JPH06134450A - 薬液および純水の清浄化方法 - Google Patents
薬液および純水の清浄化方法Info
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- JPH06134450A JPH06134450A JP29117192A JP29117192A JPH06134450A JP H06134450 A JPH06134450 A JP H06134450A JP 29117192 A JP29117192 A JP 29117192A JP 29117192 A JP29117192 A JP 29117192A JP H06134450 A JPH06134450 A JP H06134450A
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- JP
- Japan
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- pure water
- substrate
- chemical solution
- sic film
- cvd
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板を洗浄するのに用いられる薬品お
よび純水（基板洗浄用液体）の清浄化方法に関し、薬品
や純水に含まれる不純物元素が半導体基板に付着するの
を低減するように、これらの液体から不純物を浄化する
方法を提供する。 【構成】 表面に気相成長法によって堆積形成したＳｉ
Ｃ膜を有する基体を、半導体装置製造に用いる薬液また
は純水の中に浸漬して、該薬液または純水に含まれる不
純物を該ＳｉＣ膜に吸着するように構成する。基体には
炭素板、シリコンウエハーなどを用いる。
よび純水（基板洗浄用液体）の清浄化方法に関し、薬品
や純水に含まれる不純物元素が半導体基板に付着するの
を低減するように、これらの液体から不純物を浄化する
方法を提供する。 【構成】 表面に気相成長法によって堆積形成したＳｉ
Ｃ膜を有する基体を、半導体装置製造に用いる薬液また
は純水の中に浸漬して、該薬液または純水に含まれる不
純物を該ＳｉＣ膜に吸着するように構成する。基体には
炭素板、シリコンウエハーなどを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造、よ
り詳しくは、半導体基板を洗浄するのに用いられる薬品
および純水（基板洗浄用液体）の清浄化方法に関する。
り詳しくは、半導体基板を洗浄するのに用いられる薬品
および純水（基板洗浄用液体）の清浄化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、半
導体基板（シリコンウエハーなど）表面を洗浄する工程
は重要な基本工程である。洗浄においては、半導体基板
の表面を汚染しないことおよび表面の汚染を除去するこ
とが重要である。そのために、従来より半導体基板の洗
浄には、エッチング液、有機溶剤などの薬品および純水
によるウェット洗浄が行われている。
導体基板（シリコンウエハーなど）表面を洗浄する工程
は重要な基本工程である。洗浄においては、半導体基板
の表面を汚染しないことおよび表面の汚染を除去するこ
とが重要である。そのために、従来より半導体基板の洗
浄には、エッチング液、有機溶剤などの薬品および純水
によるウェット洗浄が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】薬品や純水に含まれる
不純物元素は極わずかでも基板表面に吸着され、素子特
性の変動、劣化を引き起こすために、半導体装置の高集
積化、微細加工化に伴いますます低減する必要がある。
本発明の目的は、薬品や純水に含まれる不純物元素が半
導体基板に付着するのを低減するように、これらの液体
から不純物を浄化する方法を提供することである。
不純物元素は極わずかでも基板表面に吸着され、素子特
性の変動、劣化を引き起こすために、半導体装置の高集
積化、微細加工化に伴いますます低減する必要がある。
本発明の目的は、薬品や純水に含まれる不純物元素が半
導体基板に付着するのを低減するように、これらの液体
から不純物を浄化する方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、表面に気
相成長法によって堆積形成したＳｉＣ膜を有する基体
を、半導体装置製造に用いる薬液または純水の中に浸漬
して、該薬液または純水に含まれる不純物を該ＳｉＣ膜
に吸着することを特徴とする薬液および純水の清浄化方
法によって達成される。
相成長法によって堆積形成したＳｉＣ膜を有する基体
を、半導体装置製造に用いる薬液または純水の中に浸漬
して、該薬液または純水に含まれる不純物を該ＳｉＣ膜
に吸着することを特徴とする薬液および純水の清浄化方
法によって達成される。
【０００５】
【作用】気相成長法によって堆積形成したＳｉＣ膜（す
なわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜）はその純度が高く汚染を招
くことがなく、そしてポーラスであり、しかもその表面
は、基体とＣＶＤ−ＳｉＣとの格子定数が異なるので数
μｍ周期の凹凸を有する。また、基体自体がＶ溝などの
凹凸を有していれば、その上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成
することで、平面と比べれば、表面積を大きくすること
が可能である。このＣＶＤ−ＳｉＣ膜を基板洗浄用液体
に浸漬すると、液中の不純物を吸着する吸着材として働
き、液中の不純物を低減することができ、ポーラスかつ
凹凸のあるＳｉＣ膜は表面積が大きいことで吸着効率を
高めることになる。そして、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面が
Ｒmax ＜１０００の粗さを有することは好ましい。
なわち、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜）はその純度が高く汚染を招
くことがなく、そしてポーラスであり、しかもその表面
は、基体とＣＶＤ−ＳｉＣとの格子定数が異なるので数
μｍ周期の凹凸を有する。また、基体自体がＶ溝などの
凹凸を有していれば、その上にＣＶＤ−ＳｉＣ膜を形成
することで、平面と比べれば、表面積を大きくすること
が可能である。このＣＶＤ−ＳｉＣ膜を基板洗浄用液体
に浸漬すると、液中の不純物を吸着する吸着材として働
き、液中の不純物を低減することができ、ポーラスかつ
凹凸のあるＳｉＣ膜は表面積が大きいことで吸着効率を
高めることになる。そして、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の表面が
Ｒmax ＜１０００の粗さを有することは好ましい。
【０００６】ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の厚さは１〜１０００μ
ｍであるのが好ましく、薄すぎると、表面の凹凸がえら
れず、一方、厚すぎると、成長速度が１００ｎｍ／分程
度であって成長時間がかかりすぎる。また、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜の基体は、その形状が板、円筒、多孔板など任意
であり、その材料は炭素、シリコン、石英などの何れか
であり、特に、基体としては炭素が好ましい。それは、
高温（１２００℃以上）に加熱すると、炭素を揮発させ
て除くことができ、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみからなる清浄
具とすることができるからである。そして、純度が高い
ので、シリコンウエハーを基体として用いることも好ま
しい。
ｍであるのが好ましく、薄すぎると、表面の凹凸がえら
れず、一方、厚すぎると、成長速度が１００ｎｍ／分程
度であって成長時間がかかりすぎる。また、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ膜の基体は、その形状が板、円筒、多孔板など任意
であり、その材料は炭素、シリコン、石英などの何れか
であり、特に、基体としては炭素が好ましい。それは、
高温（１２００℃以上）に加熱すると、炭素を揮発させ
て除くことができ、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜のみからなる清浄
具とすることができるからである。そして、純度が高い
ので、シリコンウエハーを基体として用いることも好ま
しい。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例によって本発明を詳細に説明する。本発明に係る清
浄化方法に従ったＣＶＤ−ＳｉＣ膜による薬液中の不純
物低減効果に関しては、次のようなやり方によって確認
した。
様例によって本発明を詳細に説明する。本発明に係る清
浄化方法に従ったＣＶＤ−ＳｉＣ膜による薬液中の不純
物低減効果に関しては、次のようなやり方によって確認
した。
【０００８】先ず、基体として炭素円板（厚さ：５mm、
直径：１００mm）を用意した。この炭素円板の表面上に
気相成長法（ＣＶＤ法）によってＳｉＣ膜（厚さ：１０
μｍ）を形成した。形成したＣＶＤ−ＳｉＣ膜はその不
純物を原子吸光光度計の測定で表１に示すように含んで
いた。一方、基体の炭素円板は表１に示すようにＣＶＤ
膜よりも不純物が多く、炭素円板のみを１０％弗化水素
（ＨＦ）溶液に浸漬すると、表２に示すように、浸漬前
と浸漬後とでは弗化水素溶液中の不純物が増え、不純物
が溶出してしてしまう。
直径：１００mm）を用意した。この炭素円板の表面上に
気相成長法（ＣＶＤ法）によってＳｉＣ膜（厚さ：１０
μｍ）を形成した。形成したＣＶＤ−ＳｉＣ膜はその不
純物を原子吸光光度計の測定で表１に示すように含んで
いた。一方、基体の炭素円板は表１に示すようにＣＶＤ
膜よりも不純物が多く、炭素円板のみを１０％弗化水素
（ＨＦ）溶液に浸漬すると、表２に示すように、浸漬前
と浸漬後とでは弗化水素溶液中の不純物が増え、不純物
が溶出してしてしまう。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】このＣＶＤ−ＳｉＣ膜板のＳｉＣ膜の表面
不純物量を加熱転写方式で測定し、その結果を表３に示
す。なお、加熱転写方式では、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜板の上
に同形状のシリコンウエハーを重ねて、窒素雰囲気中で
１１００℃×６時間の加熱を行い、冷却後にこのシリコ
ンウエハーの表面を溶解し、原子吸光光度計にて調べ
て、不純物転写量を測定した。
不純物量を加熱転写方式で測定し、その結果を表３に示
す。なお、加熱転写方式では、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜板の上
に同形状のシリコンウエハーを重ねて、窒素雰囲気中で
１１００℃×６時間の加熱を行い、冷却後にこのシリコ
ンウエハーの表面を溶解し、原子吸光光度計にて調べ
て、不純物転写量を測定した。
【００１２】次に、同じＣＶＤ−ＳｉＣ膜板を下記工程
〜にしたがって薬液中に浸漬洗浄しし、それからＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜板の表面不純物量を同じ加熱転写方式で
測定し、その結果を表３に示す。 ３０％過酸化水素＋２９％アンモニア＋純水（１：
１：５）…６０分 純水洗浄 ５０％弗化水素＋純水（１：４）…６０分 純水洗浄 ３６％塩酸＋純水（１：４） …６０分 王水 …１２０分
〜にしたがって薬液中に浸漬洗浄しし、それからＣ
ＶＤ−ＳｉＣ膜板の表面不純物量を同じ加熱転写方式で
測定し、その結果を表３に示す。 ３０％過酸化水素＋２９％アンモニア＋純水（１：
１：５）…６０分 純水洗浄 ５０％弗化水素＋純水（１：４）…６０分 純水洗浄 ３６％塩酸＋純水（１：４） …６０分 王水 …１２０分
【００１３】
【表３】
【００１４】表３から明らかなように、薬液浸漬によっ
て、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の金属不純物が大幅に増えて、薬
液からの金属吸着効果がある。このことは薬液の不純物
を吸着除去していることであり、浄化効果を示してい
る。また、このように不純物を吸着したＣＶＤ−ＳｉＣ
膜板を窒素雰囲気中で１２００℃にて１２時間アニール
してから、ＳｉＣ膜の表面不純物を同じ加熱転写方式で
測定すると、表３に示すように、初期状態にまで不純物
を除去できることが分かった。したがってＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ膜板は再生して使用できる。
て、ＣＶＤ−ＳｉＣ膜の金属不純物が大幅に増えて、薬
液からの金属吸着効果がある。このことは薬液の不純物
を吸着除去していることであり、浄化効果を示してい
る。また、このように不純物を吸着したＣＶＤ−ＳｉＣ
膜板を窒素雰囲気中で１２００℃にて１２時間アニール
してから、ＳｉＣ膜の表面不純物を同じ加熱転写方式で
測定すると、表３に示すように、初期状態にまで不純物
を除去できることが分かった。したがってＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃ膜板は再生して使用できる。
【００１５】上述の場合には基体として炭素板を用いた
が、シリコン、石英などの材料の板、円筒、多孔板など
でも良い。
が、シリコン、石英などの材料の板、円筒、多孔板など
でも良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ膜を利用した清浄化方法を半導体装置製造工
程で用いられる薬液、純水中の不純物を低減し、汚染を
減らして素子の信頼性、製造歩留りの向上が図れる。
Ｄ−ＳｉＣ膜を利用した清浄化方法を半導体装置製造工
程で用いられる薬液、純水中の不純物を低減し、汚染を
減らして素子の信頼性、製造歩留りの向上が図れる。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に気相成長法によって堆積形成した
ＳｉＣ膜を有する基体を、半導体装置製造に用いる薬液
または純水の中に浸漬して、該薬液または純水に含まれ
る不純物を該ＳｉＣ膜に吸着することを特徴とする薬液
および純水の清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29117192A JPH06134450A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 薬液および純水の清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29117192A JPH06134450A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 薬液および純水の清浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06134450A true JPH06134450A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17765374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29117192A Withdrawn JPH06134450A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 薬液および純水の清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06134450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043496A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 多摩化学工業株式会社 | 半導体基板用アルカリ性処理液の精製方法及び精製装置 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29117192A patent/JPH06134450A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043496A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 多摩化学工業株式会社 | 半導体基板用アルカリ性処理液の精製方法及び精製装置 |
| CN103189965A (zh) * | 2010-09-27 | 2013-07-03 | 多摩化学工业株式会社 | 半导体衬底用碱性处理液的精制方法及精制装置 |
| JP5925685B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-05-25 | 多摩化学工業株式会社 | 半導体基板用アルカリ性処理液の精製方法及び精製装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |