JP2001354439A - ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法 - Google Patents

ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザーを用いたガラス基板の加工方法にお
いて、量産工程に対応可能であり、誘電率が低く、誘電
損失も小さいガラス基板を高周波回路、特にマイクロ波
やミリ波帯用の高周波回路の基板として適用させ得るよ
うにすること。 【解決手段】 ガラスの中に任意に気泡量を制御するこ
とにより基板自身の加工性を向上させたガラス基板を用
意し、ガラス基板を加工する際パルスレーザーを複数回
照射することで、ガラス基板に対する加工形状の向上を
果たすものである。一般に加工が難しいガラス基板が容
易に高周波回路製造へ適用できるため、高機能な回路及
び装置を広く社会に供給することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電損失が小さい
基板を要望される高周波回路基板の製作方法ならびに装
置に関するもので、特に、マイクロ波及びミリ波帯の高
い周波数帯域を対象とした回路作成方法及びそれを用い
た装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波やミリ波などの高周波回路に
用いられる基板は、回路における基板自身に起因する誘
電体損失を抑制するため、基板が持つ材料特性として誘
電損失が小さい材料であることが望ましい。
【０００３】図８は、基板自身が固有に持つ誘電損失
が、伝送線路を流れる信号に与えることを示す説明図で
ある。図８は、伝送線路上流れる信号に対し垂直に回路
基板を切断した断面図となっており、101は基板、102は
伝送線路、103は接地電極であり、104は伝送線路102に
電気信号を流したときに発生する電気力線を示してい
る。図８で示すように、伝送線路102に電気信号を流し
たとき、電気力線104は、基板101内を通る。このとき電
気力線104は、基板101が固有に持つ誘電損失（誘電正接
という値で与えられる）の影響を受ける。伝送線路にお
ける損失は、 損失＝係数×取り扱っている回路の周波数×（基板が持
つ誘電率）1/2×基板が持つ誘電損失（誘電正接） で表すことができ、この時生じる損失は熱エネルギーと
なるため、基板を発熱させる現象を引き起こす。
【０００４】高周波回路製作においては、図８で説明し
た現象が生じるため、使用する基板として、低誘電率、
低誘電体損失の特性を持つものが選択される。なお、一
般的な有機材料材料基板は、低い周波数においては低誘
電率、低誘電体損失の特性を示すものの、1GHz以上のマ
イクロ波やミリ波帯においては、材料中の電位分極と周
波数応答の関係から誘電率が極端に悪くなるため、高い
周波数（おおむね1GHz以上）用の基板としては選択され
ることは少なく、高い周波数においては、アルミナ（誘
電率；約9、誘電正接；約0.001）、ジルコニア（誘電
率；約8、誘電正接；約0.001）、窒化アルミ（誘電率；
約8、誘電正接；約0.001）等の無機材料が一般的に選択
される。
【０００５】石英などのガラスは、上記の無機材料と比
べて誘電率が低く（誘電率；約4）、誘電損失も小さい
（誘電正接；0.001以下）ため、材料自身としてはマイ
クロ波やミリ波帯用の高周波回路基板として有望ではあ
る。しかしながらガラスは、スルーホール（貫通孔）形
成等、回路基板として必要とされる部分的な加工が難し
いため、従来高周波回路用基板に用いられることはあま
りなかった。
【０００６】基板材料としてガラスを選択し、ガラス基
板に貫通孔を形成する手段としては、超音波加工が有効
であると考えられる。ガラスの加工として、エッチング
などの化学的加工方法が用いられない理由は、ガラスが
安定な材料であるため、フッ化水素酸、リン酸、アルカ
リなどの溶液でエッチング可能であるものの、そのエッ
チングレートが極めて低い（おおむね1μm/ｈ程度）た
めであり、またサンドブラスト加工を用いた場合は、サ
ンドブラスト加工が一般に、マスクの厚みの2倍程度に
しか深さ方向に加工できないため、たとえば100μm径の
スルーホール形成を考えたとき、100μmの開口部を持つ
マスクパターンに対し、深さ方向に200μm程度の孔しか
形成できず、ガラス基板が200μmよりも厚い場合、貫通
孔形成に至らないためである。
【０００７】ガラス基板の加工方法として超音波加工を
用いると、500μmの厚みを持つ基板に対して100μmの穴
加工を施す場合、1秒以下の加工速度での加工が可能で
あり、また超音波加工に用いる工具（ホーン）形状を工
夫することで、一度に多数の穴加工を実現できる。しか
しながら、超音波加工は、加工時に工具が磨耗するた
め、ガラス基板に対し数回の加工の後、新しい工具に交
換する必要があり、また、工具の大きさにも制限がある
ため、大面積ガラス基板の大量生産工程の適用は難しい
加工方法である。
【０００８】一方、レーザー加工は、すでに高周波回路
用のアルミナ基板などの貫通孔形成等、量産工程で適用
されており、また基板サイズの制約を受けないことから
一般の基板加工には適した加工方法ではあるが、ガラス
基板に適用した場合、以下に挙げる課題がある。固体レ
ーザーの代表であるYAGレーザーは、レーザー波長（1.0
6μm）が、ガラスを透過する波長であるため、ガラスの
加工用としては適用しにくい。また、エキシマレーザー
による加工は、本発明者がKrFのエキシマレーザー（波
長：0.248μm）を用いて500μmの厚みを持つ石英ガラス
を加工実験を行ったところ、エネルギー密度約25J/cm2
にて100μm径程度の貫通孔を形成することができたもの
の、このエネルギー密度よりも低いと全く加工されず、
逆にこのエネルギー密度よりも高いとガラスに基板に大
きな亀裂を生じてしまうという、加工条件の幅が極めて
狭く、ガラス基板加工方法として量産工程への適用とい
う観点では不適であるという実験結果を得た。
【０００９】KrFエキシマレーザーよりも波長の短いF2
エキシマレーザー（波長：0.157μm）を用いると、ガラ
ス基板に対する加工条件の幅の狭さもある程度緩和する
ことができることも予想されるが、F2ガスは人体に有毒
であり量産工程でのF2エキシマレーザー使用は現実的で
ない。
【００１０】また、パルス幅が10-13秒以下のいわゆる
フェムト秒レーザーと呼ばれる超短パルスレーザーを用
いてガラス基板の加工を行った場合、たとえば雑誌「マ
テリアルインテグレーションVol.13 No.3 （2000）」
の中の解説文「超短パルスレーザ照射による光とガラス
の相互作用-ガラスの非線型光学結晶育成-」（pp.67-7
3）で示されるように、ガラス基板に対する加工は可能
であるが、超短パルスレーザーシステムは高価であり、
ランニングコストも高いため、量産工程の適用は難し
い。
【００１１】アルミナ基板の貫通孔形成等に用いられる
CO2レーザーを用いた加工手法を用いると、エキシマレ
ーザーよりも広い加工条件でガラス基板の貫通加工を行
うことができる。またCO2レーザーシステムの価格も、
たのシステムよりも安価でランニングコストも低いため
量産に適したガラス基板加工方法であると言える。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、CO2レ
ーザーを用いてガラス基板に対し加工を施すと、以下に
示す課題が生じる。
【００１３】図９は、パルス幅可変のCO2レーザーを用
いてガラス基板に対し加工を施したときに生じる課題を
示した図である。図９において、201はガラス基板の断
面図を示しており、202はCO2レーザーによって基板201
に形成された貫通孔を表している。また、203は貫通孔2
02を形成する際に生じる盛り上がりを示しており、204
は、201ガラス基板のレーザー照射面側の孔径（上孔
径）、205はレーザー照射面と反対面の孔径（下孔径）
を表している。図９で示すように、パルス幅可変のCO2
レーザーを用いてガラス基板に対し貫通孔を形成した場
合、貫通孔は202のようなテーパー形状の孔となり、203
のような盛上りが生じてしまう。レーザーのパルス幅を
変更することによってガラス基板へ与えるパルスエネル
ギーを変化させることによって、上孔径204に対する下
孔径205の比と、盛上り量203を変化させることができる
が、テーパ形状や盛上り現象を回避することができな
い。
【００１４】本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的は、レーザーを用いたガラス基板の
加工方法において、量産工程に対応可能な加工方法を提
供するものであり、本ガラス基板加工方法を用いること
により、誘電率が低く、誘電損失も小さいガラス基板を
高周波回路、特にマイクロ波やミリ波帯用の高周波回路
の基板として適用させることを可能とし、その基板を用
いることで無線端末装置等の性能向上等を図ることであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板自
身に工夫することとレーザー加工方法を工夫することに
より、上記の目的を達成させるものである。具体的に
は、ガラスの中に任意に気泡量を制御することにより基
板自身の加工性を向上させたガラス基板を用意し、ガラ
ス基板を加工する際パルスレーザーを複数回照射するこ
とで、ガラス基板に対する加工形状の向上を果たすもの
である。
【００１６】本発明の請求項１に記載の発明は、ガラス
基板内の気泡量を制御することにより、ガラス基板自身
のレーザーによる加工性を向上させることを特徴とす
る。
【００１７】請求項２は、ガラス基板内の気泡量を制御
することによりガラス基板自身のレーザーによる加工性
を向上させるガラス基板の加工方法であって、ガラス表
面には薄い絶縁体が形成されていることを特徴とする。
【００１８】請求項３は、請求項２において、ガラス表
面に形成する薄い絶縁物が、塗布により形成するガラス
であることを特徴とする。
【００１９】請求項４は、請求項２において、ガラス表
面に形成する薄い絶縁物が、有機絶縁膜であることを特
徴とする。
【００２０】請求項５は、請求項４において、ガラス表
面に形成する薄い有機絶縁物を、塗布により形成するこ
とを特徴とする。
【００２１】請求項６は、請求項４において、ガラス表
面に形成する薄い絶縁物がシート状であり、ラミネータ
ーを用いて形成することを特徴とする。
【００２２】請求項７は、ガラス基板のレーザーによる
加工において、ガラス基板内の気泡量を制御することに
よりガラス基板の内部にのみ空孔を設けることを特徴と
する。
【００２３】請求項８は、ガラス基板への金属膜形成方
法であり、ガラス基板内の気泡量を制御し、ガラス基板
をレーザー加工後も、ガラス内の気泡あとのために加工
面の表面積を大きくなる状態とし、簡易に無電解メッキ
を行うことを特徴とする。
【００２４】請求項９は、ガラス基板内の気泡量を制御
し、ガラス基板をレーザー加工後も、ガラス内の気泡あ
とのために加工面の表面積を大きくなる状態とし、金属
膜形成することにより金属膜形成部分の放熱特性を向上
させたことを特徴とする。
【００２５】請求項１０は、請求項１から９において、
レーザー加工としてCO2レーザーを用いたことを特徴と
する。
【００２６】請求項１１は、ガラス基板の加工方法であ
り、加工手段としてパルス幅可変のCO2レーザーを用
い、第1の工程として１度のレーザー照射のみ実施し、
第2の工程として複数のレーザー照射を行うことを特徴
とする。
【００２７】請求項１２は、請求項11に示すガラス基板
加工方法であり、第1の工程とレーザーパルスよりも、
第2の工程のレーザーパルス幅が大きいことを特徴とす
る。
【００２８】請求項１３は、請求項1から１２記載のガ
ラス基板加工方法を用いて製作した高周波回路製作方法
であることを特徴とする。
【００２９】請求項１４は、無線端末装置であり、請求
項１３を用いて製作された高周波回路を搭載しているこ
とを特徴とする。
【００３０】請求項１５は、無線基地局装置であり、請
求項１３を用いて製作された高周波回路を搭載している
ことを特徴とする。
【００３１】請求項１６は、レーダー装置であり請求項
１３を用いて製作された高周波回路を搭載していること
を特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施の形態に
ついて図面に基づいて説明する。図１はガラス内に気泡
を含有した基板断面図を示しており、（ａ）はレーザー
加工を行う前の状態、（ｂ）はレーザー加工を行った後
の状態を示している。図１において、1はガラス基板、2
はガラス基板内の気泡、3はレーザー加工によって形成
された貫通孔を表している。
【００３３】図１（ａ）に示す、気泡が混入したガラス
製作方法は、たとえば特開平10-29836で示されるように
公知であり、気泡混入量を指定したガラス基板は、基板
供給メーカーに依頼することにような気泡混入量を制御
したガラス基板を、高周波回路用の基板として用いる
と、一般のガラス基板よりもさらに低い誘電率を基板と
利用することとなるため、信号伝送時の損失を低減させ
るという効果をももたらす。図１（ａ）のようなガラス
に気泡を混入した基板をレーザーを用いて貫通加工する
と、図（ｂ）に示すようなレーザー照射面側の孔径（上
孔径）と、レーザー照射面と反対面の孔径（下孔径）と
の比が１に近い加工となり、図９で示した盛り上がり20
3も大幅に抑制される。この理由は、レーザー照射によ
ってガラスへの熱加工が行われると同時に、レーザー照
射方向に対しガラス内部の微小な気泡間で次々に微少な
亀裂が生じ、その亀裂がレーザー照射面からレーザー照
射面と反対面へと連続的に伝播されて加工現象が発生す
るためであり、結果としてテーパ状になりにくい加工が
達成される。
【００３４】また、この時のガラス基板の貫通孔を形成
させるためのレーザーのパルスエネルギーは、一般のガ
ラス基板に対して貫通孔を形成する再のパルスエネルギ
ーと比べて数十％以上低くすることができるので、図９
で示した盛り上がりの発生を抑制できる。さらにまた、
ガラス内の気泡が、レーザー照射によって生じるガラス
内部の発熱のガラス基板平面方向への拡散を押さえる働
きをするため、レーザーによる熱的加工がレーザー照射
方向に効率的になされる効果を発揮する。なお、レーザ
ー加工された貫通孔の面はレーザーの熱的加工の影響の
ため、気泡痕のための凹凸は溶けてなくなり滑らかな面
となっている。この時に用いるレーザーの種類として
は、CO2レーザーを用いたほうが量産工程には有利であ
るが、KrFなどのエキシマレーザーを貫通加工に用いて
も、気泡の亀裂伝播加工が発生するので、一般のガラス
基板加工のときに生じる加工条件の狭さは緩和され、ま
た一般のガラス基板加工よりも低いエネルギーで、ガラ
ス加工自体は良好に行うことができる。
【００３５】図1（ｂ）に示す貫通孔3の加工形状をさら
に向上させる手法として、パルス幅可変のCO2レーザー
を用い、第1の工程として１度のレーザー照射のみ実施
し、第2の工程として複数のレーザー照射を行う加工方
法がある。この方法は通常のガラス加工の際にもテーパ
ー形状の抑制と、加工部の盛り上がり抑制を図ることが
可能となる手法である。図2は、通常のガラス加工の際
にもテーパー形状の抑制と、加工部の盛り上がり抑制が
できるパルス幅可変のCO2レーザーを用いたガラス基板
の貫通加工の形態を示している。図2（ａ）、（ｂ）と
も、ガラス基板201に貫通孔202を形成したガラス基板の
断面図を示しており、（ａ）は第1の工程として１度の
レーザー照射のみ実施したガラス基板の断面形状を、
（ｂ）は第2の工程として複数のレーザー照射を実施し
たガラス基板の断面形状を表している。ガラス基板に対
し第2の工程として複数のレーザー照射を実施すること
により、図2（ｂ）で示すような形状が得られる理由
は、複数のレーザーを照射することでレーザー照射面と
反対面の孔径（下孔径）を広げることができるためであ
る。なおこのときレーザーのビーム径は何回照射しても
不変であるため、レーザー照射面側の孔径（上孔径）は
変わらない。
【００３６】第2の工程として複数のレーザー照射を実
施することにより、盛上りが減少する理由は、貫通孔周
辺へのアニール効果によるものであり、盛上りが分散さ
れるためである。この加工方法の応用として、第1の工
程のレーザー照射のパルス幅と第2のレーザー照射のパ
ルス幅を変えたり、第2のレーザー照射の際に、貫通孔
の深さ方向にレーザーの焦点を移動させる方法もあり、
これらを組み合わせることにより、より垂直に近いガラ
ス基板の貫通孔が形成可能である。なお、第1の工程と
レーザーパルス幅よりも、第2の工程のレーザーパルス
幅が大きくする手法をとるほうが、盛上りを抑制するア
ニール効果をより効果的に発揮できる。これらの手法を
用いて、図1（ａ）に示すガラス内に気泡を含有した基
板に対し貫通孔形成を実施すると、一般のガラス加工よ
りも少ないエネルギーで、良好な形状の貫通孔が形成可
能となる。上記の加工方法を用いることで貫通孔のみな
らず、一般のガラス加工では形成困難な溝加工あるいは
空孔形成も可能である。
【００３７】図3は溝加工を実施した例を示しており、
図3の４は形成したガラス内に気泡を含有した基板断面1
に形成した溝を表している。この溝は、ガラス内に気泡
を含有した基板に対し、レーザービームを相対移動させ
ることにより形成加工である。図4は、ガラス内に気泡
を含有した基板の内部に空孔を形成する加工方法を示し
ている。図4において、１はガラス内に気泡を含有した
基板であり、５はガラス内部に形成した空孔、６はレー
ザーのビームを絞るレンズ、７はレーザービームを示し
ており、レンズ6によりレーザービーム7は集光されガラ
ス内に気泡を含有した基板１内の5の部分に焦点が合っ
た状態を表している。この状態で、レーザービームと基
板1を相対的に移動させることにより、ガラス基板1の内
部の微小な気泡間で次々に微少な亀裂と熱加工が実施さ
れるため、ガラス基板1の内部に空孔5を形成することが
可能となる。
【００３８】なおこのときに用いるレーザーとしては、
ピーク出力値の高いレーザーを用いることが望ましく、
低いピーク強度のレーザーを用いると、空孔が形成でき
ず、図3に示した溝形状となってしまう。図1を用いて説
明した加工方法や、、図3を用いて説明した加工方法
を、ガラス基板1に混入する気泡の1粒づつの径を大きく
することで、他の効果を生ませることができるようにな
る。この時の気泡の径はおおむね50μm以上であること
が望ましい。図5は、気泡2の径をある程度大きくしたガ
ラス基板1に対し、レーザーによって貫通孔を空けたと
きの断面図を示している。このガラス基板加工方法で
は、レーザーの熱的影響を受ける貫通孔3の壁面が、気
泡２がある程度の大きさを持つため、完全には滑らかに
ならず凹凸を持った面となる。この凹凸を持った貫通孔
の面状態は、回路基板製作には有利に働く。一般の回路
基板製作において、貫通孔を形成する理由は、表面の回
路と裏面の回路を電気的につなぐために行われ、貫通孔
の壁面には金属膜が形成される。たとえば、無電解めっ
きにて薄く金属膜を形成したのち、電解メッキにて金属
膜をある程度まで厚く（おおよそ10μm以下）形成する
ことで電気的接続のための金属膜形成となる。この無電
解メッキの工程では、メッキを形成する面が滑らかであ
ると、十分な密着強度が取れないため、粗化という面を
わざと荒らす工程が存在する。しかしながら、本発明の
ように凹凸を持った貫通孔の面状態としておけば、この
粗化工程が不要となり、回路基板の量産製作時に都合が
良い。
【００３９】図６は、気泡2の径をある程度大きくした
ガラス基板1に対し、レーザーによって多数の溝加工を
施した例を示している。このような加工を行うと、一般
のガラス基板を用いたときよりもはるかに大きな表面積
をもつ面を創生できる。このような凹凸を持つ面に、金
属膜のような熱伝導性が高い薄膜を形成すると、放熱効
果の高い面とすることができ、放熱が問題となる回路基
板に適用することにより、高機能な回路基板を製作する
ことが可能となる。
【００４０】気泡を混入したガラス基板を用いて高周波
回路を製作する場合、特に図5や図6を用いて述べた大き
な気泡を用いた際に、マイクロ波やミリ波体の高い周波
数を扱う回路においては、伝送線路形成面の表面粗さが
問題となることがある。表面の粗い基板上に伝送線路を
形成すると、伝送線路が凹凸を持つこととなり、信号伝
送の損失となったり、実態の線路長が表面積の増加のた
め長くなってしまうからである。この課題には、気泡を
混入したガラス基板の表面に、絶縁膜を形成することに
よって回避することができる。図７は気泡を混入した基
板１に絶縁物を形成し上記課題を解決する手法を表して
いる。
【００４１】図７は（ａ）はレーザー加工を行う前の基
板断面図で、8は絶縁物を示している。絶縁物８の材料
としては塗布により簡易に形成できるスピンオングラス
（ＳＯＧ）などの絶縁物で、凹凸に対し平坦化作用のあ
る材料を選択することが望ましい。また、ポリイミドや
ベンゾシクロブテンなどの有機の絶縁膜を形成するとＳ
ＯＧなどの無機物と比べて膜厚が厚く形成でき、凹凸に
対しての平坦作用の向上が図られる。ポリイミドやベン
ゾシクロブテンは、スピンコートとその後の工程の効果
により形成されることが一般的であるが、スピンコート
のような塗布による手法に限定するものではなく、ラミ
ネーターを用いて有機のフィルムを形成しても良い。図
7の（ｂ）はレーザーにより貫通孔を形成した状態を表
している。ＳＯＧなどの無機材料を形成すると数μｍ、
塗布型のポリイミドやベンゾシクロブテンを形成すると
10〜50μｍ程度、ラミネータで形成する有機フィルムを
形成すると20〜70μ程度の膜が存在することとなるが、
これらの物質は、ガラス基板と比べてレーザーに対し加
工性が格段に良いため、貫通孔3を形成する際の妨げと
はならない。絶縁物8の上に伝送線路を形成すれば上記
課題の解決が図られる。
【００４２】本発明によるガラス基板の加工方法を用い
て高周波回路を製作すると、高機能で量産性に優れた回
路の製造が可能となる。また本発明による高周波回路
は、無線携帯端末、無線基地局、レーダー装置等への適
用が可能であり、高機能かつ大量生産可能な装置を製造
することが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一般に加
工が難しいガラス基板が容易に高周波回路製造へ適用で
きるため、高機能な回路及び装置を広く社会に供給する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図２】ガラス基板のレーザー加工形態を示す説明図
【図３】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図４】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図５】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図６】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図７】本発明の一実施の形態によるガラス基板の加工
方法を示す説明図
【図８】従来のガラス基板を用いたときに生じる課題を
示した概念図
【図９】従来のガラス基板に対しレーザー加工を施した
ときに生じる課題を示した概念図
【符号の説明】
1 気泡を混入したガラス基板 2 気泡 3 貫通孔 4 溝 5 空孔 6 レンズ 7 レーザービーム 8 絶縁物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/15 Ｂ２３Ｋ 101:40 // Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ (72)発明者 矢島 浩義 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 吉田 善一 埼玉県川越市中原町２丁目６番19号 ラ・ ポール本川越203号 Ｆターム(参考） 4E068 AF00 CA03 DA11 DB13 4G059 AA08 AB05 AC30

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板のレーザーによる加工におい
    て、ガラス基板内の気泡量を制御することによりガラス
    基板の加工性を向上させることを特徴とするガラス基板
    の加工方法。
  2. 【請求項２】 ガラス基板のレーザーによる加工におい
    て、ガラス基板内の気泡量を制御することによりガラス
    基板の加工性を向上させるガラス基板の加工方法であっ
    て、ガラス表面には薄い絶縁体が形成されていることを
    特徴とするガラス基板の加工方法。
  3. 【請求項３】 請求項２において、ガラス表面に形成す
    る薄い絶縁物が、塗布により形成するガラスであること
    を特徴とするガラス基板の加工方法。
  4. 【請求項４】 請求項２において、ガラス表面に形成す
    る薄い絶縁物が、有機絶縁膜であることを特徴とするガ
    ラス基板の加工方法。
  5. 【請求項５】 請求項４において、ガラス表面に形成す
    る薄い有機絶縁物を、塗布により形成することを特徴と
    するガラス基板の加工方法。
  6. 【請求項６】 請求項４において、ガラス表面に形成す
    る薄い絶縁物がシート状であり、ラミネーターを用いて
    形成することを特徴とするガラス基板の加工方法。
  7. 【請求項７】 ガラス基板のレーザーによる加工におい
    て、ガラス基板内の気泡量を制御することによりガラス
    基板の内部にのみ空孔を設けることを特徴とするガラス
    基板の加工方法。
  8. 【請求項８】 ガラス基板内の気泡量を制御し、ガラス
    基板をレーザー加工後も、ガラス内の気泡あとのために
    加工面の表面積を大きくなる状態とし、簡易に無電解メ
    ッキを行うことを特徴とするガラス基板への金属膜形成
    方法。
  9. 【請求項９】 ガラス基板内の気泡量を制御し、ガラス
    基板をレーザー加工後も、ガラス内の気泡あとのために
    加工面の表面積を大きくなる状態とし、金属膜形成する
    ことにより金属膜形成部分の放熱特性を向上させたこと
    を特徴とするガラス基板加工方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１から９において、レーザー加
    工としてCO2レーザーを用いたことを特徴とするガラス
    基板加工方法。
  11. 【請求項１１】 ガラス基板の加工方法であり、加工手
    段としてパルス幅可変のCO2レーザーを用い、第1の工程
    として１度のレーザー照射のみ実施し、第2の工程とし
    て複数のレーザー照射を行うことを特徴とするガラス基
    板加工方法。
  12. 【請求項１２】 請求項11に示すガラス基板加工方法で
    あり、第1の工程とレーザーパルス幅よりも、第2の工程
    のレーザーパルス幅が大きいことを特徴とするガラス基
    板加工方法。
  13. 【請求項１３】 請求項1から１２記載のガラス基板加
    工方法を用いて製作した高周波回路製作方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３を用いて製作された高周波
    回路を搭載していることを特徴とする無線端末装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１３を用いて製作された高周波
    回路を搭載していることを特徴とする無線基地局装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１３を用いて製作された高周波
    回路を搭載していることを特徴とするレーザー装置。
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