JP2015511571A - 強化ガラスの分離のための方法及び装置並びにこれにより生成された製品 - Google Patents

Abstract

基板を分離するための方法及び装置が開示され、分離された基板から形成される製品も開示される。第１の面及び第２の面を有する基板を分離する方法においては、レーザ光ビームを照射して第１の面を通過させ、その後第２の面を通過させる。レーザ光ビームは、基板の表面上又は基板の外側に位置するビームウェストを有する。レーザ光ビームと基板との間で相対運動を行って、走査される基板の表面上のスポットをガイド経路に沿って走査する。スポット内で照射された基板の部分がレーザ光ビーム内で光を吸収し、基板をガイド経路に沿って分離することができる。

Description

発明の背景

本発明の実施形態は、概して、ガラスの基板を分離するための方法に関するものであり、特に強化ガラス基板を分離するための方法に関するものである。また、本発明の実施形態は、ガラスの基板を分離するための装置及びガラスの基板から分離されたガラス片に関するものである。

化学的に強化された基板や熱的に強化された基板のような薄い強化ガラス基板は、強度及びダメージ耐性に優れているため、家庭用電子機器において幅広く応用されている。例えば、そのようなガラス基板をＬＣＤやＬＥＤディスプレイ、携帯電話に組み込まれるタッチアプリケーション、テレビやコンピュータモニタなどのディスプレイ、その他様々な電子機器のためのカバー基板として用いることができる。製造コストを下げるために、単一の大きなガラス基板上に複数の素子のために薄膜パターニングを行い、その大きなガラス基板を種々の切断技術を用いて複数の小さなガラス基板に切断又は分離することにより、家庭用電子機器において用いられるそのようなガラス基板を形成することが望まれることがある。

しかしながら、中央の引っ張り領域内に蓄積される圧縮応力及び弾性エネルギーが大きいことにより、化学的強化ガラス基板又は熱的強化ガラス基板の切断又は仕上げが難しくなることがある。圧縮応力の高い表面の層及び深い層により、従来のスクライブと曲げのプロセスと同様にガラス基板を機械的にスクライブすることが難しくなる。さらに、中央の引っ張り領域の蓄積弾性エネルギーが十分に高い場合には、圧縮応力のかかった表面層を貫通する際にガラスが爆発的に壊れることがある。その他の場合においては、弾性エネルギーが放出されることにより破損が生じて所望の分離経路からずれてしまうことがある。したがって、強化ガラス基板を分離するための別の方法に対する需要が存在する。

本明細書において開示される一実施形態は、第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を用意し、上記第１の面及び上記第２の面の少なくとも一方には圧縮応力がかかり、上記基板の内部は引っ張り状態となっており、レーザ光ビームを照射して上記第１の面を通過させ、上記第１の面の通過後に上記第２の面を通過させ、上記レーザ光のビームは、上記基板の表面上又は上記基板の外側でビームウェストを有し、上記レーザ光ビームをガイド経路に沿って上記基板に対して走査させ、上記ガイド経路に沿った複数の位置で上記基板の表面から上記レーザ光ビームにより材料を除去し、上記ガイド経路に沿って上記基板を分離する方法（例えば、基板を分離するための方法）として例示的に特徴付けることができる。

本明細書において開示される他の実施形態は、第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を用意し、上記第１の面及び上記第２の面の少なくとも一方には圧縮応力がかかり、上記基板の内部は引っ張り状態となっており、上記基板内の複数の位置で上記基板を加工し、上記複数の加工位置のうちの少なくとも１つは上記第２の面上に位置し、上記複数の位置のうちの少なくとも１つは上記基板の上記内部に位置しており、上記基板をガイド経路に沿って分離する方法（例えば、基板を分離するための方法）として例示的に特徴付けることができる。この加工の際に、レーザ光ビームを照射して上記第１の面を通過させ、上記第１の面の通過後に上記第２の面を通過させ、上記レーザ光ビームは、上記基板の表面上のスポット内で、上記スポットにより照射される上記基板の一部によって光の多光子吸収を刺激するのに十分な強度とフルエンスを有し、上記複数の加工位置のうち少なくとも一部がガイド経路に沿って配置されるように、上記レーザ光ビームを上記基板に対して走査させる。

本明細書において開示されるさらに他の実施形態は、第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を分離するための装置であって、ビームウェストを有するレーザ光集束ビームを光路に沿って照射するように構成されたレーザシステムと、上記第１の面が上記レーザシステムに対向し、上記ビームウェストが上記基板の表面上又は上記基板の外側に位置することができるように、上記強化ガラス基板を支持するように構成されたワークピース支持システムと、上記レーザシステム及び上記ワークピース支持システムの少なくとも一方に連結されたコントローラとを含んだ装置として例示的に特徴付けることができる。このコントローラは、上記レーザ光ビームを照射して上記第１の面を通過させ、上記第１の面の通過後に上記第２の面を通過させ、上記レーザ光ビームは、上記基板の表面上のスポット内で、該スポットにより照射される上記基板の一部によって光の多光子吸収を刺激するのに十分な強度とフルエンスを上記基板の表面上のスポット内で有し、上記レーザ光ビームを上記基板に対してガイド経路に沿って走査させるように、上記レーザシステム及び上記ワークピース支持システムの上記少なくとも一方を制御するための指令を実行するように構成されたプロセッサを含むことができる。さらに、上記コントローラは、上記指令を格納するように構成されたメモリを含むことができる。

本明細書において開示されるさらに他の実施形態は、第１の面と、第２の面と、端面とを有する強化ガラス製品を含む製品として例示的に特徴付けることができる。上記端面は、上記第２の面から上記第１の面に向かって延びる主縁部領域と、上記主縁部領域から上記第１の面に延びるノッチ領域とを含み得る。

図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態により分離可能な強化ガラス基板を示す上面図及び断面図である。 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態により分離可能な強化ガラス基板を示す上面図及び断面図である。 図２Ａは、図１Ａ及び図１Ｂに関して例示的に述べられる基板内にガイド溝を形成するプロセスの一実施形態を示す平面図である。 図２Ｂは、図２ＡのIIB−IIB線断面図である。 図３Ａは、図２Ａ及び図２Ｂに関して例示的に述べられるプロセスにより形成されたガイド溝の一実施形態を示す断面図である。 図３Ｂは、図３ＡのIIIB−IIIB線断面図である。 図４及び図５は、図２Ａ〜図３Ｂに関して例示的に述べられるガイド溝に沿って基板を分離するプロセスの一実施形態を示す断面図である。 図４及び図５は、図２Ａ〜図３Ｂに関して例示的に述べられるガイド溝に沿って基板を分離するプロセスの一実施形態を示す断面図である。 図６Ａは、図２Ａ〜図５に関して例示的に述べられるプロセスにより図１に示される基板から分離された強化ガラス片を示す上面図である。 図６Ｂは、図６Ａに示される強化ガラス片を示す側面図である。 図７は、図２Ａ〜図６Ｂに関して例示的に述べられるプロセスを行うように構成された装置の一実施形態を模式的に示すものである。

図示された実施形態の詳細な説明

以下、本発明の例示の実施形態が示されている添付図面を参照しながら本発明をより完全に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で実施することができ、本明細書で述べる実施形態に限定されるものとして解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が、完全なものですべてを含み、本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように提供されるものである。図面においては、理解しやすいように、層や領域のサイズや相対的なサイズが誇張されている場合がある。

以下の説明では、図面において示される複数の図を通して、同様の参照記号は同様の又は対応する部材を示している。本明細書において使用されているように、内容が明確にそうではないことを示している場合を除き、単数形は複数形を含むことを意図している。さらに特に示す場合を除き、「上面」、「底面」、「外方」、「内方」などは、便宜上の言葉であり、限定する趣旨の用語として解釈されないことも理解できよう。加えて、あるグループが、グループ内の要素の少なくとも１つ又はその組み合わせを「備える」というときは、そのグループは、別々に又は互いの組み合わせで記載された要素を任意の数だけ備えていてもよく、その任意の数の要素から実質的に構成されていてもよく、あるいはその任意の数の要素から構成されていてもよい。同様に、あるグループが、グループ内の要素の少なくとも１つ又はその組み合わせ「から構成される」というときは、そのグループは、別々に又は互いの組み合わせで記載される任意の数の要素から構成され得る。特に示す場合を除き、記載された数値の範囲は、その間の任意のサブレンジとともに、その範囲の上限及び下限の双方を含むものである。

概して図面を参照すると、特定の実施形態を述べるために図示がなされており、本開示又は添付した特許請求の範囲を限定することを意図しているものではないことが理解できよう。図面は必ずしも縮尺が正しいとは限らず、ある特徴や図面中の図が、縮尺を誇張して示されているか、明確かつ簡潔にするために模式的に示されていることがある。

図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明の実施形態における分離可能な強化ガラス基板を示す上面図及び断面図である。

図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、強化ガラス基板１００（本明細書においては単に「基板」ともいう）は、第１の面１０２と、この第１の面とは反対側の第２の面１０４と、縁部１０６ａ，１０６ｂ，１０８ａ，１０８ｂとを含んでいる。一般的に、縁部１０６ａ，１０６ｂ，１０８ａ，１０８ｂは、第１の面１０２から第２の面１０４に延びている。平面図で見ると、基板１００は本質的に正方形であるように図示されているが、平面図で見たときに基板１００が任意の形状を有していてもよいことは理解できよう。基板１００は、これに限定されるわけではないが、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなど、又はこれらの組み合わせをはじめとするガラス組成から形成され得る。本明細書において述べられる実施形態により分離された基板１００は、イオン交換化学強化プロセス、熱焼き戻し（thermal tempering）など、又はこれらの組み合わせといった強化プロセスにより強化され得る。本明細書における実施形態は、化学強化ガラス基板について述べられるが、本明細書において例示的に述べられる実施形態によって他の種類の強化ガラス基板を分離してもよいことを理解すべきである。一般的に、基板１００は、２００μｍよりも大きく１０ｍｍよりも小さい厚さｔを有し得る。一実施形態においては、厚さｔは５００μｍから２ｍｍの範囲にあり得る。他の実施形態においては、厚さｔは６００μｍから１ｍｍの範囲にあり得る。しかしながら、厚さｔが１０ｍｍよりも大きくてもよく、あるいは２００μｍよりも小さくてもよいことは理解されよう。

図１Ｂを参照すると、基板１００の内部１１０は、圧縮領域（例えば、第１の圧縮領域１１０ａ及び第２の圧縮領域１１０ｂ）と引っ張り領域１１０ｃとを含んでいる。基板１００の圧縮領域１１０ａ及び１１０ｂ内の部分は、ガラス基板１００に強度を与える圧縮応力状態に維持される。基板１００の引っ張り領域１１０ｃ内の部分には、圧縮領域１１０ａ及び１１０ｂにおける圧縮応力を補償する引っ張り応力がかかっている。一般的に、内部１１０の圧縮力及び引っ張り力は互いに相殺して基板１００の最終的な応力はゼロになる。

例示的に示されるように、第１の圧縮領域１１０ａは、第１の主面１０２から第２の主面１０４に向かって距離（又は深さ）ｄ１だけ延びており、このため厚さ（又は「層深さ（ＤＯＬ）」）ｄ１を有している。一般的に、ｄ１を、基板１００の物理的な表面から応力がゼロになる内部１１０の点までの距離として定義することができる。また、第２の圧縮領域１１０ｂのＤＯＬもｄ１となり得る。

基板１００の組成や基板１００を強化するために用いた化学的及び／又は熱的プロセスなどのプロセスパラメータ（これらすべては当業者に周知である）によって、ｄ１は一般的に１０μｍよりも大きくなり得る。一実施形態においては、ｄ１は２０μｍよりも大きい。一実施形態においては、ｄ１は４０μｍよりも大きい。他の実施形態においては、ｄ１は５０μｍよりも大きい。さらなる実施形態においては、ｄ１は１００μｍよりも大きくなり得る。ｄ１を１０μｍ未満とした圧縮領域を生成するために任意の方法で基板１００を用意できることは理解されよう。図示された実施形態においては、引っ張り領域１１０ｃは、端面１０６ａ及び１０６ｂ（加えて端面１０８ａ及び１０８ｂ）から延びている。しかしながら、他の実施形態においては、付加的な圧縮領域が端面１０６ａ，１０６ｂ，１０８ａ，１０８ｂに沿って延びていてもよい。このように、圧縮領域が合わさって、基板１００の表面から基板１００の内部に延びる圧縮応力外側領域を形成し、引っ張り状態にある引っ張り領域１１０ｃはこの圧縮応力外側領域により囲まれることとなる。

上述したプロセスパラメータに応じて、第１の面１０２と第２の面１０４のそれぞれで、あるいはその近傍（すなわち１００μｍ以内）で、圧縮領域１１０ａ及び１１０ｂ内の圧縮応力の大きさが測定され、これは６９ＭＰａよりも大きくなり得る。例えば、実施形態によっては、圧縮領域１１０ａ及び１１０ｂ内の圧縮応力の大きさが１００ＭＰａよりも大きく、２００ＭＰａよりも大きく、３００ＭＰａよりも大きく、４００ＭＰａよりも大きく、５００ＭＰａよりも大きく、６００ＭＰａよりも大きく、７００ＭＰａよりも大きく、８００ＭＰａよりも大きく、９００ＭＰａよりも大きく、あるいは１ＧＰａよりも大きくなり得る。引っ張り領域１１０ｃ内の引っ張り応力の大きさは次式により得ることができる。

ここで、ＣＴは基板１００内の中央張力であり、ＣＳはＭＰａで表される圧縮領域内の最大圧縮応力であり、ｔはｍｍで表される基板１００の厚さであり、ＤＯＬはｍｍで表される圧縮領域の層の深さである。

本発明の実施形態により分離可能な基板１００について例示的に述べてきたが、次に基板１００を分離する例示的な実施形態について述べる。これらの方法を実施する際には、ガイド経路１１２のようなガイド経路に沿って基板１００を分離することができる。ガイド経路１１２は直線上を延びるように図示されているが、ガイド経路１１２の全部又は一部が曲線に沿って延びていてもよいことは理解できよう。

図２Ａ〜図５は、基板１００のような強化ガラス基板を分離するプロセスの一実施形態を示すものである。このプロセスでは、基板１００にガイド溝を形成した後、基板１００をガイド溝に沿って分離する。具体的には、図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、ガイド溝を形成するプロセスの一実施形態を示す上面図及び断面図であり、図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、図２Ａ及び図２Ｂに関して例示的に述べるプロセスにより形成されたガイド溝の一実施形態を示す断面図及び側面図であり、図４及び図５は、図２Ａから図３Ｂに関して例示的に述べるガイド溝に沿って基板を分離するプロセスの一実施形態を示す断面図である。

図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、基板１００上にレーザ光ビーム２０２を照射し、ガイド経路１１２に沿って２点（例えば、図１Ａで示される点Ａと点Ｂ）間で少なくとも１回基板１００に対してビーム２０２を走査することにより、ガイド溝（例えば、図３Ａ及び図３Ｂに示されるガイド溝２００）を形成することができる。図示されているように、点Ａは縁部１０６ｂに位置しており、点Ｂは縁部１０６ａから間隔を空けて位置している。これらの点の一方又は双方が図示されたものとは異なる位置に置かれてもよいことは理解できよう。例えば、点Ｂを縁部１０６ａに位置させてもよい。図２Ａ及び図２Ｂは、ビーム２０２が点Ａから点Ｂに走査する第１の走査を部分的に完了した状態におけるガイド溝形成プロセスを示している。

一般的に、レーザ光ビーム２０２は、第１の面１０２を通過し、その後第２の面１０４を通過するように、光路に沿って基板上に照射される。一実施形態においては、ビーム２０２内の光は、レーザ光のパルス列として供給され、まずレーザ光ビームを生成し、次にレーザ光ビームを集束させてビームウェスト２０４を生成することによって、ビーム２０２を光路に沿って照射することができる。図示された実施形態では、ビームウェスト２０４が第１の面１０２よりも第２の面１０４に近くなるように、ビームウェスト２０４が基板１００の外側に位置している。ビームウェスト２０４を基板１００の外側であって、第１の面１０２よりも第２の面１０４に近くに位置させることにより、基板１００内で非線形的にビーム２０２の焦点を合わせて、（例えば、非線形カー効果のバランス、回折、プラズマ焦点外れなどにより）基板１００の長くて狭い領域内において基板１００の内部１１０にダメージを与えることができる。これにより、次に行われる基板１００の分離を容易にすることができる。しかしながら、ビーム２０２の焦点を合わせる方法を変更することによって、第１の面１０２よりも第２の面１０４に近い位置にビームウェスト２０４を持ってくることができる。さらに他の実施形態においては、ビームウェスト２０４は、（第１の面１０２上に位置するように）第１の面１０２に、あるいは（第２の面１０４上に位置するように）第２の面１０４に交差し得る。

図示された実施形態においては、ビームウェスト２０４は、（例えば、光路に沿って測定した場合に）０．５ｍｍよりも長い距離だけ基板から離間するように、基板１００の外側に位置している。一実施形態においては、ビームウェスト２０４は、３ｍｍよりも短い距離だけ基板１００から離間している。一実施形態においては、ビームウェスト２０４は、１．５ｍｍの距離だけ基板１００から離間していてもよい。しかしながら、ビームウェスト２０４が、３ｍｍよりも長い距離又は０．５ｍｍよりも短い距離だけ基板１００から離間していてもよいことは理解できよう。実施形態によっては、ビームウェスト２０４が、より第１の面１０２に近いか、あるいはより第２の面１０４に近いかに応じて、ビームウェスト２０４が基板１００から離間している距離を選択することができる。以下により詳細に述べるように、基板１００の分離を手助けするのに用いられるガイド溝の所望の構成に応じて、ビームウェスト２０４が基板１００から離間している距離を選択することができる。

一般的に、レーザ光ビーム２０２内の光は、１００ｎｍよりも長い少なくとも１つの波長を有している。一実施形態においては、レーザ光ビーム２０２内の光は、３０００ｎｍよりも短い少なくとも１つの波長を有していてもよい。例えば、レーザ光ビーム２０２内の光は、５２３ｎｍ、５３２ｎｍ、５４３ｎｍなど、又はこれらの組み合わせの波長を有していてもよい。上述したように、ビーム２０２内の光は、レーザ光のパルス列として供給される。一実施形態においては、パルスの少なくとも１つは、１０フェムト秒（ｆｓ）よりも長いパルス持続時間を有し得る。他の実施形態においては、パルスの少なくとも１つは、５００ナノ秒（ｎｓ）よりも短いパルス持続時間を有し得る。さらに他の実施形態においては、少なくとも１つのパルスが、約１０ピコ秒（ｐｓ）のパルス持続時間を有し得る。さらに、光路に沿って１０Ｈｚよりも高い繰り返し率でビーム２０２を照射し得る。一実施形態においては、光路に沿って１００ＭＨｚよりも低い繰り返し率でビーム２０２を照射し得る。他の実施形態においては、約４００ｋＨｚの繰り返し率でビーム２０２を照射し得る。パラメータの中でも特にビーム２０２内の光の波長とパルス持続時間に基づいてビーム２０２のパワーを選択できることは理解されよう。例えば、ビーム２０２が緑色波長（例えば、５２３ｎｍ、５３２ｎｍ、５４３ｎｍなど）と約１０ｐｓのパルス持続時間を有しているとき、ビーム２０２は、２０Ｗ（又は約２０Ｗ）のパワーを有していてもよい。他の例では、ビーム２０２がＵＶ波長（例えば３５５ｎｍなど）と約１０ｎｓより短いパルス持続時間（例えば１ｎｓ）を有しているとき、ビーム２０２は、１０Ｗ〜２０Ｗ（又は約１０Ｗ〜約２０Ｗ）の範囲にあるパワーを有していてもよい。しかしながら、ビーム２０２のパワーは、必要に応じて選択され得ることは理解できよう。

一般的に、スポットサイズやスポット強度、フルエンスなど、あるいはこれらの組み合わせなどの他のパラメータに加えて、上述した波長やパルス持続時間、繰り返し率、パワーなどのビーム２０２のパラメータ（本明細書においては「ビームパラメータ」ともいう）は、スポット２０６で照射される基板１００の部分をアブレートする又はスポット２０６で照射される基板１００の部分によりビーム２０２内で光の多光子吸収を誘起するのに十分なほどの強度及びフルエンスをビーム２０２が第１の面１０２上のスポット２０６で有するように選択され得る。しかしながら、例えば、ビーム２０２の焦点が合わされる方法を変更することにより、スポット２０６を第２の面１０４に移動させることができる。したがって、第１の面１０２上又は第２の面１０４上の基板１００の一部をスポット２０６により照射したときに、該基板１００の一部を除去することができる。一実施形態においては、スポット２０６は、１μｍよりも大きな径の円形状を有し得る。他の実施形態においては、スポット２０６の径は１００μｍ未満であり得る。さらに他の実施形態では、スポット２０６の径は約３０μｍであり得る。しかしながら、この径は１００μｍよりも大きくてもよく、あるいは１μｍより小さくてもよいことは理解できよう。また、スポット２０６は任意の形状（例えば、楕円状、線状、正方形状、台形状など、又はこれらの組み合わせ）を有し得ることも理解できよう。

一般的に、２点Ａ，Ｂ間でガイド経路１１２に沿って少なくとも１回ビーム２０２を走査することができる。一実施形態においては、２点間でガイド経路に沿って少なくとも５回ビーム２０２を走査する。他の実施形態においては、２点間でガイド経路に沿って少なくとも１０回ビーム２０２を走査する。一般に、２点間でガイド経路１１２の少なくとも一部に沿って１ｍ／ｓ以上の走査速度でビーム２０２を走査することができる。他の実施形態では、２点間でガイド経路１１２の少なくとも一部に沿って２ｍ／ｓよりも速い走査速度でビーム２０２を走査する。しかしながら、２点間でガイド経路１１２の少なくとも一部に沿って１ｍ／ｓ未満の走査速度でビーム２０２を走査してもよいことは理解できよう。例えば、８０ｍｍ／ｓ、７５ｍｍ／ｓ、５０ｍｍ／ｓ、３０ｍｍ／ｓなどの走査速度でビーム２０２を走査することができる。また、２点Ａ，Ｂ間でビーム２０２を走査する走査速度や回数は、ガイド溝２００の所望の深さ、基板の組成、基板１００から分離される小片の所望のエッジ品質とともに、上述したビームパラメータに基づいて選択できることは理解できよう。

幅（例えば「ｗ１」で示される。図２Ａ参照）や深さ（例えば「ｄ２」で示される。図３Ａ参照）、ガイド溝２００の端部の位置、断面プロファイルなどのガイド溝パラメータは、１以上の走査パラメータ、ビームウェストの配置パラメータ及び／又は上述したビームパラメータを調整することにより選択することができる。例示的な走査パラメータとしては、上述した走査速度や点Ａ，Ｂで走査する回数など、又はこれらの組み合わせなどが挙げられる。例示的なビームウェスト配置パラメータとしては、ビームウェスト２０４が基板１００の外側に位置しているか否か、ビームウェスト２０４が基板１００からどれくらい離間しているか、ビームウェスト２０４がより第１の面１０２に近いか否か、より第２の面１０４に近いか否か、ビームウェスト２０４が第１の面１０２上又は第２の面１０４上にあるか否かなど、又はこれらの組み合わせが挙げられる。ガイド溝形成プロセスが完了すると、図３Ａ及び図３Ｂに示されるようにガイド溝２００が形成される。

図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、ガイド経路１１２に沿った任意の位置におけるガイド溝２００の深さｄ２は、ガイド溝２００が形成されている基板１００の物理的な表面（例えば、例示的に図示されているように第１の面１０２）からガイド溝２００の下面３００までの距離として定義できる。上述のビームパラメータ、走査パラメータ、及びビームウェストの配置パラメータに応じて、ｄ２は、ガイド経路１１２に沿った任意の位置でｄ１よりも大きくてもよく、あるいはｄ１と等しくてもよく、あるいはｄ１よりも小さくてもよい。ｄ２がｄ１よりも大きい場合には、ｄ２はｄ１よりも５％（又は５％未満）から１００％だけ大きい範囲にあり得る。ｄ２がｄ１より小さい場合には、ｄ２はｄ１よりも１％（又は１％未満）から９０％だけ小さい範囲にあり得る。一実施形態においては、ｄ２が３０μｍよりも大きくなり得るように、上述したビームパラメータ、走査パラメータ、ビームウェストの配置パラメータなどを選択することができる。他の実施形態においては、ｄ２は５０μｍよりも小さくてもよい。さらに他の実施形態では、ｄ２は約４０μｍであり得る。

図３Ａに示されるように、ガイド溝２００の端部３０２は、基板１００の縁部１０６ａから離間している。基板１００内での端部３０２の位置は、図１Ａに示される点Ｂの位置に対応している。このように、点Ｂが縁部１０６ａに移動されるとすると、ガイド溝２００の端部３０２は（縁部１０６ａ上に位置するように）縁部１０６ａと一致する。

図３Ｂを参照すると、下面３００の曲率半径を調整するように、上述したビームパラメータ、走査パラメータ、ビームウェストの配置パラメータなどを選択することができる。上述したビームパラメータ、走査パラメータ、ビームウェストの配置パラメータ、基板パラメータ（例えば、基板の組成、圧縮領域の深さ、圧縮領域内の圧縮応力の大きさ、引っ張り領域内の引っ張り応力の大きさなど、又はこれらの組み合わせ）など、又はこれらの組み合わせに応じて、ガイド経路１１２に沿った基板１００の望ましい分離を促進するように、ガイド溝パラメータ（例えば、ガイド溝２００の深さｄ２、ガイド溝２００の曲率半径、基板１００の縁部に対するガイド溝２００の端部３０２の位置など）を選択することができる。例えば、深さｄ２が小さすぎる場合、加えて／あるいは、曲率半径が大きすぎる場合には、基板１００がガイド経路１１２からずれた経路に沿って分離されてしまうか、あるいは、基板１００から分離された強化ガラス片の強度を低下させ得る小さなクラックを基板１００内に生成してしまう場合がある。

図４及び図５は、図２Ａ〜図３Ｂに示されるガイド溝に沿って基板を分離するプロセスの一実施形態を示す断面図である。

一実施形態においては、ガイド溝２００が形成されると、基板１００が自発的に（例えば、ガイド溝２００に沿って）確実に分離するように、上述したガイド溝パラメータを選択することができる。しかしながら、図示された実施形態では、基板１００がガイド溝２００に沿って自発的に分離しないように上述したガイド溝パラメータが選択される。そのような実施形態では、１以上の付加的なプロセスを行ってガイド溝２００の形成後に基板１００内にベントクラックを形成することができる。ベントクラックを生成する際に、基板１００をガイド経路１１２に沿って確実に分離できるように、そのようなベントクラックの幅、深さ、サイズなどが（例えば、この１以上の付加的なプロセスのパラメータに基づいて）選択及び／又は調整され得る。このように、ベントクラックの形成時にガイド経路１１２に沿って基板１００が分離可能となるように、ベントクラック及びガイド溝２００を構成することができる。ベントクラックは任意の方法で形成することができる。例えば、基板１００上へのレーザ放射により、あるいは基板１００に機械的な衝撃を与えることにより、あるいは基板１００を化学的にエッチングすることにより、あるいはこれと似た方法により、あるいはこれらの組み合わせによりベントクラックを形成することができる。

基板１００上にレーザ放射を照射することによりベントクラックを形成する際には、そのレーザ放射は、１００ｎｍよりも長い少なくとも１つの波長を有し得る。一実施形態においては、レーザ放射は、１１μｍよりも短い少なくとも１つの波長を有し得る。例えば、レーザ放射は、３０００ｎｍよりも短い少なくとも１つの波長を有し得る。他の実施形態では、レーザ放射は、２６６ｎｍ、５２３ｎｍ、５３２ｎｍ、５４３ｎｍ、７８０ｎｍ、８００ｎｍ、１０６４ｎｍ、１５５０ｎｍ、１０.６μｍなどからなる群より選択される少なくとも１つの波長を有している。一実施形態においては、ガイド溝２００内に又はガイド溝２００の外側に、あるいはこれら両方にレーザ放射を照射することができる。同様に、レーザ放射を基板１００の表面の縁部に又は縁部から離れた位置に照射することができる。一実施形態においては、レーザ放射は、ビームウェスト２００と同様のビームウェストを有し得る。そのようなビームウェストは、基板１００の外側に位置するか、基板１００のいずれかの部分と少なくとも部分的に一致し得る。基板１００に機械的な衝撃を与えることによりベントクラックを形成する場合には、任意の好適な方法（例えば、打撃、研削、切断など、又はこれらの組み合わせ）により基板１００の一部に機械的な衝撃を与えることができる。基板１００を化学的にエッチングすることによりベントクラックを形成する場合には、エッチャント（例えば、ドライエッチャント、ウェットエッチャントなど、又はこれらの組み合わせ）に接触させて基板１００の一部を除去することができる。

他の実施形態では、ベントクラックを、基板１００の一部を除去することにより形成されるものとして特徴付けることができる。図４を参照すると、基板１００の一部を除去してガイド経路１１２に沿って起点溝４００のような起点溝（initiation trench）を形成することによって一実施形態におけるベントクラックを形成することができる。このように、起点溝４００をガイド溝２００に揃えることができる。しかしながら、他の実施形態においては、起点溝４００がガイド溝２００に揃わないようにガイド経路１１２から起点溝４００を離間させることができる。そのような実施形態においては、起点溝４００は、それでもガイド経路１１２の十分に近くに位置しており、ガイド溝２００に伝播し得るクラックの起点となる。

一実施形態においては、起点溝４００及びガイド溝２００は、同一面（例えば、例示的に図示されているように第１の面１０２）から基板１００内に延びている。図示された実施形態においては、起点溝４００は、表面１０２から基板１００内に延びている。しかしながら、他の実施形態においては、起点溝４００が、ガイド溝２００から（例えば、ガイド溝２００の下面３００から）基板１００内に延びていてもよい。図示された実施形態においては、起点溝４００は、ガイド溝２００の端部３０２からガイド経路１１２に沿って（例えば、縁部１０６ｂに向かって）延びている。しかしながら、他の実施形態においては、起点溝４００が、基板１００の縁部１０６ａからガイド経路１１２に沿って延びていてもよく、あるいは、ガイド経路２００の任意の位置からガイド経路１１２に沿って延びていてもよい。起点溝４００の幅は、ガイド溝２００の幅ｗ１よりも大きくても、小さくても、あるいは等しくてもよい。例示的に示されているように、（例えば、図１Ａに示されるガイド経路１１２に沿って測定される）起点溝４００の長さは、（例えば、同じくガイド経路１１２に沿って測定される）ガイド溝２００の長さよりも短い。しかしながら、他の実施形態においては、起点溝４００の長さがガイド溝２００の長さ以上であってもよい。

例示的に図示されるように、下面４０２が引っ張り領域１１０ｃまで延びるように、起点溝４００は深さｄ３まで延びている。しかしながら、他の実施形態においては、起点溝４００が、ほとんど引っ張り領域１１０ｃまで延びていてもよく、あるいは圧縮領域１１０ａと引っ張り領域１１０ｃとの間の境界まで延びていてもよい。深さｄ２と同様に、起点溝４００の深さｄ３は、起点溝４００が形成される基板１００の物理的な表面（例えば、例示的に示されるように第１の面１０２）から起点溝４００の下面４０２までの距離として定義することができる。ｄ３がｄ１よりも大きい場合には、ｄ３はｄ１よりも５％（又は５％未満）から１００％（又は１００％を超える）だけ大きい範囲にあり得る。ｄ３がｄ１より小さい場合には、ｄ３はｄ１よりも１％（又は１％未満）から９０％（又は９０％を超える）だけ小さい範囲にあり得る。一実施形態においては、ｄ３が、２０μｍ以上、３０μｍ以上、４０μｍ以上、５０μｍ以上、あるいは５０μｍよりも大きく、あるいは２０μｍよりも小さくなどといったように、上述したビームパラメータ、走査パラメータ、ビームウェストの配置パラメータなど、又はこれらの組み合わせを選択することができる。他の実施形態においては、ｄ３は約４０μｍ又は約５０μｍであり得る。起点溝４００は任意の方法により形成することができる。例えば、基板１００上へのレーザ放射により、（例えば、切断、研削などにより）基板１００に機械的な衝撃を与えることにより、基板１００を化学的にエッチングすることにより、又はこれと似た方法により、あるいはこれらの組み合わせにより起点溝４００を形成することができる。

ベントクラックを形成する際に、ベントクラックがガイド溝２００に沿って自発的に伝播して、ガイド経路１１２に沿って基板１００を分離する。例えば、図５を参照すると、ベントクラックの前縁５００は、矢印５０２により示される方向にガイド溝２００に沿って伝播し得る。参照符号５０４は、ガイド経路１１２に沿って分離された基板１００の部分の新しい端面を特定するものである。

図６Ａは、図２Ａ〜図５に関して例示的に説明されたプロセスにより図１に示される基板から分離された強化ガラス片を示す上面図である。図６Ｂは、図６Ａに示される強化ガラス片を示す側面図である。

図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、クラック５００がガイド溝２００の長さに沿って伝播した後、基板１００が強化ガラス製品（本明細書においては「製品」ともいう）６００及び６０２に完全に分離される。それぞれの製品６００又は６０２は、基板１００の第１の面１０２及び第２の面１０４にそれぞれ対応する第１の面１０２'及び第２の面１０４'を含み得る。それぞれの製品は、さらに、基板１００を分離する際に得られる縁部６０４を含み得る。一般的に、縁部６０４は、端面５０４とノッチ領域６０６とを含み得る。ノッチ領域６０６は、ガイド溝２００、起点溝４００、又はこれらの組み合わせに対して露出していた基板１００の部分に対応する。したがって、ノッチ領域６０６は、端面５０４の縁部６０８から第１の面１０２'の縁部６１０まで延びている。ノッチ領域６０６は、深さｄ２又はｄ３のいずれかよりも大きい、又はこれよりも小さい、又はこれと等しい深さｄ４を有し得る。一実施形態においては、ｄ４が、ｄ２又はｄ３と実質的に等しくてもよい。一般的に、ｄ４は、第１の面１０２'（又は第２の面１０４'）に対して少なくとも実質的に垂直な方向に沿った縁部６０８と縁部６１０との間の距離又は端面５０４に対して少なくとも実質的に平行な方向に沿った縁部６０８と縁部６１０との間の距離として測定し得る。同様に、ノッチ領域６０６は、幅ｗ１よりも大きい、又はこれよりも小さい、又はこれと等しい幅ｗ２を有し得る。一実施形態においては、ｗ２がｗ１の実質的に５０％であってもよい。一般的に、ｗ２は、端面５０４に対して少なくとも実質的に垂直な方向に沿った縁部６０８と縁部６１０との間の距離又は第１の面１０２'（又は第２の面１０４'）に対して少なくとも実質的に平行な方向に沿った縁部６０８と縁部６１０との間の距離として測定し得る。

製品６００又は６０２のような強化ガラス製品は、電話や音楽プレーヤ、ビデオプレーヤなどの携帯通信娯楽装置などの表示タッチスクリーン用途のための保護カバープレート（本明細書において用いられるように、「カバープレート」という用語は窓などを含むものである）として、情報関連端末（ＩＴ）装置（例えば、携帯コンピュータ、ラップトップコンピュータなど）用のディスプレイスクリーンとして、そしてその他の用途において用いることができるが、これに限られるものではない。図６Ａ及び図６Ｂに関して先に例示的に述べた製品６００及び６０２は、所望の装置を用いて形成し得ることは理解できよう。図７は、図２Ａ〜図６Ｂに関して例示的に述べたプロセスを実施するように構成された装置の一実施形態を模式的に示すものである。

図７を参照すると、装置７００のような装置は、基板１００のような強化ガラス基板を分離することができる。装置７００は、ワークピース位置決めシステムとレーザシステムとを含み得る。

一般的に、ワークピース支持システムは、第１の面１０２がレーザシステムに向き、図２Ｂに関して先に例示的に述べたように、ビームウェストが基板１００と相対的に位置することが可能なように、基板１００を支持するように構成される。例示的に示されるように、ワークピース支持システムは、基板１００を支持するように構成されたチャック７０２のようなチャックと、チャック７０２を移動させるように構成された可動ステージ７０４とを含み得る。チャック７０２は、（図示されるように）基板１００の第２の面１０４の一部のみと接触するように構成されていてもよく、あるいは、第２の面１０４の全面に接触していてもよい。一般的に、可動ステージ７０４は、レーザシステムに対してチャック７０２を横方向に移動させるように構成されている。このように、基板１００に対してビームウェストが走査されるように可動ステージ７０４を動作させることができる。

一般的に、レーザシステムは、上述したビーム２０２のようなビームを光路に沿って照射するように構成される（ビーム２０２は、ビームウェスト２０４に関して先に例示的に述べたようにビームウェストを有している）。例示的に示されているように、レーザシステムは、レーザ光ビーム７０２ａを生成するように構成されたレーザ７０６と、ビーム７０２ａの焦点を合わせてビームウェスト２０４を生成するように構成された光学アセンブリ７０８とを含み得る。光学アセンブリ７０８は、レンズを含んでいてもよく、基板１００に対するビーム２０２のビームウェストの（例えばＺ軸に沿った）位置を変えるために矢印７０８ａにより示される方向に沿って移動可能であってもよい。レーザシステムは、ビーム２０２のビームウェストを基板１００及びワークピース支持システムに対して横方向に移動させるように構成されたビームステアリングシステム７１０をさらに含んでいてもよい。一実施形態においては、ビームステアリングシステム７１０は、ガルバノメータ、ファーストステアリングミラー、音響光学偏向器、電気光学偏向器など、又はこれらの組み合わせを含み得る。このように、基板１００に対してビームウェストが走査されるようにビームステアリングシステム７１０を動作させることができる。

装置７００は、レーザシステムの１以上の構成要素、ワークピース支持システムの１以上の構成要素、又はこれらの組み合わせと通信可能に連結されるコントローラ７１２をさらに含み得る。コントローラは、プロセッサ７１４とメモリ７１６を含み得る。プロセッサ７１４は、図１から図５に関して先に例示的に述べた実施形態を実現できるように、メモリ７１６に格納された指令を実行してレーザシステム、ワークピース支持システム、又はこれらの組み合わせの少なくとも１つの構成要素の動作を制御するように構成されていてもよい。

一般的に、プロセッサ７１４は、様々な制御機能を規定する動作ロジック（図示せず）を含むことができ、ハードウェアによって組み込まれた装置、プログラミング命令を実行するプロセッサのような専用ハードウェアの形式、及び／又は、当業者が考え得るその他の形式をとってもよい。動作ロジックは、デジタル回路、アナログ回路、ソフトウェア、又はこれらのいずれかのタイプを組み合わせたものを含んでいてもよい。一実施形態では、プロセッサ７１４は、動作ロジックに従ってメモリ７１６に格納された指令を実行するように構成された１以上の処理ユニットを含み得るプログラム可能なマイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、又は他のプロセッサを含んでいる。メモリ７１６は、半導体、磁気的、及び／又は光学的な種類のうち、１以上の種類であってもよく、加えて／あるいは、揮発性及び／又は不揮発性のものであってもよい。一実施形態において、メモリ７１６は動作ロジックによって実行可能な指令を格納する。これに代えて、あるいはこれに追加して、メモリ７１６は動作ロジックによって操作されるデータを格納してもよい。ある構成では、動作ロジックとメモリは、装置７００のいずれかの構成要素の動作面を管理及び制御する動作ロジックであるコントローラ／プロセッサの形態に含まれるが、別の構成では、上記コントローラとプロセッサが分離されてもよい。

一実施形態においては、コントローラ７１２が、レーザシステムとワークピース位置決めシステムの一方又は双方の動作を制御して、レーザ７０６を用いて起点溝４００を形成してもよい。他の実施形態においては、コントローラ７１２が、レーザシステム、ワークピース位置決めシステム、及びベントクラック発生システムの少なくとも１つの動作を制御して起点溝４００を形成してもよい。

一実施形態においては、ベントクラック発生システム７１８のようなベントクラック発生システムが装置７００内に含まれていてもよい。ベントクラック発生システム７１８は、上述した起点溝４００を形成可能なベントクラック発生デバイス７２０を含み得る。ベントクラック発生デバイス７２０は、ベントクラック発生デバイス７２０を（例えば、矢印７１８ａ及び７１８ｂの一方又は双方で示される方向に沿って）移動するように構成された位置決めアセンブリ７２２（例えば２軸ロボット）に連結されていてもよい。ベントクラック発生デバイス７２０は、砥石車、切断刃、レーザ源、エッチャントノズルなど、又はこれらの組み合わせを含み得る。他の実施形態において、他のベントクラック発生システムは、光ビームを生成し、光ビームを上述したレーザシステム内に照射して起点溝４００の形成を容易にできるレーザ７２４のようなレーザを含んでいてもよい。さらに他の実施形態においては、他のベントクラック発生システムは、先に例示的に述べられた起点溝４００を形成するのに十分なレーザ光ビーム７２６を生成するように構成された補助レーザシステムを含み得る。したがって、補助レーザシステムは、光ビーム７２８ａを生成可能なレーザ７２８と、ビーム７２８ａの焦点を合わせてビーム７２６を基板１００に照射するように構成された光学アセンブリ７３０とを含み得る。

上記は本発明の実施形態を説明するものであって、本発明を限定するものと解釈すべきではない。本発明のいくつかの例示的な実施形態について述べたが、本発明の新規な教示及び効果から実質的に逸脱することなくそれらの例示の実施形態の中で多くの改変が可能であることは、当業者であれば容易に理解できよう。したがって、それらすべての改変は、特許請求の範囲によって画定される本発明の範囲に含まれることを意図されているものである。その結果、上記は、本発明を説明するものであって、開示された本発明の特定の例示の実施形態に限定されるものと解釈すべきではなく、開示された例示の実施形態及び他の実施形態に対する改変は、添付した特許請求の範囲に含まれることを意図されているものであることは理解されよう。本発明は、以下の特許請求の範囲とこれに含まれるであろう均等物により画定される。

Claims (36)

1. 第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を用意し、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方には圧縮応力がかかり、前記基板の内部は引っ張り状態となっており、
   レーザ光ビームを照射して前記第１の面を通過させ、前記第１の面の通過後に前記第２の面を通過させ、前記レーザ光ビームは、前記基板の表面上又は前記基板の外側でビームウェストを有し、
   前記レーザ光ビームをガイド経路に沿って前記基板に対して走査させ、
   前記ガイド経路に沿った複数の位置で前記基板の表面から前記レーザ光ビームにより材料を除去し、
   前記ガイド経路に沿って前記基板を分離する、
   方法。
2. 前記基板が強化ガラス基板である、請求項１の方法。
3. 前記基板の厚さが２００μｍよりも大きい、請求項２の方法。
4. 前記基板の厚さが６００μｍよりも小さい、請求項２の方法。
5. 前記基板は、
   前記第１の面及び前記第２の面の前記少なくとも一方から前記基板の前記内部に延びる圧縮領域と、
   前記圧縮領域に隣接する引っ張り領域と、
   を備え、
   前記圧縮領域の厚さが１０μｍよりも大きい、
   請求項１の方法。
6. 前記圧縮領域内の圧縮応力が６００ＭＰａよりも大きい、請求項５の方法。
7. 前記圧縮領域の厚さが４０μｍよりも大きい、請求項５の方法。
8. 前記圧縮領域の厚さが５０μｍよりも大きい、請求項７の方法。
9. 前記ビームウェストが前記基板の外側にある、請求項１の方法。
10. 前記ビームウェストが前記第１の面よりも前記第２の面に近い、請求項９の方法。
11. 前記レーザ光ビーム内の光が、１００ｎｍよりも長く、３０００ｎｍよりも短い少なくとも１つの波長を有する、請求項１の方法。
12. 前記レーザ光ビーム内の光が、紫外線スペクトル内の少なくとも１つの波長を有する、請求項１１の方法。
13. 前記レーザ光ビームを照射する際に、１０フェムト秒（ｆｓ）よりも長く５００ナノ秒（ｎｓ）よりも短いパルス持続時間を有するレーザ光の少なくとも１つのパルスを照射する、請求項１の方法。
14. 前記レーザ光ビームを照射する際に、１０Ｈｚよりも高く１００ＭＨｚよりも低い繰り返し率でレーザ光のパルスを照射する、請求項１の方法。
15. 前記レーザ光ビームをガイド経路に沿って前記基板に対して走査させる際に、前記ガイド経路上の２点間を少なくとも１回前記レーザ光ビームを走査する、請求項１の方法。
16. さらに、前記ガイド経路に沿った前記２点間を少なくとも５回前記レーザ光ビームを走査する、請求項１５の方法。
17. さらに、１ｍ／ｓ未満の走査速度で前記ガイド経路の少なくとも一部に沿って前記レーザ光ビームを走査する、請求項１５の方法。
18. さらに、１ｍ／ｓよりも速い走査速度で前記ガイド経路の少なくとも一部に沿って前記レーザ光ビームを走査する、請求項１５の方法。
19. さらに、約２ｍ／ｓの走査速度で前記ガイド経路の少なくとも一部に沿って前記レーザ光ビームを走査する、請求項１８の方法。
20. 前記ガイド経路の少なくとも一部が前記第１の面に沿って直線状に延びている、請求項１の方法。
21. 前記ガイド経路の少なくとも一部が前記第１の面に沿って曲線状に延びている、請求項１の方法。
22. 前記材料を除去する際に、前記第２の面から材料を除去する、請求項１の方法。
23. 前記基板の前記表面から材料を除去する際に、前記基板内に延びるガイド溝を形成する、請求項１の方法。
24. 前記ガイド溝が前記ガイド経路に沿って延びている、請求項２３の方法。
25. 前記基板が、前記第１の面及び前記第２の面の前記少なくとも一方から前記基板の前記内部に延びる圧縮領域を有する強化ガラス基板であり、前記ガイド溝の少なくとも一部の深さが前記圧縮領域の厚さ以上である、請求項２３の方法。
26. 前記ガイド溝の少なくとも一部の深さが前記圧縮領域の厚さよりも小さい、請求項２５の方法。
27. 前記ガイド溝を形成する際に、基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように、前記ガイド溝が構成されている、請求項２３の方法。
28. 前記ガイド溝を形成する際に、基板が結合したままとなるように、前記ガイド溝が構成され、前記基板を分離する際に、前記ガイド溝の形成後に前記基板内にベントクラックを形成し、前記ベントクラックを形成する際に、前記基板が前記ガイド溝に沿って分離可能となるように、前記ベントクラック及び前記ガイド溝が構成される、請求項２３の方法。
29. 第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を用意し、前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方には圧縮応力がかかり、前記基板の内部は引っ張り状態となっており、
    前記基板内の複数の位置で前記基板を加工し、前記複数の加工位置のうちの少なくとも１つは前記第２の面上に位置し、前記複数の位置のうちの少なくとも１つは前記基板の前記内部に位置しており、
    前記加工の際に、
    レーザ光ビームを照射して前記第１の面を通過させ、前記第１の面の通過後に前記第２の面を通過させ、前記レーザ光ビームは、前記基板の表面上のスポット内で、前記スポットにより照射される前記基板の一部によって光の多光子吸収を刺激するのに十分な強度とフルエンスを有し、
    前記複数の加工位置のうち少なくとも一部がガイド経路に沿って配置されるように、前記レーザ光ビームを前記基板に対して走査させ、
    前記ガイド経路に沿って前記基板を分離する、
    方法。
30. 前記スポットは楕円形状を有している、請求項２９の方法。
31. 前記スポットは前記基板の前記第２の面上にある、請求項２９の方法。
32. 前記基板の加工の際に、前記第２の面から前記基板の前記内部に延びるガイド溝を形成する、請求項２９の方法。
33. 前記ガイド溝は前記ガイド経路に沿って延びる、請求項３２の方法。
34. 第１の面と該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板を分離するための装置であって、
    ビームウェストを有するレーザ光集束ビームを光路に沿って照射するように構成されるレーザシステムと、
    前記第１の面が前記レーザシステムに対向し、前記ビームウェストが前記基板の表面上又は前記基板の外側に位置することができるように、強化ガラス基板を支持するように構成されるワークピース支持システムと、
    前記レーザシステム及び前記ワークピース支持システムの少なくとも一方に連結されるコントローラと、
    を備え、
    前記コントローラは、
    前記レーザ光ビームを照射して前記第１の面を通過させ、前記第１の面の通過後に前記第２の面を通過させ、前記レーザ光ビームが、前記基板の表面上のスポット内で、該スポットにより照射される前記基板の一部によって光の多光子吸収を刺激するのに十分な強度とフルエンスを前記基板の表面上のスポット内で有し、
    前記レーザ光ビームを前記基板に対してガイド経路に沿って走査させるように、
    前記レーザシステム及び前記ワークピース支持システムの前記少なくとも一方を制御するための指令を実行するように構成されるプロセッサと、
    前記指令を格納するように構成されるメモリと、
    を備える、
    装置。
35. 第１の面と、第２の面と、端面とを有する強化ガラス製品を備え、
    前記端面は、
    前記第２の面から前記第１の面に向かって延びる主縁部領域と、
    前記主縁部領域から前記第１の面に延びるノッチ領域と、
    を含む、製品。
36. 前記ノッチ領域は前記第１の面の縁部に沿って延びる、請求項３５の製品。

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