JPH0864662A - ウエハの固定方法 - Google Patents
ウエハの固定方法Info
- Publication number
- JPH0864662A JPH0864662A JP19957994A JP19957994A JPH0864662A JP H0864662 A JPH0864662 A JP H0864662A JP 19957994 A JP19957994 A JP 19957994A JP 19957994 A JP19957994 A JP 19957994A JP H0864662 A JPH0864662 A JP H0864662A
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- Japan
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- wafer
- mounting table
- wafer mounting
- fixing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハを、高い清浄度に維持することがで
き、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上
を図ることのできるウエハの固定方法を提供する。 【構成】 ウエハ１とウエハ載置面３との間に微細な層
厚の超純水層６（図１には相対的に拡大して示す。）を
介在させた状態で、ウエハ載置面３上にウエハ１を載置
する。冷却用配管４に所定の冷媒を循環させてウエハ載
置台２を冷却し、超純水層６を急冷して凍結させ、ウエ
ハ１をウエハ載置台２上に固定する。
き、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上
を図ることのできるウエハの固定方法を提供する。 【構成】 ウエハ１とウエハ載置面３との間に微細な層
厚の超純水層６（図１には相対的に拡大して示す。）を
介在させた状態で、ウエハ載置面３上にウエハ１を載置
する。冷却用配管４に所定の冷媒を循環させてウエハ載
置台２を冷却し、超純水層６を急冷して凍結させ、ウエ
ハ１をウエハ載置台２上に固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工
程、搬送工程、保管工程等において、ウエハを、高い清
浄度を維持したまま、把持具、基台等の他の部材に固定
する方法に関する。
程、搬送工程、保管工程等において、ウエハを、高い清
浄度を維持したまま、把持具、基台等の他の部材に固定
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造工程では、
例えば、ウエハへのイオンの注入、レジスト塗布、現
像、エッチング、成膜、ダイシング等の工程において、
ウエハを回転板や基台に固定した状態で所定の処理が行
われる。
例えば、ウエハへのイオンの注入、レジスト塗布、現
像、エッチング、成膜、ダイシング等の工程において、
ウエハを回転板や基台に固定した状態で所定の処理が行
われる。
【０００３】このような従来の固定方法としては、真空
チャック方式、ピンによる固定方式、粘着剤塗布紙によ
る方式等が採られているが、ウエハの清浄度を維持する
という観点からは必ずしも完全な方法とはいえなかっ
た。
チャック方式、ピンによる固定方式、粘着剤塗布紙によ
る方式等が採られているが、ウエハの清浄度を維持する
という観点からは必ずしも完全な方法とはいえなかっ
た。
【０００４】真空チャック方式は、レジスト塗布、現像
の他、ウエハの搬送等に広く用いられている方法であっ
て、通常円板状の平坦なウエハ搭載面に吸引孔を開口さ
せておき、吸引孔に連通する真空ポンプと吸引孔を連通
させたり遮断したりすることによりウエハを着脱させる
方式である。この方法では、真空を破ったときに気流が
逆流するため、気流中に含まれる塵によりウエハの裏面
が汚損されるという問題がある。
の他、ウエハの搬送等に広く用いられている方法であっ
て、通常円板状の平坦なウエハ搭載面に吸引孔を開口さ
せておき、吸引孔に連通する真空ポンプと吸引孔を連通
させたり遮断したりすることによりウエハを着脱させる
方式である。この方法では、真空を破ったときに気流が
逆流するため、気流中に含まれる塵によりウエハの裏面
が汚損されるという問題がある。
【０００５】ピンによる固定方式では、ウエハ上のピン
との接触部に、処理を実施できないいわゆるデッドスペ
ースが生じ、例えば洗浄処理等においては、この部分に
洗浄液が当たらないため、流水洗浄が不十分となる問題
がある。
との接触部に、処理を実施できないいわゆるデッドスペ
ースが生じ、例えば洗浄処理等においては、この部分に
洗浄液が当たらないため、流水洗浄が不十分となる問題
がある。
【０００６】さらに、粘着剤塗布紙による固定方法で
は、粘着剤塗布紙自体からの汚損物質の付着や発塵は避
けられないという問題がある。
は、粘着剤塗布紙自体からの汚損物質の付着や発塵は避
けられないという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
のウエハの固定方法では、汚損、洗浄不足、発塵等の問
題があり、半導体装置の歩留まりを低下させ、生産性を
悪化させる一因となっていた。
のウエハの固定方法では、汚損、洗浄不足、発塵等の問
題があり、半導体装置の歩留まりを低下させ、生産性を
悪化させる一因となっていた。
【０００８】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、ウエハを、高い清浄度に維持することがで
き、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上
を図ることのできるウエハの固定方法を提供することを
目的とする。
れたもので、ウエハを、高い清浄度に維持することがで
き、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上
を図ることのできるウエハの固定方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハの固定方
法は、ウエハを、把持具、基台等の他の部材に固定する
にあたり、前記ウエハと前記部材間に、前記ウエハと前
記部材に親和性を有する低粘度液体を介在させ、前記低
粘度液体の凝固点以下の温度に急冷して前記低粘度液体
を凝固させることを特徴とする。
法は、ウエハを、把持具、基台等の他の部材に固定する
にあたり、前記ウエハと前記部材間に、前記ウエハと前
記部材に親和性を有する低粘度液体を介在させ、前記低
粘度液体の凝固点以下の温度に急冷して前記低粘度液体
を凝固させることを特徴とする。
【００１０】本発明においては、低粘度液体として、例
えば、超純水を好適に使用することができる。
えば、超純水を好適に使用することができる。
【００１１】
【作用】本発明のウエハの固定方法によれば、ウエハの
汚損や洗浄不足が生じることなく、また、発塵もないの
で、ウエハを高い清浄度に維持することができ、従来に
比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上を図ること
ができる。
汚損や洗浄不足が生じることなく、また、発塵もないの
で、ウエハを高い清浄度に維持することができ、従来に
比べて歩留まりを向上させて、生産性の向上を図ること
ができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例を、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００１３】図１は、本発明の一実施例の構成を示すも
のである。同図において１は、固定されるべきウエハを
示している。
のである。同図において１は、固定されるべきウエハを
示している。
【００１４】上記ウエハ１が固定されるウエハ載置台２
は、上面が平坦なウエハ載置面３とされており、内部に
冷却用配管４と、加熱用配管５が設けられている。これ
らの冷却用配管４及び加熱用配管５には、それぞれ、冷
却用媒体及び加熱用媒体が流通されるよう構成されてい
る。
は、上面が平坦なウエハ載置面３とされており、内部に
冷却用配管４と、加熱用配管５が設けられている。これ
らの冷却用配管４及び加熱用配管５には、それぞれ、冷
却用媒体及び加熱用媒体が流通されるよう構成されてい
る。
【００１５】なお、ウエハ１とウエハ載置面３との間に
は、ウエハ１を支持して搬送するための支持部材を挿入
するための間隔を設ける必要がある。このため、同図に
は図示を省略するが、ウエハ載置台２上のウエハ１に施
す処理に応じて、例えば、ウエハ載置面３に凹凸が存在
しても良い場合は、ウエハ載置面３に溝を配設したり、
ウエハ載置面３をできるだけ平坦にする必要がある場合
は、ウエハ１を突き上げる昇降自在とされたピン等が配
設したりする。
は、ウエハ１を支持して搬送するための支持部材を挿入
するための間隔を設ける必要がある。このため、同図に
は図示を省略するが、ウエハ載置台２上のウエハ１に施
す処理に応じて、例えば、ウエハ載置面３に凹凸が存在
しても良い場合は、ウエハ載置面３に溝を配設したり、
ウエハ載置面３をできるだけ平坦にする必要がある場合
は、ウエハ１を突き上げる昇降自在とされたピン等が配
設したりする。
【００１６】上記構成のウエハ載置台２を用いて、本実
施例では、ウエハ１とウエハ載置台２に親和性を有する
低低粘度液体として、超純水を用い、ウエハ１とウエハ
載置面３との間に微細な層厚の超純水層６（図１には相
対的に拡大して示す。）を介在させた状態で、ウエハ載
置面３上にウエハ１を載置する。この時、予め、あるい
はウエハ１載置後、冷却用配管４に所定の冷媒を循環さ
せてウエハ載置台２を冷却する。そして、超純水層６を
急冷して凍結させ、ウエハ１をウエハ載置台２上に固定
する。
施例では、ウエハ１とウエハ載置台２に親和性を有する
低低粘度液体として、超純水を用い、ウエハ１とウエハ
載置面３との間に微細な層厚の超純水層６（図１には相
対的に拡大して示す。）を介在させた状態で、ウエハ載
置面３上にウエハ１を載置する。この時、予め、あるい
はウエハ１載置後、冷却用配管４に所定の冷媒を循環さ
せてウエハ載置台２を冷却する。そして、超純水層６を
急冷して凍結させ、ウエハ１をウエハ載置台２上に固定
する。
【００１７】なお、超純水層６は、ウエハ１あるいはウ
エハ載置面３、あるいはこれら双方を、予めいわゆる濡
れた状態にしておくこと等によって形成することができ
る。また、冷却用配管４内に循環する冷却用媒体として
は、超純水層６を、その凝固点以下の温度に急冷できる
ものならばどのようなものでも良く、例えば、液体窒
素、液体窒素等によって冷却された超純水より凝固点の
低い液体等を用いることができる。
エハ載置面３、あるいはこれら双方を、予めいわゆる濡
れた状態にしておくこと等によって形成することができ
る。また、冷却用配管４内に循環する冷却用媒体として
は、超純水層６を、その凝固点以下の温度に急冷できる
ものならばどのようなものでも良く、例えば、液体窒
素、液体窒素等によって冷却された超純水より凝固点の
低い液体等を用いることができる。
【００１８】そして、凍結した超純水層６によって、ウ
エハ載置台２上に固定されたウエハ１に所定の処理、例
えば、イオン注入、ダイシング等の処理を施す。この処
理としては、低温で処理可能なものであれば、どのよう
な処理でも実施することができる。
エハ載置台２上に固定されたウエハ１に所定の処理、例
えば、イオン注入、ダイシング等の処理を施す。この処
理としては、低温で処理可能なものであれば、どのよう
な処理でも実施することができる。
【００１９】所定の処理が終了した後は、冷却用配管４
内の冷却用媒体の循環を停止し、加熱用配管５内に加熱
用媒体を循環させる。これによって、超純水層６を凝固
点以上の温度に加熱して融解させ、ウエハ１を非固定状
態とし、搬送装置等によってウエハ載置台２上から搬出
する。なお、加熱用媒体としては、常温あるいは加熱し
た水、その他の液体等を用いることができる。
内の冷却用媒体の循環を停止し、加熱用配管５内に加熱
用媒体を循環させる。これによって、超純水層６を凝固
点以上の温度に加熱して融解させ、ウエハ１を非固定状
態とし、搬送装置等によってウエハ載置台２上から搬出
する。なお、加熱用媒体としては、常温あるいは加熱し
た水、その他の液体等を用いることができる。
【００２０】以上のように、本実施例では、ウエハ１
と、ウエハ載置台２のウエハ載置面３との間に、超純水
層６を介在させ、この超純水層６を急冷することによっ
てウエハ１を固定する。
と、ウエハ載置台２のウエハ載置面３との間に、超純水
層６を介在させ、この超純水層６を急冷することによっ
てウエハ１を固定する。
【００２１】したがって、真空チャック方式のように、
真空を破った時の気流の逆流によりウエハ１の裏面が汚
損されたり、粘着剤塗布紙による固定方式のように、粘
着剤塗布紙自体からの発塵によってウエハ１が汚損さる
こともなく、また、ピンによる固定方式の場合のよう
に、ウエハ１に処理を実施できないデットスペースが生
じることもない。これによって、ウエハを高い清浄度に
維持することができ、従来に比べて歩留まりを向上させ
て、生産性の向上を図ることができる。
真空を破った時の気流の逆流によりウエハ１の裏面が汚
損されたり、粘着剤塗布紙による固定方式のように、粘
着剤塗布紙自体からの発塵によってウエハ１が汚損さる
こともなく、また、ピンによる固定方式の場合のよう
に、ウエハ１に処理を実施できないデットスペースが生
じることもない。これによって、ウエハを高い清浄度に
維持することができ、従来に比べて歩留まりを向上させ
て、生産性の向上を図ることができる。
【００２２】なお、上記実施例では、超純水を用いた場
合について説明したが、本発明はかかる実施例に限定さ
れるものではなく、例えば、ウエハ１の洗浄工程等で使
用されているＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、その
他、各種の液体を用いることができる。また、上記実施
例では、ウエハ載置台２内に冷却用配管４と加熱用配管
５の２系統の配管系を設けた場合について説明したが、
例えば、図２に示すように、ウエハ載置台２内には、共
通配管１０を１系統のみ配置し、切り換え弁１１によっ
て、冷却用媒体と加熱用媒体とを切り換えるようにして
もよい。さらに、図３に示すように、ウエハ載置台２内
に冷却用配管４と抵抗加熱ヒータ２０等を設け、加熱
は、抵抗加熱ヒータ２０によって行うようにしてもよ
い。また、抵抗加熱ヒータ２０に限らず、ランプによっ
て加熱するランプ加熱等の加熱方法も用いることもでき
る。
合について説明したが、本発明はかかる実施例に限定さ
れるものではなく、例えば、ウエハ１の洗浄工程等で使
用されているＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、その
他、各種の液体を用いることができる。また、上記実施
例では、ウエハ載置台２内に冷却用配管４と加熱用配管
５の２系統の配管系を設けた場合について説明したが、
例えば、図２に示すように、ウエハ載置台２内には、共
通配管１０を１系統のみ配置し、切り換え弁１１によっ
て、冷却用媒体と加熱用媒体とを切り換えるようにして
もよい。さらに、図３に示すように、ウエハ載置台２内
に冷却用配管４と抵抗加熱ヒータ２０等を設け、加熱
は、抵抗加熱ヒータ２０によって行うようにしてもよ
い。また、抵抗加熱ヒータ２０に限らず、ランプによっ
て加熱するランプ加熱等の加熱方法も用いることもでき
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のウエハの
固定方法によれば、ウエハを高い清浄度に維持すること
ができ、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の
向上を図ることができる。
固定方法によれば、ウエハを高い清浄度に維持すること
ができ、従来に比べて歩留まりを向上させて、生産性の
向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例のウエハの固定方法を説明す
るための図。
るための図。
【図２】他の実施例のウエハの固定方法を説明するため
の図。
の図。
【図３】他の実施例のウエハの固定方法を説明するため
の図。
の図。
１ ウエハ ２ ウエハ載置台 ３ ウエハ載置面 ４ 冷却用配管 ５ 加熱用配管 ６ 超純水層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハを、把持具、基台等の他の部材に
固定するにあたり、前記ウエハと前記部材都の間に、前
記ウエハと前記部材に親和性を有する低粘度液体を介在
させ、前記低粘度液体の凝固点以下の温度に急冷して前
記低粘度液体を凝固させることを特徴とするウエハの固
定方法。 - 【請求項２】 前記低粘度液体が超純水であることを特
徴とする請求項１記載のウエハの固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19957994A JPH0864662A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ウエハの固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19957994A JPH0864662A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ウエハの固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864662A true JPH0864662A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16410195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19957994A Withdrawn JPH0864662A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | ウエハの固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864662A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0995821A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| WO2002021579A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer clamping apparatus and method |
| WO2006094870A1 (de) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von wafern auf montageträgern |
| JP2009206207A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物搬送装置および板状物搬送方法 |
| EP2660655A1 (en) | 2007-07-13 | 2013-11-06 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| JP2016064453A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | 加工装置及びウエーハの加工方法 |
| JP2020072152A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社ディスコ | 保護部材の形成方法 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19957994A patent/JPH0864662A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0995821A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| US6313013B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-11-06 | Wacker-Chemie Gmbh | Method and device for processing semiconductor material |
| WO2002021579A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer clamping apparatus and method |
| US6686598B1 (en) | 2000-09-01 | 2004-02-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer clamping apparatus and method |
| WO2006094870A1 (de) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von wafern auf montageträgern |
| US7918714B2 (en) | 2005-03-10 | 2011-04-05 | Infineon Technologies Ag | Methods for treating wafers on assembly carriers |
| US8753176B2 (en) | 2005-03-10 | 2014-06-17 | Infineon Technologies Ag | Device for treating wafers on assembly carriers |
| EP2660655A1 (en) | 2007-07-13 | 2013-11-06 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| EP2662728A1 (en) | 2007-07-13 | 2013-11-13 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
| JP2009206207A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物搬送装置および板状物搬送方法 |
| JP2016064453A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | 加工装置及びウエーハの加工方法 |
| JP2020072152A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社ディスコ | 保護部材の形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |