JP3201875B2 - 陽極化成装置及び陽極化成法 - Google Patents
陽極化成装置及び陽極化成法Info
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- JP3201875B2 JP3201875B2 JP12207793A JP12207793A JP3201875B2 JP 3201875 B2 JP3201875 B2 JP 3201875B2 JP 12207793 A JP12207793 A JP 12207793A JP 12207793 A JP12207793 A JP 12207793A JP 3201875 B2 JP3201875 B2 JP 3201875B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の処理等に
用いられる陽極化成装置及び陽極化成法に関する。
用いられる陽極化成装置及び陽極化成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の処理等のため、化成
溶液中に半導体ウエハを浸し、電流を流すことにより、
化成処理を行なう陽極化成装置が用いられている。
溶液中に半導体ウエハを浸し、電流を流すことにより、
化成処理を行なう陽極化成装置が用いられている。
【０００３】図３は、特開昭６０−９４７３７号等に記
載されている、従来の陽極化成装置の構成を模式的に示
す図であり、同図において、１は化成処理されるウエハ
であり、２は化成溶液、３は化成槽、４、４’は電極で
ある。
載されている、従来の陽極化成装置の構成を模式的に示
す図であり、同図において、１は化成処理されるウエハ
であり、２は化成溶液、３は化成槽、４、４’は電極で
ある。
【０００４】図３に示すように、従来の陽極化成装置で
は、ウエハ１の両面を導電性の化成溶液２で満たす構造
になっていた。
は、ウエハ１の両面を導電性の化成溶液２で満たす構造
になっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では次のような欠点があった。 （１）化成するウエハの両側に導電性の液があるため、
ウエハのシール部にもれがあると化成電流がリークし、
リーク部の周辺のウエハの化成層の膜厚が他の部分に比
べ薄くなるという問題。 （２）ウエハが化成槽の一部になっているため、化成を
行ったウエハを取り出す場合、化成溶液を抜く必要があ
り、１枚のウエハを処理する時間が長くなるという問
題。
記従来例では次のような欠点があった。 （１）化成するウエハの両側に導電性の液があるため、
ウエハのシール部にもれがあると化成電流がリークし、
リーク部の周辺のウエハの化成層の膜厚が他の部分に比
べ薄くなるという問題。 （２）ウエハが化成槽の一部になっているため、化成を
行ったウエハを取り出す場合、化成溶液を抜く必要があ
り、１枚のウエハを処理する時間が長くなるという問
題。
【０００６】［発明の目的］本発明の目的は、化成溶液
の漏れによるウエハ化成層の変化を防止し、ウエハの取
り付け及び取り出し時に化成溶液を抜かなくてすむ陽極
化成装置を実現することにある。
の漏れによるウエハ化成層の変化を防止し、ウエハの取
り付け及び取り出し時に化成溶液を抜かなくてすむ陽極
化成装置を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従って本発明において
は、化成溶液中にウエハを浸し化成処理を行なう陽極化
成装置において、凹部を有する支持部材と該凹部に内設
される電極により構成される空間を用いて、前記ウエハ
の非処理面側であって、且つ該ウエハの周囲を吸引し、
前記非処理面に前記電極を接触させ、前記非処理面を前
記化成溶液から隔離することとする。本発明において
は、前記陽極化成装置において、前記電極と、前記化成
溶液中に保持される電極とが絶縁性物質により前記空間
内において電気的に分離されていることとする。 また、
本発明においては、前記ウエハと前記ウエハ支持部材及
び前記電極とで構成される前記化成溶液から隔離された
空間内が陰圧になるように前記吸引を行なうこととす
る。また、本発明においては、弾性部材により前記電極
を前記非処理面に押圧して接触させることとする。ま
た、本発明においては、前記ウエハ支持部材、及び前記
非処理面に接触する電極、及び前記電極に付随する部分
が、前記ウエハに接触する電極表面を除いて、全て前記
化成溶液に対して耐性のある材料で構成されていること
とする。また、本発明においては、前記ウエハ支持部材
は、前記ウエハの処理面側の外周部を押圧して支持しな
いこととする。また、本発明においては、前記ウエハ、
及び前記ウエハ支持部材、及び前記非処理面に接触する
電極は、化成槽から取り出し可能に設置されることとす
る。
は、化成溶液中にウエハを浸し化成処理を行なう陽極化
成装置において、凹部を有する支持部材と該凹部に内設
される電極により構成される空間を用いて、前記ウエハ
の非処理面側であって、且つ該ウエハの周囲を吸引し、
前記非処理面に前記電極を接触させ、前記非処理面を前
記化成溶液から隔離することとする。本発明において
は、前記陽極化成装置において、前記電極と、前記化成
溶液中に保持される電極とが絶縁性物質により前記空間
内において電気的に分離されていることとする。 また、
本発明においては、前記ウエハと前記ウエハ支持部材及
び前記電極とで構成される前記化成溶液から隔離された
空間内が陰圧になるように前記吸引を行なうこととす
る。また、本発明においては、弾性部材により前記電極
を前記非処理面に押圧して接触させることとする。ま
た、本発明においては、前記ウエハ支持部材、及び前記
非処理面に接触する電極、及び前記電極に付随する部分
が、前記ウエハに接触する電極表面を除いて、全て前記
化成溶液に対して耐性のある材料で構成されていること
とする。また、本発明においては、前記ウエハ支持部材
は、前記ウエハの処理面側の外周部を押圧して支持しな
いこととする。また、本発明においては、前記ウエハ、
及び前記ウエハ支持部材、及び前記非処理面に接触する
電極は、化成槽から取り出し可能に設置されることとす
る。
【０００８】また、本発明は、前記陽極化成装置を用い
て前記ウエハに陽極化成処理を施すこととする。
て前記ウエハに陽極化成処理を施すこととする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、化成すべきウエハの裏面と、
そこに直接接触する電極とを化成溶液から隔離して、化
成溶液中に支持できるため、化成溶液が電極に達するこ
とを防ぎ、ウエハ化成層の膜厚を安定して均一に形成す
ることが可能となる。
そこに直接接触する電極とを化成溶液から隔離して、化
成溶液中に支持できるため、化成溶液が電極に達するこ
とを防ぎ、ウエハ化成層の膜厚を安定して均一に形成す
ることが可能となる。
【００１０】また、本発明によれば、化成装置のウエハ
を保持し、電流を供給する部分をウエハが接する電極部
を除き、全て、表面を耐ＨＦ性の物質で形成することに
より、ウエハ、及びウエハ支持部材、及びウエハ接触電
極部を化成溶液中に取り出し可能に設置することがで
き、このため化成溶液を抜くことなしにウエハの取り付
け、取り外しが可能となり、処理時間の短縮ができる。
を保持し、電流を供給する部分をウエハが接する電極部
を除き、全て、表面を耐ＨＦ性の物質で形成することに
より、ウエハ、及びウエハ支持部材、及びウエハ接触電
極部を化成溶液中に取り出し可能に設置することがで
き、このため化成溶液を抜くことなしにウエハの取り付
け、取り外しが可能となり、処理時間の短縮ができる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の特徴を最もよく表わす図面
であり、同図に於いて１は化成すべきウエハ、２は化成
溶液であり、例えばＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１の比率で混合
されたものである。３は、化成溶液２を蓄えるための槽
であり、例えばテフロンで形成する。４は化成に用いる
Ｐｔ電極、５はウエハ１を支持し、かつ電極７を電気的
にウエハ１裏面に接触させるためのウエハ支持部材であ
る。
であり、同図に於いて１は化成すべきウエハ、２は化成
溶液であり、例えばＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：１の比率で混合
されたものである。３は、化成溶液２を蓄えるための槽
であり、例えばテフロンで形成する。４は化成に用いる
Ｐｔ電極、５はウエハ１を支持し、かつ電極７を電気的
にウエハ１裏面に接触させるためのウエハ支持部材であ
る。
【００１２】ウエハ支持部材５は、耐ＨＦ性の物質、例
えばテフロンで形成した本体６を有し、ウエハ支持部材
の本体６と電極７により構成される空間８は、外部の真
空ポンプ（図示せず）により陰圧に吸引され、この力に
よりウエハ１を吸引してを支持している。
えばテフロンで形成した本体６を有し、ウエハ支持部材
の本体６と電極７により構成される空間８は、外部の真
空ポンプ（図示せず）により陰圧に吸引され、この力に
よりウエハ１を吸引してを支持している。
【００１３】９は化成溶液２が空間８に侵入するのを防
ぎ、かつ空間８内の陰圧を保持するためのシール材であ
る。
ぎ、かつ空間８内の陰圧を保持するためのシール材であ
る。
【００１４】電極７の表面のうち空間８に面する部分１
０は、耐ＨＦ性の物質例えばテフロンで覆われている。
また１１は、電極７に電流を供給するための導線であ
り、その表面は同様にテフロンなどの耐ＨＦ性の物質で
被膜されており、また、若干の伸縮が可能な構造になっ
ている。このように陰圧になっている空間８の内面を全
て、耐ＨＦ性の物質で被膜することにより、万一、Ｏリ
ング等のシール材９とウエハ１の間から化成溶液が漏れ
入った場合にも電流がもれない構造となっており、か
つ、侵入した化成溶液は、空間８を経て速やかに陰圧に
より排出される。
０は、耐ＨＦ性の物質例えばテフロンで覆われている。
また１１は、電極７に電流を供給するための導線であ
り、その表面は同様にテフロンなどの耐ＨＦ性の物質で
被膜されており、また、若干の伸縮が可能な構造になっ
ている。このように陰圧になっている空間８の内面を全
て、耐ＨＦ性の物質で被膜することにより、万一、Ｏリ
ング等のシール材９とウエハ１の間から化成溶液が漏れ
入った場合にも電流がもれない構造となっており、か
つ、侵入した化成溶液は、空間８を経て速やかに陰圧に
より排出される。
【００１５】１２は電極７をウエハ１に密着させるため
の弾性部材としてのバネであり、耐ＨＦ性の物質で被膜
され、その反発力は陰圧によりウエハ１が空間８側に吸
引される力よりも弱い力にする必要がある。
の弾性部材としてのバネであり、耐ＨＦ性の物質で被膜
され、その反発力は陰圧によりウエハ１が空間８側に吸
引される力よりも弱い力にする必要がある。
【００１６】上述のように、電極７を直接ウエハ１の裏
面に直接接触させることにより、化成中に裏面から発生
する引火性のＨ2 などのガスの発生を抑制できる。
面に直接接触させることにより、化成中に裏面から発生
する引火性のＨ2 などのガスの発生を抑制できる。
【００１７】また、ウエハに密着する電極部分を除いて
は、全て、テフロンなどの耐ＨＦ性の物質で形成するこ
とにより、ウエハ及びウエハ支持部材及び電極全体を化
成槽３中に出し入れすることが容易にでき、化成を行っ
たウエハを取り出す場合でも化成溶液を抜く必要がなく
なり、１枚のウエハを処理する時間が短かくなる。
は、全て、テフロンなどの耐ＨＦ性の物質で形成するこ
とにより、ウエハ及びウエハ支持部材及び電極全体を化
成槽３中に出し入れすることが容易にでき、化成を行っ
たウエハを取り出す場合でも化成溶液を抜く必要がなく
なり、１枚のウエハを処理する時間が短かくなる。
【００１８】また同時に、ウエハシール部から化成溶液
が浸入した場合でも、電気的にＰｔ電極４と、ウエハ裏
面電極７はテフロンなどの耐ＨＦ性かつ絶縁性の物質に
より分離されているために、電流のリークによるリーク
部周辺のウエハ化成層の膜厚変化を防止でき、均一な厚
さのウエハ化成層が形成可能となる。 〔他の実施例〕図２は、本発明の他の実施例を示す断面
模式図であり、同様に陽極化成槽の内部を示すものであ
る。
が浸入した場合でも、電気的にＰｔ電極４と、ウエハ裏
面電極７はテフロンなどの耐ＨＦ性かつ絶縁性の物質に
より分離されているために、電流のリークによるリーク
部周辺のウエハ化成層の膜厚変化を防止でき、均一な厚
さのウエハ化成層が形成可能となる。 〔他の実施例〕図２は、本発明の他の実施例を示す断面
模式図であり、同様に陽極化成槽の内部を示すものであ
る。
【００１９】図２に於いて、１は化成すべきウエハ、２
は化成溶液であり例えばＨＦ：Ｈ2Ｏ：１：１の比率で
混合されたものである。３は化成溶液２を蓄えるための
化成槽であり、例えばテフロンで形成されている。４は
化成に用いるＰｔ電極、５はウエハ１を支持し、かつ電
極７を電気的にウエハに接触させるためのウエハ支持部
材である。ウエハ支持部材５は耐ＨＦ性の物質、例えば
テフロンで形成した本体６と、電極７を支持する部分と
からなり、また７はウエハに電流を供給するための電極
である。１３は、化成溶液２がウエハ支持部材５に侵入
するのを防ぐためのシール材であり、１４は万一、化成
溶液がウエハ支持部材５の内部に侵入した場合にも電極
７に化成溶液が達し、電流がリークすることを防ぐため
のシール材である。
は化成溶液であり例えばＨＦ：Ｈ2Ｏ：１：１の比率で
混合されたものである。３は化成溶液２を蓄えるための
化成槽であり、例えばテフロンで形成されている。４は
化成に用いるＰｔ電極、５はウエハ１を支持し、かつ電
極７を電気的にウエハに接触させるためのウエハ支持部
材である。ウエハ支持部材５は耐ＨＦ性の物質、例えば
テフロンで形成した本体６と、電極７を支持する部分と
からなり、また７はウエハに電流を供給するための電極
である。１３は、化成溶液２がウエハ支持部材５に侵入
するのを防ぐためのシール材であり、１４は万一、化成
溶液がウエハ支持部材５の内部に侵入した場合にも電極
７に化成溶液が達し、電流がリークすることを防ぐため
のシール材である。
【００２０】電極７の表面のうちウエハ１に接する部分
を除く部位１０は全て耐ＨＦ性の物質、例えばテフロン
で構成されている。１１は電極７に電流を供給するため
の導線、１５は電極７と本体６とを密着させ、シール性
を向上させるための締め具としてのねじであり、テフロ
ン等の耐ＨＦ性の物質で形成されている。
を除く部位１０は全て耐ＨＦ性の物質、例えばテフロン
で構成されている。１１は電極７に電流を供給するため
の導線、１５は電極７と本体６とを密着させ、シール性
を向上させるための締め具としてのねじであり、テフロ
ン等の耐ＨＦ性の物質で形成されている。
【００２１】このような化成装置を作成することによ
り、図１で前述したことと同様の効果が期待できる。
り、図１で前述したことと同様の効果が期待できる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
化成すべきウエハの裏面とそこに接触する電極とを化成
溶液から隔離して化成溶液中に支持することにより、化
成溶液が電極に達することを妨げ、ウエハ化成層の膜厚
を安定して均一に形成できる効果がある。
化成すべきウエハの裏面とそこに接触する電極とを化成
溶液から隔離して化成溶液中に支持することにより、化
成溶液が電極に達することを妨げ、ウエハ化成層の膜厚
を安定して均一に形成できる効果がある。
【００２３】また、ウエハ、及びウエハ支持部材、及び
ウエハに直接電流を供給する電極部が化成溶液中に自由
に出し入れ可能となるため、化成溶液を抜くことなしに
ウエハの取り付け、取り外しが可能となり、処理時間の
短縮、化成溶液の節減ができる効果がある。
ウエハに直接電流を供給する電極部が化成溶液中に自由
に出し入れ可能となるため、化成溶液を抜くことなしに
ウエハの取り付け、取り外しが可能となり、処理時間の
短縮、化成溶液の節減ができる効果がある。
【図１】本発明を実施した陽極化成装置の断面模式図。
【図２】本発明を実施した他の陽極化成装置の断面模式
図。
図。
【図３】従来例の陽極化成装置の断面模式図。
１ 化成処理されるウエハ ２ 化成溶液 ３ 化成槽 ４ 電極 ５ ウエハ支持部材 ６ ウエハ支持部材の本体 ７ ウエハに接触する電極 ８ 空間 ９ シール材 １０ 耐化成溶液性を有する被覆材 １１ 耐化成溶液性を有する材質で被覆された導線 １２ 耐化成溶液性を有する材質で被覆されたバネ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/3063,21/308
Claims (8)
- 【請求項１】 化成溶液中にウエハを浸し化成処理を行
なう陽極化成装置において、凹部を有する支持部材と該
凹部に内設される電極により構成される空間を用いて、
前記ウエハの非処理面側であって、且つ該ウエハの周囲
を吸引し、前記非処理面に前記電極を接触させ、前記非
処理面を前記化成溶液から隔離することを特徴とする陽
極化成装置。 - 【請求項２】 前記陽極化成装置において、前記電極
と、前記化成溶液中に保持される電極とが絶縁性物質に
より前記空間内において電気的に分離されていることを
特徴とする請求項１に記載の陽極化成装置。 - 【請求項３】 前記ウエハと前記ウエハ支持部材及び前
記電極とで構成される前記化成溶液から隔離された空間
内が陰圧になるように前記吸引を行なうことを特徴とす
る請求項１に記載の陽極化成装置。 - 【請求項４】 弾性部材により前記電極を前記非処理面
に押圧して接触させることを特徴とする請求項１に記載
の陽極化成装置。 - 【請求項５】 前記ウエハ支持部材、及び前記非処理面
に接触する電極、及び前記電極に付随する部分が、前記
ウエハに接触する電極表面を除いて、全て前記化成溶液
に対して耐性のある材料で構成されていることを特徴と
する請求項１に記載の陽極化成装置。 - 【請求項６】 前記ウエハ支持部材は、前記ウエハの処
理面側の外周部を押圧して支持しないことを特徴とする
請求項１〜５のいずれかに記載の陽極化成装置。 - 【請求項７】 前記ウエハ、及び前記ウエハ支持部材、
及び前記非処理面に接触する電極は、化成槽から取り出
し可能に設置されることを特徴とする請求項１に記載の
陽極化成装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の陽極化成装置を用いて
前記ウエハに陽極化成処理を施すことを特徴とする陽極
化成法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12207793A JP3201875B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
| US08/148,341 US5458755A (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| EP93118093A EP0597428B1 (en) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
| DE69312636T DE69312636T2 (de) | 1992-11-09 | 1993-11-08 | Anodisierungsapparat mit einer Trägervorrichtung für das zu behandelnde Substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12207793A JP3201875B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310488A JPH06310488A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3201875B2 true JP3201875B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=14827089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12207793A Expired - Lifetime JP3201875B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-04-27 | 陽極化成装置及び陽極化成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201875B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376258B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2003-02-10 | キヤノン株式会社 | 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法 |
| JP3413090B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 陽極化成装置及び陽極化成処理方法 |
| DE102018111858A1 (de) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | Nexwafe Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht eines Werkstücks |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP12207793A patent/JP3201875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06310488A (ja) | 1994-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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