JPS63226939A - ウエハ保持装置 - Google Patents

ウエハ保持装置

Info

Publication number
JPS63226939A
JPS63226939A JP62060491A JP6049187A JPS63226939A JP S63226939 A JPS63226939 A JP S63226939A JP 62060491 A JP62060491 A JP 62060491A JP 6049187 A JP6049187 A JP 6049187A JP S63226939 A JPS63226939 A JP S63226939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
negative pressure
holding
holding device
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62060491A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Tsumaki
妻木 伸夫
Hiromitsu Tokisue
裕充 時末
Toshifumi Koike
敏文 小池
Eiichi Sato
栄一 佐藤
Kumiko Kawai
川合 久美子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62060491A priority Critical patent/JPS63226939A/ja
Publication of JPS63226939A publication Critical patent/JPS63226939A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路ウェハを保持する保持装置に係り、特
に空気を吸引してウェハを保持する際にウェハの保持面
に接触する面が小さく、従って接触によるウェハの保持
面側への異物付着が少ないクリーンなウェハ保持装置に
好適なシール構造に関する。
〔従来の技術〕
ここで、第10図〜第12図、第13図〜第14図は従
来使用されてきた負圧吸引式のウェハ保持装置の一例を
示す、第10図〜第12図はビンチャックと呼ばれるも
ので周辺に円周状(外径130m、内径115mm)に
連続する平坦なシール部lがあり、中央の吸引孔2がら
気体(通常空気)を負圧吸引する。吸引孔2のまわりに
はウェハの下面を支持する多数の点接触部3(凸部)が
存在する。この点接触部3は各々、正四角すい台がら成
り、その頂面(−辺0.2011正方形)は、正四角す
い台の底面(−辺2nn+の正方形)よりも、がなり小
さな面積になっている(第11図)。ウェハ4が保持装
置の上に乗ると第12図で示すごとくシール部1で空気
の流れが遮断されウェハ4と保持装置の間にできた閉空
間5(凹部)は大気圧に比較して負圧となり、ウェハ4
は保持装置にしっかりと吸着される。そしてウェハ4の
保持面である裏面と保持装置の接触面が大きいと、この
接触面に微細な異物がはさまれ、その結果、ウェハ4の
表面の凹凸の原因となって、回路をウェハの表面に光学
的に形成する際にピントが合わずいわゆるデフォーカス
の現象を生じてしまう、また、裏面に異物が付着したま
まになるなどの問題があるため、第10図に示したごと
くシール部1は周辺のみに形成し、中央付近の大部分は
点接触部3の頂面のごく微小な面のみで点接触によって
支持されるような構造となっている。しかし周辺のシー
ル部1は全面接触するため、異物がはさまれやすい、こ
のような先行技術として特開昭54−120585号公
報がある。
第13図〜第14図はスピンチャックと呼ばれる保持装
置であり、ウェハ4を保持して回転させるためのもので
ある0回転されるウェハ4の上にはフォトレジストの液
滴が落とされ、遠心力によりフォトレジストを薄くひろ
げることができる。
この例では回転するウェハ4をしっかり保持するため吸
引孔2以外はすべて全面接触式のシール面6となってお
り、異物のはさみ込みによるウェハ表面に凹凸を生じて
しまい、さらにはウェハ裏面への異物が付着してしまう
問題がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術はウェハの保持機能を第1に考慮して作ら
れており全面接触の部分が残されていてウェハとの接触
面積が大きく、接触によるウェハの保持面側への異物の
付着に関しては配慮がなされておらず、この異物が後の
工程でウェハの表面に移ってしまうという問題があった
本発明の目的は、ウェハの保持性能をそこなうことなく
、ウェハと保持装置の接触面積を可能な限り減少させ、
直接接触によるウェハ保持面への異物付着を減少させる
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、負圧を保持するために設けられたシール部
に微小流量を流すことを許す微小間隙を設けるか、ある
いはウェハを保持するためのシール面の全面に微小流量
を流すことを許す微小間隙を設けることにより達成され
る。
微小間隙は、負圧を維持するためにはできるだけ小さく
する必要があり、他方では該微小間隙に落ちたゴミ(微
細な異物)がウェハの裏面に付着しないようにするため
には、できるだけ大きい必要がある。従って微小間隙の
大きさはこの両方の要求を満たすものでなくてはならな
い。ゴミの大きさは、ウェハが扱われるクリーンルーム
の性能によって変わるので値を特定することは難しい。
しかし現在のところゴミの大きさは10μm以下と考え
られるので、微小間隙の大きさは10μmよりも太きく
0.05mよりも小さいものであればよいと考えられる
〔作用〕
シール部材に設置した微小間隙によりウェハと保持装置
の間はこの微小間隙の分だけ非接触となる。従ってウェ
ハと保持装置の全面接触部分によるウェハへの異物付着
の可能性が低減される作用がある。半導体製造工程で問
題となっている異物は非常に小さく、前述したように現
在は通常10μm以下である。従って接触の可能性をな
くすにはシール部の微小すき間は10μm程度あれば充
分である。負圧吸引を利用してウェハを吸着保持するた
めには、シール部の内側が大気圧に対して充分負圧とな
る必要があるが、10μmの微小すき間はこの負圧を維
持するのに充分な狭さである。
〔実施例〕
第1図〜第3図は本発明の第一実施例である。
このピンチャツクの実施例では図に示すごとく、シール
部1に微細な凸起11が各々平行に形成されてウェハ4
とシール部1との間に微小なすき間をつくる。この凸起
11の高さhは10μmである。現在ウェハを扱うクリ
ーンルーム内の異物(ゴミ)は10μmより小さいので
、この高さhによりすき間に落ちたゴミはウェハ4の保
持面(裏面)に付着することがない、しかしクリーンル
ームがもっとクリーンに保たれ異物の大きさをもっと小
さくできるようになれば、この高さhはもっと小さくで
きる。凸起と凸起の間すは5mmとする。これはウェハ
のたわみの大きさに関係する。
ウェハのたわみがもっと大きくなれば、この間すの大き
さはさらに小さくせねばならない、凸起の幅Wは、凸起
の強度に関係する。従って保持装置の素材がもっと強い
ものになれば、Wは薄くできる。他は第10図〜第12
図で示した従来技術と同様である。第3図に示すととく
ウェハが乗った状態でのウェハ4と保持装置のシール部
1における接触は凸起11の頂面のみとなる。ここで吸
引孔2から気体を吸引すると気体は微小間隙12を通し
て周辺から吸い込まれる。しかし、微小間隙12を前記
したように充分小さくすれば、気体の粘性抵抗によりウ
ェハは大きな絞り効果を受け、わずかの流量、たとえば
数m A /分でシール部1内側に充分な負圧を保持す
ることができる。
半導体製造工程で現在問題となる異物の大きさは、はと
んどが10μm〜5μm以下の微細なものであり、すき
間12の高さhは10μm程度あれば異物のウェハ裏面
への直接接触を防ぐのに充分である。尚、凸起11は各
々平行でなくて中心から放射状に形成してもよい。
第4図〜第7図は本発明の第二実施である。シール部1
の平面構造を第5図に示すごとく構成する。これは空気
の流路がなるべく長くなるように凸起11を迷路状に構
成した例で、空気は凸起11に従って矢印のごとくL字
形の流路を通ってシール部1の内側に流れ込む、従って
、シール部通過距離が長くなりより大きな粘性抵抗を受
けるため、負圧保持効果が増す、これはスピンチャック
のととくウェハを回転させるため大きな保持力が必要な
場合に好適である。
さらに第8図及び第9図は、第二実施例のシール部1の
さらに外周にクリーンエアを吹き出す溝13を配置した
第三実施例である。前記第二実施例のウェハ保持装置で
は気体と外からシール部の内側に吸い込むため、外の環
境が汚染されていると、これを内部に吸い込む若干の可
能性をのこしている。そこで図に示すごとくシール部1
の周辺にクリーンエアを供給する環状の溝11を配置し
周辺の異物をシール面の内側に吸い込むことのないよう
にした。尚、クリーンエアはエア供給孔14より溝13
へ供給される。
〔他の実施例〕
以上の実施例においては凸起によって形成する微小間隙
12は、シール部1に形成しているが、他の実施例にお
いてはウェハを支える全面に微小間隙を設けてもよい、
このように全面に微小間隙を設けることにより、シール
部だけに微小間隙を設けるよりも、吸引し続ける気体の
流量を少なくすることができる。
また前記実施例においてはウェハは円形をなしシール部
はこのウェハの円形外周に沿って形成されていたが、他
の実施例においては円形以外のウェハも考えられシール
部はウェハの外周よりもさらに内側に形成されることも
考えられる。
前記実施例においては負圧を形成するための吸引孔は保
持装置の中央に存在していたが、他の実施例においては
シール部の微小間隙内に設けることもできる。これによ
り負圧維持効果をさらに高めることができる。
前記第一実施例においては凸起の高さhは10μmであ
ったが、前記したようにこの高さhはゴミよりも大きく
かつ負圧を維持するに充分に小さいものであればよい、
現在のところこの高さhは10μmよりも太きく 0.
05−よりも小さい範囲が考えられる。また凸起と凸起
の間すは5msとしたが、他の実施例においては5−〜
4■とすることも可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、負圧吸引式のウェハ保持装置において
、シール部においてのウェハとの接触面積を大幅に低減
できるので、保持装置とウェハが直接に接触することに
よるウェハへの異物の付着を大幅に低減できる。これに
より例えば、ウェハ表面に光学的に回路を形成するため
の縮小露光装置を使用する際に、ウェハの外周部に設け
られたシール面に異物をかみ込むことを原因として生じ
るウェハ面の微小な凹凸による焦点ボケ(いわゆるデフ
ォーカス)が生じ1歩留りが低下してしまうことを防ぐ
効果がある。またスピンチャックに応用すればウェハ裏
面への異物付着の大幅低減することができ、これも最終
的な歩留り向上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例に係るウェハ支持装置の平
面図、第2図は第1図の■−■断面図、第3図は第2図
のウェハ支持装置にウェハを乗せた状態を示す図、第4
図は第二実施例を示す平面図、第5図は第4図の一部拡
大図、第6図は第4図のVI−Vl断面図、第7図は第
4図の■−■断面図、第8図は第三実施例を示す平面図
、第9図は第8図の[−1に断面図、第10図は従来の
ウェハ支持装置を表わす平面図、第11図は第10図の
夏−夏断面図、第12図は第11w1のウェハ支持装置
にウェハを乗せた状態を示す図、第13図はウェハ支持
装置を示す第2従来例の平面図、第14図は第13図の
ウェハ支持装置にウェハを乗せた状態を示す断面側面図
である。 1・・・シール部、    2・・・吸引孔、3・・・
点接触部(凸部)、4・・・ウェハ。 5・・・閉空間(凹部)、 6・・・シール面。 11・・・凸起、      12・・・微小間隙、1
3・・・溝、       14・・・エア供給孔。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハを乗せる凸部と負圧を生ぜしめるための凹
    部が多数形成された面を有する負圧吸引式ウェハ保持装
    置において、前記面の負圧を維持するために設けられた
    シール部に、あるいは全面に、微小流量を流すことを許
    す微小間隙を設けたことを特徴とするウェハ保持装置。
  2. (2)前記特許請求の範囲第1項において、シール部は
    ウェハ外周に沿って形成されたことを特徴とするウェハ
    保持装置。
  3. (3)前記特許請求の範囲第1項において、負圧を形成
    するための吸引孔をシール部の微小間隙内に設置したこ
    とを特徴とするウェハ保持装置。
  4. (4)前記特許請求の範囲第2項において、シール部の
    外周側に清浄気体を供給する領域を設けたことを特徴と
    するウェハ保持装置。
JP62060491A 1987-03-16 1987-03-16 ウエハ保持装置 Pending JPS63226939A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62060491A JPS63226939A (ja) 1987-03-16 1987-03-16 ウエハ保持装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62060491A JPS63226939A (ja) 1987-03-16 1987-03-16 ウエハ保持装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63226939A true JPS63226939A (ja) 1988-09-21

Family

ID=13143805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62060491A Pending JPS63226939A (ja) 1987-03-16 1987-03-16 ウエハ保持装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63226939A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086664A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 吸着固定装置及びその製造方法
JP2003142566A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 New Creation Co Ltd 真空吸着器及びその製造方法
JP2008177303A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2014241357A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 レーザーテック株式会社 基板保持装置、及び光学装置、及び基板保持方法
WO2023037424A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 株式会社日立ハイテク ウェハ検査装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086664A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 吸着固定装置及びその製造方法
JP2003142566A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 New Creation Co Ltd 真空吸着器及びその製造方法
JP2008177303A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2014241357A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 レーザーテック株式会社 基板保持装置、及び光学装置、及び基板保持方法
WO2023037424A1 (ja) * 2021-09-08 2023-03-16 株式会社日立ハイテク ウェハ検査装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI309993B (ja)
US5159374A (en) Water sealing develop ring
JPH07136885A (ja) 真空チャック
KR102474583B1 (ko) 시료 유지구
US20100144147A1 (en) Sample holding tool, sample suction device using the same and sample processing method using the same
JPS63226939A (ja) ウエハ保持装置
JP5183169B2 (ja) ウェーハ処理装置
JPH0230159A (ja) 基板吸着装置
US7566378B2 (en) Arrangement of electronic semiconductor components on a carrier system for treating said semiconductor components with a liquid medium
JPH07240360A (ja) 薬液塗布装置
JP3372127B2 (ja) 真空吸着装置
JP2005032977A (ja) 真空チャック
JPH03289154A (ja) 半導体ウエーハチャック装置
JP2006339347A (ja) レチクルチャック
JPH05267436A (ja) 静電チャック
JP2004322218A (ja) 真空吸着装置
JP4041256B2 (ja) 基板チャック装置
JP3164629B2 (ja) 半導体ウエハ用真空チャックステージ
JPH03150863A (ja) ウエハチャック
JPH03229442A (ja) ウエハーチャック
JP2000323504A (ja) 半導体チップ吸着用コレット
KR100245810B1 (ko) 진공접촉식웨이퍼지지장치
JPH10313045A (ja) 半導体チップの保持具
CN111326476A (zh) 晶圆卡盘
JPS5848914A (ja) ウエハピンセツト