JP5021907B2 - 窒化物半導体製造装置の洗浄方法と洗浄装置 - Google Patents
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ウエハー以外の部品に付着したGaNなどの半導体薄膜は、不要な汚染物となり、窒化物半導体を製造する上で障害になるので、適宜汚染部品を洗浄して汚染物を除去する必要がある。
水素洗浄は、主としてウエハートレーに付着した汚染物を除去するもので、ウエハートレーを1000℃以上の高温に保持しつつ半導体製造装置内に水素を通気して行う。1000℃以上にするのは、汚染物と水素との反応生成物を揮発除去するためである。
なお、水素洗浄や燐酸洗浄に関するは、公知文献は承知していない。酸化ケイ素を主体とする汚染物の除去については、以下の特許公報がある。
よって、本発明における課題は、窒化物半導体を製造する際、半導体製造装置を構成する各種部品が上記汚染物で汚染された場合に、この汚染部品を部品の損傷を来すことなく、しかも作業者が安全に作業することができる洗浄方法および清浄装置を得ることにある。
さらに、洗浄ガス中の塩素ガス濃度は0.1体積%以上とされる。塩素ガス濃度が0.1体積%未満でも汚染物は洗浄ガス中の塩素ガスと反応するが、反応速度が遅くなり実用性に乏しくなる。一方、塩素ガス濃度は高いほうが洗浄性能は高まるが、塩素ガス濃度を高くし過ぎると、部品自体が腐食する怖れがあるので、通常は50体積%以下とするのが好ましい。
また、従来の水素洗浄のように1000℃以上の高温にする必要がないので、ウエハートレーが熱変形せず、また、従来の燐酸洗浄のような有毒な環境下での洗浄ではないので作業者の安全が確保できる。
しかも、2種類の洗浄方法を使い分ける従来方法に比べ、本発明方法は一つの洗浄方法で洗浄できるメリットもある。
この例の洗浄装置は、汚染された部品を収納する反応室1と、反応室1内に洗浄ガスを導入する洗浄ガス導入管2と、反応室1内で生じた揮発ガスを排出する排出ガス排出管3と、反応室器1内を500℃〜1000℃の温度に保持できる一対のヒーター4、4(加熱手段)と、このヒーター4、4の出力を調整して反応室1内の部品の温度を500〜1000℃の範囲で一定に保持する温度調整器5から構成され、反応室1の底部には洗浄対象となる汚染部品6を載置する台7が配置されている。
なお、ヒーター4は、発熱線、ランプ加熱など汚染部品を加熱可能なものならでも良く、個数も2つに限らず任意で良い。
次いで、ヒーター4を作動させて反応室1内の汚染部品を500℃以上の温度に加熱した後、洗浄ガス導入管2から洗浄ガスを反応室1内に導入する。
この状態を所定時間継続すると、汚染部品に付着した汚染物が洗浄ガスに含まれる塩素系ガスと反応し、反応物が生成されるが、この反応物は直ちに蒸発して揮発ガスとなり、洗浄ガスに同伴されて揮発ガス排出管3から排出される。
また、本発明の洗浄方法では、半導体製造装置自体に上記洗浄ガスを導入しても良いが、装置自体の損傷が生じないようにする必要がある。
洗浄装置として、図1に記載の構成のものを使用した。
反応室として、内寸法で直径30cm、横100cmの円筒型のものを用い、洗浄ガスとして、窒素に塩素系ガスを加えて洗浄ガスとし、その塩素系ガス濃度を変化させたものを用いた。
また、膜厚が既知の窒化ガリウムまたは窒化アルミニウムガリウムの結晶を汚染物の模擬サンプルとして用いた。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+塩素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚1.0μmのAlGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+塩素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のAlGaN膜厚を測定した結果、AlGaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+塩化水素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+三塩化ホウ素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素21slm+四塩化ケイ素21slm(塩素系ガス濃度50体積%)として0.5時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に到達した後、導入ガスを窒素41.58slm+塩素0.42slm(塩素系ガス濃度1体積%)として1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が900℃に到達した後、導入ガスを水素42slmとして1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、処理後のGaN膜厚をSEMで測定した結果、膜厚は3.0μmであり、GaNの除去はできなかった。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が1000℃に到達した後、導入ガスを水素42slmとして1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMによる処理前後のGaN膜厚を測定した結果、GaN膜はすべて除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内が800℃に到達した後、導入ガスを窒素41.958slm+塩素0.042slm(塩素系ガス濃度0.1体積%)として、1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜を測定した結果、GaN膜は全て除去されており、サファイア基板のみが残った。
サファイア基板上に成膜した膜厚3.0μmのGaN結晶を反応室内に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内が800℃に到達した後、導入ガスを窒素41.989slm+塩素0.021slm(塩素系ガス濃度0.05体積%)として、1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを42slmに戻し、反応室内温度が室温となるまで冷却した。
サファイア基板を取り出し、SEMにより処理前後のGaN膜を測定した結果、GaN膜は処理前後で約30%が除去された。
GaN結晶を成膜した直径10cmの石英ガラスを反応室に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が800℃に達した後、導入ガスを窒素41.58slm+塩素0.42slm(塩素系ガス濃度1.0体積%)として、1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応炉内温度が室温となるまで冷却した。この処理を30回おこなったのち、石英ガラスの熱変形を測定したが、処理前後での反り等の変化は認められなかった。
GaN結晶を成膜した直径10cmの石英ガラスを反応室に設置し、窒素42slmを供給しながら昇温した。反応室内温度が1000℃に達した後、導入ガスを水素42slmとして、1.0時間の処理を行った。その後、導入ガスを窒素42slmに戻し、反応炉内温度が室温となるまで冷却した。この処理を30回おこなったのち、石英ガラスの反りを測定した結果、150ミクロンの反りが観察された。
Claims (2)
- GaNやAlGaNを堆積させて半導体薄膜を成膜する、ガス流路を構成するフローチャネルを有する窒化物半導体製造装置から、汚染された石英ガラスからなる部品を取り外して、500〜1000℃以下の温度において、洗浄装置内で、塩素ガスを窒素で希釈したガスである洗浄ガスと接触させる窒化物半導体製造装置の洗浄方法であって、
前記部品には、GaNまたはAlGaNからなる汚染物が付着しており、
前記洗浄ガスは、塩素ガス濃度が0.1体積%以上1体積%以下であり、
前記部品に前記洗浄ガスを接触させる時間が1.0時間以下であることを特徴とする窒化物半導体製造装置の洗浄方法。 - GaNやAlGaNを堆積させて半導体薄膜を成膜する、ガス流路を構成するフローチャネルを有する窒化物半導体製造装置から、汚染された石英ガラスからなる洗浄対象部品を取り外して洗浄する窒化物半導体製造装置の洗浄装置であって、
洗浄ガス導入管と排出ガス排出管とを有する反応室と、
この反応室内に配置した前記洗浄対象部品を500〜1000℃の温度に保持できる加熱手段と、
洗浄ガス導入管に塩素ガスを窒素で希釈した塩素ガス濃度が0.1体積%以上1体積%以下のガスである洗浄ガスを、前記洗浄対象部品と前記洗浄ガスの接触時間を1.0時間以下にして送り込む洗浄ガス供給源を備え、
前記洗浄対象部品には、GaNまたはAlGaNからなる汚染物が付着していることを特徴とする窒化物半導体製造装置の洗浄装置。
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