JP3376258B2 - 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法 - Google Patents
陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板ホルダ、陽極
化成装置、半導体処理システム並びに基板の処理または
製造方法に係り、特に、陽極化成処理を施す基板を保持
する基板ホルダ及び該ホルダを含む陽極化成装置、半導
体処理システム並びに基板の処理または製造方法に関す
る。
化成装置、半導体処理システム並びに基板の処理または
製造方法に係り、特に、陽極化成処理を施す基板を保持
する基板ホルダ及び該ホルダを含む陽極化成装置、半導
体処理システム並びに基板の処理または製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】多孔質シリコンは、A.Uhlir及びD.R.Tur
nerにより、弗化水素酸（以下ではＨＦと略記する）の
水溶液中において正電位にバイアスされた単結晶シリコ
ンの電解研磨の研究過程において発見された。その後、
多孔質シリコンの反応性に富む性質を利用して、シリコ
ン集積回路の製造工程において厚い絶縁物の形成が必要
な素子間分離工程に応用する検討が為され、多孔質シリ
コン酸化膜による完全分離技術（ＦＩＰＯＳ：Full Iso
lationby Porous Oxidized Silicon）などが開発された
(K.Imai,Solid State Electron 24,159,1981)。
nerにより、弗化水素酸（以下ではＨＦと略記する）の
水溶液中において正電位にバイアスされた単結晶シリコ
ンの電解研磨の研究過程において発見された。その後、
多孔質シリコンの反応性に富む性質を利用して、シリコ
ン集積回路の製造工程において厚い絶縁物の形成が必要
な素子間分離工程に応用する検討が為され、多孔質シリ
コン酸化膜による完全分離技術（ＦＩＰＯＳ：Full Iso
lationby Porous Oxidized Silicon）などが開発された
(K.Imai,Solid State Electron 24,159,1981)。
【０００３】また、最近では多孔質シリコン基板上に成
長させたシリコンエピタキシャル層を、酸化膜を介して
非晶質基板上や単結晶シリコン基板上に貼り合わせる直
接接合技術などへの応用技術が開発された（特開平５−
２１３３８号）。その他の応用例として、多孔質シリコ
ンそのものが発光する所謂フォトルミネッセンスやエレ
クトロルミネッセンス材料としても注目されている（特
開平６−３３８６３１号）。
長させたシリコンエピタキシャル層を、酸化膜を介して
非晶質基板上や単結晶シリコン基板上に貼り合わせる直
接接合技術などへの応用技術が開発された（特開平５−
２１３３８号）。その他の応用例として、多孔質シリコ
ンそのものが発光する所謂フォトルミネッセンスやエレ
クトロルミネッセンス材料としても注目されている（特
開平６−３３８６３１号）。
【０００４】図１７は、シリコン基板に陽極化成処理を
施して多孔質シリコンを製造する装置の構成を示す図で
ある。この装置は、シリコン基板１７０１の裏面を金属
電極１７０２に密着させ、シリコン基板１７０１の表面
の外周部分をＯリング１７０４等でシールするようにし
て陽極化成槽１７０５をシリコン基板１７０１上に配置
してなる。槽内には、ＨＦ溶液１７０３が満たされ、シ
リコン基板１７０１に対向するようにして対向電極１７
０６が配置されている。この対向電極１７０６をマイナ
ス電極とし、金属電極１７０２をプラス電極として直流
電圧を印加することにより、シリコン基板１７０１が化
成処理される。
施して多孔質シリコンを製造する装置の構成を示す図で
ある。この装置は、シリコン基板１７０１の裏面を金属
電極１７０２に密着させ、シリコン基板１７０１の表面
の外周部分をＯリング１７０４等でシールするようにし
て陽極化成槽１７０５をシリコン基板１７０１上に配置
してなる。槽内には、ＨＦ溶液１７０３が満たされ、シ
リコン基板１７０１に対向するようにして対向電極１７
０６が配置されている。この対向電極１７０６をマイナ
ス電極とし、金属電極１７０２をプラス電極として直流
電圧を印加することにより、シリコン基板１７０１が化
成処理される。
【０００５】この方式には大きな欠点が２つある。１つ
の欠点は、シリコン基板１７０１の裏面が直接金属に接
触しているために、シリコン基板１７０１が金属で汚染
されることである。そして、もう１つの欠点は、シリコ
ン基板１７０１の表面の化成される領域が、ＨＦ溶液に
接触している部分だけであり、Ｏリング１７０４の内側
にしか多孔質シリコンが形成されないということであ
る。
の欠点は、シリコン基板１７０１の裏面が直接金属に接
触しているために、シリコン基板１７０１が金属で汚染
されることである。そして、もう１つの欠点は、シリコ
ン基板１７０１の表面の化成される領域が、ＨＦ溶液に
接触している部分だけであり、Ｏリング１７０４の内側
にしか多孔質シリコンが形成されないということであ
る。
【０００６】図１８は、上記の問題点を解決すべく開発
された陽極化成装置（特開昭６０−９４７３７号）の構
成を示す図である。この陽極化成装置は、シリコン基板
１８０１を挟むようにして、耐ＨＦ性のテフロン製の陽
極化成槽１８０２ａ及び１８０２ｂを配置してなる（テ
フロンは、米国ｄｕ Ｐｏｎｔ社の商品名）。そして、
陽極化成槽１８０２ａ、１８０２ｂには、夫々白金電極
１８０３ａ、１８０３ｂが設けられている。
された陽極化成装置（特開昭６０−９４７３７号）の構
成を示す図である。この陽極化成装置は、シリコン基板
１８０１を挟むようにして、耐ＨＦ性のテフロン製の陽
極化成槽１８０２ａ及び１８０２ｂを配置してなる（テ
フロンは、米国ｄｕ Ｐｏｎｔ社の商品名）。そして、
陽極化成槽１８０２ａ、１８０２ｂには、夫々白金電極
１８０３ａ、１８０３ｂが設けられている。
【０００７】陽極化成槽１８０２ａ、１８０２ｂは、シ
リコン基板１８０１と接する側壁部に溝を有し、この溝
に夫々フッ素ゴム製のＯリング１８０４ａ、１８０４ｂ
がはめ込まれている。そして、陽極化成槽１８０２ａ、
１８０２ｂとシリコン基板１８０１とは、このＯリング
１８０４ａ、１８０４ｂにより夫々シールされている。
このようにして夫々シールされた陽極化成槽１８０２
ａ、１８０２ｂには、夫々ＨＦ溶液１８０５ａ、１８０
５ｂが満たされている。
リコン基板１８０１と接する側壁部に溝を有し、この溝
に夫々フッ素ゴム製のＯリング１８０４ａ、１８０４ｂ
がはめ込まれている。そして、陽極化成槽１８０２ａ、
１８０２ｂとシリコン基板１８０１とは、このＯリング
１８０４ａ、１８０４ｂにより夫々シールされている。
このようにして夫々シールされた陽極化成槽１８０２
ａ、１８０２ｂには、夫々ＨＦ溶液１８０５ａ、１８０
５ｂが満たされている。
【０００８】この陽極化成槽では、シリコン基板が直接
金属電極に接触しないため、金属電極によりシリコン基
板が汚染される可能性が小さい。しかしながら、化成処
理を施すシリコン基板は、その表面及び裏面をＯリング
によってシールされるために、依然としてシリコン基板
の表面の周辺領域に未化成部分が残るという問題があ
る。また、処理すべきシリコン基板そのものが化成槽に
直接組み込まれて一体化する構造であるため、シリコン
基板の交換作業が迅速にできないという問題点がある。
金属電極に接触しないため、金属電極によりシリコン基
板が汚染される可能性が小さい。しかしながら、化成処
理を施すシリコン基板は、その表面及び裏面をＯリング
によってシールされるために、依然としてシリコン基板
の表面の周辺領域に未化成部分が残るという問題があ
る。また、処理すべきシリコン基板そのものが化成槽に
直接組み込まれて一体化する構造であるため、シリコン
基板の交換作業が迅速にできないという問題点がある。
【０００９】この問題点に鑑みて、シリコン基板をその
周辺（ベベリング）領域で支持する陽極化成装置が開発
された（特開平５−１９８５５６号）。この陽極化成装
置に拠れば、金属電極からの汚染を防止できると共に基
板表面の全領域を化成処理できる。また、この陽極化成
装置は、処理するウェハをホルダに固定し、このホルダ
を化成槽に固定するという２段のプロセスでウェハを化
成槽内に固定するため、ウェハを直接化成槽に固定して
ウェハが化成槽の一部をなす従来の装置よりも操作性が
格段に向上している。
周辺（ベベリング）領域で支持する陽極化成装置が開発
された（特開平５−１９８５５６号）。この陽極化成装
置に拠れば、金属電極からの汚染を防止できると共に基
板表面の全領域を化成処理できる。また、この陽極化成
装置は、処理するウェハをホルダに固定し、このホルダ
を化成槽に固定するという２段のプロセスでウェハを化
成槽内に固定するため、ウェハを直接化成槽に固定して
ウェハが化成槽の一部をなす従来の装置よりも操作性が
格段に向上している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平５−１９
８５５６号に記載の陽極化成装置は、金属汚染が殆ど発
生せず、かつ基板表面の全領域を化成処理することがで
きる極めて実用性が高い装置である。しかし、より生産
性の高い陽極化成装置が望まれるところである。例え
ば、支持する基板の径（例えば、インチサイズ）や形状
（例えば、オリエンテーション・フラット、ノッチ等）
が異なる多数の種類の基板を処理する必要がある場合
に、特開平５−１９８５５６号に記載の陽極化成装置で
は、各基板に合わせて専用のホルダを用意する必要があ
った。
８５５６号に記載の陽極化成装置は、金属汚染が殆ど発
生せず、かつ基板表面の全領域を化成処理することがで
きる極めて実用性が高い装置である。しかし、より生産
性の高い陽極化成装置が望まれるところである。例え
ば、支持する基板の径（例えば、インチサイズ）や形状
（例えば、オリエンテーション・フラット、ノッチ等）
が異なる多数の種類の基板を処理する必要がある場合
に、特開平５−１９８５５６号に記載の陽極化成装置で
は、各基板に合わせて専用のホルダを用意する必要があ
った。
【００１１】また、基板をホルダに組み込む場合は、先
ず、ウェハの中心がシール面の中心に一致するように
し、かつオリエンテーション・フラット等の特殊形状部
分をホルダの対応部分に合わせ、次いで、シール面をウ
ェハの周辺に押し当ててウェハを固定する必要がある。
ウェハを固定するためには相応の押し当て圧力が必要と
なるので、例えばネジなどが使用される。
ず、ウェハの中心がシール面の中心に一致するように
し、かつオリエンテーション・フラット等の特殊形状部
分をホルダの対応部分に合わせ、次いで、シール面をウ
ェハの周辺に押し当ててウェハを固定する必要がある。
ウェハを固定するためには相応の押し当て圧力が必要と
なるので、例えばネジなどが使用される。
【００１２】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、基板の支持方法を改善して陽極化成処理の効
率化を図ることを目的とする。
のであり、基板の支持方法を改善して陽極化成処理の効
率化を図ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの実施の形
態に係る陽極化成装置は、電解質溶液中で基板に陽極化
成処理を施す陽極化成装置において、対向する一対の電
極と、基板の片面の一部を吸着して前記一対の電極の間
に保持する保持部とを備えることを特徴とする。
態に係る陽極化成装置は、電解質溶液中で基板に陽極化
成処理を施す陽極化成装置において、対向する一対の電
極と、基板の片面の一部を吸着して前記一対の電極の間
に保持する保持部とを備えることを特徴とする。
【００１４】前記陽極化成装置において、前記保持部の
本体は、保持した基板の裏面に電解質溶液を接触させる
ための穴を有することが好ましい。前記陽極化成装置に
おいて 前記保持部は基板を吸着するための略円環状の
吸着材を有し、該吸着部は保持すべき基板の外周部の内
側に沿うように配置されていることが好ましい。
本体は、保持した基板の裏面に電解質溶液を接触させる
ための穴を有することが好ましい。前記陽極化成装置に
おいて 前記保持部は基板を吸着するための略円環状の
吸着材を有し、該吸着部は保持すべき基板の外周部の内
側に沿うように配置されていることが好ましい。
【００１５】前記陽極化成装置において、前記吸着部
は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟まれ
る空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有す
ることが好ましい。前記陽極化成装置において、前記吸
着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッド
の谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔と
を有することが好ましい。
は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟まれ
る空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有す
ることが好ましい。前記陽極化成装置において、前記吸
着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッド
の谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔と
を有することが好ましい。
【００１６】前記陽極化成装置において、前記吸着部
は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、そ
の面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着パ
ッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、そ
の面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着パ
ッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
【００１７】前記陽極化成装置において、前記吸着部
は、保持する基板の表面側の電解質溶液が該基板の裏面
に回り込むことを防止するように該基板と密着すること
が好ましい。前記陽極化成装置は、前記保持部を複数備
えることが好ましい。また、本発明の１つの実施の形態
に係る基板ホルダは、電解質溶液中で陽極化成処理を施
す基板を保持するための基板ホルダにおいて、本体に、
基板の片面の一部を吸着する吸着部と、保持した基板の
裏面に電解質溶液を接触させるための穴とを設けたこと
を特徴とする。
は、保持する基板の表面側の電解質溶液が該基板の裏面
に回り込むことを防止するように該基板と密着すること
が好ましい。前記陽極化成装置は、前記保持部を複数備
えることが好ましい。また、本発明の１つの実施の形態
に係る基板ホルダは、電解質溶液中で陽極化成処理を施
す基板を保持するための基板ホルダにおいて、本体に、
基板の片面の一部を吸着する吸着部と、保持した基板の
裏面に電解質溶液を接触させるための穴とを設けたこと
を特徴とする。
【００１８】前記基板ホルダにおいて、前記吸着部は、
保持した基板の外周部の内側に沿うように配置されてい
ることが好ましい。前記陽極化成装置において、前記吸
着部は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟
まれる空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを
有することが好ましい。
保持した基板の外周部の内側に沿うように配置されてい
ることが好ましい。前記陽極化成装置において、前記吸
着部は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟
まれる空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを
有することが好ましい。
【００１９】前記陽極化成装置において、前記吸着部
は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッ
ドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッ
ドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
【００２０】前記陽極化成装置において、前記吸着部
は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、その面内
に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着パッドの
溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、保持する基板の表面側の電解質溶液が該基板
の裏面に回り込むことを防止するように該基板と密着す
ることが好ましい。
は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、その面内
に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着パッドの
溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
吸着部は、保持する基板の表面側の電解質溶液が該基板
の裏面に回り込むことを防止するように該基板と密着す
ることが好ましい。
【００２１】また、本発明の１つの実施の形態に係る陽
極化成システムは、前記陽極化成装置と、陽極化成処理
を施した基板を洗浄する洗浄装置と、洗浄した基板を乾
燥させる乾燥装置と、各装置間で基板を搬送する搬送装
置とを備えることを特徴とする。前記陽極化成システム
において、前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取る受
取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び前記
受取部は、略直線上に配置されていることが好ましい。
極化成システムは、前記陽極化成装置と、陽極化成処理
を施した基板を洗浄する洗浄装置と、洗浄した基板を乾
燥させる乾燥装置と、各装置間で基板を搬送する搬送装
置とを備えることを特徴とする。前記陽極化成システム
において、前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取る受
取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び前記
受取部は、略直線上に配置されていることが好ましい。
【００２２】前記陽極化成システムにおいて、前記乾燥
装置は、洗浄した基板を受け取る受取部を有し、前記陽
極化成装置、前記洗浄装置及び前記受取部は、略直線上
に配置され、前記搬送装置は、前記直線に対して垂直方
向に前記基板の面が沿う状態で前記基板を搬送すること
が好ましい。前記陽極化成システムにおいて、前記搬送
装置は、前記陽極化成装置から前記洗浄装置に前記基板
を搬送する第１の搬送ロボットと、前記洗浄装置から前
記乾燥装置の受取部に、前記基板を収容したキャリアを
搬送する第２のロボットとを有することが好ましい。
装置は、洗浄した基板を受け取る受取部を有し、前記陽
極化成装置、前記洗浄装置及び前記受取部は、略直線上
に配置され、前記搬送装置は、前記直線に対して垂直方
向に前記基板の面が沿う状態で前記基板を搬送すること
が好ましい。前記陽極化成システムにおいて、前記搬送
装置は、前記陽極化成装置から前記洗浄装置に前記基板
を搬送する第１の搬送ロボットと、前記洗浄装置から前
記乾燥装置の受取部に、前記基板を収容したキャリアを
搬送する第２のロボットとを有することが好ましい。
【００２３】前記陽極化成システムにおいて、前記第１
の搬送ロボットと第２の搬送ロボットは、それぞれ前記
基板若しくは前記キャリアを搬送するための駆動軸とし
て、前記基板若しくは前記キャリアを各装置の上方に移
動させるための第１の駆動軸と、前記基板若しくは前記
キャリアを前記直線上を移動させるための第２の駆動軸
のみを有することが好ましい。
の搬送ロボットと第２の搬送ロボットは、それぞれ前記
基板若しくは前記キャリアを搬送するための駆動軸とし
て、前記基板若しくは前記キャリアを各装置の上方に移
動させるための第１の駆動軸と、前記基板若しくは前記
キャリアを前記直線上を移動させるための第２の駆動軸
のみを有することが好ましい。
【００２４】前記陽極化成システムは、前記陽極化成装
置内の電解質溶液を清浄化するフィルタ装置をさらに備
えることが好ましい。前記陽極化成システムにおいて、
前記フィルタ装置は、電解質溶液を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された電解質溶液を前記陽極化成装置
内に供給し、前記陽極化成装置から溢れた電解質溶液を
前記タンクに戻す循環機構とを有することが好ましい。
置内の電解質溶液を清浄化するフィルタ装置をさらに備
えることが好ましい。前記陽極化成システムにおいて、
前記フィルタ装置は、電解質溶液を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された電解質溶液を前記陽極化成装置
内に供給し、前記陽極化成装置から溢れた電解質溶液を
前記タンクに戻す循環機構とを有することが好ましい。
【００２５】また、本発明の１つの実施の形態に係る半
導体処理システムは、半導体基板に処理を施す半導体処
理システムにおいて、前記半導体基板を洗浄するための
洗浄装置と、この洗浄装置によって洗浄された半導体基
板を乾燥させるための乾燥装置と、前記洗浄の前工程か
ら前記洗浄装置に前記半導体基板を搬送すると共に、前
記洗浄装置から前記乾燥装置に半導体基板を搬送する搬
送装置とを有し、前記乾燥装置は、洗浄した半導体基板
を受け取る受取部を有し、前記洗浄装置及び前記受取部
は、略直線上に配置され、前記搬送装置は、前記直線に
対して垂直方向に前記半導体基板の面が沿う状態で前記
半導体基板を搬送することを特徴とする。
導体処理システムは、半導体基板に処理を施す半導体処
理システムにおいて、前記半導体基板を洗浄するための
洗浄装置と、この洗浄装置によって洗浄された半導体基
板を乾燥させるための乾燥装置と、前記洗浄の前工程か
ら前記洗浄装置に前記半導体基板を搬送すると共に、前
記洗浄装置から前記乾燥装置に半導体基板を搬送する搬
送装置とを有し、前記乾燥装置は、洗浄した半導体基板
を受け取る受取部を有し、前記洗浄装置及び前記受取部
は、略直線上に配置され、前記搬送装置は、前記直線に
対して垂直方向に前記半導体基板の面が沿う状態で前記
半導体基板を搬送することを特徴とする。
【００２６】前記半導体処理システムにおいて、前記搬
送装置は、前記半導体基板を前記洗浄装置に搬送する第
１の搬送ロボットと、キャリアに収容した状態で前記半
導体基板を前記乾燥装置の受取部に搬送する第２のロボ
ットとを有することが好ましい。前記半導体処理システ
ムにおいて、前記第１の搬送ロボットと第２の搬送ロボ
ットは、それぞれ前記半導体基板若しくは前記キャリア
を搬送するための駆動軸として、前記半導体基板若しく
は前記キャリアを各装置の上方に移動させるための第１
の駆動軸と、前記半導体基板若しくは前記キャリアを前
記直線上を移動させるための第２の駆動軸のみを有する
ことが好ましい。
送装置は、前記半導体基板を前記洗浄装置に搬送する第
１の搬送ロボットと、キャリアに収容した状態で前記半
導体基板を前記乾燥装置の受取部に搬送する第２のロボ
ットとを有することが好ましい。前記半導体処理システ
ムにおいて、前記第１の搬送ロボットと第２の搬送ロボ
ットは、それぞれ前記半導体基板若しくは前記キャリア
を搬送するための駆動軸として、前記半導体基板若しく
は前記キャリアを各装置の上方に移動させるための第１
の駆動軸と、前記半導体基板若しくは前記キャリアを前
記直線上を移動させるための第２の駆動軸のみを有する
ことが好ましい。
【００２７】また、本発明の１つの実施の形態に係る基
板製造方法は、基板の片面の一部を吸着して対向する一
対の電極の間に保持し、電解質溶液を満たした状態で該
一対の電極の間に電圧を印加して前記基板に陽極化成処
理を施すことを特徴とする。本発明の１つの実施の形態
に係る陽極化成装置は、電解質溶液中で基板に陽極化成
処理を施す陽極化成装置において、対向する一対の電極
と、基板の片面を吸着して前記一対の電極の間に保持す
る保持部とを備え、前記保持部は、基板を吸着するため
の略円環状の吸着部であって互いに大きさを異にする吸
着部を複数有することを特徴とする。
板製造方法は、基板の片面の一部を吸着して対向する一
対の電極の間に保持し、電解質溶液を満たした状態で該
一対の電極の間に電圧を印加して前記基板に陽極化成処
理を施すことを特徴とする。本発明の１つの実施の形態
に係る陽極化成装置は、電解質溶液中で基板に陽極化成
処理を施す陽極化成装置において、対向する一対の電極
と、基板の片面を吸着して前記一対の電極の間に保持す
る保持部とを備え、前記保持部は、基板を吸着するため
の略円環状の吸着部であって互いに大きさを異にする吸
着部を複数有することを特徴とする。
【００２８】前記陽極化成装置において、前記保持部の
本体は略円形状の穴を有し、前記穴は前記本体表面と裏
面との間に少なくとも１つの略円環状の中間面を有し、
前記本体表面及び前記少なくとも１つの中間面は階段形
状をなすように配され、前記本体表面及び前記少なくと
も１つの中間面は夫々互いに大きさを異にする前記吸着
部を有することが好ましい。
本体は略円形状の穴を有し、前記穴は前記本体表面と裏
面との間に少なくとも１つの略円環状の中間面を有し、
前記本体表面及び前記少なくとも１つの中間面は階段形
状をなすように配され、前記本体表面及び前記少なくと
も１つの中間面は夫々互いに大きさを異にする前記吸着
部を有することが好ましい。
【００２９】前記陽極化成装置において、前記の各吸着
部は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟ま
れる空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
の各吸着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着
パッドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸
引孔とを有することが好ましい。
部は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟ま
れる空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記陽極化成装置において、前記
の各吸着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着
パッドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸
引孔とを有することが好ましい。
【００３０】前記陽極化成装置において、前記の各吸着
部は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの
谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを
有することが好ましい。前記陽極化成装置において、前
記の各吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦
で、その面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該
吸着パッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための
吸着孔とを有することが好ましい。
部は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの
谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを
有することが好ましい。前記陽極化成装置において、前
記の各吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦
で、その面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該
吸着パッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための
吸着孔とを有することが好ましい。
【００３１】前記陽極化成装置は、前記保持部を複数備
えることが好ましい。前記陽極化成装置は、前記の各吸
着部による基板の吸着動作を個別に制御するための制御
部をさらに備えることが好ましい。前記陽極化成装置に
おいて、前記本体表面及び前記少なくとも１つの中間面
がなす階段形状の段差は、少なくとも５ｍｍであること
が好ましい。
えることが好ましい。前記陽極化成装置は、前記の各吸
着部による基板の吸着動作を個別に制御するための制御
部をさらに備えることが好ましい。前記陽極化成装置に
おいて、前記本体表面及び前記少なくとも１つの中間面
がなす階段形状の段差は、少なくとも５ｍｍであること
が好ましい。
【００３２】本発明の１つの実施の形態に係る基板ホル
ダは、電解質溶液中で陽極化成処理を施す基板を保持す
るための基板ホルダであって、本体に基板を吸着するた
めの略円環状の吸着部を複数備え、該吸着部は互いに大
きさを異にすることを特徴とする。前記基板ホルダにお
いて、前記本体は略円形状の穴を有し、前記穴は前記本
体の表面と裏面との間に少なくとも１つの略円環状の中
間面を有し、前記本体表面及び前記少なくとも１つの中
間面は階段形状をなすように配され、前記本体表面及び
前記少なくとも１つの中間面は夫々互いに大きさを異に
する前記吸着部を有することが好ましい。
ダは、電解質溶液中で陽極化成処理を施す基板を保持す
るための基板ホルダであって、本体に基板を吸着するた
めの略円環状の吸着部を複数備え、該吸着部は互いに大
きさを異にすることを特徴とする。前記基板ホルダにお
いて、前記本体は略円形状の穴を有し、前記穴は前記本
体の表面と裏面との間に少なくとも１つの略円環状の中
間面を有し、前記本体表面及び前記少なくとも１つの中
間面は階段形状をなすように配され、前記本体表面及び
前記少なくとも１つの中間面は夫々互いに大きさを異に
する前記吸着部を有することが好ましい。
【００３３】前記基板ホルダにおいて、前記の各吸着部
は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟まれ
る空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有す
ることが好ましい。前記基板ホルダにおいて、前記の各
吸着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッ
ドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
は、二重のＯリングと、該二重のＯリングにより挟まれ
る空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有す
ることが好ましい。前記基板ホルダにおいて、前記の各
吸着部は、断面形状が凹型の吸着パッドと、該吸着パッ
ドの谷部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔
とを有することが好ましい。
【００３４】前記基板ホルダにおいて、前記の各吸着部
は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記基板ホルダにおいて、前記の
各吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、
その面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着
パッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸着
孔とを有することが好ましい。
は、断面形状がＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷
部の空間を減圧して基板を吸着するための吸引孔とを有
することが好ましい。前記基板ホルダにおいて、前記の
各吸着部は、保持する基板の裏面との接触部が平坦で、
その面内に略円環状の溝を有する吸着パッドと、該吸着
パッドの溝の空間を減圧して基板を吸着するための吸着
孔とを有することが好ましい。
【００３５】前記基板ホルダにおいて、前記本体表面及
び前記少なくとも１つの中間面がなす階段形状の段差
は、少なくとも５ｍｍであることが好ましい。本発明の
１つの実施の形態に係る多孔質基板の製造方法は、前記
陽極化成装置により基板に陽極化成処理を施すことを特
徴とする。本発明の１つの実施の形態に係る陽極化成シ
ステムは、前記陽極化成装置と、陽極化成処理を施した
基板を洗浄する洗浄装置と、洗浄した基板を乾燥させる
乾燥装置と、各装置間で基板を搬送する搬送装置とを備
えることを特徴とする。
び前記少なくとも１つの中間面がなす階段形状の段差
は、少なくとも５ｍｍであることが好ましい。本発明の
１つの実施の形態に係る多孔質基板の製造方法は、前記
陽極化成装置により基板に陽極化成処理を施すことを特
徴とする。本発明の１つの実施の形態に係る陽極化成シ
ステムは、前記陽極化成装置と、陽極化成処理を施した
基板を洗浄する洗浄装置と、洗浄した基板を乾燥させる
乾燥装置と、各装置間で基板を搬送する搬送装置とを備
えることを特徴とする。
【００３６】前記陽極化成システムにおいて、前記乾燥
装置は、洗浄した基板を受け取る受取部を有し、前記陽
極化成装置、前記洗浄装置及び前記受取部は、略直線上
に配置されていることが好ましい。前記陽極化成システ
ムにおいて、前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取る
受取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び前
記受取部は、略直線上に配置され、前記搬送装置は、前
記直線に対して垂直方向に前記基板の面が沿う状態で前
記基板を搬送することが好ましい。
装置は、洗浄した基板を受け取る受取部を有し、前記陽
極化成装置、前記洗浄装置及び前記受取部は、略直線上
に配置されていることが好ましい。前記陽極化成システ
ムにおいて、前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取る
受取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び前
記受取部は、略直線上に配置され、前記搬送装置は、前
記直線に対して垂直方向に前記基板の面が沿う状態で前
記基板を搬送することが好ましい。
【００３７】前記陽極化成システムにおいて、前記搬送
装置は、前記陽極化成装置から前記洗浄装置に前記基板
を搬送する第１のロボットと、前記洗浄装置から前記乾
燥装置の受取部に、前記基板を収容したキャリアを搬送
する第２のロボットとを有することが好ましい。前記陽
極化成システムにおいて、前記第１のロボットと第２の
ロボットは、それぞれ前記基板若しくは前記キャリアを
搬送するための駆動軸として、前記基板若しくは前記キ
ャリアを各装置の上方に移動させるための第１の駆動軸
と、前記基板若しくは前記キャリアを前記直線上を移動
させるための第２の駆動軸のみを有することが好まし
い。
装置は、前記陽極化成装置から前記洗浄装置に前記基板
を搬送する第１のロボットと、前記洗浄装置から前記乾
燥装置の受取部に、前記基板を収容したキャリアを搬送
する第２のロボットとを有することが好ましい。前記陽
極化成システムにおいて、前記第１のロボットと第２の
ロボットは、それぞれ前記基板若しくは前記キャリアを
搬送するための駆動軸として、前記基板若しくは前記キ
ャリアを各装置の上方に移動させるための第１の駆動軸
と、前記基板若しくは前記キャリアを前記直線上を移動
させるための第２の駆動軸のみを有することが好まし
い。
【００３８】上記の陽極化成装置は、基板に陽極化成処
理を施して多孔質層を有する基板を製造するのに好適で
ある。本発明の１つの実施の形態に係る基板は、基板の
片面の一部を吸着して対向する一対の電極の間に保持
し、電解質溶液を満たした状態で該一対の電極の間に電
圧を印加して前記基板に陽極化成処理を施して得られる
多孔質層を有することを特徴とする。
理を施して多孔質層を有する基板を製造するのに好適で
ある。本発明の１つの実施の形態に係る基板は、基板の
片面の一部を吸着して対向する一対の電極の間に保持
し、電解質溶液を満たした状態で該一対の電極の間に電
圧を印加して前記基板に陽極化成処理を施して得られる
多孔質層を有することを特徴とする。
【００３９】本発明の１つの実施の形態に係る半導体基
板を製造する方法は、２枚の基板を使用して半導体基板
を製造する方法であって、半導体基板の片面の一部を吸
着して対向する一対の電極の間に保持し、電解質溶液を
満たした状態で該一対の電極の間に電圧を印加して前記
半導体基板に陽極化成処理を施して、その片面に多孔質
層を形成する工程と、前記半導体基板の多孔質層上に単
結晶シリコン層を形成する工程と、前記半導体基板の前
記単結晶シリコン層側に他の基板を貼り合わせる工程
と、貼り合せた両基板を前記多孔質層において分離する
工程とを含むことを特徴とする。
板を製造する方法は、２枚の基板を使用して半導体基板
を製造する方法であって、半導体基板の片面の一部を吸
着して対向する一対の電極の間に保持し、電解質溶液を
満たした状態で該一対の電極の間に電圧を印加して前記
半導体基板に陽極化成処理を施して、その片面に多孔質
層を形成する工程と、前記半導体基板の多孔質層上に単
結晶シリコン層を形成する工程と、前記半導体基板の前
記単結晶シリコン層側に他の基板を貼り合わせる工程
と、貼り合せた両基板を前記多孔質層において分離する
工程とを含むことを特徴とする。
【００４０】本発明の１つの実施の形態に係る基板製造
方法は、多孔質層を有する基板を製造する基板製造方法
であって、基板を電解質溶液が満たされた陽極化成槽に
浸漬し、該基板の片面の一部を吸着部材に吸着させて一
対の電極の間に保持する工程と、前記一対の電極の間に
電圧を印加して前記基板に陽極化成処理を施して、その
片面に多孔質層を形成する工程と、多孔質層が形成され
た基板を前記陽極化成槽から取り出して洗浄槽に浸漬
し、該基板を洗浄する工程と、洗浄が完了した基板を前
記洗浄槽から取り出して乾燥装置に搬送し、該基板を乾
燥させる工程とを含むことを特徴とする。
方法は、多孔質層を有する基板を製造する基板製造方法
であって、基板を電解質溶液が満たされた陽極化成槽に
浸漬し、該基板の片面の一部を吸着部材に吸着させて一
対の電極の間に保持する工程と、前記一対の電極の間に
電圧を印加して前記基板に陽極化成処理を施して、その
片面に多孔質層を形成する工程と、多孔質層が形成され
た基板を前記陽極化成槽から取り出して洗浄槽に浸漬
し、該基板を洗浄する工程と、洗浄が完了した基板を前
記洗浄槽から取り出して乾燥装置に搬送し、該基板を乾
燥させる工程とを含むことを特徴とする。
【００４１】前記基板製造方法において、前記陽極化成
槽と、前記洗浄槽と、前記乾燥装置とを上方から見て略
直上に配置し、これにより、前記陽極化成槽から前記洗
浄槽への基板の搬送経路と、前記洗浄槽から前記乾燥装
置への基板の搬送経路とが上方から見て略直線をなすよ
うに基板を搬送することが好ましい。前記基板製造方法
において、基板を乾燥させた後に該基板を前記乾燥装置
からアンローダに搬送する工程を更に含み、前記洗浄槽
から前記乾燥装置への基板の搬送と、前記乾燥装置から
アンローダへの基板の搬送とを同一のロボットで行うこ
とが好ましい。
槽と、前記洗浄槽と、前記乾燥装置とを上方から見て略
直上に配置し、これにより、前記陽極化成槽から前記洗
浄槽への基板の搬送経路と、前記洗浄槽から前記乾燥装
置への基板の搬送経路とが上方から見て略直線をなすよ
うに基板を搬送することが好ましい。前記基板製造方法
において、基板を乾燥させた後に該基板を前記乾燥装置
からアンローダに搬送する工程を更に含み、前記洗浄槽
から前記乾燥装置への基板の搬送と、前記乾燥装置から
アンローダへの基板の搬送とを同一のロボットで行うこ
とが好ましい。
【００４２】前記基板製造方法において、前記ロボット
が前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送した後であ
って前記乾燥装置から前記アンローダに基板を搬送する
前に、前記ロボットを乾燥させる工程を更に含むことが
好ましい。前記基板製造方法において、前記ロボットを
乾燥させる工程を前記直線上で行うことが好ましい。
が前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送した後であ
って前記乾燥装置から前記アンローダに基板を搬送する
前に、前記ロボットを乾燥させる工程を更に含むことが
好ましい。前記基板製造方法において、前記ロボットを
乾燥させる工程を前記直線上で行うことが好ましい。
【００４３】本発明の１つの実施の形態に係る基板処理
方法は、基板を化学的な処理液が満たされた処理槽に浸
漬し、該基板に化学的な処理を施す工程と、化学的な処
理が施された基板を前記処理槽から取り出して洗浄槽に
浸漬し、該基板を洗浄する工程と、洗浄が完了した基板
を前記洗浄槽から取り出して乾燥装置に搬送し、該基板
を乾燥させる工程とを含み、前記処理槽と、前記洗浄槽
と、前記乾燥装置とを上方から見て略直線上に配置し、
これにより、前記処理槽から前記洗浄槽への基板の搬送
経路と、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送経
路とが上方から見て略直線をなすようにし、かつ、基板
の面が該直線に直交する方向を向いた状態で該基板を搬
送することを特徴とする。
方法は、基板を化学的な処理液が満たされた処理槽に浸
漬し、該基板に化学的な処理を施す工程と、化学的な処
理が施された基板を前記処理槽から取り出して洗浄槽に
浸漬し、該基板を洗浄する工程と、洗浄が完了した基板
を前記洗浄槽から取り出して乾燥装置に搬送し、該基板
を乾燥させる工程とを含み、前記処理槽と、前記洗浄槽
と、前記乾燥装置とを上方から見て略直線上に配置し、
これにより、前記処理槽から前記洗浄槽への基板の搬送
経路と、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送経
路とが上方から見て略直線をなすようにし、かつ、基板
の面が該直線に直交する方向を向いた状態で該基板を搬
送することを特徴とする。
【００４４】前記基板処理方法において、基板を乾燥さ
せた後に該基板を前記乾燥装置からアンローダに搬送す
る工程を更に含み、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基
板の搬送と、前記乾燥装置からアンローダへの基板の搬
送とを同一のロボットで行うことが好ましい。前記基板
処理方法において、前記ロボットが前記洗浄槽から前記
乾燥装置に基板を搬送した後であって前記乾燥装置から
前記アンローダに基板を搬送する前に、前記ロボットを
乾燥させる工程を更に含むことが好ましい。
せた後に該基板を前記乾燥装置からアンローダに搬送す
る工程を更に含み、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基
板の搬送と、前記乾燥装置からアンローダへの基板の搬
送とを同一のロボットで行うことが好ましい。前記基板
処理方法において、前記ロボットが前記洗浄槽から前記
乾燥装置に基板を搬送した後であって前記乾燥装置から
前記アンローダに基板を搬送する前に、前記ロボットを
乾燥させる工程を更に含むことが好ましい。
【００４５】本発明の１つの実施の形態に係る基板処理
システムは、基板に化学的な処理を施すための処理槽
と、前記処理槽により化学的な処理が施された基板を洗
浄する洗浄槽と、前記洗浄槽により洗浄された基板を乾
燥させる乾燥装置と、前記処理槽から前記洗浄槽に基板
を搬送すると共に前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を
搬送する搬送装置とを備え、前記処理槽と、前記洗浄槽
と、前記乾燥装置とが上方から見て略直線上に配置さ
れ、前記搬送装置は、基板の面が該直線に直交する方向
を向いた状態で該基板を搬送することを特徴とする。
システムは、基板に化学的な処理を施すための処理槽
と、前記処理槽により化学的な処理が施された基板を洗
浄する洗浄槽と、前記洗浄槽により洗浄された基板を乾
燥させる乾燥装置と、前記処理槽から前記洗浄槽に基板
を搬送すると共に前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を
搬送する搬送装置とを備え、前記処理槽と、前記洗浄槽
と、前記乾燥装置とが上方から見て略直線上に配置さ
れ、前記搬送装置は、基板の面が該直線に直交する方向
を向いた状態で該基板を搬送することを特徴とする。
【００４６】前記基板処理システムにおいて、前記搬送
装置は、前記処理装置から前記洗浄槽に基板を搬送する
第１の搬送ロボットと、前記洗浄槽から前記乾燥装置に
基板を搬送すると共に前記乾燥装置からアンローダに基
板を搬送する第２の搬送ロボットとを有することが好ま
しい。前記基板処理装置において、前記第２の搬送ロボ
ットが前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送した後
であって前記乾燥装置から前記アンローダに基板を搬送
する前に、前記第２の搬送ロボットを乾燥させるための
第２の乾燥装置を更に備えることが好ましい。
装置は、前記処理装置から前記洗浄槽に基板を搬送する
第１の搬送ロボットと、前記洗浄槽から前記乾燥装置に
基板を搬送すると共に前記乾燥装置からアンローダに基
板を搬送する第２の搬送ロボットとを有することが好ま
しい。前記基板処理装置において、前記第２の搬送ロボ
ットが前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送した後
であって前記乾燥装置から前記アンローダに基板を搬送
する前に、前記第２の搬送ロボットを乾燥させるための
第２の乾燥装置を更に備えることが好ましい。
【００４７】
【発明の実施の形態】陽極化成反応によるシリコン基板
の多孔質化、すなわち、細孔の形成処理は、例えばＨＦ
溶液中で行われる。この処理には、シリコン結晶中の正
孔の存在が不可欠であることが知られており、その反応
のメカニズムは次のように推定される。
の多孔質化、すなわち、細孔の形成処理は、例えばＨＦ
溶液中で行われる。この処理には、シリコン結晶中の正
孔の存在が不可欠であることが知られており、その反応
のメカニズムは次のように推定される。
【００４８】先ず、ＨＦ溶液中で電界を与えられたシリ
コン基板内の正孔がマイナス電極側の表面に誘起され
る。その結果、表面の未結合手を補償する形で存在して
いるＳi−Ｈ結合の密度が増加する。このときマイナス
電極側のＨＦ溶液中のＦイオンがＳi−Ｈ結合に対して
求核攻撃を行ってＳi−Ｆ結合を形成する。この反応に
よりＨ2分子が発生すると同時にプラス電極側に１個の
電子が放出される。Ｓi−Ｆ結合の分極特性のために表
面近傍のＳi−Ｓi結合が弱くなる。この弱いＳｉ−Ｓｉ
結合はＨＦ或いはＨ2Ｏに攻撃され、結晶表面のＳｉ原
子はＳiＦ4となって結晶表面から離脱する。その結果、
結晶表面に窪みが発生し、この部分に正孔を優先的に引
き寄せる電場の分布（電界集中）が生じ、この表面異質
性が拡大してシリコン原子の蝕刻が電界に沿って連続的
に進行する。なお、陽極化成処理に使用する溶液は、Ｈ
Ｆ溶液に限らず、他の電解質溶液であっても良い。
コン基板内の正孔がマイナス電極側の表面に誘起され
る。その結果、表面の未結合手を補償する形で存在して
いるＳi−Ｈ結合の密度が増加する。このときマイナス
電極側のＨＦ溶液中のＦイオンがＳi−Ｈ結合に対して
求核攻撃を行ってＳi−Ｆ結合を形成する。この反応に
よりＨ2分子が発生すると同時にプラス電極側に１個の
電子が放出される。Ｓi−Ｆ結合の分極特性のために表
面近傍のＳi−Ｓi結合が弱くなる。この弱いＳｉ−Ｓｉ
結合はＨＦ或いはＨ2Ｏに攻撃され、結晶表面のＳｉ原
子はＳiＦ4となって結晶表面から離脱する。その結果、
結晶表面に窪みが発生し、この部分に正孔を優先的に引
き寄せる電場の分布（電界集中）が生じ、この表面異質
性が拡大してシリコン原子の蝕刻が電界に沿って連続的
に進行する。なお、陽極化成処理に使用する溶液は、Ｈ
Ｆ溶液に限らず、他の電解質溶液であっても良い。
【００４９】本発明の好適な実施の形態に係る陽極化成
装置は、陽極化成反応面（基板の表面）における電界の
方向を阻害しないように、基板をその裏面から支持す
る。また、この陽極化成装置は、基板の表面の全領域が
陽極化成されるような方法で基板を支持する。また、こ
の陽極化成装置は、基板の裏面を真空吸着して支持する
機構を有するため、基板の支持のための動作の単純化に
寄与する。
装置は、陽極化成反応面（基板の表面）における電界の
方向を阻害しないように、基板をその裏面から支持す
る。また、この陽極化成装置は、基板の表面の全領域が
陽極化成されるような方法で基板を支持する。また、こ
の陽極化成装置は、基板の裏面を真空吸着して支持する
機構を有するため、基板の支持のための動作の単純化に
寄与する。
【００５０】［第１の実施の形態］図１は、本発明の１
つの実施の形態に係る陽極化成装置の概略構成を示す断
面図である。１０１はシリコン基板（例えばウェハ）で
ある。一般には、陽極化成のためには正孔の存在が重要
であるため、Ｐ型のシリコン基板が好適であるが、Ｎ型
のシリコン基板であっても光を照射するなどして正孔の
生成を促進することにより使用することができる。
つの実施の形態に係る陽極化成装置の概略構成を示す断
面図である。１０１はシリコン基板（例えばウェハ）で
ある。一般には、陽極化成のためには正孔の存在が重要
であるため、Ｐ型のシリコン基板が好適であるが、Ｎ型
のシリコン基板であっても光を照射するなどして正孔の
生成を促進することにより使用することができる。
【００５１】１０２は、シリコン基板を支持するための
ホルダであり、耐ＨＦ性の材質である四フッ化エチレン
樹脂（商品名：テフロン）などにより構成される。ホル
ダ１０２には、支持すべきシリコン基板の直径よりも小
さい径の円形若しくは円形に近い形状（以下、円形状と
いうときは円形に近い形状を含むものとする）の開口部
１０３が設けられている。
ホルダであり、耐ＨＦ性の材質である四フッ化エチレン
樹脂（商品名：テフロン）などにより構成される。ホル
ダ１０２には、支持すべきシリコン基板の直径よりも小
さい径の円形若しくは円形に近い形状（以下、円形状と
いうときは円形に近い形状を含むものとする）の開口部
１０３が設けられている。
【００５２】ホルダ１０２の一方の面には、シリコン基
板１０１を吸着するための吸着機構が設けられている。
この吸着機構としては種々の形態が考えられる。この吸
着機構として、ホルダ１０２の開口部１０３に沿って二
重の溝を設け、この二重の溝の夫々にＯリング１０４を
はめ込み、２つのＯリング１０４の間の空間を減圧ライ
ン１０５を介してポンプ１１１により減圧することによ
ってシリコン基板１０１を吸着し保持する機構が好適で
ある。
板１０１を吸着するための吸着機構が設けられている。
この吸着機構としては種々の形態が考えられる。この吸
着機構として、ホルダ１０２の開口部１０３に沿って二
重の溝を設け、この二重の溝の夫々にＯリング１０４を
はめ込み、２つのＯリング１０４の間の空間を減圧ライ
ン１０５を介してポンプ１１１により減圧することによ
ってシリコン基板１０１を吸着し保持する機構が好適で
ある。
【００５３】また、他の吸着機構として、断面が凹型、
Ｕ型その他の形状を有する吸着パッドを開口部１０３に
沿って円環状に配置し、この吸着パッドの開口部（例え
ば、凹型形状の谷の部分）とシリコン基板１０１により
形成される空洞部分をポンプ１１１により減圧すること
によりシリコン基板１０１を吸着する機構が好適であ
る。
Ｕ型その他の形状を有する吸着パッドを開口部１０３に
沿って円環状に配置し、この吸着パッドの開口部（例え
ば、凹型形状の谷の部分）とシリコン基板１０１により
形成される空洞部分をポンプ１１１により減圧すること
によりシリコン基板１０１を吸着する機構が好適であ
る。
【００５４】また、更に他の吸着機構として、ホルダ１
０２の吸着面側に溝を設け、この溝をポンプ１１１によ
り減圧することによりシリコン基板１０１を吸着する機
構が好適である。この場合、ホルダ１０２の材質が固く
変形しにくいものであると、吸着面を通してＨＦ溶液１
０７がシリコン基板１０１の表面側と裏面側との間でリ
ークし易くなる。そこで、ホルダ１０２のうち、少なく
ともシリコン基板１０１と接触する部分を耐ＨＦ性のゴ
ム等で形成することが好ましい。勿論、ホルダ１０２の
全体またはその表面全体を耐ＨＦ性のゴム等で形成して
も良い。
０２の吸着面側に溝を設け、この溝をポンプ１１１によ
り減圧することによりシリコン基板１０１を吸着する機
構が好適である。この場合、ホルダ１０２の材質が固く
変形しにくいものであると、吸着面を通してＨＦ溶液１
０７がシリコン基板１０１の表面側と裏面側との間でリ
ークし易くなる。そこで、ホルダ１０２のうち、少なく
ともシリコン基板１０１と接触する部分を耐ＨＦ性のゴ
ム等で形成することが好ましい。勿論、ホルダ１０２の
全体またはその表面全体を耐ＨＦ性のゴム等で形成して
も良い。
【００５５】ところで、シリコン基板１０１の表面側と
裏面側とは、上記の如き吸着機構により完全に分離され
ることが好ましいが、本発明の１つの実施の形態は、必
ずしも完全な分離を要求しない。例えば、シリコン基板
１０１を１または数箇所で支持し、シリコン基板とホル
ダとが完全にシールされない吸着機構であっても良い。
裏面側とは、上記の如き吸着機構により完全に分離され
ることが好ましいが、本発明の１つの実施の形態は、必
ずしも完全な分離を要求しない。例えば、シリコン基板
１０１を１または数箇所で支持し、シリコン基板とホル
ダとが完全にシールされない吸着機構であっても良い。
【００５６】開口部１０３の形状は、シリコン基板１０
１の裏面がＨＦ溶液と接触する部分の形状と略一致する
が、この開口部１０３の大きさは、ある程度シリコン基
板１０１より小さくても良い。例えば、シリコン基板１
０１の直径に対して約６０ｍｍ小さい開口径、すなわ
ち、シリコン基板１０１がＨＦ溶液１０７と接触しない
領域がシリコン基板１０１のエッジから約３０ｍｍとな
る開口径であっても、シリコン基板１０１が化成される
厚みは、その中心部からエッジまで略一定となることを
本発明者等は確認している。
１の裏面がＨＦ溶液と接触する部分の形状と略一致する
が、この開口部１０３の大きさは、ある程度シリコン基
板１０１より小さくても良い。例えば、シリコン基板１
０１の直径に対して約６０ｍｍ小さい開口径、すなわ
ち、シリコン基板１０１がＨＦ溶液１０７と接触しない
領域がシリコン基板１０１のエッジから約３０ｍｍとな
る開口径であっても、シリコン基板１０１が化成される
厚みは、その中心部からエッジまで略一定となることを
本発明者等は確認している。
【００５７】したがって、例えば、開口部１０３の径が
９０ｍｍのホルダ１０２であれば、直径が１００ｍｍ
（４インチ）、１２５ｍｍ（５インチ）、１５０ｍｍ
（６インチ）のシリコン基板のいずれをも取り扱うこと
ができ、化成処理した結果物の分布は全ての直径のシリ
コン基板において良好であり、その品質も同等になる。
なお、６インチを越えるウェハ、すなわち、８、１２イ
ンチ等のウェハに対しても、上記条件の下に開口部１０
３の径を設定することで対応可能である。
９０ｍｍのホルダ１０２であれば、直径が１００ｍｍ
（４インチ）、１２５ｍｍ（５インチ）、１５０ｍｍ
（６インチ）のシリコン基板のいずれをも取り扱うこと
ができ、化成処理した結果物の分布は全ての直径のシリ
コン基板において良好であり、その品質も同等になる。
なお、６インチを越えるウェハ、すなわち、８、１２イ
ンチ等のウェハに対しても、上記条件の下に開口部１０
３の径を設定することで対応可能である。
【００５８】なお、シリコン基板の直径に対してホルダ
１０２の開口部１０３の開口径が６０ｍｍ以上小さくな
ると、徐々にシリコン基板の周辺部における多孔質のシ
リコン膜に好ましくない分布が発生する。しかし、陽極
化成の後のプロセスのマージンによっては更に小口径の
開口部のホルダであっても使用可能である。シリコン基
板１０１の直径と開口部１０３の直径の差がどこまで許
容されるかは、シリコン基板の不純物濃度（比抵抗）や
電極とシリコン基板との距離などのパラメータにも依存
する。
１０２の開口部１０３の開口径が６０ｍｍ以上小さくな
ると、徐々にシリコン基板の周辺部における多孔質のシ
リコン膜に好ましくない分布が発生する。しかし、陽極
化成の後のプロセスのマージンによっては更に小口径の
開口部のホルダであっても使用可能である。シリコン基
板１０１の直径と開口部１０３の直径の差がどこまで許
容されるかは、シリコン基板の不純物濃度（比抵抗）や
電極とシリコン基板との距離などのパラメータにも依存
する。
【００５９】他の構成要素を説明すると、１０６ａはマ
イナス電極、１０６ｂはプラス電極であり、夫々化学的
に安定な白金材料で形成することが好ましい。１０７は
ＨＦ溶液である。ＨＦ溶液には、反応生成物であるＨ2
等の気泡をシリコン基板表面から直ちに除去するため
に、必要に応じてエタノール等のアルコールを混入して
も良い。図中の矢印１０９は、電界の方向を示してい
る。１１０は、化成処理されたシリコン基板１０１の断
面を拡大したものであり、シリコン基板表面から多孔質
化が進んでいる様子を示している。
イナス電極、１０６ｂはプラス電極であり、夫々化学的
に安定な白金材料で形成することが好ましい。１０７は
ＨＦ溶液である。ＨＦ溶液には、反応生成物であるＨ2
等の気泡をシリコン基板表面から直ちに除去するため
に、必要に応じてエタノール等のアルコールを混入して
も良い。図中の矢印１０９は、電界の方向を示してい
る。１１０は、化成処理されたシリコン基板１０１の断
面を拡大したものであり、シリコン基板表面から多孔質
化が進んでいる様子を示している。
【００６０】本発明の好適な実施の形態に拠れば、基板
の保持機構を改善することにより、大量生産向きの陽極
化成装置を得ることができる。例えば、処理する基板を
ホルダに固定するには、基板の裏面をホルダの吸着面に
押し当てて吸着させれば良い。また、例えば、ホルダの
吸着機構の径を基板の径より十分に小さくすることによ
って、吸着すべき基板のオリエンテーション・フラット
の位置を制限することがなくなり、また、基板の中心位
置がホルダの中心位置から若干外れても良くなる。ま
た、基板を保持する動作が簡略化されるため、陽極化成
処理の自動化が容易になる。
の保持機構を改善することにより、大量生産向きの陽極
化成装置を得ることができる。例えば、処理する基板を
ホルダに固定するには、基板の裏面をホルダの吸着面に
押し当てて吸着させれば良い。また、例えば、ホルダの
吸着機構の径を基板の径より十分に小さくすることによ
って、吸着すべき基板のオリエンテーション・フラット
の位置を制限することがなくなり、また、基板の中心位
置がホルダの中心位置から若干外れても良くなる。ま
た、基板を保持する動作が簡略化されるため、陽極化成
処理の自動化が容易になる。
【００６１】以下に、本実施の形態の好適な構成例を列
挙して説明する。
挙して説明する。
【００６２】
【第１の構成例】図２Ａは、本実施の形態の第１の構成
例に係るホルダの正面図、図２Ｂは、図２Ａに示すホル
ダを縦方向に切断した断面図である。２０１は、化成処
理を施す５インチのシリコン基板である。２０２は、四
フッ化エチレン樹脂（商品名：テフロン）製のホルダー
であり、中心に直径９０ｍｍの開口部２０３が設けられ
ている。そして、開口部２０３の縁に沿って円形状の二
重の溝が形成されており、夫々の溝にはフッ素樹脂系で
あるパーフルオロエチレン製のＯリング２０４ａ，２０
４ｂがはめ込まれている。外側のＯリング２０４ａの内
径は１１７ｍｍ、内側のＯリング２０４ｂの内径は１０
８ｍｍであり、各Ｏリング断面の直径は共に２．５ｍｍ
である。
例に係るホルダの正面図、図２Ｂは、図２Ａに示すホル
ダを縦方向に切断した断面図である。２０１は、化成処
理を施す５インチのシリコン基板である。２０２は、四
フッ化エチレン樹脂（商品名：テフロン）製のホルダー
であり、中心に直径９０ｍｍの開口部２０３が設けられ
ている。そして、開口部２０３の縁に沿って円形状の二
重の溝が形成されており、夫々の溝にはフッ素樹脂系で
あるパーフルオロエチレン製のＯリング２０４ａ，２０
４ｂがはめ込まれている。外側のＯリング２０４ａの内
径は１１７ｍｍ、内側のＯリング２０４ｂの内径は１０
８ｍｍであり、各Ｏリング断面の直径は共に２．５ｍｍ
である。
【００６３】外側のＯリング２０４ａと内側のＯリング
２０４ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２０１と
で構成される空間を減圧するための吸引孔２０５が設け
られている。シリコン基板２０１を吸着する際は、吸引
孔２０５に接続された不図示のポンプによりＯリング間
の空間を減圧すれば良い。５インチのシリコン基板２０
１の直径は１２５ｍｍであるから、シリコン基板２０１
の中心と開口部２０３の中心とが略一致していれば、オ
リエンテーション・フラットの位置はどの方向であって
も良い。したがって、シリコン基板２０１をホルダ２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。
２０４ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２０１と
で構成される空間を減圧するための吸引孔２０５が設け
られている。シリコン基板２０１を吸着する際は、吸引
孔２０５に接続された不図示のポンプによりＯリング間
の空間を減圧すれば良い。５インチのシリコン基板２０
１の直径は１２５ｍｍであるから、シリコン基板２０１
の中心と開口部２０３の中心とが略一致していれば、オ
リエンテーション・フラットの位置はどの方向であって
も良い。したがって、シリコン基板２０１をホルダ２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。
【００６４】また、ホルダ２０２には、５インチ以上の
径のシリコン基板をセットすることも可能であり、この
場合にも５インチのシリコン基板の場合と同様な多孔質
層を形成することができる。ただし、この場合、化成処
理中に流す電流の密度を５インチの場合と略同一になる
ように電源を調整する必要がある。シリコン基板２０１
に実際に化成処理を施すには、シリコン基板２０１を吸
着したホルダ２０２を陽極化成槽にセットする。図３
は、ホルダ２０２を陽極化成槽にセットする様子を示す
図である。
径のシリコン基板をセットすることも可能であり、この
場合にも５インチのシリコン基板の場合と同様な多孔質
層を形成することができる。ただし、この場合、化成処
理中に流す電流の密度を５インチの場合と略同一になる
ように電源を調整する必要がある。シリコン基板２０１
に実際に化成処理を施すには、シリコン基板２０１を吸
着したホルダ２０２を陽極化成槽にセットする。図３
は、ホルダ２０２を陽極化成槽にセットする様子を示す
図である。
【００６５】陽極化成槽２０８は、ホルダ２０２と同様
に四フッ化エチレン樹脂で構成されており、その両側に
白金電極２０６ａ、２０６ｂが取り付けられている。ま
た、陽極化成槽２０８の中ほどには、ホルダ２０２を保
持するためのホルダ溝２０９が設けられている。シリコ
ン基板２０１を吸着したホルダ２０２をこのホルダ溝２
０９に対してはめ込むことにより、陽極化成槽２０８は
左右に二分され、槽内に満たされているＨＦ溶液２０７
が分離される。
に四フッ化エチレン樹脂で構成されており、その両側に
白金電極２０６ａ、２０６ｂが取り付けられている。ま
た、陽極化成槽２０８の中ほどには、ホルダ２０２を保
持するためのホルダ溝２０９が設けられている。シリコ
ン基板２０１を吸着したホルダ２０２をこのホルダ溝２
０９に対してはめ込むことにより、陽極化成槽２０８は
左右に二分され、槽内に満たされているＨＦ溶液２０７
が分離される。
【００６６】この状態で、白金電極２０６ａをマイナ
ス、白金電極２０６ｂをプラスとして直流電圧を印加す
ると、シリコン基板２０１の表面領域の全面と、裏面の
うち外側のＯリング２０４ａより外側の部分（以下、裏
面周辺部）が陽極化成される。これにより、シリコン基
板２０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔質シリコ
ン層を形成することができる。
ス、白金電極２０６ｂをプラスとして直流電圧を印加す
ると、シリコン基板２０１の表面領域の全面と、裏面の
うち外側のＯリング２０４ａより外側の部分（以下、裏
面周辺部）が陽極化成される。これにより、シリコン基
板２０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔質シリコ
ン層を形成することができる。
【００６７】図４は、複数のホルダ２０２を保持可能な
陽極化成槽の一例を示す断面図である。図４に示すよう
に、陽極化成槽２０８’に複数のホルダ溝２０９を設け
て、複数のホルダ２０２を保持可能な構成とすることに
より、より生産性を向上させることができる。なお、こ
こで示す陽極化成槽の一例は、ホルダを直列に配置する
ものであるが、並列に配置するものでも良いし、マトリ
ックス状に配置するものでも良い。
陽極化成槽の一例を示す断面図である。図４に示すよう
に、陽極化成槽２０８’に複数のホルダ溝２０９を設け
て、複数のホルダ２０２を保持可能な構成とすることに
より、より生産性を向上させることができる。なお、こ
こで示す陽極化成槽の一例は、ホルダを直列に配置する
ものであるが、並列に配置するものでも良いし、マトリ
ックス状に配置するものでも良い。
【００６８】
【第２の構成例】図５Ａは、本実施の形態の第２の構成
例に係るホルダの正面図、図５Ｂは、図５Ａに示すホル
ダを横方向に切断した断面図である。図６は、シリコン
基板をホルダにセットするためのウェハ搬送ロボットを
模式的に示す図である。５０１は、化成処理を施す５イ
ンチのシリコン基板である。５０２は、四フッ化エチレ
ン樹脂製のホルダであり、中心に直径９０ｍｍの開口部
２０３が設けられている。ホルダ５０２には、その主表
面から約４ｍｍ突出するようにして円環状の突出部５１
５が設けられている。そして、この突出部５１５には、
円形状の二重の溝が形成されており、夫々の溝にはフッ
素樹脂系であるパーフルオロエチレン製のＯリング５０
４ａ，５０４ｂがはめ込まれている。外側のＯリング５
０４ａの内径は１１７ｍｍ、内側のＯリング５０４ｂの
内径は１０８ｍｍであり、各Ｏリング断面の直径は共に
２．５ｍｍである。
例に係るホルダの正面図、図５Ｂは、図５Ａに示すホル
ダを横方向に切断した断面図である。図６は、シリコン
基板をホルダにセットするためのウェハ搬送ロボットを
模式的に示す図である。５０１は、化成処理を施す５イ
ンチのシリコン基板である。５０２は、四フッ化エチレ
ン樹脂製のホルダであり、中心に直径９０ｍｍの開口部
２０３が設けられている。ホルダ５０２には、その主表
面から約４ｍｍ突出するようにして円環状の突出部５１
５が設けられている。そして、この突出部５１５には、
円形状の二重の溝が形成されており、夫々の溝にはフッ
素樹脂系であるパーフルオロエチレン製のＯリング５０
４ａ，５０４ｂがはめ込まれている。外側のＯリング５
０４ａの内径は１１７ｍｍ、内側のＯリング５０４ｂの
内径は１０８ｍｍであり、各Ｏリング断面の直径は共に
２．５ｍｍである。
【００６９】外側のＯリング５０４ａと内側のＯリング
５０４ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板５０１と
で構成される空間を減圧するための吸引孔５０５が設け
られている。シリコン基板５０１を吸着する際は、吸入
孔５０５に接続された不図示のポンプによりＯリング間
の空間を減圧すれば良い。突出部５１５を設けたのは、
シリコン基板５０１をホルダ５０２に装着したり、取り
外したりする作業を、ウェハ搬送ロボットより自動的に
行う際の便宜のためである。ウェハ搬送ロボットの挟持
部５１０は、シリコン基板５０１を挟むようにして掴む
ため、挟持部５１０は相応の幅を有する。したがって、
挟持部５１０によって掴まれたシリコン基板５０１をホ
ルダ５０２に装着したり、取り外したりするには突出部
５１５が必要になる。なお、突出５１５の突出の程度
は、挟持部５１０の構造、寸法等に基づいて決定すれば
良い。
５０４ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板５０１と
で構成される空間を減圧するための吸引孔５０５が設け
られている。シリコン基板５０１を吸着する際は、吸入
孔５０５に接続された不図示のポンプによりＯリング間
の空間を減圧すれば良い。突出部５１５を設けたのは、
シリコン基板５０１をホルダ５０２に装着したり、取り
外したりする作業を、ウェハ搬送ロボットより自動的に
行う際の便宜のためである。ウェハ搬送ロボットの挟持
部５１０は、シリコン基板５０１を挟むようにして掴む
ため、挟持部５１０は相応の幅を有する。したがって、
挟持部５１０によって掴まれたシリコン基板５０１をホ
ルダ５０２に装着したり、取り外したりするには突出部
５１５が必要になる。なお、突出５１５の突出の程度
は、挟持部５１０の構造、寸法等に基づいて決定すれば
良い。
【００７０】このように突出部５１５を設けることによ
り、ウェハ搬送ロボットによる自動化が容易になる。そ
して、陽極化成槽とホルダとを一体化した場合において
も、ウェハ搬送ロボットによるシリコン基板の着脱が容
易になる。図７は、ホルダと一体化した陽極化成槽の構
造を示す断面図である。５０８は、陽極化成槽の本体を
示し、複数のホルダ５０２が一体化されている。５０６
ａ及び５０６ｂは白金電極である。このように、陽極化
成槽とホルダとを一体化することにより、ＨＦ溶液５０
７が各ホルダ５０２によって仕切られる部屋の前後（プ
ラス側からマイナス側）にリークする可能性が小さくな
るため、液リーク（電流リーク）に起因して多孔質層厚
の分布が不均一になる現象を抑える効果がある。
り、ウェハ搬送ロボットによる自動化が容易になる。そ
して、陽極化成槽とホルダとを一体化した場合において
も、ウェハ搬送ロボットによるシリコン基板の着脱が容
易になる。図７は、ホルダと一体化した陽極化成槽の構
造を示す断面図である。５０８は、陽極化成槽の本体を
示し、複数のホルダ５０２が一体化されている。５０６
ａ及び５０６ｂは白金電極である。このように、陽極化
成槽とホルダとを一体化することにより、ＨＦ溶液５０
７が各ホルダ５０２によって仕切られる部屋の前後（プ
ラス側からマイナス側）にリークする可能性が小さくな
るため、液リーク（電流リーク）に起因して多孔質層厚
の分布が不均一になる現象を抑える効果がある。
【００７１】なお、ここで示す陽極化成槽の一例は、ホ
ルダを直列に配置するものであるが、並列に配置するも
のでも良いし、マトリックス状に配置するものでも良
い。図７に示す陽極化成槽にシリコン基板をセットし、
白金電極５０６ａをマイナス、白金電極５０６ｂをプラ
スとして直流電圧を印加すると、シリコン基板の表面の
全領域と裏面周辺部が陽極化成される。これにより、シ
リコン基板２０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔
質シリコン層を形成することができる。
ルダを直列に配置するものであるが、並列に配置するも
のでも良いし、マトリックス状に配置するものでも良
い。図７に示す陽極化成槽にシリコン基板をセットし、
白金電極５０６ａをマイナス、白金電極５０６ｂをプラ
スとして直流電圧を印加すると、シリコン基板の表面の
全領域と裏面周辺部が陽極化成される。これにより、シ
リコン基板２０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔
質シリコン層を形成することができる。
【００７２】
【第３の構成例】図８は、本実施の形態の第３の構成例
に係るホルダの断面図である。このホルダは、例えば、
第１の構成例に係る陽極化成槽２０８、２０８’等と組
合わせて使用することができる。８０１は、化成処理を
施すシリコン基板である。８０２は、四フッ化エチレン
樹脂製のホルダであり、中心に開口部８０３が設けられ
ている。そして、開口部８０３の縁に沿って円形状の溝
が形成されており、この溝には、パーフルオロエチレン
製で断面が凹型の吸着パッド８０４がはめ込まれてい
る。そして、吸着パッド８０４には、吸引孔８０５に連
結した孔が設けられている。
に係るホルダの断面図である。このホルダは、例えば、
第１の構成例に係る陽極化成槽２０８、２０８’等と組
合わせて使用することができる。８０１は、化成処理を
施すシリコン基板である。８０２は、四フッ化エチレン
樹脂製のホルダであり、中心に開口部８０３が設けられ
ている。そして、開口部８０３の縁に沿って円形状の溝
が形成されており、この溝には、パーフルオロエチレン
製で断面が凹型の吸着パッド８０４がはめ込まれてい
る。そして、吸着パッド８０４には、吸引孔８０５に連
結した孔が設けられている。
【００７３】なお、凹型の吸着パッド８０４は、ホルダ
８０２に溝を設けることなく、ホルダ８０２の表面に貼
り付けても良い。また、凹型の吸着パッド８０４がシリ
コン基板８０１と接する面（吸着面）とホルダ８０２の
表面とが所定距離（例えば、４ｍｍ）離れるように吸着
パッド８０４を構成することにより、前述のようなウェ
ハ搬送ロボットによる脱着の自動化が容易になる。
８０２に溝を設けることなく、ホルダ８０２の表面に貼
り付けても良い。また、凹型の吸着パッド８０４がシリ
コン基板８０１と接する面（吸着面）とホルダ８０２の
表面とが所定距離（例えば、４ｍｍ）離れるように吸着
パッド８０４を構成することにより、前述のようなウェ
ハ搬送ロボットによる脱着の自動化が容易になる。
【００７４】シリコン基板８０１は、凹型の吸着パッド
８０４の内部を吸引孔８０５を介して不図示のポンプに
より減圧することによりホルダ８０２に吸着される。こ
の吸着パッド８０４を用いた場合、前述の二重Ｏリング
を用いた場合に比べ、減圧部分の容積を増大させるのが
容易であり、また、シリコン基板８０１との接触部分の
自由度が増すため、シリコン基板８０１を吸着するポイ
ントの自由度を大きくすることができる。
８０４の内部を吸引孔８０５を介して不図示のポンプに
より減圧することによりホルダ８０２に吸着される。こ
の吸着パッド８０４を用いた場合、前述の二重Ｏリング
を用いた場合に比べ、減圧部分の容積を増大させるのが
容易であり、また、シリコン基板８０１との接触部分の
自由度が増すため、シリコン基板８０１を吸着するポイ
ントの自由度を大きくすることができる。
【００７５】
【第４の構成例】図９は、本実施の形態の第４の構成例
に係るホルダの断面図である。このホルダは、例えば、
第１の構成例に係る陽極化成槽２０８、２０８’等と組
合わせて使用することができる。９０１は、化成処理を
施すシリコン基板である。９０２は、四フッ化エチレン
樹脂製のホルダであり、中心に開口部９０３が設けられ
ている。そして、開口部９０３の縁に沿って円形状の溝
が形成されており、この溝には、パーフルオロエチレン
製で、断面がＵ型であってシリコン基板９０１との接触
部分に向かって徐々に肉圧が薄くなった形状を有する吸
着パッド９０４がはめ込まれている。そして、吸着パッ
ド９０４には、吸引孔９０５に連結するような孔が設け
られている。
に係るホルダの断面図である。このホルダは、例えば、
第１の構成例に係る陽極化成槽２０８、２０８’等と組
合わせて使用することができる。９０１は、化成処理を
施すシリコン基板である。９０２は、四フッ化エチレン
樹脂製のホルダであり、中心に開口部９０３が設けられ
ている。そして、開口部９０３の縁に沿って円形状の溝
が形成されており、この溝には、パーフルオロエチレン
製で、断面がＵ型であってシリコン基板９０１との接触
部分に向かって徐々に肉圧が薄くなった形状を有する吸
着パッド９０４がはめ込まれている。そして、吸着パッ
ド９０４には、吸引孔９０５に連結するような孔が設け
られている。
【００７６】なお、Ｕ型の吸着パッド９０５は、ホルダ
９０２に溝を設けることなく、ホルダ９０２の表面に貼
り付けても良い。また、Ｕ型の吸着パッド９０５がシリ
コン基板９０１と接する面（吸着面）とホルダ９０２の
表面とが所定距離（例えば、４ｍｍ）離れるように吸着
パッド９０４を構成することにより、前述のようなウェ
ハ搬送ロボットによる脱着の自動化が容易になる。
９０２に溝を設けることなく、ホルダ９０２の表面に貼
り付けても良い。また、Ｕ型の吸着パッド９０５がシリ
コン基板９０１と接する面（吸着面）とホルダ９０２の
表面とが所定距離（例えば、４ｍｍ）離れるように吸着
パッド９０４を構成することにより、前述のようなウェ
ハ搬送ロボットによる脱着の自動化が容易になる。
【００７７】このように、吸着パッド９０４の断面の形
状をＵ型にし、かつ先端方向に向かって徐々に肉圧を薄
くなる形状にすることにより、シリコン基板９０１を吸
着する際の自由度がさらに向上する。
状をＵ型にし、かつ先端方向に向かって徐々に肉圧を薄
くなる形状にすることにより、シリコン基板９０１を吸
着する際の自由度がさらに向上する。
【００７８】
【第５の構成例】図１０は、本実施の形態の第５の構成
例に係るホルダ及び陽極化成槽の概略断面図である。１
００１は、化成処理を施すシリコン基板である。１００
２は、四フッ化エチレン樹脂製のホルダであり、１００
８は、同じく四フッ化エチレン樹脂性の陽極化成槽であ
る。図１０には、ホルダ１００２と陽極化成槽１００８
とを一体化したものを示しているが、独立したものとし
ても良い。また、複数のホルダ１００２を備えても良
い。
例に係るホルダ及び陽極化成槽の概略断面図である。１
００１は、化成処理を施すシリコン基板である。１００
２は、四フッ化エチレン樹脂製のホルダであり、１００
８は、同じく四フッ化エチレン樹脂性の陽極化成槽であ
る。図１０には、ホルダ１００２と陽極化成槽１００８
とを一体化したものを示しているが、独立したものとし
ても良い。また、複数のホルダ１００２を備えても良
い。
【００７９】ホルダ１００２には、中心に開口部１００
３が設けられ、その開口部１００３に沿って円形状の溝
が形成されており、その溝にフッ素樹脂系であるパーフ
ルオロエチレン製の吸着パッド１００４がはめ込まれて
いる。この吸着パッド１００４は、吸着するシリコン基
板１００１の裏面と面接触するように、吸着面が平坦な
形状になっている。そして、円形状の溝１００４ａが設
けられ、この溝１００４ａは、吸引孔１００５に連結さ
れている。シリコン基板１００１を吸着する際は、吸引
孔１００５を介して不図示のポンプにより溝１００４ａ
内の空間を減圧する。
３が設けられ、その開口部１００３に沿って円形状の溝
が形成されており、その溝にフッ素樹脂系であるパーフ
ルオロエチレン製の吸着パッド１００４がはめ込まれて
いる。この吸着パッド１００４は、吸着するシリコン基
板１００１の裏面と面接触するように、吸着面が平坦な
形状になっている。そして、円形状の溝１００４ａが設
けられ、この溝１００４ａは、吸引孔１００５に連結さ
れている。シリコン基板１００１を吸着する際は、吸引
孔１００５を介して不図示のポンプにより溝１００４ａ
内の空間を減圧する。
【００８０】シリコン基板１００１を吸着した状態で、
白金電極１００６ａをマイナス、白金電極１００６ｂを
プラスとして直流電圧を印加して陽極化成処理を行う
と、シリコン基板１００１の表面だけが陽極化成され、
裏面は陽極化成されない。これは、吸着パッド１００４
がシリコン基板１００１の裏面と密着し、裏面がＨＦ溶
液１００７に接触しないからである。すなわち、この陽
極化成装置を用いて陽極化成処理を行うと、シリコン基
板１００１の表面だけが多孔質化され、裏面は多孔質化
されないため、有効領域（例えば、ＳＯＩ基板を作成す
る際に利用できる領域）を拡大することができる。
白金電極１００６ａをマイナス、白金電極１００６ｂを
プラスとして直流電圧を印加して陽極化成処理を行う
と、シリコン基板１００１の表面だけが陽極化成され、
裏面は陽極化成されない。これは、吸着パッド１００４
がシリコン基板１００１の裏面と密着し、裏面がＨＦ溶
液１００７に接触しないからである。すなわち、この陽
極化成装置を用いて陽極化成処理を行うと、シリコン基
板１００１の表面だけが多孔質化され、裏面は多孔質化
されないため、有効領域（例えば、ＳＯＩ基板を作成す
る際に利用できる領域）を拡大することができる。
【００８１】次に、ホルダ１００２にシリコン基板１０
０１を自動的に着脱するウェハ搬送ロボットの一例を説
明する。本実施例に係るホルダを用いる場合は、図６に
示すようなウェハ搬送ロボットを用いることは困難であ
る。これは、挟持部５１０がホルダ１００２または吸着
パッド１００４の表面に当たるためである。図１１は、
本構成例に係るホルダに好適な枚葉式ウェハ搬送ロボッ
トの構成を模式的に示す図である。このウェハ搬送ロボ
ットは、２つのウェハ搬送ロボット１１０１及び１１０
２を組合わせてなる。
０１を自動的に着脱するウェハ搬送ロボットの一例を説
明する。本実施例に係るホルダを用いる場合は、図６に
示すようなウェハ搬送ロボットを用いることは困難であ
る。これは、挟持部５１０がホルダ１００２または吸着
パッド１００４の表面に当たるためである。図１１は、
本構成例に係るホルダに好適な枚葉式ウェハ搬送ロボッ
トの構成を模式的に示す図である。このウェハ搬送ロボ
ットは、２つのウェハ搬送ロボット１１０１及び１１０
２を組合わせてなる。
【００８２】第１の搬送ロボット１１０１は、シリコン
基板１００１の裏面を真空吸着して、矢印ａに示すよう
に、ホルダ１００２の前面付近まで搬送して、第２搬送
ロボット１１０２に引き渡す。第２の搬送ロボット１１
０２がシリコン基板１００１を真空吸着すると、第１の
搬送ロボット１１０１は、図１１において、一旦上方に
移動した後に、矢印ａの逆方向に移動し、陽極化成槽か
ら離れる。
基板１００１の裏面を真空吸着して、矢印ａに示すよう
に、ホルダ１００２の前面付近まで搬送して、第２搬送
ロボット１１０２に引き渡す。第２の搬送ロボット１１
０２がシリコン基板１００１を真空吸着すると、第１の
搬送ロボット１１０１は、図１１において、一旦上方に
移動した後に、矢印ａの逆方向に移動し、陽極化成槽か
ら離れる。
【００８３】第２搬送ロボット１１０２は、シリコン基
板１００１の裏面を真空吸着すると、矢印ｂに示すよう
に、シリコン基板１００１を搬送する。そして、シリコ
ン基板１００１が吸着パッド１００４に接触し、シリコ
ン基板１００１が、吸着パッド１００４によって吸着さ
れた後に、第２搬送ロボット１１０２は、さらにｂ方向
に移動し、次いで、矢印ｃに示すように上方に移動して
陽極化成槽から離れる。
板１００１の裏面を真空吸着すると、矢印ｂに示すよう
に、シリコン基板１００１を搬送する。そして、シリコ
ン基板１００１が吸着パッド１００４に接触し、シリコ
ン基板１００１が、吸着パッド１００４によって吸着さ
れた後に、第２搬送ロボット１１０２は、さらにｂ方向
に移動し、次いで、矢印ｃに示すように上方に移動して
陽極化成槽から離れる。
【００８４】なお、第２の搬送ロボット１１０２は、シ
リコン基板１００１を搬送するのに先立って、矢印ｃ及
びｂを逆方向に辿って、シリコン基板１００１を真空吸
着する位置（図示の位置）に移動する。以上のような動
作を行うウェハ搬送ロボットを装備することにより、平
坦な吸着パッドを有するホルダを使用する場合であって
も、陽極化成処理の自動化が可能になる。
リコン基板１００１を搬送するのに先立って、矢印ｃ及
びｂを逆方向に辿って、シリコン基板１００１を真空吸
着する位置（図示の位置）に移動する。以上のような動
作を行うウェハ搬送ロボットを装備することにより、平
坦な吸着パッドを有するホルダを使用する場合であって
も、陽極化成処理の自動化が可能になる。
【００８５】なお、第１の搬送ロボットに関しては、図
６に示すような挟持部を有するタイプの搬送ロボットを
使用することもできる。
６に示すような挟持部を有するタイプの搬送ロボットを
使用することもできる。
【００８６】
【第６の構成例】上記の第１乃至第５の構成例に係るホ
ルダは、開口部に沿って配された円形状の二重Ｏリング
や吸着パッド等の吸着部によりシリコン基板を吸着する
ものである。このような構造の利点として、構造が単純
であること、シリコン基板とホルダとを略完全にシール
できることなどが挙げられる。
ルダは、開口部に沿って配された円形状の二重Ｏリング
や吸着パッド等の吸着部によりシリコン基板を吸着する
ものである。このような構造の利点として、構造が単純
であること、シリコン基板とホルダとを略完全にシール
できることなどが挙げられる。
【００８７】しかし、本発明は、開口部にそって円環状
に配された吸着機構以外を除外するものではない。図１
２Ａは、本発明の第６の構成例に係るホルダの正面図で
ある。このホルダ１２０２は、互いに独立した複数のＯ
リング１２０４を有し、各Ｏリングに囲まれる空間が吸
引孔１２０５を介して不図示のポンプにより減圧される
ことにより、シリコン基板１２０１を吸着する。図示の
例では、Ｏリング１２０４がない部分を通して、シリコ
ン基板の表面側と裏面側との間でＨＦ溶液が移動するこ
とになる。そこで、例えば、図１２Ｂに示すように、Ｏ
リング１２０４がない部分をシールするためのシール部
材１２１０を設けることが好ましい。シール部材１２１
０は、フッ素樹脂系であるパーフルオロエチレン等で構
成することが好ましい。
に配された吸着機構以外を除外するものではない。図１
２Ａは、本発明の第６の構成例に係るホルダの正面図で
ある。このホルダ１２０２は、互いに独立した複数のＯ
リング１２０４を有し、各Ｏリングに囲まれる空間が吸
引孔１２０５を介して不図示のポンプにより減圧される
ことにより、シリコン基板１２０１を吸着する。図示の
例では、Ｏリング１２０４がない部分を通して、シリコ
ン基板の表面側と裏面側との間でＨＦ溶液が移動するこ
とになる。そこで、例えば、図１２Ｂに示すように、Ｏ
リング１２０４がない部分をシールするためのシール部
材１２１０を設けることが好ましい。シール部材１２１
０は、フッ素樹脂系であるパーフルオロエチレン等で構
成することが好ましい。
【００８８】
【第７の構成例】図１３は、自動陽極化成装置の概略平
面図である。１３０１は、自動陽極化成装置本体であ
る。この陽極化成装置は、例えば、コンピュータにより
その動作が制御される。１３０２はローダであり、ウェ
ハキャリアが置かれると、枚葉式ウェハ搬送ロボット１
３０７がウェハを掴める位置までそのウェハキャリアを
移動させる機能を有する。ウェハ搬送ロボット１３０７
は、例えば、図６に示すように、ウェハの端部を挟持す
る機能を有する。そのため、陽極化成槽１３０３のホル
ダは、例えば、図５Ａ及び５Ｂに示すように、ウェハ搬
送ロボット１３０７の挟持部５１０がホルダの主表面に
接触しないようにする突出部を有する。そして、陽極化
成槽１３０３は、例えば、図７に示すように、ホルダが
一体化された構造を有し、この例においては、ホルダが
２５個直列に並んでいる。したがって、陽極化成槽１３
０３は、２５枚のウェハを一括して処理する能力を有す
る。
面図である。１３０１は、自動陽極化成装置本体であ
る。この陽極化成装置は、例えば、コンピュータにより
その動作が制御される。１３０２はローダであり、ウェ
ハキャリアが置かれると、枚葉式ウェハ搬送ロボット１
３０７がウェハを掴める位置までそのウェハキャリアを
移動させる機能を有する。ウェハ搬送ロボット１３０７
は、例えば、図６に示すように、ウェハの端部を挟持す
る機能を有する。そのため、陽極化成槽１３０３のホル
ダは、例えば、図５Ａ及び５Ｂに示すように、ウェハ搬
送ロボット１３０７の挟持部５１０がホルダの主表面に
接触しないようにする突出部を有する。そして、陽極化
成槽１３０３は、例えば、図７に示すように、ホルダが
一体化された構造を有し、この例においては、ホルダが
２５個直列に並んでいる。したがって、陽極化成槽１３
０３は、２５枚のウェハを一括して処理する能力を有す
る。
【００８９】図１４は、ウェハキャリアに収容されたウ
ェハを陽極化成槽１３０３にセットする手順を説明する
ための図である。作業者がウェハキャリア１３１２をロ
ーダ１３０２のステージ１３０２ａに載置すると、ウェ
ハキャリア１３１２は、コンピュータ制御の下、自動的
にステージ１３０２ｂに搬送され、さらに、ステージ１
３０２ｃに搬送される。次いで、ステージ１３０２ｃ上
のウェハキャリア１３１２の下方から、ウェハ保持用の
溝の付いたボード１３１１が、ウェハキャリア１３１１
の下部の窓（開口部）を通して上昇する。その結果、ウ
ェハキャリア１３１２内に収容された全ウェハがボード
１３１１の溝によって保持されて、ウェハキャリア１３
１２の上方に押し上げられる（図１４に示す状態）。
ェハを陽極化成槽１３０３にセットする手順を説明する
ための図である。作業者がウェハキャリア１３１２をロ
ーダ１３０２のステージ１３０２ａに載置すると、ウェ
ハキャリア１３１２は、コンピュータ制御の下、自動的
にステージ１３０２ｂに搬送され、さらに、ステージ１
３０２ｃに搬送される。次いで、ステージ１３０２ｃ上
のウェハキャリア１３１２の下方から、ウェハ保持用の
溝の付いたボード１３１１が、ウェハキャリア１３１１
の下部の窓（開口部）を通して上昇する。その結果、ウ
ェハキャリア１３１２内に収容された全ウェハがボード
１３１１の溝によって保持されて、ウェハキャリア１３
１２の上方に押し上げられる（図１４に示す状態）。
【００９０】この状態で、ウェハ搬送ロボット１３０７
が端から順にウェハを挟持し、陽極化成槽１３０３の中
まで搬送する。そして、ウェハが陽極化成槽１３０３の
ホルダ１３０３ａのウェハ吸着面に接触する位置まで搬
送された時点で、該当するホルダ１３０３ａの真空ライ
ンの弁が開き、これによりウェハが吸着される。ウェハ
が吸着されると、ウェハ搬送ロボット１３０７は、その
ウェハを放し、同様の手順で、次のウェハを次のホルダ
にセットする。このようにして、ボード１３１１上の全
ウェハが陽極化成槽１３０３のホルダ１３０３ａにセッ
トされる。
が端から順にウェハを挟持し、陽極化成槽１３０３の中
まで搬送する。そして、ウェハが陽極化成槽１３０３の
ホルダ１３０３ａのウェハ吸着面に接触する位置まで搬
送された時点で、該当するホルダ１３０３ａの真空ライ
ンの弁が開き、これによりウェハが吸着される。ウェハ
が吸着されると、ウェハ搬送ロボット１３０７は、その
ウェハを放し、同様の手順で、次のウェハを次のホルダ
にセットする。このようにして、ボード１３１１上の全
ウェハが陽極化成槽１３０３のホルダ１３０３ａにセッ
トされる。
【００９１】次いで、陽極化成槽１３０３の両端に設け
られた白金電極１３０３ｂと１３０３ｃとの間に直流電
圧が印加され、陽極化成処理が行われる。次いで、陽極
化成処理が完了したウェハは純水で洗浄される。図１５
Ａは、陽極化成処理が完了したウェハを水洗槽に搬送
し、洗浄を行う手順を説明するための図である。図１５
Ｂは、図１５Ａに示す水洗槽内におけるボード及びウェ
ハキャリアの配置を示す平面図である。また、図１５Ｃ
は、洗浄が完了したウェハをウェハキャリアに収容して
水洗槽から取り出す手順を説明するための図である。
られた白金電極１３０３ｂと１３０３ｃとの間に直流電
圧が印加され、陽極化成処理が行われる。次いで、陽極
化成処理が完了したウェハは純水で洗浄される。図１５
Ａは、陽極化成処理が完了したウェハを水洗槽に搬送
し、洗浄を行う手順を説明するための図である。図１５
Ｂは、図１５Ａに示す水洗槽内におけるボード及びウェ
ハキャリアの配置を示す平面図である。また、図１５Ｃ
は、洗浄が完了したウェハをウェハキャリアに収容して
水洗槽から取り出す手順を説明するための図である。
【００９２】陽極化成処理が完了したウェハは、ウェハ
搬送ロボット１３０７により１枚ずつ陽極化成槽１３０
３から取り出され、図１５Ａの矢印の方向に搬送され
る。すなわち、先ず、ウェハは、水洗槽１３０４の上部
まで搬送され、次いで、水洗槽１３０４内の純粋中に沈
められる。水洗槽１３０４内には、ウェハ保持用の２５
本の溝を有するボード１３１４が固定されおり、ウェハ
は、この溝に順にセットされる。
搬送ロボット１３０７により１枚ずつ陽極化成槽１３０
３から取り出され、図１５Ａの矢印の方向に搬送され
る。すなわち、先ず、ウェハは、水洗槽１３０４の上部
まで搬送され、次いで、水洗槽１３０４内の純粋中に沈
められる。水洗槽１３０４内には、ウェハ保持用の２５
本の溝を有するボード１３１４が固定されおり、ウェハ
は、この溝に順にセットされる。
【００９３】水洗槽１３０４内には、予めウェハキャリ
ア１３１３が沈められている。このウェハキャリア１３
１３は、上方に移動した際に、ボード１３１４の溝によ
って保持されている全ウェハをすくい上げるようにして
受け取ることができる形状を有する。また、ウェハキャ
リア１３１３は、ボード１３１４上のウェハをすくい上
げる際に、ボード１３１４を通過させるための開口部１
３１３ａを有する。
ア１３１３が沈められている。このウェハキャリア１３
１３は、上方に移動した際に、ボード１３１４の溝によ
って保持されている全ウェハをすくい上げるようにして
受け取ることができる形状を有する。また、ウェハキャ
リア１３１３は、ボード１３１４上のウェハをすくい上
げる際に、ボード１３１４を通過させるための開口部１
３１３ａを有する。
【００９４】ウェハの洗浄が完了すると、図１５Ｃに示
すように、キャリア搬送ロボット１３０８は、ウエハキ
ャリア１３１３を上方に持ち上げて、ボード１３１４上
の全ウェハをウェハキャリア１３１３内に収容して、ス
ピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａま
で搬送する。このキャリア受取部１３０５ａには、ウェ
ハの面がキャリア搬送ロボット１３０８の移動方向に対
して垂直な方向に沿うようにウェハが並べられた状態で
ウェハキャリア１３１３が載置される。この状態は、ウ
ェハキャリア１３１３をスピンドライヤ１３０５上で公
転させるのに好適である。
すように、キャリア搬送ロボット１３０８は、ウエハキ
ャリア１３１３を上方に持ち上げて、ボード１３１４上
の全ウェハをウェハキャリア１３１３内に収容して、ス
ピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａま
で搬送する。このキャリア受取部１３０５ａには、ウェ
ハの面がキャリア搬送ロボット１３０８の移動方向に対
して垂直な方向に沿うようにウェハが並べられた状態で
ウェハキャリア１３１３が載置される。この状態は、ウ
ェハキャリア１３１３をスピンドライヤ１３０５上で公
転させるのに好適である。
【００９５】スピンドライヤ１３０５により乾燥された
ウェハは、ウェハキャリア１３１３に収容されたまま、
キャリア搬送ロボット１３０８によりアンローダ１３０
６のステージに搬送される。この一連の処理により、２
５枚の多孔質化されたウェハが得られる。ここで、ウェ
ア搬送ロボット１３０７は、垂直軸１３０７ａを軸とし
て上下方向に移動し、水平軸１３５０を軸として水平方
向に移動する。また、キャリア搬送ロボット１３０８
は、垂直軸１３０８ａを軸として垂直方向に移動し、水
平軸１３５０を軸として水平方向に移動する。
ウェハは、ウェハキャリア１３１３に収容されたまま、
キャリア搬送ロボット１３０８によりアンローダ１３０
６のステージに搬送される。この一連の処理により、２
５枚の多孔質化されたウェハが得られる。ここで、ウェ
ア搬送ロボット１３０７は、垂直軸１３０７ａを軸とし
て上下方向に移動し、水平軸１３５０を軸として水平方
向に移動する。また、キャリア搬送ロボット１３０８
は、垂直軸１３０８ａを軸として垂直方向に移動し、水
平軸１３５０を軸として水平方向に移動する。
【００９６】この自動陽極化成装置では、陽極化成槽１
３０３、水洗槽１３０４、スピンドライヤ１３０５のキ
ャリア受取部１３０５ａを平面図上で略直線上に配置す
るとともにウェハ搬送ロボット１３０７及びキャリア搬
送ロボット１３０８の移動方向に対して垂直な方向にウ
ェハの面が位置するようにしている。このような構成と
することで、各工程（陽極化成、洗浄、乾燥）間でウェ
ハを搬送する効率が良くなり、生産性を高めることがで
きるとともに、上記のようにロボットの移動方向を２方
向のみにすることが可能になり、構成を簡素化すること
ができる。
３０３、水洗槽１３０４、スピンドライヤ１３０５のキ
ャリア受取部１３０５ａを平面図上で略直線上に配置す
るとともにウェハ搬送ロボット１３０７及びキャリア搬
送ロボット１３０８の移動方向に対して垂直な方向にウ
ェハの面が位置するようにしている。このような構成と
することで、各工程（陽極化成、洗浄、乾燥）間でウェ
ハを搬送する効率が良くなり、生産性を高めることがで
きるとともに、上記のようにロボットの移動方向を２方
向のみにすることが可能になり、構成を簡素化すること
ができる。
【００９７】次に、ＨＦ溶液の循環ろ過システムについ
て説明する。図１３に示す１３０９は、循環ろ過システ
ムにおけるフィルタ部であり、陽極化成槽１３０３にお
いてオバーフローしたＨＦ溶液を循環させ、フィルタレ
ーションして再び陽極化成槽１３０３に戻す機能を有す
る。この循環ろ過システムは、陽極化成槽１３０３内で
発生したパーティクル等を除去する機能と、陽極化成反
応で発生し、ウェハ表面に付着したままの微小な気泡を
効率よく除去する機能とを有する。
て説明する。図１３に示す１３０９は、循環ろ過システ
ムにおけるフィルタ部であり、陽極化成槽１３０３にお
いてオバーフローしたＨＦ溶液を循環させ、フィルタレ
ーションして再び陽極化成槽１３０３に戻す機能を有す
る。この循環ろ過システムは、陽極化成槽１３０３内で
発生したパーティクル等を除去する機能と、陽極化成反
応で発生し、ウェハ表面に付着したままの微小な気泡を
効率よく除去する機能とを有する。
【００９８】図１６は、循環ろ過システムの具体的な構
成例を示す概略図である。ＨＦ溶液は、先ず、貯留タン
ク１３１９内に貯留される。そして、貯留タンク１３１
９内のＨＦ溶液は、移送管１３２０を通してポンプ１３
１５によって上方に押し上げられる。移送管１３２０の
途中には、フィルタ１３１６が設けられており、これに
よりＨＦ溶液中のパーティクルが除去される。フィルタ
１３１６を通過したＨＦ溶液は、マニホールド（分配
器）１３１７によって、２６本のラインに分配され、陽
極化成槽１３０３の下部から、２５個のホルダ１３０３
ａによって仕切られた各部屋に供給される。そして、陽
極化成槽１３０３の各部屋からオバーフローしたＨＦ溶
液は、一旦オバーフロー槽１３１８によって受けられ、
貯留タンク１３１９内に戻される。
成例を示す概略図である。ＨＦ溶液は、先ず、貯留タン
ク１３１９内に貯留される。そして、貯留タンク１３１
９内のＨＦ溶液は、移送管１３２０を通してポンプ１３
１５によって上方に押し上げられる。移送管１３２０の
途中には、フィルタ１３１６が設けられており、これに
よりＨＦ溶液中のパーティクルが除去される。フィルタ
１３１６を通過したＨＦ溶液は、マニホールド（分配
器）１３１７によって、２６本のラインに分配され、陽
極化成槽１３０３の下部から、２５個のホルダ１３０３
ａによって仕切られた各部屋に供給される。そして、陽
極化成槽１３０３の各部屋からオバーフローしたＨＦ溶
液は、一旦オバーフロー槽１３１８によって受けられ、
貯留タンク１３１９内に戻される。
【００９９】
【第８の構成例】この構成例は、第７の構成例に係る自
動陽極化成装置を改良したものである。図１９は、この
構成例に係る改良した自動陽極化成装置の概略平面図で
ある。この構成例に係る自動陽極化成装置は、キャリア
搬送ロボット１３０８により、洗浄が完了したウェハを
ウェハキャリア１３１３に収容して水洗槽１３０４から
スピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａ
まで搬送した後に、キャリア搬送ロボット１３０８のア
ーム１３０８ｂを乾燥させるためのドライヤ１３６０を
有する。
動陽極化成装置を改良したものである。図１９は、この
構成例に係る改良した自動陽極化成装置の概略平面図で
ある。この構成例に係る自動陽極化成装置は、キャリア
搬送ロボット１３０８により、洗浄が完了したウェハを
ウェハキャリア１３１３に収容して水洗槽１３０４から
スピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａ
まで搬送した後に、キャリア搬送ロボット１３０８のア
ーム１３０８ｂを乾燥させるためのドライヤ１３６０を
有する。
【０１００】アーム１３０８ｂを乾燥させる方式として
は、例えば、窒素ガスその他の気体をアーム１３０８ｂ
に吹付ける方式が好適である。以下、この構成例に係る
自動陽極化成装置によるウェハの処理手順を、第７の構
成例に係る自動陽極化成装置によるウェハの処理手順と
対比して説明する。第７の構成例に係る自動陽極化成装
置の場合と同様の手順を経て、水洗槽１３０４による洗
浄処理が完了したウェハは、キャリア搬送ロボット１３
０８により、ウェハキャリア１３１３に収容されてスピ
ンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａまで
搬送される。
は、例えば、窒素ガスその他の気体をアーム１３０８ｂ
に吹付ける方式が好適である。以下、この構成例に係る
自動陽極化成装置によるウェハの処理手順を、第７の構
成例に係る自動陽極化成装置によるウェハの処理手順と
対比して説明する。第７の構成例に係る自動陽極化成装
置の場合と同様の手順を経て、水洗槽１３０４による洗
浄処理が完了したウェハは、キャリア搬送ロボット１３
０８により、ウェハキャリア１３１３に収容されてスピ
ンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａまで
搬送される。
【０１０１】この搬送の際に、キャリア搬送ロボット１
３０８のアーム１３０８ｂに洗浄用の純水が付着する。
したがって、この純水が付着したキャリア搬送ロボット
１３０８により、スピンドライヤ１３０５による乾燥処
理が完了したウェハキャリア１３１３をアンローダ１３
０６に搬送すると、乾燥後のウェハに再び純水が付着す
る可能性がある。
３０８のアーム１３０８ｂに洗浄用の純水が付着する。
したがって、この純水が付着したキャリア搬送ロボット
１３０８により、スピンドライヤ１３０５による乾燥処
理が完了したウェハキャリア１３１３をアンローダ１３
０６に搬送すると、乾燥後のウェハに再び純水が付着す
る可能性がある。
【０１０２】そこで、この構成例に係る自動陽極化成装
置では、水洗槽１３０４からスピンドライヤ１３０５に
ウェハキャリア１３１３を搬送した後に、アーム１３０
８ｂがドライヤ１３６０上に位置するようにキャリア搬
送ロボット１３０８を移動させて、このドライヤ１３６
０により、例えば窒素ガスを吹付けることによりアーム
１３０８ｂを乾燥させる。
置では、水洗槽１３０４からスピンドライヤ１３０５に
ウェハキャリア１３１３を搬送した後に、アーム１３０
８ｂがドライヤ１３６０上に位置するようにキャリア搬
送ロボット１３０８を移動させて、このドライヤ１３６
０により、例えば窒素ガスを吹付けることによりアーム
１３０８ｂを乾燥させる。
【０１０３】そして、ドライヤ１３６０によりアーム１
３０８ｂが乾燥され、かつ、スピンドライヤ１３０５に
よりウェハ及びウェハキャリア１３１３が乾燥された後
に、搬送ロボット１３０８は、そのアーム１３０８ｂに
よりウェハキャリア１３１３を掴んで、アンローダ１３
０６のステージに搬送する。上記の実施の形態に拠れ
ば、基板の支持方法を改善することにより、陽極化成処
理を効率化することができる。
３０８ｂが乾燥され、かつ、スピンドライヤ１３０５に
よりウェハ及びウェハキャリア１３１３が乾燥された後
に、搬送ロボット１３０８は、そのアーム１３０８ｂに
よりウェハキャリア１３１３を掴んで、アンローダ１３
０６のステージに搬送する。上記の実施の形態に拠れ
ば、基板の支持方法を改善することにより、陽極化成処
理を効率化することができる。
【０１０４】より具体的には、上記の実施の形態に拠れ
ば、半導体基板の表面を多孔質化処理する際に、半導体
基板の裏面を円形若しくは円形に近い形状のシール材で
吸着保持し、そのシール材の内側領域の半導体基板の裏
面をプラスの電界質溶液に接触させ、該半導体基板の表
面をマイナスの電界質溶液に接触させるような構造の陽
極化成装置を用いることによって、半導体基板の全表面
領域を化成処理することができる。
ば、半導体基板の表面を多孔質化処理する際に、半導体
基板の裏面を円形若しくは円形に近い形状のシール材で
吸着保持し、そのシール材の内側領域の半導体基板の裏
面をプラスの電界質溶液に接触させ、該半導体基板の表
面をマイナスの電界質溶液に接触させるような構造の陽
極化成装置を用いることによって、半導体基板の全表面
領域を化成処理することができる。
【０１０５】また、上記の実施の形態に拠れば、極めて
単純な動作で半導体基板を陽極化成装置に装着できるた
め、今まで困難だった多数枚一括処理を実現する自動陽
極化成装置を得ることができる。
単純な動作で半導体基板を陽極化成装置に装着できるた
め、今まで困難だった多数枚一括処理を実現する自動陽
極化成装置を得ることができる。
【０１０６】
【第２の実施の形態】図２０は、本発明の１つの実施の
形態に係る陽極化成装置の概略構成を示す断面図であ
る。２１０１はシリコン基板（例えばウェハ）である。
一般には、陽極化成のためには正孔の存在が重要である
ため、Ｐ型のシリコン基板が好適であるが、Ｎ型のシリ
コン基板であっても光を照射するなどして正孔の生成を
促進することにより使用することができる。
形態に係る陽極化成装置の概略構成を示す断面図であ
る。２１０１はシリコン基板（例えばウェハ）である。
一般には、陽極化成のためには正孔の存在が重要である
ため、Ｐ型のシリコン基板が好適であるが、Ｎ型のシリ
コン基板であっても光を照射するなどして正孔の生成を
促進することにより使用することができる。
【０１０７】２１０２は、シリコン基板を支持するため
のホルダであり、耐ＨＦ性の材質である四フッ化エチレ
ン樹脂（商品名：テフロン）などにより構成される。ホ
ルダ２１０２には、支持すべきシリコン基板２１０１の
直径よりも小さい径の円形若しくは円形に近い円形状の
開口部２１０３が設けられている。ホルダ２１０２の一
方の面には、シリコン基板２１０１を吸着するための吸
着機構が設けられている。この吸着機構としては種々の
形態が考えられる。
のホルダであり、耐ＨＦ性の材質である四フッ化エチレ
ン樹脂（商品名：テフロン）などにより構成される。ホ
ルダ２１０２には、支持すべきシリコン基板２１０１の
直径よりも小さい径の円形若しくは円形に近い円形状の
開口部２１０３が設けられている。ホルダ２１０２の一
方の面には、シリコン基板２１０１を吸着するための吸
着機構が設けられている。この吸着機構としては種々の
形態が考えられる。
【０１０８】図示の例は、この吸着機構として、断面が
矩形で全体が円環状をなす吸着パッド２１０５を採用し
たものである。この吸着パッド２１０５には、シリコン
基板２１０１を吸着する面に溝が設けられている。この
溝内の空間を吸引孔２１１０及び減圧ライン２１２１を
介してポンプ２１２０により減圧することにより、シリ
コン基板２１０１を吸着パッド２１０５に吸着させるこ
とができる。吸引孔２１１０は、吸着パッド２１０５の
溝の数個所に連結しても良い。吸着パッド２１０５の材
質としては耐ＨＦ性ののゴム等が好適である。
矩形で全体が円環状をなす吸着パッド２１０５を採用し
たものである。この吸着パッド２１０５には、シリコン
基板２１０１を吸着する面に溝が設けられている。この
溝内の空間を吸引孔２１１０及び減圧ライン２１２１を
介してポンプ２１２０により減圧することにより、シリ
コン基板２１０１を吸着パッド２１０５に吸着させるこ
とができる。吸引孔２１１０は、吸着パッド２１０５の
溝の数個所に連結しても良い。吸着パッド２１０５の材
質としては耐ＨＦ性ののゴム等が好適である。
【０１０９】他の吸着機構として、ホルダ２１０２の開
口部２１０３に沿って二重の溝を設け、この二重の溝の
夫々にＯリングをはめ込み、この２つのＯリングの間の
空間を減吸引孔２１１０及び減圧ライン２１２１を介し
てポンプ２１２０により減圧することによってシリコン
基板２１０１を吸着し保持する機構が好適である。ま
た、他の吸着機構として、断面が凹型、Ｕ型その他の形
状を有する吸着パッドを開口部２１０３に沿って円環状
に配置し、この吸着パッドの開口部（例えば、凹型形状
の谷の部分）とシリコン基板２１０１により形成される
空洞部分をポンプ２１２０により減圧することによりシ
リコン基板２１０１を吸着する機構が好適である。
口部２１０３に沿って二重の溝を設け、この二重の溝の
夫々にＯリングをはめ込み、この２つのＯリングの間の
空間を減吸引孔２１１０及び減圧ライン２１２１を介し
てポンプ２１２０により減圧することによってシリコン
基板２１０１を吸着し保持する機構が好適である。ま
た、他の吸着機構として、断面が凹型、Ｕ型その他の形
状を有する吸着パッドを開口部２１０３に沿って円環状
に配置し、この吸着パッドの開口部（例えば、凹型形状
の谷の部分）とシリコン基板２１０１により形成される
空洞部分をポンプ２１２０により減圧することによりシ
リコン基板２１０１を吸着する機構が好適である。
【０１１０】また、他の吸着機構として、ホルダ２１０
２の吸着面側に溝を設け、この溝をポンプ２１２０によ
り減圧することによりシリコン基板２１０１を吸着する
機構が好適である。ところで、シリコン基板２１０１の
表面側と裏面側とは、上記の如き吸着機構により完全に
分離されることが好ましいが、本発明の１つの実施の形
態は、必ずしも完全な分離を要求しない。例えば、シリ
コン基板２１０１を１または数箇所で支持し、シリコン
基板とホルダとが完全にシールされない吸着機構であっ
ても良い。
２の吸着面側に溝を設け、この溝をポンプ２１２０によ
り減圧することによりシリコン基板２１０１を吸着する
機構が好適である。ところで、シリコン基板２１０１の
表面側と裏面側とは、上記の如き吸着機構により完全に
分離されることが好ましいが、本発明の１つの実施の形
態は、必ずしも完全な分離を要求しない。例えば、シリ
コン基板２１０１を１または数箇所で支持し、シリコン
基板とホルダとが完全にシールされない吸着機構であっ
ても良い。
【０１１１】開口部２１０３の形状は、シリコン基板２
１０１の裏面がＨＦ溶液２１１５と接触する部分の形状
と略一致するが、この開口部２１０３の大きさは、ある
程度シリコン基板２１０１より小さくても良い。例え
ば、シリコン基板２１０１の直径に対して約６０ｍｍ小
さい開口径、すなわち、シリコン基板２１０１がＨＦ溶
液２１１５と接触しない領域がシリコン基板２１０１の
エッジから約３０ｍｍとなる開口径であっても、シリコ
ン基板２１０１が化成される厚みは、その中心部からエ
ッジまで略一定となることを本発明者等は確認してい
る。
１０１の裏面がＨＦ溶液２１１５と接触する部分の形状
と略一致するが、この開口部２１０３の大きさは、ある
程度シリコン基板２１０１より小さくても良い。例え
ば、シリコン基板２１０１の直径に対して約６０ｍｍ小
さい開口径、すなわち、シリコン基板２１０１がＨＦ溶
液２１１５と接触しない領域がシリコン基板２１０１の
エッジから約３０ｍｍとなる開口径であっても、シリコ
ン基板２１０１が化成される厚みは、その中心部からエ
ッジまで略一定となることを本発明者等は確認してい
る。
【０１１２】したがって、例えば、開口部２１０３の径
が９０ｍｍのホルダ２１０２であれば、直径が１００ｍ
ｍ（４インチ）、１２５ｍｍ（５インチ）、１５０ｍｍ
（６インチ）のシリコン基板のいずれをも取り扱うこと
ができ、陽極化成処理した結果物の分布は全ての直径の
シリコン基板において良好であり、その品質も同等にな
る。
が９０ｍｍのホルダ２１０２であれば、直径が１００ｍ
ｍ（４インチ）、１２５ｍｍ（５インチ）、１５０ｍｍ
（６インチ）のシリコン基板のいずれをも取り扱うこと
ができ、陽極化成処理した結果物の分布は全ての直径の
シリコン基板において良好であり、その品質も同等にな
る。
【０１１３】ただし、直径が１００ｍｍ（４インチ）の
シリコン基板を吸着する場合、オリエンテーション・フ
ラットの部分を完全にシールするためのマージンや吸着
の際のずれを許容するためのマージン等を考量すると、
開口部２１０３の直径は、９０ｍｍ以下であることが好
ましい。しかしながら、開口部２１０３の直径を９０ｍ
ｍ以下にすると、直径が１５０ｍｍ（６インチ）のシリ
コン基板を吸着パッド２１０５に吸着させて陽極化成処
理した場合に、形成される多孔質膜を均一化することが
困難になる。
シリコン基板を吸着する場合、オリエンテーション・フ
ラットの部分を完全にシールするためのマージンや吸着
の際のずれを許容するためのマージン等を考量すると、
開口部２１０３の直径は、９０ｍｍ以下であることが好
ましい。しかしながら、開口部２１０３の直径を９０ｍ
ｍ以下にすると、直径が１５０ｍｍ（６インチ）のシリ
コン基板を吸着パッド２１０５に吸着させて陽極化成処
理した場合に、形成される多孔質膜を均一化することが
困難になる。
【０１１４】さらに、直径が２００ｍｍ（８インチ）の
シリコン基板を吸着パッド２１０５に吸着させて陽極化
成処理する場合には、当該シリコン基板の直径と開口部
２１０３の直径との差が６０ｍｍを大幅に越えるため、
形成される多孔質膜を均一化することが一層困難にな
る。この実施の形態は、開口部２１０３の直径よりも一
定値以上大きい直径を有するシリコン基板に関しても良
好に陽極化成処理するために、吸着パッド２１０８を設
けている。この吸着パッド２１０８は、直径が異なる以
外は吸着パッド２１０５と実質的に同様の構成を有し、
吸引孔２１１１及び減圧ライン２１２２を介してポンプ
２１２０により、溝内の空間を減圧することによりシリ
コン基板を吸着することができる。
シリコン基板を吸着パッド２１０５に吸着させて陽極化
成処理する場合には、当該シリコン基板の直径と開口部
２１０３の直径との差が６０ｍｍを大幅に越えるため、
形成される多孔質膜を均一化することが一層困難にな
る。この実施の形態は、開口部２１０３の直径よりも一
定値以上大きい直径を有するシリコン基板に関しても良
好に陽極化成処理するために、吸着パッド２１０８を設
けている。この吸着パッド２１０８は、直径が異なる以
外は吸着パッド２１０５と実質的に同様の構成を有し、
吸引孔２１１１及び減圧ライン２１２２を介してポンプ
２１２０により、溝内の空間を減圧することによりシリ
コン基板を吸着することができる。
【０１１５】この吸着パッド２１０８が設けられたホル
ダ表面２１０７は、吸着パッド２１０５が設けられた中
間面２１０４との間に段差を有する。このような段差を
設けることにより、直径が大きなシリコン基板（例え
ば、２００ｍｍ）を陽極化成処理する場合においても、
当該シリコン基板の裏面にＨＦ溶液２１１４を接触させ
る面積を飛躍的に大きくすることができる。したがっ
て、形成される多硬質膜を均一化することができる。
ダ表面２１０７は、吸着パッド２１０５が設けられた中
間面２１０４との間に段差を有する。このような段差を
設けることにより、直径が大きなシリコン基板（例え
ば、２００ｍｍ）を陽極化成処理する場合においても、
当該シリコン基板の裏面にＨＦ溶液２１１４を接触させ
る面積を飛躍的に大きくすることができる。したがっ
て、形成される多硬質膜を均一化することができる。
【０１１６】良好な分布の多孔質膜を得るためには、吸
着面２１０４と吸着面２１０７との段差を５ｍｍ以上に
することが好ましい。ただし、この段差が５ｍｍ未満の
場合であっても、例えば、処理の際に発生するＨ2ガス
を除去し、吸着パッド２１０８により吸着されたシリコ
ン基板の裏面にＨＦ溶液２１１５を十分に供給するため
の手段を設けることにより、良好な分布の多孔質膜を得
ることができる。その一例を挙げると、中間面２１０４
にホルダ２１０２を貫通するような複数の孔を設け、こ
の孔を介して、シリコン基板の裏面からＨ2ガスを除去
することが好適である。なお、この場合、吸着パッド２
１０５によりシリコン基板を吸着して陽極化成処理を施
す際には、上記の穴を塞ぐことが好ましい。
着面２１０４と吸着面２１０７との段差を５ｍｍ以上に
することが好ましい。ただし、この段差が５ｍｍ未満の
場合であっても、例えば、処理の際に発生するＨ2ガス
を除去し、吸着パッド２１０８により吸着されたシリコ
ン基板の裏面にＨＦ溶液２１１５を十分に供給するため
の手段を設けることにより、良好な分布の多孔質膜を得
ることができる。その一例を挙げると、中間面２１０４
にホルダ２１０２を貫通するような複数の孔を設け、こ
の孔を介して、シリコン基板の裏面からＨ2ガスを除去
することが好適である。なお、この場合、吸着パッド２
１０５によりシリコン基板を吸着して陽極化成処理を施
す際には、上記の穴を塞ぐことが好ましい。
【０１１７】他の構成要素を説明すると、２１０９ａは
マイナス電極、２１０９ｂはプラス電極であり、夫々化
学的に安定な白金材料で形成することが好ましい。２１
１２及び２１１３は、夫々減圧ライン２１２１及び２１
２２に設けられたストップバルブであり、このストップ
バルブ２１１２及び２１１３を制御することによりシリ
コン基板の吸着を制御することができる。２１１４は、
マニホールドである。２１１５は、ＨＦ溶液であり、反
応生成物であるＨ2等の気泡をシリコン基板表面から直
ちに除去するために、必要に応じてエタノール等のアル
コールを混入しても良い。図中の矢印２１１７は、電界
の方向を示している。２１１８は、化成処理されたシリ
コン基板２１０１の断面を拡大したものであり、シリコ
ン基板表面から多孔質化が進んでいる様子を示してい
る。
マイナス電極、２１０９ｂはプラス電極であり、夫々化
学的に安定な白金材料で形成することが好ましい。２１
１２及び２１１３は、夫々減圧ライン２１２１及び２１
２２に設けられたストップバルブであり、このストップ
バルブ２１１２及び２１１３を制御することによりシリ
コン基板の吸着を制御することができる。２１１４は、
マニホールドである。２１１５は、ＨＦ溶液であり、反
応生成物であるＨ2等の気泡をシリコン基板表面から直
ちに除去するために、必要に応じてエタノール等のアル
コールを混入しても良い。図中の矢印２１１７は、電界
の方向を示している。２１１８は、化成処理されたシリ
コン基板２１０１の断面を拡大したものであり、シリコ
ン基板表面から多孔質化が進んでいる様子を示してい
る。
【０１１８】なお、図２０に示す実施の形態は、２つの
吸着面を備えたものであるが、３以上の吸着面を備えて
も良く、この場合、さらに多様なサイズのシリコン基板
を取り扱うことが可能になる。本発明の好適な実施の形
態に拠れば、基板の保持機構を改善することにより、大
量生産向きで且つ多様なサイズの基板の処理に好適な陽
極化成装置を提供することができる。
吸着面を備えたものであるが、３以上の吸着面を備えて
も良く、この場合、さらに多様なサイズのシリコン基板
を取り扱うことが可能になる。本発明の好適な実施の形
態に拠れば、基板の保持機構を改善することにより、大
量生産向きで且つ多様なサイズの基板の処理に好適な陽
極化成装置を提供することができる。
【０１１９】具体的には、処理する基板をホルダに固定
するには、基板の裏面をホルダの吸着面に押し当てて吸
着させれば良いため、基板の取り扱いが容易になる。ま
た、処理する基板のサイズに応じて、最適な吸着機構を
選択してホルダに固定することができるため、基板のサ
イズに拘わらず、均一な多孔質膜を形成することができ
る。例えば、１つのホルダを用意するだけで、４インチ
またはそれ以下のサイズの基板から１２インチまたはそ
れ以上のサイズの基板までを適切に処理することができ
る。
するには、基板の裏面をホルダの吸着面に押し当てて吸
着させれば良いため、基板の取り扱いが容易になる。ま
た、処理する基板のサイズに応じて、最適な吸着機構を
選択してホルダに固定することができるため、基板のサ
イズに拘わらず、均一な多孔質膜を形成することができ
る。例えば、１つのホルダを用意するだけで、４インチ
またはそれ以下のサイズの基板から１２インチまたはそ
れ以上のサイズの基板までを適切に処理することができ
る。
【０１２０】また、例えば、ホルダの各吸着機構の径
を、対応する基板の径より十分に小さくすることによっ
て、吸着すべき基板のオリエンテーション・フラットの
位置を制限することがなくなり、また、基板の中心位置
がホルダの中心位置から若干外れても良くなる。また、
基板を保持する動作が簡略化されるため、陽極化成処理
の自動化が容易になる。
を、対応する基板の径より十分に小さくすることによっ
て、吸着すべき基板のオリエンテーション・フラットの
位置を制限することがなくなり、また、基板の中心位置
がホルダの中心位置から若干外れても良くなる。また、
基板を保持する動作が簡略化されるため、陽極化成処理
の自動化が容易になる。
【０１２１】以下に、本実施の形態の発明の好適な構成
例を列挙して説明する。
例を列挙して説明する。
【０１２２】
【第１の構成例】図２１Ａは、本実施の形態の第１の構
成例に係るホルダの正面図、図２１Ｂは、図２１Ａに示
すホルダを縦方向に切断した断面図である。２２０１
は、化成処理を施す４インチまたは５インチのシリコン
基板である。２２０２は、四フッ化エチレン樹脂（商品
名：テフロン）製のホルダであり、中心に直径７５ｍｍ
の円形の開口部２２０３が設けられている。
成例に係るホルダの正面図、図２１Ｂは、図２１Ａに示
すホルダを縦方向に切断した断面図である。２２０１
は、化成処理を施す４インチまたは５インチのシリコン
基板である。２２０２は、四フッ化エチレン樹脂（商品
名：テフロン）製のホルダであり、中心に直径７５ｍｍ
の円形の開口部２２０３が設けられている。
【０１２３】このホルダ２２０２は、４インチのシリコ
ン基板２２０１を吸着して保持するための中間面２２０
４と、６インチ以上のシリコン基板２２１０を吸着して
保持するためのホルダ表面２２０７とを有する。中間面
２２０４は、ホルダ表面２２０７から開口部２２０３に
向かって段差をなすように形成されている。この段差
は、シリコン基板２２１０を化成処理する際に発生する
Ｈ2ガスを除去し、その裏面にＨＦ溶液が十分に供給さ
れるようにすべく５ｍｍ以上にすることが好ましい。ま
た、中間面２２０４の外周は、開口部２２０３と略同心
円をなすことが好ましい。この構成例においては、中間
２２０４の外径は１３０ｍｍとしている。
ン基板２２０１を吸着して保持するための中間面２２０
４と、６インチ以上のシリコン基板２２１０を吸着して
保持するためのホルダ表面２２０７とを有する。中間面
２２０４は、ホルダ表面２２０７から開口部２２０３に
向かって段差をなすように形成されている。この段差
は、シリコン基板２２１０を化成処理する際に発生する
Ｈ2ガスを除去し、その裏面にＨＦ溶液が十分に供給さ
れるようにすべく５ｍｍ以上にすることが好ましい。ま
た、中間面２２０４の外周は、開口部２２０３と略同心
円をなすことが好ましい。この構成例においては、中間
２２０４の外径は１３０ｍｍとしている。
【０１２４】中間面２２０４には、開口部２２０３の縁
に沿って円形状の二重の溝が形成されており、夫々の溝
にはフッ素樹脂系であるパーフルオロエチレン製のＯリ
ング２２０５ａ，２２０５ｂがはめ込まれている。外側
のＯリング２２０５ａの内径は９２ｍｍ、内側のＯリン
グ２２０５ｂの内径は７９ｍｍであり、各Ｏリング断面
の直径は共に２．５ｍｍである。
に沿って円形状の二重の溝が形成されており、夫々の溝
にはフッ素樹脂系であるパーフルオロエチレン製のＯリ
ング２２０５ａ，２２０５ｂがはめ込まれている。外側
のＯリング２２０５ａの内径は９２ｍｍ、内側のＯリン
グ２２０５ｂの内径は７９ｍｍであり、各Ｏリング断面
の直径は共に２．５ｍｍである。
【０１２５】外側のＯリング２２０５ａと内側のＯリン
グ２２０５ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２２
０１とで構成される空間を減圧するための吸引孔２２０
６が設けられている。この吸引孔２２０６は、ホルダ２
２０２の上部に向かって貫通している。シリコン基板２
２０１を吸着する際は、吸引孔２２０６に減圧ラインを
介して接続された不図示のポンプによりＯリング間の空
間を減圧すれば良い。
グ２２０５ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２２
０１とで構成される空間を減圧するための吸引孔２２０
６が設けられている。この吸引孔２２０６は、ホルダ２
２０２の上部に向かって貫通している。シリコン基板２
２０１を吸着する際は、吸引孔２２０６に減圧ラインを
介して接続された不図示のポンプによりＯリング間の空
間を減圧すれば良い。
【０１２６】４インチのシリコン基板２２０１は、直径
が１００ｍｍであるから、シリコン基板２２０１の中心
と開口部２２０３の中心とが略一致していれば、オリエ
ンテーション・フラットの位置はどの方向であっても良
い。したがって、シリコン基板２２０１をホルダ２２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。また、５インチのシ
リコン基板２２０１についても同様である。
が１００ｍｍであるから、シリコン基板２２０１の中心
と開口部２２０３の中心とが略一致していれば、オリエ
ンテーション・フラットの位置はどの方向であっても良
い。したがって、シリコン基板２２０１をホルダ２２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。また、５インチのシ
リコン基板２２０１についても同様である。
【０１２７】また、ホルダ表面２２０７には、中間面２
２０４の外周に沿って円形状の二重の溝が形成されてお
り、夫々の溝にはフッ素樹脂系であるパーフルオロエチ
レン製のＯリング２２０８ａ，２２０８ｂがはめ込まれ
ている。外側のＯリング２２０８ａの内径は１４１ｍ
ｍ、内側のＯリング２２０８ｂの内径は１３３ｍｍであ
り、各Ｏリング断面の直径は共に２．５ｍｍである。
２０４の外周に沿って円形状の二重の溝が形成されてお
り、夫々の溝にはフッ素樹脂系であるパーフルオロエチ
レン製のＯリング２２０８ａ，２２０８ｂがはめ込まれ
ている。外側のＯリング２２０８ａの内径は１４１ｍ
ｍ、内側のＯリング２２０８ｂの内径は１３３ｍｍであ
り、各Ｏリング断面の直径は共に２．５ｍｍである。
【０１２８】外側のＯリング２２０８ａと内側のＯリン
グ２２０８ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２２
１０とで構成される空間を減圧するための吸引孔２２０
９が設けられている。この吸引孔２２０９は、ホルダ２
２０２の上部に向かって貫通している。シリコン基板２
２１０を吸着する際は、吸引孔２２０９に減圧ラインを
介して接続された不図示のポンプによりＯリング間の空
間を減圧すれば良い。
グ２２０８ｂの間には、両Ｏリングとシリコン基板２２
１０とで構成される空間を減圧するための吸引孔２２０
９が設けられている。この吸引孔２２０９は、ホルダ２
２０２の上部に向かって貫通している。シリコン基板２
２１０を吸着する際は、吸引孔２２０９に減圧ラインを
介して接続された不図示のポンプによりＯリング間の空
間を減圧すれば良い。
【０１２９】６インチのシリコン基板２２１０は、直径
が１５０ｍｍであるから、シリコン基板２２１０の中心
と開口部２２０３の中心とが略一致していれば、オリエ
ンテーション・フラットの位置はどの方向であっても良
い。したがって、シリコン基板２２１０をホルダ２２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。また、６インチ以上
のシリコン基板２２１０についても同様である。
が１５０ｍｍであるから、シリコン基板２２１０の中心
と開口部２２０３の中心とが略一致していれば、オリエ
ンテーション・フラットの位置はどの方向であっても良
い。したがって、シリコン基板２２１０をホルダ２２０
２に吸着させる場合に、オリエンテーション・フラット
の位置を考慮することを要しない。また、６インチ以上
のシリコン基板２２１０についても同様である。
【０１３０】このホルダ２２０２は、４インチ（または
５インチ）のシリコン基板２２０１と６インチ以上のシ
リコン基板２２１０の両方に使用することができるが、
勿論両シリコン基板を一度に吸着して陽極化成処理を行
うのではなく、一度の処理においては、いずれかのシリ
コン基板のみを取り扱う。なお、ホルダ２２０２の各部
の寸法は、処理対象とするシリコン基板のサイズに応じ
て適宜変更し得る。
５インチ）のシリコン基板２２０１と６インチ以上のシ
リコン基板２２１０の両方に使用することができるが、
勿論両シリコン基板を一度に吸着して陽極化成処理を行
うのではなく、一度の処理においては、いずれかのシリ
コン基板のみを取り扱う。なお、ホルダ２２０２の各部
の寸法は、処理対象とするシリコン基板のサイズに応じ
て適宜変更し得る。
【０１３１】シリコン基板に実際に化成処理を施すに
は、シリコン基板を吸着したホルダ２２０２を陽極化成
槽にセットする。図２２は、ホルダ２２０２を陽極化成
槽にセットする様子を示す図である。なお、ホルダ２２
０２と陽極化成槽２２１１は、一体化されたものであっ
ても良い。陽極化成槽２２１１は、ホルダ２２０２と同
様に四フッ化エチレン樹脂で構成されており、その両側
に白金電極２２１３ａ、２２１３ｂが取り付けられてい
る。また、陽極化成槽２２１１の中ほどには、ホルダ２
２０２を保持するためのホルダ溝２２１２が設けられて
いる。シリコン基板を吸着したホルダ２２０２をこのホ
ルダ溝２２１２に対してはめ込むことにより、陽極化成
槽２２１１は左右に二分され、槽内に満たされているＨ
Ｆ溶液２２１４が分離される。
は、シリコン基板を吸着したホルダ２２０２を陽極化成
槽にセットする。図２２は、ホルダ２２０２を陽極化成
槽にセットする様子を示す図である。なお、ホルダ２２
０２と陽極化成槽２２１１は、一体化されたものであっ
ても良い。陽極化成槽２２１１は、ホルダ２２０２と同
様に四フッ化エチレン樹脂で構成されており、その両側
に白金電極２２１３ａ、２２１３ｂが取り付けられてい
る。また、陽極化成槽２２１１の中ほどには、ホルダ２
２０２を保持するためのホルダ溝２２１２が設けられて
いる。シリコン基板を吸着したホルダ２２０２をこのホ
ルダ溝２２１２に対してはめ込むことにより、陽極化成
槽２２１１は左右に二分され、槽内に満たされているＨ
Ｆ溶液２２１４が分離される。
【０１３２】この状態で、白金電極２２１３ａをマイナ
ス、白金電極２２１３ｂをプラスとして直流電圧を印加
すると、シリコン基板の表面領域の全面と、裏面のうち
外側のＯリング２２０５ａより外側の部分（裏面周辺
部）が陽極化成される。これにより、シリコン基板２２
０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔質シリコン層
を形成することができる。
ス、白金電極２２１３ｂをプラスとして直流電圧を印加
すると、シリコン基板の表面領域の全面と、裏面のうち
外側のＯリング２２０５ａより外側の部分（裏面周辺
部）が陽極化成される。これにより、シリコン基板２２
０１の表面全体と裏面周辺部に亘って多孔質シリコン層
を形成することができる。
【０１３３】図２３は、複数のホルダ２２０２を保持可
能な陽極化成槽の一例を示す断面図である。図２３に示
すように、陽極化成槽２２１１’に複数のホルダ溝２２
１２を設けて、複数のホルダ２２０２を保持可能な構成
とすることにより、より生産性を向上させることができ
る。なお、ここで示す陽極化成槽の一例は、ホルダを直
列に配置するものであるが、並列に配置するものでも良
いし、マトリックス状に配置するものでも良い。また、
ホルダ２２０２と陽極化成槽２２１１’は、一体化され
たものであっても良い。
能な陽極化成槽の一例を示す断面図である。図２３に示
すように、陽極化成槽２２１１’に複数のホルダ溝２２
１２を設けて、複数のホルダ２２０２を保持可能な構成
とすることにより、より生産性を向上させることができ
る。なお、ここで示す陽極化成槽の一例は、ホルダを直
列に配置するものであるが、並列に配置するものでも良
いし、マトリックス状に配置するものでも良い。また、
ホルダ２２０２と陽極化成槽２２１１’は、一体化され
たものであっても良い。
【０１３４】次に、ホルダ２２０２にシリコン基板を自
動的に着脱するウェハ搬送ロボットの一例を説明する。
図２４は、本構成例に係るホルダに好適な枚葉式ウェハ
搬送ロボットの構成を模式的に示す図である。このウェ
ハ搬送ロボットは、２つのウェハ搬送ロボット１３０７
及び１３３０を組合わせてなる。
動的に着脱するウェハ搬送ロボットの一例を説明する。
図２４は、本構成例に係るホルダに好適な枚葉式ウェハ
搬送ロボットの構成を模式的に示す図である。このウェ
ハ搬送ロボットは、２つのウェハ搬送ロボット１３０７
及び１３３０を組合わせてなる。
【０１３５】第１のウェハ搬送ロボット１３０７は、シ
リコン基板２２２０の裏面を真空吸着して、矢印ａに示
すように、ホルダ２２０２の前面付近まで搬送して、第
２搬送ロボット１３３０に引き渡す。第２のウェハ搬送
ロボット１３３０がシリコン基板２２２０を真空吸着す
ると、第１のウェハ搬送ロボット１３０７は、一旦上方
に移動した後に、矢印ａの逆方向に移動し、陽極化成槽
２２１１’から離れる。
リコン基板２２２０の裏面を真空吸着して、矢印ａに示
すように、ホルダ２２０２の前面付近まで搬送して、第
２搬送ロボット１３３０に引き渡す。第２のウェハ搬送
ロボット１３３０がシリコン基板２２２０を真空吸着す
ると、第１のウェハ搬送ロボット１３０７は、一旦上方
に移動した後に、矢印ａの逆方向に移動し、陽極化成槽
２２１１’から離れる。
【０１３６】第２搬送ロボット１３３０は、シリコン基
板２２２０の裏面を真空吸着すると、矢印ｂに示すよう
に、シリコン基板２２０を搬送する。この際、シリコン
基板２２２０のサイズによって第２の搬送ロボット１３
３０の動作は異なる。すなわち、シリコン基板２２２０
のサイズが４インチ（または５インチ）の場合には、第
２の搬送ロボット１３３０は、シリコン基板２２２０を
Ｏリング２２０５の位置まで搬送する。一方、シリコン
基板２２２０のサイズが６インチ（またはそれ以上）の
場合には、第２のウェハ搬送ロボット１３３０は、シリ
コン基板２２２０をＯリング２２０８の位置まで搬送す
る。
板２２２０の裏面を真空吸着すると、矢印ｂに示すよう
に、シリコン基板２２０を搬送する。この際、シリコン
基板２２２０のサイズによって第２の搬送ロボット１３
３０の動作は異なる。すなわち、シリコン基板２２２０
のサイズが４インチ（または５インチ）の場合には、第
２の搬送ロボット１３３０は、シリコン基板２２２０を
Ｏリング２２０５の位置まで搬送する。一方、シリコン
基板２２２０のサイズが６インチ（またはそれ以上）の
場合には、第２のウェハ搬送ロボット１３３０は、シリ
コン基板２２２０をＯリング２２０８の位置まで搬送す
る。
【０１３７】シリコン基板２２２０が、Ｏリング２２０
５または２２０８と接触する位置まで搬送され、Ｏリン
グ２２０５または２２０８により吸着されると、第２の
ウェハ搬送ロボッ１３３０は、シリコン基板２２２０を
開放した後、さらにｂ方向に移動し、次いで、矢印ｃに
示すように上方に移動して陽極化成槽２２１１’から離
れる。
５または２２０８と接触する位置まで搬送され、Ｏリン
グ２２０５または２２０８により吸着されると、第２の
ウェハ搬送ロボッ１３３０は、シリコン基板２２２０を
開放した後、さらにｂ方向に移動し、次いで、矢印ｃに
示すように上方に移動して陽極化成槽２２１１’から離
れる。
【０１３８】なお、第２のウェハ搬送ロボット１３３０
は、シリコン基板２２２０を搬送するのに先立って、矢
印ｃ及びｂを逆方向に辿って、シリコン基板２２２０を
真空吸着する位置（図示の位置）に移動する。以上のよ
うな動作を行うウェハ搬送ロボットを装備することによ
り、陽極化成処理の自動化が可能になる。
は、シリコン基板２２２０を搬送するのに先立って、矢
印ｃ及びｂを逆方向に辿って、シリコン基板２２２０を
真空吸着する位置（図示の位置）に移動する。以上のよ
うな動作を行うウェハ搬送ロボットを装備することによ
り、陽極化成処理の自動化が可能になる。
【０１３９】
【第２の構成例】図２５は、本実施の形態の第２の構成
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２３０３
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２３０３
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
【０１４０】この構成例に係るホルダ２３０３は、第１
の構成例に係るホルダにおける二重のＯリングを他の吸
着機構によって置換したものであって、４インチ（また
は５インチ）のシリコン基板２３０１を吸着するための
吸着機構と、６インチ以上のシリコン基板２３０２を吸
着するための吸着機構とを有する。この構成例において
は、シリコン基板の吸着機構として、断面がＵ型で全体
が円環状の吸着パッド２３０５及び２３０６を採用して
いる。
の構成例に係るホルダにおける二重のＯリングを他の吸
着機構によって置換したものであって、４インチ（また
は５インチ）のシリコン基板２３０１を吸着するための
吸着機構と、６インチ以上のシリコン基板２３０２を吸
着するための吸着機構とを有する。この構成例において
は、シリコン基板の吸着機構として、断面がＵ型で全体
が円環状の吸着パッド２３０５及び２３０６を採用して
いる。
【０１４１】この吸着パッド２３０５、２３０６の一部
には、夫々減圧ライン２３０７、２３０８に通じる吸引
孔２３１２、２３１３が設けられている。減圧ライン２
３０７、２３０８の先には、夫々ストップバルブ２３０
９、２３１０が設けられ、さらに、その先にはマニホー
ルド２３１１が設けられ、そのマニホールド２３１１に
より２本の減圧ラインが１本にまとめられている。シリ
コン基板２３０１、２３０２を吸着するには、夫々スト
ップバルブ２３０９、２３１０を開放すれば良い。
には、夫々減圧ライン２３０７、２３０８に通じる吸引
孔２３１２、２３１３が設けられている。減圧ライン２
３０７、２３０８の先には、夫々ストップバルブ２３０
９、２３１０が設けられ、さらに、その先にはマニホー
ルド２３１１が設けられ、そのマニホールド２３１１に
より２本の減圧ラインが１本にまとめられている。シリ
コン基板２３０１、２３０２を吸着するには、夫々スト
ップバルブ２３０９、２３１０を開放すれば良い。
【０１４２】この構成例のように、吸着機構として、断
面がＵ型の吸着パッドを採用すると、第１の構成例に比
べ、シリコン基板との接触部分の自由度が大きいため、
シリコン基板を接触部分に精度良く搬送する必要がなく
なる。
面がＵ型の吸着パッドを採用すると、第１の構成例に比
べ、シリコン基板との接触部分の自由度が大きいため、
シリコン基板を接触部分に精度良く搬送する必要がなく
なる。
【０１４３】
【第３の構成例】図２６は、本実施の形態の第３の構成
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２３０３’
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２３０３’
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
【０１４４】この構成例に係るホルダ２３０３’は、第
２の構成例に係るホルダ２３０３における吸着パッド２
３０５及び２３０６を他の吸着機構、すなわち、断面が
凹型の吸着パッド２３０５’及び２３０６’によって置
換するものである。なお、図２５と同様の構成部材に関
しては同一の符号を付し、説明を省略する。この構成例
のように、吸着機構として、断面が凹型の吸着パッドを
採用すると、第２の構成例と同様に、シリコン基板との
接触部分の自由度が大きいため、シリコン基板を接触部
分に精度良く搬送する必要がなくなる。
２の構成例に係るホルダ２３０３における吸着パッド２
３０５及び２３０６を他の吸着機構、すなわち、断面が
凹型の吸着パッド２３０５’及び２３０６’によって置
換するものである。なお、図２５と同様の構成部材に関
しては同一の符号を付し、説明を省略する。この構成例
のように、吸着機構として、断面が凹型の吸着パッドを
採用すると、第２の構成例と同様に、シリコン基板との
接触部分の自由度が大きいため、シリコン基板を接触部
分に精度良く搬送する必要がなくなる。
【０１４５】
【第４の構成例】図２７は、本実施の形態の第４の構成
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２４０３
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２４０３
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
【０１４６】この構成例に係るホルダ２４０３は、第１
の構成例に係るホルダにおける二重のＯリングを他の吸
着機構によって置換したものであって、４インチ（また
は５インチ）のシリコン基板２４０１を吸着するための
吸着機構と、６インチ以上のシリコン基板２４０２を吸
着するための吸着機構とを有する。この構成例において
は、シリコン基板の吸着機構として、断面が矩形で且つ
全体が円環状の吸着パッド２４０５及び２４０６を採用
している。
の構成例に係るホルダにおける二重のＯリングを他の吸
着機構によって置換したものであって、４インチ（また
は５インチ）のシリコン基板２４０１を吸着するための
吸着機構と、６インチ以上のシリコン基板２４０２を吸
着するための吸着機構とを有する。この構成例において
は、シリコン基板の吸着機構として、断面が矩形で且つ
全体が円環状の吸着パッド２４０５及び２４０６を採用
している。
【０１４７】この吸着パッド２４０５、２４０６には、
夫々シリコン基板２４０１、２４０２を吸着するための
溝が設けられている。そして、各溝には、減圧ライン２
４１１，２４１２に通じる吸引孔２４０７、２４０８が
設けられている。減圧ライン２４１１、２４１２には、
夫々ストップバルブ２４０９、２４１０が設けられ、さ
らに、その先にはマニホールド２４１３が設けられ、そ
のマニホールド２４１３により２本の減圧ラインが１本
にまとめられている。シリコン基板２４０１、２４０２
を吸着するには、夫々ストップバルブ２４０９、２４１
０を開放すれば良い。
夫々シリコン基板２４０１、２４０２を吸着するための
溝が設けられている。そして、各溝には、減圧ライン２
４１１，２４１２に通じる吸引孔２４０７、２４０８が
設けられている。減圧ライン２４１１、２４１２には、
夫々ストップバルブ２４０９、２４１０が設けられ、さ
らに、その先にはマニホールド２４１３が設けられ、そ
のマニホールド２４１３により２本の減圧ラインが１本
にまとめられている。シリコン基板２４０１、２４０２
を吸着するには、夫々ストップバルブ２４０９、２４１
０を開放すれば良い。
【０１４８】この構成例に係るホルダ２４０３を陽極化
成槽２２１１または２２１１’と組合わせて使用し、シ
リコン基板に陽極化成処理を施すと、シリコン基板の表
面だけが陽極化成され、裏面は陽極化成されない。これ
は、吸着パッド２４０５または２４０６がシリコン基板
２４０１または２４０２の裏面と密着するために、Ｏリ
ング等の吸着機構を用いた場合のようにシリコン基板の
表面側のＨＦ溶液がシリコン基板の裏面に回り込むこと
がないからである。すなわち、このホルダ２４０３を用
いて陽極化成処理を行うと、シリコン基板の表面だけが
多孔質化され、裏面は多孔質化されないため、有効領域
（例えば、ＳＯＩ基板を作成する際に利用できる領域）
を拡大することができる。
成槽２２１１または２２１１’と組合わせて使用し、シ
リコン基板に陽極化成処理を施すと、シリコン基板の表
面だけが陽極化成され、裏面は陽極化成されない。これ
は、吸着パッド２４０５または２４０６がシリコン基板
２４０１または２４０２の裏面と密着するために、Ｏリ
ング等の吸着機構を用いた場合のようにシリコン基板の
表面側のＨＦ溶液がシリコン基板の裏面に回り込むこと
がないからである。すなわち、このホルダ２４０３を用
いて陽極化成処理を行うと、シリコン基板の表面だけが
多孔質化され、裏面は多孔質化されないため、有効領域
（例えば、ＳＯＩ基板を作成する際に利用できる領域）
を拡大することができる。
【０１４９】
【第５の構成例】図２８は、本実施の形態の第５の構成
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２５０５
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
例に係るホルダの断面図である。このホルダ２５０５
は、例えば、第１の構成例に係る陽極化成槽２２１１ま
たは２２１１’と組合わせて使用することができる。ま
た、シリコン基板の着脱には、図２４に示す枚葉式ウェ
ハ搬送ロボットが好適である。
【０１５０】この構成例に係るホルダ２５０５は、様々
なサイズのシリコン基板に対応すべく、複数の吸着機構
を備えており、ホルダ本体の表面側より裏面側に向かっ
て階段状にくり貫いた形状を有するホルダ本体の各段
（中間面）にシリコン基板の吸着機構を有する。２５０
５は、シリコン基板を支持するためのホルダであり、耐
ＨＦ性の材質である四フッ化エチレン樹脂（商品名：テ
フロン）などにより構成される。ホルダ２５０５は、そ
の表面側から裏面側に向かって、１２インチ基板用、８
インチ基板用、６インチ基板用、５インチ基板用（４イ
ンチ基板と兼用）の吸着機構を、順にホルダ表面２５２
４、中間面２５２３、中間面２５２２、中間面２５２１
に備えている。なお、１２インチを越えるシリコン基板
を保持するために、さらに段数（吸着機構）を増やして
も良いし、不要な中間面を削除しても良い。
なサイズのシリコン基板に対応すべく、複数の吸着機構
を備えており、ホルダ本体の表面側より裏面側に向かっ
て階段状にくり貫いた形状を有するホルダ本体の各段
（中間面）にシリコン基板の吸着機構を有する。２５０
５は、シリコン基板を支持するためのホルダであり、耐
ＨＦ性の材質である四フッ化エチレン樹脂（商品名：テ
フロン）などにより構成される。ホルダ２５０５は、そ
の表面側から裏面側に向かって、１２インチ基板用、８
インチ基板用、６インチ基板用、５インチ基板用（４イ
ンチ基板と兼用）の吸着機構を、順にホルダ表面２５２
４、中間面２５２３、中間面２５２２、中間面２５２１
に備えている。なお、１２インチを越えるシリコン基板
を保持するために、さらに段数（吸着機構）を増やして
も良いし、不要な中間面を削除しても良い。
【０１５１】図示の例は、吸着機構として、二重のＯリ
ング２５０７、２５０８、２５０９、２５１０を採用し
たものであるが、上記の第２乃至第４の構成例の如き吸
着機構を備えることも有効である。この構成例において
は、８インチ基板用の中間面２５２３の外径を２８０ｍ
ｍ、６インチ基板用の中間面２５２２の外径を１８０ｍ
ｍ、４インチ基板用（５インチ基板と兼用）の中間面２
５２１の外径を１３０ｍｍ、開口部２５０６の直径を７
５ｍｍとしているが、他の寸法にしても良い。
ング２５０７、２５０８、２５０９、２５１０を採用し
たものであるが、上記の第２乃至第４の構成例の如き吸
着機構を備えることも有効である。この構成例において
は、８インチ基板用の中間面２５２３の外径を２８０ｍ
ｍ、６インチ基板用の中間面２５２２の外径を１８０ｍ
ｍ、４インチ基板用（５インチ基板と兼用）の中間面２
５２１の外径を１３０ｍｍ、開口部２５０６の直径を７
５ｍｍとしているが、他の寸法にしても良い。
【０１５２】各サイズのシリコン基板に関して、良好な
分布の多孔質膜を得るためには、各吸着面間の段差を５
ｍｍ以上にすることが好ましい。ただし、この段差が５
ｍｍ未満の場合であっても、例えば、処理の際に発生す
るＨ2ガスを除去し、処理するシリコン基板の裏面にＨ
Ｆ溶液を十分に供給するための手段を設けることによ
り、良好な分布の多孔質膜を得ることができる。その一
例を挙げると、各吸着面２５２１〜２５２３に、ホルダ
２５０５を貫通するような孔２５３１〜２５３３を夫々
複数設け、この孔２５３１〜２５３３を介して、シリコ
ン基板の裏面からＨ2ガスを除去することが好適であ
る。なお、この場合、シリコン基板の表面側と裏面側と
の間でＨＦ溶液が移動することを防ぐために、処理する
シリコン基板のサイズに応じて孔を塞ぐことが好まし
い。例えば、シリコン基板２５０３を処理する場合に
は、孔２５３３の存在は好ましくないため、この孔２５
３３を塞ぐことが好ましい。また、他の例を挙げると、
中間面のうち吸着機構であるＯリングを支持する部分以
外をホルダ２５０５の裏面側に窪ませて、シリコン基板
の裏面の空間を拡大することも好適である。
分布の多孔質膜を得るためには、各吸着面間の段差を５
ｍｍ以上にすることが好ましい。ただし、この段差が５
ｍｍ未満の場合であっても、例えば、処理の際に発生す
るＨ2ガスを除去し、処理するシリコン基板の裏面にＨ
Ｆ溶液を十分に供給するための手段を設けることによ
り、良好な分布の多孔質膜を得ることができる。その一
例を挙げると、各吸着面２５２１〜２５２３に、ホルダ
２５０５を貫通するような孔２５３１〜２５３３を夫々
複数設け、この孔２５３１〜２５３３を介して、シリコ
ン基板の裏面からＨ2ガスを除去することが好適であ
る。なお、この場合、シリコン基板の表面側と裏面側と
の間でＨＦ溶液が移動することを防ぐために、処理する
シリコン基板のサイズに応じて孔を塞ぐことが好まし
い。例えば、シリコン基板２５０３を処理する場合に
は、孔２５３３の存在は好ましくないため、この孔２５
３３を塞ぐことが好ましい。また、他の例を挙げると、
中間面のうち吸着機構であるＯリングを支持する部分以
外をホルダ２５０５の裏面側に窪ませて、シリコン基板
の裏面の空間を拡大することも好適である。
【０１５３】各Ｏリング２５０７〜２５１０について、
夫々二重のＯリング間の空間を減圧するための吸引孔２
５１１〜２５１４が形成され、ホルダ２５０５の上方に
おいて夫々減圧ライン２５４１〜２５４４に接続されて
いる。減圧ライン２５４１〜２５４４は、ストップバル
ブ２５１５〜２５１８に接続され、その先でマニホール
ド２５１９に接続され、４本の減圧ラインが１本にまと
められている。シリコン基板２５０１〜２５０４を吸着
するには、夫々ストップバルブ２５１５〜２５１８を開
放すれば良い。
夫々二重のＯリング間の空間を減圧するための吸引孔２
５１１〜２５１４が形成され、ホルダ２５０５の上方に
おいて夫々減圧ライン２５４１〜２５４４に接続されて
いる。減圧ライン２５４１〜２５４４は、ストップバル
ブ２５１５〜２５１８に接続され、その先でマニホール
ド２５１９に接続され、４本の減圧ラインが１本にまと
められている。シリコン基板２５０１〜２５０４を吸着
するには、夫々ストップバルブ２５１５〜２５１８を開
放すれば良い。
【０１５４】この構成例に拠れば、複数の吸着機構を設
けることにより、広範なサイズのシリコン基板を取り扱
うことができる。なお、上記の種々の実施例において、
複数のホルダを有する陽極化成槽により陽極化成処理を
行う場合、サイズの異なるシリコン基板を同時に取り扱
っても良い。この場合、処理するシリコン基板のサイズ
に応じて各ホルダのストップバルブを独立に制御するこ
とになる。例えば、４インチのシリコン基板と６インチ
のシリコン基板を同時に処理する場合、４インチのシリ
コン基板を処理するホルダに関しては４インチ用のスト
ップバルブを制御することによりシリコン基板の着脱を
行ない、６インチのシリコン基板を処理するホルダに関
しては６インチ用のストップバルブを制御することによ
りシリコン基板の着脱を行う。
けることにより、広範なサイズのシリコン基板を取り扱
うことができる。なお、上記の種々の実施例において、
複数のホルダを有する陽極化成槽により陽極化成処理を
行う場合、サイズの異なるシリコン基板を同時に取り扱
っても良い。この場合、処理するシリコン基板のサイズ
に応じて各ホルダのストップバルブを独立に制御するこ
とになる。例えば、４インチのシリコン基板と６インチ
のシリコン基板を同時に処理する場合、４インチのシリ
コン基板を処理するホルダに関しては４インチ用のスト
ップバルブを制御することによりシリコン基板の着脱を
行ない、６インチのシリコン基板を処理するホルダに関
しては６インチ用のストップバルブを制御することによ
りシリコン基板の着脱を行う。
【０１５５】
【第６の構成例】この構成例は、第１の構成例に係る陽
極化成槽２２１１’、第１のウェハ搬送ロボット１３０
７、第２のウェハ搬送ロボット１３３０を備えた自動陽
極化成槽を提供する。図２９は、自動陽極化成装置の概
略平面図である。この例においては、陽極化成槽２２１
１’には２５個のホルダ２２０２が備えられており、２
５枚のウェハを一括して処理する能力を有する。
極化成槽２２１１’、第１のウェハ搬送ロボット１３０
７、第２のウェハ搬送ロボット１３３０を備えた自動陽
極化成槽を提供する。図２９は、自動陽極化成装置の概
略平面図である。この例においては、陽極化成槽２２１
１’には２５個のホルダ２２０２が備えられており、２
５枚のウェハを一括して処理する能力を有する。
【０１５６】１３０１は、自動陽極化成装置の本体であ
る。この陽極化成装置は、例えば、コンピュータにより
その動作が制御される。１３０２はローダであり、ウェ
ハキャリアが置かれると、第１のウェハ搬送ロボット１
３０７がウェハを吸着できる位置までそのウェハキャリ
アを移動させる機能を有する。図３０は、ウェハキャリ
アに収容されたウェハを陽極化成槽２２１１’にセット
する手順を説明するための図である。作業者がウェハキ
ャリア１３１２をローダ１３０２のステージ１３０２ａ
に載置すると、ウェハキャリア１３１２は、コンピュー
タ制御の下、自動的にステージ１３０２ｂに搬送され、
さらに、ステージ１３０２ｃに搬送される。次いで、ス
テージ１３０２ｃ上のウェハキャリア１３１２の下方か
ら、ウェハ保持用の溝の付いたボード１３１１が、ウェ
ハキャリア１３１１の下部の窓（開口部）を通して上昇
する。その結果、ウェハキャリア１３１２内に収容され
た全ウェハがボード１３１１の溝によって保持されて、
ウェハキャリア１３１２の上方に押し上げられる（図３
０に示す状態）。
る。この陽極化成装置は、例えば、コンピュータにより
その動作が制御される。１３０２はローダであり、ウェ
ハキャリアが置かれると、第１のウェハ搬送ロボット１
３０７がウェハを吸着できる位置までそのウェハキャリ
アを移動させる機能を有する。図３０は、ウェハキャリ
アに収容されたウェハを陽極化成槽２２１１’にセット
する手順を説明するための図である。作業者がウェハキ
ャリア１３１２をローダ１３０２のステージ１３０２ａ
に載置すると、ウェハキャリア１３１２は、コンピュー
タ制御の下、自動的にステージ１３０２ｂに搬送され、
さらに、ステージ１３０２ｃに搬送される。次いで、ス
テージ１３０２ｃ上のウェハキャリア１３１２の下方か
ら、ウェハ保持用の溝の付いたボード１３１１が、ウェ
ハキャリア１３１１の下部の窓（開口部）を通して上昇
する。その結果、ウェハキャリア１３１２内に収容され
た全ウェハがボード１３１１の溝によって保持されて、
ウェハキャリア１３１２の上方に押し上げられる（図３
０に示す状態）。
【０１５７】この状態で、第１のウェハ搬送ロボット１
３０７が端から順にウェハを真空吸着し、矢印ｄに示す
ように陽極化成槽２２１１’内の該当するホルダ２２０
２の前面まで搬送する。このとき、第２のウェハ搬送ロ
ボット１３３０は、ウェハを受け取る位置まで移動して
待機しており、搬送されてきたウェハを吸着して、該ウ
ェハを該当するホルダのＯリングに接触する位置まで搬
送する。
３０７が端から順にウェハを真空吸着し、矢印ｄに示す
ように陽極化成槽２２１１’内の該当するホルダ２２０
２の前面まで搬送する。このとき、第２のウェハ搬送ロ
ボット１３３０は、ウェハを受け取る位置まで移動して
待機しており、搬送されてきたウェハを吸着して、該ウ
ェハを該当するホルダのＯリングに接触する位置まで搬
送する。
【０１５８】この状態で、コンピュータ制御の下、該当
するストップバルブを開放することにより、ウェハを吸
着することができる。ウェハが吸着されると、第２のウ
ェハ搬送ロボット１３３０は、そのウェハを放し、次の
ウェハをセットする準備をする。以上の手順を繰り返す
ことにより、ボード１３１１上の全ウェハが陽極化成槽
２２１１’のホルダ２２０２にセットされる。
するストップバルブを開放することにより、ウェハを吸
着することができる。ウェハが吸着されると、第２のウ
ェハ搬送ロボット１３３０は、そのウェハを放し、次の
ウェハをセットする準備をする。以上の手順を繰り返す
ことにより、ボード１３１１上の全ウェハが陽極化成槽
２２１１’のホルダ２２０２にセットされる。
【０１５９】次いで、コンピュータ制御の下、陽極化成
槽２２１１’の両端に設けられた白金電極２２１３ａと
２２１３ｂとの間に直流電圧が印加され、陽極化成処理
が行われる。次いで、陽極化成処理が完了したウェハは
純水で洗浄される。図１５Ａは、陽極化成処理が完了し
たウェハを水洗槽に搬送し、洗浄を行う手順を説明する
ための図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示す水洗槽内
におけるボード及びウェハキャリアの配置を示す平面図
である。また、図１５Ｃは、洗浄が完了したウェハをウ
ェハキャリアに収容して水洗槽から取り出す手順を説明
するための図である。
槽２２１１’の両端に設けられた白金電極２２１３ａと
２２１３ｂとの間に直流電圧が印加され、陽極化成処理
が行われる。次いで、陽極化成処理が完了したウェハは
純水で洗浄される。図１５Ａは、陽極化成処理が完了し
たウェハを水洗槽に搬送し、洗浄を行う手順を説明する
ための図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示す水洗槽内
におけるボード及びウェハキャリアの配置を示す平面図
である。また、図１５Ｃは、洗浄が完了したウェハをウ
ェハキャリアに収容して水洗槽から取り出す手順を説明
するための図である。
【０１６０】陽極化成処理が完了したウェハは、第２の
ウェハ搬送ロボット１３３０によりＯリングから引き離
され、第１のウェハ搬送ロボット１３０７に引き渡され
る。そして、第１の搬送ロボット１３０７は、矢印ｅ
（図３０参照）に示すように第２のウェハ搬送ロボット
１３３０を跨ぐようにして、ウェハを水洗槽１３０４の
上部まで搬送し、次いで、該ウェハを水洗槽１３０４内
の純粋中に沈める。水洗槽１３０４内には、ウェハ保持
用の２５本の溝を有するボード１３１４が固定されお
り、ウェハは、この溝に順にセットされる。
ウェハ搬送ロボット１３３０によりＯリングから引き離
され、第１のウェハ搬送ロボット１３０７に引き渡され
る。そして、第１の搬送ロボット１３０７は、矢印ｅ
（図３０参照）に示すように第２のウェハ搬送ロボット
１３３０を跨ぐようにして、ウェハを水洗槽１３０４の
上部まで搬送し、次いで、該ウェハを水洗槽１３０４内
の純粋中に沈める。水洗槽１３０４内には、ウェハ保持
用の２５本の溝を有するボード１３１４が固定されお
り、ウェハは、この溝に順にセットされる。
【０１６１】水洗槽１３０４内には、予めウェハキャリ
ア１３１３が沈められている。このウェハキャリア１３
１３は、上方に移動した際に、ボード１３１４の溝によ
って保持されている全ウェハをすくい上げるようにして
受け取ることができる形状を有する。また、ウェハキャ
リア１３１３は、ボード１３１４上のウェハをすくい上
げる際に、ボード１３１４を通過させるための開口部１
３１３ａを有する。
ア１３１３が沈められている。このウェハキャリア１３
１３は、上方に移動した際に、ボード１３１４の溝によ
って保持されている全ウェハをすくい上げるようにして
受け取ることができる形状を有する。また、ウェハキャ
リア１３１３は、ボード１３１４上のウェハをすくい上
げる際に、ボード１３１４を通過させるための開口部１
３１３ａを有する。
【０１６２】ウェハの洗浄が完了すると、図１５Ｃに示
すように、キャリア搬送ロボット１３０８は、ウエハキ
ャリア１３１３を上方に持ち上げて、ボード１３１４上
の全ウェハをウェハキャリア１３１３内に収容して、ス
ピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａま
で搬送する。このキャリア受取部１３０５ａには、ウェ
ハの面がキャリア搬送ロボット１３０８の移動方向に対
して垂直な方向に沿うようにウェハが並べられた状態で
ウェハキャリア１３１３が載置される。この状態は、ウ
ェハキャリア１３１３をスピンドライヤ１３０５上で公
転させるのに好適である。
すように、キャリア搬送ロボット１３０８は、ウエハキ
ャリア１３１３を上方に持ち上げて、ボード１３１４上
の全ウェハをウェハキャリア１３１３内に収容して、ス
ピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａま
で搬送する。このキャリア受取部１３０５ａには、ウェ
ハの面がキャリア搬送ロボット１３０８の移動方向に対
して垂直な方向に沿うようにウェハが並べられた状態で
ウェハキャリア１３１３が載置される。この状態は、ウ
ェハキャリア１３１３をスピンドライヤ１３０５上で公
転させるのに好適である。
【０１６３】スピンドライヤ１３０５により乾燥された
ウェハは、ウェハキャリア１３１３に収容されたまま、
キャリア搬送ロボット１３０８によりアンローダ１３０
６のステージに搬送される。この一連の処理により、２
５枚の多孔質化されたウェハが得られる。ここで、第１
のウェハ搬送ロボット１３０７は、垂直軸１３０７ａを
軸として上下方向に移動し、水平軸１３５０を軸として
水平方向に移動する。また、第２のウェハ搬送ロボット
１３３０は、垂直軸１３３０ａを軸として上下方向に移
動し、水平軸１３５１を軸として水平方向に移動する。
また、キャリア搬送ロボット１３０８は、垂直軸１３０
８ａを軸として垂直方向に移動し、水平軸１３５０を軸
として水平方向に移動する。
ウェハは、ウェハキャリア１３１３に収容されたまま、
キャリア搬送ロボット１３０８によりアンローダ１３０
６のステージに搬送される。この一連の処理により、２
５枚の多孔質化されたウェハが得られる。ここで、第１
のウェハ搬送ロボット１３０７は、垂直軸１３０７ａを
軸として上下方向に移動し、水平軸１３５０を軸として
水平方向に移動する。また、第２のウェハ搬送ロボット
１３３０は、垂直軸１３３０ａを軸として上下方向に移
動し、水平軸１３５１を軸として水平方向に移動する。
また、キャリア搬送ロボット１３０８は、垂直軸１３０
８ａを軸として垂直方向に移動し、水平軸１３５０を軸
として水平方向に移動する。
【０１６４】次に、ＨＦ溶液の循環ろ過システムについ
て説明する。１３０９は、循環ろ過システムにおけるフ
ィルタ部であり、陽極化成槽２２１１’においてオバー
フローしたＨＦ溶液を循環させ、フィルタレーションし
て再び陽極化成槽２２１１’に戻す機能を有する。この
循環ろ過システムは、陽極化成槽２２１１’内で発生し
たパーティクル等を除去する機能と、陽極化成反応で発
生し、ウェハ表面に付着したままの微小な気泡を効率よ
く除去する機能とを有する。
て説明する。１３０９は、循環ろ過システムにおけるフ
ィルタ部であり、陽極化成槽２２１１’においてオバー
フローしたＨＦ溶液を循環させ、フィルタレーションし
て再び陽極化成槽２２１１’に戻す機能を有する。この
循環ろ過システムは、陽極化成槽２２１１’内で発生し
たパーティクル等を除去する機能と、陽極化成反応で発
生し、ウェハ表面に付着したままの微小な気泡を効率よ
く除去する機能とを有する。
【０１６５】この自動陽極化成装置では、陽極化成槽２
２１１’、水洗槽１３０４、スピンドライヤ１３０５の
キャリア受取部１３０５ａを平面図上で略直線上に配置
するとともに第１及び第２のウェハ搬送ロボット１３０
７及び１３３０及びキャリア搬送ロボット１３０８の移
動方向に対して垂直な方向にウェハの面が位置するよう
にした。このような構成とすることで、各工程（陽極化
成、洗浄、乾燥）間でウェハを搬送する効率が良くな
り、生産性を高めることができるとともに、上記のよう
にロボットの移動方向を２方向のみにすることが可能に
なり、構成を簡素化することができる。
２１１’、水洗槽１３０４、スピンドライヤ１３０５の
キャリア受取部１３０５ａを平面図上で略直線上に配置
するとともに第１及び第２のウェハ搬送ロボット１３０
７及び１３３０及びキャリア搬送ロボット１３０８の移
動方向に対して垂直な方向にウェハの面が位置するよう
にした。このような構成とすることで、各工程（陽極化
成、洗浄、乾燥）間でウェハを搬送する効率が良くな
り、生産性を高めることができるとともに、上記のよう
にロボットの移動方向を２方向のみにすることが可能に
なり、構成を簡素化することができる。
【０１６６】上記の自動陽極化成装置において、ウェア
搬送ロボット１３０７及び１３３０の両者を同一の水平
軸を使って駆動する構成を採用することもできる。この
構成は、例えば、ウェハ搬送ロボット１３０７及び１３
３０の本体１３０７ｂ及び１３３０ｂを一体化して双方
を水平軸１３５０を軸として水平方向に駆動すると共
に、ウェハ搬送ロボット１３０７の吸着部１３０７ａを
昇降させる昇降機構と、ウェハ搬送ロボット１３３０の
吸着部１３３０ａを水平軸１３５０の軸方向（水平方
向）に移動させる水平駆動機構とを設けることにより実
現することができる。
搬送ロボット１３０７及び１３３０の両者を同一の水平
軸を使って駆動する構成を採用することもできる。この
構成は、例えば、ウェハ搬送ロボット１３０７及び１３
３０の本体１３０７ｂ及び１３３０ｂを一体化して双方
を水平軸１３５０を軸として水平方向に駆動すると共
に、ウェハ搬送ロボット１３０７の吸着部１３０７ａを
昇降させる昇降機構と、ウェハ搬送ロボット１３３０の
吸着部１３３０ａを水平軸１３５０の軸方向（水平方
向）に移動させる水平駆動機構とを設けることにより実
現することができる。
【０１６７】この構成において、ウェハを陽極化成槽２
２１１にセットするには、まず、ボード１３１１に保持
されたウェハをウェハ搬送ロボット１３０７の吸着部１
３０７ａにより吸着して、図３０の矢印ｄに示すように
陽極化成槽２２１１内の該当するホルダ２２０２の前面
まで搬送する。そして、ウェハ搬送ロボット１３３０の
吸着部１３３０ａを前記水平駆動機構により図３０の左
方向に移動させてウェハを吸着した後に、前記昇降機構
により吸着部１３０７ａを上方に移動させる。その後、
ウェハがホルダ２２０２のＯリングに接触する位置まで
前記水平駆動機構により吸着部１３３０ａを図３０の右
方向に移動させた状態で、ウェハをホルダ２２０２に吸
着させる。
２１１にセットするには、まず、ボード１３１１に保持
されたウェハをウェハ搬送ロボット１３０７の吸着部１
３０７ａにより吸着して、図３０の矢印ｄに示すように
陽極化成槽２２１１内の該当するホルダ２２０２の前面
まで搬送する。そして、ウェハ搬送ロボット１３３０の
吸着部１３３０ａを前記水平駆動機構により図３０の左
方向に移動させてウェハを吸着した後に、前記昇降機構
により吸着部１３０７ａを上方に移動させる。その後、
ウェハがホルダ２２０２のＯリングに接触する位置まで
前記水平駆動機構により吸着部１３３０ａを図３０の右
方向に移動させた状態で、ウェハをホルダ２２０２に吸
着させる。
【０１６８】一方、ウェハを陽極化成槽２２１１’から
水洗槽１３０４に移す場合には、吸着部１３３０ａによ
りウェハの裏面を吸着した後、ホルダ２２０２のＯリン
グによるウェハの吸着を解除し、吸着部１３３０ａを図
３０の左方向に移動させて、ウェハとホルダ２２０２と
の間に所定の間隔を設ける。そして、ウェハとホルダ２
２０２との間に、前記昇降機構により吸着部１３０７ａ
を下降させ、吸着部１３０７ａによりウェハの裏面を吸
着した後に、吸着部１３３０ａによる吸着を解除し、吸
着部１３３０ａを前記水平駆動機構により図３０の右方
向に移動させる。その後、一体化したウェハ搬送ロボッ
ト１３０７及び１３３０を図３０の矢印ｅに示すように
して水洗槽１３０４に搬送する。
水洗槽１３０４に移す場合には、吸着部１３３０ａによ
りウェハの裏面を吸着した後、ホルダ２２０２のＯリン
グによるウェハの吸着を解除し、吸着部１３３０ａを図
３０の左方向に移動させて、ウェハとホルダ２２０２と
の間に所定の間隔を設ける。そして、ウェハとホルダ２
２０２との間に、前記昇降機構により吸着部１３０７ａ
を下降させ、吸着部１３０７ａによりウェハの裏面を吸
着した後に、吸着部１３３０ａによる吸着を解除し、吸
着部１３３０ａを前記水平駆動機構により図３０の右方
向に移動させる。その後、一体化したウェハ搬送ロボッ
ト１３０７及び１３３０を図３０の矢印ｅに示すように
して水洗槽１３０４に搬送する。
【０１６９】この構成によれば、陽極化成槽２２１１か
ら水洗槽１３０４にウェハを移す際に、図３０の矢印ｅ
のようにウェハ搬送ロボット１３３０を跨ぐようにして
ウェハ搬送ロボット１３０７を移動させる必要がなくな
り、一体化したウェハ搬送ロボット１３０７及び１３３
０を図３０の矢印ｅ’のように移動させることができ
る。したがって、ウェハの搬送経路を短くすることがで
きる。
ら水洗槽１３０４にウェハを移す際に、図３０の矢印ｅ
のようにウェハ搬送ロボット１３３０を跨ぐようにして
ウェハ搬送ロボット１３０７を移動させる必要がなくな
り、一体化したウェハ搬送ロボット１３０７及び１３３
０を図３０の矢印ｅ’のように移動させることができ
る。したがって、ウェハの搬送経路を短くすることがで
きる。
【０１７０】
【第７の構成例】この構成例は、第６の構成例に係る自
動陽極化成装置を改良したものである。図３１は、この
構成例に係る改良した自動陽極化成装置の概略平面図で
ある。この構成例に係る自動陽極化成装置は、キャリア
搬送ロボット１３０８により、洗浄が完了したウェハを
ウェハキャリア１３１３に収容して水洗槽１３０４から
スピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａ
まで搬送した後に、キャリア搬送ロボット１３０８のア
ーム１３０８ｂを乾燥させるためのドライヤ１３６０を
有する。
動陽極化成装置を改良したものである。図３１は、この
構成例に係る改良した自動陽極化成装置の概略平面図で
ある。この構成例に係る自動陽極化成装置は、キャリア
搬送ロボット１３０８により、洗浄が完了したウェハを
ウェハキャリア１３１３に収容して水洗槽１３０４から
スピンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａ
まで搬送した後に、キャリア搬送ロボット１３０８のア
ーム１３０８ｂを乾燥させるためのドライヤ１３６０を
有する。
【０１７１】アーム１３０８ｂを乾燥させる方式として
は、例えば、窒素ガスその他の気体をアーム１３０８ｂ
に吹付ける方式が好適である。以下、この構成例に係る
自動陽極化成装置によるウェハの処理手順を、第６の構
成例に係る自動陽極化成装置によるウェハの処理手順と
対比して説明する。第６の構成例に係る自動陽極化成装
置の場合と同様の手順を経て、水洗槽１３０４による洗
浄処理が完了したウェハは、キャリア搬送ロボット１３
０８により、ウェハキャリア１３１３に収容されてスピ
ンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａまで
搬送される。
は、例えば、窒素ガスその他の気体をアーム１３０８ｂ
に吹付ける方式が好適である。以下、この構成例に係る
自動陽極化成装置によるウェハの処理手順を、第６の構
成例に係る自動陽極化成装置によるウェハの処理手順と
対比して説明する。第６の構成例に係る自動陽極化成装
置の場合と同様の手順を経て、水洗槽１３０４による洗
浄処理が完了したウェハは、キャリア搬送ロボット１３
０８により、ウェハキャリア１３１３に収容されてスピ
ンドライヤ１３０５上のキャリア受取部１３０５ａまで
搬送される。
【０１７２】この搬送の際に、キャリア搬送ロボット１
３０８のアーム１３０８ｂに洗浄用の純水が付着する。
したがって、この純水が付着したキャリア搬送ロボット
１３０８により、スピンドライヤ１３０５による乾燥処
理が完了したウェハキャリア１３１３をアンローダ１３
０６に搬送すると、乾燥後のウェハに再び純水が付着す
る可能性がある。
３０８のアーム１３０８ｂに洗浄用の純水が付着する。
したがって、この純水が付着したキャリア搬送ロボット
１３０８により、スピンドライヤ１３０５による乾燥処
理が完了したウェハキャリア１３１３をアンローダ１３
０６に搬送すると、乾燥後のウェハに再び純水が付着す
る可能性がある。
【０１７３】そこで、この構成例に係る自動陽極化成装
置では、水洗槽１３０４からスピンドライヤ１３０５に
ウェハキャリア１３１３を搬送した後に、アーム１３０
８ｂがドライヤ１３６０上に位置するようにキャリア搬
送ロボット１３０８を移動させて、このドライヤ１３６
０により、例えば窒素ガスを吹付けることによりアーム
１３０８ｂを乾燥させる。
置では、水洗槽１３０４からスピンドライヤ１３０５に
ウェハキャリア１３１３を搬送した後に、アーム１３０
８ｂがドライヤ１３６０上に位置するようにキャリア搬
送ロボット１３０８を移動させて、このドライヤ１３６
０により、例えば窒素ガスを吹付けることによりアーム
１３０８ｂを乾燥させる。
【０１７４】そして、ドライヤ１３６０によりアーム１
３０８ｂが乾燥され、かつ、スピンドライヤ１３０５に
よりウェハ及びウェハキャリア１３１３が乾燥された後
に、搬送ロボット１３０８は、そのアーム１３０８ｂに
よりウェハキャリア１３１３を掴んで、アンローダ１３
０６のステージに搬送する。上記の実施の形態に拠れ
ば、基板の支持方法を改善することにより、陽極化成処
理を効率化することができると共に処理可能な基板のサ
イズを多様化することができる。
３０８ｂが乾燥され、かつ、スピンドライヤ１３０５に
よりウェハ及びウェハキャリア１３１３が乾燥された後
に、搬送ロボット１３０８は、そのアーム１３０８ｂに
よりウェハキャリア１３１３を掴んで、アンローダ１３
０６のステージに搬送する。上記の実施の形態に拠れ
ば、基板の支持方法を改善することにより、陽極化成処
理を効率化することができると共に処理可能な基板のサ
イズを多様化することができる。
【０１７５】
【第３の実施の形態】この実施の形態は、上記の第１又
は第２の実施の形態に係る装置を工程の一部に用いて半
導体基体を製造する方法を提供する。図３２は、半導体
基体の製造方法を示す工程図である。概略的に説明する
と、この製造方法は、単結晶シリコン基板に多孔質シリ
コン層を形成し、該多孔質シリコン層の上に非多孔質層
を形成し、その上に好ましくは絶縁膜を形成した第１の
基板と、別途用意した第２の基板とを、該絶縁膜を挟む
ようにして張り合わせた後に、第１の基板の裏面から単
結晶シリコン基板を除去し、さらに多孔質シリコン層を
エッチングして半導体基板を製造するものである。
は第２の実施の形態に係る装置を工程の一部に用いて半
導体基体を製造する方法を提供する。図３２は、半導体
基体の製造方法を示す工程図である。概略的に説明する
と、この製造方法は、単結晶シリコン基板に多孔質シリ
コン層を形成し、該多孔質シリコン層の上に非多孔質層
を形成し、その上に好ましくは絶縁膜を形成した第１の
基板と、別途用意した第２の基板とを、該絶縁膜を挟む
ようにして張り合わせた後に、第１の基板の裏面から単
結晶シリコン基板を除去し、さらに多孔質シリコン層を
エッチングして半導体基板を製造するものである。
【０１７６】以下、図３２を参照しながら半導体基体の
具体的な製造方法を説明する。先ず、第１の基板を形成
するための単結晶Ｓｉ基板５１を用意して、その主表面
上に多孔質Ｓｉ層５２を形成する（図３２（ａ）参
照）。この多孔質Ｓｉ層５２は、単結晶基板５１の主表
面を上記の第１又は第２の実施の形態に係る陽極化成装
置により処理することにより形成することができる。
具体的な製造方法を説明する。先ず、第１の基板を形成
するための単結晶Ｓｉ基板５１を用意して、その主表面
上に多孔質Ｓｉ層５２を形成する（図３２（ａ）参
照）。この多孔質Ｓｉ層５２は、単結晶基板５１の主表
面を上記の第１又は第２の実施の形態に係る陽極化成装
置により処理することにより形成することができる。
【０１７７】次いで、多孔質Ｓｉ層５２の上に少なくと
も一層の非多孔質層５３を形成する（図３２（ｂ）参
照）。非多孔質層５３としては、例えば、単結晶Ｓｉ
層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半
導体層、超伝導体層等が好適である。また、非多孔質層
５３には、ＭＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。非
多孔質層５３の上には、ＳｉＯ2層５４を形成し、これ
を第１の基板とすることが好ましい（図３２（ｃ）参
照）。このＳｉＯ2層５４は、後続の工程で第１の基板
と第２の基板５５とを貼り合わせた際に、その貼り合わ
せの界面の界面準位を活性層から離すことができるとい
う意味でも有用である。
も一層の非多孔質層５３を形成する（図３２（ｂ）参
照）。非多孔質層５３としては、例えば、単結晶Ｓｉ
層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半
導体層、超伝導体層等が好適である。また、非多孔質層
５３には、ＭＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。非
多孔質層５３の上には、ＳｉＯ2層５４を形成し、これ
を第１の基板とすることが好ましい（図３２（ｃ）参
照）。このＳｉＯ2層５４は、後続の工程で第１の基板
と第２の基板５５とを貼り合わせた際に、その貼り合わ
せの界面の界面準位を活性層から離すことができるとい
う意味でも有用である。
【０１７８】次いで、ＳｉＯ2層５４を挟むようにし
て、第１の基板と第２の基板５５とを室温で密着させる
（図３２（ｄ）参照）。その後、陽極接合処理、加圧処
理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいは
これらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強
固なものにしても良い。非多孔質層５３として、単結晶
Ｓｉ層を形成した場合には、該単結晶Ｓｉ層の表面に熱
酸化等の方法によってＳｉＯ2層５４を形成した後に第
２の基板５５と貼り合わせることが好ましい。
て、第１の基板と第２の基板５５とを室温で密着させる
（図３２（ｄ）参照）。その後、陽極接合処理、加圧処
理、あるいは必要に応じて熱処理を施すこと、あるいは
これらの処理を組合わせることにより、貼り合わせを強
固なものにしても良い。非多孔質層５３として、単結晶
Ｓｉ層を形成した場合には、該単結晶Ｓｉ層の表面に熱
酸化等の方法によってＳｉＯ2層５４を形成した後に第
２の基板５５と貼り合わせることが好ましい。
【０１７９】第２の基板５５としては、Ｓｉ基板、Ｓｉ
基板上にＳｉＯ2層を形成した基板、石英等の光透過性
の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基
板５５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれ
ば十分であり、他の種類の基板であっても良い。なお、
図３２（ｄ）は、ＳｉＯ2層５４を介して第１の基板と
第２の基板とを貼り合わせた状態を示しているが、この
ＳｉＯ2層５４は、非多孔質層５３または第２の基板が
Ｓｉでない場合には設けなくても良い。
基板上にＳｉＯ2層を形成した基板、石英等の光透過性
の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基
板５５は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれ
ば十分であり、他の種類の基板であっても良い。なお、
図３２（ｄ）は、ＳｉＯ2層５４を介して第１の基板と
第２の基板とを貼り合わせた状態を示しているが、この
ＳｉＯ2層５４は、非多孔質層５３または第２の基板が
Ｓｉでない場合には設けなくても良い。
【０１８０】また、貼り合わせの際には、第１の基板と
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。次い
で、多孔質Ｓｉ層５２を境にして、第１の基板を第２の
基板より除去する（図３２（ｅ）参照）。除去の方法と
しては、研削、研磨或いはエッチング等による第１の方
法（第１の基板を廃棄）と、多孔質層５２を境にして第
１の基板と第２の基板とを分離する第２の方法とがあ
る。第２の方法の場合、分離された第１の基板に残留し
た多孔質Ｓｉを除去し、必要に応じてその表面を平坦化
することにより再利用することができる。
第２の基板との間に絶縁性の薄板を挟んでも良い。次い
で、多孔質Ｓｉ層５２を境にして、第１の基板を第２の
基板より除去する（図３２（ｅ）参照）。除去の方法と
しては、研削、研磨或いはエッチング等による第１の方
法（第１の基板を廃棄）と、多孔質層５２を境にして第
１の基板と第２の基板とを分離する第２の方法とがあ
る。第２の方法の場合、分離された第１の基板に残留し
た多孔質Ｓｉを除去し、必要に応じてその表面を平坦化
することにより再利用することができる。
【０１８１】次いで、多孔質Ｓｉ層５２を選択的にエッ
チングして除去する（図３２（ｆ）参照）。図３２
（ｅ）は、上記の製造方法により得られる半導体基板を
模式的に示している。この製造方法に拠れば、第２の基
板５５の表面の全域に亘って、非多孔質層５３（例え
ば、単結晶Ｓｉ層）が平坦かつ均一に形成される。
チングして除去する（図３２（ｆ）参照）。図３２
（ｅ）は、上記の製造方法により得られる半導体基板を
模式的に示している。この製造方法に拠れば、第２の基
板５５の表面の全域に亘って、非多孔質層５３（例え
ば、単結晶Ｓｉ層）が平坦かつ均一に形成される。
【０１８２】例えば、第２の基板５５として絶縁性の基
板を採用すると、上記製造方法によって得られる半導体
基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用であ
る。本発明は、上記の実施の形態に記載された事項によ
って限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想の範囲内で様々な変形をなし得る。
板を採用すると、上記製造方法によって得られる半導体
基板は、絶縁された電子素子の形成に極めて有用であ
る。本発明は、上記の実施の形態に記載された事項によ
って限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想の範囲内で様々な変形をなし得る。
【０１８３】
【発明の効果】本発明によれば、基板の支持方法を改善
することにより、陽極化成処理を効率化することができ
る。
することにより、陽極化成処理を効率化することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る陽極化成装置
の概略構成を示す断面図である。
の概略構成を示す断面図である。
【図２Ａ】第１の実施の形態の第１の構成例に係るホル
ダの正面図である。
ダの正面図である。
【図２Ｂ】第１の実施の形態の第１の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図３】ホルダを陽極化成槽にセットする様子を示す図
である。
である。
【図４】複数のホルダを保持可能な陽極化成槽の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５Ａ】第１の実施の形態の第２の構成例に係るホル
ダの正面図である。
ダの正面図である。
【図５Ｂ】第１の実施の形態の第２の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図６】シリコン基板をホルダにセットするためのウェ
ハ搬送ロボットを模式的に示す図である。
ハ搬送ロボットを模式的に示す図である。
【図７】ホルダと一体化した陽極化成槽の構造を示す断
面図である。
面図である。
【図８】第１の実施の形態の第３の構成例に係るホルダ
の断面図である。
の断面図である。
【図９】第１の実施の形態の第４の構成例に係るホルダ
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】第１の実施の形態の第５の構成例に係るホル
ダ及び陽極化成槽の概略断面図である。
ダ及び陽極化成槽の概略断面図である。
【図１１】第１の実施の形態の第５の構成例に係るホル
ダに好適な枚葉式のウェハ搬送ロボットの構成を模式的
に示す図である。
ダに好適な枚葉式のウェハ搬送ロボットの構成を模式的
に示す図である。
【図１２Ａ】第１の実施の形態の第６の構成例に係るホ
ルダの正面図である。
ルダの正面図である。
【図１２Ｂ】第１の実施の形態の第６の構成例に係るホ
ルダの吸着部の構成例を示す図である。
ルダの吸着部の構成例を示す図である。
【図１３】第１の実施の形態に係る自動陽極化成装置の
１つの構成例を示す概略平面図である。
１つの構成例を示す概略平面図である。
【図１４】ウェハキャリアに収容されたウェハを陽極化
成槽にセットする手順を説明する図である。
成槽にセットする手順を説明する図である。
【図１５Ａ】陽極化成処理が完了したウェハを水洗槽に
搬送して洗浄を行う手順を説明するための図である。
搬送して洗浄を行う手順を説明するための図である。
【図１５Ｂ】水洗槽内におけるボード及びウェハキャリ
アの配置を示す平面図である。
アの配置を示す平面図である。
【図１５Ｃ】洗浄が完了したウェハをウェハキャリアに
収容して水洗槽から取り出す手順を説明するための図で
ある。
収容して水洗槽から取り出す手順を説明するための図で
ある。
【図１６】循環ろ過システムの具体的な構成例を示す概
略図である。
略図である。
【図１７】従来の陽極化成装置の構成を示す図である。
【図１８】従来の陽極化成装置の構成を示す図である。
【図１９】第１の実施の形態に係る自動陽極化成装置の
他の構成例を示す概略平面図である。
他の構成例を示す概略平面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る陽極化成装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図２１Ａ】第２の実施の形態の第１の構成例に係るホ
ルダの正面図である。
ルダの正面図である。
【図２１Ｂ】第２の実施の形態の第１の構成例に係るホ
ルダの断面図である。
ルダの断面図である。
【図２２】ホルダを陽極化成槽にセットする様子を示す
図である。
図である。
【図２３】複数のホルダを保持可能な陽極化成槽の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２４】枚葉式ウェハ搬送ロボットの構成を模式的に
示す図である。
示す図である。
【図２５】第２の実施の形態の第２の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図２６】第２の実施の形態の第３の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図２７】第２の実施の形態の第４の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図２８】第２の実施の形態の第５の構成例に係るホル
ダの断面図である。
ダの断面図である。
【図２９】第２の実施の形態に係る自動陽極化成装置の
１つの構成例を示す概略平面図である。
１つの構成例を示す概略平面図である。
【図３０】ウェハキャリアに収容されたウェハを陽極化
成槽にセットする手順を説明する図である。
成槽にセットする手順を説明する図である。
【図３１】第２の実施の形態に係る自動陽極化成装置の
他の構成例を示す概略平面図である。
他の構成例を示す概略平面図である。
【図３２】半導体基体の製造方法を示す工程図である。
１０１ シリコン基板
１０２ ホルダ
１０３ 開口部
１０４ Ｏリング
１０５ 吸引孔
１０６ａ，１０６ｂ 白金電極
１０７ ＨＦ溶液
１０８ 陽極化成槽
２０１ シリコン基板
２０２ ホルダ
２０３ 開口部
２０４ａ，２０４ｂ Ｏリング
２０５ 吸引孔
２０６ａ，２０６ｂ 白金電極
２０７ ＨＦ溶液
２０８，２０８’ 陽極化成槽
２０９ ホルダ溝
５０１ シリコン基板
５０２ ホルダ
５０３ 開口部
５０４ａ，５０４ｂ Ｏリング
５０５ 吸引孔
５０６ａ，５０６ｂ 白金電極
５０７ ＨＦ溶液
５０８ 陽極化成槽
５１０ 挟持部
５１５ 突出部
８０１ シリコン基板
８０２ ホルダ
８０３ 開口部
８０４ 吸着パッド
９０１ シリコン基板
９０２ ホルダ
９０３ 開口部
９０４ 吸着パッド
１００１ シリコン基板
１００２ ホルダ
１００３ 開口部
１００４ 吸着パッド
１００４ａ 溝
１００５ 吸引孔
１００６ａ，１００６ｂ 白金電極
１００７ ＨＦ溶液
１００８ 陽極化成槽
１１０１ 第１の搬送ロボット
１１０２ 第２の搬送ロボット
１２０１ シリコン基板
１２０２ ホルダ
１２０３ 開口部
１２０４ Ｏリング
１２０５ 吸引孔
１２１０ シール部材
１３０１ 自動陽極化成装置
１３０２ ローダ
１３０２ａ，１３０２ｂ，１３０２ｃ ステージ
１３０３ 陽極化成槽
１３０３ａ ホルダ
１３０３ｂ，１３０３ｃ 白金電極
１３０４ 水洗槽
１３０５ スピンドライヤ
１３０６ アンローダ
１３０７ 枚葉式ウェハ搬送ロボット
１３０７ａ 垂直軸
１３０７ｂ 本体
１３０７ｃ
１３０８ キャリア搬送ロボット
１３０８ａ 垂直軸
１３０８ｂ アーム
１３０９ フィルタ部
１３１１ ボード
１３１２，１３１３ ウェハキャリア
１３１４ ボード
１３１５ ポンプ
１３１６ フィルタ
１３１７ マニホールド
１３１８ オーバフロー槽
１３１９ 貯留タンク
１３２０ 移送管
１３３０ 枚葉式ウェハ搬送ロボット
１３５０ 水平軸
１３６０ ドライヤ
１７０１ シリコン基板
１７０２ 金属電極
１７０３ ＨＦ溶液
１７０４ Ｏリング
１７０５ 陽極化成槽
１７０６ 対向電極
１８０１ シリコン基板
１８０２ａ，１８０２ｂ 陽極化成槽
１８０３ａ，１８０３ｂ 白金電極
１８０４ａ，１８０４ｂ Ｏリング
１８０５ａ，１８０５ｂ ＨＦ溶液
２１０１ シリコン基板
２１０２ ホルダ
２１０３ 開口部
２１０４ 中間面
２１０５ 吸着パッド
２１０７ ホルダ表面
２１０８ 吸着パッド
２１０９ａ マイナス電極
２１０９ｂ プラス電極
２１１０，２１１１ 吸引孔
２１１２，２１１３ ストップバルブ
２１２０ ポンプ
２１２１，２１２２ 減圧ライン
２２０１ シリコン基板
２２０２ ホルダ
２２０３ 開口部
２２０４ 中間面
２２０５，２２０５ａ，２２０５ｂ Ｏリング
２２０６ 吸引孔
２２０７ ホルダ表面
２２０８，２２０８ａ，２２０８ｂ Ｏリング
２２０９ 吸引孔
２２１１ 陽極化成槽
２２１１’陽極化成槽
２２１２ ホルダ溝
２２１３ａ，２２１３ｂ 白金電極
２２１４ ＨＦ溶液
２２２０ シリコン基板
２３０１，２３０２ シリコン基板
２３０３，２３０３’ ホルダ
２３０４ 開口部
２３０５，２３０６，２３０５’，２３０６’ 吸着パ
ッド ２３０７，２３０８ 減圧ライン ２３０９，２３１０ ストップバルブ ２３１１ マニホールド ２４０１，２４０２ シリコン基板 ２４０３ ホルダ ２４０４ 開口部 ２４０５，２４０６ 吸着パッド ２４０７，２４０８ 吸引孔 ２４０９，２４１０ ストップバルブ ２４１１，２４１２ 減圧ライン ２４１３ マニホールド ２５０１〜２５０４ シリコン基板 ２５０５ ホルダ ２５０６ 開口部 ２５０７〜２５１０ Ｏリング ２５１１〜２５１４ 吸引孔 ２５１５〜２５１８ ストップバルブ ２５３１〜２５３３ 孔 ２５４１〜２５４４ 減圧ライン ２５１９ マニホールド
ッド ２３０７，２３０８ 減圧ライン ２３０９，２３１０ ストップバルブ ２３１１ マニホールド ２４０１，２４０２ シリコン基板 ２４０３ ホルダ ２４０４ 開口部 ２４０５，２４０６ 吸着パッド ２４０７，２４０８ 吸引孔 ２４０９，２４１０ ストップバルブ ２４１１，２４１２ 減圧ライン ２４１３ マニホールド ２５０１〜２５０４ シリコン基板 ２５０５ ホルダ ２５０６ 開口部 ２５０７〜２５１０ Ｏリング ２５１１〜２５１４ 吸引孔 ２５１５〜２５１８ ストップバルブ ２５３１〜２５３３ 孔 ２５４１〜２５４４ 減圧ライン ２５１９ マニホールド
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平４−129221（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−120206（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−186818（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−37173（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−372129（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−176507（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−217990（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−198556（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−169286（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3063
H01L 21/304 648
H01L 21/68
Claims (36)
- 【請求項１】 電解質溶液中で基板に陽極化成処理を施
す陽極化成装置であって、 対向する一対の電極と、 基板の周辺部に沿うように配置された略円環状の吸着部
を有し、該吸着部により該基板の裏面の一部を吸着して
前記一対の電極の間に保持する保持部と、 を備え、 前記保持部は、該基板の裏面に電解質溶液を接触させる
ための穴を有し、 前記吸着部は、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パッド
と、該吸着パッドの谷部の空間を減圧して該基板を吸着
するための吸引孔とを有 することを特徴とする陽極化成
装置。 - 【請求項２】 前記吸着部は、保持する基板の表面側の
電解質溶液が該基板の裏面側に回り込むことを防止する
ように該基板と密着することを特徴とする請求項１に記
載の陽極化成装置。 - 【請求項３】 前記保持部を複数備えたことを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の陽極化成装置。 - 【請求項４】 電解質溶液中で陽極化成処理を施す基板
を保持するための基板ホルダであって、本体は、 基板の裏面の一部を吸着するために該基板の周辺部に沿
うように配置された吸着部と、 該基板の裏面に電解質溶液を接触させるための穴と、 を有し、前記吸着部は、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パッド
と、該吸着パッドの谷部の空間を減圧して該基板を吸着
するための吸引孔とを有する ことを特徴とする基板ホル
ダ。 - 【請求項５】 前記吸着部は、保持する基板の表面側の
電解質溶液が該基板の裏面側に回り込むことを防止する
ように該基板と密着することを特徴とする請求項４に記
載の基板ホルダ。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に
記載の陽極化成装置と、陽極化成処理を施した基板を洗
浄する洗浄装置と、洗浄した基板を乾燥させる乾燥装置
と、各装置間で基板を搬送する搬送装置とを備えること
を特徴とする陽極化成システム。 - 【請求項７】 前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取
る受取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び
前記受取部は、略直線上に配置されていることを特徴と
する請求項６に記載の陽極化成システム。 - 【請求項８】 前記乾燥装置は、洗浄した基板を受け取
る受取部を有し、前記陽極化成装置、前記洗浄装置及び
前記受取部は、略直線上に配置され、前記搬送装置は、
前記直線に対して垂直方向に前記基板の面が沿う状態で
前記基板を搬送することを特徴とする請求項６に記載の
陽極化成システム。 - 【請求項９】 前記搬送装置は、前記陽極化成装置から
前記洗浄装置に前記基板を搬送する第１の搬送ロボット
と、前記洗浄装置から前記乾燥装置の受取部に、前記基
板を収容したキャリアを搬送する第２のロボットとを有
することを特徴とする請求項８に記載の陽極化成システ
ム。 - 【請求項１０】 前記第１の搬送ロボットと第２の搬送
ロボットは、それぞれ前記基板若しくは前記キャリアを
搬送するための駆動軸として、前記基板若しくは前記キ
ャリアを各装置の上方に移動させるための第１の駆動軸
と、前記基板若しくは前記キャリアを前記直線上を移動
させるための第２の駆動軸のみを有することを特徴とす
る請求項９に記載の陽極化成システム。 - 【請求項１１】 半導体基板に処理を施す半導体処理シ
ステムであって、 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の陽極化成
装置と、 前記陽極化成装置によって陽極化成された半導体基板を
洗浄するための洗浄装置と、 前記洗浄装置によって洗浄された半導体基板を乾燥させ
るための乾燥装置と、 前記陽極化成装置から前記洗浄装置に半導体基板を搬送
すると共に、前記洗浄装置から前記乾燥装置に半導体基
板を搬送する搬送装置とを有し、 前記乾燥装置は、洗浄された半導体基板を受け取る受取
部を有し、 前記洗浄装置及び前記受取部は、略直線上に配置され、 前記搬送装置は、前記直線に対して垂直方向に前記半導
体基板の面が沿う状態で前記半導体基板を搬送すること
を特徴とする半導体処理システム。 - 【請求項１２】 前記搬送装置は、前記半導体基板を前
記洗浄装置に搬送する第１の搬送ロボットと、キャリア
に収容した状態で前記半導体基板を前記乾燥装置の受取
部に搬送する第２のロボットとを有することを特徴とす
る請求項１１に記載の半導体処理システム。 - 【請求項１３】 前記第１の搬送ロボットと第２の搬送
ロボットは、それぞれ前記半導体基板若しくは前記キャ
リアを搬送するための駆動軸として、前記半導体基板若
しくは前記キャリアを各装置の上方に移動させるための
第１の駆動軸と、前記半導体基板若しくは前記キャリア
を前記直線上を移動させるための第２の駆動軸のみを有
することを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理シ
ステム。 - 【請求項１４】 前記陽極化成装置内の電解質溶液を清
浄化するフィルタ装置をさらに備えることを特徴とする
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の半導
体処理システム。 - 【請求項１５】 前記フィルタ装置は、電解質溶液を貯
留するタンクと、前記タンクに貯留された電解質溶液を
前記陽極化成装置内に供給し、前記陽極化成装置から溢
れた電解質溶液を前記タンクに戻す循環機構とを有する
ことを特徴とする請求項１４に記載の半導体処理システ
ム。 - 【請求項１６】 多孔質層を有する基板の製造方法であ
って、 基板の周辺部に沿うように配置された略円環状の吸着部
により該基板の片面の一部を吸着して対向する一対の電
極の間に保持し、該基板の両面に電解質溶液が接触する
ように該電解質溶液を満たした状態で該一対の電極の間
に電圧を印加して該基板に陽極化成処理を施す工程を含
み、前記吸着部は、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パッド
と、該吸着パッドの谷部の空間を減圧して該基板を吸着
するための吸引孔とを有する ことを特徴とする基板の製
造方法。 - 【請求項１７】 電解質溶液中で基板に陽極化成処理を
施す陽極化成装置であって、 対向する一対の電極と、 基板の片面を吸着して前記一対の電極の間に保持する保
持部と、 を備え、 前記保持部は、基板を吸着するための略円環状の吸着部
であって互いに大きさを異にする吸着部を複数有し、 前記の各吸着部は、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パ
ッドと、該吸着パッドの谷部の空間を減圧して該基板を
吸着するための吸引孔とを有 することを特徴とする陽極
化成装置。 - 【請求項１８】 電解質溶液中で陽極化成処理を施す基
板を保持するための基板ホルダであって、本体に基板を
吸着するための略円環状の吸着部を複数備え、該複数の
吸着部は互いに大きさを異にし、各吸着部は、断面形状
が凹型またはＵ型の吸着パッドと、該吸着パッドの谷部
の空間を減圧して該基板を吸着するための吸引孔とを有
することを特徴とする基板ホルダ。 - 【請求項１９】 請求項１乃至請求項３のいずれか1項
に記載の陽極化成装置により基板に陽極化成処理を施し
て多孔質層を有する基板を製造する方法。 - 【請求項２０】 基板の周辺部に沿うように配置された
略円環状の吸着部により該基板の片面の一部を吸着して
対向する一対の電極の間に保持し、該基板の両面に電解
質溶液が接触するように該電解質溶液を満たした状態で
該一対の電極の間に電圧を印加して該基板に陽極化成処
理を施して得られる多孔質層を有する基板であって、 前記吸着部として、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パ
ッドと、該吸着パッドの谷部の空間を減圧する吸引孔と
を有する吸着部を使用したことを特徴とする基板 。 - 【請求項２１】 ２枚の基板を使用して半導体基板を製
造する方法であって、 半導体基板の周辺部に沿うように配置された略円環状の
吸着部により該半導体基板の片面の一部を吸着して対向
する一対の電極の間に保持し、該半導体基板の両面に電
解質溶液が接触するように該電解質溶液を満たした状態
で該一対の電極の間に電圧を印加して該半導体基板に陽
極化成処理を施すことにより該半導体基板に多孔質層を
形成する工程と、 前記半導体基板の多孔質層上に単結晶シリコン層を形成
する工程と、 前記半導体基板の前記単結晶シリコン層側に他の基板を
貼り合わせる工程と、 貼り合せた両基板を前記多孔質層において分離する工程
と、 を含み、前記吸着部として、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パ
ッドと、該吸着パッドの谷部の空間を減圧する吸引孔と
を有する吸着部を使用した ことを特徴とする半導体基板
の製造方法。 - 【請求項２２】 多孔質層を有する基板を製造する基板
製造方法であって、 基板を電解質溶液が満たされた陽極化成槽に浸漬し、該
基板の片面の一部を該基板の周辺部に沿うように配置さ
れた略円環状の吸着部に吸着させ、該基板の両面に電解
質溶液が接触するように一対の電極の間に保持する工程
と、 前記一対の電極の間に電圧を印加して前記基板に陽極化
成処理を施すことによって該基板に多孔質層を形成する
工程と、 多孔質層が形成された基板を前記陽極化成槽から取り出
して洗浄槽に浸漬し、該基板を洗浄する工程と、 洗浄が完了した基板を前記洗浄槽から取り出して乾燥装
置に搬送し、該基板を乾燥させる工程と、 を含み、前記吸着部として、断面形状が凹型またはＵ型の吸着パ
ッドと、該吸着パッドの谷部の空間を減圧する吸引孔と
を有する吸着部を使用した ことを特徴とする基板製造方
法。 - 【請求項２３】 前記陽極化成槽と、前記洗浄槽と、前
記乾燥装置とを上方から見て略直上に配置し、これによ
り、前記陽極化成槽から前記洗浄槽への基板の搬送経路
と、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送経路と
が上方から見て略直線をなすように基板を搬送すること
を特徴とする請求項２２に記載の基板製造方法。 - 【請求項２４】 基板を乾燥させた後に該基板を前記乾
燥装置からアンローダに搬送する工程を更に含み、前記
洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送と、前記乾燥装
置からアンローダへの基板の搬送とを同一のロボットで
行うことを特徴とする請求項２２または請求項２３に記
載の基板製造方法。 - 【請求項２５】 前記ロボットが前記洗浄槽から前記乾
燥装置に基板を搬送した後であって前記乾燥装置から前
記アンローダに基板を搬送する前に、前記ロボットを乾
燥させる工程を更に含むことを特徴とする請求項２４に
記載の基板製造方法。 - 【請求項２６】 前記ロボットを乾燥させる工程を前記
直線上で行うことを特徴とする請求項２５に記載の基板
製造方法。 - 【請求項２７】 基板を処理する基板処理方法であっ
て、 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の陽極化成
装置によって基板に陽極化成処理を施す工程と、 陽極化成された基板を前記陽極化成装置から取り出して
洗浄槽に浸漬し、該基板を洗浄する工程と、 洗浄が完了した基板を前記洗浄槽から取り出して乾燥装
置に搬送し、該基板を乾燥させる工程と、 を含み、前記陽極化成装置と、前記洗浄槽と、前記乾燥
装置とを上方から見て略直線上に配置し、これにより、
前記陽極化成装置から前記洗浄槽への基板の搬送経路
と、前記洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送経路と
が上方から見て略直線をなすようにし、かつ、基板の面
が該直線に直交する方向を向いた状態で該基板を搬送す
ることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２８】 基板を乾燥させた後に該基板を前記乾
燥装置からアンローダに搬送する工程を更に含み、前記
洗浄槽から前記乾燥装置への基板の搬送と、前記乾燥装
置からアンローダへの基板の搬送とを同一のロボットで
行うことを特徴とする請求項２７に記載の基板処理方
法。 - 【請求項２９】 前記ロボットが前記洗浄槽から前記乾
燥装置に基板を搬送した後であって前記乾燥装置から前
記アンローダに基板を搬送する前に、前記ロボットを乾
燥させる工程を更に含むことを特徴とする請求項２８に
記載の基板処理方法。 - 【請求項３０】 基板を処理する基板処理システムであ
って、 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の陽極化成
装置と、 前記陽極化成装置により陽極化成された基板を洗浄する
洗浄槽と、 前記洗浄槽により洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置
と、 前記陽極化成装置から前記洗浄槽に基板を搬送すると共
に前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送する搬送装
置と、 を備え、前記陽極化成装置と、前記洗浄槽と、前記乾燥
装置とが上方から見て略直線上に配置され、前記搬送装
置は、基板の面が該直線に直交する方向を向いた状態で
該基板を搬送することを特徴とする基板処理システム。 - 【請求項３１】 前記搬送装置は、前記陽極化成装置か
ら前記洗浄槽に基板を搬送する第１の搬送ロボットと、
前記洗浄槽から前記乾燥装置に基板を搬送すると共に前
記乾燥装置からアンローダに基板を搬送する第２の搬送
ロボットとを有することを特徴とする請求項３０に記載
の基板処理システム。 - 【請求項３２】 前記第２の搬送ロボットが前記洗浄槽
から前記乾燥装置に基板を搬送した後であって前記乾燥
装置から前記アンローダに基板を搬送する前に、前記第
２の搬送ロボットを乾燥させるための第２の乾燥装置を
更に備えることを特徴とする請求項３１に記載の基板処
理システム。 - 【請求項３３】 請求項１６に記載の方法により製造し
た基板。 - 【請求項３４】 請求項２１に記載の方法により製造し
た基板。 - 【請求項３５】 請求項２２乃至請求項２６のいずれか
１項に記載の方法により製造した基板。 - 【請求項３６】 請求項２７乃至請求項２９のいずれか
１項に記載の方法により処理した基板。
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| DE69730102T DE69730102T2 (de) | 1996-11-28 | 1997-11-27 | Vorrichtung zur anodischen Oxidation und mit Ihr verbundener Apparat und Verfahren |
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