JP3319912B2 - 半導体センサ用台座およびその加工方法 - Google Patents
半導体センサ用台座およびその加工方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧力や加速度等を計測
する半導体センサ技術において、半導体センサ素子が陽
極接合される台座と、その陽極接合面に隣接する開口部
を有する貫通孔の加工方法とに関する。
する半導体センサ技術において、半導体センサ素子が陽
極接合される台座と、その陽極接合面に隣接する開口部
を有する貫通孔の加工方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧力を計測する半導体センサに
は、半導体センサ素子が陽極接合されるガラス製の台座
を備えたものがある。この台座には、陽極接合面に開口
する貫通孔が形成されて、半導体センサ素子のダイヤフ
ラムに連通している。従来技術としては、半導体センサ
素子と同程度の熱膨張係数をもつ材料で形成された台座
を使用することにより、熱応力を緩和する技術が開発さ
れている。すなわち、特開平４−８３７３３号公報およ
び実開平５−４７３９３に開示されているように、最近
では、シリコンの熱膨張係数により近い熱膨張係数をも
つアルミナ・シリケート系ガラスなどで台座が形成され
るようになった。
は、半導体センサ素子が陽極接合されるガラス製の台座
を備えたものがある。この台座には、陽極接合面に開口
する貫通孔が形成されて、半導体センサ素子のダイヤフ
ラムに連通している。従来技術としては、半導体センサ
素子と同程度の熱膨張係数をもつ材料で形成された台座
を使用することにより、熱応力を緩和する技術が開発さ
れている。すなわち、特開平４−８３７３３号公報およ
び実開平５−４７３９３に開示されているように、最近
では、シリコンの熱膨張係数により近い熱膨張係数をも
つアルミナ・シリケート系ガラスなどで台座が形成され
るようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来の技術による台座では、台座と半導体センサ素子と
を真空中で陽極接合する際に、台座の貫通孔内に放電現
象が起こって半導体センサ素子が破壊してしまうことが
しばしばあり、不都合であった。この不都合は、製品の
歩留り率や工数費用に影響し、半導体センサの価格に反
映されるので、是非とも解消される必要があった。
従来の技術による台座では、台座と半導体センサ素子と
を真空中で陽極接合する際に、台座の貫通孔内に放電現
象が起こって半導体センサ素子が破壊してしまうことが
しばしばあり、不都合であった。この不都合は、製品の
歩留り率や工数費用に影響し、半導体センサの価格に反
映されるので、是非とも解消される必要があった。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑み、台座と半導体
センサ素子とを陽極接合する際に発生する上記のような
放電現象を防止し、歩留り率の高い半導体センサ用台座
およびその加工方法を提供することを、解決すべき課題
とする。
センサ素子とを陽極接合する際に発生する上記のような
放電現象を防止し、歩留り率の高い半導体センサ用台座
およびその加工方法を提供することを、解決すべき課題
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１構成は、貫
通孔が開口し、半導体センサ素子が陽極接合される面を
構成する少なくとも表面部がガラスで形成されている半
導体センサ用台座であって、前記貫通孔を形成する内周
面は、エッチング処理により平滑化されていることを特
徴とする半導体センサ用台座である。
通孔が開口し、半導体センサ素子が陽極接合される面を
構成する少なくとも表面部がガラスで形成されている半
導体センサ用台座であって、前記貫通孔を形成する内周
面は、エッチング処理により平滑化されていることを特
徴とする半導体センサ用台座である。
【０００６】本発明の第２構成は、上記第１構成におい
て、前記内周面の表面粗さは、互いに隣合う凸部および
凹部の高低差の平均値が５μｍ以下であることを特徴と
する。本発明の第３構成は、上記第１構成において、前
記ガラスは、アルミナ・シリケート系ガラスであること
を特徴とする。
て、前記内周面の表面粗さは、互いに隣合う凸部および
凹部の高低差の平均値が５μｍ以下であることを特徴と
する。本発明の第３構成は、上記第１構成において、前
記ガラスは、アルミナ・シリケート系ガラスであること
を特徴とする。
【０００７】ここで、アルミナ・シリケート系ガラスと
しては、半導体センサ素子の熱膨張係数と近い（±２０
％以内）熱膨張率を有するものが望ましい。特に、半導
体センサ素子の使用される温度範囲で、センサ特性へ悪
影響を与える熱応力を生じない熱膨張係数を有すること
が肝要である。本発明の第４構成は、上記第１構成にお
いて、前記台座は、前記表面部を形成しているガラス層
と、該ガラス層の前記表面と背向する裏面に陽極接合さ
れたシリコン層とを有する複層構造で形成されているこ
とを特徴とする。
しては、半導体センサ素子の熱膨張係数と近い（±２０
％以内）熱膨張率を有するものが望ましい。特に、半導
体センサ素子の使用される温度範囲で、センサ特性へ悪
影響を与える熱応力を生じない熱膨張係数を有すること
が肝要である。本発明の第４構成は、上記第１構成にお
いて、前記台座は、前記表面部を形成しているガラス層
と、該ガラス層の前記表面と背向する裏面に陽極接合さ
れたシリコン層とを有する複層構造で形成されているこ
とを特徴とする。
【０００８】以上が、物としての半導体センサ用台座の
発明であり、以下は、その物を生産する方法としての半
導体センサ用台座の加工方法である。本発明の第５構成
は、半導体センサ素子が陽極接合される表面を形成する
ガラス製の表面部を有し、該表面に開口している一端を
もつ貫通孔が形成されている半導体センサ用台座の加工
方法であって、半導体センサ用台座を形成する部材に貫
通孔が形成されたのち、該貫通孔を形成する内周面のう
ち少なくともガラス製の部分をエッチング処理するエッ
チング工程を有することを特徴とする半導体センサ用台
座の加工方法である。
発明であり、以下は、その物を生産する方法としての半
導体センサ用台座の加工方法である。本発明の第５構成
は、半導体センサ素子が陽極接合される表面を形成する
ガラス製の表面部を有し、該表面に開口している一端を
もつ貫通孔が形成されている半導体センサ用台座の加工
方法であって、半導体センサ用台座を形成する部材に貫
通孔が形成されたのち、該貫通孔を形成する内周面のう
ち少なくともガラス製の部分をエッチング処理するエッ
チング工程を有することを特徴とする半導体センサ用台
座の加工方法である。
【０００９】本発明の第６構成は、上記第５構成におい
て、前記エッチング工程では、前記台座の少なくとも一
部はフッ酸のエッチング液に浸されることを特徴とす
る。本発明の第７構成は、上記第５構成において、前記
エッチング処理により除去される前記内周面のエッチン
グ量は、１０μｍ以上であることを特徴とする。ここ
で、エッチング量とは、エッチング処理以前の凸部から
エッチング処理後の凸部までの、エッチング処理される
面の除去される厚みを指す。
て、前記エッチング工程では、前記台座の少なくとも一
部はフッ酸のエッチング液に浸されることを特徴とす
る。本発明の第７構成は、上記第５構成において、前記
エッチング処理により除去される前記内周面のエッチン
グ量は、１０μｍ以上であることを特徴とする。ここ
で、エッチング量とは、エッチング処理以前の凸部から
エッチング処理後の凸部までの、エッチング処理される
面の除去される厚みを指す。
【００１０】
【作用および発明の効果】本発明の第１構成では、貫通
孔を形成する内周面がエッチング処理により平滑化され
ており、該内周面に突起や細かいクラックが無くなって
いる。その結果、ガス等を吸着する内周面の吸着面積が
著しく小さくなっており、陽極接合の工程で真空チャン
バに入れられた状態でも、内周面からガスが放出されて
貫通孔内の真空度が劣化することがない。
孔を形成する内周面がエッチング処理により平滑化され
ており、該内周面に突起や細かいクラックが無くなって
いる。その結果、ガス等を吸着する内周面の吸着面積が
著しく小さくなっており、陽極接合の工程で真空チャン
バに入れられた状態でも、内周面からガスが放出されて
貫通孔内の真空度が劣化することがない。
【００１１】したがって、本構成によれば、半導体セン
サ素子との陽極接合時に、貫通孔内の真空度の劣化の故
に希薄ガス中の放電が起こって半導体センサ素子が破壊
されることがない。それゆえ、陽極接合時に高電圧の印
加が可能になり、製品の歩留り率の向上と生産性の向上
とが実現される。その結果、より安価に半導体センサを
提供することが可能になるという効果が生じる。
サ素子との陽極接合時に、貫通孔内の真空度の劣化の故
に希薄ガス中の放電が起こって半導体センサ素子が破壊
されることがない。それゆえ、陽極接合時に高電圧の印
加が可能になり、製品の歩留り率の向上と生産性の向上
とが実現される。その結果、より安価に半導体センサを
提供することが可能になるという効果が生じる。
【００１２】本発明の第２構成では、貫通孔の内周面の
粗さが５μｍ以下に限定されているので、その平滑度は
極めて高く、ガスの吸着量を決める吸着面積はほぼ該内
周面の面積に限定される。したがって、本構成によれ
ば、半導体センサ素子との陽極接合時に貫通孔内周面か
ら放出される希薄ガスの量は、極めて限定された量にな
る。その結果、不都合な放電現象の発生が十分に高い信
頼性で防止され、上記第１構成の効果をより確実なもの
にすることができるという効果がある。
粗さが５μｍ以下に限定されているので、その平滑度は
極めて高く、ガスの吸着量を決める吸着面積はほぼ該内
周面の面積に限定される。したがって、本構成によれ
ば、半導体センサ素子との陽極接合時に貫通孔内周面か
ら放出される希薄ガスの量は、極めて限定された量にな
る。その結果、不都合な放電現象の発生が十分に高い信
頼性で防止され、上記第１構成の効果をより確実なもの
にすることができるという効果がある。
【００１３】本発明の第３構成では、アルミナ・シリケ
ート系ガラスから台座が構成されているので、台座は、
半導体センサ素子の材料の熱膨張係数と近い熱膨張係数
をもつ。したがって、本構成によれば、台座とこれに陽
極接合される半導体センサ素子との間に発生する熱応力
が小さく、接合面付近にセンサ特性へ悪影響を与える応
力がかかることがない。その結果、熱応力に起因する誤
差分が減少し、測定精度が向上するという効果がある。
ート系ガラスから台座が構成されているので、台座は、
半導体センサ素子の材料の熱膨張係数と近い熱膨張係数
をもつ。したがって、本構成によれば、台座とこれに陽
極接合される半導体センサ素子との間に発生する熱応力
が小さく、接合面付近にセンサ特性へ悪影響を与える応
力がかかることがない。その結果、熱応力に起因する誤
差分が減少し、測定精度が向上するという効果がある。
【００１４】なお、本構成では、半導体センサ素子はシ
リコン系であることを前提において説明されている。し
かし、半導体センサ素子が他の素材からなる場合には、
その素材の熱膨張係数および接合性に適合したガラス系
または他の材料で、台座が形成されていることが好まし
い。本発明の第４構成では、台座は、ガラス層およびこ
れに陽極接合されたシリコン層からなる複数層構造をし
ている。ガラス層は、半導体センサ素子と陽極接合され
るための接合材として作用するので、陽極接合に十分な
厚みがあれば十分であり、極めて薄いガラス板で構成さ
れうる。
リコン系であることを前提において説明されている。し
かし、半導体センサ素子が他の素材からなる場合には、
その素材の熱膨張係数および接合性に適合したガラス系
または他の材料で、台座が形成されていることが好まし
い。本発明の第４構成では、台座は、ガラス層およびこ
れに陽極接合されたシリコン層からなる複数層構造をし
ている。ガラス層は、半導体センサ素子と陽極接合され
るための接合材として作用するので、陽極接合に十分な
厚みがあれば十分であり、極めて薄いガラス板で構成さ
れうる。
【００１５】したがって、本構成によれば、半導体セン
サ素子と同じ熱膨張係数をもつシリコン層が、極めて薄
いガラス板を介して半導体センサ素子に陽極接合され
る。その際、薄いガラス板が両側のシリコンに与える熱
応力は、極めて小さく限定されたものになる。その結
果、半導体センサ素子とシリコン層との間には、ほとん
ど熱応力が働かないので、熱応力による測定誤差が発生
しにくいという効果がある。
サ素子と同じ熱膨張係数をもつシリコン層が、極めて薄
いガラス板を介して半導体センサ素子に陽極接合され
る。その際、薄いガラス板が両側のシリコンに与える熱
応力は、極めて小さく限定されたものになる。その結
果、半導体センサ素子とシリコン層との間には、ほとん
ど熱応力が働かないので、熱応力による測定誤差が発生
しにくいという効果がある。
【００１６】なお、本構成でも、半導体センサ素子はシ
リコン系であることを前提において説明されている。し
かし、半導体センサ素子が他の素材（例えばゲルマニウ
ム）からなる場合には、上記シリコン層に代えて半導体
センサ素子と同じ素材が使用されるものとする。あるい
は、半導体センサ素子の素材の熱膨張係数および接合性
に適合した材料で、複数層で形成された台座のうち厚い
一層が形成されていることが望ましい。
リコン系であることを前提において説明されている。し
かし、半導体センサ素子が他の素材（例えばゲルマニウ
ム）からなる場合には、上記シリコン層に代えて半導体
センサ素子と同じ素材が使用されるものとする。あるい
は、半導体センサ素子の素材の熱膨張係数および接合性
に適合した材料で、複数層で形成された台座のうち厚い
一層が形成されていることが望ましい。
【００１７】本発明の第５構成の加工方法では、貫通孔
内周面のうち少なくともガラス製の部分がエッチング処
理されるので、内周面に存在する凹凸や細かいクラック
が浸食されて除去される。その結果、エッチング処理と
いう簡便な加工工程を付加するだけで、ミクロ的にも極
めて滑らかな内周面を有する貫通孔が、台座（または台
座を形成する有孔平板等の部材）に形成される。
内周面のうち少なくともガラス製の部分がエッチング処
理されるので、内周面に存在する凹凸や細かいクラック
が浸食されて除去される。その結果、エッチング処理と
いう簡便な加工工程を付加するだけで、ミクロ的にも極
めて滑らかな内周面を有する貫通孔が、台座（または台
座を形成する有孔平板等の部材）に形成される。
【００１８】したがって、本構成によれば、貫通孔を形
成する内周面のガラス部分で、ガスを吸着する吸着面積
を著しく減少させることができる。その結果、後の陽極
接合工程では、貫通孔の内周面からのガスの放出が激減
し、貫通孔内は高い真空度に保たれる。それゆえ、高電
圧をかけた場合にも希薄気体中に起こる放電現象の発生
が防止され、放電による半導体センサ素子の破壊が起こ
らなくなる。
成する内周面のガラス部分で、ガスを吸着する吸着面積
を著しく減少させることができる。その結果、後の陽極
接合工程では、貫通孔の内周面からのガスの放出が激減
し、貫通孔内は高い真空度に保たれる。それゆえ、高電
圧をかけた場合にも希薄気体中に起こる放電現象の発生
が防止され、放電による半導体センサ素子の破壊が起こ
らなくなる。
【００１９】こうして、陽極接合工程に於ける不良品の
発生率は大幅に減少するとともに、高電圧で陽極接合が
行われうるので、陽極接合に要する加工時間が減少し、
生産性の向上とコストダウンとが同時に達成されるとい
う効果を有する。本発明の第６構成では、比較的安価な
フッ酸がエッチング液として使用されるので、貫通孔内
周面のガラス部分を効率よくエッチングすることができ
る。
発生率は大幅に減少するとともに、高電圧で陽極接合が
行われうるので、陽極接合に要する加工時間が減少し、
生産性の向上とコストダウンとが同時に達成されるとい
う効果を有する。本発明の第６構成では、比較的安価な
フッ酸がエッチング液として使用されるので、貫通孔内
周面のガラス部分を効率よくエッチングすることができ
る。
【００２０】したがって、本構成によれば、エッチング
処理の加工効率を上げることができるとともに、コスト
ダウンにもつながるという効果がある。本発明の第７構
成では、エッチング量が１０μｍ以上であるから、貫通
孔内周面に形成されていた微細な凹凸やクラックは、ほ
とんど全て除去される。その結果、高度に滑らかな内周
面が形成され、ガスの分子等を吸着する吸着面積は内周
面の面積と同程度にまで減少する。
処理の加工効率を上げることができるとともに、コスト
ダウンにもつながるという効果がある。本発明の第７構
成では、エッチング量が１０μｍ以上であるから、貫通
孔内周面に形成されていた微細な凹凸やクラックは、ほ
とんど全て除去される。その結果、高度に滑らかな内周
面が形成され、ガスの分子等を吸着する吸着面積は内周
面の面積と同程度にまで減少する。
【００２１】したがって、本構成によれば、陽極接合時
に貫通孔内周面からのガスの放出がほとんど無く、貫通
孔内はより高い真空度に保たれたまま陽極接合が行われ
る。それゆえ、高い印加電圧をかけても放電現象が発生
する率がよりいっそう少なくなり、低い不良品率の陽極
接合がより能率良く行われ得る。その結果、より高度な
生産性の向上とコストダウンとが達成されるという効果
がある。
に貫通孔内周面からのガスの放出がほとんど無く、貫通
孔内はより高い真空度に保たれたまま陽極接合が行われ
る。それゆえ、高い印加電圧をかけても放電現象が発生
する率がよりいっそう少なくなり、低い不良品率の陽極
接合がより能率良く行われ得る。その結果、より高度な
生産性の向上とコストダウンとが達成されるという効果
がある。
【００２２】
〔実施例１〕本発明の実施例１としての半導体センサ用
台座およびその加工方法について、図を参照して以下に
詳述する。 （実施例１の加工方法）本実施例の半導体センサ用台座
の加工方法は、図１（ａ）に示すように、アルミナ・シ
リケート系ガラスの３．０ｍｍ厚板材が切断されて所定
寸法に成形されたガラス板２”を出発素材としている。
台座およびその加工方法について、図を参照して以下に
詳述する。 （実施例１の加工方法）本実施例の半導体センサ用台座
の加工方法は、図１（ａ）に示すように、アルミナ・シ
リケート系ガラスの３．０ｍｍ厚板材が切断されて所定
寸法に成形されたガラス板２”を出発素材としている。
【００２３】ここで、アルミナ・シリケート系ガラスの
成分は、おおよそ珪酸６０％、アルミナ１５％、酸化亜
鉛１０％、酸化ホウ素・酸化マグネシウム・酸化ナトリ
ウム各数％、その他１％程度であった。各種アルミナ・
シリケート系ガラスの組成と熱膨張係数等の特性につい
ては、特開平４−８３７３３号公報「シリコン台座用ガ
ラス」に、詳細に記載されている。
成分は、おおよそ珪酸６０％、アルミナ１５％、酸化亜
鉛１０％、酸化ホウ素・酸化マグネシウム・酸化ナトリ
ウム各数％、その他１％程度であった。各種アルミナ・
シリケート系ガラスの組成と熱膨張係数等の特性につい
ては、特開平４−８３７３３号公報「シリコン台座用ガ
ラス」に、詳細に記載されている。
【００２４】まず、図１（ａ）に示すように切断成形さ
れたガラス板２”は、図１（ｂ）に示すように、上記両
面に垂直な貫通孔２０が、超音波ホーニングにより複数
個、所定の間隔で碁盤目状に穿孔された。この加工によ
り、ガラス板２”はガラス製の有孔平板２’に変化し
た。ここで、形成された貫通孔２０の開口および断面は
円形で、有孔平板２’の円筒面状の内周面２１’により
形成されており、その直径は０．８ｍｍであった。
れたガラス板２”は、図１（ｂ）に示すように、上記両
面に垂直な貫通孔２０が、超音波ホーニングにより複数
個、所定の間隔で碁盤目状に穿孔された。この加工によ
り、ガラス板２”はガラス製の有孔平板２’に変化し
た。ここで、形成された貫通孔２０の開口および断面は
円形で、有孔平板２’の円筒面状の内周面２１’により
形成されており、その直径は０．８ｍｍであった。
【００２５】次に、有孔平板２’は、図２に示すよう
に、エッチング液Ｅに浸され（ディッッピングされ）
て、エッチング処理を施された。すなわち、保持装置Ｈ
によって両面から挟持されて保持された有孔平板２’
は、耐蝕性の液槽Ｂに張られたエッチング液Ｅに浸さ
れ、適宜液面の上下に浸されたり引き上げられたりし
た。その際、エッチング液はフッ酸（フッ化水素ＨＦの
水溶液）であり、その重量濃度は３％、その温度は２５
°Ｃであった。また、貫通孔２０中にエッチング液Ｅが
十分に浸入していることは、安全窓（図示せず）から目
視確認した。
に、エッチング液Ｅに浸され（ディッッピングされ）
て、エッチング処理を施された。すなわち、保持装置Ｈ
によって両面から挟持されて保持された有孔平板２’
は、耐蝕性の液槽Ｂに張られたエッチング液Ｅに浸さ
れ、適宜液面の上下に浸されたり引き上げられたりし
た。その際、エッチング液はフッ酸（フッ化水素ＨＦの
水溶液）であり、その重量濃度は３％、その温度は２５
°Ｃであった。また、貫通孔２０中にエッチング液Ｅが
十分に浸入していることは、安全窓（図示せず）から目
視確認した。
【００２６】こうしてエッチング処理を終えたのち、エ
ッチングされた内周面２１から形成された貫通孔２０を
もつ有孔平板２には、図１（ｃ）に示すように、表面に
鏡面仕上げされた陽極接合面２２が形成され、裏面にラ
ップ面２３が形成される。
ッチングされた内周面２１から形成された貫通孔２０を
もつ有孔平板２には、図１（ｃ）に示すように、表面に
鏡面仕上げされた陽極接合面２２が形成され、裏面にラ
ップ面２３が形成される。
【００２７】このラップ面２３にはさらに、後述の陽極
接合時に、金属電極または電極としてのカーボン製ステ
ージとの電気接合を良くするために、金属蒸着膜が形成
された。以上のようにして、貫通孔２０を形成する内周
面２１が高度に滑らかで凹凸やクラックがほとんど無い
アルミナ・シリケート系ガラス製の有孔平板２が、製造
された。ここで、有孔平板２の厚み、すなわち互いに平
行な陽極接合面２２とラップ面２３との間隔は、２．５
ｍｍであった。
接合時に、金属電極または電極としてのカーボン製ステ
ージとの電気接合を良くするために、金属蒸着膜が形成
された。以上のようにして、貫通孔２０を形成する内周
面２１が高度に滑らかで凹凸やクラックがほとんど無い
アルミナ・シリケート系ガラス製の有孔平板２が、製造
された。ここで、有孔平板２の厚み、すなわち互いに平
行な陽極接合面２２とラップ面２３との間隔は、２．５
ｍｍであった。
【００２８】（実施例１の加工方法の変形態様）以上の
加工方法において、本発明の実施上最も重要な点は、エ
ッチング処理であるから、その他の加工手順等は必要に
応じて適宜変更してよい。ここで、貫通孔２０の直径、
深さ（板厚）、配列間隔および配列パターン等は設計的
事項であって、半導体センサの設計上の必要に応じて任
意に変更するを得る。同様に、貫通孔２０の穿孔方法
も、超音波ホーニングに限定されるものではない。
加工方法において、本発明の実施上最も重要な点は、エ
ッチング処理であるから、その他の加工手順等は必要に
応じて適宜変更してよい。ここで、貫通孔２０の直径、
深さ（板厚）、配列間隔および配列パターン等は設計的
事項であって、半導体センサの設計上の必要に応じて任
意に変更するを得る。同様に、貫通孔２０の穿孔方法
も、超音波ホーニングに限定されるものではない。
【００２９】また、有孔平板２は、再び図２に示すよう
に、エッチング処理時に貫通孔２０が、エッチング液Ｅ
の液面に対して水平になるよう保持されていた。しか
し、貫通孔２０の軸線が、同液面に対して垂直または斜
めになるよう保持された状態でエッチング処理が行われ
ても構わない。エッチング処理の際、常に新鮮なエッチ
ング液が貫通孔２０内に十分に行き渡るために、有孔平
板２が液面を出し入れされる手段のほかに、液面下で揺
動されたり、保持装置Ｈを介して加振されたりする手段
が取られてもよい。あるいは、エッチング液Ｅの液槽Ｂ
内または液槽Ｂ壁面に、超音波加振器を装備して、エッ
チング液Ｅが直接加振されるようにしても、良好な結果
が得られる。
に、エッチング処理時に貫通孔２０が、エッチング液Ｅ
の液面に対して水平になるよう保持されていた。しか
し、貫通孔２０の軸線が、同液面に対して垂直または斜
めになるよう保持された状態でエッチング処理が行われ
ても構わない。エッチング処理の際、常に新鮮なエッチ
ング液が貫通孔２０内に十分に行き渡るために、有孔平
板２が液面を出し入れされる手段のほかに、液面下で揺
動されたり、保持装置Ｈを介して加振されたりする手段
が取られてもよい。あるいは、エッチング液Ｅの液槽Ｂ
内または液槽Ｂ壁面に、超音波加振器を装備して、エッ
チング液Ｅが直接加振されるようにしても、良好な結果
が得られる。
【００３０】ところで、有孔平板２をアルミナ・シリケ
ート系ガラス以外のガラス、または他の材料で形成する
ことも可能であり、エッチング液Ｅについても、濃度ま
たは温度の異なるフッ酸や、フッ酸以外の成分のエッチ
ング液を使用してもよい。なお、後述の半導体センサ素
子を形成するウエハ３が他の素材からなる場合には、そ
の素材の熱膨張係数および接合性に適合したガラス系ま
たは他の材料で、台座を形成する有孔平板２が構成され
ていることが好ましい。
ート系ガラス以外のガラス、または他の材料で形成する
ことも可能であり、エッチング液Ｅについても、濃度ま
たは温度の異なるフッ酸や、フッ酸以外の成分のエッチ
ング液を使用してもよい。なお、後述の半導体センサ素
子を形成するウエハ３が他の素材からなる場合には、そ
の素材の熱膨張係数および接合性に適合したガラス系ま
たは他の材料で、台座を形成する有孔平板２が構成され
ていることが好ましい。
【００３１】（実施例１の貫通孔の内周面）前述のエッ
チング処理の成果を確認する目的で、図３（ａ）に示す
ように、貫通孔２０を一つ含む直方体上のサンプルを有
孔平板２から切り出した。そしてさらに、貫通孔２０の
軸方向の中央部付近の内周面２１の微細形状を観測する
ために、図３（ｂ）に示すように、同サンプルの板厚方
向に半分に切断した試料を作成した。比較のため、エッ
チング処理が施されていない比較試料も同様にして作成
した。
チング処理の成果を確認する目的で、図３（ａ）に示す
ように、貫通孔２０を一つ含む直方体上のサンプルを有
孔平板２から切り出した。そしてさらに、貫通孔２０の
軸方向の中央部付近の内周面２１の微細形状を観測する
ために、図３（ｂ）に示すように、同サンプルの板厚方
向に半分に切断した試料を作成した。比較のため、エッ
チング処理が施されていない比較試料も同様にして作成
した。
【００３２】同比較試料と本実施例の試料との内周面２
１’，２１の断面の形状を、それぞれ図４（ａ）および
図４（ｂ）に示す。両図は、それぞれの試料の試験片の
断面の顕微鏡写真からスケッチした模写図である。図４
（ａ）に示されたエッチングなしの比較試料の内周面２
１’には、微細な凹凸やクラックが一面に形成されてお
り、ガス等の吸着面積は大きいことが見て取れる。
１’，２１の断面の形状を、それぞれ図４（ａ）および
図４（ｂ）に示す。両図は、それぞれの試料の試験片の
断面の顕微鏡写真からスケッチした模写図である。図４
（ａ）に示されたエッチングなしの比較試料の内周面２
１’には、微細な凹凸やクラックが一面に形成されてお
り、ガス等の吸着面積は大きいことが見て取れる。
【００３３】一方、本実施例の試料の内周面２１には、
図４（ｂ）に示すように、ごくなだらかな凹凸が形成さ
れた高度に滑らかな面が形成されており、クラック等は
観測されない。ちなみに、図４（ａ）および図４（ｂ）
中右下に表示された水平方向の白色のスケール・バーは
１０μｍの長さを示すものなので、図４（ｂ）に示され
たエッチング処理後の内周面２１の凹凸の高低差は、明
らかに５μｍ以内に収まっている。したがって、本実施
例の試料の内周面２１に形成された吸着面積は極めて小
さく、貫通孔２０にガス等を吸着保持する能力は、ほと
んど無いに等しいと考えられる。
図４（ｂ）に示すように、ごくなだらかな凹凸が形成さ
れた高度に滑らかな面が形成されており、クラック等は
観測されない。ちなみに、図４（ａ）および図４（ｂ）
中右下に表示された水平方向の白色のスケール・バーは
１０μｍの長さを示すものなので、図４（ｂ）に示され
たエッチング処理後の内周面２１の凹凸の高低差は、明
らかに５μｍ以内に収まっている。したがって、本実施
例の試料の内周面２１に形成された吸着面積は極めて小
さく、貫通孔２０にガス等を吸着保持する能力は、ほと
んど無いに等しいと考えられる。
【００３４】（実施例１の陽極接合）前述の加工方法で
製造された有孔平板２は、図５に示すように、半導体セ
ンサ素子になるシリコン・ウエハ３に陽極接合された。
すなわち、有孔平板２は、金属蒸着膜が形成されたラッ
プ面２３を下にして、陰極をなすカーボン製ステージ１
の水平な上面に乗せられた。有孔平板２の上面をなす陽
極接合面２２には、半導体センサ素子になるウエハ３が
乗せられ、ウエハ３の上にはさらに、重錘を兼ねたステ
ンレス鋼製の上部電極４が乗せられた。上部電極４は、
その下面をウエハ３の上面に当接させて導通していた。
製造された有孔平板２は、図５に示すように、半導体セ
ンサ素子になるシリコン・ウエハ３に陽極接合された。
すなわち、有孔平板２は、金属蒸着膜が形成されたラッ
プ面２３を下にして、陰極をなすカーボン製ステージ１
の水平な上面に乗せられた。有孔平板２の上面をなす陽
極接合面２２には、半導体センサ素子になるウエハ３が
乗せられ、ウエハ３の上にはさらに、重錘を兼ねたステ
ンレス鋼製の上部電極４が乗せられた。上部電極４は、
その下面をウエハ３の上面に当接させて導通していた。
【００３５】上記のように積み重ねられたステージ１、
有孔平板２、ウエハ３および上部電極４は、真空チャン
バ（図示せず）内に挿置された。真空チャンバ内の圧力
は、５×１０-6〔Ｔｏｒｒ〕（≒７×１０-4〔Ｐａ〕）
まで引かれた上で、以下の陽極接合処理が行われた。な
お、貫通孔２０内の真空度が１〔Ｔｏｒｒ〕程度にまで
劣化すると、放電現象が頻発することが経験的に分かっ
ている。
有孔平板２、ウエハ３および上部電極４は、真空チャン
バ（図示せず）内に挿置された。真空チャンバ内の圧力
は、５×１０-6〔Ｔｏｒｒ〕（≒７×１０-4〔Ｐａ〕）
まで引かれた上で、以下の陽極接合処理が行われた。な
お、貫通孔２０内の真空度が１〔Ｔｏｒｒ〕程度にまで
劣化すると、放電現象が頻発することが経験的に分かっ
ている。
【００３６】ステージ１からは、直流電源５およびスイ
ッチ６が直列に連結された上部電極４へ至る直流回路が
形成され、スイッチ６が閉じられると、ステージ１を基
準として正の高電圧が上部電極に印加された。その際の
印加電圧は、１，０００〔Ｖ〕であり、１０分間に渡っ
て印加された。すると、互いに当接するシリコン・ウエ
ハ３の下面と、アルミナ・シリケート系ガラス製の有孔
平板２の上面（陽極接合面）２２との間に大きな電位差
が生じる。その結果、有孔平板２中の酸素のマイナス・
イオンが、ウエハ３へ移動してシリコンと結合し、両者
の当接面は陽極接合される。
ッチ６が直列に連結された上部電極４へ至る直流回路が
形成され、スイッチ６が閉じられると、ステージ１を基
準として正の高電圧が上部電極に印加された。その際の
印加電圧は、１，０００〔Ｖ〕であり、１０分間に渡っ
て印加された。すると、互いに当接するシリコン・ウエ
ハ３の下面と、アルミナ・シリケート系ガラス製の有孔
平板２の上面（陽極接合面）２２との間に大きな電位差
が生じる。その結果、有孔平板２中の酸素のマイナス・
イオンが、ウエハ３へ移動してシリコンと結合し、両者
の当接面は陽極接合される。
【００３７】シリコン・ウエハ３には、すでに半導体セ
ンサ素子となる凹部３０および同凹部中央に形成された
ダイヤフラム３１が、有孔平板２の各貫通孔２０と同軸
に形成されている。したがって、陽極接合されたウエハ
３および有孔平板２とを、各貫通孔２０を中心としたブ
ロックに切り離せば、半導体センサ素子と台座とが陽極
接合されたセンサ・ユニットが構成される。（切り離さ
ずに、センサ素子が平面上に分布した二次元センサ板、
または複数のセンサの統合ユニットとしての使用も可能
である。） このようにして、フッ酸によるエッチング処理が内周面
２１に施されて平滑化されている貫通孔２０が開口し、
半導体センサ素子のウエハ３が陽極接合されたアルミナ
・シリケート系ガラス製の半導体センサ用台座が製造さ
れた。
ンサ素子となる凹部３０および同凹部中央に形成された
ダイヤフラム３１が、有孔平板２の各貫通孔２０と同軸
に形成されている。したがって、陽極接合されたウエハ
３および有孔平板２とを、各貫通孔２０を中心としたブ
ロックに切り離せば、半導体センサ素子と台座とが陽極
接合されたセンサ・ユニットが構成される。（切り離さ
ずに、センサ素子が平面上に分布した二次元センサ板、
または複数のセンサの統合ユニットとしての使用も可能
である。） このようにして、フッ酸によるエッチング処理が内周面
２１に施されて平滑化されている貫通孔２０が開口し、
半導体センサ素子のウエハ３が陽極接合されたアルミナ
・シリケート系ガラス製の半導体センサ用台座が製造さ
れた。
【００３８】さて、上記陽極接合に際して、図６に示す
ように、エッチング処理の有無およびエッチング量の多
寡により、放電回数には顕著な差異が観測された。すな
わち、エッチング処理なしの従来技術による比較例（エ
ッチング量ゼロ）では、おおよそ１０回前後の放電が一
度の陽極接合毎に観測され、これに相当する個数のシリ
コン・ウエハ３のダイヤフラム３１等が破壊した。一
方、有孔平板２の貫通孔２０の内周面２１にエッチング
処理が施されている本実施例の場合には、陽極接合時の
放電回数が激減し、１０μｍ以上のエッチング量では、
放電現象はほとんど観測されていない。具体的には、エ
ッチング量が７〜８μｍ程度である場合には、まだ数回
の放電が観測されるが、エッチング量が１５μｍおよび
３０μｍの場合においては、放電現象はまったく観測さ
れなかった。
ように、エッチング処理の有無およびエッチング量の多
寡により、放電回数には顕著な差異が観測された。すな
わち、エッチング処理なしの従来技術による比較例（エ
ッチング量ゼロ）では、おおよそ１０回前後の放電が一
度の陽極接合毎に観測され、これに相当する個数のシリ
コン・ウエハ３のダイヤフラム３１等が破壊した。一
方、有孔平板２の貫通孔２０の内周面２１にエッチング
処理が施されている本実施例の場合には、陽極接合時の
放電回数が激減し、１０μｍ以上のエッチング量では、
放電現象はほとんど観測されていない。具体的には、エ
ッチング量が７〜８μｍ程度である場合には、まだ数回
の放電が観測されるが、エッチング量が１５μｍおよび
３０μｍの場合においては、放電現象はまったく観測さ
れなかった。
【００３９】これは、前述のように貫通孔２０の内周面
２１がエッチング処理されて平滑になり吸着面積が激減
したので、陽極接合の電圧印加時に貫通孔２０内の真空
度が高く保たれ、その結果、放電現象が起きにくくなっ
ているものと推察される。 （実施例１の効果）前述のように、アルミナ・シリケー
ト系ガラス製の有孔平板２にフッ酸によるエッチング処
理を施すことにより、高電圧での陽極接合時にも放電の
発生による不良率を低く押さえることができることが実
証された。特に、超音波ホーニングにより形成された貫
通孔２０の内周面にエッチング処理が施され、エッチン
グ量が１０μｍ以上に及ぶ場合には、ほとんど完全に放
電現象は抑制された。
２１がエッチング処理されて平滑になり吸着面積が激減
したので、陽極接合の電圧印加時に貫通孔２０内の真空
度が高く保たれ、その結果、放電現象が起きにくくなっ
ているものと推察される。 （実施例１の効果）前述のように、アルミナ・シリケー
ト系ガラス製の有孔平板２にフッ酸によるエッチング処
理を施すことにより、高電圧での陽極接合時にも放電の
発生による不良率を低く押さえることができることが実
証された。特に、超音波ホーニングにより形成された貫
通孔２０の内周面にエッチング処理が施され、エッチン
グ量が１０μｍ以上に及ぶ場合には、ほとんど完全に放
電現象は抑制された。
【００４０】その結果、本発明の実施によって、より高
い生産性と低廉な生産コストとが実現されるという効果
があることが分かった。また、本実施例では、アルミナ
・シリケート系ガラスから台座を形成する有孔平板２が
構成されているので、台座は、半導体センサ素子を形成
するシリコン・ウエハ３の材料の熱膨張係数と近い熱膨
張係数をもつ。
い生産性と低廉な生産コストとが実現されるという効果
があることが分かった。また、本実施例では、アルミナ
・シリケート系ガラスから台座を形成する有孔平板２が
構成されているので、台座は、半導体センサ素子を形成
するシリコン・ウエハ３の材料の熱膨張係数と近い熱膨
張係数をもつ。
【００４１】したがって、本実施例によれば、台座とこ
れに陽極接合される半導体センサ素子との間に発生する
熱応力が小さく、接合面付近に過大な応力がかかること
がない。その結果、製品の歩留り率が向上して製品価格
をさらに低廉にすることができるという効果もある。 〔実施例２〕本実施例の半導体センサ用台座およびその
加工方法では、台座の材料板としての有孔平板は、図７
に示すように、二層構造をしている。すなわち、同有孔
平板は、薄いガラス層２Ｇと、その一面に別途陽極接合
されたシリコン層２Ｓとからなる、二層構造の有孔平板
２Ｄで形成されている。
れに陽極接合される半導体センサ素子との間に発生する
熱応力が小さく、接合面付近に過大な応力がかかること
がない。その結果、製品の歩留り率が向上して製品価格
をさらに低廉にすることができるという効果もある。 〔実施例２〕本実施例の半導体センサ用台座およびその
加工方法では、台座の材料板としての有孔平板は、図７
に示すように、二層構造をしている。すなわち、同有孔
平板は、薄いガラス層２Ｇと、その一面に別途陽極接合
されたシリコン層２Ｓとからなる、二層構造の有孔平板
２Ｄで形成されている。
【００４２】ガラス層２Ｇは、板厚０．１５ｍｍのアル
ミナ・シリケート系ガラス製の板であり、シリコン層２
Ｓに背向する面は、鏡面仕上げされて陽極接合面２２を
形成している。一方、シリコン層２Ｓは、板厚２．０ｍ
ｍのシリコン単結晶から成るウエハである。したがっ
て、有孔平板２Ｄの板厚は、二層合わせて２．１５ｍｍ
である。
ミナ・シリケート系ガラス製の板であり、シリコン層２
Ｓに背向する面は、鏡面仕上げされて陽極接合面２２を
形成している。一方、シリコン層２Ｓは、板厚２．０ｍ
ｍのシリコン単結晶から成るウエハである。したがっ
て、有孔平板２Ｄの板厚は、二層合わせて２．１５ｍｍ
である。
【００４３】有孔平板２Ｄには、実施例１と同様に、超
音波ホーニングにより形成された貫通孔２０が、碁盤目
状に複数個配列されている。有孔平板２Ｄの貫通孔２０
に、実施例１と同様のエッチング処理を施すと、ガラス
層２Ｇに形成された内周面２１Ｇには、エッチングによ
る表面の除去により、平滑化された面が形成される。一
方、シリコン層２Ｓに形成された内周面２１Ｓには、も
ともとシリコン層２Ｓはシリコン単結晶であるので、微
細な凹凸やクラックが少なく、平滑な面が形成されてい
る。
音波ホーニングにより形成された貫通孔２０が、碁盤目
状に複数個配列されている。有孔平板２Ｄの貫通孔２０
に、実施例１と同様のエッチング処理を施すと、ガラス
層２Ｇに形成された内周面２１Ｇには、エッチングによ
る表面の除去により、平滑化された面が形成される。一
方、シリコン層２Ｓに形成された内周面２１Ｓには、も
ともとシリコン層２Ｓはシリコン単結晶であるので、微
細な凹凸やクラックが少なく、平滑な面が形成されてい
る。
【００４４】したがって、貫通孔２０を形成する内周面
２１Ｇおよび内周面２１Ｓには、吸着面積がわずかしか
存在せず、貫通孔２０でのガスの吸着および放出は少な
い。それゆえ、実施例１と同様に、半導体センサ素子を
形成するシリコン・ウエハ３（図５参照）と陽極接合さ
れる際に、貫通孔２０内の真空度が劣化して放電現象を
生じることがない。
２１Ｇおよび内周面２１Ｓには、吸着面積がわずかしか
存在せず、貫通孔２０でのガスの吸着および放出は少な
い。それゆえ、実施例１と同様に、半導体センサ素子を
形成するシリコン・ウエハ３（図５参照）と陽極接合さ
れる際に、貫通孔２０内の真空度が劣化して放電現象を
生じることがない。
【００４５】本実施例では前述の実施例１同様の効果に
加えて、次のような本実施例に特有な作用効果を生じ
る。すなわち、本実施例では、台座を形成する有孔平板
２Ｄは、ガラス層２Ｇおよびこれに陽極接合されたシリ
コン層２Ｓからなる複数層構造をしている。ガラス層２
Ｇは、半導体センサ素子と陽極接合されるための接合材
として作用するので、陽極接合できるだけの厚みがあれ
ば十分であり、極めて薄いガラス板で形成されうる。
加えて、次のような本実施例に特有な作用効果を生じ
る。すなわち、本実施例では、台座を形成する有孔平板
２Ｄは、ガラス層２Ｇおよびこれに陽極接合されたシリ
コン層２Ｓからなる複数層構造をしている。ガラス層２
Ｇは、半導体センサ素子と陽極接合されるための接合材
として作用するので、陽極接合できるだけの厚みがあれ
ば十分であり、極めて薄いガラス板で形成されうる。
【００４６】したがって、本実施例によれば、半導体セ
ンサ素子を形成するシリコン・ウエハ３と同じ熱膨張係
数をもつシリコン層２Ｓが、極めて薄いガラス層２Ｇを
介してシリコン・ウエハ３に陽極接合される。その際、
薄いガラス層２Ｇとその両面にそれぞれ陽極接合された
シリコン層２Ｓおよびシリコン・ウエハ３との間に発生
する熱応力は、極めて小さい。その結果、熱応力による
不具合が発生しにくく、製品の歩留り率がさらに向上す
るという効果がある。
ンサ素子を形成するシリコン・ウエハ３と同じ熱膨張係
数をもつシリコン層２Ｓが、極めて薄いガラス層２Ｇを
介してシリコン・ウエハ３に陽極接合される。その際、
薄いガラス層２Ｇとその両面にそれぞれ陽極接合された
シリコン層２Ｓおよびシリコン・ウエハ３との間に発生
する熱応力は、極めて小さい。その結果、熱応力による
不具合が発生しにくく、製品の歩留り率がさらに向上す
るという効果がある。
【００４７】なお、本実施例でも、半導体センサ素子は
シリコン系であることを前提において説明されている。
しかし、半導体センサ素子が他の素材（例えばゲルマニ
ウム等）からなる場合には、上記シリコン層に代えて半
導体センサ素子と同じ素材が使用されるものとする。も
しくは、半導体センサ素子の素材の熱膨張係数および接
合性に適合した材料で、複数層で形成された台座のうち
厚い一層が形成されていることが望ましい。
シリコン系であることを前提において説明されている。
しかし、半導体センサ素子が他の素材（例えばゲルマニ
ウム等）からなる場合には、上記シリコン層に代えて半
導体センサ素子と同じ素材が使用されるものとする。も
しくは、半導体センサ素子の素材の熱膨張係数および接
合性に適合した材料で、複数層で形成された台座のうち
厚い一層が形成されていることが望ましい。
【図１】 実施例１の有孔平板を形成する加工工程を示
す組図 （ａ）台座の素材となるガラス板の形状を示す断面図 （ｂ）ホーニング後の有孔平板の形状を示す断面図 （ｃ）片面鏡面仕上げ後の有孔平板の形状を示す断面図
す組図 （ａ）台座の素材となるガラス板の形状を示す断面図 （ｂ）ホーニング後の有孔平板の形状を示す断面図 （ｃ）片面鏡面仕上げ後の有孔平板の形状を示す断面図
【図２】 エッチング処理の方法を示す模式図
【図３】 貫通孔の内周面の状態を調べる試料の作成方
法を示す組図 （ａ）有孔平板から切り出された試験片を示す斜視図 （ｂ）貫通孔の軸長方向に半分に切断された試験片を示
す斜視図
法を示す組図 （ａ）有孔平板から切り出された試験片を示す斜視図 （ｂ）貫通孔の軸長方向に半分に切断された試験片を示
す斜視図
【図４】 エッチング処理の貫通孔の内周面に及ぼす影
響を示す組図 （ａ）エッチング処理なしの内周面の断面図 （ｂ）エッチング処理後の内周面の断面図
響を示す組図 （ａ）エッチング処理なしの内周面の断面図 （ｂ）エッチング処理後の内周面の断面図
【図５】 シリコン・ウエハと有孔平板との陽極接合方
法を示す模式図
法を示す模式図
【図６】 エッチング処理の効果を示すグラフ
【図７】 実施例２の二層構造の有孔平板の構成を示す
断面図
断面図
２，２’：有孔平板（台座の素材） ２”：ガラス板（アルミナ・シリケート系） ２Ｄ：二層構造のガラス板 ２Ｇ：ガラス層 ２
Ｓ：シリコン層 ２０：貫通孔 ２１：内周面（エッチング処理済） ２１’：内周面
（エッチングなし） ２２：陽極接合面 ３：シリコン・ウエハ（半導体センサ素子の素材）
３１：ダイヤフラム Ｅ：エッチング液（フッ酸）
Ｓ：シリコン層 ２０：貫通孔 ２１：内周面（エッチング処理済） ２１’：内周面
（エッチングなし） ２２：陽極接合面 ３：シリコン・ウエハ（半導体センサ素子の素材）
３１：ダイヤフラム Ｅ：エッチング液（フッ酸）
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 孝宗 千葉県船橋市行田一丁目50番地１号 岩 城硝子株式会社内 (72)発明者 川島 宏昭 千葉県船橋市行田一丁目50番地１号 岩 城硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−192325（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−63211（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−18837（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/308 H01L 29/84
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体センサ素子が陽極接合される表面
を形成するガラス製の表面部を有し、該表面に開口して
いる一端をもつ貫通孔が形成されている半導体センサ用
台座の加工方法であって、 第一に、半導体センサ用台座を形成する部材に貫通孔が
形成される貫通孔形成工程と、 第二に、該貫通孔を形成する内周面のうち少なくともガ
ラス製の部分をエッチング処理するエッチング工程と、 を順に有する半導体センサ用台座の加工方法であること
を特徴とし、 前記エッチング工程の後に、前記半導体センサ素子が前
記表面部に陽極接合される陽極接合工程がなされるべき
ことを特徴とする、 半導体センサ用台座の加工方法。 - 【請求項２】 前記エッチング工程では、前記台座の少
なくとも一部はフッ酸のエッチング液に浸される請求項
１記載の半導体センサ用台座の加工方法。 - 【請求項３】 前記エッチング処理により除去される前
記内周面のエッチング量は、１０μｍ以上である請求項
１記載の半導体センサ用台座の加工方法。
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| JP16416995A JP3319912B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
| US08/671,536 US5736061A (en) | 1995-06-29 | 1996-06-27 | Semiconductor element mount and producing method therefor |
| US08/947,384 US6077721A (en) | 1995-06-29 | 1997-10-08 | Method of producing an anodic bonded semiconductor sensor element |
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|---|---|---|---|
| JP16416995A JP3319912B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
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| JPH0917772A JPH0917772A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3319912B2 true JP3319912B2 (ja) | 2002-09-03 |
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ID=15788046
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| JP16416995A Expired - Lifetime JP3319912B2 (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
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| US7381630B2 (en) * | 2001-01-02 | 2008-06-03 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method for integrating MEMS device and interposer |
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| US6946314B2 (en) | 2001-01-02 | 2005-09-20 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material |
| DE10104868A1 (de) * | 2001-02-03 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
| KR100436760B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린터의 헤드 및 그 제조방법 |
| JP4002154B2 (ja) * | 2002-08-13 | 2007-10-31 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示素子の製造方法およびその装置 |
| EP1576650A4 (en) * | 2002-08-15 | 2011-06-15 | Draper Lab Charles S | METHOD OF MICRO-PRODUCING STRUCTURES USING SILICON-ON-ISOLATOR MATERIAL |
| DE10259366A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zur Nachbearbeitung eines Durchgangslochs eines Bauteils |
| DE102004006197B4 (de) * | 2003-07-04 | 2013-10-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Drucksensors |
| JP2008046078A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子およびその製造方法 |
| US8722189B2 (en) * | 2007-12-18 | 2014-05-13 | Hoya Corporation | Cover glass for mobile terminals, manufacturing method of the same and mobile terminal device |
| JP2011046581A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Seiko Instruments Inc | 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| RU2511282C1 (ru) * | 2012-10-31 | 2014-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ изготовления микроэлектромеханических структур и устройство для его осуществления |
| EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
| US10293436B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
| EP3166895B1 (en) | 2014-07-08 | 2021-11-24 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for laser processing materials |
| TWI659793B (zh) | 2014-07-14 | 2019-05-21 | 美商康寧公司 | 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法 |
| JP2017525155A (ja) * | 2014-07-30 | 2017-08-31 | コーニング インコーポレイテッド | 超音波槽及び一様ガラス基板エッチングのための方法 |
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-
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- 1995-06-29 JP JP16416995A patent/JP3319912B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-27 US US08/671,536 patent/US5736061A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-08 US US08/947,384 patent/US6077721A/en not_active Expired - Lifetime
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