JPH05295597A - めっき装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板表面の被めっき領域をめっき液に接触さ
せるとともに、その表面のコンタクト領域に第１の電極
を接触し、被めっき領域にめっきを行なうめっき装置に
関し、特にコンタクト領域への第１の電極の接触を確実
に行なえるとともに、第１の電極をコンタクト領域に接
触させる際に、第１の電極が第１の電極上を横滑りする
ことのないめっき装置の提供を目的とする。 【構成】 真空チャック31の吸着盤31a により真空吸着
した基板12の被めっき領域12a をめっき液11に接触させ
るとともに、電源に接続した電極22に基板のコンタクト
領域12b を接触し、この基板の被めっき領域にめっきを
行なうめっき装置において、真空チャックの吸着盤は、
その内部を大気圧以下に減圧されて基板を真空吸着した
際、この基板の表面と垂直方向に可逆的且つ弾性的に縮
退するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板表面の被めっき領
域をめっき液に接触させるとともに、その表面のコンタ
クト領域に第１の電極を接触し、被めっき領域にめっき
を行なうめっき装置、特にコンタクト領域への第１の電
極の接触を確実に行なえるとともに、第１の電極をコン
タクト領域に接触させる際に、第１の電極が第１の電極
上を横滑りすることのないめっき装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】次に、半導体ウェーハ表面の被めっき領
域、例えば、下部電極に金(Au)めっきする従来のめっき
装置について図２を参照して説明する。

【０００３】図２は、従来のめっき装置の説明図であっ
て、同図(a) はめっき装置の要部の模式的な側断面図、
同図(b) はカソード先端の高さの違いを示す要部側断面
図、同図(c) は擦り傷の発生原因を説明するための要部
側断面図である。

【０００４】従来のめっき装置は、同図(a) に示すよう
に、底部から矢印Ｕ方向に吹き上げめっき液11が上端開
口から矢印Ｄに示すように流れ落ちる噴流カップ21と、
電源（図示せず）の一方の極、例えば、マイナス極に接
続し、鉛直方向の上方に向いた針状の先端が噴流カップ
21を流れ落ちるめっき液11に僅かに隠れるカソード22
と、噴流カップ21内を上部領域と下部領域とに仕切るよ
うに配設されて如上の電源の他方の極、すなわち、プラ
ス極に接続した網状のアノード23と、半導体ウェーハ12
を真空吸着する真空チャック24及び真空チャック24を円
弧線Ｒに沿って回動するアーム25とを含んで構成されて
いた。

【０００５】このように構成しためっき装置により半導
体ウェーハ12の表面の被めっき領域12a に金めっきする
には、半導体ウェーハ12の表面に設けたコンタクト領域
12bを、カソード22の先端に確実に接触させることが必
要となる。

【０００６】半導体ウェーハ12のコンタクト領域12b の
カソード22の先端への接触は、真空チャック24の吸着盤
24a により半導体ウェーハ12の裏面を真空吸着した後
に、この真空チャック24を懸吊したアーム25を矢印Ａ方
向に回動することにより行なっている。

【０００７】このアーム25の矢印Ａ方向の回動により、
真空チャック24の中心部も円弧線Ｒに沿って下降し、そ
の吸着盤24a に真空吸着された半導体ウェーハ12のコン
タクト領域12b がカソード22の先端に接触することとな
る。

【０００８】真空チャック24は、その正面( 紙面表面
側) 及び背面( 紙面裏面側) に設けた縦長係止孔24b
に、アーム25の先端部の係止軸25a を回動自在に挿入さ
せることにより、このアーム25に懸垂されている。

【０００９】したがって、半導体ウェーハ12のコンタク
ト領域12b がカソード22の先端に接触した後もアーム25
の回動を矢印Ａ方向に行なうと、カソード22の先端に支
持された状態となっている真空チャック24は、アーム25
から僅かな範囲ではあるが鉛直方向に自由となる。

【００１０】このため、半導体ウェーハ12のコンタクト
領域12b は、定荷重( 真空チャック24の自重) でもって
カソード22の先端に接触することとなる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところが、カソード22
の先端は、図２(b) に示すように、常に同一水平面上に
あるとは限らない。

【００１２】このため、半導体ウェーハ12の紙面右側の
コンタクト領域12b (12b-1) が紙面右側のカソード22(2
2-1)の先端に接触した後も、半導体ウェーハ12の紙面左
側のコンタクト領域12b (12b-2) が紙面左側のカソード
22(22-2)の先端に接触させるために、半導体ウェーハ12
をアーム25を介して矢印Ａ方向に移動すると、コンタク
ト領域12b (12b-1) がカソード22(22-1)の先端に接触し
た状態で、同図(c) に示すように水平方向にΔX だけず
れることとなる。

【００１３】斯くして、従来のめっき装置においては、
半導体ウェーハ12のコンタクト領域12b に、カソード22
による引っ掻き傷が入ったり、またこの引っ掻きにより
発生した粒状微小異物（図示せず）が周囲に飛んで半導
体ウェーハ12の表面に付着する等の問題があった。

【００１４】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は半導体ウェーハの
コンタクト領域に引っ掻き傷を発生しないめっき装置の
提供にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記目的は、図１に示す
ように、真空チャック31の吸着盤31a により真空吸着し
た基板12の被めっき領域12a をめっき液11に接触させる
とともに、電源に接続した電極22に基板12のコンタクト
領域12b を接触し、この基板12の被めっき領域12a にめ
っきを行なうめっき装置において、真空チャック31の吸
着盤31a は、その内部を大気圧以下に減圧されて基板12
を真空吸着した際、この基板12の表面と垂直方向に可逆
的且つ弾性的に縮退することを特徴とするめっき装置に
よって達成される。

【００１６】

【作用】本発明のめっき装置の真空チャック31の吸着盤
31a は、その内部を大気圧以下に減圧されて基板12を真
空吸着した際、この基板12表面と垂直方向に可逆的且つ
弾性的に縮退する。

【００１７】したがって、真空チャック31の吸着盤31a
により真空吸着した基板12のコンタクト領域を電極に接
触させた後にこの吸着盤31a 内の圧力を大気圧にすれ
ば、基板12は真空チャック31の真空吸着から開放される
とともに、吸着盤31a の、基板12に対して垂直な弾性力
により電極に押し付けられる。

【００１８】斯くして、基板12のコンタクト領域は、電
極に確実に接触するし、また、基板12は、そのコンタク
ト領域12b を電極に接触しながら横滑りすることがない
ために、コンタクト領域12b に電極による引っ掻き傷が
入ることもない。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の一実施例のめっき装置につい
て図１を参照して説明する。図１は、本発明の一実施例
のめっき装置の説明図であって、同図(a) はめっき装置
の要部の模式的な側断面図、同図(b) はカソード先端の
高さの違いを示す要部側断面図、同図(c) は本発明の一
実施例のめっき装置の真空チャックと異なる真空チャッ
クの要部側断面図である。

【００２０】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図１(a) で示す本発明の一実施例のめっき装置
は、図２を参照して説明した従来のめっき装置の真空チ
ャック24を、本発明に係る真空チャック31に代えて構成
したものである。

【００２１】本発明の一実施例のめっき装置の真空チャ
ック31の吸着盤31a は、弾性を有するゴム管を蛇腹状に
加工して形成したものであって、その内部が大気圧以下
に減圧されると管軸方向に可逆的且つ弾性的に縮退する
ものである。

【００２２】もちろん、このことは大気圧以下に減圧さ
れている真空チャック31の吸着盤31a の内部を大気圧に
戻せば、吸着盤31a がその管軸方向に弾性的に伸長して
元の長さに戻ることを意味する。

【００２３】次に、本発明の一実施例のめっき装置にお
いて、そのカソード22の先端に、半導体ウェーハ12のコ
ンタクト領域12b を同図(a) に示すように接触させる方
法について同図(b) を参照して説明する。

【００２４】本発明の一実施例のめっき装置のカソード
22のそれぞれの先端も、図２により説明した従来のめっ
き装置のカソード22の先端と同様に、常に同一水平面上
にあるとは限らない。

【００２５】したがって、図１(b) に示すように、真空
チャック31の吸着盤31a に真空吸着した半導体ウェーハ
12のコンタクト領域12b を、カソード22の先端に接触す
べく円弧線Ｒに沿って下降した際に、半導体ウェーハ12
の、紙面右側のコンタクト領域12b(12b-1)が、紙面右側
のカソード22(22-1)に接触しているものの、半導体ウェ
ーハ12の、紙面左側のコンタクト領域12b(12b-2)が、紙
面左側のカソード22(22-2)には接触していない状態が発
生する。

【００２６】しかし、図１(b) に示すような状態で真空
チャック31の下降を停止した後に、吸着盤31a の内部の
圧力を大気圧にもどせば、この吸着盤31a は矢印Ｂ方向
に伸長して半導体ウェーハ12をカソード22に押し付け、
同図(a) に示すように、半導体ウェーハ12のコンタクト
領域12b(12b-1)のカソード22(22-1)への接触はむろんの
こと、停止時には接触していなかった半導体ウェーハ12
のコンタクト領域12b(12b-2)をカソード22(22-2)の先端
に接触させる。

【００２７】上述した真空チャック31の吸着盤31a の伸
長は、その管軸方向となるからカソード22(22-1)の先端
にコンタクト領域12b(12b-1)を接触している半導体ウェ
ーハ12を横滑りさせることがない。

【００２８】したがって、本発明の一実施例のめっき装
置は、半導体ウェーハ12のコンタクト領域12b にカソー
ド22により引っ掻き傷を発生することなく、コンタクト
領域12b をカソード22の先端に接触させることができ
る。

【００２９】なお、真空チャック31の背面に、先端を固
定したアーム32の機能は、従来のめっき装置のアーム25
の機能と同様であるので、此処での説明は割愛した。同
図(c) に示す真空チャック41は、上述した本発明の一実
施例のめっき装置の真空チャック31と構造は異なるもの
の、同等の機能をもつものである。

【００３０】すなわち、真空チャック41においては、そ
の吸着盤41a 内が大気圧以下にされると、吸着盤41a が
付勢手段41b に逆らって矢印Ａ方向に後退し、また、吸
着盤41a 内が大気圧に戻されると付勢手段41b が吸着盤
41a を矢印Ｂ方向に押し戻して図示の位置に復帰する。

【００３１】なお、41c は、柔軟性で非通気性の円形シ
ート、例えば、ゴム円板の中心を丸く開口した仕切シー
トで、吸着盤41a の開口を閉塞する半導体ウェーハ（図
示せず）との協働により、吸着盤41a 内を大気側と遮断
するものである。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ウ
ェーハ12のコンタクト領域12b にカソード22により引っ
掻き傷を発生することなく、コンタクト領域12b をカソ
ード22の先端に接触させることができるめっき装置の提
供を可能にする。

【００３３】したがって、本発明のめっき装置により半
導体装置を製造すれば、製造歩留りの向上は素より、そ
の信頼度も向上することとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明の一実施例のめっき装置の説明図

【図２】は、従来のめっき装置の説明図

【符号の説明】

11は、めっき液、 12は、半導体ウェーハ (基板) 、 12a は、被めっき領域、 12b は、コンタクト領域、 21は、噴流カップ、 22は、カソード、 23は、アノード、 24,31,41は、真空チャック、 24a,31a,41a は、吸着盤、 24b は、縦長係止孔、 25,32 は、アームをそれぞれ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チャック(31)の吸着盤(31a) により
   真空吸着した基板(12)の被めっき領域(12a) をめっき液
   (11)に接触させるとともに、電源に接続した電極(22)に
   前記基板(12)のコンタクト領域(12b) を接触し、この基
   板(12)の被めっき領域(12a) にめっきを行なうめっき装
   置において、 前記真空チャック(31)の吸着盤(31a) は、その内部を大
   気圧以下に減圧されて前記基板(12)を真空吸着した際、
   この基板(12)の表面と垂直方向に可逆的且つ弾性的に縮
   退することを特徴とするめっき装置。