JPS63293813A - 半導体基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置等の基板に係り、とくに。

冷却効率に優れた基板に関する。

〔従来の技術〕

従来の基板製造方法や仕上げ方法については、「電子材
料、　１ｃｉｓｔ年別冊」に論じられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の基板裏面は、ポリッシングされておらず、ダ
メージゲッター効果が大きいという利点がある反面、裏
面の面凹凸が大きく、製造装置内で裏面と基板テーブル
との熱接触抵抗が高く、効率的な冷却ができないところ
問題があった。

本発明の目的は、基板と製造装置テーブルとの熱接触を
良くすることにある。

（問題点を解決するための手段〕 上記目的は、ウェハ裏面の凹凸も最大差を１０μｍ以下
にすることにより達成される。

〔作用〕

ウェハ裏面の凹凸を小さくすると、製造装置試料テーブ
ル面との接触面積が増える。したがってこの接触面積の
増大によりウェハーの冷却効率が、極めて良くなり、処
理工程の不良発生率が減少する。

〔実施例〕

〈実施例１〉 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ｆｉ
面研摩したステンレス３０４鋼と４インチ径の鏡面研摩
したシリコンウェハーを接触させ、両者の間に１００　
ｇ　／　ｒｓｌの荷重を印加した時の熱伝達率を１とし
、各ウェハー裏面の仕上げ精度ＲＭａｘを変化させた時
に得られた熱伝達率の相対値である。なお、鏡面仕上げ
の場合のＲｓ　ａ　ｘは１μｍ以下であり、ステンレス
鋼とシリコンが接触すると、吸着してしまった。したが
って、裏面を鏡面仕上げした面とする方法はウェハーを
移動、搬送する点から好ましくはない。第１図から、１
００ｇ／ａ＃の荷重では、８μｍ以下のＲＨａｘ仕上げ
面において、熱伝達が良く、５μｒｎ以下ではより好ま
しいことがわかった。

より小さな荷重では、ＲＭａ　ｘをより小さくする方法
が熱伝達率を小さくする。荷重を印加する時には、概ね
ＲＨ＆Ｘ　を１０μｍ以下とすれば良いことがわかった
。

〈実施例２〉 ウェハ裏面ＲＭａｘを１０μｍとしたＳｉウェハーを低
温下においてプラズマエツチングし、熱接触による冷却
の様子を検討した。プラズマから−１００℃に保持され
るウェハーに対し０．５Ｗ／ｄのエネルギーが入力され
た場合でも、ウェハ一温度と冷却ステージの温度差が荷
重１００ｇ／ｄでは、５℃程度に押えうろことがわかっ
た。すなわち、低温では裏面の仕上げ精度を良くするこ
とが冷却効率向上に適していた。

〈実施例３〉 イオン注入時にウェハーの温度が上昇するが、本発明で
、Ｒ８口を６μｍとして荷重２０ｇ／ｒｘａ印加すると
冷却効率がＲＭ□を２０ＩＬｍのときに比して約５倍良
くなることがわかった。本実施例ではウェハー冷却は、
−５０℃〜２００℃で有効であった。すなわち、素子製
造工程において、少なくとも１回Ｏ℃以下の低温で表面
の処理が行なわれる場合に基板裏面を精度良く仕上げる
ことが素子製造特性の改良に好ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、基板が効率よく冷却されるので、素子
製造時における加熱による不良発生が防止できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、熱伝達率と基板凹凸との相関を示す・グラフ
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体素子製造用基板の裏面が、ラッピング洗浄、
   エッチング、ポリッシングの組み合わせにより平坦化さ
   れており、少なくとも該裏面の凹凸の最大差Ｒ＿Ｍ＿ａ
   ＿ｘが２μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする
   半導体基板。