JPS61274330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61274330A JPS61274330A JP11564385A JP11564385A JPS61274330A JP S61274330 A JPS61274330 A JP S61274330A JP 11564385 A JP11564385 A JP 11564385A JP 11564385 A JP11564385 A JP 11564385A JP S61274330 A JPS61274330 A JP S61274330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heavy metal
- wafer
- semiconductor substrate
- diffuse
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、スイッチイブ速度を早めるためなどの目的で
半導体基板中にライフタイムキラーとして重金属不純物
を導入してライフタイムが制御される半導体装置の製造
方法に関する。
半導体基板中にライフタイムキラーとして重金属不純物
を導入してライフタイムが制御される半導体装置の製造
方法に関する。
従来のライフタイムキラーの導入方法は、所定のＰＮ接
合を形成するための不純物拡散の完了した半導体基板、
例えばシリコンウェハの表面を洗浄するためのエツチン
グ後、ライフタイムキラーである金、白金などの重金属
を蒸着するかあるいは重金属化合物の溶液に浸漬して吸
着させ、乾燥することによりシリコンウェハの表面に重
金属を付着させ、その後真空中あるいは還元雰囲気中で
熱処理するという方法をとっていた。しかしながら、こ
の方法ではシリコンウェハ表面の重金属の付着量のばら
つき、シリコンウェハの表面状態等により、ウェハに導
入される重金属元素の濃度あるいはその分布が異なり、
ライフタイムの精密な制御が難しかった。
合を形成するための不純物拡散の完了した半導体基板、
例えばシリコンウェハの表面を洗浄するためのエツチン
グ後、ライフタイムキラーである金、白金などの重金属
を蒸着するかあるいは重金属化合物の溶液に浸漬して吸
着させ、乾燥することによりシリコンウェハの表面に重
金属を付着させ、その後真空中あるいは還元雰囲気中で
熱処理するという方法をとっていた。しかしながら、こ
の方法ではシリコンウェハ表面の重金属の付着量のばら
つき、シリコンウェハの表面状態等により、ウェハに導
入される重金属元素の濃度あるいはその分布が異なり、
ライフタイムの精密な制御が難しかった。
本発明は上記の問題点を解決してライフタイムを精密に
制御して所期のスイッチング特性などを有する半導体装
置を製造する方法を提供することを目的とする。
制御して所期のスイッチング特性などを有する半導体装
置を製造する方法を提供することを目的とする。
本発明は、所定の接合を形成した半導体基板内部にライ
フタイムキラーとなる重金属不純物を導入する際、重金
属元素あるいはその化合物を半導体基板表面に被着した
後、加熱して半導体基板の表面に近い層に重金属を拡散
せしめ、次に表面に残留している重金属元素あるいはそ
の化合物を除去し、次いで前記の加熱より高い温度で加
熱して半導体基板内部へ重金属を拡散させることによっ
て表面に付着した重金属の量による影響を除いて上記の
目的を達成する。
フタイムキラーとなる重金属不純物を導入する際、重金
属元素あるいはその化合物を半導体基板表面に被着した
後、加熱して半導体基板の表面に近い層に重金属を拡散
せしめ、次に表面に残留している重金属元素あるいはそ
の化合物を除去し、次いで前記の加熱より高い温度で加
熱して半導体基板内部へ重金属を拡散させることによっ
て表面に付着した重金属の量による影響を除いて上記の
目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例におけるシリコンウェハの金
の導入の工程を示し、所定のＰＮ接合を形成する不純物
拡散の完了したシリコンウェハに洗浄のためのエツチン
グを実施し、その後数百人程度の膜厚になる様にＡｕを
蒸着する０次に４００〜５００℃の温度に３０〜６０分
真空あるいは還元雰囲気で熱処理を行い、その後ウェハ
を取り出して王水によりシリコンウェハ面に付着してい
るＡｕを取除（、Ａｕ除去後従来の金拡散温度８００〜
９５０℃でウェハの厚さによって決まる時間、例えば８
００℃で９０分、真空あるいは還元雰囲気中で加熱しウ
ェハ内部にＡｕを拡散させる。 第２図は、本発明の実施例によってＡｕを導入したウェ
ハと、前述の従来法でＡｕを導入したウェハの逆回復時
間Ｔｒｒの目標からのずれの線列の分布を示す、同図か
ら明らかなように、従来方法ではＴｒｒの目標からのず
れが大きかったが、本発明による方法の場合斜線を引い
て示したようにライフタイムのばらつきが小さくなって
Ｔｒｒの目標からのずれが小さくなっている。 【発明の効果］ 本発明は、半導体基板にライフタイムキラーとなる重金
属不純物を導入する際、半導体基板表面に重金属を付着
させたのち、比較的低い温度での熱処理を実施し、所定
の量の重金属を半導体基板内に拡散させ、次いで表面に
残存している重金属を除去してその影響を排除する重金
属不純物の量の定量化、均一化を達成するもので、スイ
ッチング特性などに所定の値を有する半導体装！の製造
に対して極めて有効である０本発明は、もちろんＰＮ接
合の種類によらず実施でき、また重金属あるいは重金属
化合物の半導体基板へのどのような被着法に対しても有
効である。
の導入の工程を示し、所定のＰＮ接合を形成する不純物
拡散の完了したシリコンウェハに洗浄のためのエツチン
グを実施し、その後数百人程度の膜厚になる様にＡｕを
蒸着する０次に４００〜５００℃の温度に３０〜６０分
真空あるいは還元雰囲気で熱処理を行い、その後ウェハ
を取り出して王水によりシリコンウェハ面に付着してい
るＡｕを取除（、Ａｕ除去後従来の金拡散温度８００〜
９５０℃でウェハの厚さによって決まる時間、例えば８
００℃で９０分、真空あるいは還元雰囲気中で加熱しウ
ェハ内部にＡｕを拡散させる。 第２図は、本発明の実施例によってＡｕを導入したウェ
ハと、前述の従来法でＡｕを導入したウェハの逆回復時
間Ｔｒｒの目標からのずれの線列の分布を示す、同図か
ら明らかなように、従来方法ではＴｒｒの目標からのず
れが大きかったが、本発明による方法の場合斜線を引い
て示したようにライフタイムのばらつきが小さくなって
Ｔｒｒの目標からのずれが小さくなっている。 【発明の効果］ 本発明は、半導体基板にライフタイムキラーとなる重金
属不純物を導入する際、半導体基板表面に重金属を付着
させたのち、比較的低い温度での熱処理を実施し、所定
の量の重金属を半導体基板内に拡散させ、次いで表面に
残存している重金属を除去してその影響を排除する重金
属不純物の量の定量化、均一化を達成するもので、スイ
ッチング特性などに所定の値を有する半導体装！の製造
に対して極めて有効である０本発明は、もちろんＰＮ接
合の種類によらず実施でき、また重金属あるいは重金属
化合物の半導体基板へのどのような被着法に対しても有
効である。
第１図は本発明の一実施例の工程の流れ図、第２図は本
発明の実施例と比較例によるＡｕ導人後のシリコンウェ
ハの逆回復時間の目標値からのばらつきによる扱方の分
布図である。 ・ご−゛ ！α人芹パＺ・・ ・１−・ ＩＪ 到゛第１図 Ｔｒｒ目揉カ゛うりず淑 （扱方り 第２図
発明の実施例と比較例によるＡｕ導人後のシリコンウェ
ハの逆回復時間の目標値からのばらつきによる扱方の分
布図である。 ・ご−゛ ！α人芹パＺ・・ ・１−・ ＩＪ 到゛第１図 Ｔｒｒ目揉カ゛うりず淑 （扱方り 第２図
Claims (1)
- １）所定の接合を形成した半導体基板内部にライフタイ
ムキラーとなる重金属不純物を導入する際、重金属元素
あるいはその化合物を半導体基板表面に被着した後、該
半導体基板の表面に近い層に重金属を拡散せしめ、次に
表面に残留している重金属元素あるいはその化合物を除
去し、次いで前記の加熱より高い温度で加熱して半導体
基板内部に重金属を拡散させることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11564385A JPS61274330A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11564385A JPS61274330A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61274330A true JPS61274330A (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=14667717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11564385A Pending JPS61274330A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61274330A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256228A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-10-17 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11564385A patent/JPS61274330A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02256228A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-10-17 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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