JP5565659B2 - レーザ加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工装置に関し、特に、レーザ加工の際に生じた粉塵を回収するレーザ加工装置に関する。

従来、基板を浮上させた状態で搬送する搬送手段と、該搬送手段が搬送する基板の被加工面にレーザを照射するレーザ照射手段とを備えたレーザ加工装置において、レーザ照射手段によるレーザの照射点近傍に開口するように集塵ノズルを設け、レーザ加工の際に生じる粉塵を集塵ノズルで回収するようにしていた（例えば、特許文献１参照）。

特許第４２３１５３８号公報

ところで、レーザ加工の際に生じる粉塵を多量に回収させる場合、単位時間当たりの排気量（排気流量）を大きくする必要があるが、排気流量を大きくすると、基板が集塵用の吸引孔に吸い付き、被加工面の位置（高さ）が変化することでレーザ加工の精度が低下し、また、基板の搬送が困難になるという問題が生じる。
特許文献１のものでは、集塵ノズル（吸引孔）の前後に隣接して吹出ノズルを設けることで、集塵に伴う基板の吸い付きを防止するようにしている。

しかし、吹出ノズルが吹出する気体によって、基板の吸い付きを防止しつつ、集塵性能を確保するためには、集塵ノズルの排気流量と吹出ノズルからの吹出流量とを高精度にバランスさせることが必要であり、流量バランスが崩れ排気過剰になると局所的に負圧が発達して基板の吸い付きが発生するという問題がある。
また、吹出ノズルから気体を吹出させるためには、ポンプを必要とし、更に、該ポンプと吹出ノズルとを接続させる通路を設ける必要があり、集塵のための構造・設備が複雑化・高コスト化してしまうという問題もあった。

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、簡便な構造で、基板の吸い付き防止と、レーザ加工で発生する粉塵の回収性能とを容易に両立させることが可能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、基板をステージ上に浮上させた状態で搬送する搬送手段と、搬送手段が搬送する基板のステージ側の被加工面にレーザを照射するレーザ照射手段と、を備え、レーザ照射手段によるレーザ照射点近傍のステージの表面に、集塵用の吸引孔を凹陥形成すると共に、吸引孔内とステージの外周とを連通させる溝を、ステージの表面に凹陥形成したことを特徴とする。
このような構成により、基板のステージ側の被加工面にレーザを照射することで発生した粉塵（加工屑）を、ステージ表面に凹陥形成した吸引孔が吸い込み、粉塵の回収を行う。ここで、吸引孔内とステージ外周とを連通させる溝をステージ表面に凹陥形成してあり、この溝を介して気体を吸引孔内に供給する。
上記の溝は、吸引孔の開口の略中央を通り前記基板の搬送方向と平行又は交差する対称軸を挟んで線対称に設けると良い。

本発明に係るレーザ加工装置によれば、吸引孔が吸引する気体流量（排気流量）の増加に対して、溝を介して気体を吸引孔内に供給することで、負圧の発達を抑制するため、基板が吸引孔に吸い付くことを未然に防止でき、また、多量の粉塵を多くの気体と共に排出させることができ、更に、溝内を吸引孔に向けて流れる気体の量が増えれば、この溝内を流れる気体の層が基板を下支えすることになり、これによっても基板の吸引孔への吸い付きを防止できる。

本発明の第１実施形態におけるレーザ加工装置の全体構成を示す側面図である。 第１実施形態におけるステージの部分断面図である。 第１実施形態におけるステージを示す図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は前端面を示す図である。 排気流量の変化に対する吸引孔内の圧力変化の様子を示す線図である。 排気流量の変化に対する基板反り量の変化の様子を示す線図である。 本発明の第２実施形態におけるレーザ加工装置のステージの部分断面図である。 第２実施形態におけるステージを示す図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は前端面を示す図である。 第２実施形態における溝の配置パターンの例を示すステージの上面図である。 第２実施形態における溝の配置パターンの例を示すステージの上面図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は第１実施形態におけるレーザ加工装置を示す側面図である。
この図１に示すレーザ加工装置１０は、ガラス基板２０の一端面に積層させた薄膜２１をレーザによってパターニングする装置であり、例えば、太陽電池などの電極膜・発電膜に分離溝（スクライビング溝）をレーザで形成する装置である。

レーザ加工装置１０は、ガラス基板２０を浮上させながら一定方向に搬送する搬送装置（搬送手段）３０と、該搬送装置３０が搬送するガラス基板２０の被加工面にレーザを照射するレーザ照射装置（レーザ照射手段）４０を有する。
尚、レーザ照射装置４０を、搬送装置３０によるガラス基板２０の搬送方向（図１に示すＸ方向）に直交する方向に複数並設すれば、相互に平行な複数の分離溝（スクライビング溝）を同時に形成することができる。

レーザ照射装置４０は、図外のレーザ光源からのレーザを、ミラーやレンズなどを含む光学ユニット（光学系）４１を介してガラス基板２０の被加工面（薄膜２１）に照射するものであり、光学ユニット（光学系）４１を構成するシリンドリカルレンズ４１ａによって、レーザをガラス基板の搬送方向Ｘに長いライン状に集光し、ガラス基板２０を搬送させながらライン状のレーザを薄膜２１に照射することで、搬送方向Ｘに連続する分離溝（スクライビング溝）を形成する。

搬送装置３０は、薄膜２１側を下向きとしたガラス基板（被加工基板）２０を一定方向（図１に示すＸ方向）に一定速度で搬送するものであり、上面に浮上用の気体（空気）を噴出する多数の噴出孔と浮上用の気体を吸引する多数の吸引孔とを有した複数の浮上ステージ３１ａ〜３１ｃを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに沿って並設してある。
浮上ステージ３１ａ〜３１ｃは、更に、ガラス基板２０の搬送方向Ｘの両端縁部を支持する搬送ローラ３２を備え、気体の噴出と吸引とのバランスによって所定量（例えば２０μ程度）だけ浮かせたガラス基板２０を、搬送ローラ３２によって一定の搬送方向Ｘに搬送する。
本実施形態の搬送装置３０においては、上記のように、ガラス基板２０の搬送方向Ｘの両端縁部を搬送ローラ３２で支持させる構成としたが、この他、ガラス基板２０の搬送方向Ｘの一方端縁部をチャックし、他方端縁部を、ローラやボールネジやリニタモータなどを用いて高さを一定に保ちながら搬送する構成とした搬送装置を用いることができる。

浮上ステージ３１ａ〜３１ｃとして、上下方向に連続した多数の微細な通気孔を有する多孔質板を備え、通気孔からの気体の吹き出し量と、多孔質板に開口させた通気孔よりも径の大きな吸引孔による気体の吸引量とを調整することで、ガラス基板２０の下面（薄膜２１側）と、浮上ステージ３１ａ〜３１ｃの上面との間に薄い気体層を形成して、ガラス基板２０を浮上させる構成のもの（例えば、特開２００９−１０４０２９号公報）を用いることができる。
但し、気体の吸引を行わずに気体の吹き出しのみでガラス基板２０を浮上させる構成の浮上ステージを用いることができ、また、磁気浮上方式でガラス基板２０を浮上させるステージであっても良い。
また、浮上ステージ３１ａ〜３１ｃから浮上用として吹き出させる気体としては、空気の他、窒素などの不活性ガスであってもよい。

浮上ステージ３１ａ〜３１ｃのうち、レーザ照射装置４０に対向配置した浮上ステージ３１ｂは、レーザ照射による薄膜２１の除去（分離溝の形成）によって発生する粉塵を回収するための構成を、図３に示すように備えている。
尚、浮上ステージ３１ｂの上面の中央付近でレーザ照射が行われるように、浮上ステージ３１ｂとレーザ照射装置４０との相対位置を予め設定してある。

粉塵を回収するための構成として、レーザ照射装置４０によるレーザ照射点直下の浮上ステージ３１ｂの表面３４に、粉塵を気体と共に吸引するための集塵用の吸引孔３３を凹陥形成してある。
シリンドリカルレンズ４１ａによってレーザをガラス基板２０の搬送方向Ｘに長いライン状に集光する第１実施形態では、図２及び図３に示すように、吸引孔３３の開口を、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに長い略長方形に形成し、その長手方向の長さＷＬは、ライン状に集光するレーザの長さＬＬ（加工長）よりも長く、レーザ照射点を垂直に吸引孔３３方向へ投影した場合に、レーザ照射点が、吸引孔３３の開口内の略中央に位置するように、吸引孔３３を配置してある。上記のように、吸引孔３３の開口形状・位置を設定することで、レーザ照射による薄膜２１の除去で発生する粉塵が吸引孔３３内に落下し、効率良く集塵できるようにしてある。

また、吸引孔３３を、直方体状の内部空間を構成するように凹陥形成し、吸引孔３３の底面３３ａの略中央には、排気通路３３ｂの一端を連結してある。
排気通路３３ｂは、浮上ステージ３１内から外部にまで延び、その他端には、図外の電動式の吸引ポンプ（エアポンプ）を接続してある。
そして、吸引ポンプを作動させると、該吸引ポンプの吸引力が排気通路３３ｂを介して吸引孔３３内に作用し、吸引孔３３内の気体（空気）を粉塵と共に排出し、これによって吸引孔３３内の粉塵の回収が行われる。

更に、浮上ステージ３１ｂの表面３４には、図２及び図３に示すように、一端が吸引孔３３の内周面（立ち上がり面）に開放し、他端が浮上ステージ３１ｂの外周面に開放する溝３５ａ〜３５ｄを凹陥形成してあり、この溝３５ａ〜３５ｄによって、吸引孔３３内と浮上ステージ３１ｂの外周とが連通させるようにしてある。
溝３５ａ〜３５ｄは、横断面が略四角形をなし、かつ、吸引孔３３から浮上ステージ３１ｂの表面３４の４辺それぞれにまで延びる。

詳細には、溝３５ａ，３５ｂを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに平行で、かつ、吸引孔３３の開口の略中央を通るラインに沿って直線的に、吸引孔３３を挟んで搬送方向前側と搬送方向後側とにそれぞれ形成してある。
また、溝３５ｃ，３５ｄを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに直交し、かつ、吸引孔３３の開口の略中央を通るラインに沿って直線的に、吸引孔３３を挟んで左右にそれぞれ形成してある。
換言すれば、溝３５ａ〜３５ｄは、ガラス基板２０の搬送方向Ｘと平行な対称軸を挟んで線対称に設けた一対の溝３５ａ，３５ｂと、ガラス基板２０の搬送方向Ｘと交差する対称軸を挟んで線対称に設けた一対の溝３５ｃ，３５ｄとを備え、各対称軸は、吸引孔３３の開口の略中央を通るように設定してある。

上記溝３５ａ〜３５ｄは、ガラス基板２０の搬送状態で吸引孔３３内に気体（空気）を供給するために設けてあり、吸引ポンプによる排気流量が多くなって、吸引孔３３内が負圧（大気圧よりも低い圧力）になると、溝３５ａ〜３５ｄを介して浮上ステージ３１ｂ周辺の気体（空気）を吸引孔３３内に導入することで、負圧が過剰に大きくなることが抑制し、吸引孔３３に対するガラス基板２０の吸い付きを未然に防止する。
溝３５ａ〜３５ｄを備えない場合は、吸引ポンプによって吸引孔３３から排出する分の気体（空気）を、浮上ステージ３１ｂの表面３４とガラス基板２０との間の気体層から補填することになるが、気体層は非常に薄く、多くの排気流量に見合うだけの気体を補うことが難しく、吸引孔３３内に発生する負圧が大きくなってしまい、これによって、ガラス基板２０の吸引孔３３に対する吸い付きが発生する可能性がある。
これに対し、本実施形態によれば、溝３５ａ〜３５ｄによって、浮上ステージ３１ｂの外部の気体（空気）を吸引孔３３内に取り込めるから、吸引孔３３に対して単位時間当たりに導入可能な最大気体量が増え、これによって、排気流量が多くなっても吸引孔３３内の負圧が大きくなることを抑制できる。
また、負圧が過剰に大きくなることを回避しつつ、吸引ポンプによる排気流量をより多くできるので、粉塵の回収性能を高く維持できる。

図４は、溝３５ａ〜３５ｄを設けない場合において、排気通路３３ｂを介して排出する気体の流量である排気流量（Ｌ／min）と、吸引孔３３内の圧力と大気圧との差圧（ｋＰａ）との相関を示す図であり、排気流量（Ｌ／min）を多くすると、これに応じて差圧（吸引孔３３内の負圧）、換言すれば、負圧が大きくなることを示す。
一方、図５は、溝３５ａ〜３５ｄを設けない場合における、排気流量（Ｌ／min）とガラス基板２０の反り量（μｍ）との相関を示す図であり、図４に示したように、排気流量（Ｌ／min）を増やすと負圧が発達するから、排気流量（Ｌ／min）が増えるに従ってガラス基板２０の反り量（撓み量）が増える特性となる。
即ち、溝３５ａ〜３５ｄを設けない場合には、排気流量（Ｌ／min）を増大させると、吸引孔３３内の負圧が大きくなり、負圧が大きくなることでガラス基板２０の反り量が増え、ガラス基板２０の反り量が増えることで、ガラス基板２０が吸引孔３３に吸い付くことになってしまうと共に、ガラス基板２０の加工面（薄膜２１）の高さが所期位置からずれ、レーザによる加工精度が低下してしまう。

これに対し、溝３５ａ〜３５ｄを備えた本実施形態のレーザ加工装置では、溝３５ａ〜３５ｄを介して吸引孔３３内に気体を供給するから、負圧の発達を抑制でき、負圧を小さく抑制できることでガラス基板２０の反りを小さく抑えることができるので、ガラス基板２０が吸引孔３３に吸い付くことを未然に防止でき、また、ガラス基板２０の加工精度を高く維持できる。
更に、溝３５ａ〜３５ｄ内を吸引孔３３に向けて流れる気体の量が増えれば、この溝３５ａ〜３５ｄ内を流れる気体の層がガラス基板２０を支えることになり、これによってもガラス基板２０の吸引孔３３に対する吸い付きを未然に防止できる。
また、溝３５を形成するだけで、ガラス基板２０の吸い付きを抑制でき、吸い付き防止のために気体の吹き出しを行わせるポンプなどが不要であるから、簡便な構造で、基板の吸い付き防止と集塵性能とを容易に両立させることができる。

尚、溝３５は１本だけ設けても良いが、吸引孔３３を挟んで対向するように設けた一対の溝を１組として、１組乃至複数組の溝を設けるようにすれば、吸引孔３３における気体の流れに大きな偏りが発生することを抑制でき、集塵性能を高くできる。
また、溝３５の延設方向を、搬送方向Ｘ又は搬送方向Ｘに直交する方向に限定するものではなく、搬送方向Ｘに対して斜めに交差する方向に沿って設けることができる。

ところで、上記に示した第１実施形態では、シリンドリカルレンズ４１ａによってレーザをライン状に集光させるレーザ加工装置において、浮上ステージ３１ｂに吸引孔３３及び溝３５を設けて粉塵の回収を行わせる構成としたが、凸レンズによってスポット状にレーザを集光させる構成のレーザ照射装置４０を用いるレーザ加工装置においても、吸引孔及び溝を設けて粉塵の回収を行わせることができる。
図６及び図７は、スポット状にレーザを集光させるレーザ加工装置において、浮上ステージ３１ｂに吸引孔及び溝を設けた第２実施形態を示す。

図６に示すレーザ照射装置４０では、レーザを凸レンズ４１ｂによってスポット状に集光させ、ガラス基板２０の薄膜２１を除去する構成であり、点状に薄膜２１を除去する動作を連続させることで、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに連続する分離溝（スクライビング溝）を形成する。
薄膜２１の除去がスポット状になされることから、浮上ステージ３１ｂの表面３４に凹陥形成する集塵用の吸引孔３７を、レーザ照射点に対向する位置に円筒状に形成する。そして、吸引孔３７の底面３７ａの略中央には、排気通路３３ｂの一端を連結し、排気通路３３ｂの他端は、図外の電動式の吸引ポンプに接続する。

また、浮上ステージ３１ｂの表面３４には、吸引孔３７内と浮上ステージ３１ｂの外周とを連通させる溝３８ａ〜３８ｄ、即ち、一端が吸引孔３７の内周面（立ち上がり面）に開放し、他端が浮上ステージ３１ｂの外周面に開放する溝３８ａ〜３８ｄを凹陥形成してある。
溝３８ａ〜３８ｄは、横断面が略四角形をなし、かつ、吸引孔３７から浮上ステージ３１ｂの表面３４の４辺それぞれにまで延びる。

詳細には、溝３８ａ〜３８ｄのうちの溝３８ａ，３８ｂを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに平行で、かつ、吸引孔３７の開口中心を通るラインに沿って直線的に、吸引孔３７を挟んで搬送方向前側と搬送方向後側とにそれぞれ形成してある。
また、溝３８ｃ，３８ｄを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに直交し、かつ、吸引孔３７の開口中心を通るラインに沿って直線的に、吸引孔３７を挟んで左右にそれぞれ形成してある。
換言すれば、溝３８ａ〜３８ｄは、ガラス基板２０の搬送方向Ｘと平行な対称軸を挟んで線対称に設けた一対の溝３８ａ，３８ｂと、ガラス基板２０の搬送方向Ｘと交差する対称軸を挟んで線対称に設けた一対の溝３８ｃ，３８ｄとを備え、各対称軸は、吸引孔３７の開口中心を通るように設定してある。

上記構成とした第２実施形態においても、吸引ポンプによる排気流量が多くなって、吸引孔３７内が負圧（大気圧よりも低い圧力）になると、溝３８ａ〜３８ｄを介して浮上ステージ３１ｂ周辺の気体を吸引孔３７内に供給することで、負圧が過剰に大きくなることを抑制し、吸引孔３７に対するガラス基板２０の吸い付きを未然に防止する。
また、負圧が過剰に大きくなることを回避しつつ、排気流量を増やすことができるので、粉塵の回収性能を高く維持できる。
更に、溝３８ａ〜３８ｄ内を吸引孔３７に向けて流れる気体の量が増えれば、この溝３８ａ〜３８ｄ内を流れる気体の層がガラス基板２０を支えることになり、これによってもガラス基板２０の吸引孔３７に対する吸い付きを未然に防止できる。
また、溝３８を形成するだけで、ガラス基板２０の吸い付きを抑制でき、吸い付き防止のために気体の吹き出しを行わせるポンプなどが不要であるから、簡便な構造で、基板の吸い付き防止と集塵性能とを容易に両立させる。

尚、溝３８は１本だけ設けても良いが、吸引孔３７を挟んで対向するように設けた一対の溝を１組として、１組乃至複数組の溝を設けるようにすれば、吸引孔３７における気体の流れに大きな偏りが発生することを抑制でき、集塵性能を高くできる。
また、溝３８の延設方向を、搬送方向Ｘ又は搬送方向Ｘに直交する方向に限定するものではなく、搬送方向Ｘに対して斜めに交差する方向に沿って設けることができる。

図８は、円筒状に凹陥形成した吸引孔３７を設けた浮上ステージ３１ｂに対する溝３８の形成パターンの別の例を示し、６本の溝３８ａ〜３８ｆを、浮上ステージ３１ｂの表面３４に凹陥形成した例を示す。
図８に示す溝３８ａ〜３８ｆのうちの溝３８ａ，３８ｂ及び溝３８ｃ，３８ｄを、浮上ステージ３１ｂの対角線に略沿って形成し、また、溝３８ｅ，３８ｆを、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに直交する方向に略沿って形成することで、溝３８ａ〜３８ｆが、吸引孔３７を中心に放射状に延びるようにしてある。

上記のように、円筒状に凹陥形成した吸引孔３７を中心にして放射状に複数の溝３８ａ〜３８ｆを延設させるようにすれば、溝３８ａ〜３８ｆ内を流れる気体は、吸引孔３７に向けて流れるから、吸引孔３７の開口領域から逸脱しようとする粉塵を、吸引孔３７側に押し戻す作用を奏することになり、吸引孔３７の径を小さくしても十分な集塵性能を発揮させることができる。
また、吸引孔３７の径を小さくできれば、ガラス基板２０を所定高さに浮上させるための気体の吹き出し・吸引をレーザ照射点の近傍で行えることになり、ガラス基板２０の加工面（薄膜２１）の位置をレーザ照射点に高精度に位置合わせすることができ、加工精度を向上させることができ、また、ガラス基板２０の吸引孔３７への吸い付きを防止できる。

上記各実施形態では、溝３５，３８の延長線上に吸引孔３３，３７の開口中央が位置するように、溝３５，３８を凹陥形成させたが、溝３５，３８の延長線が吸引孔３３，３７の開口中央からオフセットするように溝３５，３８を形成させることができる。
図９に示す例では、浮上ステージ３１ｂの表面３４に、円筒状の吸引孔３７を凹陥形成したレーザ加工装置において、ガラス基板２０の搬送方向Ｘに直交する方向に沿って、一対の溝３８ａ，３８ｂを浮上ステージ３１ｂの表面３４に凹陥形成するが、溝３８ａを、吸引孔３７の中心よりも搬送方向Ｘの前側にシフトさせて設けることで、搬送方向Ｘに直交する方向に平行な吸引孔３７の接線方向に沿って延び、また、溝３８ｂを、吸引孔３７の中心よりも搬送方向Ｘの後側にシフトさせて設けることで、搬送方向Ｘに直交する方向に平行な吸引孔３７の接線方向に沿って延びるようにし、かつ、溝３８ａ，３８ｂを、吸引孔３７の左右に振り分けて設けてある。

上記のようにして、一対の溝３８ａ，３８ｂを、円筒状に形成した吸引孔３７の開口中心に対してシフトさせて配設した場合、溝３８ａ，３８ｂを介して吸引孔３７内に供給した気体は、吸引孔３７の内周壁に沿って進むことで旋回流となる。
これにより、吸引孔３７の内周面に付着するなどした粉塵を巻き込むようにして、溝３８ａ，３８ｂから導入した気体が吸引孔３７内を旋回することになり、集塵性能を高めることができる。
図９に示した例では、一対の溝３８ａ，３８ｂを設けることで吸引孔３７内に旋回流を発生させるようにしたが、吸引孔３７に対して連通させる溝を、３本以上設けて、旋回流を発生させることもできる。

尚、上記実施形態のレーザ加工装置は、ガラス基板２０に形成した薄膜２１の除去を行う装置であるが、前述の吸引孔３３，３７と溝３５，３８との組み合わせによって集塵を行う構成は、薄膜の除去を行うレーザ加工装置以外のレーザ加工装置にも適用できることは明らかである。
また、集塵用の吸引孔に連通する溝を、直線的に延びる溝に限定するものではなく、例えば湾曲させて設けても良いし、溝の深さと幅との少なくとも一方を途中で変化させても良い。
また、集塵用の吸引孔に連通する溝の横断面の形状を、四角形に限定するものではなく、台形や半円形などであっても良い。
更に、集塵用の吸引孔の開口形状を、長方形や円形に限定するものではなく、例えば楕円形やひし形などあってもよいし、集塵用の吸引孔の底面を、例えばすり鉢状に形成しても良い。

１０…レーザ加工装置
２０…ガラス基板
２１…薄膜（被加工面）
３０…搬送装置（搬送手段）
３１ａ〜３１ｃ…浮上ステージ
３３，３７…吸引孔
３３ｂ…排気通路
３５ａ〜３５ｄ…溝
３８ａ〜３８ｄ…溝
４０…レーザ照射装置（レーザ照射手段）
４１ａ…シリンドリカルレンズ

Claims (2)

1. 基板をステージ上に浮上させた状態で搬送する搬送手段と、
   前記搬送手段が搬送する基板の前記ステージ側の被加工面にレーザを照射するレーザ照射手段と、
   を備え、
   前記レーザ照射手段によるレーザ照射点近傍の前記ステージの表面に、集塵用の吸引孔を凹陥形成すると共に、前記吸引孔内と前記ステージの外周とを連通させる溝を、前記ステージの表面に凹陥形成したことを特徴とするレーザ加工装置。
2. 前記溝を、前記吸引孔の開口の略中央を通り前記基板の搬送方向と平行又は交差する対称軸を挟んで線対称に設けたことを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。

Images