JPH05267436A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
- Publication number
- JPH05267436A JPH05267436A JP6412292A JP6412292A JPH05267436A JP H05267436 A JPH05267436 A JP H05267436A JP 6412292 A JP6412292 A JP 6412292A JP 6412292 A JP6412292 A JP 6412292A JP H05267436 A JPH05267436 A JP H05267436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- semiconductor substrate
- dust
- chuck
- electrostatic
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，半導体基板を吸着する静電チャッ
クの構造に関し，ゴミ等の異物による吸着不良を解消す
ることを目的とする。 【構成】 半導体基板１を静電力により吸着する静電チ
ャック２の表面が突起面３により構成されているよう
に，また，前記静電チャック２表面の前記突起面３が複
数の錐状または柱状突起であるように，さらに，前記静
電チャック２表面の突起面３凹部に不活性ガスを流す配
管を有するように構成する。
クの構造に関し，ゴミ等の異物による吸着不良を解消す
ることを目的とする。 【構成】 半導体基板１を静電力により吸着する静電チ
ャック２の表面が突起面３により構成されているよう
に，また，前記静電チャック２表面の前記突起面３が複
数の錐状または柱状突起であるように，さらに，前記静
電チャック２表面の突起面３凹部に不活性ガスを流す配
管を有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体基板吸着時の半
導体基板裏面のゴミ等の異物付着による接触面積低下を
減少させるための静電チャックの構造に関する。
導体基板裏面のゴミ等の異物付着による接触面積低下を
減少させるための静電チャックの構造に関する。
【０００２】近年，半導体装置のウエハプロセスにおい
て，エピタキシャル，ＣＶＤ，スパッタ，真空蒸着，真
空チャンバを用いる工程が多く使用されている。また，
半導体装置の微細化にともない，ドライエッチング工程
において，高速エッチングのための半導体基板温度の低
温化が要求されている。
て，エピタキシャル，ＣＶＤ，スパッタ，真空蒸着，真
空チャンバを用いる工程が多く使用されている。また，
半導体装置の微細化にともない，ドライエッチング工程
において，高速エッチングのための半導体基板温度の低
温化が要求されている。
【０００３】このため，エッチング装置において，平面
を有する静電チャックが用いられているが，ゴミ等の異
物が存在すると，半導体基板の吸着力の低下につなが
り，ゴミ等の異物の影響を除去して，吸着力を向上させ
る必要がある。
を有する静電チャックが用いられているが，ゴミ等の異
物が存在すると，半導体基板の吸着力の低下につなが
り，ゴミ等の異物の影響を除去して，吸着力を向上させ
る必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，１は半導体基板，２は静電チャック，４は凹部，５
は電極，６はゴミ等の異物である。
て，１は半導体基板，２は静電チャック，４は凹部，５
は電極，６はゴミ等の異物である。
【０００５】ウエハプロセスにおいて，半導体基板を固
定する方法として，裏面排気を施し半導体基板をチャッ
クに固定する真空チャック方法，静電チャックを用いて
半導体基板を静電力により固定する方法，爪やアームを
用いて機械的に半導体基板を固定する方法等がある。
定する方法として，裏面排気を施し半導体基板をチャッ
クに固定する真空チャック方法，静電チャックを用いて
半導体基板を静電力により固定する方法，爪やアームを
用いて機械的に半導体基板を固定する方法等がある。
【０００６】この中で，静電チャックを用いて半導体基
板を電気的に固定する方法は，半導体装置製造の面で，
半導体基板表面に非接触であり，真空中においても適応
することができるため，広い範囲に利用されている。
板を電気的に固定する方法は，半導体装置製造の面で，
半導体基板表面に非接触であり，真空中においても適応
することができるため，広い範囲に利用されている。
【０００７】従来用いられている静電チャックは図３の
上段に静電チャック２の上面図，図３の下段に半導体基
板１を吸着した場合の静電チャック２の模式断面図出示
すように，図３（ａ）に示すような均一な表面を有した
静電チャック２や，図３（ｂ）に示すような溝等の凹部
４を掘った静電チャック２が用いられていた。
上段に静電チャック２の上面図，図３の下段に半導体基
板１を吸着した場合の静電チャック２の模式断面図出示
すように，図３（ａ）に示すような均一な表面を有した
静電チャック２や，図３（ｂ）に示すような溝等の凹部
４を掘った静電チャック２が用いられていた。
【０００８】ところが，半導体基板１の裏面に付着した
ゴミ等の異物６の影響で，図３（ｃ）に示すように，静
電チャック２の半導体基板１に対する吸着不良や，吸着
不良にもとずく半導体基板１の冷却効率の低下が生じて
いた。
ゴミ等の異物６の影響で，図３（ｃ）に示すように，静
電チャック２の半導体基板１に対する吸着不良や，吸着
不良にもとずく半導体基板１の冷却効率の低下が生じて
いた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って，半導体基板裏
面にゴミ等の異物が付着していた場合，半導体基板の吸
着がうまく行われずに，半導体基板の吸着不良，ならび
に冷却効率の低下を生じて高速エッチング処理の妨げと
なっていた。
面にゴミ等の異物が付着していた場合，半導体基板の吸
着がうまく行われずに，半導体基板の吸着不良，ならび
に冷却効率の低下を生じて高速エッチング処理の妨げと
なっていた。
【００１０】本発明は，上記のようなゴミ等の異物によ
る吸着不良を解消することを目的として提供されるもの
である。
る吸着不良を解消することを目的として提供されるもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図１において，１は半導体基板，２は静電チ
ャック，３は突起面，４は凹部，５は電極，６はゴミ等
の異物である。
図である。図１において，１は半導体基板，２は静電チ
ャック，３は突起面，４は凹部，５は電極，６はゴミ等
の異物である。
【００１２】図１は二電極タイプの静電チャックの形状
を表している。静電チャックの表面形状は図１（ａ），
（ｂ）の上段に静電チャック２の上面図，下段に半導体
基板１を吸着したときの静電チャックの断面図で示す。
を表している。静電チャックの表面形状は図１（ａ），
（ｂ）の上段に静電チャック２の上面図，下段に半導体
基板１を吸着したときの静電チャックの断面図で示す。
【００１３】図１（ａ）では，静電チャック２の突起物
３は多数の四角錐からなり頂点は半導体基板１と接触し
て吸着する部分である。そして，図１（ｂ）では，静電
チャック２の突起物３は円柱状のピンを多数並べた形状
である。いずれも，半導体基板１と静電チャック２表面
の接触面積により吸着力が変化するので，面積を適宜設
定する。
３は多数の四角錐からなり頂点は半導体基板１と接触し
て吸着する部分である。そして，図１（ｂ）では，静電
チャック２の突起物３は円柱状のピンを多数並べた形状
である。いずれも，半導体基板１と静電チャック２表面
の接触面積により吸着力が変化するので，面積を適宜設
定する。
【００１４】また，静電チャック２の電極５は二電極タ
イプでも，一電極タイプでも良い。そして，静電チャッ
ク２の外径サイズは半導体基板１のオリエンテーション
フラットを考慮して，半導体基板１のサイズより小さめ
でも良い。
イプでも，一電極タイプでも良い。そして，静電チャッ
ク２の外径サイズは半導体基板１のオリエンテーション
フラットを考慮して，半導体基板１のサイズより小さめ
でも良い。
【００１５】すなわち，本発明の目的は，図１に示すよ
うに半導体基板１を静電力により吸着する静電チャック
２の表面が突起面３により構成されていることにより，
具体的には，前記静電チャック２表面の前記突起面３が
複数の錐状または柱状突起であることにより，更に，前
記静電チャック２表面の前記突起面３凹部に不活性ガス
を流す配管を有することにより達成される。
うに半導体基板１を静電力により吸着する静電チャック
２の表面が突起面３により構成されていることにより，
具体的には，前記静電チャック２表面の前記突起面３が
複数の錐状または柱状突起であることにより，更に，前
記静電チャック２表面の前記突起面３凹部に不活性ガス
を流す配管を有することにより達成される。
【００１６】
【作用】本発明においては，図１（ｃ）に示すように，
静電チャック２の突起面３の表面に半導体基板１を吸着
させるので，半導体基板１の裏面にゴミ等の異物６が付
着しても，ゴミ等の異物６が突起面３の間の凹部４に入
る確率が高く，静電チャック２の吸着力が低下すること
がない。
静電チャック２の突起面３の表面に半導体基板１を吸着
させるので，半導体基板１の裏面にゴミ等の異物６が付
着しても，ゴミ等の異物６が突起面３の間の凹部４に入
る確率が高く，静電チャック２の吸着力が低下すること
がない。
【００１７】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において，１は半導体基板，２は静電チャック，３は突
起面，４は凹部，５は電極，６はゴミ等の異物，７はチ
ャンバ，８はガスシャワー，９は冷却器，10はＲＦ電
源，11はＤＣ電源，12は温調器, 13は圧力制御器, 14は
マスフローコントローラ(MFC), 15 は排気口である。
において，１は半導体基板，２は静電チャック，３は突
起面，４は凹部，５は電極，６はゴミ等の異物，７はチ
ャンバ，８はガスシャワー，９は冷却器，10はＲＦ電
源，11はＤＣ電源，12は温調器, 13は圧力制御器, 14は
マスフローコントローラ(MFC), 15 は排気口である。
【００１８】図２は本発明の一実施例であり，図２
（ａ）に示すフェイスダウン型半導体基板保持のカソー
ドカップリングＲＩＥ装置において，チャンバ７内の半
導体基板１のステージに本発明の静電チャック２を使用
した例である。
（ａ）に示すフェイスダウン型半導体基板保持のカソー
ドカップリングＲＩＥ装置において，チャンバ７内の半
導体基板１のステージに本発明の静電チャック２を使用
した例である。
【００１９】SiO2膜のエッチングの場合，0.5 〜0.05To
rrのチャンバ７内圧力では, 半導体基板１の温度を低温
にすればする程エッチングレートが大きくなる。このた
め, 半導体基板１と静電チャック２との接触状態により
半導体基板１の温度が大きく左右される。
rrのチャンバ７内圧力では, 半導体基板１の温度を低温
にすればする程エッチングレートが大きくなる。このた
め, 半導体基板１と静電チャック２との接触状態により
半導体基板１の温度が大きく左右される。
【００２０】従来例の平面を有した静電チャックの場
合, 半導体基板裏面のゴミ等の異物の影響を受け易い。
また, 通常の静電チャックの吸着による接触熱伝導のみ
では, 冷却効率が低く, 図２（ｂ）に示すように，半導
体基板１と静電チャック２の間の凹部４にヘリウム(He)
等の不活性ガスを通してガス冷却を行う場合があるが，
本発明の静電チャック２を使用すれば，熱の運び役とな
るHe等を通しやすく，冷却効率の向上に寄与する。
合, 半導体基板裏面のゴミ等の異物の影響を受け易い。
また, 通常の静電チャックの吸着による接触熱伝導のみ
では, 冷却効率が低く, 図２（ｂ）に示すように，半導
体基板１と静電チャック２の間の凹部４にヘリウム(He)
等の不活性ガスを通してガス冷却を行う場合があるが，
本発明の静電チャック２を使用すれば，熱の運び役とな
るHe等を通しやすく，冷却効率の向上に寄与する。
【００２１】また，別の実施例として，本発明の静電チ
ャックをステッパのチャックとしても利用できる。通
常，ステッパでは半導体基板はチャックに溝を堀，そこ
を真空吸着している。本発明のチャックにより半導体基
板を静電力により吸着させれば，半導体基板の裏面の付
着ゴミにも強い構造となる。
ャックをステッパのチャックとしても利用できる。通
常，ステッパでは半導体基板はチャックに溝を堀，そこ
を真空吸着している。本発明のチャックにより半導体基
板を静電力により吸着させれば，半導体基板の裏面の付
着ゴミにも強い構造となる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
半導体基板裏面のゴミ等の異物に影響されず，吸着不良
が防止でき，また，半導体基板の冷却効果が保証され
る。
半導体基板裏面のゴミ等の異物に影響されず，吸着不良
が防止でき，また，半導体基板の冷却効果が保証され
る。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
１ 半導体基板 ２ 静電チャック ３ 突起面 ４ 凹部 ５ 電極 ６ ゴミ等の異物 ７ チャンバ ８ ガスシャワー ９ 冷却器 10 ＲＦ電源 11 ＤＣ電源 12 温調器 13 圧力制御器 14 マスフローコントローラ 15 排気口
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板(1) を静電力により吸着する
静電チャック(2) の表面が突起面(3) により構成されて
いることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 前記静電チャック(2) 表面の前記突起面
(3) が複数の錐状または柱状突起であることを特徴とす
る請求項１記載の静電チャック。 - 【請求項３】 前記静電チャック(2) 表面の前記突起面
(3) 凹部に不活性ガスを流す配管を有することを特徴と
する請求項１，或いは２記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412292A JPH05267436A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6412292A JPH05267436A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267436A true JPH05267436A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13248953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6412292A Withdrawn JPH05267436A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267436A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186223A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエーハ処理用治具 |
| JP2000340640A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Toto Ltd | 非接触型静電吸着装置 |
| US6370004B1 (en) | 1998-09-29 | 2002-04-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| JP2006019572A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| JP2006237023A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック |
| JP5192492B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-05-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置、当該真空処理装置を用いた画像表示装置の製造方法及び当該真空処理装置により製造される電子装置 |
| JP2014099519A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台および基板処理装置 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6412292A patent/JPH05267436A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186223A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウエーハ処理用治具 |
| US6370004B1 (en) | 1998-09-29 | 2002-04-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| KR100369871B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2003-01-29 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| JP2000340640A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Toto Ltd | 非接触型静電吸着装置 |
| JP2006019572A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| JP2006237023A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック |
| JP5192492B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-05-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置、当該真空処理装置を用いた画像表示装置の製造方法及び当該真空処理装置により製造される電子装置 |
| JP2014099519A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台および基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |