JP2008288577A - 基板の処理方法、貫通配線基板及びその製造方法、並びに電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る第一の基板処理方法は、基板11にレーザー光12を照射し、レーザー光12が集光した焦点13の近傍域にあたる基板11の一部に改質部14を形成する基板の処理方法であって、焦点13に至るレーザー光の少なくとも一部が、先に形成された改質部14を伝搬しないように、レーザー光12の焦点13を走査する。
【選択図】図1
Description
貫通配線を形成するためには、デバイス等が形成された基板に微細な貫通孔を形成する技術、必要に応じて微細孔内壁に絶縁層やバリア層を形成する技術、微細孔内部に導体を充填する技術が必要となる。
また、レーザーにより基板等の材料を改質する方法として、材料にパルス幅が10フェムト秒(以下、「fs」と表示する)〜10ピコ秒(以下、「ps」と表示する)の範囲にあるパルスレーザービームを照射し、適宜焦点を材料内で走査して改質層を形成する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
さらに、基板を構成する材料の表面と裏面の間の内部のみにレーザー光を用いた変質層(改質層)を形成し、前記材料をエッチング液に浸して、前記変質層を挟んで向かい合う前記表面と前裏面の開口間の材料を除去する技術も提案されている(例えば、特許文献3参照)。
しかしながら、上記の特許文献1及び2においては、レーザーを材料内において所定の経路に走査する旨の開示はあるものの、具体的なレーザー光の走査方法や、貫通孔の形状の制御等に関する技術については開示されていない。
また、上記の特許文献3においては、微細孔の形状制御について開示されているものの、応用するデバイスにより好ましい様々な孔形状の加工を可能とするものではない。
量産性を考慮するとともに、各種のデバイスへの応用を図るためには、改質部をより高速で作製するために好適な基板の処理方法や、貫通配線端部の径制御を実現するために好適な基板の処理方法について、有効な手法の開発が期待されていた。
本発明は、基板に対してレーザー光を走査することにより、その基板に貫通配線端部の径制御を実現できる改質部を形成可能な、基板の処理方法を提供することを第二の目的とする。
本発明は、貫通配線の製造時間の短縮が図れたり、あるいは貫通配線端部の径制御を可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供することを第三の目的とする。
本発明は、低コスト化が図れる貫通配線基板、あるいは高密度な3次元実装を可能とする貫通配線を備えた貫通配線基板を提供することを第四の目的とする。
本発明は、高機能、高密度なパッケージに好適な形状の貫通配線を備える貫通配線基板を用いた電子部品を提供することを第五の目的とする。
これにより、光が集光部に到達するまで基板に形成された基板よりも高い屈折率を有する改質部を伝搬しない。この改質部は極僅かに不均一な屈折率分布を有するため、この改質部に入射した光にはランダムな反射、屈折等が生じるものと考えられる。改質部を伝搬しないこの照射方法では、光のランダムな反射、屈折によって集光部のスポット径が広がる現象を生じさせない。それ故、集光部におけるスポット径をより小さく、かつ、ピーク強度をロスすることなく光を集光させることができ、より短時間に、効果的に改質部を形成できる。ゆえに、本発明に係る第一の基板処理方法は、基板に対してレーザー光を走査することにより、その基板に改質部を形成する速度の向上をもたらす。
これにより、光が集光部に到達するまで基板に形成された基板よりも高い屈折率を有する改質部を伝搬する。この改質部は極僅かに不均一な屈折率分布を有するため、この改質部に入射した光には反射、屈折等が生じる。それ故、改質部を伝搬するこの照射方法は、先に示した効果により集光部におけるスポット径の拡がりをもたらす。スポット径をより大きく、かつ、ピーク強度を抑えることが可能になるので、前述した第一の基板処理とは異なり、広域に亘るような形態をなす改質部を形成できる。ゆえに、本発明の第二の基板処理方法は、基板に対してレーザー光を走査することにより、その基板に貫通配線端部の径制御を実現できる改質部をもたらす。
これにより、基板に対してレーザー光を走査するだけで、その基板をすばやく改質したり、あるいは基板の改質される領域を広げることにより、基板を構成する少なくとも二面を結ぶように基板の内部に改質部を形成し、この改質部をエッチングすることにより、微細孔が得られる。そして、この微細孔の内部に導体を充填することで、貫通配線を備えた貫通配線基板が製造できる。ゆえに、本発明によれば、貫通配線の製造時間の短縮が図れたり、あるいは貫通配線端部の径制御を可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供できる。
これにより、製造時間の短縮化された貫通配線、あるいは貫通配線端部の径制御された貫通配線を備えた貫通配線基板が得られる。ゆえに、本発明によれば、低コスト化が図れる貫通配線基板や、応用するデバイスに好適な構造、たとえば高密度な3次元実装を可能とする構造とされた貫通配線を備えた貫通配線基板、を提供できる。
これにより、低コストで、高密度な3次元実装に好適な貫通配線基板を用いることにより、MEMSデバイスなど各種デバイスのパッケージやSiPに柔軟に応用することができる、電子部品が得られる。ゆえに、本発明によれば、高機能、高密度なパッケージに好適な形状の貫通配線を備える貫通配線基板を用いた電子部品を提供できる。
まず、本発明に係る基板の処理方法について説明する。
本発明に係る基板の処理方法は、好適な改質部を得るためにレーザー光を走査する方法を明らかにしたものであり、その2通りの手法について、それぞれ一例を図1及び図2に示すことができる。
図1は、本発明に係る第一の基板処理方法を模式的に示した断面図である。本実施形態においては、基板として厚さが500μmのガラス[パイレックス(登録商標)]基板を用い、レーザー光としてパルス幅が250fsのフェムト秒レーザーを集中照射することにより改質部を形成した。
なお、微細孔を形成する基板は、パイレックス(登録商標)基板に限定されるものではなく、たとえば石英などの他のガラス基板や、サファイヤなどの単結晶基板を用いることができる。また、その厚さも150μm〜1mm程度まで適宜設定できる。また、フェムト秒レーザーのパルス幅も適宜設定することができる。
図2は、本発明に係る第二の基板処理方法を模式的に示した断面図である。本実施形態においては、基板として厚さが500μmのガラス[パイレックス(登録商標)]基板を用い、レーザー光としてパルス幅が250fsのフェムト秒レーザーを集中照射することにより改質部を形成した。
以下では、上述した2通りの基板の処理方法(第一の基板処理方法、第二の基板処理方法)を用いた貫通配線基の製造方法について説明する。
ここでは、前述した2通りの基板処理方法を用いて微細孔を形成し、貫通配線を備える貫通配線基板を作製した。
図3は、本発明に係る貫通配線基板の製造方法を工程順に示した模式的な断面図である。本実施形態においては、基板として厚さが500μmのガラス[パイレックス(登録商標)]基板を用い、レーザー光としてパルス幅が250fsのフェムト秒レーザーを集中照射することにより改質部を形成した。
ここで、図中の上向きの矢印方向にレーザー光32の焦点33を走査して改質された改質部34は、第一の基板処理方法により形成した場合と同じ第一改質部34Aとなる。一方、図中の下向きの矢印方向にレーザー光の焦点を走査して改質された改質部34は、第二の基板処理方法により形成した場合と同じ第二改質部34Bとなる。そのため、基板31内部には図3(b)に示すように、質の異なる2種類の改質部郡34A及び34Bが形成されることになる。すなわち、レーザー光32の焦点33の走査を制御することにより、このような質の異なる2種類の改質部34A及び34Bを形成することができる。
本エッチングは、改質されている部分34が改質されていない部分に比べて非常に早くエッチングされる現象を利用するものであり、結果として改質部34に起因した形成の微細孔36を形成することができる。本実施形態においては、微細孔36の孔径を80μm程度とした。なお、微細孔36の孔径は、製造する貫通配線の用途に応じて、1μm〜200μmの範囲で適宜設定することができる。
これにより、基板31の内部に、3次元的に自由な構造を持つ微細孔36を形成することができる。
これは、前述した改質部のランダムな反射、屈折に起因する効果の有無により、改質部34と非改質部とのエッチングレートの差、すなわちエッチングの選択比をより大きく取ることができるため、直性の高い微細孔36が形成されたと考えられる。このことは逆に、改質部34の形成方法により作製する微細孔36の形状を制御できることを示唆しており、適用するデバイスの種類や用途により、貫通配線の形状を制御することが可能となり、適応範囲をより広げることが期待できる。
第一の基板処理方法において、基板の一面と他面との2面を垂線で結ぶ方向に対して、レーザー光を斜線や曲線で照射して改質部を形成しても良い。図5は、第一の基板処理方法の他の実施形態を模式的に示した断面図である。この実施形態では、基板51に分岐構造をもつ第一改質部54を形成する。まず、図5(a)に示すように、基板51の一面(図5(a)に示す下面)側から、他面(図5(a)に示す上面)側に向かって、左から右に斜めに傾斜する方向にレーザー光52を照射する。この時、焦点53に至るレーザー光52の少なくとも一部が、先に形成された第一改質部54(レーザー光52の照射によって改質された領域)を伝搬しないように、レーザー光52の焦点53を走査する。
これにより適用するデバイスの種類や用途により貫通配線の形状を制御することが可能になるので、応用範囲のより広い貫通配線基板が提供できる。
Claims (5)
- 基板にレーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点の近傍域にあたる前記基板の一部に改質部を形成する基板の処理方法であって、
前記焦点に至るレーザー光の少なくとも一部が、先に形成された改質部を伝搬しないように、前記レーザー光の焦点を走査することを特徴とする基板の処理方法。 - 基板にレーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点の近傍域にあたる前記基板の一部に改質部を形成する基板の処理方法であって、
前記焦点に至るレーザー光の少なくとも一部が、先に形成された改質部を伝搬するように、前記レーザー光の焦点を走査することを特徴とする基板の処理方法。 - 請求項1及び/又は請求項2に記載の基板の処理方法を用い、基板を構成する少なくとも二面を結ぶように基板の内部に改質部を形成する工程と、
前記改質部をエッチングにより除去し、前記基板に微細孔を形成する工程と、
前記微細孔の内部に導体を充填し、前記基板に導電部を形成する工程と、を少なくとも順に備えることを特徴とする貫通配線基板の製造方法。 - 請求項3に記載の製造方法を用いて作製されたことを特徴とする貫通配線基板。
- 請求項4に記載の貫通配線基板を用いたことを特徴とする電子部品。
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