JPH11134645A - 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11134645A JPH11134645A JP9298887A JP29888797A JPH11134645A JP H11134645 A JPH11134645 A JP H11134645A JP 9298887 A JP9298887 A JP 9298887A JP 29888797 A JP29888797 A JP 29888797A JP H11134645 A JPH11134645 A JP H11134645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- glass
- recording medium
- information recording
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 abstract description 14
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 abstract description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000003426 chemical strengthening reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229910001149 41xx steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/3568—Modifying rugosity
- B23K26/3584—Increasing rugosity, e.g. roughening
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/006—Re-forming shaped glass by fusing, e.g. for flame sealing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0014—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture record carriers not specifically of filamentary or web form
- G11B23/0021—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture record carriers not specifically of filamentary or web form discs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 突起の径を小さくしてスティクションを低減
でき、ＣＳＳ耐久性も良好で、ヘッドのダメージも防止
できる高信頼性の情報記録媒体用ガラス基板を得ること
ができ、しかもこのような高信頼性の情報記録媒体用ガ
ラス基板を制御性良く安定して製造することができる情
報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ガラス基板１に対してレーザ光を照射し
て突起１ａを形成する方法において、ガラス基板１とし
て、熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上のガラス基板を
使用する。
でき、ＣＳＳ耐久性も良好で、ヘッドのダメージも防止
できる高信頼性の情報記録媒体用ガラス基板を得ること
ができ、しかもこのような高信頼性の情報記録媒体用ガ
ラス基板を制御性良く安定して製造することができる情
報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ガラス基板１に対してレーザ光を照射し
て突起１ａを形成する方法において、ガラス基板１とし
て、熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上のガラス基板を
使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記録媒体用ガラ
ス基板及びその製造方法に係り、より詳細には磁気ディ
スク用ガラス基板及びその製造方法、特に、ＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）特性が良好な磁気ディ
スク用ガラス基板及びその製造方法に関する。
ス基板及びその製造方法に係り、より詳細には磁気ディ
スク用ガラス基板及びその製造方法、特に、ＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）特性が良好な磁気ディ
スク用ガラス基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置においては、磁気ディ
スクが停止している時に磁気ヘッドがディスク表面に接
触し、ディスクが起動及び停止する時には磁気ヘッドが
ディスク表面を接触しながら摺動するＣＳＳ（コンタク
ト・スタート・ストップ）方式と呼ばれる機構が多く使
用されている。
スクが停止している時に磁気ヘッドがディスク表面に接
触し、ディスクが起動及び停止する時には磁気ヘッドが
ディスク表面を接触しながら摺動するＣＳＳ（コンタク
ト・スタート・ストップ）方式と呼ばれる機構が多く使
用されている。
【０００３】このＣＳＳ方式においては、ディスクの起
動及び停止時に生じるスティクション（吸着）の防止
や、摩擦力の軽減のために「テクスチャ」と呼ばれる適
切に微細に荒れた表面凹凸がディスク上に形成されてい
る。
動及び停止時に生じるスティクション（吸着）の防止
や、摩擦力の軽減のために「テクスチャ」と呼ばれる適
切に微細に荒れた表面凹凸がディスク上に形成されてい
る。
【０００４】このテクスチャは、ディスクの主表面の全
面あるいは一部分に形成される。テクスチャが一部分
（ＣＳＳゾーン）にのみ形成されている場合、磁気ヘッ
ドはＣＳＳ動作時の適切な時期に、テクスチャが形成さ
れたＣＳＳゾーンに移動する。また、ディスクが回転中
に電源が切れたような場合にも磁気ヘッドがＣＳＳゾー
ンに移動するようになっている。そして、このように一
部分にのみテクスチャが形成されている場合には、ディ
スクの残りの部分は鏡面状の平滑さを保つことができる
ため、磁気ヘッドの低浮上化が可能となる。このため、
テクスチャの部分形成は、磁気ディスク装置の高密度化
に適している。
面あるいは一部分に形成される。テクスチャが一部分
（ＣＳＳゾーン）にのみ形成されている場合、磁気ヘッ
ドはＣＳＳ動作時の適切な時期に、テクスチャが形成さ
れたＣＳＳゾーンに移動する。また、ディスクが回転中
に電源が切れたような場合にも磁気ヘッドがＣＳＳゾー
ンに移動するようになっている。そして、このように一
部分にのみテクスチャが形成されている場合には、ディ
スクの残りの部分は鏡面状の平滑さを保つことができる
ため、磁気ヘッドの低浮上化が可能となる。このため、
テクスチャの部分形成は、磁気ディスク装置の高密度化
に適している。
【０００５】ところで、このディスク基板には、Ａｌ−
Ｍｇ合金基板にＮｉ−Ｐメッキを施した、いわゆるアル
ミ基板が用いられてきた。しかし、近年の高密度、低浮
上走行化の要請に答えるにはアルミ基板は限界があり、
より平滑性、剛性、耐衝撃性、耐熱性等に優れたガラス
基板が注目されている。
Ｍｇ合金基板にＮｉ−Ｐメッキを施した、いわゆるアル
ミ基板が用いられてきた。しかし、近年の高密度、低浮
上走行化の要請に答えるにはアルミ基板は限界があり、
より平滑性、剛性、耐衝撃性、耐熱性等に優れたガラス
基板が注目されている。
【０００６】ガラス基板では、その表面を平滑にするこ
とができるが故に、テクスチャ形成技術がより重要とな
る。最近、突起形状の制御性、生産時の安定性コスト面
を考え、ガラス基板にテクスチャを形成する方法とし
て、レーザ光照射による方法が提案されている。
とができるが故に、テクスチャ形成技術がより重要とな
る。最近、突起形状の制御性、生産時の安定性コスト面
を考え、ガラス基板にテクスチャを形成する方法とし
て、レーザ光照射による方法が提案されている。
【０００７】特開平７−１８２６５５号公報は、特にガ
ラス等の脆性材料にテクスチャを形成する方法について
記載されており、ガラス等の熱衝撃限界を有する脆性材
料に対して、放射エネルギのフルエンスを熱衝撃限界以
下の適当な順に制御することにより、テクスチャ加工が
可能であることを開示している。また、圧縮応力表面を
持つガラス（化学強化ガラス）では、このような隆起の
ほぼ全体が公称表面より上に突出し、データ記憶ディス
クのスティクションを減少する上で有用であることが開
示されている。そして、この特開平７−１８２６５５号
公報のレーザ光を用いたテクスチャ加工法によれば、汎
用的なＣＯ2 レーザを使用しているので、低コストかつ
制御性が良くガラス基板にテクスチャを形成することが
できるとされている。また、ＣＳＳゾーンのみにテクス
チャを形成することも容易であることも開示されてい
る。
ラス等の脆性材料にテクスチャを形成する方法について
記載されており、ガラス等の熱衝撃限界を有する脆性材
料に対して、放射エネルギのフルエンスを熱衝撃限界以
下の適当な順に制御することにより、テクスチャ加工が
可能であることを開示している。また、圧縮応力表面を
持つガラス（化学強化ガラス）では、このような隆起の
ほぼ全体が公称表面より上に突出し、データ記憶ディス
クのスティクションを減少する上で有用であることが開
示されている。そして、この特開平７−１８２６５５号
公報のレーザ光を用いたテクスチャ加工法によれば、汎
用的なＣＯ2 レーザを使用しているので、低コストかつ
制御性が良くガラス基板にテクスチャを形成することが
できるとされている。また、ＣＳＳゾーンのみにテクス
チャを形成することも容易であることも開示されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、ガラス基板
への突起の形成に用いられるＣＯ2 レーザは、波長が１
０．６μｍと長いため、ビームを絞るのが困難であり、
そのために突起の径も大きくなる。そして、突起の径が
大きいと磁気ディスク基板と磁気ヘッドの接触面積が大
きくなり、メニスカスによりスティクションが大きくな
る（吸着しやすい）等の問題点があった。
への突起の形成に用いられるＣＯ2 レーザは、波長が１
０．６μｍと長いため、ビームを絞るのが困難であり、
そのために突起の径も大きくなる。そして、突起の径が
大きいと磁気ディスク基板と磁気ヘッドの接触面積が大
きくなり、メニスカスによりスティクションが大きくな
る（吸着しやすい）等の問題点があった。
【０００９】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、突起の径を小さくすることでスティクション
を低減させることができる信頼性の高い情報記録媒体用
ガラス基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
のであり、突起の径を小さくすることでスティクション
を低減させることができる信頼性の高い情報記録媒体用
ガラス基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために、本発明の情報記録媒体用ガラス
基板は、ガラス基板表面の所定の領域に、レーザ光の照
射によって形成された突起を有する情報記録媒体用ガラ
ス基板において、前記ガラス基板の熱膨張係数が７５×
１０-7／℃以上であることを特徴とするものである。こ
のような構成とすることにより、本発明の情報記録媒体
用ガラス基板によれば、突起の径を比較的小さくするこ
とができるので、スティクションを低減することができ
る。以下にその原理について説明する。
目的を達成するために、本発明の情報記録媒体用ガラス
基板は、ガラス基板表面の所定の領域に、レーザ光の照
射によって形成された突起を有する情報記録媒体用ガラ
ス基板において、前記ガラス基板の熱膨張係数が７５×
１０-7／℃以上であることを特徴とするものである。こ
のような構成とすることにより、本発明の情報記録媒体
用ガラス基板によれば、突起の径を比較的小さくするこ
とができるので、スティクションを低減することができ
る。以下にその原理について説明する。
【００１１】本発明のガラス基板の突起形成に使用され
るＣＯ2 レーザは波長が１０．６μｍと長く、一般にＡ
ｌ基板に使用される紫外、可視レーザと比べてビーム径
を小さくすることが困難である。また、ガラス基板への
突起形成のメカニズムはＡｌ基板と異なり、レーザ光が
照射された部分が熱により膨張し、ガラス転移点を基板
の温度が超えるとその形態が保たれて突起が形成され
る。また、イオン交換が施されたガラス基板は表面に残
留圧縮応力があるため、レーザ光が照射された部分は熱
により応力が緩和され、他の部分の圧縮応力がその部分
で緩和されて突起が形成される。したがって、突起は、
レーザ光のエネルギが集中するビームの中心でのみ形成
でき、一般にビーム系の１／３といわれている。また、
ビーム径が一定の場合、突起の径は突起の高さのみに依
存し、パルスエネルギなどのパラメータを変えても同じ
突起高さでは径を変えることができない。突起の先端の
曲率半径は、突起の高さと径に依存するため、先端の曲
率半径を小さくするためにはレーザビーム径を小さくす
るしかなかった。
るＣＯ2 レーザは波長が１０．６μｍと長く、一般にＡ
ｌ基板に使用される紫外、可視レーザと比べてビーム径
を小さくすることが困難である。また、ガラス基板への
突起形成のメカニズムはＡｌ基板と異なり、レーザ光が
照射された部分が熱により膨張し、ガラス転移点を基板
の温度が超えるとその形態が保たれて突起が形成され
る。また、イオン交換が施されたガラス基板は表面に残
留圧縮応力があるため、レーザ光が照射された部分は熱
により応力が緩和され、他の部分の圧縮応力がその部分
で緩和されて突起が形成される。したがって、突起は、
レーザ光のエネルギが集中するビームの中心でのみ形成
でき、一般にビーム系の１／３といわれている。また、
ビーム径が一定の場合、突起の径は突起の高さのみに依
存し、パルスエネルギなどのパラメータを変えても同じ
突起高さでは径を変えることができない。突起の先端の
曲率半径は、突起の高さと径に依存するため、先端の曲
率半径を小さくするためにはレーザビーム径を小さくす
るしかなかった。
【００１２】そこで、本発明者は、鋭意究明の末、ガラ
スの熱膨張係数が突起形成（先端の曲率半径）に大きく
依存していることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち、ある一定以上（７５×１０-7／℃）の熱
膨張係数をもつガラス基板にすることによって、突起の
径を小さくすることができ、効果的にスティクションを
低減することができることが判った。これは、レーザビ
ームが照射された部分が熱により膨張し、ガラス転移点
まで上昇した部分は、この形態が冷却されても保たれ、
ガラス転移点以下の部分は冷却されると膨張した部分が
縮む現象を発見し、熱膨張係数が大きいと、より小さく
縮むため、突起の径は小さくなり、好ましい突起形状を
得ることができるということである。
スの熱膨張係数が突起形成（先端の曲率半径）に大きく
依存していることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。すなわち、ある一定以上（７５×１０-7／℃）の熱
膨張係数をもつガラス基板にすることによって、突起の
径を小さくすることができ、効果的にスティクションを
低減することができることが判った。これは、レーザビ
ームが照射された部分が熱により膨張し、ガラス転移点
まで上昇した部分は、この形態が冷却されても保たれ、
ガラス転移点以下の部分は冷却されると膨張した部分が
縮む現象を発見し、熱膨張係数が大きいと、より小さく
縮むため、突起の径は小さくなり、好ましい突起形状を
得ることができるということである。
【００１３】上記ガラス基板の熱膨張係数は７５×１０
-7／℃以上、特に９０×１０-7／℃以上、更に好ましく
は９５×１０-7／℃以上とすることがスティクション低
減のために好ましい。さらに、ガラス基板の熱膨張係数
は１３０×１０-7／℃以下にすることが好ましい。一般
に磁気ディスク装置に使用されるクランプはステンレス
製のものが多く、このクランプとガラス基板の熱膨張係
数をマッチングさせることにより、高性能な磁気ディス
クを得ることができるからである。
-7／℃以上、特に９０×１０-7／℃以上、更に好ましく
は９５×１０-7／℃以上とすることがスティクション低
減のために好ましい。さらに、ガラス基板の熱膨張係数
は１３０×１０-7／℃以下にすることが好ましい。一般
に磁気ディスク装置に使用されるクランプはステンレス
製のものが多く、このクランプとガラス基板の熱膨張係
数をマッチングさせることにより、高性能な磁気ディス
クを得ることができるからである。
【００１４】また、前記ガラス基板は、遷移金属酸化物
を含む酸化物系ガラスであることが好ましい。酸化物系
ガラスは、一般に化学強化処理をすることが可能であ
り、耐衝撃性、耐振動性に良好な情報記録媒体用ガラス
基板が得られるからである。具体的なガラスの材質とし
ては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラ
ス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケ
ートガラス、ボロシリケートガラスなどが挙げられる。
中でも特に、耐衝撃性や、耐振動性に優れるアルミノシ
リケートガラスが好ましい。
を含む酸化物系ガラスであることが好ましい。酸化物系
ガラスは、一般に化学強化処理をすることが可能であ
り、耐衝撃性、耐振動性に良好な情報記録媒体用ガラス
基板が得られるからである。具体的なガラスの材質とし
ては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラ
ス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケ
ートガラス、ボロシリケートガラスなどが挙げられる。
中でも特に、耐衝撃性や、耐振動性に優れるアルミノシ
リケートガラスが好ましい。
【００１５】アルミノシリケートガラスとしては、Ｓｉ
Ｏ2 ：６２〜７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１５重量
％、Ｌｉ2 Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ2 Ｏ：４〜１２重
量％、ＺｒＯ2 ：５．５〜１５重量％を主成分として含
有するとともに、Ｎａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５
〜２．０、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜
２．５であるアルミノシリケートガラスや、ＴｉＯ2 ：
５〜３０モル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１５モル％、ＳｉＯ
2 ：３５〜６５モル％、ＣａＯ：１〜４５モル％、Ｍｇ
Ｏ＋ＣａＯ：１０〜４５モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：
３〜３０モル％を含有しているアルミノシリケートガラ
スなどが挙げられる。特に、後者のアルミノシリケート
ガラスは高ヤング率の特性を有するので、近年の高速回
転による高密度記録を可能にするので好ましい。
Ｏ2 ：６２〜７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１５重量
％、Ｌｉ2 Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ2 Ｏ：４〜１２重
量％、ＺｒＯ2 ：５．５〜１５重量％を主成分として含
有するとともに、Ｎａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５
〜２．０、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜
２．５であるアルミノシリケートガラスや、ＴｉＯ2 ：
５〜３０モル％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１５モル％、ＳｉＯ
2 ：３５〜６５モル％、ＣａＯ：１〜４５モル％、Ｍｇ
Ｏ＋ＣａＯ：１０〜４５モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：
３〜３０モル％を含有しているアルミノシリケートガラ
スなどが挙げられる。特に、後者のアルミノシリケート
ガラスは高ヤング率の特性を有するので、近年の高速回
転による高密度記録を可能にするので好ましい。
【００１６】また、突起の高さは２０〜３００Åが好ま
しい。突起の高さが２０Å未満の場合は、磁気ディスク
と磁気ヘッドの吸着が発生し、また、突起高さが３００
Åを超えた場合は、磁気ヘッドの低浮上化が実現できな
いので好ましくない。また、突起の径は１〜６μｍが好
ましい。突起の径が１μｍ未満の場合は、突起の損傷が
発生しやすいので好ましくなく、また突起の径が６μｍ
を超えるとスティクションが大きくなるので好ましくな
い。また、突起をＣＳＳゾーンのみに形成すると、磁気
ディスクのデータゾーンを非常に平滑な表面状態に保て
て、磁気ヘッドの低浮上化が可能となるので、高密度の
記録再生を実現できる。
しい。突起の高さが２０Å未満の場合は、磁気ディスク
と磁気ヘッドの吸着が発生し、また、突起高さが３００
Åを超えた場合は、磁気ヘッドの低浮上化が実現できな
いので好ましくない。また、突起の径は１〜６μｍが好
ましい。突起の径が１μｍ未満の場合は、突起の損傷が
発生しやすいので好ましくなく、また突起の径が６μｍ
を超えるとスティクションが大きくなるので好ましくな
い。また、突起をＣＳＳゾーンのみに形成すると、磁気
ディスクのデータゾーンを非常に平滑な表面状態に保て
て、磁気ヘッドの低浮上化が可能となるので、高密度の
記録再生を実現できる。
【００１７】また、本発明の情報記録媒体用ガラス基板
の製造方法は、熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上であ
る円板状のガラス基板を用意し、このガラス基板表面の
所定の領域に、レーザ光を照射することによって突起を
形成することを特徴とするものである。このように特定
の熱膨張係数を有するガラス基板を使用することによ
り、突起の径を小さくして効果的にスティクションを低
減することができるとともに、信頼性の高い情報記録媒
体用ガラス基板を制御性良く安定して容易に製造するこ
とができる。
の製造方法は、熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上であ
る円板状のガラス基板を用意し、このガラス基板表面の
所定の領域に、レーザ光を照射することによって突起を
形成することを特徴とするものである。このように特定
の熱膨張係数を有するガラス基板を使用することによ
り、突起の径を小さくして効果的にスティクションを低
減することができるとともに、信頼性の高い情報記録媒
体用ガラス基板を制御性良く安定して容易に製造するこ
とができる。
【００１８】上記の製造方法において、使用するレーザ
光はＣＯ2 レーザとすることにより、生産時の低コスト
を実現できる。また、レーザ光の照射は、ガラス基板を
化学強化した後に行うことが好ましい。
光はＣＯ2 レーザとすることにより、生産時の低コスト
を実現できる。また、レーザ光の照射は、ガラス基板を
化学強化した後に行うことが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態とし
て、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板を用いて構
成した磁気ディスクを示す断面図である。この磁気ディ
スクは、表層に圧縮応力層を有し、レーザ光の照射によ
りＣＳＳゾーンに突起１ａが形成された円板状のガラス
基板１上に、下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑層５
が順次積層されて構成される。
を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態とし
て、本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板を用いて構
成した磁気ディスクを示す断面図である。この磁気ディ
スクは、表層に圧縮応力層を有し、レーザ光の照射によ
りＣＳＳゾーンに突起１ａが形成された円板状のガラス
基板１上に、下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑層５
が順次積層されて構成される。
【００２０】ガラス基板１としては、ＳｉＯ2 ：６２〜
７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１５重量％、Ｌｉ2 Ｏ：
４〜１０重量％、Ｎａ2 Ｏ：４〜１２重量％、Ｚｒ
Ｏ2 ：５．５〜１５重量％を主成分として含有するとと
もに、Ｎａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５〜２．０、
Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜２．５である
アルミノシリケートガラスや、ＴｉＯ2 ：５〜３０モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１５モル％、ＳｉＯ2 ：３５〜６
５モル％、ＣａＯ：１〜４５モル％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：
１０〜４５モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：３〜３０モル
％を含有しているアルミノシリケートガラスを用いた。
このガラス基板１の熱膨張係数は７５×１０-7／℃以上
で、１３０×１０-7／℃以下である。
７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１５重量％、Ｌｉ2 Ｏ：
４〜１０重量％、Ｎａ2 Ｏ：４〜１２重量％、Ｚｒ
Ｏ2 ：５．５〜１５重量％を主成分として含有するとと
もに、Ｎａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５〜２．０、
Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜２．５である
アルミノシリケートガラスや、ＴｉＯ2 ：５〜３０モル
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：０〜１５モル％、ＳｉＯ2 ：３５〜６
５モル％、ＣａＯ：１〜４５モル％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：
１０〜４５モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：３〜３０モル
％を含有しているアルミノシリケートガラスを用いた。
このガラス基板１の熱膨張係数は７５×１０-7／℃以上
で、１３０×１０-7／℃以下である。
【００２１】このガラス基板１を用いて上記磁気ディス
クを製造する方法は次の通りである。まず、上記組成の
ガラス基板１に対して低温型イオン交換法を用いて化学
強化を施し、そのガラス基板１に対してレーザ光を照射
して突起１ａを形成した。ガラス基板１へのレーザ光照
射は、図２に概念的に示すレーザテクスチャ装置によっ
て行った。レーザテクスチャ装置は、レーザ加工用光源
としてＣＯ2 パルスレーザ装置６を備え、このＣＯ2 パ
ルスレーザ装置６から発した波長１０．６μｍのレーザ
光Ｌを、丁度、ガラス基板１表面の所定の位置に焦点を
結ぶように、ミラー７、集光レンズ８を配置した。ま
た、突起が形成されるガラス基板１を、その円周方向に
回転する回転機構と、ガラス基板１をその半径方向に移
動可能な移動機構とを備えた駆動モータ９上に搭載し
た。そして、駆動モータ９上に搭載したガラス基板１を
所定の速度で回転させつつ半径方向に移動させながら、
パルス幅１〜３０μＳｅｃ、パワー８０〜２５０ｍＷの
スポット状のレーザ光をガラス基板１表面に向けて照射
し、ＣＳＳゾーンに適宜間隔で多数の突起１ａを形成し
た。
クを製造する方法は次の通りである。まず、上記組成の
ガラス基板１に対して低温型イオン交換法を用いて化学
強化を施し、そのガラス基板１に対してレーザ光を照射
して突起１ａを形成した。ガラス基板１へのレーザ光照
射は、図２に概念的に示すレーザテクスチャ装置によっ
て行った。レーザテクスチャ装置は、レーザ加工用光源
としてＣＯ2 パルスレーザ装置６を備え、このＣＯ2 パ
ルスレーザ装置６から発した波長１０．６μｍのレーザ
光Ｌを、丁度、ガラス基板１表面の所定の位置に焦点を
結ぶように、ミラー７、集光レンズ８を配置した。ま
た、突起が形成されるガラス基板１を、その円周方向に
回転する回転機構と、ガラス基板１をその半径方向に移
動可能な移動機構とを備えた駆動モータ９上に搭載し
た。そして、駆動モータ９上に搭載したガラス基板１を
所定の速度で回転させつつ半径方向に移動させながら、
パルス幅１〜３０μＳｅｃ、パワー８０〜２５０ｍＷの
スポット状のレーザ光をガラス基板１表面に向けて照射
し、ＣＳＳゾーンに適宜間隔で多数の突起１ａを形成し
た。
【００２２】次に、上記ガラス基板１の表面に、スパッ
タリング装置を用いて、下地層２、磁性層３、保護層４
を順次成膜した後、保護層４表面に潤滑層５を形成して
磁気ディスクを作製した。
タリング装置を用いて、下地層２、磁性層３、保護層４
を順次成膜した後、保護層４表面に潤滑層５を形成して
磁気ディスクを作製した。
【００２３】磁気ディスクの下地層２は、磁性層３に応
じて選択される。下地層２としては、例えば、Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｂ，Ａｌ，Ｎｉなどの非磁性
金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料からなる下
地層等が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性層の場合
には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体や、Ｃｒ合金
であることが好ましい。また、下地層２は単層とは限ら
ず、同一又は異種の層を積層した複数層構造とすること
もできる。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ
／ＣｒＶ、ＣｒＶ／ＣｒＶ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ａ
ｌ／Ｃｒ／Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＶ、Ａｌ／ＣｒＶ／
ＣｒＶ等の多層下地層が挙げられる。
じて選択される。下地層２としては、例えば、Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｂ，Ａｌ，Ｎｉなどの非磁性
金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料からなる下
地層等が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性層の場合
には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体や、Ｃｒ合金
であることが好ましい。また、下地層２は単層とは限ら
ず、同一又は異種の層を積層した複数層構造とすること
もできる。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ
／ＣｒＶ、ＣｒＶ／ＣｒＶ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ａ
ｌ／Ｃｒ／Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＶ、Ａｌ／ＣｒＶ／
ＣｒＶ等の多層下地層が挙げられる。
【００２４】磁気ディスクの磁性層３の材料には特に制
限はない。磁性層３としては、例えば、Ｃｏを主成分と
するＣｏＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉ
ＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，Ｃｏ
ＣｒＴａＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙げられる。磁性
層３は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，
ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成
としてもよい。また、磁性層３としては、上記の他、フ
ェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2 ，ＢＮなどから
なる非磁性膜中にＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ，ＣｏＮｉＰｔ
等の磁性粒子が分散された構造のグラニュラなどであっ
てもよい。また、磁性層３は、面内型、垂直型のいずれ
の記録形式であってもよい。
限はない。磁性層３としては、例えば、Ｃｏを主成分と
するＣｏＰｔ，ＣｏＣｒ，ＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＰｔＣｒ，ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉ
ＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，Ｃｏ
ＣｒＴａＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙げられる。磁性
層３は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ，ＣｒＭｏ，
ＣｒＶなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成
としてもよい。また、磁性層３としては、上記の他、フ
ェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2 ，ＢＮなどから
なる非磁性膜中にＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ，ＣｏＮｉＰｔ
等の磁性粒子が分散された構造のグラニュラなどであっ
てもよい。また、磁性層３は、面内型、垂直型のいずれ
の記録形式であってもよい。
【００２５】磁気ディスクの保護層４には特に制限はな
い。保護層４としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合金膜、
カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。
これらの保護層４は、下地層２、磁性層３等とともにイ
ンライン型スパッタリング装置等で連続して形成でき
る。また、これらの保護層４は、単層としてもよく、或
いは、同一又は異種の膜からなる多層構成としてもよ
い。
い。保護層４としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合金膜、
カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。
これらの保護層４は、下地層２、磁性層３等とともにイ
ンライン型スパッタリング装置等で連続して形成でき
る。また、これらの保護層４は、単層としてもよく、或
いは、同一又は異種の膜からなる多層構成としてもよ
い。
【００２６】磁気ディスクの潤滑層５には特に制限はな
い。また、場合によっては潤滑層５を省略することも可
能である。潤滑層５は、例えば、液体潤滑剤であるパー
フルオロポリエーテルをフレオン系などの溶媒で希釈
し、媒体表面にディップ法、スピンコート法、スプレイ
法等によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成
する。
い。また、場合によっては潤滑層５を省略することも可
能である。潤滑層５は、例えば、液体潤滑剤であるパー
フルオロポリエーテルをフレオン系などの溶媒で希釈
し、媒体表面にディップ法、スピンコート法、スプレイ
法等によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成
する。
【００２７】
【実施例】次に、上記磁気ディスクの製造方法の実施例
に基づき本発明を更に具体的に説明する。 実施例１ １）ガラス基板の準備工程 アルミノシリケートガラス基板を、外形６５ｍｍφ、中
心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．６５ｍｍのディスク状
に加工し、その両主表面及び内外周端面をＲｍａｘで
０．５ｎｍ以下、Ｒａで０．３ｎｍ以下になるように精
密研磨する。この精密研磨したガラス基板を、洗浄機内
において、純水及び純度９９．９％以上のイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）中で、それぞれ５分間超音波洗浄
し、ＩＰＡ蒸気中に１．５分間放置後、乾燥させてガラ
ス基板を得た。なお、ガラスとしては、熱膨張係数が１
００×１０-7／℃のＴｉＯ2 ：５〜３０モル％、Ａｌ2
Ｏ3：０〜１５モル％、ＳｉＯ2 ：３５〜６５モル％、
ＣａＯ：１〜４５モル％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：１０〜４５
モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：３〜３０モル％を含有し
たアルミノシリケートガラスを使用した。
に基づき本発明を更に具体的に説明する。 実施例１ １）ガラス基板の準備工程 アルミノシリケートガラス基板を、外形６５ｍｍφ、中
心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．６５ｍｍのディスク状
に加工し、その両主表面及び内外周端面をＲｍａｘで
０．５ｎｍ以下、Ｒａで０．３ｎｍ以下になるように精
密研磨する。この精密研磨したガラス基板を、洗浄機内
において、純水及び純度９９．９％以上のイソプロピル
アルコール（ＩＰＡ）中で、それぞれ５分間超音波洗浄
し、ＩＰＡ蒸気中に１．５分間放置後、乾燥させてガラ
ス基板を得た。なお、ガラスとしては、熱膨張係数が１
００×１０-7／℃のＴｉＯ2 ：５〜３０モル％、Ａｌ2
Ｏ3：０〜１５モル％、ＳｉＯ2 ：３５〜６５モル％、
ＣａＯ：１〜４５モル％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：１０〜４５
モル％、Ｌｉ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏ：３〜３０モル％を含有し
たアルミノシリケートガラスを使用した。
【００２８】２）ガラスの化学強化 上記ガラス基板に化学強化を施した。化学強化は、硝酸
カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合
した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００
℃に加熱し、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基
板を約３時間浸漬して行った。この化学強化を終えたガ
ラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分
間維持した。急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加
熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行っ
た。
カリウム（６０％）と硝酸ナトリウム（４０％）を混合
した化学強化溶液を用意し、この化学強化溶液を４００
℃に加熱し、３００℃に予熱された洗浄済みのガラス基
板を約３時間浸漬して行った。この化学強化を終えたガ
ラス基板を、２０℃の水槽に浸漬して急冷し、約１０分
間維持した。急冷を終えたガラス基板を、約４０℃に加
熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行っ
た。
【００２９】３）レーザ照射による突起形成工程 次に、上記化学強化したガラス基板の両面に、図２に概
念的に示すレーザテクスチャ装置によってＣＳＳゾーン
にのみ突起を形成させた。すなわち、駆動モータ上に搭
載されたガラス基板を、回転速度１２０ｒｐｍで回転さ
せ、半径方向の移動速度を９．６ｍｍ／ｍｉｎにしなが
ら、パワー２００ｍＷ、パルス幅２０μＳｅｃ、レーザ
スポット径５０μｍ、隣り合うレーザ光のスポット照射
位置の間隔を８０μｍとして、レーザ光を照射した。な
お、テクスチャ加工領域は、ディスク半径１３．０〜１
６．０ｍｍの範囲となるように、またテクスチャの突起
部の配列が正方格子になるようにレーザ光を照射した。
その後、ガラス基板を、洗浄機内において、純水及び純
度９９．９％以上のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
中でそれぞれ５分間超音波洗浄し、ＩＰＡ蒸気中に１．
５分間放置後、乾燥させてＣＳＳゾーンにのみ突起が形
成されたガラス基板を得た。
念的に示すレーザテクスチャ装置によってＣＳＳゾーン
にのみ突起を形成させた。すなわち、駆動モータ上に搭
載されたガラス基板を、回転速度１２０ｒｐｍで回転さ
せ、半径方向の移動速度を９．６ｍｍ／ｍｉｎにしなが
ら、パワー２００ｍＷ、パルス幅２０μＳｅｃ、レーザ
スポット径５０μｍ、隣り合うレーザ光のスポット照射
位置の間隔を８０μｍとして、レーザ光を照射した。な
お、テクスチャ加工領域は、ディスク半径１３．０〜１
６．０ｍｍの範囲となるように、またテクスチャの突起
部の配列が正方格子になるようにレーザ光を照射した。
その後、ガラス基板を、洗浄機内において、純水及び純
度９９．９％以上のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
中でそれぞれ５分間超音波洗浄し、ＩＰＡ蒸気中に１．
５分間放置後、乾燥させてＣＳＳゾーンにのみ突起が形
成されたガラス基板を得た。
【００３０】４）成膜工程 上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン型スパッタリング装置を用いて、
Ａｌ下地層、Ｃｒ下地層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＣｒＴ
ａＰｔ磁性層、カーボン保護層を順次成膜し、次いで、
保護層の形成までの工程を終えた基板を、上記インライ
ン型スパッタリング装置から取り外し、その保護層表面
に、浸漬法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑
層を形成して磁気ディスクを得た。
の両面に、インライン型スパッタリング装置を用いて、
Ａｌ下地層、Ｃｒ下地層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＣｒＴ
ａＰｔ磁性層、カーボン保護層を順次成膜し、次いで、
保護層の形成までの工程を終えた基板を、上記インライ
ン型スパッタリング装置から取り外し、その保護層表面
に、浸漬法によってパーフルオロポリエーテル液体潤滑
層を形成して磁気ディスクを得た。
【００３１】実施例２ ガラス基板として、熱膨張係数が９１×１０-7／℃で、
重量％表示でＳｉＯ2：６３．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１
４．０％、Ｌｉ2 Ｏ：６．０％、Ｎａ2 Ｏ：１０．０
％、ＺｒＯ2 ：７．０％のアルミノシリケートガラスを
使用した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを
得た。
重量％表示でＳｉＯ2：６３．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１
４．０％、Ｌｉ2 Ｏ：６．０％、Ｎａ2 Ｏ：１０．０
％、ＺｒＯ2 ：７．０％のアルミノシリケートガラスを
使用した以外は、実施例１と同様にして磁気ディスクを
得た。
【００３２】実施例３ ガラス基板として、熱膨張係数が８５×１０-7／℃で、
重量％表示でＳｉＯ2：６４．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８．
５％、Ｎａ2 Ｏ：８．０％、Ｋ2 Ｏ：７．０％、Ｚｎ
Ｏ：２．７％、Ｌｉ2 Ｏ：１．０％、ＢａＯ：１．０
％、Ｂ2 Ｏ3 ：２．０％、ＴｉＯ2 ：１．０％、ＺｒＯ
2 ：４．５％、Ａｓ2 Ｏ3 ：０．３％の化学強化用ガラ
スを使用した以外は、実施例１と同様にして磁気ディス
クを得た。
重量％表示でＳｉＯ2：６４．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：８．
５％、Ｎａ2 Ｏ：８．０％、Ｋ2 Ｏ：７．０％、Ｚｎ
Ｏ：２．７％、Ｌｉ2 Ｏ：１．０％、ＢａＯ：１．０
％、Ｂ2 Ｏ3 ：２．０％、ＴｉＯ2 ：１．０％、ＺｒＯ
2 ：４．５％、Ａｓ2 Ｏ3 ：０．３％の化学強化用ガラ
スを使用した以外は、実施例１と同様にして磁気ディス
クを得た。
【００３３】実施例４ ガラス基板として、熱膨張係数が７５×１０-7／℃で、
重量％表示でＳｉＯ2：７０．５％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５．
０％、ＭｇＯ：９．０％、Ｂ2 Ｏ3 ：２．０％、Ａｓ2
Ｏ3 ：０．５％、Ｎａ2 Ｏ：１３．０％の化学強化用ガ
ラス基板を使用した以外は、実施例１と同様にして磁気
ディスクを得た。
重量％表示でＳｉＯ2：７０．５％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５．
０％、ＭｇＯ：９．０％、Ｂ2 Ｏ3 ：２．０％、Ａｓ2
Ｏ3 ：０．５％、Ｎａ2 Ｏ：１３．０％の化学強化用ガ
ラス基板を使用した以外は、実施例１と同様にして磁気
ディスクを得た。
【００３４】比較例 ガラス基板として、熱膨張係数が７０×１０-7／℃で、
重量％表示でＳｉＯ2：６３．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：４．
０％、ＭｇＯ：１０．０％、Ｋ2 Ｏ：１６．０％、Ｌｉ
2 Ｏ：２．０％、Ｂ2 Ｏ3 ：５．０％の化学強化用ガラ
ス基板を使用した以外は、実施例１と同様にして磁気デ
ィスクを得た。
重量％表示でＳｉＯ2：６３．０％、Ａｌ2 Ｏ3 ：４．
０％、ＭｇＯ：１０．０％、Ｋ2 Ｏ：１６．０％、Ｌｉ
2 Ｏ：２．０％、Ｂ2 Ｏ3 ：５．０％の化学強化用ガラ
ス基板を使用した以外は、実施例１と同様にして磁気デ
ィスクを得た。
【００３５】評価 テクスチャ加工後のガラス基板を観察したところ、実施
例１〜４及び比較例によれば、等間隔に、先端が丸みを
帯びた突起が形成されていることが確認された。この突
起の高さ及び径を形状測定装置（Ｗｙｋｏ製 ＨＤ２０
００）によって確認したところ、実施例１〜４では、平
均突起高さは１５０Å、突起の径は５〜６μｍであっ
た。これに対して、比較例では、平均突起高さは１５０
Å、突起の径は８〜１０μｍであった。実施例１〜４に
よれば、比較例に比べて突起の径が充分に小さくなって
いることが分る。また、磁気ディスクを完成させた後、
荷重３ｇの７０％ヘッドスライダを用いた１０万回のＣ
ＳＳ耐久試験を行ったところ、実施例１〜４について
は、フリクションが、試験の初期で０．２と小さく、１
０万回の試験終了後においても１以下であって、磁気デ
ィスクと磁気ヘッドのスティクション（吸着）が発生せ
ず、ＣＳＳ耐久性も良好であり、磁気ヘッドにダメージ
も発生しなかった。これに対して、比較例では、試験の
初期でフリクションが０．３と大きく、１０万回の試験
終了後においてはフリクションが１を超え、スティクシ
ョンが発生し、ＣＳＳ耐久性も悪く、磁気ヘッドのダメ
ージも発生した。
例１〜４及び比較例によれば、等間隔に、先端が丸みを
帯びた突起が形成されていることが確認された。この突
起の高さ及び径を形状測定装置（Ｗｙｋｏ製 ＨＤ２０
００）によって確認したところ、実施例１〜４では、平
均突起高さは１５０Å、突起の径は５〜６μｍであっ
た。これに対して、比較例では、平均突起高さは１５０
Å、突起の径は８〜１０μｍであった。実施例１〜４に
よれば、比較例に比べて突起の径が充分に小さくなって
いることが分る。また、磁気ディスクを完成させた後、
荷重３ｇの７０％ヘッドスライダを用いた１０万回のＣ
ＳＳ耐久試験を行ったところ、実施例１〜４について
は、フリクションが、試験の初期で０．２と小さく、１
０万回の試験終了後においても１以下であって、磁気デ
ィスクと磁気ヘッドのスティクション（吸着）が発生せ
ず、ＣＳＳ耐久性も良好であり、磁気ヘッドにダメージ
も発生しなかった。これに対して、比較例では、試験の
初期でフリクションが０．３と大きく、１０万回の試験
終了後においてはフリクションが１を超え、スティクシ
ョンが発生し、ＣＳＳ耐久性も悪く、磁気ヘッドのダメ
ージも発生した。
【００３６】以上好ましい実施例を挙げて説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではない。本発明
ではガラス基板として化学強化用ガラスを例に挙げて説
明したが、これに限らず、結晶化ガラス、セラミックス
であっても良い。また、本発明で使用したレーザは、波
長１０．６μｍの赤外域のＣＯ2 レーザであるが、これ
に限らず、紫外域の波長を発生するエキシマレーザや、
ＹＡＧレーザの高波長を利用したものなどガラス基板に
テクスチャ加工が可能な波長であれば何でも良い。ま
た、本発明は磁気ディスク用のガラス基板しか例に挙げ
なかったが、例えばグライドテスターを校正するための
基準ディスク（バンプディスク）用の基板や、光ディス
ク用などの基板としても有用である。
本発明は上記実施例に限定されるものではない。本発明
ではガラス基板として化学強化用ガラスを例に挙げて説
明したが、これに限らず、結晶化ガラス、セラミックス
であっても良い。また、本発明で使用したレーザは、波
長１０．６μｍの赤外域のＣＯ2 レーザであるが、これ
に限らず、紫外域の波長を発生するエキシマレーザや、
ＹＡＧレーザの高波長を利用したものなどガラス基板に
テクスチャ加工が可能な波長であれば何でも良い。ま
た、本発明は磁気ディスク用のガラス基板しか例に挙げ
なかったが、例えばグライドテスターを校正するための
基準ディスク（バンプディスク）用の基板や、光ディス
ク用などの基板としても有用である。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、突起の径を小さくしてスティクションを低減で
き、ＣＳＳ耐久性も良好で、ヘッドのダメージも防止で
きる高信頼性の情報記録媒体用ガラス基板を得ることが
でき、しかもこのような高信頼性の情報記録媒体用ガラ
ス基板を制御性よく安定して製造することができる。
れば、突起の径を小さくしてスティクションを低減で
き、ＣＳＳ耐久性も良好で、ヘッドのダメージも防止で
きる高信頼性の情報記録媒体用ガラス基板を得ることが
でき、しかもこのような高信頼性の情報記録媒体用ガラ
ス基板を制御性よく安定して製造することができる。
【図１】本発明の実施の形態として、本発明に係る磁気
ディスク用ガラス基板を用いて構成した磁気ディスクを
示す断面図。
ディスク用ガラス基板を用いて構成した磁気ディスクを
示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態で使用されるレーザテクス
チャ装置を示す構成図。
チャ装置を示す構成図。
１ ガラス基板 １ａ 突起
Claims (9)
- 【請求項１】 ガラス基板表面の所定の領域に、レーザ
光の照射によって形成された突起を有する情報記録媒体
用ガラス基板において、 前記ガラス基板の熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上で
あることを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項２】 前記ガラス基板の熱膨張係数が９０×１
０-7／℃以上であることを特徴とする請求項１記載の情
報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項３】 前記ガラス基板の熱膨張係数が１３０×
１０-7／℃以下であることを特徴とする請求項１又は２
記載の情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項４】 前記ガラス基板は遷移金属酸化物を含む
酸化物系ガラスであることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれか記載の情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項５】 前記突起の高さは２０〜３００Å、突起
の径は１〜６μｍであることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか記載の情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項６】 前記突起がＣＳＳゾーンにのみ形成され
ていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載
の情報記録媒体用ガラス基板。 - 【請求項７】 熱膨張係数が７５×１０-7／℃以上であ
る円板状のガラス基板を用意し、このガラス基板表面の
所定の領域に、レーザ光を照射することによって突起を
形成することを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の
製造方法。 - 【請求項８】 前記レーザ光はＣＯ2 レーザであること
を特徴とする請求項７記載の情報記録媒体用ガラス基板
の製造方法。 - 【請求項９】 前記レーザ光の照射は、前記ガラス基板
を化学強化した後に行うことを特徴とする請求項７又は
８記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298887A JPH11134645A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 |
| US09/905,751 US20010040150A1 (en) | 1997-10-30 | 2001-07-13 | Glass substrate for information-recording medium and manufacturing method of the glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298887A JPH11134645A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134645A true JPH11134645A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17865458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9298887A Pending JPH11134645A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010040150A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11134645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091478A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009528572A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスベース微細位置決めシステム及び方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9346130B2 (en) | 2008-12-17 | 2016-05-24 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser processing glass with a chamfered edge |
| US20110100058A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Dickinson Jr James Edward | Formation of glass bumps with increased height using thermal annealing |
| US9828277B2 (en) * | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods for separation of strengthened glass |
| US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
| US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
| US9227868B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-01-05 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining strengthened glass and articles produced thereby |
| EP2933050B1 (en) * | 2014-04-16 | 2023-06-07 | Ondaplast S.p.a. | Method for processing polymeric sheets, and associated sheets |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9298887A patent/JPH11134645A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-13 US US09/905,751 patent/US20010040150A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007091478A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 |
| JP2009528572A (ja) * | 2006-02-28 | 2009-08-06 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスベース微細位置決めシステム及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010040150A1 (en) | 2001-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5421443B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスク | |
| JP6220411B2 (ja) | 情報記録媒体用基板に供するためのガラス、情報記録媒体用基板および情報記録媒体とそれらの製造方法 | |
| US6852010B2 (en) | Substrate for an information recording medium, information recording medium using the substrate, and method of producing the substrate | |
| JP3989988B2 (ja) | 情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法 | |
| US6134918A (en) | Method of fabricating glass substrate for magnetic disk and method of fabricating magnetic disk | |
| JP2006190466A (ja) | 情報記録媒体用基板、及び情報記録媒体、並びに情報記録媒体用基板表面の管理方法 | |
| JP4282273B2 (ja) | ガラス基板 | |
| JPH11134645A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板及びその製造方法 | |
| JP3254157B2 (ja) | 記録媒体用ガラス基板、及び該基板を用いた記録媒体 | |
| JP3023429B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2001143246A (ja) | 情報記録媒体用基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた情報記録媒体および情報記録装置 | |
| JP3113828B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
| JP3078281B2 (ja) | 情報記録媒体用基板の製造方法及び情報記録媒体 | |
| JP3590562B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、および磁気ディスクの製造方法 | |
| JP2002288823A (ja) | 情報記録媒体用基板の製造方法 | |
| JPH11120546A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板及びその製造方法、並びに磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JP2998953B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
| JP2998952B2 (ja) | 記録媒体用ガラス基板及び記録媒体の製造方法 | |
| JP4771981B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
| JP3565761B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の作製方法、および磁気ディスクの製造方法。 | |
| US6068728A (en) | Laser texturing with reverse lens focusing system | |
| JP2005289728A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH11180738A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体 | |
| JP3590563B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の作製方法、および磁気ディスクの製造方法 | |
| JP2001056929A (ja) | 磁気ディスク用基板、磁気ディスクおよび磁気ディスク用基板の製造方法 |