JPH0521584A - 保持装置 - Google Patents

保持装置

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JPH0521584A
JPH0521584A JP3199801A JP19980191A JPH0521584A JP H0521584 A JPH0521584 A JP H0521584A JP 3199801 A JP3199801 A JP 3199801A JP 19980191 A JP19980191 A JP 19980191A JP H0521584 A JPH0521584 A JP H0521584A
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JP
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wafer
sintered body
holder
wafer holder
holding device
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JP3199801A
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Masaaki Aoyama
正昭 青山
Keiichi Kimura
景一 木村
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • B25B11/007—Vacuum work holders portable, e.g. handheld
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高剛性，軽量，高寸法安定性の特性とともに
優れた防塵効果を有する保持装置を提供する。 【構成】 ウエハホルダＷＨのウエハ吸着面には、同心
円状（又は螺旋状）の環状凸部（ウエハＷ支持部）１と
環状凹部（真空吸着溝）２が一定のピッチで形成されて
いる。各環状凹部２には真空吸着のための吸気孔３が半
径方向に並べて形成され、各吸気孔３はウエハホルダＷ
Ｈ内部に半径方向に伸びたスリーブ状の孔４と連通して
いる。この孔４に真空源をつなげて減圧すると、ウエハ
は環状凸部１の上面にならって平坦化矯正される。ウエ
ハホルダＷＨの少なくともウエハ接触部（望ましくはホ
ルダ全体）はＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で構成されて
おり、導電性を有し、焼結体に特有の気孔が少ない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板（ウ
エハ）やガラスプレート等の薄板状基板の搬送や吸着固
定に好適に用いられる保持装置に関し、特に、防塵特性
に優れた保持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程においては、
ウエハを搬送したり、所定位置に固定したりするための
種々の保持装置が用いられている。例えば、リソグラフ
ィ工程の中心的役割りを担う露光装置では、薄板状のウ
エハを所定の平面内に平坦に固定するための基板吸着装
置（ウエハホルダ）が使用されている。
【０００３】従来のこの種の保持装置における搬送系部
品やホルダは、金属やアルミナセラミックス（Ａｌ2 Ｏ
3 焼結体）を用いて構成されていた。
【０００４】また、特開平２−１８６６５６号公報に
は、ウエハとの接触部をダヤモンドやサファイヤ等の共
有結合性材料で構成することにより、アブレッシブ摩耗
による微粒子の発生を防止することが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体集積
回路製造工程等で使用される保持装置には、次のような
特性が求められる。
【０００６】(a) 被保持物に対して、ごみ（異物）の付
着や化学的な汚染が生じないこと。 異物がウエハや保持装置のウエハ支持部に付着すると、
回路転写時に断線・短絡が生じる他、保持装置がウエハ
ホルダである場合には、ごみによってウエハの平坦度が
劣化して解像不良を引き起こす。
【０００７】(b) 硬度が大きいこと。 被保持物との接触部におけるアブレッシブ摩耗を防止す
るためには、接触部分の硬度が高いことが望まれる。
【０００８】(c) （剛性／比重）の値が高いこと。 薄板状ウエハを平坦に保持したり、ウエハを所定位置に
正確に搬送したりするためにはウエハ支持部の剛性が高
いことが必要である。その際、装置の小型軽量化のため
には、高剛性であるだけでなく比重が小さいことが求め
られる。
【０００９】(d) 熱膨張係数が小さいこと。 露光装置のウエハホルダ等においては露光によって熱が
蓄積される。このため、ホルダの熱膨張係数が大きい
と、ホルダに吸着固定されているウエハの露光による寸
法変化を拡大させることになる。従って、回路転写時の
寸法誤差を抑制するためには、熱膨張係数ができるだけ
小さいことが望まれる。
【００１０】(d) 加工が容易であること。 研磨性が良好で平滑な面が得られるとともに、真空吸着
等のための微細加工も容易に行なえることが望まれる。
【００１１】しかしながら、前述した従来の保持装置に
おいては、上記の各特性を満足できるものが得られてい
ない。
【００１２】まず、ウエハ支持部に金属材料を用いた保
持装置では、ウエハの金属汚染が避けられない。また、
金属材料は耐摩耗性（硬度）の点で問題があり、（剛性
／比重）の値や熱膨張係数の点においても不利である。
【００１３】一方、アルミナセラミックスを用いた保持
装置は、（剛性／比重）の値が金属に比べて高く装置の
小型・軽量化を図ることができ、熱膨張係数についても
金属材料に比べてかなり小さいといった利点があるもの
の、焼結体中に多数存在する気孔のためにごみが付着し
やすい上、絶縁体であるため静電気の発生によるごみの
付着も生じるという欠点がある。
【００１４】また、上述した特開平２−１８６６５６号
で提案されている装置では、耐摩耗性という点では優れ
ているものの、例えばサファイヤの場合は絶縁体である
から、静電気によるゴミの付着という問題は解決されな
い。加えて、ウエハホルダ等をダイヤモンドやサファイ
ヤで構成する場合、(a) 単結晶材，(b) 粉末焼結体，
(c) 表面コーティングの３つの方法が考えられるが、そ
れぞれ以下の不都合がある。まず、単結晶材料を用いる
とすると、ダイヤモンドの大型素材は現状では入手不可
能であり、サファイヤは原材料が高価である上加工困難
である。また、焼結体を用いる場合、ダイヤモンドやサ
ファイヤは難焼結体であり、焼結できたとしても大型の
気孔が多数発生すると考えられる上、バインダーとして
コバルト（Ｃｏ）等を使用した際には金属汚染が問題と
なる。更に、コーティングによる方法では、母材と膜材
との熱膨張係数の差に起因する剥離が発生する危険性が
ある。
【００１５】以上説明したように、従来の技術において
は、機械的強度の確保，軽量化，寸法安定性という各要
求特性を満たし、かつ、ごみの付着等による被保持物
（ウエハ）の汚染を防止できる保持装置は得られていな
かった。
【００１６】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、保持装置としての各要求特性を満たしつつ、
防塵特性に優れた保持装置を提供することを目的とする
ものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の保持装置は、上
記の課題を達成するために、被保持物との接触部分が、
共有結合性導電材料を含有するセラミックス焼結体から
構成されたものである。本発明において被保持物との接
触部に用いられる好ましい焼結体としては、炭化チタン
（ＴｉＣ）含有酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体
が挙げられる。
【００１８】
【作用】上述のように、本発明の保持装置では被保持物
接触部分が共有結合性導電材料を含有するセラミックス
焼結体で構成される。このためセラミック焼結体のも
つ、高剛性，軽量という特性に、共有結合性導電材料の
有する高硬度，導電性という特性が付加される。このた
め、耐摩耗性が向上するとともに、被保持物接触部分に
おける静電気の発生が防止され、ごみの付着が低減され
る。また、本発明においては共有結合性導電材料の単結
晶や多結晶体を用いるのではなく、母材セラミック中に
共有結合性導電材料を分散させて用いるので、製造が容
易で安価である。
【００１９】更に、本発明における焼結体の気孔は、成
形、焼結工程の条件を適宜選択することによって抑制す
ることができる。即ち、一般的に共有結合性導電材料の
添加によって、母材セラミックスのみの場合よりも焼結
性が低下するため、ＨＰ（ホットプレス）、ＨＩＰ処理
を行なうことにより気孔の少ない焼結体を得ることがで
きる。例えば、共有結合性導電材料の１つであるＴｉＣ
は単体では難焼結性であるが、Ａｌ2 Ｏ3 中に含有させ
適切なプロセス条件で焼結することによって、従来使用
されているアルミナセラミックスよりも気孔の少ない焼
結体が得られる。従って、本発明の保持装置では、気孔
への異物の付着が少なく、かつ付着したとしても清掃除
去が容易である。
【００２０】本発明における共有結合性導電材料として
は、具体的にはＴｉＣ，ＳｉＣ等が挙げられ。焼結体中
の含有率は適宜設定されるものであるが、焼結体の導電
性（一般に比抵抗１０10Ω・ｃｍ以下が導電体といわれ
る）を確保し得る量を添加する必要があり、逆に共有結
合性導電材料が多すぎると焼結性が低下するため、５〜
７０重量％、特に３０重量％程度とすることが好まし
い。
【００２１】本発明において、焼結母材となるセラミッ
クスは、焼結性に優れ、所定の機械強度が確保されるも
のであればＡｌ2 Ｏ3 以外のであっても良い。軽量化が
それほど要求されない場合には、例えばＺｒＯ2 等を用
いても良い。
【００２２】さてここで、従来の保持装置に使用されて
いた各物質と本発明の焼結体（例としてＴｉＣ含有Ａｌ
2 Ｏ3 焼結体）の物性を示す。表に明らかなように、Ｔ
ｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体は、比抵抗が１０-3Ω・ｃｍ
程度と低く、静電気を防止する上で充分な導電性が確保
されていることがわかる。また、良導電性であることに
よって放電加工が可能となり、複雑な形状の加工も容易
となる。更に、気孔状態，ヤング率，硬度でも従来使用
されているアルミナセラミックス（Ａｌ2 Ｏ3）に勝る
特性が得られており、熱膨張係数，比重についてＡｌ2
Ｏ3 と同等の特性が確保されている。
【００２３】表１中ＳＵＳ（ステンレス鋼），ＡｌとＴ
ｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体を比較するとわかるように、
本発明における焼結体は金属に比べて（剛性／比重）の
値が大きく、平坦度を要求されるホルダや小型・高速性
を要求される搬送装置に有利である。また、熱膨張率は
金属に比べて格段に小さく、長時間露光等によって蓄熱
されるような場合でも寸法変化が少ない。即ち、ホルダ
に吸着固定されているウエハの回路転写時の寸法誤差を
低く抑えることができる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１図は本発明の第１の実施例によるウエ
ハホルダの概略的な構造を示す平面図、図２は図１の
Ａ，Ａ’断面図である。ウエハホルダＷＨのウエハ吸着
面の形状はウエハＷの直径よりわずかに小さい径の円形
であり、ウエハ吸着面にはウエハホルダＷＨの中心から
放射方向に同心円状（または螺旋状）の複数の環状凸部
（ウエハＷ支持部）１と環状凹部（真空吸着溝）２とが
一定のピッチでリム状に形成されている。
【００２６】本実施例では、ウエハホルダＷＨ本体は、
ＴｉＣ含有Ａｌ2Ｏ3 焼結体で構成されており、ウエハ
吸着面における気孔分布は最大寸法１０μｍ以上の気孔
が１ｍｍ2 あたり３００個以下となっている。また、ウ
エハ吸着面の環状凸部１の山幅はごみの付着、のり上げ
の確率を下げるために０．０２〜０．１５ｍｍに加工さ
れている。この加工は放電加工又は研削加工によって容
易に行なうことができる。更に、ウエハホルダＷＨは何
れの面も表面粗さ５μｍＲmax 以下の滑らかな表面に仕
上られ、各々の境界も滑らかに面取りされている。
【００２７】また、各環状凹部２には真空吸着のための
吸気孔３が半径方向に並べて形成され、各吸気孔３は、
ウエハホルダＷＨ内部に半径方向に伸びたスリーブ状の
孔４と連通している。この孔４を真空源につなげて減圧
することによって、ウエハＷの裏面と各環状凹部２とで
囲まれる空間が負圧になり、ウエハＷの裏面は複数の環
状凸部１の上面にならって、平坦化矯正される。
【００２８】この際、ウエハホルダＷＨは良導電体であ
るので静電気の発生によるごみの付着は生じない。ま
た、ウエハホルダＷＨは高硬度であるので、アブレッシ
ブ摩耗によって微粒子が発生してウエハＷに付着すると
いうこともない。
【００２９】また、ウエハホルダＷＨには気孔が少ない
ので、気孔に付着したごみがウエハＷに再付着したり、
ウエハホルダＷＨとウエハＷとの間にごみが介在するこ
とによってウエハＷの平坦度が低下するということが起
こりにくい。仮にごみが付着したとしても容易に除去す
ることができ、ウエハホルダＷＨの清掃が簡単である。
【００３０】更に、本実施例のウエハホルダＷＨは、熱
膨張係数が小さいので、露光時の蓄熱による寸法変化が
少ない。従って、高感度のフォトレジストを用いて、低
強度の光で長時間露光する場合にも、ウエハの寸法誤差
を許容範囲内に抑えることができる。
【００３１】加えて、ＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体は比
重が小さく本実施例のウエハホルダＷＨは軽量であるの
で、ステップ・アンド・リピート方式の露光を行なう場
合、良好な動作特性が得られる。
【００３２】次に本発明の第２実施例について述べる。
図３は本実施例によるウエハホルダ（ピンチャックタイ
プのホルダ）ＷＨの概略的な構造を示す平面図、図４は
図３のＢＢ’断面図である。図において、ウエハホルダ
ＷＨは実施例１と同様にＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で
構成され、ウエハ吸着面には放電加工又は研削加工等に
よって複数のピン状突起５（ウエハ支持部）が形成され
ている。このピン状突起５の形状は直径（又は一辺の長
さ）が０．０２〜０．１ｍｍ程度の円柱または角柱であ
り、ピンの高さ０．０１〜０．５ｍｍである。また、ウ
エハ吸着面の最も内側と外側に形成された環状凸部７，
８の山幅は０．０２〜０．１５ｍｍとなっいる。ウエハ
ホルダＷＨの各面は実施例１と同様に滑らかに仕上られ
ている。
【００３３】ウエハ吸着面の底面には、真空吸着のため
の吸気孔９が半径方向に並べて形成され、各吸気孔９は
ウエハホルダＷＨ内部に半径方向に伸びたスリーブ状の
孔１０と連通している。この孔１０を真空源につなげて
減圧することによってウエハＷと環状凸部７，８とで囲
まれた空間が負圧となり、ウエハＷの裏面は複数のピン
状突起５の上面にならって平坦化矯正される。
【００３４】この際、本実施例のウエハホルダＷＨも実
施例１と同様に、良導電体であって、かつ高硬度，高剛
性，軽量，高寸法安定性の各特性を備えているので、優
れた防塵効果が得られ、動作特性，寸法安定性の点でも
有利である。
【００３５】なお、上記の実施例１，２では、ウエハホ
ルダＷＨ全体をＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で構成して
いるが、場合によっては、ウエハＷと直接接する部分即
ち、環状凸部１，７，８及びピン状突起５のみをＴｉＣ
含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で構成するようにしても良い。但
し、凹部に付着したごみがウエハＷに付着する危険性も
あり、ウエハホルダＷＨ全体を気孔の少ないＴｉＣ含有
Ａｌ2 Ｏ3 で構成する方がより確実に防塵できることは
言うまでもない。また、機械強度，軽量化，寸法安定性
の点からもウエハホルダＷＨ全体をＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ
3 焼結体とすることが好ましい。
【００３６】さて、次に、本発明の第３の実施例につい
て説明する。図５はウエハ搬送装置の概略の構成を示す
平面図であり、図６は図５の搬送装置の側面図である。
図において、アーム１１の上面（ウエハＷ載置面）には
ＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体からなる凸状部材１２が接
着又は接合又は締結等の方法で固定されている。本実施
例では、アーム１１の厚さ方向に寸法の余裕があるた
め、アーム１１についてはアルミニウム又はカーボンフ
ァイバー補強樹脂又はプラスティック材料（これらの材
料も厚さを大きくとれば、使用可能な機械強度が確保さ
れる）等で形成している。また、凸状部材１２の上面
は、アーム１１に３個とも取付けた後に、研削又はラッ
プ加工により平面出しが行なわれており充分な平面度が
得られている。
【００３７】図５のような搬送装置を用いれば、ウエハ
の受渡時に、静電気やウエハ支持部（凸状部材１２の上
面）の摩耗によってウエハにごみが付着することがな
い。
【００３８】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。図７はカセット１５（カセット台１４）内の任意
位置のウエハＷを出し入れする搬送装置の構成を示す説
明図であり、図８は図７の搬送装置の平面図（図７矢印
Ａ方向から見た矢視図）である。図において、カセット
１５には２〜３ｍｍの間隔で略コの字状（紙面左側開
口）のウエハ支持部材が積層配置されている。
【００３９】搬送装置は、紙面左右方向及び上下方向に
進退可能に構成されたアーム１６を備え（１８：本体へ
の取り付け部材）、アーム１６の上面には吸気孔１３を
有する凸状部材１７が設けられている。アーム１６はそ
の幅がカセット１５内のウエハ支持部材の開口の幅より
小さく設定され、移動量はカセット１５におけるウエハ
の収納間隔（ウエハ支持部材の間隔）に対応して駆動手
段（図示せず）によって制御される。
【００４０】本実施例の搬送装置では、ウエハＷの出入
れの際に２〜３ｍｍという僅かな隙間にアーム１６を挿
入する必要があり、この際、ウエハＷ上面にアーム１６
が接触してはならないので、アーム１６は薄い板厚で高
い剛性を確保する必要がある。このため、本実施例の搬
送装置ではアーム１６も凸状部材１７も全てＴｉＣ含有
Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で構成されている。
【００４１】本実施例の搬送装置においてウエハＷをカ
セット１５内に収納する際には、紙面上方からウエハＷ
がアーム１６上に渡され、ウエハＷ裏面は凸状部材１７
で支持される。次いで、アームは、駆動手段１８よって
制御されてカセット１５のウエハＷを収納すべき所定の
段と対応する位置に紙面上下方向の位置が調整される。
その後、アーム１６は紙面左方向に進んでカセット１５
内のウエハ支持部材の開口内の所定位置に達したところ
で停止する。しかる後、アーム１６は僅かに下降し、こ
れによりウエハＷはアーム１６からカセット１５のウエ
ハ支持部材上に受け渡される。
【００４２】この際、ＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体で構
成されているアーム１６及び凸状部材１７は、良導電体
で高硬度であるので静電気やアブレッシブ摩耗によるご
みの付着が生じない。また、本実施例のアーム１６は軽
量でかつ高剛性であるので、アーム１６の傾斜や歪みに
よってウエハＷ出入れ時に他段のウエハＷに傷をつけた
りすることがなく、高速動作を行なう場合にも有利であ
る。
【００４３】なお、以上の説明においては、半導体集積
回路製造にあたってウエハを固定、搬送するために用い
られる保持装置について述べたが、本発明が対象とする
被保持物はウエハに限定されるものでないことは言うま
でもなく、本発明はガラスプレート等の搬送装置や各種
試験装置のホルダあるいは電子部品の組立装置にも適用
できるものである。その際、保持部構造は特に限定され
るものではなく、上述した実施例のように被保持物を載
置して保持する以外に、例えば被保持物を挟持するよう
な構造としても良い。
【００４４】
【発明の効果】以上の様に本発明においては、被保持物
との接触部分が共有結合性導電材料を含有するセラミッ
ク焼結体で構成されていて導電性を有するので、静電気
の発生によるごみの付着が防止される。また、共有結合
性導電材料含有セラミック焼結体は焼結体に特有の気孔
が少ないため、被保持物接触部分へのごみ付着が低減さ
れ、保持装置の清掃も簡単である。更に、本発明の保持
装置は、優れた防塵性とともに、高剛性，軽量，高寸法
安定性の特性を有するので、高速搬送や薄板状の被保持
物の平坦化矯正をおこなう場合、蓄熱による寸法変化が
問題となる場合にも有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１実施例によるウエハホルダの平面図
である。
【図２】図１のＡＡ’断面図である。
【図３】本発明第２実施例によるウエハホルダの平面図
である。
【図４】図３のＢＢ’断面図である。
【図５】本発明第３実施例による搬送装置の平面図であ
る。
【図６】図５の搬送装置の側面図である。
【図７】本発明第４実施例による搬送装置の説明図であ
る。
【図８】図７の搬送装置の平面図である。
【符号の説明】
Ｗ ウエハ ＷＨ ウエハホルダ １ 環状凸部 ２ 環状凹部 ３，９ ，１３吸気孔 ５ ピン状突起 １１ Ａｌ等からなるアーム １６ ＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体からなるアーム １２，１７ ＴｉＣ含有Ａｌ2 Ｏ3 焼結体からなる凸状
部材 １４ カセット設置台 １５ カセット

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被保持物との接触部分が、共有結合性導
    電材料を含有するセラミックス焼結体からなることを特
    徴とする保持装置。
  2. 【請求項２】 前記被保持物が、半導体基板であること
    を特徴とする請求項１記載の保持装置。
  3. 【請求項３】 前記焼結体が炭化チタンを含有する酸化
    アルミニウムの焼結体であることを特徴とする請求項１
    記載の保持装置。
  4. 【請求項４】 前記焼結体中の前記共有結合性導電材料
    の含有率が５〜７０重量％であることを特徴とする請求
    項１記載の保持装置。
JP3199801A 1991-07-16 1991-07-16 保持装置 Pending JPH0521584A (ja)

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US (1) US5324012A (ja)
JP (1) JPH0521584A (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722497A (ja) * 1993-06-17 1995-01-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体製造装置
JPH0745315A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Asahi Glass Co Ltd 帯電除去用部材
JPH07147311A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Tokyo Electron Ltd 搬送アーム
JPH07297262A (ja) * 1994-01-31 1995-11-10 Applied Materials Inc 真空を使った真空チャンバ内のウエハ取扱
JPH08340036A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH0950248A (ja) * 1995-08-09 1997-02-18 Nippon Maikuronikusu:Kk 表示パネルの吸着テーブル
JPH09186223A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエーハ処理用治具
JPH10242255A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 真空吸着装置
JP2004009165A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 吸着用チャック
JP2007158309A (ja) * 2005-10-28 2007-06-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2008119758A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Aronshiya:Kk 吸着盤
JP2010517295A (ja) * 2007-01-26 2010-05-20 ラム リサーチ コーポレーション 真空チャックを備えるベベルエッチャ
JP2011176328A (ja) * 2002-05-01 2011-09-08 Trek Inc 静電ウェハクランプ装置のための進歩したプラテン
JP2017216375A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 キヤノン株式会社 チャック、基板保持装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法
CN109015464A (zh) * 2018-08-31 2018-12-18 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 真空吸附治具
CN110415758A (zh) * 2019-07-25 2019-11-05 天津大学 基于多级螺旋结构铰链的高精度z向单自由度微定位平台
JP2019536290A (ja) * 2016-11-23 2019-12-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プロセスチャンバキャリアのための静電チャッキング力測定ツール
JP2020181871A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0456426B1 (en) * 1990-05-07 2004-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum type wafer holder
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JPH07169660A (ja) * 1993-09-09 1995-07-04 Xerox Corp ウェハ対を接合する装置及び方法
US6707528B1 (en) 1994-03-02 2004-03-16 Nikon Corporation Exposure apparatus having independent chambers and methods of making the same
US5724121A (en) * 1995-05-12 1998-03-03 Hughes Danbury Optical Systems, Inc. Mounting member method and apparatus with variable length supports
US5923408A (en) * 1996-01-31 1999-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding system and exposure apparatus using the same
US6327034B1 (en) * 1999-09-20 2001-12-04 Rex Hoover Apparatus for aligning two objects
JPH1022184A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sony Corp 基板張り合わせ装置
JP3376258B2 (ja) 1996-11-28 2003-02-10 キヤノン株式会社 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法
US5993298A (en) * 1997-03-06 1999-11-30 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface
US5910041A (en) * 1997-03-06 1999-06-08 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with raised edge on platen
US6048254A (en) * 1997-03-06 2000-04-11 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with annular abrasive area
US6149506A (en) * 1998-10-07 2000-11-21 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
US5967882A (en) * 1997-03-06 1999-10-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens
US6120352A (en) * 1997-03-06 2000-09-19 Keltech Engineering Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets
US6531397B1 (en) 1998-01-09 2003-03-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing
DE19806306A1 (de) * 1998-02-16 1999-09-09 Siemens Ag Vorrichtung zum berührungslosen Greifen und Halten eines Gegenstandes und Anwendungen der Vorrichtung
US6102777A (en) * 1998-03-06 2000-08-15 Keltech Engineering Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen
EP0947884B1 (en) * 1998-03-31 2004-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with substrate holder
JP2000100895A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置
US6401008B1 (en) 1998-11-18 2002-06-04 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer review system and method
US6156580A (en) * 1998-11-18 2000-12-05 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer analysis system and method
JP2001209981A (ja) * 1999-02-09 2001-08-03 Ricoh Co Ltd 光ディスク基板成膜装置、光ディスク基板成膜方法、基板ホルダーの製造方法、基板ホルダー、光ディスクおよび相変化記録型光ディスク
US6305677B1 (en) 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
JP2000311933A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
US6164633A (en) * 1999-05-18 2000-12-26 International Business Machines Corporation Multiple size wafer vacuum chuck
EP1059566B1 (en) * 1999-06-11 2006-08-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
TW594426B (en) 1999-06-11 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, integrated circuit manufacturing method and integrated circuit made thereby
KR100316712B1 (ko) * 1999-06-22 2001-12-12 윤종용 화학기계적 연마장치에 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위한 로드컵의 페디스탈
JP2001024051A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着パッド
US6187134B1 (en) 1999-07-09 2001-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Reusable wafer support for semiconductor processing
US6196532B1 (en) 1999-08-27 2001-03-06 Applied Materials, Inc. 3 point vacuum chuck with non-resilient support members
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
TW504779B (en) * 1999-11-18 2002-10-01 Texas Instruments Inc Compliant wirebond pedestal
WO2002091457A1 (fr) * 1999-12-09 2002-11-14 Ibiden Co., Ltd. Plaque ceramique pour appareil de production/controle de semi-conducteurs
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
CH695075A5 (de) * 2000-07-03 2005-11-30 Esec Trading Sa Greifwerkzeug.
AU2001277907A1 (en) 2000-07-17 2002-01-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
WO2002013967A2 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Incyte Genomics, Inc. Microarray alignment mechanism
US6544033B1 (en) * 2000-09-08 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Wafer carrier
EP2306242A3 (en) 2000-10-12 2011-11-02 Board of Regents, The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
JP4108941B2 (ja) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
US6595506B1 (en) 2000-11-17 2003-07-22 Epion Corporation Apparatus and method for reduced particulate generation during workpiece handling
US6612590B2 (en) * 2001-01-12 2003-09-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for manipulating semiconductor wafers
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
US6806544B2 (en) 2002-11-05 2004-10-19 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US20030234548A1 (en) * 2002-06-24 2003-12-25 Ravinder Aggarwal Wafer handler
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
DE10235482B3 (de) * 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
JP2004071730A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Sendai Nikon:Kk レチクルハンドリング方法、レチクルハンドリング装置及び露光装置
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
JP4040423B2 (ja) * 2002-10-16 2008-01-30 キヤノン株式会社 基板保持装置
US7641840B2 (en) * 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
EP1431825A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder
EP1482370B1 (en) * 2003-05-06 2012-02-01 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
EP1475666A1 (en) * 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
US7410919B2 (en) * 2003-06-27 2008-08-12 International Business Machines Corporation Mask and substrate alignment for solder bump process
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7307697B2 (en) * 2004-05-28 2007-12-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system
US20060088692A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Ibiden Co., Ltd. Ceramic plate for a semiconductor producing/examining device
CN101166605B (zh) * 2004-12-27 2010-06-16 库利克和索法模压焊接有限责任公司 用于在工作面上借助负压固定平面对象，特别是基底的装置
DE102004063855A1 (de) * 2004-12-30 2006-07-13 Supfina Grieshaber Gmbh & Co.Kg Halter mit porösem Greifer
US7635263B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US7798801B2 (en) * 2005-01-31 2010-09-21 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for nano-manufacturing
US7636999B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
US7670529B2 (en) 2005-12-08 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Method and system for double-sided patterning of substrates
KR100898793B1 (ko) * 2005-12-29 2009-05-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자용 기판 합착 장치
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
CN100535762C (zh) * 2007-11-28 2009-09-02 上海微电子装备有限公司 硅片固定部件
US8145349B2 (en) * 2008-05-14 2012-03-27 Formfactor, Inc. Pre-aligner search
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
US8519729B2 (en) * 2010-02-10 2013-08-27 Sunpower Corporation Chucks for supporting solar cell in hot spot testing
US10699934B2 (en) * 2015-10-01 2020-06-30 Infineon Technologies Ag Substrate carrier, a processing arrangement and a method
US10844921B2 (en) * 2015-11-01 2020-11-24 Samir Ali Nayfeh Exact constraint for flexible bodies
JP6510461B2 (ja) * 2016-05-25 2019-05-08 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置
US10468290B2 (en) 2016-11-02 2019-11-05 Ultratech, Inc. Wafer chuck apparatus with micro-channel regions
CN107134426A (zh) * 2017-05-08 2017-09-05 北京中电科电子装备有限公司 晶圆吸盘、晶圆吸附装置以及晶圆划片机

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1526933A (en) * 1974-09-13 1978-10-04 Johnson Matthey Co Ltd Vacuum head for handling transfers
US4088312A (en) * 1977-09-27 1978-05-09 Nasa Variable contour securing system
US4131267A (en) * 1978-06-02 1978-12-26 Disco Kabushiki Kaisha Apparatus for holding workpiece by suction
US4183545A (en) * 1978-07-28 1980-01-15 Advanced Simiconductor Materials/America Rotary vacuum-chuck using no rotary union
US4616796A (en) * 1981-07-23 1986-10-14 Inoue-Japax Research Incorporated Magnetic retainer assembly
JPS63169243A (ja) * 1987-01-06 1988-07-13 Citizen Watch Co Ltd 真空吸着装置
JPS63210148A (ja) * 1987-02-26 1988-08-31 Nikko Rika Kk 真空チヤツク用プラスチツクス焼結体
US4944904A (en) * 1987-06-25 1990-07-31 General Electric Company Method of obtaining a fiber-containing composite
NL8701603A (nl) * 1987-07-08 1989-02-01 Philips & Du Pont Optical Vacuuminrichting voor het vastzuigen van werkstukken.
JPH01120505A (ja) * 1987-11-04 1989-05-12 Fuji Xerox Co Ltd ビーム変換装置
JPH02186656A (ja) * 1989-01-13 1990-07-20 Hitachi Ltd 低発塵装置
US5067695A (en) * 1989-05-08 1991-11-26 Micron Technology, Inc. Circuit board support apparatus for use with circuit board lead trimmer
JP2979194B2 (ja) * 1990-05-31 1999-11-15 京セラ株式会社 真空吸着装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722497A (ja) * 1993-06-17 1995-01-24 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体製造装置
JPH0745315A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Asahi Glass Co Ltd 帯電除去用部材
JPH07147311A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Tokyo Electron Ltd 搬送アーム
JPH07297262A (ja) * 1994-01-31 1995-11-10 Applied Materials Inc 真空を使った真空チャンバ内のウエハ取扱
JPH08340036A (ja) * 1995-06-09 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH0950248A (ja) * 1995-08-09 1997-02-18 Nippon Maikuronikusu:Kk 表示パネルの吸着テーブル
JPH09186223A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエーハ処理用治具
JPH10242255A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp 真空吸着装置
JP2011176328A (ja) * 2002-05-01 2011-09-08 Trek Inc 静電ウェハクランプ装置のための進歩したプラテン
JP2004009165A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 吸着用チャック
KR100801952B1 (ko) * 2005-10-28 2008-02-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2007158309A (ja) * 2005-10-28 2007-06-21 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4599334B2 (ja) * 2005-10-28 2010-12-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 物品支持部材を製造する方法
JP2008119758A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Aronshiya:Kk 吸着盤
JP4657193B2 (ja) * 2006-11-08 2011-03-23 株式会社アロン社 吸着盤
JP2010517295A (ja) * 2007-01-26 2010-05-20 ラム リサーチ コーポレーション 真空チャックを備えるベベルエッチャ
JP2017216375A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 キヤノン株式会社 チャック、基板保持装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法
KR20190015414A (ko) * 2016-06-01 2019-02-13 캐논 가부시끼가이샤 척, 기판 보유 지지 장치, 패턴 형성 장치, 및 물품의 제조 방법
US10754262B2 (en) 2016-06-01 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Chuck, substrate-holding apparatus, pattern-forming apparatus, and method of manufacturing article
JP2019536290A (ja) * 2016-11-23 2019-12-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プロセスチャンバキャリアのための静電チャッキング力測定ツール
CN109015464A (zh) * 2018-08-31 2018-12-18 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 真空吸附治具
JP2020181871A (ja) * 2019-04-24 2020-11-05 キヤノン株式会社 基板保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
CN110415758A (zh) * 2019-07-25 2019-11-05 天津大学 基于多级螺旋结构铰链的高精度z向单自由度微定位平台

Also Published As

Publication number Publication date
US5324012A (en) 1994-06-28

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