が、所定の閾値P0(ワット/マイクロメートル3)より高いことが望ましい。図4Cに示される実施例において、光軸位置の周りの極小体積領域における出力強度に対応して、穴作製を可能にする、ビーム断面内の閾値強度は、強度閾値I0=0.6Imaxに対応し、0.6Pmax/μm3の出力強度は、ガラス内に所望の改質を生じさせる。この比較例において、光出力密度が、I0<0.6Imaxに相当するように低下する場合、焦線4’は、単一のレーザーパルスまたは単一のパルスバーストによって、信頼性高く、高密度化、亀裂、損傷軌跡、または穴を作り出さない。
以下を達成するもの以上に、ガラス分離またはガラス加工の方法を有することは望ましい:
I.)基板7内における材料深さの関数としての、レーザービームのより均一なピーク強度およびより均一な出力強度;および/または、
II.)典型的なガウス−ベッセルビームによって作り出されるものよりも、ビーム伝搬方向に沿ってより良好なピーク強度均一性を有する焦線4’。
I.)基板7内における材料深さの関数としての、レーザービームのより均一なピーク強度およびより均一な出力強度;および/または、
II.)典型的なガウス−ベッセルビームによって作り出されるものよりも、ビーム伝搬方向に沿ってより良好なピーク強度均一性を有する焦線4’。
したがって、焦線における必要な長さの領域に対して、材料の所望の厚さ全体にわたってレーザーエネルギー密度は材料の凝集力より高いが、高密度化、亀裂、損傷軌跡、または穴を形成することができる材料の改質を生じさせるために必要な量よりはるかに多いエネルギーが当該焦線内において材料に投射することで大量のレーザー出力が浪費されるほどは高くないような、焦線4’を作り出すことが望ましい。下記においてより詳細に説明されるように、光学システム125の実施形態は、有利には、焦線4’における必要な長さに沿って実質的に均一な光強度分布を有する変形ガウスベッセルビーム(MGBビーム)を提供する。
したがって、本明細書において説明される光学システム125の実施形態は、実質的に一定なピーク強度、すなわち、方程式1.2によって説明される光ガウスベッセル強度分布よりも一定なピーク強度分布、を有する改良されたレーザービーム焦線4’を形成するように構成される。この改良されたピーク強度分布は、例えば、図5Aに示されており、本明細書において、変形ガウスベッセル(MGB)ビーム強度分布、または「トップハット」分布とも呼ばれる。本明細書において説明される実施形態のうちの少なくともいくつかにより、光学システム125によって形成される当該改良されたレーザービーム焦線4’は、有利には、実質的に一定なビーム直径Dを有する。
より詳細には、図5Aは、典型的なガウス−ベッセル(GB)レーザービームのピーク強度分布(W/μm2)、ならびに本明細書において説明される少なくとも1つの実施形態による光ビーム(例えば、本明細書において説明されるMGB)の光軸に沿ったピーク強度分布を示しており、この場合、両方の強度分布は、同じエリアに対して正規化されている(各分布における総エネルギー=1)。図5Aは、ガウス−ベッセルビームによって提供される分布より、光軸に沿ってかなりより均一なピーク強度分布を有する焦線4’を提供するように構築された光学システム125(本明細書において、焦線強度マッピング光学システム(FLIMOS)とも呼ばれる)の実施形態を示している。図5Aは、ガウス−ベッセルビームに含まれるよりも、レーザービームエネルギーの実質的により大きな部分が、MGBビーム内の0.5Imaxポイントの間(ポイントAとA’との間)に含まれることも示している。これは、MGBビームが、同等なガウス−ベッセルビームと比べて、レーザービームエネルギーのより大きな部分をガラス改質のために利用することができるということを示している。MGBの形成のための例示的実施形態について、本明細書の下記において説明する。
図5Bは、所定の強度閾値(ピークの%強度)に対する、図5Aに対応するMGBおよびガウス−ベッセル分布に含まれる総エネルギーのプロットを示している。図5Bに示されるように、任意の所定の出力閾値に対して、光学システム125によって生成される強度分布内に含まれる総エネルギーは、常に、より高い。
図5Bは、少なくとも初期において、上昇する強度閾値は、光学システム125により、当該改良されたピークエネルギー分布(例えば、MGBエネルギー分布)によって提供される%出力に対してほとんど影響しないことを示している。例えば、ガラス基板を改質させる閾値強度が、最大ピーク強度Imaxの60%であり、焦線がガウス−ベッセルビームによって形成される場合、0.6Imaxのポイントの間において焦線に含まれる光エネルギーの量は、総エネルギーの約70%である(すなわち、含まれるエネルギーの割合は0.7である)。対照的に、MGBビームを形成する例示的光学システム125(FLIMOS)によって形成された焦線のピーク強度が、最大ピーク強度の60%である場合、0.6Imaxの間において焦線に含まれる光エネルギーの量は、総エネルギーの約95%である(すなわち、含まれるエネルギーの割合は0.95である)。すなわち、MGBビームを利用する場合、出力またはパルスエネルギーの約5%のみが失われるが、対照的に、ガウス−ベッセルビームを用いる場合、出力の30%が失われる。さらに、例えば、ガラス基板を改質させるための閾値出力が、最大ピーク強度Imaxの80%であり、当該焦線が、ガウス−ベッセルビームによって形成される場合、0.8Imaxのポイントの間において焦線に含まれる光出力の量は、総光出力の約50%のみである。対照的に、(MGBビームにより)例示的光システム125によって形成される焦線の場合、0.8Imaxのポイントの間において焦線に含まれる光出力の量は、総出力の約95%である。すなわち、MGBビームを利用した場合、エネルギーの約10%のみが失われるが、対照的に、ガウス−ベッセル(GB)ビームを用いた場合、エネルギーの50%が失われる。
図5Aに示されるMGB強度プロファイルは、さらなる利点を有する。ポリマー層、黒色のマトリックスコーティング、金属トレースなど、基板上の扱いの難しいコーティングに近い領域において基板を切断しようとする場合、それ自体は基板には当たらない、焦線の一部分を形成するエネルギーは、浪費されるだけでなく、近くのコーティングを加熱または損傷するように働き得る。例えば、GBビーム焦線のテール部分を形成する光線は、基板に当たるのだが、それらは、当該焦線のテール末端において強烈なコアを形成するように集束する前に、大きな環状のアパーチャ全体に当たる。同じ状態は、焦線のヘッド部分または先端においても生じ、その場合、光線は、最初、高密度のコアを形成するように集中し、ついで発散し、それらは、依然として基板上に衝突する環を形成する。したがって、基板自体を切断するのに十分な長さのみの分布にエネルギーを制限することによって、当該MGBビームは、有利には、近くのコーティングに対して最も少ない損傷で(または損傷なしに)、最適な切断を可能にし、その結果、GBビームよりもコーティングにより近い近位において切断することを可能にする。したがって、本明細書において開示される装置および/または方法の実施形態のいくつかにより、当該ワークピースは、コーティング(例えば、ポリマー層、黒色のマトリックスコーティング、金属、または他のコーティング)を含む一部分と、コーティングを含まない一部分とを含む。いくつかの実施形態により、コーティングされていない部分は、厚さdを有し、焦線の中心からコーティング(すなわち、焦線に隣接するコーティング)までの間の距離は、500μm未満、好ましくは350μm未満、例えば、10μmから250μmの間、または10μmから200μmの間、または例えば10μmから300μmの間、または10μmから500μmの間、または15μmから400μmの間、または20μmから500μmの間、または20μmから350μmの間、または20μmから250μmの間、または25μmから400μmの間、または25μmから250μmの間である。いくつかの実施形態により、本明細書において説明される方法および/または装置は、コーティングを含まないワークピークの一部分内に(当該焦線により)複数の穿孔または欠陥を作製し、当該穿孔または欠陥は、当該ワークピースのコーティングされた部分からから距離Zdに形成される。当該距離Zdは、端部から端部まで、すなわち、穿孔または欠陥の端部から当該穿孔または欠陥に隣接するコーティングの端部までにおいて測定される。いくつかの実施形態により、Zd≦d/3かつZd>5μmであり、例えば、Zd>10μmまたは>15μmであり、この場合、dは、当該ワークピースにおけるコーティングされていない部分の厚さである。いくつかの実施形態により、Zd≦d/4かつZd>5μmであり、例えば、Zd>10μmまたはZd>15μm、Zd>25μmであり、この場合、dは、当該ワークピースにおけるコーティングされていない部分の厚さである。
その上、図5CのMGBによって示されるようなフラットトップエネルギー分布を有する場合、焦点を合わせるかまたは基板の高さを変えることに対する切断プロセスの影響は、最小限に抑えられるであろう。図5Cに示されるGBの場合、基板位置が光軸に沿って移動される場合、GB関数は、光軸に沿って強度が変化するため、基板の異なる深さにおいて、エネルギー密度が増加または減少するであろう。しかしながら、MGBにより、基板が、MGB強度プロファイルの幅内に完全に含まれる限り、本明細書において説明される実施形態により、焦点における小さい変化は、それを受け取る基板のいずれの深さにおいても、強度の増減を生じないであろう。このことは、MGBビームが、有利には、より一貫した切断または開孔プロセスを提供すること、その場合、小さい焦点の変化(フラットトップエネルギー分布の範囲の変化または焦線の長さの変化)は、プロセスまたは、最終製品またはワークピースの品質に強い影響を及ぼさないことを意味している。
少なくともいくつかの実施形態により、ガラス基板内の焦線は、その光軸に沿ったレーザービーム焦線のピーク強度が、0.5Imaxのポイントの間に位置された焦線4’の長さLの少なくとも80%に対してその最大ピーク強度Imaxから35%以上変動しない、または30%を超えて、または25%を超えて変動しない、好ましくは20%以下しか変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する(長さLは、ビーム伝搬方向において、焦線の中心に沿って0.5Imaxのポイント(A,A’)の間の距離である)。いくつかの例示的実施形態により、その光軸に沿ったレーザービーム焦線4’のピーク強度は、当該焦線の長さの少なくとも80%に対してその最大ピーク強度Imaxから10%以上変動しない。少なくともいくつかの実施形態により、ガラス基板内に形成される焦線は、その光軸に沿ったレーザービーム焦線のピーク強度が、焦線4’によって形成される欠陥線の少なくとも長さLに対してその最大ピーク強度Imaxから25%以上変動しない(好ましくは15%未満しか変動しない、例えば、10%未満、または5%以下しか変動しない)ような、距離の関数として実質的に均一なプロファイルを有する。
少なくともいくつかの実施形態により、ガラス基板7内の焦線4’は、その光軸に沿った当該レーザービーム焦線のピーク強度が、当該焦線4’の長さLの少なくとも85%に対してその最大ピーク強度Imaxに対して25%以上変動しない(例えば、変動量は、≦20%、≦15%、≦10%、≦5%、さらには≦3%である)ような、実質的に均一な強度プロファイルを有する。少なくともいくつかの実施形態により、ガラス基板内の焦線は、その光軸に沿ったレーザービーム焦線のピーク強度が、当該焦線4’の長さLの少なくとも90%に対してその最大ピーク強度Imaxに対して25%以上変動しない(例えば、変動量は、≦20%、≦15%、≦10%、≦5%、さらには≦3%である)ような、実質的に均一な強度プロファイルを有する。
ガラスワークピースを加工する当該方法は、ガラスを切断するため、およびガラス片をお互いから分離するために使用することができる。当該レーザー切断プロセスは、ガラスパーツを、パーツの強度を維持しつつ、制御可能な方式において、無視できる破片および最小限の欠陥、および端部に対する少ない表面下損傷において、分離する。
本明細書において説明されるレーザー加工法は、選択されたレーザー波長に対して透明である材料に良く適している。この波長は、例えば、1064、1030、532、530、355、343、または266ナノメートルであり得る。当該ワークピースは、好ましくは、選択されたレーザー波長に対して実質的に透明である(すなわち、材料深さ1mmあたり約20%未満、好ましくは10%未満、好ましくは約1%未満の吸光率)。本明細書において説明されるプロセスステップは、所望の形状を描き、亀裂伝播に対して最小の抵抗を有する経路を確立する、1つの断層線または輪郭110を作り出し、結果として、その基板マトリックスからの当該形状の分離および脱離を生じさせることである。当該レーザー分離法は、元の基板からのガラス形状物の、手動または機械による分離、熱的分離、および部分的なまたは完全な分離を可能にするように調整および構成することができる。
いくつかの実施形態により、例えば、図5Bに示されるように、変形ガウス−ベッセルビーム(MGBビーム)によって形成される焦線4’における総光出力の0.85(または85%)超が、(1/2)Imaxのポイントの間に含まれる(すなわち、強度閾値=(1/2)Imaxの場合)。いくつかの実施形態によれば、MGBビームによって形成される焦線4’における総出力の90%超が、いくつかの実施形態では95%超が、0.5Imaxのポイントの間に含まれる。例えば、いくつかの実施形態において、当該変形ガウス−ベッセル(MGB)ビームによって形成される焦線4’における総エネルギーの85%から99%が、0.5Imaxのポイントの間に含まれる。対照的に、通常のガウス−ベッセルビームによって形成される焦線4’では、総出力の80%のみが、0.5Imaxのポイントの間に含まれる。
いくつかの実施形態により、変形ガウス−ベッセル(MGB)ビームによって形成される焦線4’における総光出力の60%超が、0.8Imaxのポイントの間に含まれる(すなわち、強度閾値=(0.8)Imaxの場合)。対照的に、通常のガウス−ベッセルビームによって形成される焦線4’では、総出力の55%未満が、0.8Imaxのポイントの間に含まれる。
いくつかの実施形態により、変形ガウス−ベッセルビームによって形成される焦線4’における総光出力の70%超が、0.8Imaxのポイントの間に含まれる。いくつかの実施形態により、MGBビームによって形成される焦線4’における総出力の80%超、いくつかの実施形態では85%超が、0.8Imaxのポイントの間に含まれる。例えば、いくつかの実施形態では、MGBビームによって形成される焦線4’における総出力の70%から90%が、0.8Imaxのポイントの間に含まれる。さらに、例えば、図5Bに対応する実施形態において、MGBビームによって形成される焦線4’における総光出力の90%超(例えば、≧95%)(したがって、当該ビームエネルギーの90%超(例えば、≧95%))が、0.4Imaxのポイントの間に含まれる(すなわち、強度閾値=0.4Imaxの場合)。
図6は、光軸に沿ったレーザービーム焦線の%ピーク強度変動量(同じ領域内の平均ピーク強度の%として)対その領域内に含まれる光強度の総%、のプロットである。本明細書において説明される変形ガウス−ベッセルビームの実施形態は、ガウス−ベッセルビームによって形成される焦線より小さい強度変動量(強度変動量のより小さい%)を有する焦線を常に形成するであろう。例えば、図6に示されるように、図5Aに示される理想的なガウス−ベッセル(GB)ビームの場合、総光エネルギーの80%を含む領域は、その領域内における平均ピーク強度に対して少なくとも63%の強度変動量を有するであろう(平均ピーク強度は、例えば、少なくとも5点(例えば、5点から10点、または5点から15点)の等距離の位置において焦線のピーク強度を測定することにより、この場合、これらのポイントの間の総距離は、距離Lに沿って距離Lの少なくとも90%を含み、かつ得られたピーク強度値を平均化することによって計算され得る)。同様に、同じガウス−ベッセル(GB)ビームの場合、総光エネルギーの90%を含む領域は、その領域内において(平均(mean)(平均(average))ピーク強度に対して)少なくとも100%の強度変動量を有するであろう。完璧なガウス−ベッセル(GB)ビームではないガウス−ベッセルビームは、図6のガウス−ベッセルに対して示されるよりさらに大きな%強度変動量を有し得る。すなわち、ガウス−ベッセルビームが理想から外れるほど、それが有するであろう変動量も大きく、その変動量曲線は、ガウス−ベッセルビーム曲線より上方の領域に位置されるであろう(例えば、図6に示される曲線Aを参照されたい)。図6のガウス−ベッセル曲線Aは、例えば、アキシコンが、完全に円錐な先端ではなく丸みを帯びた先端を有する場合に、または焦線を形成する光学格子における欠陥によって、形成され得る。
対照的に、本明細書において説明される実施形態による光ビーム(MGBビーム2’)によって形成されるレーザービーム焦線4’は、ガウス−ベッセル(GB)ビームの曲線の下方に位置される変動性曲線を有するであろう。これは、例えば、図6のB、C、およびMGBで標識されたMGB曲線によって示される(図6においてMGBに標識された曲線は、図5Aの例示的MGB曲線に対応している)。したがって、本明細書において説明される実施形態により、総光エネルギーの80%を含む焦線4’の領域は、その領域内における平均ピーク強度に対して55%未満、好ましくは50%未満の強度変動量を有するであろうし、かつ、総光エネルギーの90%を含む領域は、その領域内において(この領域内の平均ピーク強度に対して)約90%未満(例えば、0%から80%、または0%から70%、または0%から60%、または0%から50%、0%から25%)の強度変動量を有するであろう。したがって、実施形態により、MGBビームによって形成される焦線の強度変動量曲線は、ガウス−ベッセル(GB)ビームの曲線の下方に位置される。例えば、本明細書において説明される実施形態により、総光エネルギーの80%を含む焦線4’の領域は、その領域内の平均ピーク強度に対して50%未満(例えば、0%から50%、または0%から40%、さらには0%から25%)の強度変動量を有するであろうし、かつ、総光エネルギーの90%を含む領域は、その領域内において(この領域内の平均ピーク強度に対して)約70%未満、いくつかの実施形態では50%未満(例えば、0%から50%、または0%から40%)の強度変動量を有するであろう。本明細書において説明される実施形態の少なくともいくつかにより、総光エネルギーの60%を含む焦線4’の領域は、その領域内の平均ピーク強度に対して0%から25%の強度変動量を有するであろう。
例えば、焦線における改良されたエネルギー分布(例えば、図5Aに示された、ほぼではあるが、全く完全にではない、トップハットエネルギー分布)に対して、図6のMGB曲線として示されたいくつかの実施形態により、総光エネルギーの80%を含む領域は、その領域内の平均ピーク強度に対して約1%の強度変動量を有するであろうし、ならびに、総光エネルギーの90%を含む領域は、その領域内において約30%未満のピーク強度変動量を有するであろう。
本明細書において説明されるいくつかの実施形態において、当該焦線は、円形断面よりもむしろ非軸対称ビーム断面を有する。したがって、いくつかの実施形態において、透明ワークピース7内に向けられたパルスレーザービームの一部分は、波長λ、有効スポットサイズw0,eff、ならびに断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
を超え、式中、FDは、無次元発散係数である。少なくともいくつかの実施形態において、FD≧10、FD≧10、または≧20、さらには≧50である。いくつかの実施形態において、FD≧75、さらには≧100である。例えば、本明細書において説明される例示的実施形態において、10000≧FD≧100である。例えば、本明細書において説明される例示的実施形態において、1000≧FD≧100である。少なくともいくつかの実施形態により、透明ワークピース内に向けられたパルスレーザービームの一部分の非軸対称ビーム断面は、長軸w0,maxおよび短軸w0,minを有し、この場合、長軸w0,maxは、短軸w0,minより長く、短軸w0,minに対する長軸w0,maxのアスペクト比は、1.1を超え、さらには1.3を超える。いくつかの実施形態において、短軸w0,minに対する長軸w0,maxのアスペクト比は、1.2から15.0、または1.5から3.0である。いくつかの実施形態において、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
を超える。
例えば、焦線ビーム断面は、楕円形であってもよく、そのような実施形態において、焦線4’の中央部分4a’は、2つの直径:楕円の長径に沿った最大直径と当該楕円の短径に沿った最小直径、を有するであろう。少なくともいくつかの実施形態において、最小直径に対する最大直径の比は、1.1を超え、例えば、1.3を超える(例えば、1.2から15.0、または1.5から3.0)。
準非回折性ビームまたは焦線が、非軸対称断面、例えば、楕円形断面など、を有する場合、当該焦線によって形成される非軸対称スポット内の光強度は、エネルギーが当該楕円または別の長楕円形断面形状の長軸によってさらに広げられるため、典型的には、軸対称焦線によって形成される円形スポット内の強度より低い。さらに、そのような非軸対称ビームを発生させるために使用することができる方法の多くは、ビームのあるセクションを別のセクションからデコヒーレンス化するステップを含む。これは、非軸対称ビームによって形成された2つのビームセグメントのインコヒーレントな追加により、強度のさらなる損失が生じ、結果として、一般的に軸対称スポットを形成する光のコヒーレントな追加によって生成したものより弱い平均強度を当該スポット内において生じることを意味している。これらの2つの効果は、非軸対称ビーム形成方法が、より対称な非回折性ビームと比較して、固有エネルギーの欠点があることを意味している。GBビームの場合、そのようなエネルギー損失は、特定の材料を切断することができるかまたはできないか、エネルギーをより長いライン長に拡大しなければならないようなより厚い材料片を切断することができるかまたはできないか、または1つの設備の費用対効果を高めるために1つのレーザービームを2つに分けることができるかまたはできないか、の間の差を作り出し得る。しかしながら、GBビームよりエネルギー効率が高いMGBビームの使用は、MGBが非軸対称の準非回折性ビームである場合、特に有利であり得る。MGBビームプロファイルの使用は、非軸対称ビームの使用によって失われたエネルギー効率のいくらかを(焦線内において)回復することを可能にする。
本明細書において示されたプロットにおいて、ピーク強度の割合(y軸)も、ピーク光出力の同じ割合に対応することに留意されたい。ピーク強度およびピーク出力の両方は、当該焦線の(典型的には、光軸に沿った)所定のビーム断面内において観察される最大値である。
上記において説明されるように、ガラス基板に穴を作製するため、またはガラスを切断するために、その長さLの少なくとも80%、85%、または90%に沿って実質的に均一なピーク強度プロファイルを有する焦線4’を利用することは、有利である。MGBビームによって、図5Aに示される「トップハット」エネルギー分布を有する焦線4’を生成するために、例示的光学システム125(FLIMOS)に対して適切な光学面を計算するときに考慮すべき光学システムの特徴が、図7に概略的に示されている。この例示的実施例の光学システム(FLIMOS)は、入力ガウスベッセルビーム2をMGBビーム2’に変換する。より詳細には、この実施例において、焦線4’の長さLに沿って実質的に均一なピーク強度分布を有するように、ガウスビーム2の少なくとも1/e2強度領域が、光学システム125(FLIMOS)によって焦線4’へとマッピングされている。いくつかの実施形態において、当該光学システム125は、少なくとも入力ガウスビームの1/e2の1.2倍の間に含まれるエネルギーを、焦線4’にマッピングする。いくつかの実施形態において、当該光学システム125は、少なくとも入力ガウスビーム2の1/e2の1.3倍の領域を、焦線4’にマッピングする。いくつかの実施形態において、当該光学システム125は、少なくとも入力ガウスビームの1/e2の1.5倍の領域の間に含まれるエネルギーを、焦線4’にマッピングする。いくつかの実施形態において、光学システム125は、少なくとも入力ガウスビームの1/e2の1.7倍の領域の間に含まれるエネルギーを焦線4’にマッピングし、いくつかの実施形態では、当該光学システム125は、少なくとも入力ガウスビーム2の1/e2の2倍の領域の間に含まれるエネルギーを、焦線4’へとマッピングする。当該光学システム125、マッピング、および上記において説明されるマッピング機能を実施する実施形態の光学システム125の例示的特徴、ならびに図7は、本明細書においてさらにより詳細に開示される。
いくつかの実施形態により、焦線4’は、光軸に沿った当該レーザービーム焦線のピーク強度が欠陥線120の長さLの少なくとも90%に対して、35%、30%、25%、20%、または15%、または10%を超えて、さらには5%を超えて変動しないような、均一な強度プロファイルを有する。
少なくともいくつかの実施形態により、焦線の直径Dは、長さLに対応する焦線領域内のその平均直径から20%を超えて変動しない。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’の領域L内の直径Dは、この領域内のその最大直径から20%を超えて変動しない。焦線4’が、非軸対称断面、例えば、楕円形断面など、を有する場合、上記の条件は、依然として、焦線の中央を含む、すなわち、当該焦線のピーク強度コア部分を含む、任意の焦線断面に対して満たされ得る。例えば、焦線4’の断面が、軸対称(例えば、楕円形)であり、当該焦線が、当該焦線の直径Dが当該長さLに対応する焦線領域内のその平均直径から20%を超えて変動しない、という条件を満たす場合、それは、1)当該焦線の最大直径Dmaxが、当該長さLに対応する焦線領域内のその平均最大直径から20%を超えて変動せず、かつ2)当該焦線の楕円形の最小直径も、当該長さLに対応する焦線領域内のその平均最小直径から20%を超えて変動しない、ということを意味している。同様に、焦線4’の断面が、楕円形であり、当該焦線が、当該焦線の直径Dが当該長さLに対応する焦線領域内においてこの領域内の最大直径から20%を超えて変動しないという条件を満たす場合、それは、1)当該焦線の最大直径Dmaxが、当該長さLに対応する焦線領域内のその平均最大値から20%を超えて変動せず、かつ2)当該焦線の楕円形の最小直径も、当該長さLに対応する焦線領域内のその最大値から20%を超えて変動しない、ことを意味している。
少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’の直径Dは、焦線4’を形成する光線の角度β’の変動性を制御することによって制御される。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’を形成する光線の角度β’は、長さLに対応する焦線領域内における当該光線の平均角度(平均β’)から10%を超えて変動しない。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’を形成する光線の角度β’は、焦線4’の長さLに対応する焦線領域内における当該光線のその平均角度β’から5%を超えて変動しない。焦線4’が楕円形断面を有する場合、上記の条件は、任意の焦線断面に対して満たされる。例えば、楕円の最大直径に対応する焦線の断面において、焦線4’を形成する光線の角度β’は、当該長さLに対応する焦線領域内における当該光線のその平均角度βから15%を超えて変動せず、より好ましくは10%を超えて変動しない。さらに、楕円の最大直径に対応する焦線の断面において、焦線4’を形成する光線の角度β’は、当該長さLに対応する(この断面の)焦線領域内における当該光線のその平均角度βから10%を超えて変動しない。
少なくともいくつかの実施形態により、光ビーム2’の任意の所定の断面(当該焦線の中心を含む)に対する、焦線4’を形成し、光線高さhiに対応する、当該光線の角度β’は、当該光ビーム2の1/e2のポイント内に位置する任意の光線に対して、光線高さhi−1に対応する収束角β’から10%を超えて変動しない。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’を形成し、光線高さhiに対応する、当該光線の角度β’は、Rz=1.1Rzである半径Rz’内に位置された光ビーム2の任意の光線の位置決めに対して、光線高さhi−1に対応する光線の角度β’から10%を超えて変動しない(例えば、7%未満、さらには5%未満、または3%以下しか変動しない)。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’を形成し、光線高さhiに対応する、当該収束する光線の角度β’は、Rz=1.2Rzである半径Rz’内に位置する光ビーム2の任意の光線に対して、光線高さhi−1に対応する光線の角度β’から10%を超えて変動しない。少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’を形成し、光線高さhiに対応する、当該光線の収束角β’は、Rz=1.3Rzである半径Rz内に位置する光ビーム2の任意の光線に対して、光線高さhi−1に対応する光線の角度β’から10%を超えて変動しない(例えば、7%未満、さらには5%未満しか変動しない)。
図7は、本発明のいくつかの実施形態による一実施形態の光学システム125(FLIMOS)の概略図である。当該光学システム125は、レーザー光源5によって提供される入射ガウスビーム2から変形ガウス−ベッセル(MGB)ビーム2’を発生させ、少なくとも、指定された距離zに対する欠陥線120の長さに沿って、光軸上において実質的に均一な光強度プロファイル(例えば、およそ「トップハット」強度分布)を有する焦線を作り出す。
光軸に沿って実質的に一定なピーク強度を有すると同時に焦線4’の各サブセクションにおいて実質的に一定なビーム直径Dを有する焦線4’を作り出すために、当該光学システム125は、好ましくは以下の2つの条件を満たす。
最初に、ビーム2内のエネルギーの同じ量の部分が、同じまたは実質的に同じ長さX’のセクションに沿って焦線領域4’内の光軸中に再結像されることが望ましい(条件1)。この条件は、焦線4’の一部分Lの少なくとも90%以内において実質的に一定なピーク強度を生じる。
第2に、焦線4’を形成する収束光線の角度βも、お互いに実質的に等しくあるべきである(条件2)。この条件は、焦線4の一部分Lの少なくとも90%以内に対して実質的に一定な直径Dを作り出す。
したがって、ビーム2のガウスエネルギー分布が、等しい出力の(しかし、必ずしも同じ幅wiではない)環状リングへと細分される場合、光学システム125は、幅wiの各リング内のエネルギーが、同じまたは実質的に同じ長さを有する焦線4’の領域内に含まれるように、各リング内に当該エネルギーを結像させる(Xi’≒X’、入射ガウスビーム2における同じ出力の異なるリングに対応する長さXi’は、お互いに15%以内、好ましくは10%以内、より好ましくは0〜5%以内である)。例えば、図8Aの実施形態において、光学部品3によって形成される焦線4内の距離Xiは、全て、お互いに等しく、したがって、再結像光学システム6によって焦線4’へと再結像された後に、焦線4’に沿った対応する距離Xi’も、お互いに等しいであろう。
一実施形態により、これらの条件を満たすために、本発明者らは、以下のように進めた:
・入力ガウスビーム2を、それぞれが光線高さhiに対応する一連のリングへと離散化させ、この場合、iは、1から任意数Nであり、Nは、好ましくは100未満であり(例えば、5≦N≦20)、最大光線高さRz’=hiMaxであり、この場合、Rz’≧0.9Rzである。好ましくは、焦線4および/または焦線4’の末端において生じ得る望ましくないエネルギースパイクを最小限に抑えるために、半径距離Rz’は、少なくとも、ガウスビーム2の1/e2半径に対応する半径に等しい(すなわち、Rz’≧Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、ガウスエネルギー(強度)が1/e2半径の少なくとも1.1倍である、ビーム2内での半径距離に対応する(すなわち、Rz’≧1.1Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’≦1/e2半径の2倍、である(すなわち、Rz’=2Rz)。いくつかの実施形態により、Rz≦1.7×1/e2である(すなわち、Rz’≦1.7Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、1/e2の1.1倍から1/e2の1.5倍の間の強度のレベルに対応する、ビーム2内での半径距離である(すなわち,1.1Rz≦Rz’≦1.5Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、1/e2の1.1倍から1/e2の1.3倍の間である、強度のレベルに対応する、ビーム2内での半径距離である(すなわち、1.1Rz≦Rz’≦1.3Rz)。
・上記において説明した各リングの高さhi(例えば、図8Aを参照されたい)は、2つの隣接するリングhiとhi+1との間における任意の環の内側に含まれる光出力または強度が一定となるように選択されるかまたは算出される。
・光学システム125内へと伝搬する場合、各リングhiに由来する光線は、当該光学システム125によって、焦線4’に沿って光軸OA上の位置xiに結像される。焦線4’の長さに沿って実質的に均一な照射プロファイル(実質的に均一なピーク強度分布)を達成するために、第1条件は、光線の各セット[i、i+1]に対する、光軸に交差するポイント[xi、xi+1]によって画定される各サブセクションの長さが、実質的に同じ長さXi’(例えば、±15%、好ましくは±10%の許容範囲まで、いくつかの実施形態により、±5%を超えない)を有することである。
・入力ガウスビーム2を、それぞれが光線高さhiに対応する一連のリングへと離散化させ、この場合、iは、1から任意数Nであり、Nは、好ましくは100未満であり(例えば、5≦N≦20)、最大光線高さRz’=hiMaxであり、この場合、Rz’≧0.9Rzである。好ましくは、焦線4および/または焦線4’の末端において生じ得る望ましくないエネルギースパイクを最小限に抑えるために、半径距離Rz’は、少なくとも、ガウスビーム2の1/e2半径に対応する半径に等しい(すなわち、Rz’≧Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、ガウスエネルギー(強度)が1/e2半径の少なくとも1.1倍である、ビーム2内での半径距離に対応する(すなわち、Rz’≧1.1Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’≦1/e2半径の2倍、である(すなわち、Rz’=2Rz)。いくつかの実施形態により、Rz≦1.7×1/e2である(すなわち、Rz’≦1.7Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、1/e2の1.1倍から1/e2の1.5倍の間の強度のレベルに対応する、ビーム2内での半径距離である(すなわち,1.1Rz≦Rz’≦1.5Rz)。いくつかの実施形態により、Rz’は、1/e2の1.1倍から1/e2の1.3倍の間である、強度のレベルに対応する、ビーム2内での半径距離である(すなわち、1.1Rz≦Rz’≦1.3Rz)。
・上記において説明した各リングの高さhi(例えば、図8Aを参照されたい)は、2つの隣接するリングhiとhi+1との間における任意の環の内側に含まれる光出力または強度が一定となるように選択されるかまたは算出される。
・光学システム125内へと伝搬する場合、各リングhiに由来する光線は、当該光学システム125によって、焦線4’に沿って光軸OA上の位置xiに結像される。焦線4’の長さに沿って実質的に均一な照射プロファイル(実質的に均一なピーク強度分布)を達成するために、第1条件は、光線の各セット[i、i+1]に対する、光軸に交差するポイント[xi、xi+1]によって画定される各サブセクションの長さが、実質的に同じ長さXi’(例えば、±15%、好ましくは±10%の許容範囲まで、いくつかの実施形態により、±5%を超えない)を有することである。
第2に、当該焦線の各サブセクションにおけるビームの直径は、光線角度β’によって決定される。
したがって、当該焦線に沿って一定のビーム直径を確保するために、本明細書において説明される少なくともいくつかの例示的実施形態により、光学システム125(FLIMOS)によって満たされる第2条件は、各光線[i]に対する角度β’が、一定であること、例えば、±20%、または±15%まで、好ましくは±10%、さらには±10%、または±5%まで、またはそれ未満の許容範囲であることが必要でである。角度β’を実質的に一定に制限する条件が存在し、というのも、そのような制限がない場合、焦線4’の直径Dは変化することになるためである。直径Dの変化は、焦線のそのセクション内の光強度において、相応する変化を生じるであろう。直径Dの激しすぎる変化(大きな変化)は、結果として、ガラス領域のいくらかのガラス内に損傷を生じないか(例えば、穴形成が生じない)、またはガラスを損傷し得る多すぎる微小亀裂を生じるか、または一貫性のない損傷を生成する可能性がある。
したがって、当該焦線に沿って一定のビーム直径を確保するために、本明細書において説明される少なくともいくつかの例示的実施形態により、光学システム125(FLIMOS)によって満たされる第2条件は、各光線[i]に対する角度β’が、一定であること、例えば、±20%、または±15%まで、好ましくは±10%、さらには±10%、または±5%まで、またはそれ未満の許容範囲であることが必要でである。角度β’を実質的に一定に制限する条件が存在し、というのも、そのような制限がない場合、焦線4’の直径Dは変化することになるためである。直径Dの変化は、焦線のそのセクション内の光強度において、相応する変化を生じるであろう。直径Dの激しすぎる変化(大きな変化)は、結果として、ガラス領域のいくらかのガラス内に損傷を生じないか(例えば、穴形成が生じない)、またはガラスを損傷し得る多すぎる微小亀裂を生じるか、または一貫性のない損傷を生成する可能性がある。
図8Aは、光学システム125の光学部品3’を示している。この実施例において、当該光学部品3’は、変形アキシコンである。図8Aに示された実施形態において見られるように、光学部品3’は、一定の傾斜を有するアキシコンにおける典型的な円錐面ではないが、その代わりに、より複雑なプロファイル(例えば、表面の傾斜が表面全体で半径方向に8回変化するように形状化された非球面プロファイル)を有する表面である、表面3a’を有する。この実施形態において、図からわかるように、当該光学部品3’の表面3a’は、わずかな起伏(断面において見られる傾斜変化)を有し、これは、ライトビームのピーク強度を距離zに対して焦線4’内において実質的に均一に維持する。より詳細には、この実施形態において、光学部品3’の表面3a’は、可変半径の湾曲を有しており、すなわち、表面3a’の形状は、この表面に衝突する光線が、わずかに異なる表面形状に遭遇し、焦線に向かって収束するように曲げられ、それにより、当該焦線4の長さに沿って実質的に均一なピーク強度プロファイル、したがって、焦線4’の長さに沿って均一なピーク強度プロファイル、を実現するように変化する。しかしながら、図8Bに図式的に示されるように、さまざまな光学部品3’、例えば、変形ワキシコン(waxicon)、変形逆アキシコン(屈折的または反射的のいずれか)など、または、この表面に衝突する光線が、わずかに異なる表面形状に遭遇し、焦線に向かって収束するように曲げられ、それにより、当該焦線の長さLに沿って実質的に均一な照射プロファイル(したがって、実質的に均一なピーク強度プロファイル)を実現するように変化するように変化する、少なくとも1つの光学面3a’を有する非球面部品(円錐形または非円錐形)、も利用することができる。例えば、光学部品3’は、上記の2つの条件を満たす空間光変調器もしくは格子であり得る。
より詳細には、図8Aの実施形態において、光学部品3’は、サブセクションあたり一定のエネルギー(結果として、一定のピーク強度)が存在するように、すなわち、光線の各セット[i、i+1]に対する、光軸と交差するポイント[xi、xi+1]によって画定される各サブセクションの長さが全て、約±10%の許容範囲までの実質的に同じ長さXi’を有するように、光線を折り重ねる。光学部品3’の表面3a’は、例えば、図1に示されたものと同様のアキシコン部品で開始し、指定された高さhiを有する特定の光線が、表面3a’を画定するためにどこで光軸と交差するべきかを指定しつつ、当該表面の非球面係数を変量することによって、当該部品の表面3aを(市販のレンズ設計プログラムを使用した設計の使用により)最適化することによって、設計され得る。代替策は、後方においてポイントxi、xi+1と交差する光線を追跡し、これらの光線が、当該光学部品3’の入力面上において光線高さhi、…hNに対応するように、どこで光学面3a’と交差すべきかを計算することである。交差ポイントは、当該光学部品3’の表面3a’を画定するであろう。
図8Aに示されるように、結果として得られる変形アキシコン3’に、それぞれが瞳高さhi、ここで、iは1から任意数Nである、を有する一連のリングへと分割されたiであるガウスビーム2が提供される場合(この場合、各リングの高さは、2つの隣接するリングhiとhi+1との間において任意の環の内側に含まれるエネルギー(出力)が一定となるように計算される)、光線の各セット[i、i+1]に対して光軸が交差する点[xi、xi+1]によって画定される各サブセクションの長さは、お互いに実質的に等しい(例えば、±15%まで、好ましくは±10%まで、±5%まで、またはそれ未満の許容範囲)。
しかしながら、図8Aに見られるように、焦線4を形成する各光線[i]に対する角度βは、当該光線が光学部品3’を出るとき、一定ではない。すなわち、図8Aの変形アキシコンは、単独で使用される場合(適切に設計された再結像システム6を用いないで)、上記の2つの条件のうちの1つしか満たさない。焦線4において各単位長さから一定のエネルギー(一定のピーク強度)を実現することができるかもしれないが、当該光線は、わずかに異なる収束角βにおいて当該変形アキシコンの外に収束しており、これは、焦線4の直径に影響を及ぼすであろう。例えば、当該光線は、お互いに平行のままではなく、異なる角度において収束している。さらに、光学部品3’の先端に隣接する光線は発散する。この領域が比較的大きい場合、それは、光学部品の先端近くにおいてエネルギーの望ましくないスパイクを生じさせ得る。焦線が、焦線4を形成する収束光線における異なる光線角βを補正しない光学システム6によって再結像される場合、結果として得られる焦線4’は、実質的に一定の直径Dを有さないであろう。
したがって、上記において説明した第2条件を満たすために、すなわち、光学システム125(FLIMOS)を出る各光線に対して実質的に同じ角度β’を有するために、非球面状表面を有する別の光学部品を用いることは有益であり得る。この部品は、例えば、再結像システム6’の非球面レンズであり得る。図9Aは、再結像光学システム6’と、一方が非球面状表面を有するレンズである例示的光学部品6aおよび6bとを示している。この部品は、例えば、n個の非球面を有する反射部品であってもよい。
より詳細には、いくつかの実施形態(例えば、図9Bを参照されたい)において、変形アキシコン3’は、焦線4’を形成する半径距離Rz’内に含まれるビーム2における光線に対応する各光線[i]に対して実質的に一定な角度β’(例えば、全ての角度β’は、お互いに±15%以内である)を提供するために、再結像レンズシステム6’の少なくとも1つの部品と併用して使用することができる。好ましくは、本明細書において説明される実施形態に示されるように、焦線4’を形成するように収束する全ての光線は、お互いの±10%以内、より好ましくは±5%以内である角度β’において収束する。これらの実施形態において、再結像レンズシステム6’は、光学部品6a’および6b’を含み、当該光学部品6a’および6b’は、図2に示されるものと同様であるが、光学部品6a’、6b’のうちの少なくとも一方は、非球面状表面を有する。したがって、結像システム6’の光学部品6a’および6b’は、拡張された焦点(すなわち、焦線)を、レーザービーム焦線4’として再結像し、それにより、光線が光学部品6b’を出るとき、焦線4’を形成するように収束する各光線[i]に対する角度β’は、実質的に一定である。いくつかの実施形態において、Rz’=Rzであり、いくつかの実施形態では、Rz’は、Rzより大きいが、3Rzより小さい。いくつかの実施形態において、Rz’は、Rzより大きいが、2Rz以下である。いくつかの実施形態において、Rz’≦1.5Rzである。いくつかの実施形態において、Rz’は、少なくとも1.2Rzである。
好ましくは、いくつかの実施形態により、光学システム125(FLIMOS)は、お互いに離間された少なくとも2つの非球面光学部品を利用し、当該光学システム設計の際、本発明者らは、両方の条件に見合うように、一方または両方の光学部品の1つまたは複数の非球面化係数(より高次の非球面係数または非球面係数a2〜a12とも呼ばれ、以下において説明する)を調節する。例えば、当該光学システム125(FLIMOS)の少なくとも1つの光学部品は、例えば、実施例1の実施形態に示され、表1を参照しながら説明されるような、1つまたは複数の非ゼロ非球面係数a2〜a12によって説明される非球面状表面を有し得る。
下記において説明される実施形態は、一対のそのような非球面部品を利用する。ただし、3つ以上の非球面部品も利用してもよく、光学システム125の当該非球面部品は、1つまたは2つの非球面状表面を有し得る。
以下の実施例により、様々な実施形態がさらに明確になるであろう。
実施例1の実施形態
図9Aは、以下の特徴:(i)少なくとも、距離Z(または焦線の長さL)に対して実質的に均一な出力分布、および(ii)実質的に一定な直径D、を有する変形ガウス−ベッセルビームを形成するように構築された屈折光学システム125を示している。図9Aは、当該光学システム125のこの実施形態が、非球面状表面3a’を有する変形アキシコン3’と、少なくとも2つの光学部品6a’および6b’を含む再結像レンズシステム6’とを含むことを示している。光学部品6a’は、この実施形態において光学部品6b’に面している非球面状表面(この図において、L1非球面として命名される)を含む。この実施形態において、第2光学部品6b’は、非球面状表面を有さず、異なる焦点長の別のレンズ部品と容易に置き換えることができ、その結果、焦線の大きさを変えることができる。しかしながら、いくつかの実施形態において、それは、非球面状表面を有し得る。図9Bは、図9Aの例示的光学部品の形状を示している。この図において、T1、T2、T3、T4は、各ガラス素子の厚さであり、S1、S2、およびS3は、光軸に沿った当該光学素子の間の空隙であり(これらは、実寸において示されていない)、R1〜R8は、各光学素子の曲率半径を示している。当該部品または素子は、「グループ」において位置されている。例えば、図9Bに示されるように、グループ「A」は、変形アキシコン3’に対応し、グループ「B」は、レンズ部品6Aに対応し、グループ「C」は、レンズ部品6B(2枚構造)に対応する。下記の表1は、図9Aおよび図9Bに示された屈折光学システム125の実施形態に対する光学パラメータを提供する。
図9Aは、以下の特徴:(i)少なくとも、距離Z(または焦線の長さL)に対して実質的に均一な出力分布、および(ii)実質的に一定な直径D、を有する変形ガウス−ベッセルビームを形成するように構築された屈折光学システム125を示している。図9Aは、当該光学システム125のこの実施形態が、非球面状表面3a’を有する変形アキシコン3’と、少なくとも2つの光学部品6a’および6b’を含む再結像レンズシステム6’とを含むことを示している。光学部品6a’は、この実施形態において光学部品6b’に面している非球面状表面(この図において、L1非球面として命名される)を含む。この実施形態において、第2光学部品6b’は、非球面状表面を有さず、異なる焦点長の別のレンズ部品と容易に置き換えることができ、その結果、焦線の大きさを変えることができる。しかしながら、いくつかの実施形態において、それは、非球面状表面を有し得る。図9Bは、図9Aの例示的光学部品の形状を示している。この図において、T1、T2、T3、T4は、各ガラス素子の厚さであり、S1、S2、およびS3は、光軸に沿った当該光学素子の間の空隙であり(これらは、実寸において示されていない)、R1〜R8は、各光学素子の曲率半径を示している。当該部品または素子は、「グループ」において位置されている。例えば、図9Bに示されるように、グループ「A」は、変形アキシコン3’に対応し、グループ「B」は、レンズ部品6Aに対応し、グループ「C」は、レンズ部品6B(2枚構造)に対応する。下記の表1は、図9Aおよび図9Bに示された屈折光学システム125の実施形態に対する光学パラメータを提供する。
この実施形態において、F1=125mm;F2=40mm、およびF1+F2=165mmである。表1の実施形態の半径R2およびR4に対応する表面についての円錐定数/非球面係数は、以下において提供され、方程式1.3によって説明される。
非球面状表面は、以下の方程式:
z’=(cr2/1+(1−(1+k)c2r2)1/2)+(a1r+a2r2+a3r3+a4r4+a5r5+a6r6+a7r7+a8r8+a9r9+a10r10+a11r11+a12r12) 方程式1.3
[式中、z’は、表面垂下であり、rは、半径方向における光軸からの表面の高さであり(例えば、表面断面に応じて、xまたはy高さ)、cは、表面曲率であり(すなわち、ci=1/Ri)、kは、円錐定数であり、係数aiは、表面を説明する1次から12次の非球面係数またはより高次の非球面係数(多項式非球面)である]によって説明される形状を有する表面である。
z’=(cr2/1+(1−(1+k)c2r2)1/2)+(a1r+a2r2+a3r3+a4r4+a5r5+a6r6+a7r7+a8r8+a9r9+a10r10+a11r11+a12r12) 方程式1.3
[式中、z’は、表面垂下であり、rは、半径方向における光軸からの表面の高さであり(例えば、表面断面に応じて、xまたはy高さ)、cは、表面曲率であり(すなわち、ci=1/Ri)、kは、円錐定数であり、係数aiは、表面を説明する1次から12次の非球面係数またはより高次の非球面係数(多項式非球面)である]によって説明される形状を有する表面である。
表1の実施形態において、光学部品3’は、以下の係数a1〜a7によって説明される表面3a’(表1のR2に対応する)を有し、係数a1〜a7は、それぞれ、−0.085274788;0.065748845;0.077574995;−0.054148636;0.022077021;−0.0054987472;0.0006682955、であり、非球面係数a8〜a12は、0である。この実施形態において、この表面3a’は、円錐定数K=0を有するが、a1係数は、非ゼロ値を有し、これは、非ゼロ値の円錐定数Kを有することに等しい。したがって、同等な表面は、非ゼロである円錐定数K、または当該係数a1係数に対して非ゼロゼロ値(または、非ゼロのKとa1との組み合わせ)、を指定することによって説明され得る。
表1の実施形態において、R4に対応する光学素子の表面は(グループBの部品)、円錐定数K=4.518096を有し、かつ係数a1〜a12は0である。部品6aの代替の実施形態において、表面の1つは、より高次の非球面係数a2からa12によって定義され、それらの係数の少なくとも1つは非ゼロ値を有する。
表1の実施形態において、少なくとも1つの表面は、非ゼロ値を有する少なくとも1つのより高次の非球面係数a2〜a12(すなわち、a2、a3、…、a12のうちの少なくとも1つ≠0)によって説明または定義され、少なくとも1つの別の表面は、非ゼロ円錐定数または少なくとも1つの非ゼロの、a2からa12から選択されるより高次の非球面係数のいずれか(すなわち、K≠0および/または少なくとも1つのa2からa12は0ではない)によって説明される。
表1の実施形態において、少なくとも1つの表面は、非ゼロ値を有する少なくとも1つのより高次の非球面係数a2〜a12(すなわち、a2、a3、…、a12のうちの少なくとも1つ≠0)によって説明または定義され、少なくとも1つの別の表面は、非ゼロ円錐定数または少なくとも1つの非ゼロの、a2からa12から選択されるより高次の非球面係数のいずれか(すなわち、K≠0および/または少なくとも1つのa2からa12は0ではない)によって説明される。
実施例2
図10Aおよび図10Bは、以下の特徴:(i)少なくとも、焦線4’の距離0.9Lに対して、実質的に均一なピーク強度分布;および(ii)実質的に一定な直径D、を有する変形ガウス−ベッセルビームを形成している反射性光学システム125の実施形態を示している。この実施形態において、当該直径Dは、少なくとも、焦線4’の距離0.9Lに対して、その最大値から20%を超えて変動しない。図10Aは、当該光学システム125のこの実施形態が、反射非球面状表面3a’を有する変形反射アキシコン3’と、非球面状表面を有する単一の反射性部品6a’を含む再結像レンズシステム6’とを含むことを示している。図10Aおよび図10Bの反射的実施形態は、図9Aおよび図9Bに示される屈折的実施形態と光学的に同等であり、図5Aに示されるものと同様の「トップハット」タイプの強度プロファイルを提供するように同じ方式において設計される。反射部品の少なくとも1つは、少なくとも1つのより高次の非球面係数(非ゼロであるa2、a3、…、a12)によって少なくとも部分的に定義される表面を有することに留意されたい。
図10Aおよび図10Bは、以下の特徴:(i)少なくとも、焦線4’の距離0.9Lに対して、実質的に均一なピーク強度分布;および(ii)実質的に一定な直径D、を有する変形ガウス−ベッセルビームを形成している反射性光学システム125の実施形態を示している。この実施形態において、当該直径Dは、少なくとも、焦線4’の距離0.9Lに対して、その最大値から20%を超えて変動しない。図10Aは、当該光学システム125のこの実施形態が、反射非球面状表面3a’を有する変形反射アキシコン3’と、非球面状表面を有する単一の反射性部品6a’を含む再結像レンズシステム6’とを含むことを示している。図10Aおよび図10Bの反射的実施形態は、図9Aおよび図9Bに示される屈折的実施形態と光学的に同等であり、図5Aに示されるものと同様の「トップハット」タイプの強度プロファイルを提供するように同じ方式において設計される。反射部品の少なくとも1つは、少なくとも1つのより高次の非球面係数(非ゼロであるa2、a3、…、a12)によって少なくとも部分的に定義される表面を有することに留意されたい。
上記において説明されるように、少なくともいくつかの例示的実施形態により、光学システム125の設計は、入射ガウスビーム2を一連のリングに分割または離散させるステップを含み、当該光線は、1)右側の位置に(すなわち、各リング内に含まれるビーム部分は、実質的に同じ長さ(すなわち、前のセクションの長さの±15%以内、±10%以内、好ましくは±5%以内、さらには±2%以内)を有する光軸のセクションに沿ってマッピングされる);かつ2)適切な角度で(すなわち、実質的に同じ角度(β’)、例えば、±15%以内、±10%以内、好ましくは±5%以内、さらには±2%以内)、光軸に沿って結像される。すなわち、本発明者らは、少なくとも、Rz’≧1Rz(より好ましくは、Rz≦Rz’≦1.7Rz、例えば、1.1Rz≦Rz’≦1.3Rzの場合)のガウスビーム2に対して、入射ガウスビーム2が、等しい量の光出力(または強度)がそれぞれのリングに位置されるように、当該光線がレーザービーム焦線を形成する一連のリングに分割される場合、当該光線は、各リング内に含まれる連続するビーム部分が実質的に同じ出口角β’を有する光軸のセクションに沿ってマッピングされるように、光軸に沿って光学システム125(FLIMOS)によって結像されることを特定した。
焦線4’の発生は、上記において説明されるように、MGB(変形ガウスビーム)によって実施することができる。しかしながら、緩慢に回折するまたは準非回折性の変形ビームの他の形態、例えば、変形エアリービーム、または楕円形の中心スポットを有するように変形されたガウス−ベッセルビームなど、も使用することができる。したがって、他の実施形態により、当該光学部品3’は、必ずしも変形アキシコンでなければならないわけではないが、当該光学部品3’が、実質的に均一なピーク強度分布を提供するように構築され、それにより、入射する緩慢に回折するまたは準非回折性のビーム内の等しいエネルギーのリングが、同じまたは実質的に同じ長さXi’(例えば、30%以内、25%以内、20%以内、好ましくは15%以内、またはそれ未満)を有するように、焦線4’に沿って当該光学部品3’(または当該光学部品3’を含む光学システム125)によって光軸に沿ってマッピングされる限り、当該光学部品3’は、緩慢に回折するまたは準非回折性の変形ビームを提供するように構築された任意の光学部品であってもよい。
下記の表2は、屈折性光学システム125の別の実施形態に対する光学パラメータを提供する。
この実施形態において、F1=120mm;F2=29.115mm、およびF1+F2=149.115mmである。表2の例示的実施形態の円錐定数/非球面係数は、方程式1.3によって説明され、かつ以下の通りである:
グループAの非球面条件(表2の半径2に対応する)は:
k=0およびa1=−0.085274788;a2=−0.065748845;a3=0.077574995;a4=−0.054148636;a5=0.022077021;a6=−0.0054987472;a7=0.0006682955
である。
グループAの非球面条件(表2の半径2に対応する)は:
k=0およびa1=−0.085274788;a2=−0.065748845;a3=0.077574995;a4=−0.054148636;a5=0.022077021;a6=−0.0054987472;a7=0.0006682955
である。
R4に対応する光学素子の表面は(グループBの部品)、円錐定数k=9.331346を有し、かつ係数a1〜a12は0である。
実験結果
パラメータRz’(パラメータRz’は、焦線4’に沿った強度が実質的に一定になるようにマッピングされているビーム2の最大高さである)に対して様々な値を選択することによる、焦線の品質に対する影響を評価し、実験的に検証した。
パラメータRz’(パラメータRz’は、焦線4’に沿った強度が実質的に一定になるようにマッピングされているビーム2の最大高さである)に対して様々な値を選択することによる、焦線の品質に対する影響を評価し、実験的に検証した。
光学部品3’の、およびレンズ部品6a’の非球面状表面3a’を形成するために、製造された光学システム125の実施形態が15%の許容範囲内において2つの条件の両方を満たすように、BaF2材料をダイヤモンド旋削することによって、図9Aにおける光学システムと同様のいくつかの屈折光学システム125(FLIMOS)を製造した。図9Aの例示的実施形態において、当該表面3a’は、図8Aの表面3a’と形状が同様であり、さらに、部品6a’の非球面状表面は、焦線4’を形成する収束光線がお互いに実質的に平行であるように当該光学部品6b’を出る光線が再結像するのを助ける。ガウス強度プロファイルを有する、コリメートされた入射レーザービーム2を使用することによって、光学システム125を試験した。しかしながら、光学システム125の様々な実施形態において、当該ガウスビーム2を、調節可能な直径のアイリスを使用することによって、異なる半径高さRz’において切頂した。上記において説明されるように、当該ガウスビーム2を、半径高さRz’まで、等しい出力の複数のリングへと細分した。リング数Nは、例えば、4から100であり得るが、好ましくは4から20、例えば、5から15、または5から10であり得る。次いで、焦線4’を結像するために、CCDカメラおよび60倍顕微鏡対物レンズを使用して、研究室において、当該光学システム125の性能を評価した。当該顕微鏡対物レンズおよびCCDカメラを、光軸に沿ってスキャンさせることにより、焦線4’の一連の断面プロファイルをアセンブルし、当該光軸に沿った位置の関数としてピーク強度を算出した。
図11Aは、光学システム125の第1例示的実施形態によって生成された光軸OAの距離の関数としての、焦線4’のピーク強度の測定結果を示している。光学システム125のこの実施形態において、Rz’=Rz=1.5mmである。すなわち、1/e2のポイント内に含まれる入力ビーム2の一部分に対して、1)各リング内に含まれる光出力(および各リング内の光出力が、1/e2のポイントまで、他のリングのそれぞれの内の光出力に等しい)が、実質的に同じ長さ(例えば、±15%以内)を有する光軸のセクションに対応し;かつ2)1/e2のポイント内に含まれる全ての光線が、最後の再結像部品を出たときに、光学システムを出る各光線に対して実質的に同じ角度β’を有する(例えば、±15%以内)、ように、入力ガウスビームを当該焦線へマッピングするように光学部品3’および6a’を設計した。したがって、光学システム125のこの製造された実施形態において、1/e2における直径内に含まれるリングに対してのみ、2つの条件は満たされた。図11Aに示された実験結果は、焦線4’のほとんどが、当該焦線の長さのほとんどに対して実質的に均一な強度プロファイルを有することを示している。これは、例えば、図4Aに示される、典型的なガウスベッセル強度分布プロファイルに対する改良である。しかしながら、図11Aは、約23mmから約23.8mmの間の距離において生じる最大ピーク強度を有する焦線の末端に高強度のスパイクが存在することを示している。この実施形態において、当該スパイクの幅は、焦線の長さの約10%に相当し、この場合、当該焦線の残りの部分は、光軸に沿った距離zの関数として、実質的に均一な強度を有する。
図11Bは、図11Aの焦線強度プロファイルにおける標識された位置に対応する、2つの異なる光軸位置(線B−BおよびB’−B’によって示される)において測定されたビーム断面プロファイルを示している。左側に示されたビーム断面プロファイルは、焦線の中央部分の周囲の位置、すなわち、z≒20mm、に対応している。中央スポットまたは中央ローブ4a’は、焦線4’に対応している。右側に示されたビーム断面プロファイルは、焦線の末端付近の位置、すなわち、エネルギースパイクの位置、に対応している。図11Bに示されるように、焦線4’の末端付近の位置において、ビーム形状は、断面ビームプロファイルに影響を及ぼした、いくらかの干渉効果または縞模様を示している。その上、干渉効果である場合、これらの縞模様は、当該システムにおけるいかなるミスアラインメントに対しても非常に敏感であった。したがって、この光学システムは、ポイントz=16.1mmおよびz=23mmの間に位置される1つまたは複数のガラス基板7の切断にとって好適であり、一方、最適に望ましいエネルギーよりも多くのエネルギーが、ポイントz=23mmおよびz=23.8mmの間に存在した。しかしながら、このエネルギースパイクは、入力ガウスビームの最外半径からの光線を妨げる任意選択のアパーチャによって排除することができる。例えば、アパーチャ、例えば、アイリスダイアフラムなど、を、光学部品3’の上流(左側)に位置してもよい(例えば、図9Bに示されるグループA)。あるいは、スパイクに対応する光線のみに交差して過剰なエネルギーのみを除去する任意選択のニュートラルデンシティフィルターも使用してもよい。
設計によって、焦線の末端において形成されるスパイクを最小限に抑えるか排除することは望ましい。図11Aに示されたスパイクの源を理解するために、光学部品3’に入る光ビーム2の複数の光線に対して、入力光線高さhi(光学部品3’に入る光線の半径)を、各光線が光軸と交差する位置(焦線4’に沿った位置z)に対してプロットする。これは、図11Cに示されており、当該図において、水平軸は、入射光線の高さhiを表しており、垂直軸は、この光線が光軸と交差する位置を表している。x軸上の0.5mmから1.5mmの間に対応するセクションは、実質的に真っ直ぐな傾きを有しており、これは、光線が、一定のエネルギー密度に対応して、光軸に沿って離間されてほぼ均一に分配されることを示している。しかしながら、x軸上の1.5mmの上方の位置に、曲線の上部「ロールオーバー」部分が存在し、これは、光線のより高い密度が、光軸に沿った小さい範囲の位置に当たることを示しており、図11Aに見られるスパイクに対応する。
図11Cは、約1.5mmから約1.75mmの光線高さに対応する光線が、一緒により近くにおいて光軸と交差し、結果として、図11Aに見られるエネルギースパイクを生じることを示している。より詳細には、図11Cで示される曲線の傾きは、光軸のセグメントまたはサブセクションのそれぞれがいかに大きいものであるかを示唆している。h=0の近くで、各環は非常にわずかなエリアを含み、ならびに非常に大きな半径において、入力ビームは非常に小さい強度を有するため、入射瞳の中心(h=0)の周りおよびガウス分布のテール部(1/e2半径に近いhi=1.5mm)において、マッピング曲線の傾きは、当該曲線の他の領域より小さく維持されることを必要とする。したがって、各部分環(光学システムの入射瞳の半径wiのリング)上に統合されたエネルギーはより低いであろうため、これらの低い半径領域および極めて高い半径領域では、光を、光軸に沿ったより小さいセグメントに集中させる必要がある。この特定の設計が、ビーム半径Rz’=Rz=ビーム強度の1/e2=1.5mmに対応する入力ビーム内においてのみ最適化されていることに留意されたい。図11Cも、曲線が、1.5mmから約1.75mmの間の入射瞳に当たる光線が、焦線の末端に非常に近い同じ位置付近において結像されることを意味する、最大値に達することを示している。これは、その位置においてエネルギー密度を増加させ、このことは、図11Aの焦線4’の末端における明るいピーク(「ホットスポット」)を説明する。
焦線4’のビームエネルギーの全てまたはほとんどの使用を最大化しつつ、ホットスポットまたはスパイクを排除または最小化するための3つの異なる可能な解決法が存在することが発見された。当然のことながら、焦線4’の品質を高めるために、これらのアプローチまたは解決法の組み合わせも利用することができる。これらの解決策は、以下において説明される:
1)入力ビーム2を切頂するために、ダイアフラム(アイリス)を利用する。ダイアフラムまたはアイリスを利用することによって、所定の半径、例えば、1/e2のポイントなど、の外側の光を除去することができ、その結果、ホットスポットおよび干渉縞の両方を発生させる原因の光を排除することができ、それにより、実質的に均一な強度プロファイルを作り出すことができる。
1)入力ビーム2を切頂するために、ダイアフラム(アイリス)を利用する。ダイアフラムまたはアイリスを利用することによって、所定の半径、例えば、1/e2のポイントなど、の外側の光を除去することができ、その結果、ホットスポットおよび干渉縞の両方を発生させる原因の光を排除することができ、それにより、実質的に均一な強度プロファイルを作り出すことができる。
2)入力光線高さに対する光軸交差位置の曲線の傾きが常に正になるように光学システム125を設計/構築する。上記において説明されるように、当該ホットスポットおよび干渉縞は、先のプロットにおける傾きが負の傾きおよび/またはほぼゼロの傾きを有する、いくつかの部分を有するという事実に起因する。傾きが常に正であるように光学システムを構築することによって、スパイクは、本質的に排除されるはずである。そのようなシステムの設計は、最適化の前にエンドユーザーがメリット関数要件を設定できる市販のレンズ設計プログラムのいずれかにおいて、メリット関数要件の1つとして、傾きが正であるという要件を指定することによって達成することができる。図12Aは、そのような傾きの例を示している。図12Aに示されるように、光学システム125のこの実施形態において、入力光線高さ(hi)に対する光線位置(xi)は、常に正である。より詳細には、この実施形態において、光学システム125は、Rz’=1.2Rzまで上記の2つのマッピング条件を満たすように構築される(すなわち、当該光学システムは、1.2×1/e2のポイント内に含まれるガウスビームの一部分に対してマッピング条件を満たすように、ならびに、曲線の傾きが焦線内のどこにおいても正であるような光線高さ(hi)を提供するように設計された)。
3)非常に大きな入射瞳直径(DEP=2Rz’≧1/e2直径、好ましくは1.2×1/e2直径)に対して、その直径の外側においてビーム2中に存在する光エネルギーを無視できるように、そのような直径において条件1および2が満たされるように光学システム125を設計する。図12Bは、1.5×1/e2直径の直径内において機能するように設計されている光学システム125の実施形態の場合の、光軸交差位置(xi)に対する入力光線高さ(hi)の傾きを示している。この図からわかるように、この図に対応する光学システム125の実施形態は、傾き(光軸交差位置に対する入力光線高さ(hi))はゼロに近づくが、依然として、ホットスポットを避けるのに十分に正のままであるような、焦線4’を形成する。
図12Cは、光学システム125のさらなる別の実施形態から得られる、モデル化された結果および測定された結果を示している。当該モデル化された結果は、薄い灰色の曲線によって描かれており、測定結果は、暗い灰色の曲線で表されている。モデル化された結果は、焦線の末端において非常に細いスパイクの存在を予測していたが(これよりはるかに細いスパイクが、図11Aの右側に描かれている)、このスパイクは、実際のシステムの測定の際には検出されなかった。図12Cのモデル化された曲線の左側は、焦線の「末端」(光学系から最も遠い)を表しており、右側は、焦線の始まり(光学系に最も近い)を表している。光学システム125のこの実施形態において、パラメータRz’は、1.2Rzとなるように選択し、光学システム125は、光軸交差位置に対する投射光高さの傾きが、焦線4’全体のどこにおいても正を維持するように組み立てた。
図13は、光学システム125のさらに別の実施形態における、測定された結果(強度対光軸に沿った距離)を示している。この実施形態において、Rz’は1.5mmであり、光の波長は1064nmであり、形成される焦線4’の長さLは約1.2mmであった。図13に示されるように、焦線の長さに沿ったピーク強度における変動は、ピーク強度Ipの約20%以内であり、平均ピーク強度から約±15%以下であった。平均強度は、例えば、(焦線長さLの少なくとも90%に拡張された)焦線4’の長さLに沿って少なくとも10点、好ましくは少なくとも15点の等距離のピーク強度測定を行い、平均(mean)(平均(average))ピーク強度を計算することによって、計算することができる。
最後に、トップハットビームプロファイルの長さを調節することが望ましくあり得る。一般的に、ガウスベッセルビームよって作り出される焦線の長さは、光学部品3’への入力ビーム直径に応じて決まる。しかしながら、光学部品3’は、非常に特定の入力ビーム1/e2直径と特定のRz’とに基づいてエネルギーを分配するように設計されるため、光学部品3’における入力ビーム直径が変化する場合、結果的に、結果として得られる焦線4’に対して不均一な出力または強度分布を生じるであろうことは留意されるべきである。すなわち、光学部品3’は、光学システム125に入ってくるガウスビームの特定のサイズに対して設計されるべきである。例えば、光学部品3’が、1.6mmに1/e2のポイントを有するガウスビームに対して設計され、そして当該入射ガウスビーム2が、1/e2の強度ポイントがここで1.65mmに対応するように変化した場合、焦線4’の強度プロットは、図14に示されるのと同様の強度スパイクを有するであろう。より詳細には、図14は、同じ実施形態の光学システム125で使用される3つの異なるガウスビームにおける、光軸に沿った距離に対する、正規化された強度分布(Imax=1を有する)を示している。当該光学システム125の最大光線高さhiは、光学部品3’の透明なアパーチャによって特定され、したがって、同じままであった。唯一の違いは、ガウスビーム2はわずかに異なる1/e2ポイント(すなわち、わずかに異なるRz)を有しており、それは、ミリメートルの小数点以下によってのみ異なっていた(例えば、Rzは、1.5mmから1.8mmであった)。図14に示されるように、3つの異なるガウスビームにおいて同じ光学システム125(FLIMOS)を使用した場合、当該ガウスビームを、それらの1/e2のポイント(Rz)が、当該光学システムを設計したその対象であるガウスビームのRzとは異なるように変えた場合、Rzにおける差が増加するほど、焦線に沿ったピーク強度は減少し、結果として生じるスパイクは、焦線の平均ピーク強度に対してより高くなった。したがって、光学システム125は、入射ガウスビーム2の特定の直径Rzに合わせて設計されるべきである。
トップハットビームピーク強度プロファイルの長さLは、上記において説明したスパイク形成を避けるために、異なる1/e2直径(異なるRz)を有するガウスビームに適応するように部品3’を再設計することによって調節または変更することができる。しかしながら、本発明者らは、光学システムにおいて同じ光学部品3’を利用することができるようにして、図14に示されたスパイク形成を生じることなく、必要であれば焦線の長さをさらに増加させる、より実用的な解決法を発見した。再結像システム6’に加えて、トップハット焦線4’を様々な位置において様々な倍率でリレーするために、追加の再結像光学システム、例えば、2次リレーテレスコープ(光学再結像システム6および6’と同様の再結像光学システム)など、を用いることができる。2次再結像システムの望遠鏡倍率M’は、光学部品3’によって形成された直径Dを倍率M’において拡大または縮小し、かつM’2のさらなる倍率において焦線4の長さを拡大または縮小する。しかし、入力ビームの1/e2直径を変更する場合と異なり、トップハットエネルギー分布は、スケール変更されるのみであり、歪められず、同じ光学部品3’を利用しつつ、多くの異なる焦線長さを生じさせることができる、解決策であろう。例えば、そのようなリレーテレスコープは、焦点長F3およびF4の2つのレンズ6a’、6b’をF3+F4の距離において離間して配置することによって製造することができ、F4/F3の倍率M’を達成することができる。焦線4’の典型的な長さLは、例えば、275μmから100mmである。焦線4’の直径Dは、例えば、0.3μmから5μm、例えば、0.5μmから4μm、または1μmから2.5μm、または0.3μmから3μm、または0.3μmから4μmである。
図15A〜図15Bに示されるように、透明材料、より詳細にはガラス組成物、を切断および分離する当該方法は、本質的に、超短パルスレーザー5と併用して使用される光学システム125(FLIMOS)によって作り出された焦線4’によって加工されるワークピーク7の材料130中に複数の垂直欠陥線120で形成される断層線110を作製するステップをベースとしている。欠陥線120は、例えば、当該ガラス板の厚さを通って延在し、当該ガラス板の主要(平坦な)表面7a、7bに対して実質的に直交している。「断層線」110は、本明細書において「輪郭」とも呼ばれる。欠陥線または輪郭は、図15Aに示された断層線110のように直線的であってもよいが、当該断層線また輪郭110は非直線的で、湾曲を有していてもよい。湾曲した断層線または輪郭は、例えば、1次元ではなく2次元においてワークピース7または焦線4’をお互いに対して平行移動させることによって生成することができる。材料特性(吸光度、CTE、応力、組成など)および、ワークピース7の材料130を加工するために選択されたレーザーパラメータに応じて、断層線110の作製のみで、自己分離を引き起こさせるのに十分であり得る。この場合、2次分離プロセス、例えば、張力/曲げ力、あるいは、例えば、CO2レーザーなどによって生じさせた熱的応力を必要としない。図15Aに示されるように、複数の欠陥線で輪郭を画定することができる。欠陥線によって分離された端部または表面は、当該輪郭によって画定される。欠陥線を作製する誘起吸収は、当該分離された端部または表面上に、3マイクロメートル未満(例えば、0.3マイクロメートルから2マイクロメートル)の平均直径を有する粒子を生成することができ、結果として、非常にクリーンな切断プロセスをもたらし得る。
場合により、作製された欠陥線は、材料を自然に分離させるのに十分ではなく、2次ステップを必要とし得る。そのような場合、例えば、第2レーザーを使用することにより、輪郭に沿ってガラスを分離するために熱的応力を生じさせることができる。いくつかのガラス組成物の場合、分離は、断層線の作製の後に、機械的応力の適用によって、または熱源(例えば、赤外レーザー、例えば、COまたはCO2レーザー)の使用により熱的応力を生じさせて当該材料を強制的に分離することによって、達成することができる。別の選択肢は、CO2レーザーのみで分離を開始し、次いで、手動によって分離を完了させることである。選択肢のCO2レーザー分離は、例えば、10.6マイクロメートルにおける焦点のぼやけた連続波(CW)レーザー放射およびそのデューティサイクルを制御することによって調節された出力によって達成される。焦点変化(すなわち、焦点ぼけの度合い、および集束スポットを含む度合い)を使用して、スポットサイズを変えることによって、誘起された熱応力を変える。焦点のぼやけたレーザービームは、レーザー波長のサイズのオーダーでの最小の回折限界のスポットサイズより大きいスポットサイズを生成するレーザービームを含む。例えば、10.6μm波長のCO2レーザーの場合、CO2レーザーのために、1mmから20mm、例えば、1mmから12mm、3mmから8mm、あるいは約7mm、2mm、および20mm、のCO2レーザースポットサイズを使用することができる。放射波長がガラスによっても吸収される他のレーザー、例えば、9〜11マイクロメートルの範囲において放射される波長のレーザーなど、も使用することができる。そのような場合、100ワットと400ワットの間の出力レベルのCO2レーザーを使用することができ、当該ビームは、欠陥線に沿って、または隣接して、50〜500mm/秒の速度においてスキャンすることができ、これは、分離を誘発するのに十分な熱的応力を生じさせる。指定された範囲内で選択された、正確な出力レベル、スポットサイズ、およびスキャン速度は、使用される材料、その厚さ、熱膨張率(CTE)、弾性率に応じて変わり得るが、それは、これらの因子の全てが、所定の空間位置におけるエネルギー蓄積の特定の率によって付与される熱応力の量に影響を及ぼすためである。スポットサイズが小さすぎる場合(すなわち、<1mm)、またはCO2レーザー出力が高すぎる場合(>400W)、またはスキャン速度が遅すぎる場合(10mm/秒未満)、当該ガラスは、過剰加熱され得、当該ガラスにおいて、溶発、溶融、または熱的に発生した亀裂を生じさせるが、これは、分離されたパーツのエッジ強度を下げることになるために、望ましくない。好ましくは、効率的で信頼性高いパーツ分離を誘起するために、CO2レーザービームスキャン速度は>50mm/秒である。しかしながら、当該CO2レーザーによって生じたスポットサイズが大きすぎる場合(>20mm)、またはレーザー出力が低すぎる場合(<10W、または場合によっては<30W)、またはスキャン速度が速すぎる場合(>500mm/秒)、加熱が不十分になり、これは、結果として、熱応力が低すぎるために、信頼性高いパーツ分離を誘起できない。
例えば、いくつかの実施形態において、上記において言及したピコ秒レーザーで穿孔されている0.7mm厚のCorning Eagle XG(登録商標)ガラスの場合、およそ6mmのガラス表面でのスポット直径および250mm/秒のスキャン速度において、200ワットのCO2レーザー出力を使用することにより、パーツ分離を誘起することができる。穿孔線に沿った分離は、CO2スポットが、例えば、100ミリ秒以内、50ミリ秒以内、または25ミリ秒以内において、所定の場所を通過した後に、非常に迅速(1秒未満)に生じるであろう。
断層線110の方向に沿った、隣接する欠陥線120の間の距離または周期性は、例えば、いくつかの実施形態において、0.1マイクロメートルを超えかつ約20マイクロメートル以下であり得る。例えば、いくつかの実施形態において、隣接する欠陥線120の間の周期性は、0.5マイクロメートルから15マイクロメートルの間、または3マイクロメートルから10マイクロメートルの間、または0.5マイクロメートルから3.0マイクロメートルの間であり得る。例えば、いくつかの実施形態において、隣接する欠陥線120の間の周期性は、0.5マイクロメートルから1.0マイクロメートルの間であり得る。
非線形光学効果により基板材料またはガラスワークピースの破壊を生じさせるために、焦点の領域において、基板材料の破壊を生じさせるために十分な光強度が達成される限り、異なるタイプのレーザー5(ピコ秒、フェムト秒など)および異なる波長(IR、可視(例えば、緑色、青色など、UVなど)も、用いることができる。好ましくは、当該レーザーは、所定のバースト内のパルスの数を調節することによって時間経過におけるエネルギー蓄積の制御を可能にするパルスバーストレーザーである。
いくつかの実施形態において、光学システム125によって、ピーク強度の高い均一性を有する焦線4’を作り出すために、超短パルスレーザー光源5が使用される。この概念の変形例の1つは、超短(ピコ秒またはフェムト秒の持続期間)レーザービーム2’を使用して、高アスペクト比の領域、無テーパマイクロチャネルを作り出すために、光学レンズシステム125において変形アキシコンレンズ部品3’を使用することである。他の実施形態により、上記において説明した条件1を満たすように設計/構築された、変形ワキシコン、変形逆アキシコン、または他の非球面部品も、利用することができる。当該変形アキシコン3’または同様の光学部品3’は、レーザービームを焦線4’、すなわち、上記において説明されるような実質的に均一な強度分布も有する、円柱形で高アスペクト比(長い長さおよび小さい直径)の高強度領域へと集光させる。集光されたレーザービームによって作り出された高強度により、レーザーの電磁場と基板材料との非線形相互作用が生じ、レーザーエネルギーがワークピース7へと移されて、断層線の成分となる欠陥の形成に作用する。
再び図16を参照すると、材料をレーザー加工する方法は、パルスレーザービーム2を、ビームの伝搬方向に沿って方向付けされたレーザービーム焦線4’に集束するステップを含む。図16に示されているように、レーザー5(図示されず)は、レーザービーム2を放射し、これは、光学システム125(本明細書において、光学アセンブリとも呼ばれる)に入射する部分2aを有する。当該光学システム125は、投射レーザービーム2を、アウトプット側において、ビーム方向に沿って画定された拡張範囲(焦線の長さL)にわたる幅広のレーザービーム焦線4’へと変換する。この例示的実施形態において、当該平坦な基板7は、レーザービーム2のレーザービーム焦線4’に少なくとも部分的に重なるようにビーム経路に位置決めされる。したがって、当該レーザービーム焦線は、当該基板中へと向けられる。それぞれ、符号7aは、光学アセンブリ125またはレーザーに面している平坦な基板の表面を示しており、符号7bは、基板7の反対側の表面を示している。当該基板またはワークピースの厚さd(この実施形態では、平面7aおよび7bに対して、すなわち、基板の平面に対して垂直に測定した)。当該基板またはワークピースは、材料とも呼ぶことができ、かつ、例えば、レーザービーム2の波長に対して実質的に透明なガラス物品であり得る。
図16に表されているように、基板7(またはガラス複合材ワークピース)は、長手方向のビーム軸に対して垂直に配置され、したがって、光学アセンブリ125によって生成された同じ焦線4’の後方に配置される(当該基板は、図面の平面に対して垂直である)。焦線がビーム方向に沿って方向付けまたは配置されている場合、当該基板は、焦線4’が基板の表面7aの前方から始まって基板の表面7bの前方または後方で終わるように、焦線4’に対して位置決めされている。図16に示される実施形態において、焦線4’は、当該基板内において終端しており、表面7bを超えて延在しない。
基板またはガラス片を、長手方向のビーム軸に対して非垂直角、例えば、5度または15度など、において提示することも可能であることに留意されたい。しかしながら、例えば、角度>15度、または特に角度>20度など、長手方向のビーム軸に対する基板の角度が増加するに従い、当該ビームに導入される逸脱も増加し、結果として、焦線の劣化および基板を改質する能力の低下の原因となる。切断または開孔を阻害するほどあまりに多くの劣化が生じる正確な角度は、最後の集束レンズの開口数、利用可能なレーザーパルス出力の量、基板の組成、および基板の厚さに依存する。
その上、焦線4’の長さLは、それが、基板の厚さdを超えるように調節することができる(例えば、2倍、3倍など)。基板7が焦線4’の中央に位置されている場合(長手方向のビーム方向から見て)、誘起吸収は、基板の厚さ全体にわたって発生する。レーザービーム焦線4’は、例えば、約0.01mmから約100mmの間の範囲、または約0.1mmから約10mmの間の範囲、または0.5mmから10mmの間の範囲の長さLを有し得る。様々な実施形態は、例えば、約0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mmから5mm、例えば、0.5mm、0.7mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm、または10mmの長さLを有するように構成され得る。いくつかの実施形態において、長さLは、0.275mmから50mmであり、いくつかの実施形態では、長さLは、0.3mmから50mmであり、いくつかの実施形態では、0.3mmから100mm、およびいくつかの実施形態では、0.5mmから100mm、または0.7mmから100mmである。
レーザービーム焦線4’と基板7とが重なっているエリアにおいて、すなわち、焦線4’によって覆われた基板材料において、幅広のレーザービーム焦線4’は、(長手方向のビーム方向に沿って揃えられた)幅広のセクション4’cを発生させ、それに沿って、基板材料に誘起吸収が発生する。誘起吸収は、セクション4’cに沿って、基板材料において欠陥線の形成を生成する。当該欠陥線は、複数のレーザーパルスの単一の高エネルギーバーストを使用することによって発生された、実質的に透明な材料、基板、またはワークピースにおける、微視的(例えば、>100nmかつ<5マイクロメートルの直径)な細長い「穴」(穿孔または欠陥線とも呼ばれる)である。個々の穿孔は、例えば、数百キロヘルツの率(1秒あたり数10万の穿孔)において作製することができる。光源と材料の間の相対運動により、これらの穿孔は、お互いに隣接して位置され得る(所望の場合、空間分離は、サブマイクロメートルから数マイクロメートルまで変わる)。この空間分離(ピッチ)は、材料またはワークピースの分離を容易にするように選択することができる。いくつかの実施形態において、当該欠陥線は、「貫通孔」であり、これは、実質的に透明な材料の上部から底部まで延在する孔または開口チャネルである。当該欠陥線の形成は、局所のみではなく、誘起吸収の幅広のセクション4’cの長さ全体にわたる。セクション4’cの長さ(レーザービーム焦線4’と基板7とが重なる部分の長さに対応する)は、符号L’で標識されている。当該誘起吸収4’cのセクションの平均直径または範囲は、基本的に、焦線4’の平均直径D、すなわち、約0.1マイクロメートルから約5マイクロメートルの間の範囲の平均スポット直径、に対応する。
図16に示されているように、基板材料(レーザービーム2の波長λに対して透明)は、焦線4’内でのレーザービームの高強度に関連する非線形効果から生じる、焦線4’に沿った誘起吸収によって加熱される。加熱された基板材料は、最終的には膨張して、それにより、対応する誘起張力が微小亀裂の形成を引き起こす。
レーザー光源3の選択は、透明材料において多光子吸収(MPA)を生じさせる能力に基づいている。MPAは、分子をある状態(通常、基底状態)からより高いエネルギー電子状態(イオン化)へと励起するための、同じまたは異なる周波数の2つ以上の光子の同時吸収である。当該分子における関与するより低いエネルギー状態とより高いエネルギー状態との間のエネルギー差は、2つの光子のエネルギーの合計に等しくあり得る。MPAは、誘起吸収とも呼ばれ、例えば、線形吸収より数桁弱い、2次または3次プロセス、またはより高次のプロセスであり得る。MPAは、誘起吸収の強度がそれ自体の光度に比例するのではなく、光度の2乗または三乗(またはより高次のべき法則)に比例し得る点において、線形吸収とは異なる。したがって、MPAは、非線形光学プロセスである。
それに沿って分離が生じる、分離されたパーツの表面の高品質(破壊強度、幾何学的精度、粗度、および再機械加工要件の回避に関する)を確保するため、分離線に沿って基板表面上に位置決めされた個々の焦線は、以下において説明する光学アセンブリを使用して発生されるべきである(以下において、当該光学アセンブリは、択一的にレーザーオプティクスとも呼ばれる)。分離された表面(または切断エッジ)の粗度は、特に、焦線のスポットサイズまたはスポット直径の結果として生じる。分離(切断)された表面の粗度は、例えば、0.25マイクロメートルから1マイクロメートルであり得、それらは、例えば、Ra表面粗度統計量(サンプリングされた表面の高さの絶対値の粗度の算術平均であり、焦線のスポット直径に起因して生じた隆起の高さを含む)によって特徴付けることができる。レーザー5の所定の波長λの場合(基板1の材料との相互作用)、例えば、0.5マイクロメートルから2マイクロメートルなどの小さいスポットサイズを達成するため、通常は、光学アセンブリ125の開口数に対してある特定の要件が課せられなければならない。
当該スポットサイズは、焦線4’に沿った、光ビームとワークピース(例えば、ガラス基板)との均一な相互作用の目的のために、あまり大きく変動すべきではない。これは、例えば、上記において説明したように、直径Dを実質的に一定に維持することによって確保することができる。したがって、好ましくは、当該レーザービームは、上記において説明したビーム半径Rz’に対応する必要なアパーチャまで、光学システム125に照射されるべきである。
本明細書において説明されるそのようなピコ秒レーザーの典型的な作動は、パルス500Aの「バースト」500を生じることに留意されたい(例えば、図17Aおよび図17Bを参照されたい)。各「バースト」(本明細書において、「パルスバースト」500とも呼ばれる)は、非常に短い持続時間の複数の個々のパルス500A(例えば、少なくとも2パルス、少なくとも3パルス、少なくとも4パルス、少なくとも5パルス、少なくとも10パルス、少なくとも15パルス、少なくとも20パルス、またはそれ以上)を含む。すなわち、パルスバーストは、パルスの「ポケット」であり、バーストは、各バースト内での個々の隣接するパルスの分離より長い持続時間によってお互いに離間される。パルス500Aは、100ピコ秒までのパルス持続時間Td(例えば、0.1ピコ秒、5ピコ秒、10ピコ秒、15ピコ秒、18ピコ秒、20ピコ秒、22ピコ秒、25ピコ秒、30ピコ秒、50ピコ秒、75ピコ秒、またはそれらの間)を有する。当該バースト内のそれぞれの個々のパルス500Aのエネルギーまたは強度は、当該バースト内の他のパルスと等しくはあり得ず、かつ、バースト500内の複数のパルスの強度分布は、多くの場合、レーザー設計によって支配される時間において指数関数的減衰に従う。好ましくは、本明細書において説明される例示的実施形態のバースト500内の各パルス500Aは、1ナノ秒から50ナノ秒の持続時間Tp(例えば、10〜50ナノ秒、または10〜30ナノ秒であり、この場合、当該時間は、多くの場合、レーザーキャビティ設計によって支配される)によってバースト内の後続のパルスから、時間的に分離される。所定のレーザーに対して、バースト500内の隣接するパルスの間の時間的間隔Tp(パルス・ツー・パルス間隔)は、比較的一定である(±10%)。例えば、いくつかの実施形態において、バースト内の各パルスは、およそ20ナノ秒(50MHz)によって後続のパルスから時間的に分離される。例えば、約20ナノ秒のパルス間隔Tpを生じるレーザーの場合、バースト内でのパルス・ツー・パルス間隔Tpは、約±10%以内、または約±2ナノ秒以内に維持される。パルスの各「バースト」の間の時間(すなわち、バーストの間の時間的間隔Tb)は、はるかに長いであろう(例えば、0.25≦Tb≦1000マイクロ秒、例えば、1〜10マイクロ秒、または3〜8マイクロ秒)。本明細書において説明されるレーザーの例示的実施形態のいくつかにおいて、Tbは、約200kHzのバースト繰返し率または周波数を有するレーザーの場合、約5マイクロ秒である。レーザーバースト繰返し率は、あるバーストにおける第1パルスから、後続のバーストにおける第1パルスまでの間の時間Tbに関連する(レーザーバースト繰返し率=1/Tb)。いくつかの実施形態において、当該レーザーバースト繰返し周波数は、約1kHzから約4MHzの間の範囲であり得る。より好ましくは、当該レーザーバースト繰返し率は、例えば、約10kHzから650kHzの間の範囲であり得る。各バースト内の最初のパルスと後続のバースト内の最初のパルスの間の時間Tbは、0.25マイクロ秒(4MHzバーストの繰返し率)から1000マイクロ秒(1kHzのバースト繰返し率)、例えば、0.5マイクロ秒(2MHzのバースト繰返し率)から40マイクロ秒(25kHzのバースト繰返し率)、または2マイクロ秒(500kHzのバースト繰返し率)から20マイクロ秒(50kHzのバースト繰返し率)であり得る。正確なタイミング、パルス持続時間、およびバースト繰返し率は、レーザー設計に応じて変えることができるが、高強度の短いパルス(Td<20ピコ秒、好ましくはTd≦15ピコ秒)は、特に良好に機能することが示されている。
材料を改質させるために必要なエネルギーは、バーストエネルギー、すなわち、バースト内に含まれるエネルギー(各バースト500は、一連のパルス500Aを含む))、の観点から、または単一のレーザーパルス内(その多くは、バーストを含み得る)に含まれるエネルギーの観点から、説明することができる。これらの適用のために、バーストあたりのエネルギーは、25〜750μJ、より好ましくは50〜500μJ、または50〜250μJであり得る。いくつかの実施形態において、バーストあたりのエネルギーは、100〜250μJである。パルスバースト内の個々のパルスのエネルギーは少なく、正確な個々のレーザーパルスのエネルギーは、バースト500内のパルス500Aの数、および時間経過におけるレーザーパルスの減衰率(例えば、指数関数的減衰率)に依存するであろう。例えば、一定のエネルギー/バーストでは、あるパルスバーストが10の個々のレーザーパルス500Aを含む場合、個々のレーザーパルス500Aのそれぞれは、同じパルスバースト500が2つしか個々のレーザーパルスを有さない場合よりも少ないエネルギーを含むであろう。
そのようなパルスバーストを発生させることができるレーザーの使用は、例えば、ガラスなどの透明材料の切断または改質にとって有利である。単一パルスレーザーの繰返し率によって時間的に離間された単一パルスの使用とは対照的に、レーザーエネルギーをバースト500内のパルスの急速なシークエンスにわたって広げるパルスバーストシークエンスの使用は、単一パルスレーザーによって可能である時間スケールよりも、材料との高強度の相互作用によるより大きな時間スケールへのアクセスを可能にする。単一パルスを時間内に拡張させることはできるが、その場合、当該パルス内の強度は、パルス幅にわたっておよそ同じ程度に低下しなければならない。したがって、10ピコ秒の単一パルスが10ナノ秒のパルスに拡張される場合、強度は、およそ3桁低下する。そのような低下は、非線形吸収がもはや重要でなく、光−材料相互作用が、もはや切断を可能にするほど強くはない程度にまで光学強度を減少させることができる。対照的に、パルスバーストレーザーでは、バースト500内の各パルス500Aの際の強度は、非常に高いままであり得、例えば、およそ10ナノ秒で時間的に離間される3つの10ピコ秒のパルス500Aは、依然として、各パルス内の強度を、10ピコ秒の単一パルスの強度よりおよそ3倍高くすることが可能だが、その一方で、当該レーザーは、ここで3桁大きい時間スケールにわたって、材料と相互作用することが可能になる。したがって、バースト内の複数のパルス500Aのこの調節は、既存のプラズマプルームとのより大きなまたはより小さな光相互作用、初期のまたは以前のレーザーパルスによって予め励起されていた原子および分子とのより大きなまたははより小さな光−材料相互作用、および微小亀裂の制御された成長を促進することができる材料内でのより大きなまたはより小さな加熱効果、を容易にすることができるような方法において、レーザー−材料相互作用の時間スケールの操作を可能にする。材料を改質させるために必要なバーストエネルギーの量は、基板材料の組成および基板と相互作用するために使用した焦線の長さによって変わるであろう。相互作用領域が長いほど、より多くのエネルギーが広げられ、より高いエネルギーが必要とされるであろう。正確なタイミング、パルス持続時間、およびバースト繰返し率は、レーザー設計に応じて変えることができるが、高強度の短いパルス(<15ピコ秒、または≦10ピコ秒)は、この技術を用いて良好に機能することが示されている。当該欠陥線もしくは穴は、パルスの単一バーストが、本質的にガラスの同じ位置に当たる場合に、当該材料に形成される。すなわち、単一バースト内の複数のレーザーパルスは、ガラスにおける単一の欠陥線または穴の位置に対応する。当然のことながら、当該ガラスは(例えば、一定速度で移動する台などによって)平行移動されるか、またはビームがガラスに対して移動されるので、バースト内の個々のパルスは、ガラス上の正確に同じ空間的位置にはあり得ない。しかしながら、それらは、適切にお互いの1μm以内であり、すなわち、それらは、本質的に同じ位置においてガラスに当たる。例えば、それらは、お互いから間隔spにおいてガラスに当たり得、この場合、0<sp≦500nmである。例えば、ガラスのある位置が、20パルスのバーストで打たれる場合、当該バースト内の個々のパルスは、お互いの250nm以内において当該ガラスに当たる。したがって、いくつかの実施形態では、1nm<sp<250nmである。いくつかの実施形態において、1nm<sp<100nmである。
基板(ワークピース)7が十分な応力を有する場合(例えば、イオン交換されたガラスなど)、パーツは、レーザープロセスによって穿孔された損傷で描かれた経路に沿って、自然に割れて分離するであろう。ただし、当該基板に固有の応力があまり存在しない場合(Corning Eagle XG(登録商標)組成物の場合と同様に)、ピコ秒のレーザーは、当該ワークピースに損傷軌跡を簡単に形成するであろう。これらの損傷軌跡は、一般的に、約0.1〜1.5マイクロメートル、または0.2マイクロメートルから2マイクロメートル(例えば、いくつかの実施形態では、0.2マイクロメートルから0.7マイクロメートル、または0.3マイクロメートルから0.6マイクロメートル)の内径を有する穴の形態を取る。好ましくは、当該穴は、非常に小さい寸法である(1桁のマイクロメートル以下)。
当該穴または欠陥線は、材料の厚さ全体を穿孔することができ、かつ、材料の深さを貫通する連続した開口部であってもまたはそうでなくてもよい。
重ねられたガラスシートを穿孔することも可能である。この場合、焦線の長さは、スタックの高さより長い必要がある。
概して、利用可能なレーザーパワーが高いほど、上記のプロセスによって材料をより速く切断することができる。本明細書において開示されるプロセスは、0.4m/秒以上の切断/穿孔速度においてガラスを切断することができる。切断/穿孔速度は、レーザービームが、複数の穴または改質された領域を作製しつつ、透明材料(例えば、ガラス)の表面に対して移動する速度である。高速の切断/穿孔速度、例えば、400mm/秒、500mm/秒、750m/秒、1m/秒、1.2m/秒、1.5m/秒、または2m/秒、さらには3.4m/秒から4m/秒など、は、多くの場合、製造のための設備投資を最小限に抑えるため、かつ設備稼働率を最適化するために望ましい。レーザーパワーは、バーストエネルギーにレーザーのバースト繰返し周波数(率)を乗じたものに等しい。概して、そのようなガラス材料を速い切断速度において切断するためには、損傷軌跡は、典型的には、1〜25マイクロメートル離間され、いくつかの実施形態では、当該間隔は、好ましくは3マイクロメートル以上、例えば、3〜12マイクロメートル、または、例えば、5〜10マイクロメートルである。
例えば、4μmピッチ(欠陥線の歩調合せ、または損傷軌跡の間の間隔)および100μJ/バーストにおいて0.4m/秒の切断/穿孔速度を達成するためには、少なくとも10ワットのレーザーを必要とし、4μmピッチおよび100μJ/バーストにおいて0.5m/秒の切断速度を達成するためには、少なくとも12ワットのレーザーを必要とするであろう。例えば、3μmピッチおよび40μJ/バーストにおいて1m/秒の切断/穿孔速度を達成するためには、少なくとも13ワットのレーザーを必要とするであろう。さらに、例えば、4μmピッチおよび400μJ/バーストにおいて1m/秒の切断速度は、少なくとも100ワットのレーザーを必要とするであろう。損傷軌跡の間の最適なピッチおよび正確なバーストエネルギーは、材料依存性であり、実験により決定することができる。しかしながら、レーザーパルスエネルギーを高めること、またはより近いピッチにおいて損傷軌跡を作製することは、基板材料の分離を常により良好にまたは向上したエッジ品質において行う条件ではない、ということに留意されたい。損傷軌跡の間の密すぎるピッチ(例えば、<0.1マイクロメートル、いくつかの例示的実施形態では<1μm、またはいくつかの例示的実施形態では、<2μm)は、場合により、近くに後続の損傷軌跡を形成することを阻害し得、多くの場合、穿孔した輪郭の周りでの材料の分離を阻害し得、結果として、ガラス内での不必要な微小亀裂の増加を引き起こす可能性もある。長すぎるピッチ(>50μm、いくつかのガラスでは、>25μm、さらには>20μm)は、結果として、「制御されていない微小亀裂生成」を引き起こし得、すなわち、微小亀裂が、穴から穴へ伝播するのではなく、様々な経路に沿って伝播し、様々な(望ましくない)方向においてガラスに亀裂を生じさせる。このことは、残留する微小亀裂が、ガラスを脆弱化するキズとしての役割を果たすことになるために、最終的に、分離されたガラス部品の強度を低下させる可能性がある。各損傷軌跡を形成するために使用される、高すぎるバーストエネルギー(例えば、>2500μJ/バースト、およびいくつかの実施形態では、>500μJ/バースト)は、隣接する損傷軌跡における既に形成された微小亀裂の「修復」または再溶融を引き起こし得、これは、ガラスの分離を阻害するであろう。したがって、バーストエネルギーは、<2500μJ/バースト、例えば、≦500μJ/バーストであることが好ましい。さらに、高すぎるバーストエネルギーの使用は、非常に大きく、かつ分離後の部品のエッジ強度を低下させるキズを生じる微小亀裂の形成の原因となり得る。低すぎるバーストエネルギー(<40μJ/バースト)は、ガラス内に感知できるほどの損傷軌跡の形成を生じることができず、したがって、非常に高い分離強度または穿孔された輪郭に沿った完全な分離の不能を生じ得る。
このプロセスによって可能となる典型的な例示的切断/穿孔速度は、例えば、0.4m/秒以上である。本明細書において説明されるいくつかの実施形態において、当該切断速度は、500mm/秒から2000mm/秒、またはそれ以上である(例えば、2m/s〜5m/s)。いくつかの実施形態において、当該ピコ秒(ps)レーザーは、パルスバーストを利用することにより、0.5マイクロメートルから13マイクロメートルの間、例えば、0.5マイクロメートルから3マイクロメートルの間の周期性を有する欠陥線を生成する。いくつかの実施形態において、当該パルスレーザーは、10W〜100Wのレーザー出力を有し、ならびに材料および/またはレーザービームは、少なくとも0.25m/秒、例えば、0.25m/秒から0.35m/秒、または0.4m/秒から5m/秒、の速度においてお互いに対して平行移動される。好ましくは、当該パルスレーザービームの各パルスバーストは、ワークピースの厚さ1mmあたりのバーストあたり40マイクロジュールを超える、当該ワークピースにおいて測定された平均レーザーエネルギーを有する。好ましくは、パルスレーザービームの各パルスバーストは、ワークピースの厚さ1mmあたりバーストあたり2500マイクロジュール未満、好ましくは1mmあたりのバーストあたり約2000マイクロジュール未満、いくつかの実施形態ではワークピースの厚さ1mmあたりのバーストあたり1500マイクロジュール未満、例えば、ワークピースの厚さ1mmあたりのバーストあたり500マイクロジュール以下の、当該ワークピースにおいて測定された平均レーザーエネルギーを有する。
したがって、当該レーザーがバーストあたり少なくとも2パルスにおいてパルスバーストを生成することが好ましい。例えば、いくつかの実施形態において、当該パルスレーザーは、10W〜150W(例えば、10〜100W)のレーザー出力を有し、ならびにバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生じさせる(例えば、バーストあたり2〜25パルス)。いくつかの実施形態において、当該パルスレーザーは、25W〜60Wの出力を有し、バーストあたり少なくとも2〜25パルスのパルスバーストを生成し、当該レーザーバーストによって生成した隣接する欠陥線の間の周期性または距離は、2〜10マイクロメートルである。いくつかの実施形態において、当該パルスレーザーは、10W〜100Wのレーザー出力を有し、バーストあたり少なくとも2パルスのパルスバーストを生成し、ワークピースおよびレーザービームは、少なくとも0.25m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される。いくつかの実施形態において、当該ワークピークおよび/またはレーザービームは、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される。
当該ワークピークは、例えば、100μm以上の厚さ、例えば、0.2mmから10mmの厚さであり得る。重ねられたガラスシートを穿孔することも可能である。この場合、焦線の長さLは、スタックの高さより長い必要がある。
穴または欠陥線の間の側方間隔(ピッチ)は、集束したレーザービームの下方において基板を平行移動させるときのレーザーのパルスレートによって決定される。穴全体を形成するためには、通常、単一のピコ秒レーザーパルスバーストのみが必要であるが、所望の場合には、複数のバーストを使用してもよい。異なるピッチにおいて穴を形成するために、当該レーザーは、より長いもしくはより短い間隔で、トリガして発射することもできる。切断作業のために、レーザートリガは、概して、ビームの下方におけるワークピースのステージ駆動運動と同期され、そのため、レーザーパルスバーストは、固定された間隔、例えば、1マイクロメートル毎、または5マイクロメートル毎など、においてトリガされる。断層線の方向に沿った、隣接する穿孔または欠陥線の間の距離または周期性は、例えば、いくつかの実施形態において、0.1マイクロメートルを超えかつ約20マイクロメートル以下であり得る。例えば、隣接する穿孔または欠陥線の間の間隔または周期性は、0.5マイクロメートルから15マイクロメートルの間、または3マイクロメートルから10マイクロメートルの間、または0.5マイクロメートルから3.0マイクロメートルの間である。例えば、いくつかの実施形態において、当該周期性は、0.5マイクロメートルから1.0マイクロメートルの間であり得る。
いくつかの実施形態により、ガラスワークピース7をレーザー加工する方法は、
(i)ビーム伝搬方向に沿って方向付けされ、ガラスワークピース7に向けられたレーザービーム焦線4’へとパルスレーザービーム2’を集束するステップであって、当該レーザービーム焦線4’は、当該材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収は、ワークピース7内に、当該レーザービーム焦線4’に沿って欠陥線120を生成し、この場合、当該焦線4’は、実質的に均一な強度プロファイルを有し、それにより、その光軸に沿った当該レーザービーム焦線のピーク強度は、当該焦線の長さの少なくとも85%、好ましくは90%、さらには当該焦線の長さLの95%に対して、40%を超えて変動せず、好ましくは、いくつかの実施形態により、35%を超えて変動せず、好ましくは、30%を超えて変動せず、さらにより好ましくは、25%または20%を超えて変動せず、または10%以下しか変動しない、ステップと、
(ii)当該ワークピース7および/または当該集束されたレーザービーム2を、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース7内に、当該輪郭に沿って複数の欠陥線120を形成する、ステップと
を含む。
(i)ビーム伝搬方向に沿って方向付けされ、ガラスワークピース7に向けられたレーザービーム焦線4’へとパルスレーザービーム2’を集束するステップであって、当該レーザービーム焦線4’は、当該材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収は、ワークピース7内に、当該レーザービーム焦線4’に沿って欠陥線120を生成し、この場合、当該焦線4’は、実質的に均一な強度プロファイルを有し、それにより、その光軸に沿った当該レーザービーム焦線のピーク強度は、当該焦線の長さの少なくとも85%、好ましくは90%、さらには当該焦線の長さLの95%に対して、40%を超えて変動せず、好ましくは、いくつかの実施形態により、35%を超えて変動せず、好ましくは、30%を超えて変動せず、さらにより好ましくは、25%または20%を超えて変動せず、または10%以下しか変動しない、ステップと、
(ii)当該ワークピース7および/または当該集束されたレーザービーム2を、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース7内に、当該輪郭に沿って複数の欠陥線120を形成する、ステップと
を含む。
いくつかの実施形態により、隣接する欠陥線120の間の周期性は、0.1マイクロメートルから20マイクロメートルの間である。
MGBビームによりワークピース7内において輪郭に沿って複数の欠陥線120を形成するレーザーは、分離された表面を形成するための、当該輪郭線によって画定された表面に沿っての当該ワークピークの分離を容易にすることができる。当該誘起吸収は、約0.5マイクロメートル以下の、当該切断または分離された端部におけるRa表面粗度を生成得る。当該誘起吸収も、当該分離された表面上に、3マイクロメートル未満の平均直径を有する特徴部を生成することができる。
いくつかの実施形態により、焦線4’は、実質的に均一な強度プロファイルを有し、それにより、その光軸(またはビーム伝搬軸)に沿った当該レーザービーム焦線のピーク強度は、当該焦線の長さLの少なくとも90%に対して、10%以上、さらには5%変動しない。さらに、いくつかの実施形態により、焦線4’の光エネルギー全体の総光エネルギーの60%を含む、焦線4’の領域は、その領域内における平均ピーク強度に対する、0%から25%の強度変動性によって特徴付けられる。さらに、少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’の直径Dは、長さLに対応する焦線領域内におけるその平均直径から20%を超えて変動しない。例えば、少なくともいくつかの実施形態により、焦線4’の直径Dは、焦線4’の長さLに対応する焦線領域内におけるその平均直径から15%または10%を超えて変動しない。
一実施形態により、ガラスワークピース7(例えば、ガラス基板、サファイヤ基板、材料、または透明プラスチックなど)をレーザー加工する方法は、以下のステップ:
(i)当該ビーム伝搬方向に沿って方向付けされ、ガラスワークピースに向けられたレーザービーム焦線4’へと、レーザー5によって提供されるパルスレーザービーム2を集光するステップであって、当該レーザービーム焦線4’は、当該ガラスワークピース7の材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収は、ワークピース7内に、当該レーザービーム焦線4’に沿って欠陥線120を生成し、この場合、当該焦線4’が、少なくとも、欠陥線120の長さに沿って実質的に光出力分布を有する、ステップと;(ii)当該ワークピース7および当該レーザービーム2’を、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース7内に、当該輪郭に沿って複数の欠陥線120を形成する、ステップと、を含む。いくつかの実施形態により、その光軸(またはビーム伝搬軸)に沿った当該レーザービーム焦線4’のピーク強度は、当該焦線の長さの少なくとも90%に対して、その平均ピーク強度から20%以上、または15%を超えて、または10%を超えて、さらに5%を超えて変動しない。
(i)当該ビーム伝搬方向に沿って方向付けされ、ガラスワークピースに向けられたレーザービーム焦線4’へと、レーザー5によって提供されるパルスレーザービーム2を集光するステップであって、当該レーザービーム焦線4’は、当該ガラスワークピース7の材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収は、ワークピース7内に、当該レーザービーム焦線4’に沿って欠陥線120を生成し、この場合、当該焦線4’が、少なくとも、欠陥線120の長さに沿って実質的に光出力分布を有する、ステップと;(ii)当該ワークピース7および当該レーザービーム2’を、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース7内に、当該輪郭に沿って複数の欠陥線120を形成する、ステップと、を含む。いくつかの実施形態により、その光軸(またはビーム伝搬軸)に沿った当該レーザービーム焦線4’のピーク強度は、当該焦線の長さの少なくとも90%に対して、その平均ピーク強度から20%以上、または15%を超えて、または10%を超えて、さらに5%を超えて変動しない。
一実施形態により、少なくとも1つのワークピースまたはガラス物品7をレーザー切断する方法は、以下のステップ:
(I)レーザー光源5、例えば、フェムト秒またはピコ秒レーザー光源5により、ガウスレーザービーム2を生成するステップと、
(II)準非回折性レーザービームが、少なくとも欠陥線120の長さに沿って、実質的に均一な強度プロファイル(例えば、欠陥線120の長さ内における最大強度に対して、変動量≦20%、≦15%、例えば、≦10%、さらには≦5%)、またはii)焦線4’の距離Lの少なくとも85%に対して実質的に均一な強度プロファイル(例えば、距離Lの少なくとも85%に対して、焦線内における最大強度に対して、変動量≦25%、≦20%、例えば、≦15%、さらには≦10%)、を有するような、非回折性レーザービーム2’を生成するために、当該ガウスレーザービームを変形させるステップと;
(III)当該スポットが当該ワークピースまたはガラス物品に少なくとも1つの欠陥線120、損傷エリア、または穿孔を実現するように変更されたビームスポットに、当該ワークピースまたはガラス物品を供給するステップと
を含む。
(I)レーザー光源5、例えば、フェムト秒またはピコ秒レーザー光源5により、ガウスレーザービーム2を生成するステップと、
(II)準非回折性レーザービームが、少なくとも欠陥線120の長さに沿って、実質的に均一な強度プロファイル(例えば、欠陥線120の長さ内における最大強度に対して、変動量≦20%、≦15%、例えば、≦10%、さらには≦5%)、またはii)焦線4’の距離Lの少なくとも85%に対して実質的に均一な強度プロファイル(例えば、距離Lの少なくとも85%に対して、焦線内における最大強度に対して、変動量≦25%、≦20%、例えば、≦15%、さらには≦10%)、を有するような、非回折性レーザービーム2’を生成するために、当該ガウスレーザービームを変形させるステップと;
(III)当該スポットが当該ワークピースまたはガラス物品に少なくとも1つの欠陥線120、損傷エリア、または穿孔を実現するように変更されたビームスポットに、当該ワークピースまたはガラス物品を供給するステップと
を含む。
少なくとも1つの実施形態により、当該1つの実施形態の非回折性レーザービーム2’は、例えば、MGBビームまたはトップハット強度分布ビームである。少なくともいくつかの実施形態により、ガウスレーザービームの変形は、焦線4’の距離Lの少なくとも90%に対して実質的に均一な強度プロファイル(例えば、いくつかの実施形態において、平均ピーク強度の25%以内または20%以内、いくつかの実施形態では、平均最大ピーク強度の20%以内)を有するような、準非回折性レーザービーム2’を生成する。
少なくともいくつかの実施形態により、当該実質的に均一な強度プロファイルは、焦線4’の強度分布の1/2Imaxのポイントの間に位置された、焦線の長さLの少なくとも85%(好ましくは、少なくとも90%)に対して、Imaxに対して40%未満、35%未満、30%未満、25%未満、さらには20%未満の強度変動量を有する。少なくともいくつかの実施形態により、当該実質的に均一な強度プロファイルは、焦線4’の強度分布の1/2Imaxのポイントの間に位置された、焦線の長さLの少なくとも85%(好ましくは、少なくとも90%)に対して、焦線4’の強度分布の1/2Imaxのポイントの間に位置されたピーク強度に対して、平均ピーク強度に対して15%未満の強度変動量を有する。
一実施形態により、ガラス材料を加工するための装置100は、
(i)ガウス強度プロファイルを有するライトビーム2を発生させるレーザー光源5と、
(ii)当該ライトビーム2を、変形ガウス−ベッセルビーム2’へと変換し、以下の特徴:(i)少なくとも当該焦線4’の距離(長さ)Lに対して、実質的に均一な出力および/またはピーク強度分布;および(ii)実質的に一定な直径D(すなわち、平均直径の±25%以内、好ましくは、±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内)、を有する焦線4’を形成する光学システム125(FLIMOS)であって、1/e2(半径)のポイントの間に位置された光ビーム2の少なくとも中央部分がそこを通って伝搬することを可能にする透明アパーチャを備える光学部品を有する、光学システム125(FLIMOS)と、
を含む。少なくともいくつかの実施形態により、光学システム125(FLIMOS)は、当該焦線4’の長さLの少なくとも90%に対して、実質的に一定な焦線直径D(すなわち、最大直径の±25%以内、好ましくは、最大焦線直径の±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内または10%以内、または5%以内、さらには2%以内)を提供するように構築される。
(i)ガウス強度プロファイルを有するライトビーム2を発生させるレーザー光源5と、
(ii)当該ライトビーム2を、変形ガウス−ベッセルビーム2’へと変換し、以下の特徴:(i)少なくとも当該焦線4’の距離(長さ)Lに対して、実質的に均一な出力および/またはピーク強度分布;および(ii)実質的に一定な直径D(すなわち、平均直径の±25%以内、好ましくは、±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内)、を有する焦線4’を形成する光学システム125(FLIMOS)であって、1/e2(半径)のポイントの間に位置された光ビーム2の少なくとも中央部分がそこを通って伝搬することを可能にする透明アパーチャを備える光学部品を有する、光学システム125(FLIMOS)と、
を含む。少なくともいくつかの実施形態により、光学システム125(FLIMOS)は、当該焦線4’の長さLの少なくとも90%に対して、実質的に一定な焦線直径D(すなわち、最大直径の±25%以内、好ましくは、最大焦線直径の±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内または10%以内、または5%以内、さらには2%以内)を提供するように構築される。
一実施形態により、ガラス材料を加工するための装置100は、
(i)ガウス強度プロファイルを有するライトビーム2を発生させるレーザー光源5と、
(ii)当該ライトビーム2を、変形ガウス−ベッセルビーム2’へと変換し、以下の特徴:(i)少なくとも距離d=0.85L(例えば、d=0.9L、またはd=0.9L)において、実質的に均一な出力および/またはピーク強度分布;および(ii)少なくともこの距離dに沿って実質的に一定な直径D(すなわち、平均直径の±25%以内、好ましくは、±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内)、を有する焦線4’を形成する、光学システム125(FLIMOS)であって、1/e2(半径)のポイントの間に位置された光ビーム2の少なくとも中央部分がそこを通って伝搬することを可能にする透明アパーチャを備える光学部品を有する、光学システム125(FLIMOS)と、
を含む。
(i)ガウス強度プロファイルを有するライトビーム2を発生させるレーザー光源5と、
(ii)当該ライトビーム2を、変形ガウス−ベッセルビーム2’へと変換し、以下の特徴:(i)少なくとも距離d=0.85L(例えば、d=0.9L、またはd=0.9L)において、実質的に均一な出力および/またはピーク強度分布;および(ii)少なくともこの距離dに沿って実質的に一定な直径D(すなわち、平均直径の±25%以内、好ましくは、±20%以内、±15%以内、さらには±10%以内)、を有する焦線4’を形成する、光学システム125(FLIMOS)であって、1/e2(半径)のポイントの間に位置された光ビーム2の少なくとも中央部分がそこを通って伝搬することを可能にする透明アパーチャを備える光学部品を有する、光学システム125(FLIMOS)と、
を含む。
さらなる例示的実施形態について、以下のA1からG17で標識されたパラグラフにおいて説明する。
A1.ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、当該焦線が、長さLと、焦線の当該長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%を超えて変動しない(好ましくは35%を超えて変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルと、を有する、方法。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、当該焦線が、長さLと、焦線の当該長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%を超えて変動しない(好ましくは35%を超えて変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルと、を有する、方法。
A2.さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、パラグラフA1に記載の方法。
A3.さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、パラグラフA1に記載の方法。
A4.当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、パラグラフA1またはA2に記載の方法。
A5.当該焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない(または、35%を超えて、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて、または10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフA1〜A4のいずれか1つに記載の方法。
A6.当該焦線が、当該焦線の長さLにおける強度分布が平均ピーク強度から30%を超えて変動しない(好ましくは20%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフA1〜A4のいずれか1つに記載の方法。
A7.当該焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から15%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフA1〜A4のいずれか1つに記載の方法。
A8.上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフA1〜A4のいずれか1つに記載の方法。
A9.当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが欠陥線の長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、上記レーザービーム焦線を形成するように構築された、光学システム125(FLIMOS)を利用する、A1〜A8に記載の方法。
A10.当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、パラグラフA9に記載の方法。
B1.ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向における、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が、最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、
方法。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向における、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が、最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、
方法。
B2.ワークピース7がガラスワークピースである、パラグラフA1〜B1のいずれか1つに記載の方法。
B3.さらに、当該ワークピースおよび当該レーザービームを、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース内に当該輪郭に沿って複数の欠陥線を形成するステップを含む、パラグラフB1〜B2のいずれか1つに記載の方法。
B4.当該焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフB1〜B3のいずれか1つに記載の方法。
B5.当該焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフB4に記載の方法。
B6.当該焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から5%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフB1〜B5のいずれか1つに記載の方法。
B7.さらに、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して当該レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、パラグラフB1〜B6のいずれか1つに記載の方法。
B8.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、パラグラフB7に記載の方法。
B9.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、パラグラフB8に記載の方法。
B7−2.さらに、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して当該レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して中央値直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、パラグラフB1〜B6のいずれか1つに記載の方法。
B8−2.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して平均(mean)(平均(average))直径から10%を超えて変動しない、パラグラフB7に記載の方法。
B9−2.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して平均(mean)(平均(average))直径から5%を超えて変動しない、パラグラフB8に記載の方法。
B10.当該光学システムが、少なくとも2つの非球面部品を含む、パラグラフB1〜B9、B7−2〜B9−2のいずれか1つに記載の方法。
B10−1.当該光学システムが、少なくとも1つの曲面をそれぞれが有する少なくとも2つの非球面部品を含む、パラグラフB1〜B9、B7−2〜B9−2のいずれか1つに記載の方法。
B10−2.当該光学システムが、曲面を有する少なくとも1つの非球面部品を含み、当該非球面部品が、少なくとも1つの非ゼロのより高次の非球面係数a2〜a12によって定義される、パラグラフA1〜A9、またはB1〜B9、またはB7〜B9−2のいずれか1つに記載の方法。
C1.ワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、Lと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、Lと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
C2.当該焦線が、単位長さあたりのエネルギーギ密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において20%を超えて変動しない、パラグラフC1に記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
C3.当該焦線が、単位長さあたりのエネルギーギ密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない、パラグラフC1に記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
C4.さらに、当該レーザービーム焦線が長さLおよび直径Dを有するような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しない、パラグラフC1〜C3のいずれか1つに記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
C5.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、パラグラフC1、C2、C3、またはC4に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
C6.当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、パラグラフC5に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
C7.当該光学システム125が、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、パラグラフC1、C2、C3、またはC4に記載の方法。
C7−1.当該光学システム125が、曲面を有する少なくとも1つの非球面光学部品を含み、当該非球面部品が、少なくとも1つの非ゼロのより高次の非球面係数a2〜a12によって定義される、パラグラフC1、C2、C3、またはC4に記載の方法。
C8.当該光学システム125の当該非球面部品が、少なくとも1つの非球面状表面を有する反射または屈折光学部品である、パラグラフC1〜C7のいずれか1つに記載の方法。
C9.任意の断面に対し、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するように、当該光学システム125が構築される、パラグラフC1〜C8またはC7−1のいずれか1つに記載の方法。
D0.ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、方法。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、方法。
D0−1.ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総エネルギーの>60%、65%超、70%超、80%超、または>85%(例えば、85%超、または90%超)が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総エネルギーの>60%、65%超、70%超、80%超、または>85%(例えば、85%超、または90%超)が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
D1.当該レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが当該欠陥線の長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システム125を利用する、請求項D0またはD0−1に記載の方法。
D2.当該光学システム125が、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該非球面部品の少なくとも1つが、非球面係数a2〜a12から選択される少なくとも1つの非ゼロの非球面係数によって定義される表面を有する、請求項D1に記載の方法。
D2A.当該光学システム125が、非球面係数a2〜a12から選択される少なくとも1つの非ゼロの非球面係数によって定義される非球面状表面を有する1つまたは複数の非球面部品を含む、請求項D1に記載の方法。
D2B.非球面状表面が曲面である、請求項D1Aに記載の方法。
D3.さらに、任意の断面に対し、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、D1、D2A、D2B、またはD2に記載の方法。
D4.さらに、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して5%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、請求項D2A、D2、またはD2Bに記載の方法。
D5.透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システム125であって、少なくとも2つの非球面部品を含み、ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置。
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システム125であって、少なくとも2つの非球面部品を含み、ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置。
D6.さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から20%を超えて変動しないような、レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システム125を利用する、パラグラフD5に記載の装置。
D7.当該光学システム125が、少なくとも1つの非球面状表面を含む、パラグラフD5またはD6に記載の装置。
D7−1.当該光学システム125が、少なくとも2つの非球面状表面を含む、パラグラフD5〜D7に記載の装置。
D8.当該非球面状平面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、パラグラフD5〜D7のいずれか1つに記載の装置。好ましくは、当該光学システム125は、非球面係数a2〜a12から選択される少なくとも1つの非ゼロの非球面係数によって定義される少なくとも1つの非球面を有する。
D9.レーザー光源が、フェムト秒またはピコ秒レーザーである、パラグラフD5、D6、D7、D7−1、またはD8に記載の装置。
D10.パルスレーザーが、10W〜150Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生成する、パラグラフD0〜D9に記載の装置。
D11.当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、請求項D0〜D10に記載の装置。
D12.(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ
(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、パラグラフD0〜D11に記載の装置。
(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、パラグラフD0〜D11に記載の装置。
E0.透明材料をレーザー加工するための装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システム125であって、少なくとも1つの非球面部品を含み、レーザービーム焦線が長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが、長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないように、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされた当該レーザービーム焦線を提供するように構成される、光学システムと
を含む、装置。
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システム125であって、少なくとも1つの非球面部品を含み、レーザービーム焦線が長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが、長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないように、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされた当該レーザービーム焦線を提供するように構成される、光学システムと
を含む、装置。
E1.さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から10%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システム125を利用する、E0に記載の装置。
E2.さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システム125を利用する、E0またはE1に記載の装置。
E2.さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システム125を利用する、E0またはE1に記載の装置。
E3.さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システム125を利用する、請求項E0〜E2に記載の装置。
E5.上記非球面状表面が、光学システム125の屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、請求項E2に記載の装置。
E6.当該光学システムが、曲面を有する少なくとも1つの非球面部品を含み、当該非球面部品が、少なくとも1つ(好ましくは、少なくとも2つ)の非ゼロのより高次の非球面係数a2〜a12によって定義される、E1〜E5に記載の装置。
E7.当該パルスレーザービームが、パルスレーザー光源によって生成され、当該レーザー光源が、フェムト秒またはピコ秒レーザーである、パラグラフA1〜C9のいずれか1つに記載の方法。
E8.パルスレーザー光源(すなわち、パルスレーザー)が、10W〜150Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生成する、パラグラフE7に記載の方法。
E8.当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、パラグラフE7に記載の装置。
E9.(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、パラグラフE7に記載の装置。
F1.透明ワークピースをレーザー加工する方法であって、 当該透明ワークピースに輪郭線を形成するステップであって、当該輪郭線が、当該透明ワークピースにおける欠陥を含む、ステップを含み、当該輪郭線を形成するステップが、ビーム光源によって出力され、ビーム経路に沿って方向付けられたパルスレーザービームを、透明ワークピース中へと向かわせた当該パルスレーザービームの一部分が焦線を形成し、ならびに当該透明ワークピース内に誘起吸収を生じさせるように、円錐(例えば、アキシコン、ワキシコンなど)またはおよそ円錐(例えば、変形アキシコンまたは変形ワキシコン、または別の非球面素子、この場合、少なくとも1つの非球面状表面が、非ゼロのより高次の非球面係数a2〜a12を有する)波面を発生させる光学素子を通って、透明ワークピース中へと向かわせるステップ
を含み、当該誘起吸収が、当該透明ワークピース内に欠陥を生成し、当該ワークピース中へと向けられた当該パルスレーザービームの当該一部分が、
波長λ;
有効スポットサイズw0,eff;および
断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であって、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
を含み、当該誘起吸収が、当該透明ワークピース内に欠陥を生成し、当該ワークピース中へと向けられた当該パルスレーザービームの当該一部分が、
波長λ;
有効スポットサイズw0,eff;および
断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であって、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、10を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きく、当該焦線が、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%を超えて変動しない(例えば、35%を超えて、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて、または10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、非軸対称ビーム断面
を含む、方法。
を含む、方法。
F2.当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないような、パラグラフF1に記載の方法。
F3.円錐波面を発生させる光学素子が、ビーム経路から半径方向にオフセットされて位置決めされる(すなわち、ビームの中央を中心としない)、パラグラフF1またはF2に記載の方法。
F4.ビーム経路から半径方向にオフセットされて位置決めされた当該光学素子が、上記において説明した光学部品3’である、パラグラフF3またはF2に記載の方法。
F5.さらに、ビーム光源と透明ワークピースとの間に位置決めされたデコヒーレンス化光学素子を使用して当該パルスレーザービームの第2ビーム部分から当該パルスレーザービームの第1ビーム部分をデコヒーレンス化するステップを含む、パラグラフF1またはF2に記載の方法。例えば、いくつかの実施形態により、第1ビーム部分を第1偏光へと偏光し、第2ビーム部分を第2ビーム部分に直交する第2偏光へと偏光するステップは、当該第2ビーム部分から当該第1ビーム部分をデコヒーレンス化する。
F6.デコヒーレンス化光学素子が、少なくとも1つの波長板(例えば、スピリットクォーター波長板SQW)を含み、第1ビーム部分を第2ビーム部分からデコヒーレンス化する(インコヒーレントにする)ステップが、
(a)パルスレーザービームの第1ビーム部分が透明ワークピースにおける第1偏光を含むように、パルスレーザービームの第1ビーム部分を偏光するステップと、
(b)パルスレーザービームの第2ビーム部分が透明ワークピースにおいて第2偏光を含むように、パルスレーザービームの第2ビーム部分を偏光するステップであって、第1偏光が、第2偏光に直交する、ステップと
を含む、パラグラフF5に記載の方法。
例えば、当該SQWは、長楕円形(例えば、楕円形断面)を有するビーム焦線を作り出すために、光学システム125(FLIMOS)と併用して用いてもよい。いくつかの実施形態において、SQWは、光学システム125(FLIMOS)の前に位置される。いくつかの実施形態において、SQWは、光学システム125(FLIMOS)の内側に位置され、あるいは、光学システム125(FLIMOS)と焦線との間に位置することもできる。この実施形態において、追加のクォーター波長板が、環状に偏光された光を生じさせるようにSQWの上流に位置される。いくつかの実施形態において、スプリットクォーター波長板SQWは、第1速軸SQW1aと第1遅軸SWQ1a’とを有する第1プレート部分SQW1を含む。当該スプリットクォーター波長板は、第2速軸SQW2bと第2遅軸SQW2b’とを有する第2プレート部分SQW2も含む。さらに、第1速軸QW1aは、第2速軸SQW2bに直交しており、第1遅軸SWQ1a’は、第2遅軸SQW2b’に直交している。パルスレーザービームが、スプリットクォーター波長板SQWを反転させる場合、第1速軸SQW1aと第1遅軸SWQ1a’とを有する第1プレート部分SQW1は、当該パルスレーザービームの第1ビーム部分を、第1偏光(例えば、特定の水平、垂直、または環状の偏光)へと偏光し、第2速軸SQW2bを有する第2プレート部分SQW1は、当該パルスレーザービームの第2ビーム部分を第2偏光(例えば、別の特定の水平、垂直、または環状の偏光)へと偏光する。第1ビーム部分を第1偏光へと偏光し、第2ビーム部分を第2ビーム部分に直交する第2偏光へと偏光するステップは、当該第2ビーム部分から当該第1ビーム部分をデコヒーレンス化する。当該スプリットクォーター波長板SQWは、2つのプレート部分(例えば、第1および第2プレート部分SQW1、SQW2)を含むように表されているが、当該スプリットクォーター波長板SQWの別の実施形態は、任意の数のプレート部分を含み得る。ブロッキング素子について前に説明したように、当該スプリットクォーター波長板SQWのこれらの部分は、断面の弦部分、より好ましくは扇、の形態において作製され得る。これらの実施形態において、第1複数のプレート部分は、第1速軸SQW1aと第1遅軸 SWQ1a’とを含み、第2複数のプレート部分は、第2速軸SQW2bと第2遅軸 SQW2b’とを含む。さらに、当該第1複数のプレート部分は、集合的に、当該スプリットクォーター波長板SQWの約50%を含み得、当該第2複数のプレート部分は、集合的に、当該スプリットクォーター波長板SQWの別の50%を含み得る。光ビームをデコヒーレンス化する他の部品(例えば、光ビームの一部分をブロックし、好ましくは光学システム125(FLIMOS)内に位置される、ブロッキング素子)を、SQWの代わりに利用してもよいことに留意されたい。非軸対称ビーム断面を作り出すために、あるビーム部分を残りのビームからデコヒーレント化する他の方法。好ましくは、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であって、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
(a)パルスレーザービームの第1ビーム部分が透明ワークピースにおける第1偏光を含むように、パルスレーザービームの第1ビーム部分を偏光するステップと、
(b)パルスレーザービームの第2ビーム部分が透明ワークピースにおいて第2偏光を含むように、パルスレーザービームの第2ビーム部分を偏光するステップであって、第1偏光が、第2偏光に直交する、ステップと
を含む、パラグラフF5に記載の方法。
例えば、当該SQWは、長楕円形(例えば、楕円形断面)を有するビーム焦線を作り出すために、光学システム125(FLIMOS)と併用して用いてもよい。いくつかの実施形態において、SQWは、光学システム125(FLIMOS)の前に位置される。いくつかの実施形態において、SQWは、光学システム125(FLIMOS)の内側に位置され、あるいは、光学システム125(FLIMOS)と焦線との間に位置することもできる。この実施形態において、追加のクォーター波長板が、環状に偏光された光を生じさせるようにSQWの上流に位置される。いくつかの実施形態において、スプリットクォーター波長板SQWは、第1速軸SQW1aと第1遅軸SWQ1a’とを有する第1プレート部分SQW1を含む。当該スプリットクォーター波長板は、第2速軸SQW2bと第2遅軸SQW2b’とを有する第2プレート部分SQW2も含む。さらに、第1速軸QW1aは、第2速軸SQW2bに直交しており、第1遅軸SWQ1a’は、第2遅軸SQW2b’に直交している。パルスレーザービームが、スプリットクォーター波長板SQWを反転させる場合、第1速軸SQW1aと第1遅軸SWQ1a’とを有する第1プレート部分SQW1は、当該パルスレーザービームの第1ビーム部分を、第1偏光(例えば、特定の水平、垂直、または環状の偏光)へと偏光し、第2速軸SQW2bを有する第2プレート部分SQW1は、当該パルスレーザービームの第2ビーム部分を第2偏光(例えば、別の特定の水平、垂直、または環状の偏光)へと偏光する。第1ビーム部分を第1偏光へと偏光し、第2ビーム部分を第2ビーム部分に直交する第2偏光へと偏光するステップは、当該第2ビーム部分から当該第1ビーム部分をデコヒーレンス化する。当該スプリットクォーター波長板SQWは、2つのプレート部分(例えば、第1および第2プレート部分SQW1、SQW2)を含むように表されているが、当該スプリットクォーター波長板SQWの別の実施形態は、任意の数のプレート部分を含み得る。ブロッキング素子について前に説明したように、当該スプリットクォーター波長板SQWのこれらの部分は、断面の弦部分、より好ましくは扇、の形態において作製され得る。これらの実施形態において、第1複数のプレート部分は、第1速軸SQW1aと第1遅軸 SWQ1a’とを含み、第2複数のプレート部分は、第2速軸SQW2bと第2遅軸 SQW2b’とを含む。さらに、当該第1複数のプレート部分は、集合的に、当該スプリットクォーター波長板SQWの約50%を含み得、当該第2複数のプレート部分は、集合的に、当該スプリットクォーター波長板SQWの別の50%を含み得る。光ビームをデコヒーレンス化する他の部品(例えば、光ビームの一部分をブロックし、好ましくは光学システム125(FLIMOS)内に位置される、ブロッキング素子)を、SQWの代わりに利用してもよいことに留意されたい。非軸対称ビーム断面を作り出すために、あるビーム部分を残りのビームからデコヒーレント化する他の方法。好ましくは、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であって、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい、非軸対称ビーム断面。
F7.さらに、光学ブロッキング素子を越えて当該パルスレーザービームを向かわせるステップを含み、この場合、当該光学ブロッキング素子は、円錐波面を生じる光学素子と透明ワークピースとの間に位置決めされる、パラグラフF1またはF2またはF5に記載の方法。好ましくは、当該ビーム断面は、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であり、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい。
F8.さらに、当該パルスレーザービームの第1部分に、別の部分(当該パルスレーザービームの第2部分)と比べて、特定の光遅延(リタデーション)を誘起するように構成された光遅延板を利用する、パラグラフF1またはF2に記載の方法。例えば、当該光遅延板は、当該パルスレーザービームの半分に対してπの光リタデーションを誘起し得(レーザー波長の1つの光周期は、光位相の2πラジアンに至ると考えられ、そのため、πの光リタデーションは、光周期の1/2の遅延である)、当該パルスレーザービーム112の半分に対して0.875πの光リタデーションを誘起し得、いくつかの実施形態では、当該レーザービームの半分に対して0.5πの光リタデーションを誘起し得る。
好ましくは、当該ビーム断面は、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であり、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
好ましくは、当該ビーム断面は、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面であり、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方は、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい。
G1.ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%を超えて、または35%を超えて、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて、または10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、方法。
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%を超えて、または35%を超えて、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて、または10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、方法。
G2.さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、パラグラフG1に記載の方法。
G3.当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、パラグラフG2に記載の方法。
G4.(i)上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有し、それにより、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から15%以上変動しない;または、(ii)当該焦線が、当該焦線の長さLにおける強度分布が平均ピーク強度から40%以上、または35%を超えて、または30%を超えて、または25%を超えて、または20%を超えて変動しない、好ましくは、平均ピーク強度から15%以上、または10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、パラグラフG1に記載の方法。
G5.当該光学システムが、
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないように;または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないように、レーザービーム焦線を形成するように構築される、パラグラフG1〜4のいずれか1つに記載の方法。
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないように;または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないように、レーザービーム焦線を形成するように構築される、パラグラフG1〜4のいずれか1つに記載の方法。
G6.当該焦線が、単位長さあたりのエネルギーギ密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において15%を超えて変動せず、好ましくは、当該焦線の長さLの少なくとも90%において10%を超えて(または5%以下しか)変動しない、パラグラフG1〜G5のいずれか1つに記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて25%を超えて変動しない。
いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて20%を超えて変動しない。いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて15%を超えて変動しない。いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて10%を超えて変動しない。
いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて20%を超えて変動しない。いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて15%を超えて変動しない。いくつかの実施形態により、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線のエネルギー密度は、当該焦線の長さLにおいて10%を超えて変動しない。
G7.当該光学システムが、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、パラグラフG1〜G6のいずれか1つに記載の方法。
G8.任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するように、当該光学システムが構成される、パラグラフG1〜G7のいずれか1つに記載の方法。
G9.透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる、
装置。
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる、
装置。
G10.さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、パラグラフG9に記載の装置。
G11.さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、パラグラフG8またはG10に記載の装置。
G11.当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、パラグラフG11に記載の方法。
G12.レーザー光源が、フェムト秒またはピコ秒レーザーである、パラグラフG9〜11に記載の装置。
G13.パルスレーザーが、10W〜150Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生成する、パラグラフG12に記載の装置。
G14.当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい、パラグラフA1〜G13のいずれか1つに記載の装置または方法。
G15.当該ワークピースが、コーティングを含む部分と、コーティングを含まない部分とを含む、パラグラフA1〜G14のいずれか1つに記載の装置または方法。
G16.当該コーティングされていないワークピース部分が、厚さdを有し、焦線の中心からコーティング(すなわち、焦線に隣接するコーティング)までの間の距離が、500μm未満、好ましくは350μm未満、例えば、10μmから250μmの間、または10μmから200μmの間、20μmから500μmの間、または、から400μmの間、または20μmから300μmの間、または20μmから250μmの間、または15μmから300μmの間、または15μmから400μmの間、または15μmから500μmの間である、パラグラフG15に記載の装置または方法。
G17.複数の穿孔または欠陥が、当該焦線により、コーティングを含まないワークピークの一部分内に形成され、当該複数の穿孔または欠陥が、コーティングされた部分から距離Zdに形成され(当該距離Zdは、端部から端部まで、すなわち、穿孔または欠陥の端部から当該穿孔または欠陥に隣接するコーティングの端部までにおいて測定される)、当該コーティングされていないワークピースの一部分が、厚さdを有し、Zd≦d/3およびZd>5μmであり、例えば、Zd>10μmまたは>15μmである、パラグラフG15またはG16に記載の装置または方法。いくつかの実施形態によれば、Zd≦d/4であり、いくつかの実施形態によれば、Zd≦d/5である。
特に明記されない限り、本明細書において説明されるいずれの方法も、そのステップが特定の順序で実施されることを必要とすると解釈されることを全く意図していない。したがって、方法のクレームが、そのステップが従うべき順序を実際には列挙していない場合、あるいは、ステップが特定の順序に限定されるべきであると請求項または説明において特に明記されていない場合、任意の特定の順序も推察されることは意図されていない。
本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく様々な変更および変形を為すことができることは、当業者には明白であろう。本発明の趣旨および本質が組み込まれた、開示された実施形態の変更、組み合わせ、部分的組み合わせ、および変形は、当業者が気付き得るものであるため、本発明は、添付の特許請求の範囲内の全てとその同等物を含むと解釈されるべきである。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内に当該レーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の当該長さLの少なくとも85%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない(好ましくは35%を超えて変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルと、を有する、
方法。
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
当該ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内に当該レーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の当該長さLの少なくとも85%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない(好ましくは35%を超えて変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しない)ような、実質的に均一な強度プロファイルと、を有する、
方法。
実施形態2
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態1に記載の方法。
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態1に記載の方法。
実施形態3
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態1に記載の方法。
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態1に記載の方法。
実施形態4
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、実施形態2に記載の方法。
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、実施形態2に記載の方法。
実施形態5
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態1〜4のいずれか1つに記載の方法。
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態1〜4のいずれか1つに記載の方法。
実施形態6
上記焦線が、当該焦線の当該長さLにおける当該強度分布が平均ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態1、2、3、または4に記載の方法。
上記焦線が、当該焦線の当該長さLにおける当該強度分布が平均ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態1、2、3、または4に記載の方法。
実施形態7
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から15%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態5に記載の方法。
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から15%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態5に記載の方法。
実施形態8
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態5に記載の方法。
上記焦線が、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%における当該ピーク強度分布が平均ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態5に記載の方法。
実施形態9
上記光学システムが、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して当該レーザービーム焦線の直径Dが当該欠陥線の当該長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、上記レーザービーム焦線を形成するように構築される、実施形態1〜8のいずれか1つに記載の方法。
上記光学システムが、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して当該レーザービーム焦線の直径Dが当該欠陥線の当該長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、上記レーザービーム焦線を形成するように構築される、実施形態1〜8のいずれか1つに記載の方法。
実施形態10
当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、当該欠陥線の当該長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態9に記載の方法。
当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、当該欠陥線の当該長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態9に記載の方法。
実施形態11
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向いにおける当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、方法。
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
長さLを有する当該焦線が、ビーム伝搬の方向いにおける当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、方法。
実施形態12
上記ワークピースが、ガラスワークピースである、実施形態1または11に記載の方法。
上記ワークピースが、ガラスワークピースである、実施形態1または11に記載の方法。
実施形態13
さらに、当該ワークピースおよび当該レーザービームを、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース内に当該輪郭に沿って複数の欠陥線を形成するステップを含む、実施形態12に記載の方法。
さらに、当該ワークピースおよび当該レーザービームを、輪郭に沿ってお互いに対して平行移動させ、それにより、レーザーが、当該ワークピース内に当該輪郭に沿って複数の欠陥線を形成するステップを含む、実施形態12に記載の方法。
実施形態14
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態11または12に記載の方法。
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から20%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態11または12に記載の方法。
実施形態15
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態14に記載の方法。
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から10%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態14に記載の方法。
実施形態16
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から5%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態11に記載の方法。
上記焦線が、ビーム伝搬方向における当該焦線の長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が最大ピーク強度から5%以上変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態11に記載の方法。
実施形態17
さらに、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して上記レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態11〜16のいずれか1つに記載の方法。
さらに、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対して上記レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態11〜16のいずれか1つに記載の方法。
実施形態18
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態17に記載の方法。
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態17に記載の方法。
実施形態19
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、実施形態18に記載の方法。
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、実施形態18に記載の方法。
実施形態20
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面部品を含む、実施形態17に記載の方法。
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面部品を含む、実施形態17に記載の方法。
実施形態21
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、Lと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が当該ワークピース材料内に誘起吸収を発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、Lと、ピーク軸上光出力プロファイルとを有し、当該出力の80%が当該伝搬軸に沿った出力分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光出力が、伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
実施形態22
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において30%を超えて、さらには20%を超えて変動しない、実施形態1〜21のいずれか1つに記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において30%を超えて、さらには20%を超えて変動しない、実施形態1〜21のいずれか1つに記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態23
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない、実施形態1〜22のいずれか1つに記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの当該焦線のエネルギー密度が、当該焦線の長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない、実施形態1〜22のいずれか1つに記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態24
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態1〜23のいずれか1つに記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態1〜23のいずれか1つに記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態25
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態24に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しない、実施形態24に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態26
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、実施形態25に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から5%を超えて変動しない、実施形態25に記載の、ガラスワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態27
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、実施形態24または26に記載の方法。
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、実施形態24または26に記載の方法。
実施形態28
上記非球面部品が、反射または屈折光学部品であり、それぞれが、少なくとも1つの非球面状表面を有する、実施形態27に記載の方法。
上記非球面部品が、反射または屈折光学部品であり、それぞれが、少なくとも1つの非球面状表面を有する、実施形態27に記載の方法。
実施形態29
任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって集束するように、当該光学システムが構築される、実施形態1〜28のいずれか1つに記載の方法。
任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって集束するように、当該光学システムが構築される、実施形態1〜28のいずれか1つに記載の方法。
実施形態30
ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
ガラスワークピースをレーザー加工する方法であって、
(i)当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップと;
(ii)レーザービーム焦線をガラスワークピース内に向かわせるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップと
を含み、
当該焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の>80%が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大ピーク強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
方法。
実施形態31
さらに、当該レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが当該欠陥線の長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、
実施形態30に記載の方法。
さらに、当該レーザービーム焦線が直径Dを有しかつ当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが当該欠陥線の長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、
実施形態30に記載の方法。
実施形態32
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面部品を含む、実施形態30または31に記載の方法。
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面部品を含む、実施形態30または31に記載の方法。
実施形態33
さらに、任意の断面に対し、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、実施形態32に記載の方法。
さらに、任意の断面に対し、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、実施形態32に記載の方法。
実施形態34
さらに、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して5%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、実施形態32に記載の方法。
さらに、焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して5%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するような光学システムを利用するステップを含む、実施形態32に記載の方法。
実施形態35
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと;
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置。
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと;
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、かつ、総強度の80%超が当該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力強度ポイントの間に含まれるように、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、当該伝搬軸に沿った領域に閉じ込められる、
装置。
実施形態36
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から20%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態35に記載の装置。
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して最大直径から20%を超えて変動しないように、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態35に記載の装置。
実施形態37
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態35または36に記載の装置。
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態35または36に記載の装置。
実施形態38
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態35または36に記載の装置。
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態35または36に記載の装置。
実施形態39
当該非球面状平面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態35または36に記載の装置。
当該非球面状平面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態35または36に記載の装置。
実施形態40
レーザー光源が、フェムト秒またはピコ秒レーザーである、実施形態35〜39のいずれか1つに記載の装置。
レーザー光源が、フェムト秒またはピコ秒レーザーである、実施形態35〜39のいずれか1つに記載の装置。
実施形態41
パルスレーザーが、10W〜150Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態35〜40のいずれか1つに記載の装置。
パルスレーザーが、10W〜150Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態35〜40のいずれか1つに記載の装置。
実施形態42
当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態35〜41のいずれか1つに記載の装置。
当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態35〜41のいずれか1つに記載の装置。
実施形態43
(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、実施形態35〜42のいずれか1つに記載の装置。
(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、実施形態35〜42のいずれか1つに記載の装置。
実施形態44
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも1つの非球面部品を含み、レーザービーム焦線が長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないように、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含む、装置。
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビームを形成する光学システムであって、少なくとも1つの非球面部品を含み、レーザービーム焦線が長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から20%を超えて変動しないように、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含む、装置。
実施形態45
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から10%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態35に記載の装置。
さらに、長さLと直径Dとを有し、当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する当該直径Dが長さLの少なくとも90%に対して当該焦線の最大直径から10%を超えて変動しないような、当該レーザービーム焦線を形成するように構築された光学システムを利用する、実施形態35に記載の装置。
実施形態46
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態43または44に記載の装置。
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態43または44に記載の装置。
実施形態47
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態43または44に記載の装置。
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態43または44に記載の装置。
実施形態48
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態43、44、または46に記載の装置。
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態43、44、または46に記載の装置。
実施形態49
当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態44〜46のいずれか1つに記載の装置。
当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し、パルスバーストあたり少なくとも2〜25パルスを有するパルスバーストを生成する、実施形態44〜46のいずれか1つに記載の装置。
実施形態50
(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、実施形態44〜47のいずれか1つに記載の装置。
(i)当該パルスレーザーが、10W〜100Wのレーザー出力を有し;かつ(ii)当該ワークピースまたはレーザービームが、少なくとも0.4m/秒の速度において、お互いに対して平行移動される、実施形態44〜47のいずれか1つに記載の装置。
実施形態51
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、
方法。
ワークピースをレーザー加工する方法であって、
ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、当該レーザービーム焦線が、誘起吸収を材料内に発生させ、当該誘起吸収が、当該ワークピース内にレーザービーム焦線に沿って欠陥線を生成する、ステップ
を含み、
当該焦線が、長さLと、当該焦線の長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、好ましくは30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、
方法。
実施形態52
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態51に記載の方法。
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態51に記載の方法。
実施形態53
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、実施形態52に記載の方法。
当該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、実施形態52に記載の方法。
実施形態54
(i)当該焦線は、焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、例えば、35%、さらには30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは15%を超えて変動しない、より好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有するか、あるいは(ii)当該焦線は、当該焦線の長さLにおける強度分布が、40%以上変動しない、好ましくは35%または30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは15%、さらには10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態51に記載の方法。
(i)当該焦線は、焦線の当該長さLの少なくとも90%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から40%以上変動しない、例えば、35%、さらには30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは15%を超えて変動しない、より好ましくは10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有するか、あるいは(ii)当該焦線は、当該焦線の長さLにおける強度分布が、40%以上変動しない、好ましくは35%または30%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、好ましくは20%を超えて変動しない、さらにより好ましくは15%、さらには10%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、実施形態51に記載の方法。
実施形態55
当該光学システムが、
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないように、あるいは(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないように、レーザービーム焦線を形成するように構築される、実施形態51〜54のいずれか1つに記載の方法。
当該光学システムが、
(i)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該レーザービーム焦線の直径Dが、欠陥線の長さLの少なくとも90%に対する最大直径から15%を超えて変動しないように、あるいは(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対し、当該直径Dが、欠陥線の長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないように、レーザービーム焦線を形成するように構築される、実施形態51〜54のいずれか1つに記載の方法。
実施形態56
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線の当該エネルギー密度は、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において15%を超えて変動せず、好ましくは、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない、実施形態51〜55に記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
当該焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの焦線の当該エネルギー密度は、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において15%を超えて変動せず、好ましくは、当該焦線の当該長さLの少なくとも90%において10%を超えて変動しない、実施形態51〜55に記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
実施形態57
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、実施形態51〜56のいずれか1つに記載の方法。
当該光学システムが、少なくとも2つの非球面光学部品を含む、実施形態51〜56のいずれか1つに記載の方法。
実施形態58
任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するように、光学システムが構築される、実施形態51〜57のいずれか1つに記載の方法。
任意の断面に対し、当該焦線に対して異なる高さにおいて当該光学システムを出る光ビームが、お互いに対して10%以内の実質的に同じ角度β’において当該焦線に向かって収束するように、光学システムが構築される、実施形態51〜57のいずれか1つに記載の方法。
実施形態59
当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx、minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy、minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx、minおよびZRy、minのうちの小さい方が、
当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx、minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy、minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx、minおよびZRy、minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きい、実施形態1〜34または51〜58に記載の方法。
実施形態60
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
変形ガウス−ベッセルビーム(modified Gauss−Bessel beam)を形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる、
装置。
透明材料をレーザー加工する装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
変形ガウス−ベッセルビーム(modified Gauss−Bessel beam)を形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、当該ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと
を含み、
当該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、当該レーザービーム焦線の光エネルギーが、(i)総強度の75%超、さらには80%超が、伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または(ii)当該ビーム焦線の任意の所定の断面に対する直径Dが、当該長さLの少なくとも90%において最大直径から20%を超えて変動せず、好ましくは10%以下しか変動しないように、伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる、
装置。
実施形態61
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態60に記載の装置。
さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態60に記載の装置。
実施形態62
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態60または61に記載の装置。
さらに、少なくとも2つの非球面状表面を含む光学システムを利用する、実施形態60または61に記載の装置。
実施形態63
上記少なくとも1つの非球面状平面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態61または62に記載の装置。
上記少なくとも1つの非球面状平面が、屈折素子または反射素子の曲面上に形成される、実施形態61または62に記載の装置。
実施形態64
当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
当該ビーム焦線が、断面X軸方向における最小レイリー範囲ZRx,minと、断面y軸方向における最小レイリー範囲ZRy,minとを含む非軸対称ビーム断面を有し、この場合、ZRx,minおよびZRy,minのうちの小さい方が、
[式中、FDは、15を超える、好ましくは50を超える、少なくともいくつかの実施形態では、75を超える、無次元発散係数である(例えば、100≧FD≧10000)]より大きいように構築される、実施形態35〜50、または60〜63に記載の装置。
実施形態65
上記ワークピースが、(a)コーティングを含む少なくとも一部分と、(b)コーティングを含まない少なくとも一部分とを含む、実施形態1〜64のいずれか1つに記載の方法または装置。
上記ワークピースが、(a)コーティングを含む少なくとも一部分と、(b)コーティングを含まない少なくとも一部分とを含む、実施形態1〜64のいずれか1つに記載の方法または装置。
実施形態66
当該コーティングされていないワークピース部分が厚さdを有し、当該焦線の中心と当該コーティングの間の距離が、500μm未満、好ましくは350μm未満、例えば、10μmから250μmの間、または10μmから200μmの間、または20μmから400μmの間である、実施形態65に記載の方法または装置。
当該コーティングされていないワークピース部分が厚さdを有し、当該焦線の中心と当該コーティングの間の距離が、500μm未満、好ましくは350μm未満、例えば、10μmから250μmの間、または10μmから200μmの間、または20μmから400μmの間である、実施形態65に記載の方法または装置。
実施形態67
当該コーティングされていないワークピース部分が厚さdを有し、複数の穿孔または欠陥が、当該焦線により、コーティングを含まないワークピースの少なくとも一部分内に形成され、当該複数の穿孔または欠陥が、コーティングされた部分から距離Zdに形成され、Zd≦d/3およびZd>5μmであり、例えば、Zd>10μmまたは>15μmである、実施形態65または66に記載の方法または装置。
当該コーティングされていないワークピース部分が厚さdを有し、複数の穿孔または欠陥が、当該焦線により、コーティングを含まないワークピースの少なくとも一部分内に形成され、当該複数の穿孔または欠陥が、コーティングされた部分から距離Zdに形成され、Zd≦d/3およびZd>5μmであり、例えば、Zd>10μmまたは>15μmである、実施形態65または66に記載の方法または装置。
2 レーザービーム
2’ MGBビーム
3 アキシコン
3’、6a’、6b’ 光学部品
3a 円錐面
3a’表面
4、4’ 焦線
4a’中央部分
5 レーザー
6 光学システム
6a、6b レンズ
7 ワークピース
7a、7b 表面
110 輪郭
120 欠陥線
125 光学システム
130 材料
500 バースト
500A パルス
2’ MGBビーム
3 アキシコン
3’、6a’、6b’ 光学部品
3a 円錐面
3a’表面
4、4’ 焦線
4a’中央部分
5 レーザー
6 光学システム
6a、6b レンズ
7 ワークピース
7a、7b 表面
110 輪郭
120 欠陥線
125 光学システム
130 材料
500 バースト
500A パルス
Claims (10)
- ワークピースをレーザー加工する方法であって、
該ワークピースに向けられたレーザービーム焦線にパルスレーザービームを集束させるステップであって、該レーザービーム焦線が該ワークピースの材料内に誘起吸収を発生させ、該誘起吸収が、該ワークピース内に該レーザービーム焦線に沿って欠陥線を生じさせる、ステップ
を含み、
該レーザービーム焦線が、長さLと、該レーザービーム焦線の該長さLの少なくとも85%におけるピーク強度分布が平均ピーク強度から20%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルとを有する、
方法。 - さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムであって、該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である、光学システムを利用する、請求項1記載の方法。
- (i)前記レーザービーム焦線が、該レーザービーム焦線の前記長さLの少なくとも90%における前記ピーク強度分布が平均ピーク強度から20%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有するか;または(ii)該レーザービーム焦線が、該レーザービーム焦線の該長さLの少なくとも90%における該ピーク強度分布が平均ピーク強度から15%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有するか;または(iii)該レーザービーム焦線が、該レーザービーム焦線の該長さLにおける該ピーク強度分布が平均ピーク強度から20%を超えて変動しないような、実質的に均一な強度プロファイルを有する、請求項1記載の方法。
- 前記光学システムが、(i)前記レーザービーム焦線の任意の所定の断面に対し、該レーザービーム焦線の直径Dが、前記欠陥線の前記長さLの少なくとも90%に対して最大直径から15%を超えて変動しないように;または(ii)該レーザービーム焦線の任意の所定の断面に対し、該直径Dが、該欠陥線の該長さLに対して最大直径から10%を超えて変動しないように、該レーザービーム焦線を形成するように構築される、請求項2〜3のいずれか一項記載の方法。
- 前記レーザービーム焦線が、単位長さあたりのエネルギー密度によって特徴付けられ、伝搬軸に沿った単位長さあたりの該レーザービーム焦線の該エネルギー密度が、該レーザービーム焦線の該長さLの少なくとも90%において15%を超えて変動しない、請求項1〜4のいずれか一項記載の、ワークピースをレーザー加工する方法。
- 前記ワークピースが、(a)コーティングを含む少なくとも一部分と、(b)コーティングを含まない少なくとも一部分とを含み、該コーティングされていないワークピース部分が厚さdを有し、該レーザービーム焦線の中心と該コーティングの間の距離が500μm未満である、請求項1〜6のいずれか一項記載の方法。
- 透明材料のワークピースをレーザー加工するための装置であって、
(i)ガウス強度プロファイルビームを発生させるレーザー光源と、
(ii)変形ガウス−ベッセルビーム(modified Gauss−Bessel beam)を形成する光学システムであって、少なくとも2つの非球面部品を含み、前記ビーム伝搬軸に沿って方向付けされたレーザービーム焦線を提供するように構成された光学システムと、
を含み、
該レーザービーム焦線が、軸上ピーク強度プロファイルを有し、該レーザービーム焦線の前記光エネルギーが、(a)総強度の80%超が、該伝搬軸に沿ったピーク強度分布の半最大出力ポイントの間に含まれるように;および/または(b)該レーザービーム焦線の任意の所定の断面に対する該直径Dが前記長さLの少なくとも90%に対して最大直径から20%を超えて変動しないように、該伝搬軸に沿った領域内に閉じ込められる、装置。 - さらに、少なくとも1つの非球面状表面を含む光学システムであって、該非球面状表面が、屈折素子または反射素子の曲面である光学システムを利用する、請求項8記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662381345P | 2016-08-30 | 2016-08-30 | |
US62/381,345 | 2016-08-30 | ||
US201662402337P | 2016-09-30 | 2016-09-30 | |
US62/402,337 | 2016-09-30 | ||
PCT/US2017/049030 WO2018044843A1 (en) | 2016-08-30 | 2017-08-29 | Laser processing of transparent materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019532908A true JP2019532908A (ja) | 2019-11-14 |
Family
ID=59846661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019531567A Abandoned JP2019532908A (ja) | 2016-08-30 | 2017-08-29 | 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10522963B2 (ja) |
EP (1) | EP3507057A1 (ja) |
JP (1) | JP2019532908A (ja) |
KR (1) | KR102423775B1 (ja) |
CN (1) | CN110121398B (ja) |
WO (1) | WO2018044843A1 (ja) |
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JP7546503B2 (ja) | 2020-03-06 | 2024-09-06 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 基板部材の切断を準備しかつ/または実施する方法および基板部分部材 |
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- 2017-08-29 JP JP2019531567A patent/JP2019532908A/ja not_active Abandoned
- 2017-08-29 EP EP17764962.1A patent/EP3507057A1/en active Pending
- 2017-08-29 CN CN201780067436.4A patent/CN110121398B/zh active Active
- 2017-08-29 WO PCT/US2017/049030 patent/WO2018044843A1/en unknown
- 2017-08-29 US US15/689,456 patent/US10522963B2/en active Active
- 2017-08-29 KR KR1020197009085A patent/KR102423775B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
US10522963B2 (en) | 2019-12-31 |
EP3507057A1 (en) | 2019-07-10 |
CN110121398A (zh) | 2019-08-13 |
WO2018044843A1 (en) | 2018-03-08 |
KR102423775B1 (ko) | 2022-07-22 |
CN110121398B (zh) | 2022-02-08 |
KR20190043586A (ko) | 2019-04-26 |
US20180062342A1 (en) | 2018-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200831 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20200914 |